电子束蒸发系统操作步骤

电子束蒸发设备使用方法说明书

电子束蒸发设备使用方法说明书使用方法说明书一、简介电子束蒸发设备是一种常见的薄膜蒸发工艺设备，用于将固态材料蒸发成薄膜。

本使用方法说明书将详细介绍电子束蒸发设备的使用流程和注意事项，以便用户正确操作设备，获得高质量的薄膜产品。

二、设备准备1. 打开电子束蒸发设备箱体，确保所有配件完好无损，无缺陷。

2. 将电子束源、样品托板等配件装入设备，注意配件固定牢固，且无障碍物堵塞。

三、设备操作1. 打开电子束蒸发设备电源，启动电子束发射系统。

2. 调节加热系统，根据所使用的材料类型和蒸发要求，设定合适的温度和加热时间。

3. 调节电子束均匀性，确保电子束在样品表面均匀蒸发，避免产生不均匀的薄膜。

4. 调节蒸发速率，控制蒸发速度，以获得所需的薄膜厚度。

5. 监控真空度，确保设备处于适宜的真空环境，避免对薄膜质量的负面影响。

四、薄膜蒸发操作注意事项1. 室温控制：薄膜蒸发需要在适宜的工作室温度下进行，因此应确保操作环境恒温，并避免温度过高或过低对薄膜形成的影响。

2. 材料选择：根据所需薄膜的应用，选择适合的蒸发材料，并确保材料纯度，以提高薄膜质量。

3. 样品准备：将待蒸发的样品进行预处理，如清洗、抛光等，以确保薄膜附着良好。

4. 附着控制：根据所需薄膜的厚度要求，控制蒸发时间和速度，确保薄膜附着均匀。

5. 真空度控制：适当的真空度能提高薄膜的质量，因此在蒸发过程中应监测和控制真空度。

6. 安全操作：操作时应注意个人安全，避免暴露在高温、高真空等危险环境中。

五、设备维护1. 清洁保养：设备使用后，应及时清理残留物，保持设备干净，以延长设备寿命。

2. 零部件更换：定期检查设备零部件的磨损程度，如发现磨损需更换零部件，避免影响设备正常运行。

3. 执行维护：设备故障时，应立即停止使用并联系维修人员，不得私自拆卸或修理设备。

六、注意事项1. 请仔细阅读本使用方法说明书，并按照说明进行操作。

2. 请保持操作环境干燥、整洁，并避免操作过程中产生灰尘、杂质等对薄膜质量的负面影响。

电子束蒸发使用步骤

电子束蒸发使用步骤一、前期准备工作1、放基片材料（找准对应坩埚位置）。

2、将样品台和坩埚的两个挡板都挡上。

3、关门前，检查密封圈是否正常。

4、将放气和进Ar气口都拧紧。

二、抽真空1、开供电电源开冷却水（约5min之后）开真空计开机械泵开粗抽阀（先开小一点，将门压紧后，再全打开）。

2、真空计压强小于10Pa时，关粗抽阀（屏幕上尾数显示为0，尾数代表10的几次方）。

3、开电磁阀开分子泵开关，点击运行（约6min之后，分子泵进入正常工作状态，转数逐渐增大，可达27000r/min）。

4、开高真空闸板阀，开到最大（真空正常为6.67×10-4 Pa,最小为6.67×10 -5 Pa）。

5、开步进电机开关，控制转数为10 r/min（通过观察，设置好转数，然后关挡板）。

三、开始镀膜1、开E型枪电源，选择手动模式，按回车键确认（电压控制在6KV）。

2、确认屏幕上5个灯全绿。

3、点击屏幕上灯丝，调灯丝电流0.5A。

4、开气瓶，数值调为0.3左右开坩埚挡板（屏幕和遥控均可用），关基底挡板。

5、开高压，观察坩埚内是否有光斑。

6、调整X、Y位移，使光斑位于坩埚中央。

调整X、Y幅度，使光斑较大且在坩埚内均匀7、缓慢增大束流（手动遥控最下方中间的“蒸发调节旋钮”），直到观察坩埚内材料表面出现波纹状时停止，此时为坩埚内材料的束流最大值。

