晶体管倍频器

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晶体管的三种连接方式 -回复

晶体管的三种连接方式 -回复

晶体管的三种连接方式-回复晶体管是现代电子设备中最基本的组件之一。

它是一种半导体器件,具有放大和开关功能。

在实际应用中,晶体管可以通过多种方式连接,以适应不同的电路和系统需求。

本文将介绍晶体管的三种主要连接方式:集电极连接、基极连接和发射极连接,并详细解释它们的工作原理和应用场景。

一、集电极连接(又称共集连接或电压跟随连接):在集电极连接中,晶体管的集电极被连接到电源电压,而发射极被连接到负载。

这种连接方式下,基极是输入信号的接入点,而集电极是输出信号的接出点。

集电极连接适合需要放大输入信号并将其反相输出的场景。

工作原理:当输入信号施加到基极时,基极电压的变化将引起发射极电流的变化。

晶体管的结构使得发射极电流的变化会导致集电极电压的变化,即使输入信号在基极与发射极之间只有微小的变化。

这种负反馈机制有助于减小放大电路中的非线性失真。

应用场景:集电极连接适用于需要转换信号极性的场景,例如电压反相器。

由于集电极连接的放大倍数较低,常用于功率放大器、电流源以及一些特殊应用,如对输入电流进行调整。

二、基极连接(又称共基连接):在基极连接中,晶体管的基极被连接到输入信号源,发射极被连接到公共地,集电极则是输出信号的接出点。

这种连接方式下,输入信号通过基极-发射极之间的电流变化来控制输出信号的变化。

工作原理:当输入信号施加到基极时,基极电流的变化将引起发射极电流的变化。

晶体管的结构使得发射极电流的变化会导致集电极电压的变化,从而在输出上形成放大后的信号。

基极连接有较高的输入电阻和较低的输出电阻,因此可以保持信号的较好线性度。

应用场景:基极连接适用于需要放大小信号并保持较好线性度的场景,例如射频功率放大器和调制解调器。

它还通常用于产生高频信号的起振电路或频率倍频器。

三、发射极连接(又称共发射极连接或共阴连接):在发射极连接中,晶体管的发射极被连接到电源电压,基极被连接到输入信号源,而集电极则是输出信号的接出点。

射频与微波晶体管放大器基础

射频与微波晶体管放大器基础

射频与微波晶体管放大器基础射频与微波晶体管放大器是一种用于射频(Radio Frequency,RF)和微波(Microwave)信号放大的重要电子器件。

它在通信、雷达、卫星通信、无线电频谱分析仪等领域有着广泛的应用。

本文将介绍射频与微波晶体管放大器的基本概念、工作原理以及常见的分类。

一、基本概念射频与微波晶体管放大器是一种用于放大射频和微波信号的电子器件。

它可以将输入的微弱信号放大到较大的幅度,以便于信号的传输和处理。

晶体管是射频与微波放大器的核心组件,其主要由三个区域组成:发射区、基区和收集区。

通过对这三个区域的控制和调节,晶体管可以实现对射频和微波信号的放大。

二、工作原理射频与微波晶体管放大器的工作原理基于晶体管的三个区域的电子流动和电荷控制。

当输入信号通过发射区时,它将引起发射区电流的变化。

这个变化的电流将通过基区传播到收集区,进而产生一个放大后的输出信号。

晶体管的放大效果主要由两个参数决定:增益和带宽。

增益是指输出信号幅度与输入信号幅度之间的比值。

带宽则决定了放大器可以放大的频率范围。

为了实现高增益和宽带宽,人们不断改进晶体管的结构和材料,以提高其性能。

三、分类射频与微波晶体管放大器可以根据不同的工作方式和应用领域进行分类。

常见的分类包括:1. 单极性晶体管放大器(Unipolar Transistor Amplifier):它使用单极性(只有一个类型的载流子)晶体管作为放大器的核心。

这种放大器通常具有较高的增益和较宽的带宽。

2. 双极性晶体管放大器(Bipolar Transistor Amplifier):它使用双极性(同时存在两种类型的载流子)晶体管作为放大器的核心。

这种放大器具有较高的线性度和较低的噪声。

3. 堆叠晶体管放大器(Stacked Transistor Amplifier):它使用多个晶体管进行级联放大。

这种放大器可以实现更高的增益和更宽的带宽。

4. 集成射频放大器(Integrated RF Amplifier):它将多个晶体管和其他电子器件集成在一起,以实现更小的体积和更高的集成度。

高频倍频器三倍频器电路设计

高频倍频器三倍频器电路设计

西安航空学院高频电子线路课程设计题目: 3倍频器电路设计专业班级:电信1431 学号: 46 学生姓名:**指导教师:教师职称:起止时间: 2012.12.29——2013.1.6 课程设计(论文)任务及评语目录第一章倍频器工作原理分析 01.1工作原理 01.2晶体管倍频原理电路、工作状态及其特点 (1)第二章丙类倍频器功效分析 (3)第三章三倍频器的主要质量指标 (6)3.1 变频增益 (6)3.2 失真和干扰 (6)3.3 选择性 (6)3.4噪声系数 (6)第四章电路设计与仿真 (7)第五章设计分析与总结 (9)参考文献 .................................................. 错误!未定义书签。

