晶振的主要参数及其对电路的影响
有关晶振的知识详解
晶振的工作原理是什么？ [标签：电子资料]石英晶体若在晶片的两侧施加机械压力，则在晶片相应的方向上将产生电场，这种物理现象称为压电效应，晶振就是根据压电效应研制而成。
如果在晶片的两极上加交变电压，晶片就会产生机械振动，同时晶片的机械振动又会产生交变电场。
在一般情况下，晶片机械振动的振幅和交变电场的振幅非常微小，但当外加交变电压的频率为某一特定值时，振幅明显加大，比其他频率下的振幅大得多，这种现象称为压电谐振，它与LC回路的谐振现象十分相似。
它的谐振频率与晶片的切割方式、几何形状、尺寸等有关。
提问者：bangbanghoutai浏览次数：1539 提问时间：2007-12-08 15:55姓名：帮帮笔名：bangbanghoutai等级：副连长 (三级)回答数： 6395 次通过率： 43.47%主营行业：精细化学品公司：擅长领域：阿里旺旺雅虎实战案例答案收藏答案收藏答案分享给好友最新回答者：woyige等级：列兵 (一级)回答的其他贡献者：woyige>>目录∙1、石英晶体振荡器的结构∙2、压电效应∙3、符号和等效电路∙4、谐振频率∙5、石英晶体振荡器类型特点∙6、石英晶体振荡器的主要参数∙7、石英晶体振荡器的发展趋势∙8、石英晶体振荡器的应用1、石英晶体振荡器的结构编辑本段石英晶体振荡器是利用石英晶体（二氧化硅的结晶体）的压电效应制成的一种谐振器件，它的基本构成大致是：从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片（简称为晶片，它可以是正方形、矩形或圆形等），在它的两个对应面上涂敷银层作为电极，在每个电极上各焊一根引线接到管脚上，再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振。
其产品一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。
下图是一种金属外壳封装的石英晶体结构示意图。
2、压电效应编辑本段若在石英晶体的两个电极上加一电场，晶片就会产生机械变形。
反之，若在晶片的两侧施加机械压力，则在晶片相应的方向上将产生电场，这种物理现象称为压电效应。
晶振的主要参数及其对电路的影响
晶振的尝试报告之阳早格格创做晶振的等效电器模型C0，是指以火晶为介量，由二个电极产死的电容.也称为石英谐振器的并联电容，它相称于以石英片为介量、以二电极为极板的仄板电容器的电容量战收架电容、引线电容的总战.几~几十pF.R1等效石英片爆收板滞形变时资料的能耗；几百欧C1反映其资料的刚刚性,10^(-3)~ 10^(-4)pFL1大概反映石英片的品量.mH~H晶振百般参数晶振的一些参数本去没有是牢固的大部分是会随温度、频次、背载电容、激励功率变更的RR 谐振电阻越小越佳效率：过大制成没有简单起振、电路没有宁静阻抗RR 越小越简单起振，反之若ESR 值較下則較没有简单起振.所以佳的Crystal 設計應正在ESR 與Co 值間博得仄稳.C1动向电容L1动向电感C0静电容效率：没有克没有及太下，可則易爆收较大的副波，效率频次宁静性LRC效率：LRC电路的Q值等于(L/C)^0.5 /R 果为而L较大，C与R很小，石英晶振的Q值可达几万到几百万.Q值越大位于晶振的感性区间，电抗直线陡峭，稳频本能极佳.FL特定背载电容以及激励功率下频偏偏越小越佳DLD2分歧启动功率下：阻抗最大-阻抗最小越小越佳效率：引导时振时没有振，制成睡眠晶机制制传染没有良DLD2（Drive Level Dependency 2）：正在分歧的功率驅動Crystal 時，所得之最大阻抗與最小阻抗之好.DLD2越小越佳，當Crystal 製程受传染時，則DLD2值會偏偏下，導致時振與時没有振現象，即（”Crystal Sleeping”）.佳的Crystal 没有果驅動功率變化，而產死較下的阻抗好異，制废品質異常.暂时，許多火晶製制礙於製程管制统制及良率短安，並没有主動提供此要害指標參數給客戶.备注：测出去很佳没有代表此参数很佳，果为是与面法尝试的.RLD2分歧启动功率下：阻抗最大与DLD闭系稀切正在指定的变更功率范畴内所量测到的最大阻抗Drive Level Dependency (maximum resistance – RR).FDLD2分歧启动功率下：F最大-F最小越小越佳制制传染没有良效率：引导时振时没有振，制成睡眠晶体正在分歧的功率驅動Crystal 時，所得之最大頻率與最小頻率之好，稱為FLD2.FLD2 越小越佳.當Crystal 製程受传染，則FLD2 值會偏偏下，導致時振與時没有振現像，即「Crystal Sleeping」.佳的Crystal 没有果驅動功率變化，而產死較下的頻率好異，制废品質異常.暂时，許多火晶製制礙於製程管制统制及良率短安，並没有主動提供此要害指標參數給客戶.SPDB寄死旗号强度与主旗号强度比值效率：如果太大了便有大概制成直交开机频偏偏，而且建改背载电容没有克没有及革新.大概者烤机之后温度变更之后频偏偏，热却大概者沉开又仄常了. 千万于值越大越佳制制传染没有良那个参数名字不妨明白为SP DB 其简直含意如下听尔细细讲去SPDB（Difference in dB between Amplitude of FR and Highest Spur）：Spurious 以dB 為單位時，SPDB 的絕對值越大越佳.-3dB 為最矮的央供，以预防振盪出没有念要的副波（Spur）頻率，制成系統頻率没有正確.“下图隐现了石英谐振器的模态谱，包罗基模，三阶泛音，5 阶泛音战一些治真旗号赞同，即寄死模.正在振荡器应用上，振荡器经常采用最强的模式处事.一些搞扰模式有慢遽降落的频次—温度个性.偶尔间，当温度爆收改变，正在一定温度下，寄死模的频次与振荡频次普遍，那引导了“活动性下落”.正在活动性下落时，寄死模的激励引起谐振器的特殊能量的消耗，引导Q 值的减小，等效串联电阻删大及振荡器频次的改变.当阻抗减少到相称大的时间，振荡器便会停止，即振荡器做废.当温度改变近离活动性下落的温度时，振荡器又会沉新处事.寄死模能有适合的安排战启拆要领统制.