（经验值：钛－束流值77左右）。

8、开膜厚仪，（提前设置好厚度，根据经验找出膜厚的误差范围）。

9、开基底挡板，开始计时。

10、关基底挡板，计时结束，镀膜完成。

四、镀膜完成，关闭设备1、缓慢关束流，听到“滴”声关高压关挡板关灯丝关总电源。

2、降温30min左右。

3、关高真空闸板阀（顺时针拧，最紧时没有全关，再沿顺时针方向拧，变松即可）。

4、点击分子泵“停止”按钮（频率降为0），关分子泵电源开关关电磁阀关机械泵。

5、松开活门旋钮，打开放气孔（开到最大），从充气阀向系统充入干燥气体（最好使用N2），气瓶上读数不要超过0.3，系统气体充满，门自动打开。

电子束蒸发的制备方法研究

电子束蒸发的制备方法研究电子束蒸发是一种常见的薄膜材料制备方法，它通过电子束加热固态材料，使其蒸发成为气体，最终在衬底表面沉积为薄膜。

在材料科学、光学、电子学等领域中，电子束蒸发广泛应用，例如制备透明导电膜、光学薄膜、金属薄膜等。

本文将就电子束蒸发的制备方法，阐述其具体步骤、技术特点和存在的问题等进行探讨。

1、电子束蒸发的步骤电子束蒸发可以分为四个步骤：材料准备、固态材料的加热蒸发、蒸发材料的运输和沉积、薄膜特性分析。

首先，材料需粉碎成粉末或片剂，然后再加入到电子束蒸发器的坩埚中。

接着，通过电子束的束缚作用，将蒸发器内的固态材料加热至其蒸汽压与所需沉积压力相当。

当蒸发材料获得足够能量释放时，它将变为气体状态，由于交通运输规定，这个气体会通过依靠各种气体管道和流量计排出。

最后，电子束蒸发所得的薄膜通常需要进行检测、性质分析或者后续工艺加工。

2、电子束蒸发的技术特点电子束蒸发具有以下几方面的技术特点：（1）高度纯化：由于在真空条件下进行，可以有效避免与空气中杂质的相互干扰，蒸发出来的物质具有极高的纯度。

（2）高效性：电子束加热方式能够提供更高的蒸发速率。

（3）灵活性：通过在压缩、微加工和光学等领域的应用，利用电子束蒸发装置可以在多种衬底材料和非线性薄膜材料之上制备出一系列可能的材料和结构。

（4）厚度和位置控制：这个技术能够通过精密控制蒸发过程中的蒸汽压力、沉积速度等参数实现对厚度和位置的高度控制性。

（5）可重复性：在电子束蒸发的操作过程中，可以通过对加热温度、时间、蒸汽压、功率、坩埚耗损等多个参数的实时控制来规范化这个过程。

3、电子束蒸发的存在问题（1）电子束损耗问题：由于电子束需要对生产物资进行加热蒸发，因此电子束的数量和能量对衬底和未被用作蒸发物的部分进行了浪费。

目前，将多个蒸发器的蒸汽扔在一个专门的离子收集器中的方法目前已经被广泛采用，以用于电子回收。

（2）耗能问题：电子加热的方法与其他热蒸发和物理气相沉积等材料制备技术相比，并没有太高的能量利用效率，因此在工业生产中，需要更经济和高效的能源来源。

电子束蒸发镀膜仪简易操作流程

电子束蒸发镀膜仪简易操作流程1、打开北313高纯氮气瓶主阀（减压阀0.25 MPa，使用结束切记关阀，因为漏气）；2、打开电子束蒸发仪后面的高氮手阀；3、登陆界面。

沉积系统和膜厚系统分别登陆；4、观察两个腔室真空度情况：主腔室一般~ 10-8 torr，送样室一般~ 10-7 torr；5、在真空界面，Loadlock自动充气（提前打开门把手）；6、取样品盘，装样，放入腔体，关仓门；7、Loadlock自动抽气，待真空达到~ 10-7 torr；8、送样：在送样界面，点击自动送样，稍等一会（待字体由红变黑结束送样），打开观察窗挡板观察送样是否到位，随后关闭观察窗挡板；9、打开下方的电子束高压电源与扫描控制器；10、在膜厚系统，Edit -> Process ->选择对应靶材，更改速率Set point（Å/s）以及厚度Finalthickness（kÅ），点击OK；11、在工艺控制界面，材料分布处输入对应靶材的号码并确定，点击坩埚导位（由绿变红完成导位）；打开观察窗挡板观察是否导位正确，随后关闭观察窗挡板；12、在工艺控制界面，样品旋转~10 rpm；13、待主腔室真空度达到~ 10-8 torr，点击HV1 On，开电子束，由红变绿，响一声；14、点击Start process，开始自动镀膜；15、在膜厚系统观察蒸镀过程。

