二极管、三极管部分----习题
课后习题答案
项目一任务一一．判断题(下列判断正确的话打“√”，错误的打“×”)1．P型半导体中的多数载流子是电子。
（×）2．PN结具有单向导电性，其导通方向为N区指向P区。
（×）3．二极管反向击穿就说明管子已经损坏。
（×）4．小电流硅二极管的死区电压约为0．5V，正向压降约为0．7V。
(√ )5．发光二极管发光时处于正向导通状态，光敏二极管工作时应加上反向电压。
（√）二．填空题1．半导体中的载流子有_____________和___________。
（自由电子、空穴）2．晶体三极管内部的PN结有___________个。
（2）3．晶体管型号2CZ50表示___________。
（50 A的硅整流二极管）4．．PN结的反向漏电流是由___________产生的。
（少数载流子）三．简答题1．常用片状元件有哪些？和普通电气元件相比，有什么优点？答：片状元器件属于无引线或短引线的新型微型电子元件，是表面组装技术SMT（Surface Mounted Technology）的专用元器件。
可分为片状无源器件、片状有源器件和片状组件等三类。
片状无源器件包括片状电阻器、片状网络电阻器、片状热敏电阻器、片状电位器、片状电容器、片状微调电容器和片状电感器等。
片状有源器件包括片状二极管、片状开关二极管、片状快恢复二极管、片状稳压二极管、片状三极管和片状场效应管等。
片状元器件的主要特点是其外形结构不同于传统的插装式产品，其体积小，重量轻，无引线或引线短，可靠性高，耐振动冲击，抗干扰性好，易于实现半自动化和自动化的低成本、高密度组装，其焊点失效率达到百万分之十以下；利用片状元器件贴装可使电子线路的工作频率提高到3000MHz（通孔插装的为500MHz），而且能够有效地降低寄生参数，有利于提高设备的高频特性和工作速度；片状元器件产品的器件形状、尺寸精度和一致性高。
大部分可编带包装，有利于提高生产装配效率，且能够从根本上解决元器件与整机间的共存可靠性问题。
第14章二极管和三极管试题及答案
二极管和三极管1、半导体的导电能力（）。
A. 与导体相同B. 与绝缘体相同C. 介乎导体和绝缘体之间【答案】C当温度升高时，半导体的导电能力将（）。
A. 增强B. 减弱C. 不变【答案】A======================================================================题目编号:13881 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中P 型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应（）。
A. 带正电B. 带负电C. 不带电【答案】C======================================================================题目编号:13882 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中. N 型半导体的多数载流子是电子，因此它应（）。
A. 带负电B. 带正电C. 不带电【答案】C======================================================================题目编号:13883 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中将PN 结加适当的正向电压，则空间电荷区将（）。
A. 变宽B. 变窄C. 不变【答案】B======================================================================题目编号:13884 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中. 将PN 结加适当的反向电压，则空间电荷区将（）。
A. 变窄B. 变宽C. 不变【答案】B======================================================================题目编号:13885 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中. 在PN 结中形成空间电荷区的正、负离子都带电，所以空间电荷区的电阻率（）。
二极管三极管练习题
二极管三极管练习题一、选择题1. 二极管的主要功能是：A. 放大信号B. 开关电路C. 电压稳定D. 电流放大2. 二极管的PN结在正向偏置时，其特性是：A. 电阻增大B. 电阻减小C. 电流增大D. 电流减小A. 半导体器件B. 电子元件C. 电阻元件D. 电容元件4. 三极管中的基极、发射极和集电极分别对应：A. 输入端、输出端、控制端B. 控制端、输出端、输入端C. 输入端、控制端、输出端D. 输出端、输入端、控制端5. 三极管工作在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是：A. 集电极电流等于基极电流B. 集电极电流小于基极电流C. 集电极电流大于基极电流D. 集电极电流与基极电流无关二、填空题1. 二极管正向导通的条件是______。
2. 三极管放大电路中，基极电压比发射极电压______。
3. 三极管在放大状态时，______电流控制______电流。
4. 二极管的伏安特性曲线在______区域内表示正向导通。
三、判断题1. 二极管在反向偏置时，电流会迅速增大。
（）2. 三极管工作在饱和状态时，基极电压高于发射极电压。
（）3. 二极管具有单向导电性，可以用来实现整流功能。
（）4. 三极管放大电路中，集电极电流与基极电流成反比关系。
（）四、简答题1. 简述二极管的主要特性。
2. 简述三极管的三种工作状态及其特点。
3. 解释什么是三极管的放大作用。
4. 简述二极管整流电路的工作原理。
五、计算题1. 已知二极管正向压降为0.7V，正向电流为10mA，求二极管的正向电阻。
2. 一个三极管放大电路中，基极电流为1mA，集电极电流为10mA，求电流放大倍数。