没有竭建正电极与晶片的尺寸闭系（即应用能陷准则），并脆持晶片主仄里仄止，那样便能把寄死模最小化”上头那段话瞅了是没有是有面晕，道真话尔也有面晕.然而是从上头咱们不妨归纳出如下几个论断：1.泛音晶振石英谐振器的模态谱，包罗基模，三阶泛音，5 阶泛音战一些治真旗号赞同，即寄死模. 寄死模的存留.2.正在振荡器应用上，振荡器经常采用最强的模式处事.一些搞扰模式有慢遽降落的频次—温度个性.寄死模会随温度频次变更，而且效率振荡.3.寄死模的缺陷是由于晶振的制制工艺制成.下去便很精确了，SPDB是一个衡量主频强度与寄死模强度好值的量（主频幅度/寄死频次与对于数吧）.那个值越小越佳，代表寄死模越小.TS背载电容变更对于频次的效率率效率频偏偏对于背载电容变更敏感制成电路没有宁静越小越佳TS（Trim Sensitivity of Load Measurement）：負載電容變化時，對晶體頻率變化量的影響，單位為ppm / pF. 效率：此值過大時，很简单正在分歧的負載電容效率下，產死極大的頻率飄移.温度频好制制工艺分歧格会使直线宽沉偏偏离超出图二阳影部分效率：频次随温度变更分歧切割角度对于直线的效率石英晶体结构真例问题：加进纯量大概者有银屑、镀银偏偏了、镀银里里裂痕微调银镀偏偏灰尘、银屑、晶片缺角。
晶振与晶体的参数详解
晶振与晶体的参数详解晶振和晶体是电子器件中常见的元器件，被广泛应用于各种电子设备中。
下面将详细解释晶振和晶体的参数及其作用。
首先，我们来解释一些晶振的参数：1.频率：晶振频率是指晶振器产生的振荡信号的频率。
晶振的频率通常通过外部电路进行调节，可以根据需要选择不同的频率值。
2.稳定度：晶振的稳定度是指晶振器在一段时间内产生的频率变化范围。
晶振的稳定度越高，产生的频率变化越小，可以提供更稳定、可靠的时钟信号。
3.温度系数：晶振的温度系数是指晶振器频率随温度变化的比例。
温度系数越小，晶振器的频率随温度变化的影响越小。
4.驱动能力：晶振的驱动能力是指晶振器输出信号的电流或电压幅度。
不同的应用场景需要不同幅度的驱动能力。
5.电源电压：晶振器需要一定的电源电压才能正常工作，通常以工作电压范围表示。
接下来，我们来解释一些晶体的参数：1.晶体结构：晶体的结构是指晶体的原子排列方式。
晶体结构可以分为立方晶体、六方晶体、斜方晶体等。
2.晶体尺寸：晶体尺寸是指晶体的长度、宽度和厚度。
晶体的尺寸可以影响晶体的振荡频率和稳定度。
3.谐振频率：晶体的谐振频率是指晶体在特定尺寸和结构下能够实现最佳振荡的频率。
4.谐振模式：晶体的谐振模式是指晶体在振荡时所产生的振动模式，可以分为纵向谐振模式、横向谐振模式等。
5.振荡电路：晶体需要通过外部的振荡电路来产生振荡信号。
振荡电路的设计和参数设置可以影响晶体的性能和稳定度。
晶振和晶体在电子设备中具有重要的作用，主要用于提供稳定的时钟信号和振荡信号。
晶振器通过晶体的振荡产生稳定的信号，可以被用作时钟信号源，用于同步控制电路的工作。
晶振器通常被广泛应用于各种电子设备中，例如计算机、通信设备、汽车电子等。
总结起来，晶振和晶体在电子器件中扮演重要角色，他们的参数和性能直接影响着整个电子设备的稳定性和可靠性。
只有合理选择和使用晶振和晶体，才能确保电子设备的正常工作和性能表现。
石英晶体振荡器的主要参数
石英晶体振荡器的主要参数
晶振的主要参数有标称频率，负载电容、频率精度、频率稳定度等。
不同的晶振标称频率不同，标称频率大都标明在晶振外壳上。
如常用一般晶振标称频率有：48kHz、500 kHz、503.5 kHz、1MHz～40.50 MHz等，对于特别要求的晶振频率可达到1000 MHz以上，也有的没有标称频率，如CRB、ZTB、Ja等系列。
负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部全部有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。
负载频率不同打算振荡器的振荡频率不同。
标称频率相同的晶振，负载电容不肯定相同。
由于石英晶体振荡器有两个谐振频率，一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振：另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振。
所以，标称频率相同的晶振互换时还必需要求负载电容一至，不能冒然互换，否则会造成电器工作不正常。
频率精度和频率稳定度：由于一般晶振的性能基本都能达到一般电器的要求，对于高档设备还需要有肯定的频率精度和频率稳定度。
频率精度从10^(-4)量级到10^(-10)量级不等。
稳定度从±1到±100ppm不等。
这要依据详细的设备需要而选择合适的晶振，如通信网络，无线数据传输等系统就需要更高要求的石英晶体振荡器。
因此，晶振的参数打算了晶振的品质和性能。
在实际应用中要依据详细要求选择适当的晶振，因不同性能的晶振其价格不同，要求越高价格也越贵，一般选择只要满意要求即可。
1。
晶振主要规格参数
晶振主要规格参数
晶振作为一种能够提供稳定高精度信号的元器件，广泛应用于电子产品中。
不同规格的晶振具有不同的频率和精度，其主要规格参数如下：
1. 频率：指晶振振荡的频率，通常使用单位为MHz。
不同频率的晶振可以满足不同的应用需求，例如8MHz晶振可以用于微控制器的时钟源，而3
2.768kHz晶振则常用于实时时钟电路。
2. 精度：指晶振的频率精度，通常用ppm（百万分之一）表示。
精度越高的晶振，提供的信号越接近理论值且越稳定，一般应用于高精度要求的场景。
3. 工作电压（Vcc）：指晶振正常工作所需的电压范围。
晶振的工作电压一般为3.3V或5V。
在应用中要注意，如果工作电压过高或过低，都会影响晶振的稳定性。
4. 静态电容（C1、C2）：晶振的主要参数之一，通常在晶振的产品手册中标明。
它对于晶振的频率稳定性有着至关重要的作用。
C1和C2的大小应根据晶振的特性和工作电压来选择。
5. 工作温度范围（TC）：指晶振正常工作的温度范围。
一般来说，晶振的TC为-20℃至70℃或-40℃至85℃，但也有更广泛或更窄的工作温度范围。
