CCM摄像头生产工艺和流程图课件
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CMOS工艺流程版图剖面3
59
去除氮化硅和表面二氧化硅层。露出N型 阱区 域。(上述中曝光技术光罩与基片的距离 分为接触式、接近式和投影式曝光三种，常用 投影式又分为等比和微缩式。曝光会有清晰度 和分辩率，所以考虑到所用光线及波长、基片 表面平坦度、套刻精度、膨胀系数等)。
60
离子植入磷离子(+5)，所以出现多 余电子，呈现负电荷状态。电荷移动速 度高于P型约0.25倍。以缓冲氢氟酸液去 除二氧化硅层。
甘油
甘油
55
然后在表面氧化二氧化硅膜以减小 后一步氮化硅对晶圆的表面应力。
涂覆光阻(完整过程包括，甩胶→预 烘→曝光→显影→后烘→腐蚀→去除光 刻胶)。其中二氧化硅以氧化形成，氮化 硅LPCVD沉积形成(以氨、硅烷、乙硅烷 反应生成)。
56
光刻技术去除不想要的部分，此步骤为定 出P型阱区域。 (所谓光刻胶就是对光或电子束 敏感且耐腐蚀能力强的材料，常用的光阻液有 S1813,AZ5214等)。光刻胶的去除可以用臭氧 烧除也可用专用剥离液。氮化硅用180℃的磷酸 去除或含CF4气体的等离子刻蚀 (RIE)。
64
以类似的方法，形成PMOS，植入硼 (+3)离子。 (后序中的PSG或BPSG能很好 的稳定能动钠离子，以保证MOS电压稳定)。
65
后序中的二氧化硅层皆是化学反应沉 积而成，其中加入PH3形成PSG (phosphosilicate-glass)，加入B2H6形成BPSG (borophospho-silicate-glass)以平坦表面。所谓 PECVD (plasma enhanced CVD) 在普通 CVD反应空间导入电浆(等离子)，使气体活 化以降低反应温度)。
CMOS工艺流程与MOS电路版图举例
1. CMOS工艺流程 1) 简化N阱CMOS工艺演示flash 2) 清华工艺录像：N阱硅栅CMOS工艺流程 3) 双阱CMOS集成电路的工艺设计 4) 图解双阱硅栅CMOS制作流程 2. 典型N阱CMOS工艺的剖面图 3. Simplified CMOS Process Flow 4. MOS电路版图举例
去除氮化硅和表面二氧化硅层。露出N型 阱区 域。(上述中曝光技术光罩与基片的距离 分为接触式、接近式和投影式曝光三种，常用 投影式又分为等比和微缩式。曝光会有清晰度 和分辩率，所以考虑到所用光线及波长、基片 表面平坦度、套刻精度、膨胀系数等)。
60
离子植入磷离子(+5)，所以出现多 余电子，呈现负电荷状态。电荷移动速 度高于P型约0.25倍。以缓冲氢氟酸液去 除二氧化硅层。
甘油
甘油
55
然后在表面氧化二氧化硅膜以减小 后一步氮化硅对晶圆的表面应力。
涂覆光阻(完整过程包括，甩胶→预 烘→曝光→显影→后烘→腐蚀→去除光 刻胶)。其中二氧化硅以氧化形成，氮化 硅LPCVD沉积形成(以氨、硅烷、乙硅烷 反应生成)。
56
光刻技术去除不想要的部分，此步骤为定 出P型阱区域。 (所谓光刻胶就是对光或电子束 敏感且耐腐蚀能力强的材料，常用的光阻液有 S1813,AZ5214等)。光刻胶的去除可以用臭氧 烧除也可用专用剥离液。氮化硅用180℃的磷酸 去除或含CF4气体的等离子刻蚀 (RIE)。
64
以类似的方法，形成PMOS，植入硼 (+3)离子。 (后序中的PSG或BPSG能很好 的稳定能动钠离子，以保证MOS电压稳定)。
65
后序中的二氧化硅层皆是化学反应沉 积而成，其中加入PH3形成PSG (phosphosilicate-glass)，加入B2H6形成BPSG (borophospho-silicate-glass)以平坦表面。所谓 PECVD (plasma enhanced CVD) 在普通 CVD反应空间导入电浆(等离子)，使气体活 化以降低反应温度)。
CMOS工艺流程与MOS电路版图举例
1. CMOS工艺流程 1) 简化N阱CMOS工艺演示flash 2) 清华工艺录像：N阱硅栅CMOS工艺流程 3) 双阱CMOS集成电路的工艺设计 4) 图解双阱硅栅CMOS制作流程 2. 典型N阱CMOS工艺的剖面图 3. Simplified CMOS Process Flow 4. MOS电路版图举例
CMOS制造工艺流程简介(PPT37张)
• Strip Nitride layer - Phosophoric acid (磷酸) or plasma etch，选择性问题 • 薄的SiO2层，厚的Si3N4层，避免鸟喙(bird’s beak)的影响
8
2.3 N阱和P阱的形成
P-well Fabrication
• Photolithography (套刻) - Mask #2 pattern alignment and UV exposure - Rinse away non-pattern PR
Si,(100), P Type,25~50Ωcm
• -
Substrate selection: moderately high resistivity (25-50 ohm-cm) (100) orientation 1st Mask Photoresist P- type.
