复旦大学微电子考研试题882半导体器件原理

一．选择题１５＊６

１。p＋－n结耗尽层宽度主要取决于：B

Ａ：p＋区浓度Ｂ：n区的浓度Ｃ：p＋区和n区的浓度

２。二极管正向阈值电压Ｖf：b

Ａ：随温度升高而升高Ｂ：随温度升高而下降Ｃ：不随温度变化

３。p－n结隧穿电压比雪崩击穿电压：B

Ａ：来得大Ｂ：来得小Ｃ：在同一数量级上

４。双极型晶体管共基极连接：

Ａ：只有电流放大作用Ｂ：既有电流放大作用又有电压放大作用Ｃ：无电流放大有电压放

大

５。晶体管基区运输系数主要决定于：c

Ａ：基区浓度Ｂ：基区电阻率和基区少子寿命Ｃ：基区宽度和基区少子扩散长度

６。npn平面晶体管发射效率与发射区浓度关系；C

Ａ：发射区浓度越高发射效率越高Ｂ：发射区电阻率越高发射率越高Ｃ：发射区浓度

不能太高否则发射率反而下降

７。电子迁移率等于１５００，４００Ｋ温度下其扩散系数为：B

Ａ：３９Ｂ：５２Ｃ：７０

８。题目给出mos结构的Ｑsc～ψs关系图，要求判断其衬底是什么型（n型，p 型，中性）

９．理想的mos结构Ｃ～Ｖ关系图与实际的Ｃ～Ｖ关系图的差别是：

Ａ：只有p型时，向负方向平移一段距离Ｂ：n型时向正方向平移一段距离Ｃ：向负方

向平移一段距离，与类型无关

１０．mos管＂缓变沟道近似＂是指：

Ａ：垂直与沟道方向电场和沿沟道方向电场变化很慢Ｂ：沿沟道方向的电场变化很慢

Ｃ：沿沟道方向的电场很小

１１．mos工作时的沟道夹断点电压Ｖdsat：

Ａ：与栅电压Ｖgs无关Ｂ：在长沟道与短沟道是不同Ｃ：始终等于Ｖgs－Ｖt

１２．nos管体电荷变化效应是指；

Ａ：衬源偏压Ｖbs对阈值电压Ｖt的影响Ｂ：沟道耗尽层受栅压Ｖgs影响而对电流Ｉds影

响Ｃ：沟道耗尽层受栅压漏源电压Ｖds影响而对电流Ｉds影响

１３．mos亚阈值电流的主要特征：

具体选项没记下，主要是电流随Ｖgs指数变化，当Ｖds大于３ＫＴ／q时电流与Ｖds关系不

大

１４．nos管短沟道效应是指：

选项没有记下

１５．控制cmos倒相管latch－up最有效的方法：

Ａ：提高沟道电场Ｂ：等比率缩小器件Ｃ：增大衬底电阻

二．名词解析５＊６

１．试说明迁移率的定义是什么？其量纲是什么？

２．试说明mos管沟道长度调变效应及其影响

３．试说明mos管有放大作用的基本原理

４．试说明mos管的频率特性和其基本参数的关系

５．试说明如何降低n沟道mos集成倒相器静态工作时的功耗

三．计算题１＊３０

有一个n沟道mos场效应管，衬底浓度Ｎa＝１０＾１７（cm＾－３），氧化层厚度Ｔox＝５

０nm，氧化层中正电荷密度Ｎss＝１０＾１０（cm＾－２），金属ＡＬ的功函数Ｗm＝４．

２ev，硅的电子亲和势为４．０５ev．试求该管的阈值电压Ｖt，它是什么型？在Ｖg＝３

v，Ｖds＝２v时，它工作在什么区？（注：其他的所有常数都没有给出）