Output power graph和Rate graph；若出现异常，点Abortprocess；16、蒸镀结束后，关闭HV1 ON。

若还需蒸镀其他材料，回到第9步；17、关闭高压电源以及扫描控制器；18、在送样界面，自动取样，稍等一会，待取样完成；19、Loadlock自动充气（提前打开门把手），取样；20、将样品盘放回，关仓门，Loadlock自动抽气；21、待Loadlock自动抽气按钮变成黑色后，退出登录（点击注销）；22、关闭高氮手阀，以及北313高氮气瓶；23、实验登记。

实验9_电子束蒸发薄膜制备

实验9_电子束蒸发薄膜制备电子束蒸发薄膜制备实验目前有许多薄膜制备技术，包括各种蒸发、溅射、离子镀等的物理气相沉积技术，各种化学气相沉积技术，各种电的、或机械的、或化学的沉积技术（电镀、化学镀、喷涂、静电喷涂、等离子喷涂、刷涂等等）。

电子束蒸发是利用聚焦电子束直接对材料进行加热蒸发，是一种重要的薄膜制备技术。

利用电子束可以蒸发各种材料，包括高熔点材料。

一、实验目的1、学习电子束蒸发镀膜的工作原理；2、掌握电子束蒸发镀膜系统的操作方法；3、学会用电子束蒸发制备金属薄膜材料。

二、实验设备电子束蒸发镀膜系统DZS-500型。

三、实验原理和装置1、真空蒸发技术的原理固态或液态材料被加热到足够高的温度时会发生气化，由此产生的蒸汽在较冷的基体上沉积下来就形成了固态薄膜。

真空蒸发是制备蒸发薄膜的方法，具体作法是使10?Pa以下，然后用电阻加热、电子轰击或其他方用真空机组把沉积室内的压强降到2法把蒸发料加热到使大量的原子或分子离开其表面，并沉积到基片上。

金属和热稳定性良好的化合物均可用此法淀积。

蒸发薄膜的纯度较高。

这种蒸发的方法简单、方便，因而目前应用仍然最为广泛。

用真空蒸发的方法将金属或非金属材料沉积到基片上的具体过程可分力三个阶段：从蒸发源开始的热蒸发；蒸发料原子或分子从蒸发源向基片渡越；蒸发料原子或分子沉积在基片上。

真空系统中，由于背景气压低，大部分蒸汽原子或分子不与残余气体分子发生碰撞现象，而沿直线路径到达基片。

蒸发物质的分子在从蒸发源到待沉积薄膜衬底的迁移过程中，会与周围环境中的e?），其中L为气体气体原子相碰撞。

蒸发物分子中发生碰撞的百分数等于（１－D L分子的平均自由程，D为从蒸发源到衬底的直线距离．对于普通的真空蒸发装置，Ｄ一般为10到50㎝，为了保证只有很小一部份蒸发物分子与镀膜装置中的残余气体分子发生碰撞，减少对所沉积薄膜的污染，通常蒸发要求210?Pa的真空度下进行。

10?～4用来制备薄膜的大多数蒸发材料的蒸发温度在1000～2000℃。

eb四耐膜的工艺流程

eb四耐膜的工艺流程
EB四耐膜是一种采用电子束蒸发技术制备的功能性薄膜涂层，具有耐高温、耐腐蚀、耐磨损和导电等特性。

其工艺流程如下：
1. 准备基材：选择适合的基材，并确保表面光洁平整，无油污、尘埃和杂质。

2. 清洗预处理：将基材经过清洗、大气等离子清洗和辅助加热等工艺步骤，清除表面的污染物和氧化物。

3. 真空抽气：将清洗后的基材放入真空腔体中，并通过真空泵进行抽气，将腔体内的气体抽除，使真空度达到要求。

4. 电子束蒸发：将所需的材料置于电子束蒸发系统中的坩埚内，加热材料使其蒸发，电子束束流通过电子的定向和聚焦，使蒸发物质沉积在基材上形成薄膜。

5. 监测和控制：在蒸发过程中，使用监测设备实时检测和控制材料蒸发速率、坩埚温度、腔体真空度等参数，以确保薄膜的均匀性和质量。

6. 后处理：制备完成的EB四耐膜需要进行后处理，例如冷却、退火、离子注入、涂覆保护层等工艺，以优化薄膜的性能和稳定性。

7. 检验和测试：对制备好的EB四耐膜进行表征和测试，包括
表面形貌观察、膜厚测量、结构分析、力学性能测试等，以验
证薄膜是否满足设计和要求。

8. 包装和贮存：将测试合格的EB四耐膜进行包装和贮存，以确保在使用和运输过程中不受外界环境影响。

这是一个简化的EB四耐膜的工艺流程，具体操作步骤和条件可能因材料、设备和工艺要求的不同而有所变化。

电子束蒸发操作规范

电子束蒸发使用安全规范1、实验前确认事项A、开启液氮；B、冷却机水箱是否具有足够的水。

2、装样A、拧开样品台上的四个螺母，断开冷却水管，取出样品台；B、使用乙醇擦拭样品台与腔体的接口；C、装样；D、把样品台放入腔体，拧紧样品台的螺母，接上冷却水管。