总之，晶振的规格参数对于不同的应用场景有不同的要求，如精度、工作电压、静态电容和工作温度范围等等。
在选择晶振时，应该根据实际应用需求，综合评估以上规格参数来进行选择。
晶振等效电路中的各个参数
晶振等效电路中的各个参数
在晶振的等效电路中，有几个重要的参数，包括：
1. 谐振频率（Resonance Frequency）：晶振的谐振频率是指在晶体的压电效应下，电路中产生的机械振动的频率。
这个频率是晶振的主要特性，通常以 MHz 或 kHz 为单位表示。
2. 负载电容（Load Capacitance）：负载电容是指与晶振并联的电容，它会影响晶振的谐振频率和工作稳定性。
负载电容的大小需要根据具体的晶振规格和应用要求来选择。
3. 动态电阻（Dynamic Resistance）：动态电阻是指晶振在谐振频率下的等效电阻。
它反映了晶体在振动过程中的能量损耗，动态电阻的值越小，晶振的能量损耗就越小，效率就越高。
4. 激励电平（Excitation Level）：激励电平是指晶振所需的最小驱动功率。
晶振需要一定的激励电平时才能正常工作，如果激励电平过低，晶振可能无法起振或工作不稳定。
5. 品质因数（Quality Factor）：品质因数是衡量晶振谐振特性的参数，它反映了晶振的频率选择性和能量损耗。
品质因数越高，晶振的频率稳定性和抗干扰能力就越强。
这些参数对于晶振的设计、选择和应用非常重要。
在实际使用中，需要根据具体的应用需求和晶振规格来确定合适的参数值，以确保晶振能够正常工作并满足性能要求。
如果你需要更详细的关于晶振等效电路中各个参数的信息，建议查阅相关的技术资料或咨询专业的工程师。
晶振基础知识介绍
晶振基础知识介绍晶振：即所谓石英晶体谐振器(无源)和石英晶体振荡器（有源）的统称。
无源和有源的区别：无源晶振为crystal（晶体），而有源晶振则叫做oscillator（振荡器）。
无源晶振需要借助于时钟电路才能产生振荡信号，自身无法振荡起来，所以“无源晶振”这个说法并不准确；有源晶振是一个完整的谐振振荡器。
石英晶体振荡器与石英晶体谐振器都是提供稳定电路频率的一种电子器件。
石英晶体振荡器是利用石英晶体的压电效应来起振，而石英晶体谐振器是利用石英晶体和内置IC共同作用来工作的。
振荡器直接应用于电路中，谐振器工作时一般需要提供3.3V电压来维持工作。
振荡器比谐振器多了一个重要技术参数：谐振电阻（RR），谐振器没有电阻要求。
RR的大小直接影响电路的性能，因此这是各商家竞争的一个重要参数。
晶振的原理：压电效应(物理特性)：在水晶片上施以机械应力时,，会产生电荷的偏移，即为压电效应。
逆压电效应：相对在水晶片上印加电场会造成水晶片的变形即产生逆压电效应，利用这种特性产生机械振荡，变换成电气信号。
晶振的作用：一、为频率合成电路提供基准时钟，产生原始的时钟频率。
二、为电路产生震荡电流,发出时钟信号晶振的分类：一、按材质封装(1).金属封装-SEAMTYPE (2).陶瓷封装-GLASSTYPE二、贴装方式(1).直插封装-DIP (2).贴片封装-SMD三、按产品类型(1).crystal resonator—晶体谐振器（无源晶体）(2).crystal oscillator—晶体振荡器（有源晶振）---SPXO 普通有源晶体振荡器---VCXO电压控制晶体振荡器---TCXO 温度补偿晶体振荡器---VC-TCXO压控温补晶体振荡器(3).crystal filter—晶体滤波器(4).tuning fork x’tal (khz)-水晶振动子部分 KDS晶振图例：DT-14/DT-26/DT-38 DMX-26S DSX220G DSO321SR/221SR HC-49S/AT-49DSX321G/221 G SM-14J DSV531SV DSX530G/840GDSA/B321SDA晶振的名词术语：SMT ：Surface Mount Technology 表面贴装技术SMD ：Surface Mount Device 表面贴装元件OSC ：Oscillator Crystal 晶体振荡器TCXO ：Temperature Compensate X‘tal Oscillator 温度补偿晶体振荡器VC-TCXO ：Voltage Controlled, Temperature Compensated Crystal Oscillator 压控温度补偿晶体振动器 VCXO ：Voltage Control Oscillator 压控晶体振动器 DST410S/310S/210A DSX320G DSA/B321SCL HC-49SMD/SMD-49晶振的重要参数：1、标称频率F：晶体元件规范（或合同）指定的频率。
时钟晶振电路工作原理
时钟晶振电路工作原理时钟晶振电路是一种用于提供高精度时钟信号的电路，广泛应用于现代电子技术中。
它的工作原理基于晶体振荡现象，通过晶体中的共振使得频率稳定的信号被产生。
本文将对时钟晶振电路的工作原理进行详细介绍。
一、时钟晶振电路基本结构时钟晶振电路由晶体振荡器、振荡放大器以及电路稳定器等部分组成，其基本结构如图1所示。
图1 时钟晶振电路基本结构（引用自电子元器件技术）晶体振荡器是时钟晶振电路的核心部分，它由一个晶体和激励电路组成。
激励电路产生的电信号通过晶体，使得晶体在某一频率下产生共振，从而使时钟信号被产生。
振荡放大器负责放大晶体振荡器产生的信号，使之达到驱动所需要的电平。
电路稳定器用来稳定整个电路的工作电压，以确保电路的稳定性和可靠性。
二、晶体振荡器工作原理晶体振荡器是时钟晶振电路中最核心的部分，其主要工作原理是利用电石晶体的固有机械振动特性，实现稳定的高精度振荡。
二.1电石晶体电石晶体是一种能够产生固有机械振动现象的晶体，其主要成分是二氧化硅（SiO2）。
通过对电石晶体进行加工和结构设计，可以使得其在某一个频率下具有稳定的固有振动，从而实现时钟晶振电路的振荡器部分。
二.2谐振回路谐振回路是晶体振荡器的一个重要组成部分，其主要作用是把激励电路产生的信号输入到晶体中，通过共振使得晶体开始振荡。
谐振回路常用的两种结构如图2所示。