• spinning and baking @ 100º C (≈ 0.5 1.0 µ m)
16
2.5 前端或延伸区(LDD)的形成
目标：
•NMOS器件中的N-注入区 •PMOS器件中的P-注入区 •多晶硅栅的两侧形成侧壁隔离层的薄氧 化层
17
Extension (LDD) Formation NMOS
• Photolithography - Mask #7 pattern alignment and UV exposure - Rinse away non-pattern PR • Ion Implantation - P+ ion bombardment - 50keV for 5 × 1013cm-2 • Strip Photoresist LDD: • Lightly Doped Drain (轻掺杂漏) • Reduce short channel effects due to gate voltage magnitudes and electric fields • Source and Drain must be layered as NMOS:N+ N- P or PMOS: P+ P- N
CMOS工艺流程.版图.剖面PPT幻灯片课件
42
P阱
N阱
推阱
– 退火驱入，双阱深度约1.8μm – 去掉N阱区的氧化层
43
形成场隔离区
– 生长一层薄氧化层 – 淀积一层氮化硅
– 光刻2场隔离区，非隔离区被光刻胶保护起来
– 反应离子刻蚀氮化硅 – 场区硼离子注入以防止场开启 – 热生长厚的场氧化层 – 去掉氮化硅层
44
光刻胶
31P+
11B+
52
合金 形成钝化层
– 在低温条件下(小于300℃)淀积氮化硅 – 光刻11，钝化版 – 刻蚀氮化硅，形成钝化图形
测试、封装，完成集成电路的制造工艺
CMOS集成电路采用(100)晶向的硅材料
53
4) 图解双阱硅栅 CMOS制作流程
54
首先进行表面清洗，去除wafer 表面的保护层和 杂质，三氧化二铝 必须以高速粒子撞击，并 用化学溶 液进行清洗。
CMOS工艺流程与MOS电路版图举例
1. CMOS工艺流程 1) 简化N阱CMOS工艺演示flash 2) 清华工艺录像：N阱硅栅CMOS工艺流程 3) 双阱CMOS集成电路的工艺设计 4) 图解双阱硅栅CMOS制作流程 2. 典型N阱CMOS工艺的剖面图 3. Simplified CMOS Process Flow 4. MOS电路版图举例
阈值电压调整注入 光刻3，VTP调整注入 光刻4，VTN调整注入
45
P阱
N阱
形成多晶硅栅（栅定义）
– 生长栅氧化层 – 淀积多晶硅 – 光刻5， 刻蚀多晶硅栅
46
形成硅化物
– 淀积氧化层 – 反应离子刻蚀氧化层，形成侧壁氧化层（spacer, sidewall） – 淀积难熔金属Ti或Co等 – 低温退火，形成C-47相的TiSi2或CoSi – 去掉氧化层上的没有发生化学反应的Ti或Co – 高温退火，形成低阻稳定的TiSi2或CoSi2
P阱
N阱
推阱
– 退火驱入，双阱深度约1.8μm – 去掉N阱区的氧化层
43
形成场隔离区
– 生长一层薄氧化层 – 淀积一层氮化硅
– 光刻2场隔离区，非隔离区被光刻胶保护起来
– 反应离子刻蚀氮化硅 – 场区硼离子注入以防止场开启 – 热生长厚的场氧化层 – 去掉氮化硅层
44
光刻胶
31P+
11B+
52
合金 形成钝化层
– 在低温条件下(小于300℃)淀积氮化硅 – 光刻11，钝化版 – 刻蚀氮化硅，形成钝化图形
测试、封装，完成集成电路的制造工艺
CMOS集成电路采用(100)晶向的硅材料
53
4) 图解双阱硅栅 CMOS制作流程
54
首先进行表面清洗，去除wafer 表面的保护层和 杂质，三氧化二铝 必须以高速粒子撞击，并 用化学溶 液进行清洗。
CMOS工艺流程与MOS电路版图举例