3. 在一个简单的放大电路中，输入信号电压为1V，输出信号电压为10V，求电压放大倍数。
六、分析题1. 分析二极管在电路中的作用，并举例说明其在实际应用中的几个典型应用。
2. 分析三极管在不同工作状态下的电流和电压关系，并解释为什么三极管能够实现信号放大。
二极管习题(含答案)
习题６基础知识部分：6.1 选择题1．用万用表R×1K电阻档测某一个二极管时，发现其正、反电阻均近于1000ＫΩ，这说明该二极管（）A、短路B、完好C、开路D、无法判断答案：C2.AB0.7V，反偏时电阻为∞，则以下说法正确的是（）。
A、VD导通，U AO=5.3V；B、VD导通，U AO=—5.3V；C、VD导通，U AO=—6V；D、VD导通，U AO=6V；E、VD截止，U AO=—9V。
答案：C4.下列电路中变压器二次电压均相同，负载电阻及滤波电容均相等，二极管承受反向电压最低的是( )，负载电流最小的是（）。
A.半波整流电容滤波电路B.全波整流电容滤波电路C.桥式整流电容滤波电路答案：C A5.测得输出电压为10VA.滤波电容开路B.负载开路C.滤波电容击穿短路D.其中一个二极管损坏答案：B D A6. 稳压二极管电路如图，稳压二极管的稳压值U Z=6.3V，正向导通压降0.7V，则U O 为( )。
A.6.3VB.0.7VC.7VD.14V答案：C7.图示电路，若U I上升，则U O( )→U A（）→U CE1（）→U O（）。
A.增大B.不变C.减小答案：b9.某NPN硅管在放大电路中测得各极对地电压分别为U C=12V，U B=4V，U E=0V，由此可判别三极管（）。
A.处于放大状态B.处于饱和状态C.处于截止状态D.已损坏答案：D10.测得三极管的电流方向、大小如图所示，则可判断三个电极为（）。
A.①基极b，②发射极e，③集电极cB.①基极b，②集电极c，③发射极eC.①集电极cD.①发射极e答案：C6.2 填空题1.PN结具有性，偏置时导通，偏置时截止。
答案：单向导电正向反向2. 半导体二极管2AP7是半导体材料制成的，2CZ56是半导体材料制成的。
答案：N型锗N型硅3．图示电路中设二极管正向压降为0.7V，当U i=6V时，U o为答案：4.7V4.I R= mA；⑷流过稳压二极管的电流为mA。
(完整版)二极管习题
二极管电路习题一、选择题1、在题 1.1 图所示电路中，U A0 电压为（ ） （a ）12V （b ）-9V （c ）-3V2 在题 1.2 图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则 D1、D2、D3 的工作状 态为（ ） 。
（a ）D1 导通，D2、D3 截止 （b ）D1、D2 截止，D3 导通 （c ）D1、D3 截止，D2 导通3 在题 1.3 图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则 D1、D2 的工作状态为 （ ） 。
（a ）D1 导通，D2、截止 （b ）D1、D2 均导通 （c ）D1、截止，D2 导通4 在题 1.4 图所示电路中，D1、D2 为理想元件，则电压 U0 为（ ） （a ）3V （b ）5V （c ）2V5 电路如题 1.5 图（a ）所示，二极管 D 为理想元件，输入信号 ui 为图（b ）所 示的三角波，则输出电压 u0 的最大值为（ ） 。
（a ）5V （b ）17V （c ）7V6 在题 1.6 图所示电路中，二极管为理想元件，uA=3v,uB=2sinωtV ,R=4KΩ,则 uF 等于( ). （a ）3V （b ）2sinωtV （c ）3+2sinωtV7 在题 1.7 图所示电路中，二极管为理想元件，则输出电压 U0 为（ ） （a ）3V （b ）0V （c ）－12V8 在题 1.8 图（1）所示电路中，二极管 D 为理想元件，设 u1=2sinωtV,稳压二 极管 DZ 的稳定电压为 6V ，正向压降不计，则输出电压 u0 的波形为图（2）中的 波形（ ）12V9V(c) RV O题1.1图9 在题1.9 图所示电路中，稳压二极管DZ2 的稳定电压为6V，DZ2 的稳定电压为12V，则输出电压U0 等于（）。
（a）12V （b）6V （c）18V10 在题1.10 图所示电路中，稳压二极管DZ1 和DZ2 的稳定电压分别为6V 和9V，正向电压降都是0.7V。
(完整版)常用半导体元件习题及答案
第5章常用半导体元件习题5.1晶体二极管一、填空题：1．半导体材料的导电能力介于和之间，二极管是将封装起来，并分别引出和两个极。
2．二极管按半导体材料可分为和，按内部结构可分为＿和，按用途分类有、、四种。
3．二极管有、、、四种状态，PN 结具有性，即。
4．用万用表（R×1K档）测量二极管正向电阻时，指针偏转角度，测量反向电阻时，指针偏转角度。
5．使用二极管时，主要考虑的参数为和二极管的反向击穿是指。
6．二极管按PN结的结构特点可分为是型和型。
7．硅二极管的正向压降约为 V，锗二极管的正向压降约为 V；硅二极管的死区电压约为 V，锗二极管的死区电压约为 V。
8．当加到二极管上反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为现象。
9．利用万用表测量二极管PN结的电阻值，可以大致判别二极管的、和PN结的材料。
二、选择题：1. 硅管和锗管正常工作时，两端的电压几乎恒定，分别分为( )。
A.0.2-0.3V 0.6-0.7VB. 0.2-0.7V0.3-0.6VC.0.6-0.7V 0.2-0.3VD. 0.1-0.2V0.6-0.7V的大小为( )。
2.判断右面两图中，UABA. 0.6V 0.3VB. 0.3V 0.6VC. 0.3V 0.3VD. 0.6V 0.6V3.用万用表检测小功率二极管的好坏时，应将万用表欧姆档拨到（）Ω档。
A.1×10B. 1×1000C. 1×102或1×103D. 1×1054. 如果二极管的正反向电阻都很大，说明 ( ) 。
A. 内部短路B. 内部断路C. 正常D. 无法确定5. 当硅二极管加0.3V正向电压时，该二极管相当于( ) 。