第一章 倍频器工作原理分析1.1工作原理倍频器(Frequency double )是一种输出频率等于输入频率整数倍的电路,用以提高频率,如下图所示的例子。

图1.1倍频器的应用采用倍频器以下优点:发射机的主振频率可以降低,这对稳频是有利的。

因为振荡器的频率越高,频率稳定度就越低。

一般主振频率不宜超过5MHz 。

因此,发射频率高于5MHz 的发射机,一般宜采用倍频器。

在采用石英晶体稳频时,振荡频率越高,石英晶体越薄,越易震碎。

一般来说,最薄的石英晶体的固有振荡频率限制在20MHz 以下。

超过这一频率,就宜在石英振荡器后面采用倍频器。

如果中间级既可以工作在放大状态,也可以工作于倍频状态,那么就可以在不扩展主振波段的的情况下,扩展发射机的波段。

这对稳频是有利的,因为振荡波段越窄,频率稳定度就越高。

倍频器的输入与输出不同,因而减弱了寄生耦合,使发射机的工作稳定性提高。

如果是高频或调相发射机,则可采用倍频器来加大频移或相移,亦即加深调制度。

在超高频段难以获得足够的功率,可采用参量倍频器将频率较低、功率较大的信号转变为频率较高、功率亦较大的输出信号。

倍频器按其工作原理可分为三类。

一种W波段八倍频放大芯片的设计

一种W波段八倍频放大芯片的设计

设计应用技术DOI:10.19399/j.cnki.tpt.2023.05.013一种W波段八倍频放大芯片的设计傅琦,高显(中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051)摘要:介绍了基于砷化镓(GaAs)伪形态高电子迁移率晶体管(pseudo-morphology High Electron Mobility Transistor,pHEMT)工艺,输出信号为W波段的八倍频放大芯片的设计方法。

通过合理划分电路方案,将倍频器方案设计为输入频率经过四倍频器在Q波段进行放大,最后通过二倍频输出W波段信号。

基于上述方案,设计了一款输入频率为10.8~11.5 GHz、输出频率为86.4~92 GHz的八倍频多功能芯片。

芯片通过探针台在片测试,在工作频带内七次谐波抑制均优于15 dBc,九次谐波抑制均优于20 dBc,输出功率大于0 dBm。

关键词:砷化镓(GaAs);单片微波集成电路(MMIC);八倍频;W波段Design of A W-Band Octave Amplifier ChipFU Qi, GAO Xian(The 13th Research Institute, CETC, Shijiazhuang 050051, China)Abstract: This paper introduces the design method of an octave amplifier chip with W-band output signal based on the pseudo-morphology High Electron Mobility Transistor (pHEMT) technology of GaAs. By reasonably dividing the circuit scheme, the frequency multiplier scheme is designed such that the input frequency is amplified in Q-band by quadrupler, and finally the W-band signal is output by frequency doubling. Based on the above scheme, an octave multifunctional chip with input frequency of 10.8~11.5 GHz and output frequency of 86.4~92 GHz is designed.The chip passed the probe station on-chip test, and the seventh harmonic suppression is better than 15 dBc, the ninth harmonic suppression is better than 20 dBc, and the output power is greater than 0 dBm.Keywords: GaAs; Monolithic Microwave Integrated Circuit (MMIC); octave; W-band0 引 言随着人们对通信容量、频谱带宽、组件小型化等需求的日益提高,W波段收发组件、接收组件在星间通信、扫描成像、测损、车载雷达以及无人机探测等领域得到广泛应用[1-3]。

思考题总结

思考题总结

Chapter11无线通信为什么要进行调制?为什么是高频我们所听到看到的信号,由于频率、带宽以及易受干扰等原因,不适合直接用天线发射,所以就使用一个高频信号作为载波,把需要传输的信号混入载波中,通过天线发射,在接收端再通过解调电路,筛选出所需频率信号,再滤除干扰信号,还原出我们所需的信号,即调制。

调制过程是用被传送的低频信号去控制高频振荡器,使高频振荡器输出信号的参数(幅度,频率,相位)相应于低频信号的变化而变化,从而实现低频信号搬移到高频信号,被高频信号携带传播的目的。

原因是:1.减少制造天线的麻烦2使所发射的信号不致混淆。

2线性元件与非线性元件★线性元件1 伏安特性曲线:电流与电压有线性的关系(欧姆定律)。

2 线性元件其输入输出呈线性关系。

3 如:电阻、电容、电感、变压器、运算放大器等。

4 注意工作条件不同时会发生变化。

★非线性元件1 伏安特性曲线:电流与电压不成正比。

2 非线性元件其输入输出不呈线性关系。

3 如:晶体二极管、晶体三极管、场效应管等。

4 注意不同条件下各种等效变换分析。

3.有源元件VS无源元件★无源元件无源元件工作时,其内部没有任何形式的电源。

自身或消耗电能,或把电能转变为不同形式的其他能量。

只需输入信号,不需要外加电源就能正常工作。

不用电源就能显示其特性。

无源器件用来进行信号传输,如阻、容、感等★有源元件有源元件工作时,其内部有电源存在。

自身也消耗电能。

除了输入信号外,还必须要有外加电源才可以正常工作。

需要电源才能显示其特性。

有源器件一般用来信号放大、变换等,如二极管、三极管等4.线性电路VS非线性电路Chapter21.高频小信号放大电路的主要技术指标有哪些?如何理解选择性和通频带的关系?★高频小信号放大电路由放大器和选频器组成。