1. CMOS工艺流程 1) 简化N阱CMOS工艺演示flash 2) 清华工艺录像：N阱硅栅CMOS工艺流程 3) 双阱CMOS集成电路的工艺设计 4) 图解双阱硅栅CMOS制作流程 2. 典型N阱CMOS工艺的剖面图 3. Simplified CMOS Process Flow 4. MOS电路版图举例
阈值电压调整注入 光刻3，VTP调整注入 光刻4，VTN调整注入
45
P阱
N阱
形成多晶硅栅（栅定义）
– 生长栅氧化层 – 淀积多晶硅 – 光刻5， 刻蚀多晶硅栅
46
形成硅化物
– 淀积氧化层 – 反应离子刻蚀氧化层，形成侧壁氧化层（spacer, sidewall） – 淀积难熔金属Ti或Co等 – 低温退火，形成C-47相的TiSi2或CoSi – 去掉氧化层上的没有发生化学反应的Ti或Co – 高温退火，形成低阻稳定的TiSi2或CoSi2
CMOS工艺流程.版图.剖面
合金 形成钝化层
– 在低温条件下(小于300℃)淀积氮化硅 – 光刻11，钝化版 – 刻蚀氮化硅，形成钝化图形
测试、封装，完成集成电路的制造工艺 CMOS集成电路采用(100)晶向的硅材料
53
4) 图解双阱硅栅 CMOS制作流程
54
首先进行表面清洗，去除wafer 表面的保护层和 杂质，三氧化二铝 必须以高速粒子撞击，并 用化学溶 液进行清洗。
42
P阱
N阱
推阱
– 退火驱入，双阱深度约1.8μm – 去掉N阱区的氧化层
43
形成场隔离区
– 生长一层薄氧化层 – 淀积一层氮化硅 – 光刻2场隔离区，非隔离区被光刻胶保护起来 – 反应离子刻蚀氮化硅 – 场区硼离子注入以防止场开启 – 热生长厚的场氧化层 – 去掉氮化硅层
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光刻胶
31P+
11B+
甘油
甘油
55
然后在表面氧化二氧化硅膜以减小 后一步氮化硅对晶圆的表面应力。 涂覆光阻(完整过程包括，甩胶→预 烘→曝光→显影→后烘→腐蚀→去除光 刻胶)。其中二氧化硅以氧化形成，氮化 硅LPCVD沉积形成(以氨、硅烷、乙硅烷 反应生成)。
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光刻技术去除不想要的部分，此步骤为定 出P型阱区域。 (所谓光刻胶就是对光或电子束 敏感且耐腐蚀能力强的材料，常用的光阻液有 S1813,AZ5214等)。光刻胶的去除可以用臭氧 烧除也可用专用剥离液。氮化硅用180℃的磷酸 去除或含CF4气体的等离子刻蚀 (RIE)。
P sub. 〈100〉
形成N阱
– 初始氧化，形成缓冲层，淀积氮化硅层
– 光刻1，定义出N阱
– 反应离子刻蚀氮化硅层 – N阱离子注入，先注磷31P+ ，后注砷75As+
现代CMOS工艺基本流程课件
12
2.1 .1
铝
1.1 铝是一种经常被采用的金属互连材料，主要优点是: ➢ 在室温下的电阻率仅为2.7μΩ·cm； ➢ 与n+、p+硅或多晶硅的欧姆接触电阻可低至10-6Ω/cm2； ➢ 与硅和磷硅玻璃的附着性很好； ➢ 经过短时间热处理后，与SiO2、Si3N4等绝缘层的黏附性很好； ➢ 易于淀积和刻蚀。
为了形成好的欧姆接触，一般采用双层结构，硅化物作为欧姆接触 ，TiN、TaN或WN作为阻挡层。
2.2.2 Cu作为互连材料
Cu的性质与铝不同，不能采用传统的以铝作为互连材料的布线工艺。 以Cu作为互连的集成技术是IC制造技术进入到0.18μm及其以下时代必须 面对的挑战之一。
对以Cu作为互连的工艺来说，目前被人们看好并被普遍采用的技术方 案是双大马士革(Dual Damascene) (双镶嵌)工艺。 主要特点：对任何一层进行互连材料淀积的同时，也对该层与下层之间 的通孔(Via)进行填充，而CMP平整化工艺只对导电金属层材料进行。与 传统的互连工艺相比，工艺步骤得到简化，工艺成本也相应降低。
– CMP除去表面的氧化层 – 到Si3N4层为止
No current can flow through here!