图2 谐振回路结构（引用自电子元器件技术）图2（a）为串联谐振回路，其特点是将晶体和电容串联在一起，形成一个共振回路。
当电路被激励后，晶体处于共振状态，从而实现了振荡的效果。
图2（b）为并联谐振回路，其特点是把晶体和电容并联起来，形成一个并联谐振回路。
并联谐振回路中的谐振频率是由电容和晶体的等效电容以及串联电阻决定的。
二.3电路激励晶体振荡器的最后一个组成部分就是激励电路，其主要作用是向谐振回路中输入激励信号，产生晶体的共振。
激励电路的信号产生方式有很多种，其中最常见的方式是利用谐振回路中的信号放大器，对输入信号进行放大得到有效率的振荡信号。
晶振基础知识
4.晶振的应用 并联电路：
(a)串联共振振荡器 (b)并联共振振荡器 1)：如何选择晶体？ 对于一个高可靠性的系统设计，晶体的选择非常重要，尤其设计带有睡眠唤醒(往往用低电压以求低功 耗)的系统。这是因为低供电电压使提供给晶体的激励功率减少，造成晶体起振很慢或根本就不能起振 。这一现象在上电复位时并不特别明显，原因时上电时电路有足够的扰动，很容易建立振荡。在睡眠 唤醒时，电路的扰动要比上电时小得多，起振变得很不容易。在振荡回路中，晶体既不能过激励(容易 振到高次谐波上)也不能欠激励(不容易起振)。晶体的选择至少必须考虑：谐振频点，负载电容，激励 功率，温度特性，长期稳定性。 2)：晶振驱动 电阻RS常用来防止晶振被过分驱动。过分驱动晶振会渐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的 上升。可用一台示波器检测OSC输出脚，如果检测一非常清晰的正弦波，且正弦波的上限值和下限值 都符合时钟输入需要，则晶振未被过分驱动；相反，如果正弦波形的波峰，波谷两端被削平，而使波 形成为方形，则晶振被过分驱动。这时就需要用电阻RS来防止晶振被过分驱动。判断电阻RS值大小的 最简单的方法就是串联一个5k或10k的微调电阻，从0开始慢慢调高，一直到正弦波不再被削平为止。 通过此办法就可以找到最接近的电阻RS值。
3).如何选择电容C1，C2？ （1）：因为每一种晶振都有各自的特性，所以最好按制造厂商所提供的数值选择外部元器件。 （2）： 在许可范围内，C1,C2值越低越好。应该试用电容将他的振荡频率调到IC所需要的频率，越准确越好， C值偏大虽有利于振荡器的稳定，但将会增加起振时间。 （3）：应使C2值大于C1值，这样可使上电时，加快晶振起振。
2.晶振的基本原理
2.1. 晶振的原理
石英晶体之所以可以作为谐振器，是由于它具有正（机械能→电能）、反（电能→机械能）压电效应。沿 石英晶片的电轴或机械轴施加压力，则在晶片的电轴两面三刀个表面产生正、负电荷，呈现出电压，其 大小与所加力产生的形变成正比；若施加张力，则产生反向电压，这种现象称为正电效应。当沿石英晶 片的电轴方向加电场，则晶片在电轴和机械轴方向将延伸或压缩，发生形变，这种现象称为反压电效应。 因此，在晶体两面三刀端加上交流电压时，晶片会随电压的变化产生机械振动，机械振动又会在晶片内 表面产生交变电荷。由于晶体是有弹性的固体，对于某一振动方式，有一个固有的机械谐振频率。当外 加交流电压等于晶片的固有机械谐振频率时，晶片的机械振动幅度最大，流过晶片的电流最大，产生了 共振现象。石英晶片的共振具有多谐性，即除可以基频共振外，还可以谐频共振，通常把利用晶片的基 频共振的谐振器，利用晶片谐频共振的谐振器称为泛音谐振器，一般能利用的是3、5、7之类的奇次泛音。 晶片的振动频率与厚度成反比，工作频率越高，要求晶片越薄（尺寸越大，频率越低），，这样的晶片 其机械强度就越差，加工越困难，而且容易振碎，因此在工作频率较高时常采用泛音晶体。一般地，在 工作频率小于20MHZ时采用基频晶体，在工作频率大于20MHZ时采用泛音晶体。
8m无源晶振的晶振电路
8m无源晶振的晶振电路一、无源晶振的基本概念无源晶振，又称无源谐振器，是一种利用石英晶体材料的压电效应来实现频率振荡的电子元件。
它广泛应用于各种电子设备中，如计时、通信、控制等领域。
无源晶振因其体积小、精度高、稳定性好等特点，成为现代电子技术中不可或缺的组成部分。
二、8m无源晶振的参数解析8m无源晶振，指的是频率为8MHz（即8百万分之一秒）的无源晶振。
在选择和使用8m无源晶振时，需要了解以下几个关键参数：1.频率：8MHz2.负载电容：CL（典型值约为15pF）3.工作电压：VCC（一般为3.3V或5V）4.温度范围：T（一般为0℃~70℃）5.封装形式：如DIP、SMD等三、晶振电路的组成及工作原理晶振电路是由石英晶体、电容、电阻等元件组成的振荡电路。
其工作原理如下：1.石英晶体在电场作用下产生压电效应，将电能转化为机械能；2.机械能振动传递到晶振电路的负载电容上，形成电信号；3.电信号经过放大、滤波等处理，输出稳定的振荡信号。
四、晶振电路的性能优化与应用为了提高晶振电路的性能，可以采取以下措施：1.选用高品质的无源晶振，确保频率稳定性和精度；2.合理设计负载电容和电阻，以提高电路的稳定性；3.采用屏蔽和滤波技术，降低外部干扰对电路的影响；4.优化电路布局，减小信号传输过程中的损耗。
晶振电路的应用领域十分广泛，如：1.计时：用于电子钟、计时器等设备；2.通信：用于调制和解调信号，实现数据传输；3.控制：用于嵌入式系统、智能家居等领域的控制器；4.测量：用于频率计、示波器等测试仪器。
五、总结与展望本文从无源晶振的基本概念出发，详细介绍了8m无源晶振的参数及其应用，并对晶振电路的组成和工作原理进行了阐述。
随着现代电子技术的不断发展，对晶振电路的需求和要求也越来越高。
晶振主要参数
晶振主要参数介绍晶振是一种被广泛应用于电子设备中的关键元件，它能够产生一定频率的交变电场，用于驱动数字系统的时钟信号。
晶振的主要参数是指影响晶振性能和稳定性的关键指标，包括频率稳定性、频率漂移、负载能力等。
本文将详细介绍晶振的主要参数，以及这些参数对晶振性能的影响。
频率稳定性频率稳定性是晶振的一个重要参数，它指的是晶振输出频率的稳定程度。
频率稳定性可以通过频率偏差来描述，即晶振输出频率与额定频率之间的差异。
频率稳定性的单位通常为ppm（百万分之一）。
晶振的频率稳定性取决于晶振内部的谐振器结构和工艺技术。