▶衡量放大电路的主要技术指标有中心频率、通频带和选择性、增益、噪声系数与灵敏度。

▶中心频率、通频带和选择性主要由选频器决定;增益、噪声系数与灵敏度主要由放大器决定。

倍频器

倍频器

摘要摘要W波段是目前军用毫米波技术开发的高端,频率源是W波段高频系统实现的重要部分。

倍频器是实现毫米波频率源的一种重要方式,随着倍频器的发展和应用,倍频器方面的研究也不断地深入,如今倍频技术已经发展到一个新的阶段。

本文对W波段三倍频器进行了设计、仿真。

采用两个二极管反向并联的结构实现三次倍频的方案,这种平衡倍频电路结构能够将输入频率的偶次谐波抵消掉,从而大大降低电路中的杂波量。

本文运用ADS软件建立二极管对模型并且进行匹配电路的设计,运用HFSS软件对W波段三倍频器的滤波电路和过渡转换电路进行了仿真设计,然后把S参数仿真结果导入到ADS软件中,采用谐波平衡法对W 波段三倍频器的整体电路进行仿真和优化以获得最大倍频效率。

经仿真,W频段宽带三倍频器基本达到设计要求。

变频损耗在15dB以下,谐波抑制度基本20dBc以上。

关键词:毫米波、倍频器、低通滤波器、W频段三倍频IABSTRACTABSTRACTMultiplier is one important way to realize the millimeter-wave frequency source. Following the application and development of multiplier device and circuit, the research of multiplier theory is increasing. Today frequency multiplying technology has reached a new level.Firstly W-band frequency tripler has been designed, and simulation. Diodes which constitutes anti-parallel pairs structure was used to realize the frequency tripler. Balanced Frequency tripler can suppress the even-order harmonics so effectively that the amount of clutter has been greatly reduced. In this paper, The model of diode pairs was modeled and impedance matching networks was designed in Agilent ADS. Filter circuit and transition circuit of W-band frequency tripler have been simulation designed in the HFSS, and then import simulated S-parameters into ADS software. Finally, harmonic balance analysis was used to optimize the entire circuit for maximum multiplication efficiency.By the simulation, the W band tripler almost reaches the requirement of the project. the microstrip multiplier performance is better in entire W-band with multiplier loss 15dB and harmonic suppress above 20dBc.Key word: millimeter wave, multiplier, lowpass filter, W-band tripler.II目录目录第一章引言 (1)1.1毫米波的特点及应用 (1)1.2毫米波倍频器介绍 (2)1.3毫米波倍频器的国内外发展动态 (3)1.4课题介绍 (4)第二章倍频电路的基本理论 (5)2.1倍频原理 (5)2.2非线性电路的分析 (6)2.3平衡倍频器电路设计原理[11] (8)第三章毫米波三倍频器的设计 (10)3.1概述 (10)3.2关键技术和难点 (10)3.3倍频器的研制方案和设计框图 (11)3.4二极管的选择及参数介绍 (12)3.5波导-微带过渡 (13)3.5.1 理论基础 (13)3.5.2 输入波导到微带线探针过渡的设计仿真 (14)3.5.3 输出微带到波导线探针过渡的设计仿真 (16)3.6低通滤波器的设计 (18)3.7总体电路的仿真 (20)3.7.1 第一种电路形式的仿真 (20)3.7.1.1二极管对的输入阻抗及匹配电路 (20)3.7.1.2 加入无源电路进行总体仿真 (22)3.7.2第二种电路形式的设计及仿真 (26)3.7.2.1 二对二极管对的输入阻抗及匹配电路 (26)3.7.2.2 加入无源电路进行总体仿真 (28)3.7.3第三种电路形式的设计及仿真 (30)III电子科技大学学士学位论文3.7.3.1 二极管对的输入阻抗及匹配 (30)3.7.3.2偏置电路的设计 (30)3.7.3.3 加入无源电路进行总体仿真 (31)3.9三种结构的仿真结果分析 (34)第四章结论 (37)致谢 (38)参考文献 (39)外文资料原文 (40)外文资料译文 (45)IV第1章引言第一章引言1.1毫米波的特点及应用毫米波一般指的是波长介于1~10mm的一段电磁波频谱,其相应的频率范围为30~300GHz。