Future PMOS Transistor
Silicon Nitride Future NMOS Transistor
Silicon Epi Layer P-
图(d)是第三类平坦化技术 ，是使局域达到完全平坦化， 使用牺牲层技术可以实现局域 完全平坦化；
图(e)是第四类平坦化技术 ，是整个硅片表面平坦化，化 学机械抛光(CMP)方法就是可 实现整个硅片平坦化的方法。
四、CMOS工艺
CMOS，全称Complementary Metal Oxide Semiconductor，即 互补金属氧化物半导体，是一种大规模应用于集成电路芯片制造的原 料。采用CMOS技术可以将成对的金属氧化物半导体场效应晶体管（ MOSFET）集成在一块硅片上。
2.1 .1
铝
1.1 铝是一种经常被采用的金属互连材料，主要优点是: ➢ 在室温下的电阻率仅为2.7μΩ·cm； ➢ 与n+、p+硅或多晶硅的欧姆接触电阻可低至10-6Ω/cm2； ➢ 与硅和磷硅玻璃的附着性很好； ➢ 经过短时间热处理后，与SiO2、Si3N4等绝缘层的黏附性很好； ➢ 易于淀积和刻蚀。
为了形成好的欧姆接触，一般采用双层结构，硅化物作为欧姆接触 ，TiN、TaN或WN作为阻挡层。
2.2.2 Cu作为互连材料
Cu的性质与铝不同，不能采用传统的以铝作为互连材料的布线工艺。 以Cu作为互连的集成技术是IC制造技术进入到0.18μm及其以下时代必须 面对的挑战之一。
对以Cu作为互连的工艺来说，目前被人们看好并被普遍采用的技术方 案是双大马士革(Dual Damascene) (双镶嵌)工艺。 主要特点：对任何一层进行互连材料淀积的同时，也对该层与下层之间 的通孔(Via)进行填充，而CMP平整化工艺只对导电金属层材料进行。与 传统的互连工艺相比，工艺步骤得到简化，工艺成本也相应降低。
– CMP除去表面的氧化层 – 到Si3N4层为止
No current can flow through here!