A. 很小电阻B. 很大电阻C.短路D. 开路6．二极管的正极电位是-20V，负极电位是-10V，则该二极管处于（）。
A．反偏 B．正偏 C．不变D. 断路7．当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A．增大 B．减小 C．不变D. 不确定8．PN结的P区接电源负极，N区接电源正极，称为（）偏置接法。
《电工与电子技术基础》电子部分习题
第四章晶体二极管和二极管整流电路第一节晶体二极管（第一课时）一、选择题1、当晶体二极管的PN结导通后参加导电的是（）A.少数载流子B.多数载流子B.既有少数载流子又有多数载流子2、半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（）A.P型半导体B.本征半导体C.N型半导体二、填空题1、半导体是一种导电能力介于和之间的物体。
2、PN结具有的性能，即：加电压时PN结导通；加的电压时PN结截止。
三、解答题1、图所示的电路中，哪些灯泡能发亮？第一节晶体二极管（第二课时）一、选择题1、晶体二极管的正极电位是-10V，负极电位是-5V，则该二极管处于（）A. 零偏B. 反偏C. 正偏2、面接触型晶体二极管比较适用于（）A.小信号检波B.大功率整流C.大电流开关3、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应该把欧姆挡拨到（）A. R×100Ω或R×1kΩ挡B. R×1Ω挡C. R×10kΩ挡4、当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压，则晶体二极管相当于（）A.大电阻B.断开的开关C.接通的开关5、当硅二极管加上0.3V的正向电压时，该二极管相当于（）A.小阻值电阻B.阻值很大的电阻C.内部短路二、填空题1、当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为V，锗二极管的正向压降为V。
2、晶体二极管因所加电压过大而。
并出现的现象，称为热击穿。
3、下面每小题后面的括号内，提供几种答案，选择正确的填在相应的横线上。
（1）简单的把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起形成PN结？（能；不能；不一定）（2）二极管导通时，则二极管两端所加的是电压。
（正向偏置；反向偏置；无偏置）（3）当二极管两端的正向偏置电压增大于电压时，二极管才能导通。
（击穿；饱和；门槛）（4）二极管两端的反向偏置电压增高时，在达到电压以前，通过的电流很小。
（击穿；最大；短路）第二节二极管整流电路1、在如图所示的电路中，试分析输入端a、b间输入交流电压υ时，通过R1、R2两电阻上的是交流电，还是直流电？2、若将单相桥式电路接成如图的形式，将会出现什么结果，应如何改正？3、如图所示两个电路中，设V1、V2均为理想二极管（即正向导通时其正向电阻和正向压降为零，反向截止时其反向电阻无穷大的二极管），试判断两图中的二极管是截止的还是导通的，A、B两端的电压V AB=？C、D端的电压V CD=？4、画出半波整流电路图。
《电工电子学》期末复习题下篇
《电工电子学》期末复习题（下篇）本复习题使用说明：复习题内容是按照知识点编写的非按章节编写请同学们阅读时注意！第Ⅱ大部分：下篇一、客观题（选择题）单项选择题部分：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内（一）、二极管三极管1、17、电路如图所示，二极管D 1、D 2为理想元件，则在电路中（）。
(a)D 1起箝位作用，D 2起隔离作用 (b)D 1起隔离作用，D 2起箝位作用(c)D 1、D 2均起箝位作用(d)D 1、D 2均起隔离作用2、45、电路如图所示，二极管D 1，D 2，D 3均为理想元件，则输出电压u O ＝（）。
(a)0V(b)－6V(c)－18V3、51、电路如图所示，二极管D 1，D 2均为理想元件，则电压u AO =（）。
(a)12V(b)0V(c)－15V4、33、电路如图所示，二极管为理想元件，u i =6sin ωt V ，U =3V ，当ωt =π2瞬间，输出电压u O等于（）。
(a)0V(b)6V (c)3V5、35、电路如图所示，D 为理想二极管，u i =6sin ωt V ，则输出电压的最大值u OM =（）。
(a)6V(b)3V(c)3V6、37、电路如图所示，二极管D 为理想元件，当输入信号u i =12sin ωt V 时，输出电压的最大值为（）。
(a)12V(b)-6V(c)0V(d)6V7、49、电路如图所示，D 1，D 2均为理想二极管，当输入电压u i >6V 时，则u O =（）。
(a)6V(b)3V(c)u i8、53、电路如图所示，D 1，D 2均为理想二极管，设U 1=10V ，u i =40sin ωt V,则输出电压u O 应为()。
(a)最大值为40V ，最小值为0V (b)最大值为40V ，最小值为+10V (c)最大值为10V ，最小值为－40V (d)最大值为10V ，最小值为0V9、55、电路如图所示，若忽略二极管D 的正向压降和正向电阻，则输出电压u O 为（）。
模电第1章 半导体器件练习2016(有答案)
二极管和三极管练习题1、N型半导体中的多数载流子是( A )，而P型半导体中的多数载流子是( B)。
A.自由电子B.空穴C.正离子D. 负离子2、要得到P型半导体，可在本征半导体硅或锗中掺入少量的( A )，要得到N型半导体，则需要掺入少量的( C )。
A.三价元素B.四价元素C.五价元素D.六价元素3、杂质半导体中多数载流子浓度( B )。
A.只与温度有关B.取决于掺杂浓度，几乎与温度无关C.与温度无关D.与掺杂浓度和温度都无关4、PN结正偏是指( B )。
A.N区电位高于P区B.P区电位高于N区C.与外加电压无关D.P区和N区电位相等5、在常温下，硅二极管的开启电压约为( C )V。
A.0.1B.0.7C.0.5D.0.26、当温度升高时，二极管伏安特性曲线的正向部分( C )，反向特性曲线( B )。
A.上移B.下移C.左移D.右移7、理想二极管模型相当于( A )。