无线通信练习册答案

无线通信练习册答案

习题一一、填空题:1、无线通信系统主要由_发射机接收机和天线_三大部分组成。

2、无线通信方式主要有单工_ _ 和半双工_三种方式。

3、无线通信的波长、频率是根据λ公式计算的。

4、高频的频率范围,波长范围。

P15—165、甚高频的频率范围,波长范围。

P15—166、超高频的频率范围,波长范围。

P15—167、特高频的频率范围,波长范围。

P15—168、无线通信的形式有_移动_和_固定_两种。

二、名词解释:1、频段:把无线电频率划分为若干个区域,每个区域称为频段。

2、单工通信:通信的双方同时只能单方向工作的方式3、双工通信:通信的双方可同时双方向工作的方式4、半双工通信:通信的一方为单工通信方式,而另一方为双工通信方式。

三、判断题:1、无线通信是利用无线电波来传输信息的。

(√)2、无线通信是在移动中进行通信的。

(Χ)3、无线通信的通信方式有两种。

(Χ)4、无线通信的通信形式有两种。

(Χ)5、超短波通信是指频率在33000。

( Χ)6、超短波通信是指波长在10010。

(Χ)7、移动通信的频率在VHF和UHF频段。

(√)习题二一、填空题:1、调制按调制信号不同分类有_模拟信号_和数字信号_两种。

2、调制按载波信号不同分类有_模拟信号和_数字信号_两种。

3、调制按调制器实现功能分类有_线形和非线形_两种。

4、调频波的瞬时频率ω(t)。

P532—P5365、调频波的瞬时频移Δω(t)。

P532—P5366、调频波的最大频偏Δω= 。

P532—P5367、调频波的瞬时相位θ(t)。

P532—P5368、调频波的瞬时相移Δθ(t)。

P532—P5369、调频波的数学表达式(t)。

P532—P53610、调频波的调制指数。

P532—P536二、名词解释:1、调制:P4612、载波:P4613、瞬时频率:P5304、频率调制:载波的瞬时频率随调制信号的变化而线性的改变。

三、判断题:1、间接调频就是把调制信号进行微分,再进行调相。

三倍频发生器的基本原理

三倍频发生器的基本原理

三倍频发生器的基本原理非线性元件在输入信号通过时,会产生非线性的电压-电流特性。

这种非线性特性会导致输入信号的频率倍增。

在三倍频发生器中,一般会使用晶体管、二极管、场效应管(FET)等非线性元件。

下面是三倍频发生器的基本原理及详细说明:1.输入信号:三倍频发生器的输入信号一般为正弦波,其频率为f。

输入信号的幅值和电阻分配根据具体的电路设计而确定。

2.第一级倍频电路:第一级倍频电路包括一个非线性元件,如二极管。

它的作用是将输入信号的频率提高到原始信号的两倍,即2f。

非线性元件的特性导致了输入信号的频率倍增。

3.信号放大:在第一级倍频电路后面,还需要一个信号放大电路。

这个电路用于放大第一级倍频后的信号,以确保信号强度足够大以供后续电路使用。

4.第二级倍频电路:第二级倍频电路也包括一个非线性元件,如晶体管或FET。

它的作用是将第一级倍频后的信号频率再次提高到原始信号的两倍,即4f。

5.信号放大:与第一级倍频电路类似,第二级倍频电路之后需要一个信号放大电路,以确保输出信号的强度足够。

6.第三级倍频电路:第三级倍频电路是与第一级和第二级串联的,其作用是将第二级倍频后的信号频率提高到原始信号的三倍,即3f。

7.输出信号:第三级倍频电路的输出信号即为三倍频发生器的输出信号。

它是一个频率为3f的正弦波,其幅值可以通过信号放大电路进行调节。

需要注意的是,三倍频发生器需要精确的电路设计,以确保非线性元件的特性能够实现频率倍增。

此外,在设计过程中需要考虑电路的稳定性、功耗以及输出信号的失真等因素。

总之,三倍频发生器是利用非线性元件对输入信号进行频率倍增的电路。

它是许多通信、测量和信号处理应用中的重要组成部分,例如无线电频率合成器、信号发生器等。

第13讲 混频

第13讲 混频

−(uL + us ) K1 (ωL t ) + i1 RD − (i2 − i1 ) RL = 0 −(uL − us ) K1 (ωL t ) + i2 RD + (i2 − i1 ) RL = 0
其中,RD是二极管导通电阻,K1 (ωLt ) 是单向开关函数.两方程相减,得
2us K1 (ωL t ) i2 − i1 = − RD + 2 RL
3.混频的原理 混频电路的输入是载频为fc的高频已调波信号us(t)和频率为fL的 本地正弦波信号(称为本振信号)uL(t), 输出是中频为fI的已调波信 号uI(t)。通常取fI=fL-fc。 以输入是普通调幅信号为例,若us(t)=Ucm[1+kuΩ(t)]cos2πfct, 本振信号为uL(t)=ULmcos2πfLt, 则输出中频调幅信号为uI(t)=UIm [1+kuΩ(t)]cos 2πfIt。 调幅信号频谱从中心频率为fc处平移到中心频率为fI处, 频谱宽度 不变, 包络形状不变。
若: us = U s cos ωc t 1 ∞ 2 K L (ωL t ) = + ∑ (−1) n −1 cos(2n − 1)ωL t 又,单项开关函数: 2 n =1 (2n − 1)π 则 i=i2-i1中的组合频率分量为:
ωc and | ±(2n − 1)ωL ± ωc |
n = 1, 2,
I cnm = α (θ ) I Cm
如图: 一、 二、 三次谐波分解系数 的最大值逐个减小, 经计算可得最大值 及对应的导通角为: α1( 120°)=0.536 α2( 60° )=0.276 α3( 40° )=0.185 可见, 二倍频、 三倍频时的最佳导通 角分别是60°和40°, 而且, 在相同ICm情 况下, 所获得的最大电流振幅分别是基 波最大电流振幅的一半和三分之一。 所以, 在相同情况下, 倍频次数越高, 获 得的输出电压或功率越小。一般倍频次 数不应超过3~4, 如需要更高次倍频, 可 以采用多个倍频器级联的方式。

第7讲_高频 功率放大器实际电路(完整版)

第7讲_高频 功率放大器实际电路(完整版)