3、开机，抽真空A、打开总电源，开启冷却水机；B、打开电脑操作软件，启动分子泵以及机械泵。

4、除气A、待腔体内气压低于10-3pa（时间允许情况下真空度尽量低）；B、打开面板电源；C、HV降至0V；D、Control Mode设置为Filament Current;E、Pocket 1设置为Enable；F、逐渐提高Filament Current至1A，注意不要使真空度降低过快；G、将Filament Current降至0，关闭Pocket 1。

5、镀膜A、HV升高至2 kV；B、Control Mode设置为HV power；C、逐渐提高HV power（视工艺参数而定），同时注意不要使真空度降低过快；D、打开蒸发源挡板，稳定5分钟；E、打开样品台挡板，正式镀膜，记录镀膜开始时间；F、关挡板，记录结束镀膜时间，降低HV power至0 w，然后降低HV至0 V（注意降低的顺序不可颠倒）；G、冷却30分钟。

6、取样A、关闭分子泵以及机械泵，关闭冷却水机；B、待分子泵转速低于2000rpm，若电磁阀为自动开启需手动开启，拧开样品台螺母，通入氮气至样品台可取出（勿正对玻璃观察窗）；C、断开冷凝水管，取出样品台，取样；D、将样品台放入腔体，接上冷凝水管。

7、关机A、关闭总电源；B、关闭计算机（勿忘记关闭电磁阀）。

电子束蒸发镀膜仪简易操作流程

电子束蒸发镀膜仪简易操作流程1、打开北313高纯氮气瓶主阀（减压阀0.25 MPa，使用结束切记关阀，因为漏气）；2、打开电子束蒸发仪后面的高氮手阀；3、登陆界面。

沉积系统和膜厚系统分别登陆；4、观察两个腔室真空度情况：主腔室一般~ 10-8 torr，送样室一般~ 10-7 torr；5、在真空界面，Loadlock自动充气（提前打开门把手）；6、取样品盘，装样，放入腔体，关仓门；7、Loadlock自动抽气，待真空达到~ 10-7 torr；8、送样：在送样界面，点击自动送样，稍等一会（待字体由红变黑结束送样），打开观察窗挡板观察送样是否到位，随后关闭观察窗挡板；9、打开下方的电子束高压电源与扫描控制器；10、在膜厚系统，Edit -> Process ->选择对应靶材，更改速率Set point（Å/s）以及厚度Finalthickness（kÅ），点击OK；11、在工艺控制界面，材料分布处输入对应靶材的号码并确定，点击坩埚导位（由绿变红完成导位）；打开观察窗挡板观察是否导位正确，随后关闭观察窗挡板；12、在工艺控制界面，样品旋转~10 rpm；13、待主腔室真空度达到~ 10-8 torr，点击HV1 On，开电子束，由红变绿，响一声；14、点击Start process，开始自动镀膜；15、在膜厚系统观察蒸镀过程。

Output power graph和Rate graph；若出现异常，点Abortprocess；16、蒸镀结束后，关闭HV1 ON。

若还需蒸镀其他材料，回到第9步；17、关闭高压电源以及扫描控制器；18、在送样界面，自动取样，稍等一会，待取样完成；19、Loadlock自动充气（提前打开门把手），取样；20、将样品盘放回，关仓门，Loadlock自动抽气；21、待Loadlock自动抽气按钮变成黑色后，退出登录（点击注销）；22、关闭高氮手阀，以及北313高氮气瓶；23、实验登记。