A.一个理想开关B.一个恒压源C.一个动态电阻D.一条斜线8、理想二极管构成的电路如图所示，则（C ）。
A．V截止U0＝－10VB．V截止U0＝－3VC．V导通U0＝－10VD．V导通U0＝－6V9、由理想二极管构成的电路如图所示，电压U AB=( B )。
A. -3VB. -12VC. 0VD. - 15V10、理想二极管构成的电路如图，则( D )。
A.V截止U0=-4VB.V导通U0=+4VC.V截止U0=+8VD.V导通U0=+12V11、图示电路中，D1、D2为理想二极管，则ao两端的电压为（C）。
A．－3VB．0VC．1VD．4V12、图示电路，二极管VD1，VD2为理想元件，则U AB 为（ C ）伏。
A．－12VB．15VC．0VD．3V13、如图所示电路中的二极管性能均为理想，电路中的电压U AB=（C）。
A.-12VB.-3VC.-15VD.3V14、二极管电路如图所示。
输入电压只有0V或5V两个取值。
利用二极管理想模型分析，在v I1和v I2电压的不同组合情况下，输出电压v O的值是（A）。
数字逻辑电路__刘常澍主编____第二章习题答案
第2章 习题答案2-1 二极管、三极管用于数字电路中与用于模拟电路有什么不同？答：二极管和三极管在数字电路中主要用作开关，工作于大信号状态，即二极管工作在正向导通和反向截止两个状态，三极管工作在饱和于截止两个状态； 模拟电路中二极管一般工作在小信号状态或反向击穿状态，三极管一般工作在放大状态。
2-2 有两个二极管A 和B ，在相同条件下测得A 管的I F ＝10mA ，I R ＝2mA ；B 管的I F＝30mA ，I R ＝0.5μA ；比较而言，哪个性能更好？答：B 管更好，因为其反向漏电流较小而正向允许电流大。
2-3 三极管工作在截止、饱和、放大状态的外部条件各是什么？答：截止时，使发射结反偏即v BE ≤0；饱和时，使基极电流等于或大于基极饱和电流，即i B ≥I BS =V CC /βR C ；放大时，使发射结正偏，而i B <I BS =V CC /βR C 。
2-4 MOS 管工作在截止、恒流、可变电阻区的外部条件各是什么？ 答：对于常用的增强型NMOS 管，截止时，使栅源电压小于开启电压V T 即v GS >V GS(th)N ；工作于恒流区时，使v DS >v GS - V GS(th)N ；工作于可变电阻区时，使v DS <v GS - V GS(th)N2-5 二极管电路如图P2-5所示。
v I ＝5sin ωt （V ），假设二极管是理想二极管，试画出输出 v O 的波形。
若考虑二极管的导通压降V D ＝0.7V ，画出输出v O 的波形。
解：输出波形如图解P2-5所示。
(a)为输入波形， D 为理想二极管时输出波形为(b)， 考虑D 导通压降为0.7伏时输出波形为(c)。
2-6 二极管开关电路如图P2-6所示。
二极管导通电压为0.7V ，试分析输入端A 、B 分别为0V 和5V 时管子的工作状态，输出电压v O ＝？解：v A =5V ，v B =0V 时，D 2、D 1均导通 v O =–0.7V ； v A =5V ，v B =5V 时， D 2、D 1均导通 v O =4.3V ； v A =0V ，v B =5V 时，D 1 导通、D 2截止 v O =4.3V ； v A =5V, v B =0V 时, D 1截止、D 2导通 v O =4.3V 。
晶体二极管三极管测试题
晶体二极管、三极管测试题中国计量学院2021 ~ 2021学年第二学期《模拟电子线路》单元考试试卷开课系部：信息工程学院 _ ，考试时间：年____月____日时考试形式：闭卷□√、开卷□，允许带笔、尺子、计算器等文具入场考生姓名：学号：专业：班级：题序得分评卷人一二三四五六七总分一、选择题（共22分，1-6，8各2分，第七题1分） 1、稳压二极管是工作在伏安特性的（）区。
A．正向导通 B．反向截止 C．反向击穿 D．放大区 2、某三极管工作于放大状态，则其发射结和集电结的偏置为( )。
装 A. 正偏，正偏B. 正偏，反偏 C. 反偏，正偏 D. 反偏，反偏 3、下图中正确使用稳压二极管的稳压电路是 ( )。
++ RLRLVi Vi 定 --AB++ 线ViViC--D4、共集电极放大电路的特点是( )。
A．输入电阻很小，输出电阻很大 B. 输入电阻很大，输出电阻很小 C．电压放大倍数很高 D. 可用作振荡器5、下列各组态放大电路中，既有电压放大作用，又有电流放大作用是（）A．共射组态 B. 共基组态 C. 共集组态6、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为。
A. 83B. 91C. 100 7、现有直接耦合基本放大电路如下：A.共射电路B.共集电路C.共基电路2021-2021（二）中国计量学院《模拟电子线路》单元考试试卷共 6 页第 1 页选择正确答案填入空内，只需填A、B、……（1）输入电阻最小的电路是，最大的是；（2）输出电阻最小的电路是；（3）有电压放大作用的电路是；（4）有电流放大作用的电路是；（5）高频特性最好的电路是；（6）输入电压与输出电压同相的电路是；反相的电路是。
8、某电路中晶体三极管的符号如图，测得各管脚电位标在图上，则该管处在（）A. 放大状态B. 饱和状态5VC. 截止状态1.7VD. 状态不能确定1V二、 1、（6分）如图所示电路中，D为硅二极管，导通电压为0.7V，求Vo和I。
半导体例题及习题
半导体例题及习题第⼀章半导体⼆极管、三极管例题解析例1－1 求图1.1电路中的I 1、I 2、I O 及U O 的值？（硅管 U F ＝0.7V ）图1.1解题要领：判断⼆极管的状态，将⼆极管从电路中取出后⽐较管⼦阳极、阴极电位⾼低；解：∵21DD DD V V ? ∴V D 导通U O =V DD1-U F =15-0.7=14.3V8.433.14===L O O R U I mA)(1.73.28.421mA I I I O =+=+=mA R V U I DD O 3.21123.1422=-=-=例1－2 图1.2中，试求下列⼏种情况下输出端电位V Y 。