L1 C1 ' R1 ' C2 ' R2 '
2. 高频功放的耦合回路
高频功放都要采用一定的耦合回路,以使输出功率能有效地传 输到负载(下级输入回路或天线回路) 一般说来,放大器与负载 , 之间的耦合可采用下图所示的四端网络来表示。这个四端网络应完 成的任务是:
RS uS 输入 匹配 网络 功率 放大器 输出 匹配 网络 RL
这 种 电 路 能 自 动 维 持 C 大 器 的 工 作 稳 定 。B 放 E E
B B
CB 以上基极自给偏压电路中,前两个为并馈线路,后一种为串馈 线路。
U 在 实 际 应 用 中 ,由 于 基 极 馈 电 电 路 中 采 用 单 独 电 源 BB
通常采用自给偏压的方式提供基极偏置。
VT VT VT
在大功率输出级,T型、Π 型等滤波型的匹配网络就得到了广泛的应用。
L1
C2
R1
C1
C2
R2
R1
C1
L1
R2
(a)
两种Π型匹配网络
(b)
图中的R2一般代表终端(负载)电阻,R1则代表由R2折合到左端的等效 电阻,现以 (a)为例进行计算公式的推导 L1 将并联回路R1C1 与R2C2 变换为串联形式,由 C1 ' C2 ' 串、并联阻抗转换公式可得 2
R1
R2
R1 1 Q
X
2
2 1 2 c2
X
2
X c1
2 c1
2
R
2 1
R1
X C1 X C2
R1
R 1 X C1
2 2
X C1
R2
2
2 2

晶体管倍频器

晶体管倍频器

L
◎三倍频输出最大功率P03与 P03 Icm3 α3(40°) = ———= ——— =0.35 基波最大功率P01间的关系为: —— P01 Icm1 α1(120°) 本页完 继续
求集电极效率ηc和电路效率η
作业

本页完 继续
再见


讨论结果




◎二倍频输出最大功率P02与基 利用尖顶脉冲的分解系数。 波最大功率P01间的关系为 Icm1=iCmaxα1(θc) Icm2=iCmax α2(θc) Icm3=iCmax α3(θc) α1曲线在θc≈120°处出 现最大值为0.536。 α2曲线在θc≈60°处出现 最大值为0.276。 α3曲线在θc≈40°处出现 最大值为0.185。
0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 20 ° 40 ° 60 °
α0 α2 α3
80 100 120 140 160 180 ° ° ° ° ° °
θc
尖顶脉冲的分解系数
本页完 继续


倍频输出功率与基波功率之比




在输出电压相同时,有Po∝Icm。 因此可以利用α系数比较倍频输 利用尖顶脉冲的分解系数。 出最大功率P0n与基波最大功率P01 Icm1=iCmaxα1(θc) 间的关系。 ◎二倍频输出最大功率P02与基 Icm2=iCmax α2(θc) 波最大功率P01间的关系为 Icm3=iCmax α3(θc) α1曲线在θc≈120°处出 现最大值为0.536。 α2曲线在θc≈60°处出现 最大值为0.276。 α3曲线在θc≈40°处出现 最大值为0.185。
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丙类倍频器

丙类倍频器

丙类倍频器在无线电发射机、频率合成器等电子设备中,广泛地运用了倍频器。

它的功能是将频率为f c 的输入信号变换成频率为nf c 的输出信号(n为正整数)。

采用倍频器的优点是:1.能降低电子设备的主振频率,对提高设备的频率稳定度有利。

因为振荡器的频率越高,频率稳定度就越差,一般主振器频率不宜超过5M Hz。

因此,当发射机频率高于5MHZ时,通常采用倍频器。

2.在通信机的主振器工作波段不扩展的条件下,可利用倍频器扩展发射机输出级的工作波段。

例如,主振器工作在(1.5~3)M Hz,在其后采用放大倍频级,该级在波段开关控制下,既能工作在放大状态,又能工作在二倍频或四倍频状态。

这样,随波段开关的改变,发射机输出级就可获得(1.5~3)MK(3~6)M怡和6~12)MHZ三个波段的输出。

3.在调频和调相发射机中,采用倍频器可加大频移或相移,即可加深调制深度。

倍频器按其工作原理可分为三类。

一类是和丙类放大器电流脉冲中的谐波经选频回路获得倍频。

第二类是利用模拟乘法器实现倍频。

第三类是利用PN结电容的非线性变化,得到输入信号频率的谐波,经选频回路获得倍频,称为参量倍频器。

当工作频率为几十M Hz时,主要采用三极管丙类倍频器,而当工作频率高于1000MHZ时,主要采用变容二极管、阶跃二极管构成的参量倍频器。

乘法器构成的倍频器主要受乘法器的上限工作频率的限制。

目前,乘法器的上限工作频率可1000MHZ本节仅介绍丙类倍频器的基本原理。

在丙类工作时,晶体管集电极电流脉冲中含有丰富的谐波分量。

如果把集电极谐振回路调谐在二次谐波或三次谐波频率上。

那么,放大器只有二次谐波电压或三次谐波电压输出。

这样的丙类放大器就成为二倍频器或三倍频器。

倍频器的输入、输出电压瞬时值可写为u b =U bm cosωtuc=ucnmcosnωt而晶体管极间瞬时电压可写成为U be=V bb+U bmcosωtuce=V cc-U cnmcosωt式中,U cnm 为回路两端的n次谐波电压振幅。