电子束蒸发台操作流程及注意事项

电子束蒸发台操作流程及注意事项下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。

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电子束蒸发PPT-课件

将固体材料置于高真空环境中加热使之升华或蒸发并沉积在特定衬底上以获得薄膜的工艺方法高频感应蒸发激光束蒸发反应蒸发电阻热蒸发电子束蒸发技术分类
电子束蒸发PPT
真空蒸发镀膜法：将固体材料置于高真空环境中加热，使之升华或蒸发并沉积在特定衬底上以获得薄膜的工艺方法
技术分类：依据蒸发源的不同
电阻热蒸发
真
电子束蒸发
高频感应蒸发
工作原理：线圈在高频磁场作用下因产生强大的涡流损失和磁滞损失而升温，使材料受热蒸发。
高频感应加热（叶志镇 2008）
优点：污染少蒸发速率大不易产生飞溅操作简单
缺点：不能预除气功率不能微调装置复杂、昂
贵
激光束蒸发
工作原理：采用激光束作为蒸发材料的一种热源，让高能量的激光束透过真空式窗口，对蒸发材料加热蒸发，通过聚焦可使激光束功率密度提高到106w/cm2以上。
特点：产生等离子体，使蒸发材料和反应气体电离活化，提高反应效率
反应蒸发装置图（叶志镇 2008）
Thanks！
蒸度高熔点薄膜和高纯薄膜的一种主要加热方法
电子枪由电子束聚焦方式的不同分类：直式电子枪环枪（电偏转） e形枪（磁偏转）
环形枪结构示意图（叶志镇 2008）
优点：不易污染功率大可蒸发高熔点材料成膜质量较好
缺点：要求高真空设备成本高易污染斑点固定易“挖坑” 功率和效率都不高
直枪结构示意图（叶志镇 2008）
空
蒸
高频感应蒸发
发
技
术
Hale Waihona Puke 激光束蒸发反应蒸发
电阻热蒸发
热蒸发：蒸发材料在真空室中被加热，其原子或分子从表面逸出的现象
加热方式：电阻加热

电子束蒸发

电子束蒸发：将蒸发材料置于水冷坩埚中，利用电子束进行直接加热，使蒸发材料汽化并在衬底上凝结形成薄膜的方法。
由电阻加热蒸发的缺点可知，该方法不适用于高纯或高熔点物质的蒸发，而电子束蒸发恰好可以克服电阻蒸发的这一不足，因而电子束加热已成为蒸镀高熔点薄膜和高纯薄膜的一种主要方法。在电子束蒸发技术中，一束电子通过5-10KV的电场后被加速，最后聚焦到待蒸发材料的表面。当电子束打到待蒸发材料表面时，电子会迅速损失掉自己的能量，将能量传递给待蒸发材料使其熔化并蒸发，也就是待蒸发材料的表面直接由撞击的电子束加热，这与传统的加热方式有很大不同。
优点：结构简单，成本低，使用方便
缺点：灯丝易被污染斑点固定易出现“挖坑”蒸发现象功率和效率都不高
直枪是一种轴对称的直线加速枪，从加热灯丝发射出的电子束，经阳极加
速后在磁场作用下聚焦，而后轰击坩埚中的材料使之熔化和蒸发。其中， x-y偏转线圈的作用是使聚焦电子束能够在一小范围内移动，从而使聚焦
由于与盛装待蒸发材料的坩埚相接触的蒸发材料在整个蒸发沉积过程保持固体状态不变，这样就使待蒸发材料与坩埚发生反应的可能性减少到最低。直接采用电子束加热使水冷坩埚中的材料蒸发是电子束蒸发中常用的方法。对于活性材料、特别是活性难熔材料的蒸发，坩埚的水冷是必要的。通过水冷，可以避免蒸发材料与坩埚壁的反应，由此即可制备高纯度的薄膜。
斑位置得以调节。
优点：使用方便；功率变化范围广（几百瓦到几百千瓦）；易于调节
缺点：设备体积大、结构复杂、成本高；蒸发材料会污染枪体结构，同时灯丝上逸出的钠离子会引起薄膜的沾污。
e形枪是电子束偏转270°的电子枪，因电子轨迹呈“e”形而得名。从灯丝发射出的电子束，受到数千伏偏置电压的加速，并经横置的磁场偏转270°后再轰击坩埚中的蒸发材料使之熔化和蒸发。