一般来说，晶振的频率稳定性越高，其输出的时钟信号越准确可靠。
频率漂移频率漂移是指晶振输出频率随环境温度变化而发生的变化。
由于晶体的物理特性受温度的影响，晶振的频率也会随温度的变化而发生漂移。
频率漂移通常用ppm/℃（百万分之一/摄氏度）来表示，它可以通过温度系数来计算，即单位温度变化下频率发生的变化。
频率漂移对于某些应用场合来说非常重要，特别是对于需要高精度时钟信号的系统。
原因频率漂移的主要原因是晶体振荡器内部晶体的温度特性。
晶体振荡器中的振荡回路包含晶体谐振器，而晶体谐振器的频率与其温度特性密切相关。
晶体振荡器在工作过程中会产生一定的热量，这将会影响晶体振荡器的温度，从而导致频率漂移。
不同品牌和型号的晶振在频率漂移方面表现也有所不同，所以在选择晶振时需要考虑其频率漂移特性。
解决方法为了解决频率漂移问题，可以采取以下方法：1.选择温度补偿晶振：温度补偿晶振是一种内部集成了温度补偿电路的晶振，它能够根据温度变化自动调整其输出频率，从而达到抵消频率漂移的效果。
2.冷却措施：对于一些特殊应用场合，可以采取冷却措施来降低晶振的工作温度，从而减小频率漂移。
负载能力负载能力是晶振的另一个重要参数，它指的是晶振能够驱动的最大负载电容。
晶振内部的谐振器结构会产生振荡信号，这个信号需要通过负载电容来加载，负载能力可以用来描述晶振输出信号的负载能力。
晶振的主要参数有哪些？
目前来说说晶振的标称频率在1 ~ 200 MHz之间，如3.2768MHz、8MHz、12MHz、24MHz、125MHz等，这些都是晶振的参数。
对于更高的输出频率，通常使用PLL将低频倍频至1GHz以上，这些都是常见的晶振参数的，当然对于详细的参数，建议大家可以直接询问我们客服，我们可以根据用户的需求进行推荐或定制适合您的参数，因为现在晶振的参数有很多种哦。
参数一：精度要求SMD 晶振的最高精度通常是10PPM，这是相当常见的。
特殊精度要求需要订单。
其次依次分布15ppm、20ppm、25ppm、30ppm、50ppm 的等级。
插件晶振以气缸晶振为例。
5ppm是钢瓶晶振的最高精度，其次是10ppm、20ppm和30ppm。
参数二：负载电容负载电容有时候是一个很重要的参数。
如果晶振的负载电容与晶振外接两端连接的电容参数匹配不正确，容易造成频率偏移、精度误差等。
这将导致产品无法满足最终精度要求。
当然也有厂家对负载电容的参数要求不是特别严格。
那么我们来说一个音叉晶体。
常见的负载电容有6PF、7PF、9PF、12.5PF；20PF和12PF是MHZ 晶振中最常见的负载电容，其次是8PF、9PF、15PF和18PF。
负载电容CL是电路中晶体两端的总有效电容，不是晶振外部匹配电容，主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻，并与晶体一起决定振荡器电路的工作频率。
通过调整负载电容，振荡器的工作频率可以微调到标称值。
参数三：频率单位通常分为KHZ和MHZ。
对于有源晶振和无源晶振，32.768既有KHZ 单位，也有MHZ单位，所以频率单位必须标准明确。
标称频率(正常频率)标准频率，如8MHz、26MHz、32.768KHz等。
参数四：温度频率差表示特定温度范围内工作频率与参考温度的允许偏差，单位为ppm。
值越小，精确度越高。
1MHz是晶振，1 PPM是1Hz的偏差。
负载电容CL负载电容是指晶振正常振荡所需的电容。
为了使晶体正常工作，需要在晶体两端连接外部电容，以匹配晶体的负载电容。
晶振工作原理及参数详解
晶振电路周期性输出信号的标称频率（Normal Frequency），就是晶体元件规格书中所指定的频率，也是工程师在电路设计和元件选购时首要关注的参数。
晶振常用标称频率在1～200MHz之间，比如32768Hz、8MHz、12MHz、24MHz、125MHz等，更高的输出频率也常用PLL（锁相环）将低频进行倍频至1GHz以上。
输出信号的频率不可避免会有一定的偏差，我们用频率误差（Frequency Tolerance）或频率稳定度（Frequency Stability）来表示，单位是ppm，即百万分之一（parts per million）（1/106），是相对标称频率的变化量，此值越小表示精度越高。
比如，12MHz晶振偏差为±20ppm，表示它的频率偏差为12×±20Hz=±240Hz，即频率范围是（11999760～12000240Hz）。
另外，还有一个温度频差（Frequency Stability vs Temp），表示在特定温度范围内，工作频率相对于基准温度时工作频率的允许偏离，它的单位也是ppm。
我们经常还看到其它的一些参数，比如负载电容、谐振电阻、静电容等参数，这些与晶体的物理特性有关。
石英晶体有一种特性，如果在晶片某轴向上施加压力时，相应施力的方向会产生一定的电位。
相反的，在晶体的某轴向施加电场时，会使晶体产生机械变形；如果在石英晶片上加上交变电压，晶体就会产生机械振动，机械形变振动又会产生交变电场，尽管这种交变电场的电压极其微弱，但其振动频率是十分稳定的。
当外加交变电压的频率与晶片的固有频率（与切割后的晶片尺寸有关，晶体愈薄，切割难度越大，谐振频率越高）相等时，机械振动的幅度将急剧增加，这种现象称为“压电谐振”。
将石英晶片按一定的形状进行切割后，再用两个电极板夹住就形成了无源晶振，其符号图如下所示：下图是一个在谐振频率附近有与晶体谐振器具有相同阻抗特性的简化电路。
晶振ts值的作用
晶振ts值的作用1. 什么是晶振ts值晶振ts值是晶振器的一个重要参数。
晶振器作为电子设备的时钟源，主要由晶体谐振器和放大器组成。
其中晶体谐振器可以认为是振荡回路中的声谐振器，它产生谐振振动，并将其传递给放大器。
晶振的ts值指的是晶体谐振器在室温下（一般在25℃）的谐振频率与25℃时的额定频率之比。
在生产制造中，通过对ts值进行调整，可以使得晶振器的频率精度更高，更符合产品的要求。
2. 晶振ts值的作用晶振ts值对于电子设备的精度和稳定性非常关键，在以下领域有着重要的应用：2.1 时钟精度作为时钟源，晶振器的频率必须非常精确，以确保电子设备的可靠性，尤其是在需要高精度计时的电子设备中，如计量仪器、GPS定位系统等。