锁相环等技术

锁相环等技术

1:请问pll在收音机中的原理是什么?能否说的详细一点。

比如说LC72191。

用来产生一个本机振荡频率,与要收听的电台所发射的频率产生差频,然后放大这个差频,再检波成为声音信号供人们收听。

2:压控振荡器压控振荡器的控制特性英文:voltage-controlled oscillator解释:频率是输入信号电压的函数的振荡器VCO。

指输出频率与输入控制电压有对应关系的振荡电路(VCO)。

其特性用输出角频率ω0与输入控制电压uc之间的关系曲线(图1)来表示。

图中,uc为零时的角频率ω0,0称为自由振荡角频率;曲线在ω0,0处的斜率K0称为控制灵敏度。

使振荡器的工作状态或振荡回路的元件参数受输入控制电压的控制,就可构成一个压控振荡器。

在通信或测量仪器中,输入控制电压是欲传输或欲测量的信号(调制信号)。

人们通常把压控振荡器称为调频器,用以产生调频信号。

在自动频率控制环路和锁相环环路中,输入控制电压是误差信号电压,压控振荡器是环路中的一个受控部件。

压控振荡器的类型有LC压控振荡器、RC压控振荡器和晶体压控振荡器。

对压控振荡器的技术要求主要有:频率稳定度好,控制灵敏度高,调频范围宽,频偏与控制电压成线性关系并宜于集成等。

晶体压控振荡器的频率稳定度高,但调频范围窄,RC压控振荡器的频率稳定度低而调频范围宽,LC压控振荡器居二者之间。

LC压控振荡器在任何一种LC振荡器中,将压控可变电抗元件插入振荡回路就可形成LC压控振荡器。

早期的压控可变电抗元件是电抗管,后来大都使用变容二极管。

图2是克拉泼型LC压控振荡器的原理电路。

图中,T为晶体管,L为回路电感,C1、C2、Cv为回路电容,Cv为变容二极管反向偏置时呈现出的容量;C1、C2通常比Cv大得多。

当输入控制电压uc改变时,Cv随之变化,因而改变振荡频率。

这种压控振荡器的输出频率与输入控制电压之间的关系为VCO输出频率与控制电压关系式中C0是零反向偏压时变容二极管的电容量;φ 是变容二极管的结电压;γ 是结电容变化指数。

《晶体管倍频器》课件

《晶体管倍频器》课件

4. 参数计算
根据电路结构和晶体管参数,计算元件值和 偏置条件。
5. 仿真验证
使用仿真软件对设计的电路进行验证,确保 满足性能要求。
6. 优化调整
根据仿真结果,对电路参数进行调整,以提 高性能。
元器件选择与参数计算
1. 晶体管参数
参数计算
根据电路结构和倍频原理,计算 元件的数值和偏置条件。
根据输入频率和输出频率,计算 晶体管的静态工作点、集电极电 流和基极电阻等参数。
在雷达与导航领域,晶体管倍频 器的高性能和稳定性将有助于提 高设备的精度和可靠性。
军事领域
在军事领域,晶体管倍频器的应 用将有助于提高武器系统的精度 和可靠性。
未来发展趋势与展望
1 2 3
智能化与自动化
未来晶体管倍频器将更加智能化和自动化,能够 自适应地调整参数,提高设备的效率和稳定性。
绿色环保
随着环保意识的提高,晶体管倍频器的发展将更 加注重绿色环保,采用更加环保的材料和生产工 艺。
2. 电容、电阻参数
根据倍频器的性能要求,计算电 容、电阻的数值和容差范围。
元器件选择
选择稳定性好、可靠性高的晶体 管和电容、电阻等元件。
3. 偏置条件
根据晶体管的特性,确定合适的 偏置电压和电流,以保证倍频器 的稳定性和可靠性。
电路板设计与制作
电路板设计
使用专业电路设计软件进行电路板设计 ,确保电路布局合理、布线规范、元件
易于安装和调试。
制作工艺
根据电路板的设计要求,选择合适的 制作工艺,如PCB板制作、表面贴装
等。
制板材料选择
选择合适的绝缘材料和导电材料,以 保证电路板的电气性能和机械强度。
测试与调试
制作完成后对倍频器进行测试和调试 ,确保性能符合设计要求。

高频功率放大器的电路组成及倍频器

高频功率放大器的电路组成及倍频器
根据直流电源连接方式的不同, 可分为: 根据直流电源连接方式的不同 , 可分为 :
串联馈电线路:直流电源、匹配网络和晶体管三者形成串 串联馈电线路: 直流电源、 联连接的方式。 联连接的方式。 并联馈电线路:直流电源、 并联馈电线路: 直流电源、匹配网络和晶体管三者形成并 联连接的方式。 联连接的方式。
§2.4晶体管倍频器 晶体管倍频器
即 : I cn = α n (θ c )i c max 在作倍频器应用时,为使输出最大, 在作倍频器应用时,为使输出最大,一般应选择使αn (θc ) 为最大 值的导通角,而此最佳导通角为: 值的导通角,而此最佳导通角为: 0 120 0 n = 2 ,θ c = 60 , θ = n n = 3 ,θ c = 40 0
③ 不 晶 路
应短路。
ICn
ic 应 体 。
的 高 次 谐 波 分 量 I Cn 消 耗 功 率 , 因 此 I Cn 对 管 外 的 电 路 应 尽 可 能 短
பைடு நூலகம்
2.3.5高频功率放大器的电路组成 高频功率放大器的电路组成
( 2) 常用的集电极串馈和并馈电路如下图所示 : ) 常用的集电极串馈和并馈电路如下图所示:
在实际应用中, 由于基极馈电电路中采用单独电源 UBB 不方便, 不方便, 在实际应用中, 通常采用自给偏压的方式提供基极偏置。 通常采用自给偏压的方式提供基极偏置。
IBO VBB
+
Ieo IBO + VBB
-
二 高频功放的耦合回路
高频功放都要采用一定的耦合回路, 高频功放都要采用一定的耦合回路,以使输出功率能有效地传 输到负载(下级输入回路或天线回路) 一般说来, ,一般说来 输到负载(下级输入回路或天线回路) 一般说来,放大器与负载 , 之间的耦合可采用下图所示的四端网络来表示。 之间的耦合可采用下图所示的四端网络来表示。这个四端网络应完 成的任务是: 成的任务是:

6高频电子技术实验六、倍频器

6高频电子技术实验六、倍频器

实验六丙类倍频器一、实验原理
倍频器的作用:将输入信号频率成整数倍增加。

使用倍频器的优点:
(1)能降低主振级频率,使其稳定工作。

(2)扩展发射机的工作波段。

(3)提高发射机工作稳定性。

构建仿真电路如下图:
三极管请按如下选取:
二、倍频特性实验
1、输出波形观察(请将输出波形截图粘贴如下)
输出波形的频率为Hz
2、傅里叶分析
将原理图中的信号源频率改为500KHz,谐振网络元件参数不变,使电路成为2倍频器,观察并记录输入与输出波形,并与丙类功放实验结果比较,说明什么问题?通过傅里叶分析,观察结果。

(提示:在单击“仿真”菜单中中“分析”选项下的“傅里叶分析”命令,在弹出的对话框中设置。

在“分析参数”标签页中的“基本频率”中设置基波频率与信号源频率相同,谐波数量中设置包括基波在内的谐波总数,“取样的停止时间”中设置停止取样时间,通常为毫秒级。

在输出变量页中设置输出节点变量)
请将傅里叶分析结果粘贴如下。

微波倍频器介绍

微波倍频器介绍

2次 倍频 400MHz
3次 倍频 1.2GHz
X波段 8倍频
滤波器 放大器
X波段 隔离器
13dBm 9.6GHz
-115dBc/Hz@10kHz
6
毫米波低相噪锁相源实现方案
(M) 谐波混频器
f
LO LO
毫米波
VCO
RF
f’LO=MfLO
f RF
倍频器
f
LO
(M)
fm=fRF-f’LO LLO = LLO+20lgM
Pnm P n m
m 0m
P
0m
0

P
m 1
0m
0

P
m2
P01
P0 m 1 100% P01
1、忽略变容管的电阻损耗; 2、除n次谐波外的所有谐波信 号都接电抗性负载; 理论倍频效率达到100%
24
一、电抗性倍频器
2、变容管倍频器
高次谐波不会产生电压,除非允许低次谐波电流流过
DDS提供频率精调;PLL提供频率粗调
缺点:PLL切换时,速度减慢
13
几种频率合成技术的性能比较
类别 主要特征
DS 高 差 快 很低 高
PLL 较高 一般 慢 较低 低ຫໍສະໝຸດ DDS 低 极高 快 低 高
工作频率 分 辨 率 速 噪 杂 度 声 散
在实际的工作中根据具体设计要求采用不同的方 式,也可以结合起来应用使最终的结果满足要求
9
DDS的特点
频率分辨率极高:由FCW=1可得分辨率Δf= fc/2A,A达到48位 (AD9852),使得分辨率极高(微Hz级) 频率捷变很快:FCW的传输时间及以LPF为主的器件响应时间 很短,使得高速DDS系统的频率切换时间可达ns级 变频相位连续: FCW 的改变实质是改变相位增长率,而相位 本身保持不变,使得系统有良好的相参性 易于控制、集成和实现功能扩展:改变 ROM中存储的数据, 可以实现任意波形输出 杂波抑制差:DDS全数字结构带来了许多优点,但正是由于这 种结构以及寻址 ROM时采用相位截断、 DAC位数有限决定了 DDS杂波抑制差的主要缺点 输出频率低:受器件速度(特别是 DAC)的限制,使得工作时钟 频率fc较低(AD9858:1GHz) 输出相对带宽很宽:0~40%fc (Nyquist带宽限制了DDS的输出 上限)

第四章 谐振功率放大器讲解

第四章  谐振功率放大器讲解
第4章 谐振功率放大器
4.1 概述 4.2 谐振功率放大器的原理 4.3 晶体管线形分析放大器的折线
近似分析法
4.4 谐振功率放大器电路
4.5 谐振功率放大器实例 4.6 晶体管倍频器
退出
4.1 概述
1、使用高频功率放大器的目的: 放大高频大信号使发射机末级获得足够大的 发射功率。
2、高频功率信号放大器使用中需要解决的两个 问题?
Vb
m
Vbm
t
图4-4 谐振功率放大器转移特性曲线
退出
eb vb
ib
ic
VBZ
ec Vcm
Vcm
(a) ec=VCC–vc
t –VBB
t
图4-5
高频功
t 率放大
器中各
分电压
与电流
VCC
的关系
t
退出
电 流
或 电 压
Vcm
vc
ic
ec VCC
ic
ic max ec min
VBZ
eb max
高效率输出 高功率输出
联想对比: 高频功率放大器和低频功率放大器的共同 特点都是输出功率大和效率高。
退出
4.1 概述(续)
3、谐振功率放大器与小信号谐振放大器的异同之处。
相同之处:它们放大的信号均为高频信号,而且放大器的负 载均为谐振回路。
不同之处:激励信号幅度大小不同;放大器工作点不同; 晶体管动态范围不同。
4、谐振功率放大器与非谐振功率放大器的异同:
共同之处都要求输出功率大和效率高。 功率放大器实质上是一个能量转换器,把电源供给 的直流能量转化为交流能量,能量转换的能力即为功 率放大器的效率。 谐振功率放大器通常用来放大窄带高频信号(信号的通 带宽度只有其中心频率的1%或更小),其工作状态通常 选为丙类工作状态(c<90),为了不失真的放大信号, 它的负载必须是谐振回路。