Future PMOS Transistor
Silicon Nitride Future NMOS Transistor
Silicon Epi Layer P-
图(d)是第三类平坦化技术 ，是使局域达到完全平坦化， 使用牺牲层技术可以实现局域 完全平坦化；
图(e)是第四类平坦化技术 ，是整个硅片表面平坦化，化 学机械抛光(CMP)方法就是可 实现整个硅片平坦化的方法。
四、CMOS工艺
CMOS，全称Complementary Metal Oxide Semiconductor，即 互补金属氧化物半导体，是一种大规模应用于集成电路芯片制造的原 料。采用CMOS技术可以将成对的金属氧化物半导体场效应晶体管（ MOSFET）集成在一块硅片上。
CCM技术培训—LENS
200 400 600
Pixel
100 %
60%
0.8
80%
800 1000 1200 1400 200 400 600
0%
0.7 0.6 0.5 0.4 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 Pixel 0.3
阴影图片
CONFIDENTIAL
JViE
4
Lens光学特性-Shading
Ⅱ. Shading Test
TestChart
TestDiffuser Test Methodology Shading=(I_Corner / I_Center)*100%
注：I为影像亮度值 Test Block=image length/16*image width/16
CONFIDENTIAL
相对比较
相对比较
5.应用
高端摄像器材 (照相机，摄影机等)
CONFIDENTIAL
JViE
3
Lens工艺流程-玻璃镜片生产
空白材料
球面成型
抛光
定中心
镜片成品
镀膜
CONFIDENTIAL
清洁
JViE
3
Lens工艺流程-塑料镜片生产
原材料
烘烤
注塑
成型
镜片成品
镀膜
装Tray
CONFIDENTIAL
切割
物 体
对角线视 角
水平视 角
垂直视 角
传感器
CONFIDENTIAL
JViE
4
Lens光学特性-FOV
Ⅱ. FOV Test
Test Chart
FOV Test Chart Test Methodology
摄像头工艺流程图PPT课件
组装测试管控重點
● 贴背胶与序号 作业重点：
1.将背胶从玻璃纸上撕起，背 胶缺口孔处需对准module之 定位孔处，背胶边需与PCB板
两边切齐 2.在PCB板正面如下图位置贴 上条码贴纸, 注意贴纸不可有 不平整、歪斜、贴反之现象
外观检验管控重點
● 全功能&FQC外观检验： 作业重点：
1.产品长.宽.高的检验。 2.目测检验PCB板定位孔内不可有异物或胶等
Toshiba(东芝）
Sony（索尼）、Philips（飞利 浦）、Panasonic（松下）、 Fujifilm（富士） 、Kodak（柯 达）、 Sanyo（三洋） 、Sharp
（夏普）
DSP
DSP的功用，主要是接收Sensor所傳送的資料，當 Sensor接收到光源資料後便會將資料輸出，接下來再由 DSP接收，之後DSP會將此訊號換成USB訊號傳送給電腦。
code。
Sensor
Sensor 是用以感測光線再將其轉為電子訊號的裝置。而 Sensor可以分為CMOS與CCD兩種不同的種類。而不論是 CMOS或CCD都是用矽感光二極體來進行光與電的轉換，所以 光線越強，訊號也會越強。因CMOS與CCD本身的工作原理就 有相當大的差異，相對的CMOS與CCD也各有不同的優缺點。
相當多的Sensor本身都擁有 ISP (Image Signal Processor)，此類的Sensor本身可以自己對影像做處理， 所以傳送給DSP的資料皆是已經處理完畢的影像，DSP只需 要將Sensor 的YUV 訊號轉成USB就可以了，或是進而將影
像壓縮，轉換成 Motion JPEG的壓縮格式。
● 电流测试 作业重点： 用测试线连接电脑、电流表和 module ，检测 module的待机电流和工作电流是否在正常范 围之内，如右图所示。翻开影像后并检查画面 是否正常。如有LED灯的，要查看翻开影像后 其是否亮起。
CMOS制造工艺及流程教材.pptx
50
平坦化工艺（常用工艺）
为改善台阶覆盖，保证多层布线的中间隔离 层质量，目前有很多种方法： Multistep process : dep/etch/dep／etch process，