（1）V A =3V ，V B =0V ；（2）V A =0V ，V B =3V ；（3）V A =V B =0V ；（4）V A =V B =3V 。
设⼆极管的正向电阻为零，反向电阻为⽆穷⼤。
图1.2 解题要领：两个或两个以上阴极（或阳极）连在⼀起时，阳极电位⾼（或阴极电位低）的⼆极管优先导通，然后再判断其它管解：（1）、⼆极管V DB 优先导通，则V Y ＝0V ，V DA 截⽌。
（2）、⼆极管V DA 优先导通，则V Y ＝0V ，V DB 截⽌。
（3）、V DA 和VDB 两管都导通V Y ＝0V（4）、V DA和VDB两管都导通V Y＝3V例1－3⼀个晶体管在放⼤电路中看不出型号，也没有其它标记，但⽤万⽤表测得它的三个电极A、B、C对地电位分别为VA＝－9V，VB＝－6V，VC＝－6.2V, 试判断该三极管的类型和A、B、C各对应三极管的什么极？解题要领：如何判断三极管的类型和电极？1、硅管或锗管的判别原则：发射结正向压降是0.7V左右为硅管，0.2V为锗管，且b极电位处于中间值，由此初步确定b极、e极；2、NPN管或PNP管的判别原则：处于放⼤状态的NPN管中其集电极电位为最⾼，⽽PNP管为最低；3、电极判别：弄清管⼦的类型之后，再结合各电极的电位就很容易判别它的各个电极。
二极管三极管练习题
二极管三极管练习题一、选择题1. 下列哪种器件属于半导体器件？A. 二极管B. 稳压管C. 晶体管2. 二极管的正向导通电压约为多少？A. 0.1VB. 0.2VC. 0.7VD. 1.5V3. 下列哪种类型的二极管具有稳压功能？A. 普通二极管B. 发光二极管C. 稳压二极管D. 变容二极管4. 三极管的工作原理是基于哪种效应？A. 光电效应B. 热电效应C. 晶体管效应D. 二极管效应5. 三极管的三个工作区域分别是：A. 放大区、饱和区、截止区B. 放大区、截止区、饱和区C. 饱和区、放大区、截止区D. 截止区、饱和区、放大区6. 三极管放大状态下，基极电流与集电极电流的关系是：A. Ib = IcB. Ib < IcC. Ib > IcD. Ib = 07. 下列哪种电路属于三极管放大电路？A. 共发射极电路B. 共集电极电路C. 共基极电路8. 三极管放大电路中，输入信号与输出信号相位关系为：A. 同相B. 反相C. 90°相位差D. 180°相位差二、填空题9. 二极管的主要特性是________和________。
10. 三极管的工作原理是基于________、________和________。
11. 三极管放大电路有________、________和________三种基本接法。
12. 二极管正向导通时，其正向电阻________，反向截止时，其反向电阻________。
13. 三极管在放大状态时，基极电流________，集电极电流________。
14. 三极管放大电路中，输入信号与输出信号的相位关系为________。
三、判断题15. 二极管具有单向导电性。
（）16. 三极管可以工作在放大、饱和和截止三种状态。
（）17. 二极管的反向电流随温度升高而减小。
（）18. 三极管放大电路中，输入信号与输出信号相位相同。
（）19. 二极管和三极管都是半导体器件。
1半导体器件复习练习题二极管三极管场效应管差动放大电路集成运放
半导体基本知识和半导体器件（二极管、三极管、场效应管、集成运放）一、选择题：1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（）。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s将增大，是因为此时PN结内部的（）A. 多数载流子浓度增大B.少数载流子浓度增大C.多数载流子浓度减小D.少数载流子浓度减小4、PN结反向向偏置时，其内电场被（）。
A.削弱B.增强C.不变D.不确定5、在绝对零度（0K）和没有外界激发时，本征半导体中( ) 载流子。
A.有B.没有C.少数D.多数6、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）。
A．减小温漂B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻D. 减小输出电阻7、以下所列器件中，（）器件不是工作在反偏状态的。
A、光电二极管B、发光二极管C、变容二极管D、稳压管8、当晶体管工作在放大区时，（）。
A. 发射结和集电结均反偏B.发射结正偏，集电结反偏C. 发射结和集电结均正偏D.发射结反偏，集电结正偏9、稳压二极管稳压时，其工作在( )，A．正向导通区B．反向截止区C．反向击穿区 D.不确定10、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（）电路。
A.差放B.正弦C.数字D.功率放大11、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（）。
A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管ArrayC.PNP 型硅管D.PNP 型锗管12、某场效应管的转移特性如右图所示，该管为（）。
A．P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管13A．输入电阻高 B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大14、如右图所示复合管，已知V1的β1 = 30，V2的β2 =50，则复合后的β约为（）。
A．1500 B.80 C.50 D.3015、发光二极管发光时，工作在( )。
《电工与电子技术基础》电子部分习题
第四章晶体二极管和二极管整流电路第一节晶体二极管（第一课时）一、选择题1、当晶体二极管的PN结导通后参加导电的是（）A.少数载流子B.多数载流子B.既有少数载流子又有多数载流子2、半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（）A.P型半导体B.本征半导体C.N型半导体二、填空题1、半导体是一种导电能力介于和之间的物体。