电子束蒸发PPT-PPT课件

优点：不易污染功率大
可蒸发高熔点材料成膜质量较好缺点：要求高真空设备成本高
电子束蒸发特点：优点：直接加热，效率高能量密度大，蒸发高熔点材料冷坩埚，避免反应和蒸发，提高薄膜纯度缺点：装置复杂残余气体和部分蒸气电离对薄膜性能产生影响
高频感应蒸发
工作原理：线圈在高频磁场作用下因产生强大的涡流损失和磁滞损失而升温，使材料受热蒸发。
真空蒸发技术
许爱燕
21105004
真空蒸发镀膜法：将固体材料置于高真空环境中加热，使之升华或蒸发并沉积在特定衬底上以获得薄膜的工艺方法
技术分类：依据蒸发源的不同
电阻热蒸发
真空蒸发技术
电子束蒸发
高频感应蒸发激光束蒸发
反应蒸发
电阻热蒸发
热蒸发：蒸发材料在真空室中被加热，其原子或分子从表面逸出的现象
激光蒸发装置（叶志镇 2019）
反应蒸发
工作原理：在一定反应气氛中蒸发金属或低价化合物，使之在淀积过程中发生化学反应而生成所需的高价化合物薄膜
反应蒸发法是真空镀膜方法的一种改进
特点：
产生等离子体，使蒸发材料和反应气体电离活化，提高反应效率
反应蒸发装置图（叶志镇 2019）
谢谢大家
加热方式：电阻加热
电阻材料：难熔金属优点：构造简单、造价便宜、使用可靠

缺点：加热所达最高温度有限、蒸发速率较低、蒸发面积小、不适用于高纯和高熔点物质的蒸发
电子束蒸发：将蒸发材料置于水冷坩埚中，利用电子束直接加热使蒸发材料汽化并在衬底上凝结形成薄膜
蒸度高熔点薄膜和高纯薄膜的一种主要加热方法
电子枪由电子束聚焦方式的不同分类：直式电子枪环枪（电偏转） e形枪（磁偏转）

Ebeam500电子束蒸发镀膜仪操作规程

Ebeam500电子束蒸发镀膜仪操作规程Ebeam500电子束蒸发镀膜仪操作规程一、操作规程1.开启循环冷却水两个水管开关与水管打到平行位置，冷却水箱电源开关打开。

2.样品取放电子束蒸发镀膜设备总电源打开，根据操作面板上的各指示灯信号检查设备状态；检查镀膜舱室是否打开，若上次镀完后未打开,样品室处于负压状态，需先放N2至样品室至常压，再打开样品室柜门送样。

放气：先打开放气阀开关（控制面板上有一个放气阀开的按钮），N2运输开关旋转向下至镀膜仪样品室，再打开N2瓶。

根据样品室声音判断状态，直至阀门栓自动松开，然后立刻关闭N2瓶总阀及运输开关转回到N2枪方向，再关闭放气阀开关（控制面板上放气阀关闭按钮））；取样：打开挡板（控制面板上挡板打开按钮），单手水平托住托盘轻轻旋转至脱离样品架卡口，将已经镀好的样品取出。

送样：将新硅片放在托盘上并将托盘的四个豁口卡在样品架支柱上。

然后关闭挡板（控制面板上挡板关闭按钮）。

检查坩埚靶材：面板膜厚控制仪区域power按钮打开，按start/begin，坩埚挡板自动打开，检查坩埚，如果正常，关闭power 键（挡板自动关闭）。

关闭样品室柜门：首先拧紧柜门两个紧固件，然后依次打开机械泵和电磁阀I，继续拧紧柜门两个紧固件直至柜门被紧紧吸住，等待柜门边缘上的漏气声音先变大后变小至消失，然后紧固件会自动松开，再进一步手动彻底松开两个紧固件。

3.抽真空打开控制面板真空计开关，等待右边真空计示数达到6Pa以下，关闭电磁阀I，依次打开电磁阀II，按控制面板下方分子泵控制器运行键，再去打开闸板阀，朝打开方向快速旋转直至听到“噹”声，之后继续开至最大（有阻力感），再返回一点。