目前0.6um工艺采用淀积18KPETEOS，之后 ETCHBACK至12.5K。 SOG（spin-on glass):具有下述优点1）工艺简单； 2）低缺陷密度；3）高产出；4）低成本. CMP（chemical mechanical polishing)，应用于 介质以及多层步线步骤
14
隔离技术(LOCOS 图）
15
隔离技术(LOCOS 工艺流程）
16
隔离技术(改善LOCOS B.B方法）
• 右图为部分在线 使用的LOCOS工 艺。
• 在线降低B.B方法 有：
1，降低场氧厚度； 2，增加SIN厚度，
降低PAD OXIDE 厚度； 3，场氧后增加回刻。
17
隔离技术(关于场注入）
25
栅的完成(工艺流程）
26
栅的完成(流程图CROSS SECTION）
•Sca-oxide and Strip
P-Well Si(P)
SiO2 N-Well
27
栅的完成(流程图CROSS SECTION）
•Gate Oxide
P-Well Si(P)
SiO2 N-Well
28
栅的完成(流程图CROSS SECTION）
闩锁效应是CMOS工艺中固有的问题，影响闩 锁效应的主要参数是阱和衬底的电阻Rwell 和Rsub以及寄生晶体管的电流增益βnpn和 βpnp。通过降低Rwell和Rsub，使βnpn*βpnp 小于1，从而避免闩锁效应。
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平坦化工艺（常用工艺）
为改善台阶覆盖，保证多层布线的中间隔离 层质量，目前有很多种方法： Multistep process : dep/etch/dep／etch process，
目前0.6um工艺采用淀积18KPETEOS，之后 ETCHBACK至12.5K。 SOG（spin-on glass):具有下述优点1）工艺简单； 2）低缺陷密度；3）高产出；4）低成本. CMP（chemical mechanical polishing)，应用于 介质以及多层步线步骤
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隔离技术(LOCOS 图）
15
隔离技术(LOCOS 工艺流程）
16
隔离技术(改善LOCOS B.B方法）
• 右图为部分在线 使用的LOCOS工 艺。
• 在线降低B.B方法 有：
1，降低场氧厚度； 2，增加SIN厚度，
降低PAD OXIDE 厚度； 3，场氧后增加回刻。
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隔离技术(关于场注入）
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栅的完成(工艺流程）
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栅的完成(流程图CROSS SECTION）
•Sca-oxide and Strip
P-Well Si(P)
SiO2 N-Well
27
栅的完成(流程图CROSS SECTION）
•Gate Oxide
P-Well Si(P)
SiO2 N-Well
28
栅的完成(流程图CROSS SECTION）
闩锁效应是CMOS工艺中固有的问题，影响闩 锁效应的主要参数是阱和衬底的电阻Rwell 和Rsub以及寄生晶体管的电流增益βnpn和 βpnp。通过降低Rwell和Rsub，使βnpn*βpnp 小于1，从而避免闩锁效应。
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CMOS工艺流程版图剖面PPT课件
49
形成第一层金属
– 淀积金属钨(W)，形成钨塞
50
形成第一层金属
– 淀积金属层，如Al-Si、Al-Si-Cu合金等 – 光刻9，第一层金属版，定义出连线图形 – 反应离子刻蚀金属层，形成互连图形
51
正硅酸乙脂（TEOS）分解 650～750℃
形成穿通接触孔
– 化学气相淀积PETEOS, 等离子增强正硅酸四乙酯热分解
31
多晶硅淀积
栅氧化层
多晶硅 N阱
32
光刻4，刻NMOS管硅栅， 磷离子注入形成NMOS管
NMOS管硅栅
用光刻胶做掩蔽 N阱
33
光刻5，刻PMOS管硅栅， 硼离子注入及推进，形成PMOS管
用光刻胶做掩蔽
PMOS管硅栅
N阱
34
磷硅玻璃淀积
磷硅玻璃 N阱
35
光刻6，刻孔、磷硅玻璃淀积回流 （图中有误，没刻出孔)
形成N阱
– 初始氧化，形成缓冲层，淀积氮化硅层