谐振功放的折线分析法

谐振功放的折线分析法

线
0
欠压
临界 过压
R p
0
负载变化时,放大器三种工作状态的特点:
Po
1 2
Vcm
I
cm1
c
Po P
P VCC Ic0
Pc P Po
欠压 临界 过压
R p
欠压: 恒流,Vcm变化,Po较小,ηc低,Pc较大;
临界: Po最大,ηc很高;
最佳工作状态
用于发射机末级
过压: 恒压,Icm1变化,Po较小,ηc可达最高;
在饱和区一折线分析法brokenlinemethod其中vbz为阈值电压为放大段直线的斜率转移特性曲线的理想化63谐振功放的折线分析法截止段放大段饱和段放大段截止段晶体管载流子的传输过程1发射区向基区注入电子2注入电子在基区边扩散边复合3集电区收集扩散来的电子4集电结两边少子的漂移bb一折线分析法63谐振功放的折线分析法cosbmbbc2bb63谐振功放的折线分析法偏置电压cosbmbb弦电流脉冲的分解63谐振功放的折线分析法的影响因素
(当VCC、VBB 、Vbm一定时)
RP变化对集电极余弦脉冲的影响
ic
ic
ic
ic
在过压状态时, ic 波形出现下凹。
随着Rp
ic
的增大, 放大器
由欠压
O t O t O t
O t O t 状态向 过压状
欠压状态或 临界状态
RP增大
过压
态过渡。
状态
1. 负载特性

I cm1

Ic0
特 性

Vcm
高频功率放大器工作状态对比
工作状态 欠压状态 临界状态 过压状态
特点
使用场合
Po,c低;Pc大 非等幅信号功率放大
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应该工作在欠压状态; 若用来进行集电极调幅, 应该工
作在过压状态。折线化的动态线在性能分析中起了非常 重要的作用。
4.丙类谐振功放的输入回路常采用自给负偏压方 式, 输出回路有串馈和并馈两种直流馈电方式。为了实 现和前后级电路的阻抗匹配, 可以采用LC分立元件、微 带线或传输线变压器几种不同形式的匹配网络, 分别适 用于不同频段和不同工作状态。 5.谐振功放属于窄带功放。 6.宽带高频功放采用非调谐方式, 工作在甲类状态, 采用具有宽频带特性的传输线变压器进行阻抗匹配, 并 可利用功率合成技术增大输出功率。 7.6
7.6 晶体管倍频器
倍频器(Frequency Doubler)是一种输出信号 频率等于输入信号频率整数倍的变换电路。 晶体管倍频器有两种主要形式: 一种是利用丙类放大器电流脉冲中的谐波来获 得倍频,叫做丙类倍频器; 另一种是利用晶体管的结电容随电压变化的非线 性来获得倍频,这是半导体器件所特有的性质,可叫 做参量倍频器。在此只对丙类倍频器进行研究。
3.解析近似分析法是工程上常用的一种近似方法。 利用解析近似分析法可以对丙类谐振功放进行性能分析, 得出它的负载特性、 放大特性和调制特性。 若丙类谐振功放用来放大等幅信号(如调频信号)时, 应该工作在临界状态; 若用来放大非等幅信号(如调幅 信号)时, 应该工作在欠压状态; 若用来进行基极调幅,
而对n次谐波的阻抗最大,且呈纯电阻性。于是回路的输 出电压和功率就是n次谐波。这就起到了倍频作用。
需要说明的是,用丙类谐振功率放大器实现倍频, 在采用最佳通角值的情况下,二次倍频器和三次倍频 器的输出功率要比作为谐振功率放大器工作时分别减 小
1 和 1 ,而且倍频次数越高,输出功率越小。 2 3
基于上述原因,丙类倍频器的倍频次数一般只限 于2~包含有丰富的谐 波。其集电极电流 iC的傅立叶级数分解式为
iC IC 0 I c1m cos t I c 2m cos 2t I c3m cos t
(倍频器动画)
如果集电极选频回路不是谐振在基频上,而是谐振
在n次谐波上,那么,回路对基频和其他谐波的阻抗很小,
7.6
章末小结
1.高频谐振功率放大电路可以工作在甲类、乙 类或丙类状态。相比之下, 丙类谐振功放的输出功率 虽不及甲类和乙类大, 但效率高, 节约能源, 所以是
高频功放中经常选用的一种电路形式。
2. 丙类谐振功放效率高的原因在于导通角θ小, 也 就是晶体管导通时间短, 集电极功耗减小。但导通角θ 越小, 将导致输出功率越小。 所以选择合适的θ角, 是丙 类谐振功放在兼顾效率和输出功率两个指标时的一个重 要考虑。 7.6
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