通过控制晶振的ts值，可以使其精度更高，满足各种精度要求。
2.2 运放采样率晶振器的ts值也对于采样率的控制有着重要的作用，功率放大器、AD转换器、数模转换器等电路中的晶振器，都需要满足一定的采样率要求。
通过调整ts值，可以精确地控制晶振器的频率，保证采样率的准确性。
2.3 电路振幅除了频率精度，ts值对晶振器的最大振幅也有着影响。
通过调节ts值，可以使得晶振器的振幅符合设备规格，并避免因振幅过高或过低而导致电路工作不稳定。
3. 如何选择晶振ts值选择晶振ts值需要根据具体设备的要求来进行判断。
一般来说，需要考虑以下因素：3.1 设备需要的频率设备需要的频率是选择晶振ts值的重要判断因素。
如果需要的频率比晶振的额定频率要高，可以选择ts值较小的晶振器；如果需要的频率比晶振的额定频率低，可以选择ts值较大的晶振器。
3.2 需要精度如果需要高精度的时钟源，应该选择频率稳定度和精度较高的晶振器，并进行精细调节才能满足要求。
3.3 设备工作环境晶振器的工作环境也会影响到ts值的选择。
例如，如果设备需要在高温或低温环境下工作，需要选择特殊材质或特殊加工工艺的晶振器。
4. 总结晶振ts值是晶振器的重要参数，对于提高电子设备的稳定性和精度有着非常重要的作用。
晶振的一些主要电气参数
晶振的一些主要电气参数晶振是电子设备中常见的元器件之一，它在电路中起着提供稳定时钟信号的重要作用。
本文将介绍晶振的一些主要电气参数，包括频率稳定度、频率偏差、温度特性和负载能力等。
1. 频率稳定度：频率稳定度是指晶振输出信号的频率变化范围。
一般来说，频率稳定度越高，晶振输出的时钟信号越稳定。
频率稳定度通常用ppm（百万分之一）来表示，例如，一个频率稳定度为±10ppm的晶振，其输出频率在标称频率上下浮动不超过10ppm。
2. 频率偏差：频率偏差是指晶振输出频率与标称频率之间的差异。
频率偏差可以由多种因素引起，如温度变化、供电电压波动等。
对于某些应用来说，频率偏差的控制非常重要，因为它会影响到整个系统的时序精度。
3. 温度特性：晶振的频率会随着温度的变化而发生变化，这就是温度特性。
温度特性通常用ppm/℃来表示，表示晶振频率每升高1摄氏度，频率变化的百万分之一。
温度特性是晶振在不同温度下工作时频率稳定度的重要指标。
4. 负载能力：晶振的负载能力是指晶振输出信号能够驱动的负载电容大小。
负载能力越大，晶振输出信号的波形失真越小，频率稳定度越高。
负载能力一般用pF（皮法拉）来表示，例如，一个负载能力为10pF的晶振，可以驱动不超过10pF的负载电容。
除了以上几个主要电气参数外，晶振还有一些其他参数，如启动时间、功耗、工作电压范围等。
启动时间是指晶振从断电到输出稳定的时间，对于某些实时性要求较高的应用来说，启动时间的快慢非常重要。
功耗是指晶振在工作过程中消耗的电功率，功耗越低，对于一些功耗敏感的应用来说，晶振的选择就越合适。
工作电压范围是指晶振能够正常工作的电压范围，超出该范围晶振可能无法正常工作。
晶振的主要电气参数包括频率稳定度、频率偏差、温度特性和负载能力等。
了解这些参数对于正确选择和使用晶振非常重要，可以确保系统的时序精度和稳定性。
在实际应用中，根据具体需求选择合适的晶振，并合理设计电路，可以提高系统的性能和可靠性。
32768晶振电容大小选取规则
32768晶振电容大小选取规则晶振是电子设备中常用的振荡器，用于提供稳定的时钟信号。
在电路设计中，晶振的电容大小是一个重要的参数。
本文将介绍关于32768晶振电容大小选取的规则。
1. 理解晶振电容的作用晶振电容主要用于调节晶振的工作频率和稳定性。
通常情况下，晶振电容越大，晶振的频率越稳定。
因此，正确选择晶振电容大小对于确保设备正常运行非常重要。
2. 考虑晶振的工作频率32768晶振是指振荡频率为32768赫兹的晶振。
在选取晶振电容大小时，需要考虑晶振的工作频率。
一般来说，晶振电容的值应该在晶振频率的1/10至1/100之间。
3. 参考晶振厂家的推荐值不同的晶振厂家可能会有不同的推荐值。
在选取晶振电容大小时，可以参考晶振厂家提供的数据手册或技术规格，查找推荐的电容值。
这些推荐值是基于厂家的实际测试和经验总结，可以提供较好的参考。
4. 考虑电路布局和干扰在选取晶振电容大小时，还需要考虑电路布局和干扰的因素。
晶振电容的大小可能会对电路的稳定性和抗干扰能力产生影响。
因此，在设计电路时，需要综合考虑晶振电容的大小和其他因素。
5. 实际测试和优化选取晶振电容大小的最佳方法是进行实际测试和优化。
可以根据实际的电路设计和要求，在不同的电容值下进行测试，评估晶振的稳定性和性能。
通过实际测试，可以找到最合适的晶振电容大小。
总结起来，选取32768晶振电容大小的规则包括理解晶振电容的作用、考虑晶振的工作频率、参考晶振厂家的推荐值、考虑电路布局和干扰因素，以及进行实际测试和优化。
正确选择晶振电容大小可以提高电路的稳定性和性能，确保设备正常运行。
单片机晶振电路原理及作用_单片机晶振电路设计方案
单片机晶振电路原理及作用_单片机晶振电路设计在电子学上，通常将含有晶体管元件的电路称作“有源电路”（如有源音箱、有源滤波器等），而仅由阻容元件组成的电路称作“无源电路”。
电脑中的晶体振荡器也分为无源晶振和有源晶振两种类型。
无源晶振与有源晶振的英文名称不同，无源晶振为crystal（晶体），而有源晶振则叫做oscillator（振荡器）。
无源晶振是有2个引脚的无极性元件，需要借助于时钟电路才能产生振荡信号，自身无法振荡起来，所以“无源晶振”这个说法并不准确；有源晶振有4只引脚，是一个完整的振荡器，其中除了石英晶体外，还有晶体管和阻容元件，因此体积较大。
有源晶振有源晶振通常的用法：一脚悬空，二脚接地，三脚接输出，四脚接电压。
有源晶振不需要DSP的内部振荡器，信号质量好，比较稳定，而且连接方式相对简单（主要是做好电源滤波，通常使用一个电容和电感构成的PI型滤波网络，输出端用一个小阻值的电阻过滤信号即可），不需要复杂的配置电路。
相对于无源晶体，有源晶振的缺陷是其信号电平是固定的，需要选择好合适输出电平，灵活性较差，而且价格高。