– 光刻1，定义出N阱
– 反应离子刻蚀氮化硅层 – N阱离子注入，先注磷31P+ ，后注砷75As+
41
N阱 P sub. 〈100〉
形成P阱
– 在N阱区生长厚氧化层，其它区域被氮化硅层 保护而不会被氧化
– 去掉光刻胶及氮化硅层 – P阱离子注入，注硼
N阱
36
蒸铝、光刻7，刻铝、 光刻8，刻钝化孔
（图中展示的是刻铝后的图形）
Vin
VSS
NMOS管硅栅
磷硅玻璃
PMOS管硅栅 Vo
VDD
硼注入
P-SUB
N阱
磷注入
37
离子注入的应用
38
39
形成第一层金属
– 淀积金属钨(W)，形成钨塞
50
形成第一层金属
– 淀积金属层，如Al-Si、Al-Si-Cu合金等 – 光刻9，第一层金属版，定义出连线图形 – 反应离子刻蚀金属层，形成互连图形
51
正硅酸乙脂（TEOS）分解 650～750℃
形成穿通接触孔
– 化学气相淀积PETEOS, 等离子增强正硅酸四乙酯热分解
31
多晶硅淀积
栅氧化层
多晶硅 N阱
32
光刻4，刻NMOS管硅栅， 磷离子注入形成NMOS管
NMOS管硅栅
用光刻胶做掩蔽 N阱
33
光刻5，刻PMOS管硅栅， 硼离子注入及推进，形成PMOS管
用光刻胶做掩蔽
PMOS管硅栅
N阱
34
磷硅玻璃淀积
磷硅玻璃 N阱
35
光刻6，刻孔、磷硅玻璃淀积回流 （图中有误，没刻出孔)
形成N阱
– 初始氧化，形成缓冲层，淀积氮化硅层
– 光刻1，定义出N阱
– 反应离子刻蚀氮化硅层 – N阱离子注入，先注磷31P+ ，后注砷75As+
41
N阱 P sub. 〈100〉
形成P阱
– 在N阱区生长厚氧化层，其它区域被氮化硅层 保护而不会被氧化
– 去掉光刻胶及氮化硅层 – P阱离子注入，注硼
N阱
36
蒸铝、光刻7，刻铝、 光刻8，刻钝化孔
（图中展示的是刻铝后的图形）
Vin
VSS
NMOS管硅栅
磷硅玻璃
PMOS管硅栅 Vo
VDD
硼注入
P-SUB
N阱
磷注入
37
离子注入的应用
38
39
手机摄像模组基本知识讲解(课堂PPT)
阻值
马达的正极和负极之间的电阻值
tilt
马达在静止或运动.的过程中，出现倾斜和偏移现象
18
Sensor简介
Sensor：图像传感器，又称芯片、晶圆、Wafer。是感光元器件，主要作用 是将光信号转换为电信号。主要分为CCD和CMOS两种。
CMOS Sensor根据其封装 方式可以分为CSP、COB 两种结构。
印刷QC
T
阶
贴片
段
炉前QC
回流焊
炉后QC
PQC
百级 组装 阶段 （百 级无 尘车 间）
固化后检查 热固化
镜头搭载 画胶
SMT板清洁 镜头清洁
千级 检测 阶段 （千 级无 尘车 间）
.
分粒 振动 调焦 点螺纹胶 UV固化 功能FQC 外观FQC
OQC 贴膜
OQC
包装
OQA出货
8
2、COB/COF工艺流程
贴板
锡膏印刷
S
M
印刷QC
T
阶
贴片
段
炉前QC
回流焊
炉后QC
PQC
烘烤后检查
百级 组装 阶段 （百 级无 尘车 间）
烘烤 H/M W/B后清洗 W/B后检查
镜头清洁
W/B
Plasma Clean
Snap Cure
D/B SMT板清.洗
千级 检测 阶段 （千 级无 尘车 间）
分粒 振动 调焦 点螺纹胶 UV固化 功能FQC 外观FQC
OQC 贴膜
OQC
包装
OQA出货
9
3、AF模组工艺流程
SMT阶段（流程同上）
功测
点螺纹胶
百级 组装 阶段 （百 级无 尘车 间）
现代CMOS工艺基本流程课件
THANKS
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版图制作流程
01
02
03
04
使用版图设计软件进行电路图 和版图的绘制。
进行版图验证，检查版图的正 确性和可制造性。
将版图导出为光刻胶胶片或掩 膜版。
进行光刻、刻蚀、掺杂等工艺 步骤，制造出与版图一致的芯
片。
CHAPTER 06
掺杂与退火处理
掺杂工艺
掺杂定义
掺杂是将某些元素（如磷、硼、 砷等）添加到半导体材料中，以
晶圆制备与清洗
晶圆制备
外圆加工
将单晶硅切割成一定直径的圆 形硅片。
研磨加工
通过研磨工艺将芯片表面磨平 ，去除切割过程中产生的损伤 层。
拉单晶
生长高质量的单晶硅，是制造 集成电路的基础。
切片加工
将硅片切割成更小的芯片单元 。
抛光加工
通过化学和机械抛光，使芯片 表面达到原子级的平整度。
晶圆清洗
01
02
热氧化法
干法氧化
通过高温反应，使硅片与氧气反 应形成二氧化硅层。
湿法氧化