此时分子泵控制器显示屏提示“转速追踪中…”，在转速达到10000转/分后，分子子泵显示屏将显示其转速、频率、电流和电压（分子泵满转速率是27000转/分；）。

然后再打开电离规真空计（真空计左边显示器：依次按功能、置数按钮打开）。

18#119 电子束蒸发操作说明

电子束-电阻蒸发复合镀膜系统操作说明厂家及型号：中科院沈阳科仪公司EB500-I电子束蒸发-电阻蒸发复合镀膜系统开机及样品取放：1.打开空气压缩机，并且同时检查机器后面的压缩空气压强计（一般情况下指针指到0.5MPa）；2.打开循环水，指针一般在0.1~0.2Mpa之间；3.打开电子束蒸发总电源；4.在电脑界面上打开控制软件；5.打开氮气阀（也可以在破真空取样的时候再打开，减压阀压强调节至约为0.1MPa，不要太大）；6.点击真空控制→取样，向腔室通入氮气，待腔室压强与外界压强一致时，腔室大门自动打开（界面右上角显示腔室大门为打开状态，非红色显示），关闭减压阀及气瓶；7.将挡板放置最低位置，轻轻取出样品盘，将样品放置到样品盘上，之后将样品盘放入腔室，将挡板调至一定的高度（在取/放样品盘时，一定要确保膜厚仪传感器（立方体型）和温度传感器（两根钢丝）都放在了样品盘中间的圆孔里，同时也要注意样品的位置，尽量不碰触到，以防损坏）；8.检查要蒸发的原材料是否够用；9.关闭腔室大门；抽真空及材料蒸发：1.点击真空控制系统→抽真空，开始即可；2.当真空度需达到5×10–4Pa以下时，在REMOTE远程控制模块上，打开各个模块的电源从下到上依次为：1）打开Control，打开High V oltage；2）打开高压控制电源，AIR/CAB指示灯开始闪烁（高电压冷却风扇正在启动，当AIR/CAB指示灯常亮后，才能启动高压）；3）打开电子束控制电源；4）打开坩埚控制电源；5）选择需要蒸发的材料及相应坩埚的位置，设置要淀积薄膜的厚度；6）选择生长时电子束的形状；3.待风扇正常后，在电子枪面板→高压开（预热3~5分钟）→束流开，在高压预热期间将样品盘自转打开（10r/m）；4.点击开始层，开始镀膜；1）在预熔阶段，观察电子束束斑是否在蒸发源中心，如果偏离了中心，需联系工程师，同时在膜厚控制器中，切换为手动控制，将功率降为0；2）如果在沉积的过程中发现压强迅速增大（大于1×10–3Pa，甚至更大），各个电磁阀都关上，可能压缩机出现问题，同样切换为手动控制，将功率降为0；5.镀膜结束，待功率自动降为0，束流关→高压关，但不动面板所有开关（过5~10min后，再关面板开关，尤其是功率源开关），其他的电源保持开启状态，让高压电源散热一段时间，同时关闭样品盘自转：1）关闭坩埚控制电源；2）关闭电子束控制电源；3）关闭高压控制电源；4）关闭High V oltage，关闭Control；取样及关机：1.生长完成至少30min后（或腔室温度降至30℃或以下时），依次关闭各个阀门和泵（关闭截止阀→高阀→分子泵（等分子泵的频率降到50Hz以下时）→关闭前级阀→关闭机械泵），取样（步骤同前），如还需继续实验，只需破真空取装/样即可；2.样品取出后，要将腔室进行粗抽，使其保持一定的真空度；3.关电脑，关设备总电源，关循环水，关空气压缩机。

EBL电子束蒸发操作流程及管理规范

电子束蒸发操作流程
1.制样：将样品用耐高温胶带贴到样品盘上，一定确保样品粘牢，防止样品中途掉下砸坏灯丝。

2.泄真空：点击面板PC vent按钮自动泄真空，待腔体压强达到室压7.6*E2 torr之后方可打开腔体。

3.将样品盘旋到盘托上然后固定，关闭腔体并检查是否严紧，检查并确定所蒸金属的坩埚是否在对应的槽内。

4.抽真空：首先确保PC Turbo Backing阀门关闭，然后点击PC Roughing 阀门进行粗抽，待压强达到1.3*E-1Torr之后，关闭PC Roughing阀门，再打开PC Turbo Backing阀门，最后打开高阀（高阀打开之后方可离开）。

待腔体真空度达到目标真空度之后，即可进行蒸镀。

5. 蒸镀：首先设置所蒸金属的参数，点击Accum Thk按钮并打开面板上EBeam Shutter挡板，然后按下控制手柄上的高压按钮，之后缓慢增大电流（一次一格，禁止跳跃式增大、减小电流），通过调节反光镜确定电子束是否打在坩埚中心，如果没有应立即调整电子束位置使其打在坩埚中心。