有源晶振是右石英晶体组成的,石英晶片之所以能当为振荡器使用，是基于它的压电效应：在晶片的两个极上加一电场，会使晶体产生机械变形；在石英晶片上加上交变电压，晶体就会产生机械振动，同时机械变形振动又会产生交变电场，虽然这种交变电场的电压极其微弱，但其振动频率是十分稳定的。
当外加交变电压的频率与晶片的固有频率(由晶片的尺寸和形状决定)相等时，机械振动的幅度将急剧增加，这种现象称为“压电谐振”。
压电谐振状态的建立和维持都必须借助于振荡器电路才能实现。
图3是一个串联型振荡器，晶体管T1和T2构成的两级放大器，石英晶体XT与电容C2构成LC 电路。
在这个电路中，石英晶体相当于一个电感，C2为可变电容器，调节其容量即可使电路进入谐振状态。
该振荡器供电电压为5V，输出波形为方波。
单片机的内部时钟与外部时钟单片机有内部时钟方式和外部时钟方式两种：（1）单片机的XTAL1和XTAL2内部有一片内振荡器结构，但仍需要在XTAL1和XTAL2两端连接一个晶振和两个电容才能组成时钟电路，这种使用晶振配合产生信号的方法是内部时钟方式；（2）单片机还可以工作在外部时钟方式下，外部时钟方式较为简单，可直接向单片机XTAL1引脚输入时钟信号方波，而XTAL2管脚悬空。
49s晶振尺寸
49s晶振尺寸一、前言49s晶振是广泛应用于各种电子设备中的一种元件，它可以提供精确稳定的时钟信号，使得电子设备能够正常运行。
在进行电子设备设计和制造时，了解49s晶振的尺寸是非常重要的，因为尺寸直接影响到元件的安装和使用效果。
本文将详细介绍49s晶振的尺寸及其相关内容。
二、49s晶振概述49s晶振是一种基于石英晶体制作而成的元件，它通常由石英片、金属盖、引线等组成。
它具有高精度、高稳定性、低噪声等优点，在各种电子设备中都有广泛应用。
下面是一些基本参数：1.频率范围：4MHz ~ 60MHz2.频率稳定度：±10ppm ~ ±50ppm3.工作温度范围：-20℃ ~ +70℃4.贮存温度范围：-40℃ ~ +85℃三、49s晶振尺寸分类根据不同的安装方式和引脚形式，49s晶振可以分为多种不同类型。
下面列举了几种常见的类型及其尺寸：1.贴片型晶振贴片型晶振是一种表面贴装元件，它通常采用4脚或6脚引线形式。
其尺寸一般为3.2mm×2.5mm×0.8mm，也有一些小型的尺寸为2.5mm×2.0mm×0.6mm。
2.插针型晶振插针型晶振是一种通过引脚插入电路板固定的元件，它通常采用4脚或6脚引线形式。
其尺寸一般为11.05mm×4.83mm×3.8mm。
3.SMD晶振SMD晶振是一种表面贴装元件，它通常采用4脚或6脚引线形式。
其尺寸一般为7.0mm×5.0mm×1.2mm，也有一些小型的尺寸为3.2mm×2.5mm×0.8mm。
四、49s晶振封装材料49s晶振的封装材料对于元件的性能和使用寿命都有很大影响。
目前市场上常见的49s晶振封装材料主要有以下几种：1.CERAMICCERAMIC是一种陶瓷材料，它具有优良的耐高温、耐腐蚀、低失真等性能，适用于高要求的电子设备。
2.METALMETAL是一种金属材料，它具有良好的导热性和机械强度，适用于需要高稳定性和长寿命的电子设备。
晶振的主要参数及其对电路的影响教学提纲
晶振的主要参数及其对电路的影响晶振的测试报告Crystal First Failure FL RR DLD2 RLD2 SPDB C0 C0/C1 C1 L ppm Ohms Ohms Ohms dB pF fF mHHigh Limit 20.0 80.0 8.0 80.0 -2.0 7.0Low Limit -20.0 1.01 PASS 3.45 50.57 2.24 54.39 -4.66 3.83 3,744.84 1.02 10.752 PASS -5.84 32.05 4.18 36.30 -6.96 3.86 4,113.29 0.94 11.703 Fail DLD2High0.44 73.86 27.81 108.17 -3.59 3.74 3,613.27 1.03 10.634 Fail SPDBHigh-8.97 33.67 2.06 37.55 -0.44 3.92 5,538.01 0.71 15.545 PASS -1.27 40.11 1.65 42.75 -7.86 3.89 3,955.09 0.98 11.176 PASS -6.74 30.12 4.38 34.23 -9.58 3.81 3,608.85 1.06 10.427 PASS -3.52 41.97 1.52 42.86 -6.95 3.85 4,670.19 0.82 13.358 PASS 1.13 38.34 2.07 40.46 -4.15 3.88 5,017.95 0.77 14.239 PASS -7.01 21.31 0.73 21.80 -9.89 3.83 3,018.17 1.27 8.6710 Fail DLD2High-3.62 24.75 52.36 78.55 -10.30 3.86 2,943.39 1.31 8.37晶振的等效电器模型C0 ，是指以水晶为介质，由两个电极形成的电容。
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Crystal First
Failure
FL RR DLD2 RLD2 SPDB C0 C0/C1 C1 L
ppm Ohms Ohms Ohms dB pF fF mH
High Limit 20.0 80.0 8.0 80.0 -2.0 7.0
Low Limit -20.0 1.0
1 PASS 3.45 50.57 2.24 54.39 -4.66 3.83 3,744.84 1.0
2 10.75
2 PASS -5.84 32.05 4.18 36.30 -6.96 3.86 4,113.29 0.94 11.70
3 Fail DLD2
High
0.44 73.86 27.81 108.17 -3.59 3.74 3,613.27 1.03 10.63
4 Fail SPDB
High