2、PN结具有的性能，即：加电压时PN结导通；加的电压时PN结截止。
三、解答题1、图所示的电路中，哪些灯泡能发亮？第一节晶体二极管（第二课时）一、选择题1、晶体二极管的正极电位是-10V，负极电位是-5V，则该二极管处于（）A. 零偏B. 反偏C. 正偏2、面接触型晶体二极管比较适用于（）A.小信号检波B.大功率整流C.大电流开关3、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应该把欧姆挡拨到（）A. R×100Ω或R×1kΩ挡B. R×1Ω挡C. R×10kΩ挡4、当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压，则晶体二极管相当于（）A.大电阻B.断开的开关C.接通的开关5、当硅二极管加上0.3V的正向电压时，该二极管相当于（）A.小阻值电阻B.阻值很大的电阻C.内部短路二、填空题1、当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为V，锗二极管的正向压降为V。
2、晶体二极管因所加电压过大而。
并出现的现象，称为热击穿。
3、下面每小题后面的括号内，提供几种答案，选择正确的填在相应的横线上。
（1）简单的把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起形成PN结？（能；不能；不一定）（2）二极管导通时，则二极管两端所加的是电压。
（正向偏置；反向偏置；无偏置）（3）当二极管两端的正向偏置电压增大于电压时，二极管才能导通。
（击穿；饱和；门槛）（4）二极管两端的反向偏置电压增高时，在达到电压以前，通过的电流很小。
（击穿；最大；短路）第二节二极管整流电路1、在如图所示的电路中，试分析输入端a、b间输入交流电压υ时，通过R1、R2两电阻上的是交流电，还是直流电？2、若将单相桥式电路接成如图的形式，将会出现什么结果，应如何改正？3、如图所示两个电路中，设V1、V2均为理想二极管（即正向导通时其正向电阻和正向压降为零，反向截止时其反向电阻无穷大的二极管），试判断两图中的二极管是截止的还是导通的，A、B两端的电压V AB=？C、D端的电压V CD=？4、画出半波整流电路图。
二极管、三极管练习题
二极管、三极管习题一、填空题1、晶体三极管通过改变来控制。
2、对半导体三极管，测得发射结反偏，集电结反偏，此时该三管处于_______ 状态。
3、一个三极管有两个PN结，分别称为结和结。
4、ＰＮ结具有性，即加正向电压时，ＰＮ结，加反向电压时，ＰＮ结5、半导体二极管按其所使用的材料可分为管和管两类。
6、硅管的死区电压约为V，锗管的死区电压约为V。
7、半导体三极管的结构分为三个区，分别是区、区、区。
8、三极管按其内部结构分为和两种类型9、三极管三个电极的电流存在关系。
10、三极管有三个工作状态，即、和状态，状态具有放大作用。
11、、三极管工作在截止状态时，相当于开关；工作在饱和状态时，相当于开关。
二、选择题1、晶体三极管处于放大状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）。
(a) 发射结反偏，集电结正偏(b) 发射结、集电结均反偏(c) 发射结、集电结均正偏(d) 发射结正偏，集电结反偏2、半导体二极管的主要特点是具有（）。
(a) 电流放大作用 (b) 单向导电性(c) 电压放大作用3、稳压管起稳压作用，是利用它的（）。
A 正向特性B 单向导电性C 双向导电性D 反向击穿特性4、二极管两端加上正向电压时（）A 一定导通B 超过死区电压才导通C 超过0.7V才导通D 超过0.3V才导通5、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（）。
A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。
(完整版)二极管习题
二极管电路习题一、选择题1、在题 1.1 图所示电路中，U A0 电压为（ ） （a ）12V （b ）-9V （c ）-3V2 在题 1.2 图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则 D1、D2、D3 的工作状 态为（ ） 。
（a ）D1 导通，D2、D3 截止 （b ）D1、D2 截止，D3 导通 （c ）D1、D3 截止，D2 导通3 在题 1.3 图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则 D1、D2 的工作状态为 （ ） 。
（a ）D1 导通，D2、截止 （b ）D1、D2 均导通 （c ）D1、截止，D2 导通4 在题 1.4 图所示电路中，D1、D2 为理想元件，则电压 U0 为（ ） （a ）3V （b ）5V （c ）2V5 电路如题 1.5 图（a ）所示，二极管 D 为理想元件，输入信号 ui 为图（b ）所 示的三角波，则输出电压 u0 的最大值为（ ） 。
（a ）5V （b ）17V （c ）7V6 在题 1.6 图所示电路中，二极管为理想元件，uA=3v,uB=2sinωtV ,R=4KΩ,则 uF 等于( ). （a ）3V （b ）2sinωtV （c ）3+2sinωtV7 在题 1.7 图所示电路中，二极管为理想元件，则输出电压 U0 为（ ） （a ）3V （b ）0V （c ）－12V8 在题 1.8 图（1）所示电路中，二极管 D 为理想元件，设 u1=2sinωtV,稳压二 极管 DZ 的稳定电压为 6V ，正向压降不计，则输出电压 u0 的波形为图（2）中的 波形（ ）12V9V(c) RV O题1.1图9 在题1.9 图所示电路中，稳压二极管DZ2 的稳定电压为6V，DZ2 的稳定电压为12V，则输出电压U0 等于（）。
（a）12V （b）6V （c）18V10 在题1.10 图所示电路中，稳压二极管DZ1 和DZ2 的稳定电压分别为6V 和9V，正向电压降都是0.7V。
二极管、三极管放大电路练习题
R
Ui
D
VD＋ = Ui = 5V
+
U0
_
VD－ =0V
R
+
Ui
D U0
_