打开PC Substrate Shutter，逐步增大电流使其达到所
需沉积速率之后蒸镀开始。

当金属厚度达到所需厚度之后，关闭PC Substrate Shutter，缓慢减小电流，最后再关闭EBeam Shutter挡板。

待设备冷却十分钟之后，再蒸镀下一种金属。

6.取样：设备冷却之后泄真空（步骤2），将样品盘取出之后。

抽真空（步骤4），保持腔体处于真空状态。

电子束蒸发台操作流程

TF500 操作流程1 操作安全警告请遵守如下给出的安全说明并注意适当的防范措施。

否则，可能导致人员伤亡和设备损坏。

•在您操作任何部件之前请阅读所有相关的说明。

•TF500的表面或部件可能很热或很冷。

请不要触碰热的或冷的表面，比如泵体，材料，夹具，真空腔体和连有石英加热并有其他排气工艺的部件。

•请保持所有配件柜处于闭锁状态。

请不要把钥匙留在锁上。

•在腔体打开的时候，电子枪挡板是可以转动的。

操作员需注意，因为挡板不留意的转动可能导致人员伤害并导致设备损坏。

2 TF500启动2.1 启动TF5001. 启动冷却水源。

2. 启动压缩气体源。

3. 启动充气气体源。

4. 请确保在19寸控制柜面板上的所有部件的控制都处于“关”的位置。

5. 打开TF500的电源空气开关，确保EMO松开。

按下前面板“I/O”按钮启动设备，然后按“Reset”按钮给各个部件加电自检。

6. 打开电脑，进入Win7的密码为admin，SCADA软件将在win7中自动打开，点“Start”开始运行SCADA软件， SCADA软件将初始化并加载各部件（注意！不要关闭设备自动打开的其他界面），在主软件界面登陆相应的权限，进入组态的CONTROL SCREEN，按按钮。

抽真空系统随后将会启动。

7. 当系统状态为“TURBO PUMP READY”，这就表示腔体已经准备好了，可以对腔体抽真空开始做工艺了。

2.2 装载TF500腔体警告在大气环境下（比如已经充气），基片工作台可能还是旋转的。

当您的手在腔体里或者其他在旋转基片上存有会伤害您自己的风险时，请注意不要旋转工作台。

请参考PC操作的补充材料“PC控制”文件。

当腔体处于真空状态，如果可以请先按按钮再按按钮对腔体进行充气。

充气阀打开并对腔体充气，并在腔体充气时间结束后自动关闭充气阀门，如果门已经打开，充气时间还未结束，请再次按下键关闭充气气源。

打开腔体门并将基板安装到旋转盘上。

关闭腔门并检查确保基板仍在正确的位置上。

电子束蒸发制备Si_0_95_Co_0_05_稀磁半导体薄膜_赵庆旺

电子束蒸发制备Si0.95Co0.05稀磁半导体薄膜赵庆旺１程亮１叶舟１马亚军１艾志伟１阮学锋２周忠坡１吴昊１郭立平１,3１（武汉大学物理科学与技术学院，武汉，430072）２（武汉大学动力与机械学院，武汉，430072）３(武汉大学声光材料与器件教育部重点实验室，武汉，430072 )摘要用放电等离子体烧结技术（SPS）制备Si:Co靶，并用电子束蒸发技术制备了Si:Co稀磁半导体薄膜。

薄膜分别在200 o C、300 o C、400 o C下退火10分钟，利用交变梯度磁强计分别测量退火前后各组样品的磁性，结果显示，在300 o C下退火的样品磁性最强，200 o C下退火的磁性次之，未退火的磁性最弱。

实验中还对样品进行了XRD测量，结果表明样品为非晶态。

实验说明，电子束蒸发是制备硅基稀磁半导体的有效方法。

关键词硅基稀磁半导体，电子束蒸发，等离子体烧结，退火由于稀磁半导体（DMS）同时具备电子的电荷和自旋特性受到广泛关注[1-5]。

因为硅已经被广泛的应用，且工艺成熟，近年来，硅基稀磁半导体已成为半导体领域的热点。

目前国内外对硅基DMS的研究均是致力于寻求提高磁学性能（磁化强度、磁矩、居里温度等）的途径，以使DMS能应用于实际。

目前已经见于报道的制备硅基DMS的方法有分子束外延(MBE)[6]，离子注入[7]和磁控溅射[8]．最常用方法是离子注入，但是制得的样品居里温度不高、平均每个掺杂原子的磁矩比理论值小很多，导致材料的饱和磁化强度很弱、掺杂元素的偏析成团，而且其镀膜深度不够、且不均匀。

因此，新方法的探索是必要的，我们探索用电子束蒸发方法制备硅基DMS薄膜。

电子束蒸发具有成本低廉，成膜较快，薄膜均匀，污染小，便于大面积制备等优点。

由于电子束蒸发制膜是利用聚焦电子束对靶材加热，是一种局部加热，可避免容器材料的蒸发以及容器材料与膜材之间的反应，可得到高纯薄膜。

而且在蒸发沉积过程中，掺杂元素在薄膜中的分布非常均匀。