-8.97 33.67 2.06 37.55 -0.44 3.92 5,538.01 0.71 15.54
5 PASS -1.27 40.11 1.65 42.75 -7.8
6 3.89 3,955.09 0.98 11.17
6 PASS -6.74 30.12 4.38 34.23 -9.58 3.81 3,608.85 1.06 10.42
7 PASS -3.52 41.97 1.52 42.86 -6.95 3.85 4,670.19 0.82 13.35
8 PASS 1.13 38.34 2.07 40.46 -4.15 3.88 5,017.95 0.77 14.23
9 PASS -7.01 21.31 0.73 21.80 -9.89 3.83 3,018.17 1.27 8.67
10 Fail DLD2
High
-3.62 24.75 52.36 78.55 -10.30 3.86 2,943.39 1.31 8.37
晶振的等效电器模型
C0 ，是指以水晶为介质，由两个电极形成的电容。
也称为石英谐振器的并联电容，它相当于以石英片为介质、以两电极为极板的平板电容器的电容量和支架电容、引线电容的总和。
几~几十pF。
R1 等效石英片产生机械形变时材料的能耗；几百欧
C1 反映其材料的刚性,10^(-3)~ 10^(-4)pF
L1 大体反映石英片的质量.mH~H
晶振各种参数
晶振的一些参数并不是固定的大部分是会随温度、频率、负载电容、激励功率变化的
RR 谐振电阻越小越好影响：过大造成不易起振、电路不稳定
阻抗 RR 越小越容易起振，反之若 ESR 值較高則較不易起振。
所以好的 Crystal 設計應在 ESR 與 Co 值間取得平衡。
C1 动态电容
L1 动态电感
C0静电容影响：不能太高，否則易产生较大的副波，影响频率稳定性
LRC影响： LRC电路的Q值等于 (L/C)^0.5 /R 因为而L较大，C与R很小，石英晶振的Q值可达几万到几百万。
Q值越大位于晶振的感性区间，电抗曲线陡峭，稳频性能极好。
FL 特定负载电容以及激励功率下频偏越小越好
DLD2 不同驱动功率下：阻抗最大-阻抗最小越小越好影响：导致时振时不振，造成睡眠晶体制造污染不良DLD2（Drive Level Dependency 2）：在不同的功率驅動 Crystal 時，所得之最大阻抗與最小阻抗之差。
DLD2越小越好，當 Crystal 製程受污染時，則DLD2值會偏高，導致時振與時不振現象，即（”Crystal Sleeping”）。
好的 Crystal 不因驅動功率變化，而產生較高的阻抗差異，造成品質異常。
目前，許多水晶製造礙於製程管理控制及良率不佳，並不主動提供此重要指標參數給客戶。
备注：测出来很好不代表此参数很好，因为是取点法测试的。
RLD2 不同驱动功率下：阻抗最大与DLD关系紧密
在指定的变化功率围所量测到的最大阻抗 Drive Level Dependency (maximum resistance – RR).
FDLD2 不同驱动功率下：F最大-F最小越小越好制造污染不良影响：导致时振时不振，造成睡眠晶体在不同的功率驅動 Crystal 時，所得之最大頻率與最小頻率之差，稱為 FLD2。
FLD2 越小越好。
當 Crystal 製程受污染，
則 FLD2 值會偏高，導致時振與時不振現像，即「Crystal Sleeping」。
好的 Crystal 不因驅動功率變化，而產生較高的頻率差異，造成品質異常。
目前，許多水晶製造礙於製程管理控制及良率不佳，並不主動提供此重要指標參數給客戶。
SPDB寄生信号强度与主信号强度比值影响：如果太大了就有可能造成直接启机频偏，并且修改负载电容不能改善。
或者烤机之后温度变化之后频偏，冷却或者重启又正常了。
绝对值越大越好制造污染不良
这个参数名字可以理解为 SP DB 其具体含义如下听我细细道来
SPDB（Difference in dB between Amplitude of FR and Highest Spur）：Spurious 以 dB 為單位時，SPDB 的絕對值越大越好。
-3dB 為最低的要求，以避免振盪出不想要的副波（Spur）頻率，造成系統頻率不正確。
“下图显示了石英谐振器的模态谱，包括基模，三阶泛音，5 阶泛音和一些乱真信号响应，即寄生模。
在振荡器应用上，振荡器总是选择最强的模式工作。
一些干扰模式有急剧升降的频率—温度特性。
有时候，当温度发生改变，在一定温度下，寄生模的频率与振荡频率一致，这导致了“活动性下降”。
在活动性下降时，寄生模的激励引起谐振器的额外能量的消耗，导致Q 值的减小，等效串联电阻增大及振荡器频率的改变。
当阻抗增加到相当大的时候，振荡器就会停止，即振荡器失效。
当温度改变远离活动性下降的温度时，振荡器又会重新工作。
寄生模能有适当的设计和封装方法控制。
不断修正电极与晶片的尺寸关系（即应用能陷原则），并保持晶片主平面平行，这样就能把寄生模最小化”
上面这段话看了是不是有点晕，说实话我也有点晕。
但是从上面我们可以总结出如下几个结论：
1.泛音晶振石英谐振器的模态谱，包括基模，三阶泛音，5 阶泛音和一些乱真信号响应，即寄生模。
寄生模的存在。
2.在振荡器应用上，振荡器总是选择最强的模式工作。
一些干扰模式有急剧升降的频率—温度特性。
寄生模会随温度频率变化，并且影响振荡。
3.寄生模的缺陷是由于晶振的制造工艺造成。
下来就很明确了，SPDB是一个衡量主频强度与寄生模强度差值的量（主频幅度/寄生频率取对数吧）。
这个值越小越好，代表寄生模越小。
TS 负载电容变化对频率的影响率影响频偏对负载电容变化敏感造成电路不稳定越小越好
TS（Trim Sensitivity of Load Measurement）：負載電容變化時，對晶體頻率變化量的影響，單位為 ppm / pF。
影响：此值過大時，很容易在不同的負載電容作用下，產生極大的頻率飄移。
温度频差制造工艺不合格会使曲线严重偏离超出图二阴影部分影响：频率随温度变化
不同切割角度对曲线的影响石英晶体结构
实例问题：进入杂质或者有银屑、镀银偏了、镀银部裂痕微调银镀偏
灰尘、银屑、晶片缺角。