(2)求出断开两点间的 电位差VD 。
VD= VD＋ － VD－ =5V
例1：设二极管为理想二极管，试求出Ui=5V时
的输出电压U0的大小。
(3)判断二极管的导通状态
R
+
Ui
D
U0
_
∵ VD= 5V>0 ∴ 二极管D导通
R
+
UD+－UD－≥UF，二极管导通，等效为UF恒压源； UD+－UD－<UF，二极管截止，等效为断路。 • 折线模型
UD+－UD－≥Uth，二极管导通，等效为Uth恒压源串联电阻； UD+－UD－<Uth，二极管截止，等效为断路。
例1：设二极管为理想二极管，试求出Ui=5V时
的输出电压U0的大小。
解:(1)断开二极管D
二极管及其基本电路、三极管练习
二极管复习
1、二极管基本电路的分析方法：
关键是判断二极管的导通与截止
首先假设二极管断开，然后求得二极管正极和负极之 间的电压。如该电压大于导通电压，则说明该二极管导通， 两端的实际电压为二极管的导通电压；如果该电压小于导 通电压，则说明该二极管截止。然后进一步计算所要求的 各物理量。
可见，二极管接入后，反向偏置，VD处于截止状态。电 路中电流为0，电阻上压降为0，所以
Vo=VB=VC=-5V
3：设二极管为理想二极管，试判断各个二极管 的工作状态，求输出电压U0的大小。
(1)设D1、D2都断开，设0电位点
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
模拟电子技术部分习题及答案——直流稳压电源项目一、二极管与三极管的基础知识二极管习题一、熟悉概念与规律1．半导体2．P型半导体3．N型半导体4．PN结5．单向导电性6．整流二极管7．稳压二极管8．发光二极管9．开关特性10．三极管11．三极管的饱合特性12．三极管的截止特性13．三极管的放大特性二、理解与计算题1．当温度升高时，二极管的正向压降_ 变小，反向击穿电压变小。
2．硅稳压二极管并联型稳压电路中，硅稳压二极管必须与限流电阻串联，此限流电阻的作用是（C——调压限流）。
A、提供偏流B、仅限流电流C、兼有限流和调压两个作用3. 有两个2CW15 稳压管，一个稳压值是8V，另一个稳压值是，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是（B——）。
8V；B、；C、4．稳压管DW稳压值为，二极管VD正向压降，当VI 为12V时，DW和VD 是否导通，V0 为多少R电阻的作用。
答：DW和VD 不导通，V0 为，R电阻的作用是分压限流。
5．下图中D1-D3为理想二极管，A，B，C灯都相同，试问哪个灯最亮（）6．在图所示的电路中，当电源V=5V 时，测得I=1mA。
若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将_____。
=2mA <2mA >2mA7．图所示电路，设Ui=sinωt(V)，V=2V，二极管具有理想特性，则输出电压Uo 的波形应为图示_______图。
8．图所示的电路中，Dz1 和Dz2 为稳压二极管，其稳定工作电压分别为6V 和7V，且具有理想的特性。
由此可知输出电压Uo 为_______。
9．二极管最主要的特性是____________，它的两个主要参数是反映正向特性的____________和反映反向特性的____________。
10．图所示是一个输出6V 正电压的稳压电路，试指出图中有哪些错误，并在图上加以改正。
11．电路如图所示。
已知v2 有效值足够大，合理连线，构成5V 的直流电源。
12．桥式整流滤波电路，以知ｖ21=20×ωt(V)。
在下列情况时,说明Ｖo 端对应的直流电压平均值Ｖo(av)应为多少。
（1）电容C 因虚焊未接上。
（2）有电容但ＲL 开路。
（3）整流桥中有一个二极管因虚焊断路，有电容C，ＲL=∞。
13．设二极管正向电阻为零，反向电阻无穷大，判断如图所示电路的输出端电压：（）A、—3V；B、—8V；C、5V；D、8V。
14．如果电阻R 的阻值为1 千欧，问：二极管的电流正向电流为（）。
（填空）15．PN 结具有，偏置时导通，偏置时截止。
16．直流稳压电源的作用就是将转换为。
小功率直流稳压电源一般由、、和四部分组成。
17．常温下，硅二极管的死区电压约为______V，导通后两端电压基本保持约______V 不变；锗二极管的死区电压约______V，导通后两端电压基本保持约______V 不变。
18．二极管2AP7 是类型，2CZ56 是类型，2CW56 是类型，2CK70是类型，2CC122 是类型，1N4007 是类型，1N4148 是类型，1N5401 是类型。
正常情况下稳压管工作在区，具有稳压作用。
19．硅二极管两端加上正向电压时立即导通。
（）20．当二极管两端正向偏置电压大于死区电压时，二极管才能导通。
（）21．二极管的反向击穿电压大小与温度有关，温度升高反向击穿电压增大。
（）22．用万用表欧姆挡粗测2AP9 时用RX10 档。
（）23．在输出电压相同的情况下，桥式整流电容滤电路和桥式整流电路所选二极管的最大电流可以相同。
（）24．同硅管相比，锗管的参数更易受温度的影响。
( )25．半导体就是导电性能介于导体与绝缘体之间的一类物质。
（）26．稳压二极管正常工作时必须反偏，且反偏电流必须大于稳定电流Z I 。
（）27．半导体二极管反向击穿后立即烧毁。
（）28．用模拟万用表和数字万用表在测试二极管的极性时，测试方法和判别依据完全一样。
（）29．2CZ 型二极管，以下说法正确的是（）A．适用于小信号检波B．适用于整流C．适用于开关电路30．对于晶体二极管，下列说法正确的是（）A.正向偏置导通,反向偏置截止B.导通时可等效为一线性电阻C.在达到反向击穿电压之前通过的电流很小D. 反向击穿后立即烧毁31．题图1.5.1 所示电路，二极管为理想二极管，以下说法正确的是（）导通，UAO=6V 导通，UAO=-6V截止，UAO=9V D. VD 导通，UAO=－9V32．硅二极管正偏时，正偏电压和正偏电压时，二极管呈现的电阻值（）A．相同B 不相同C 无法判断33．用模拟万用表RX1K 档测二极管，若红笔接阳极，黑笔接阴极，读数为50K，表笔对换测得电阻一样大，则该二极管（）A．内部已断，不能使能B．内部已短路，不能使用C．没有坏，但性能不好D．性能良好34.如题图1.5.2 所示电路：1）该电路正常工作时，输出电压o u 为多少2）若要电路正常工作，变压器次级电压2 u 的最小值是多少最大值是多少3）如果变压器次级电压2 u 的有效值为15V，则整流、滤波后电压3 u 的数值大略为多少若测得3 u 为左右，分析故障原因与部位，并列出检修的步骤。
36．硅稳压管稳压电路如题图1.5. 3 所示。
已知硅稳压管VD 的稳定电压Uz＝10V、动态电阻和反向饱和电流均可以忽略，限流电阻R=RL＝1kΩ，未经稳压的直流输入电压Ui＝24V。
（1）试求Uo、Io、I 及Iz；（2）若负载电阻RL 的阻值减小为，再求Uo、Io、I 及Iz。
三极管习题一、熟悉概念与规律1．三极管2．三极管的饱合特性3．三极管的截止特性4．三极管的放大特性二、理解与计算题1．三极管具有、和特性。
2．三极管的IE、IB、IC 之间的关系是。
β= 。
3．各三极管电极的实测对地电压数据如下：图A 是管，工作在状态；图B 是管，工作在状态。
4．放大电路要不失真地放大交流信号必须使放大器设置，以保证三极管放大信号时，始终工作在区。
5．（）晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体N 型或P 型构成的所以e极和c 极可以互换使用。
6．三极管多级放大电路中，已知àV1=20、àV2=-10、àV3=1、总的电压增益àV= - ；àV1 是放大器；àV2 是放大器；àV3 是放大器。
7．三极管的发射结正偏，集电结反偏时，三极管所处的状态是（）。
A、放大状态B、饱和状态C、截止状态8．测得某NPN 管得ＶBE＝，ＶCE＝，由此可判定它工作在_______区。
9．用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位，试判断这些晶体管分别处于那种工作状态（饱和、截止、放大、倒置或已损坏）。
10．某晶体管的iB 从20μA 变到40μA 时，对应的iC 从变化到，则该管的β 为（）。
A、β=75B、β=50C、β=100D、β=11．测得工作在放大电路中的三极管各极电位如图所示，其中硅材料的NPN 管是（）。
二、基本放大电路基础知识习题作业1.按要求填写下表。
电路名称连接方式（e 、c 、b ） 性能比较（大、中、小）公共极 输入极 输出极uAiAR i R o 其它 共射电路 共集电路 共基电路2.分别改正图2所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。
要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。
图23.画出图3所示各电路的直流通路和交流通路。
设所有电容对交流信号均可视为短路。
图34.电路如图4（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时UBEQ＝。
利用图解法分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom（有效值）。
图4 5.电路如图5所示，已知晶体管＝50，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少设VCC＝12V，晶体管饱和管压降UCES＝。
（1）正常情况（2）Rb1短路（3）Rb1开路（4）Rb2开路 （5）RC 短路图 56.电路如图6所示，晶体管的＝80，'bb r =100Ω。
分别计算RL ＝∞和RL ＝3k Ω时的Q 点、uA 、Ri 和Ro 。
图67.在图6所示电路中，由于电路参数不同，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图7（a ）、（b ）、（c ）所示，试说明电路分别产生了什么失真，如何消除。
图 78.若由PNP 型管组成的共射电路中，输出电压波形如图（a ）、（b ）、（c ）所示，则分别产生了什么失真9.已知图9所示电路中晶体管的 ＝100，rbe=1k Ω。
（1）现已测得静态管压降UCEQ ＝6V ，估算Rb 约为多少千欧；（2）若测得i U 和o U 的有效值分别为1mV 和100mV ，则负载电阻RL 为多少千欧图910. 电路如图10所示，晶体管的＝100，'bb r =100Ω。
（1）求电路的Q 点、uA 、Ri 和Ro ；（2）若电容Ce 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化如何变化图1011.设图11所示电路所加输入电压为正弦波。
试问：图11（1）1u A =o1U /i U ≈ 2u A =o2U /i U ≈（2）画出输入电压和输出电压ui 、uo1、uo2 的波形；12.电路如图12所示，晶体管的＝80，rbe=1k Ω。
（1）求出Q 点；（2）分别求出RL ＝∞和RL ＝3k Ω时电路的u A 和Ri ；（3）求出Ro 。
图 1213.电路如图13所示，晶体管的＝60，'bb r =100Ω。
（1）求解Q 点、u A 、Ri 和Ro ； （2）设s U ＝10mV （有效值），问i U ＝o U ＝若C3开路，则i U ＝o U ＝图1314. 图14所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，'bb r =100Ω，UBEQ ≈。
试计算RW 滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流IEQ ，以及动态参数Ad 和Ri 。
图1415.如图15所示的差动放大电路中，设晶体管β1=β2=80，r`bb=200Ω，其他参数标在图上，试求：（10分）（1）画出直流通路，求静态时的ICQ1、ICQ2和UO（2）画出差模输入时的微变等效电路，并求接入负载RL=24K Ω时的差模电压放大倍数Avd ，差模输入电阻rid 和输出电阻rod图1517.电路如图15所示，已知场效应管的低频跨导为gm ，试写出u A 、Ri 和Ro 的表达式。
图17。