利用化学溶液与硅片反应，生成 二氧化硅层。
化学气相沉积（CVD）
反应气体在反应室中高温分解，形成 薄膜。
常用的反应气体包括硅烷、氧气、氮 气等。
物理气相沉积（PVD）
利用物理方法将材料蒸发沉积到基底上。 常用的蒸发源包括电子束蒸发、磁控溅射等。
CHAPTER 07
封装与测试
封装工艺
芯片切割
01 将晶圆上生长的芯片切割ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ独
立的个体。
芯片贴装
02 将芯片粘贴在封装基板上，常
用的是引线键合和倒装芯片技 术。
封装基板
CCM手机摄像头组装技术
CCM影像模組構裝技術
手機相機模組(CCM)3個層次
第一: Sensor Module，以CMOS Image Sensor為主，功能簡單 ，畫素在130萬以下。目前包括Sensor廠、封裝場、光學廠及DSC 廠等都積極投入，競爭者多、利潤微薄，已成為殺價最激烈的戰 場。
第二: 為Camera Module，具有自動對焦鏡頭(Auto Focus；AF) 或基本光學變焦、基本攝影功能和不差的畫質，畫素在200萬至 300萬左右。目前仍以日本業者，如Sharp和Panasonic等為主。
最小、光學設計易 缺點: Flip-chip，專利限制
、成本昂貴
TOG(Tab on glass)封裝方式
優點: 光學效率佳、高度較小、 二階段組裝
缺點: 成本高、加工技術較高 Source: Toshiba、fujitsu
CCM基板材料選擇
陶瓷基板: 硬度高易作業，散熱性佳，穩定性高、 價格高、開模昂貴、來源有限 PCB硬板: 硬度適中、可靠性OK、可雙面加工、選 擇多、潔淨度不佳 FPC軟板: 省去與硬板之接合作業、不可雙面加工 ，不利打線作業，可靠性低 軟硬結合板: 兼具軟硬板之優點、成本偏高
typically specified in the horizontal dimension ( see Figure 1). This parameter is important in determining the primary magni fication (PMAG) required to obtain a desired field of view. Note: Most
1.改善Epoxy覆蓋issue 2.增加厚度
OCSP模組封裝方式
1.Top glass 如何放置(Shift/tilt/rotation)?
手機相機模組(CCM)3個層次
第一: Sensor Module，以CMOS Image Sensor為主，功能簡單 ，畫素在130萬以下。目前包括Sensor廠、封裝場、光學廠及DSC 廠等都積極投入，競爭者多、利潤微薄，已成為殺價最激烈的戰 場。
第二: 為Camera Module，具有自動對焦鏡頭(Auto Focus；AF) 或基本光學變焦、基本攝影功能和不差的畫質，畫素在200萬至 300萬左右。目前仍以日本業者，如Sharp和Panasonic等為主。
最小、光學設計易 缺點: Flip-chip，專利限制
、成本昂貴
TOG(Tab on glass)封裝方式
優點: 光學效率佳、高度較小、 二階段組裝
缺點: 成本高、加工技術較高 Source: Toshiba、fujitsu
CCM基板材料選擇
陶瓷基板: 硬度高易作業，散熱性佳，穩定性高、 價格高、開模昂貴、來源有限 PCB硬板: 硬度適中、可靠性OK、可雙面加工、選 擇多、潔淨度不佳 FPC軟板: 省去與硬板之接合作業、不可雙面加工 ，不利打線作業，可靠性低 軟硬結合板: 兼具軟硬板之優點、成本偏高
typically specified in the horizontal dimension ( see Figure 1). This parameter is important in determining the primary magni fication (PMAG) required to obtain a desired field of view. Note: Most
1.改善Epoxy覆蓋issue 2.增加厚度
OCSP模組封裝方式
1.Top glass 如何放置(Shift/tilt/rotation)?
CCM摄像头生产工艺及流程ppt课件
ccm摄像头生产工艺及流程smt良品清洁sensor组装烘烤分板调焦定焦烘烤贴辅料oqc包装入库出货ccm摄像头生产工艺及流程smt良品分板电性能测试sensor清洁点胶lensvcm锁配组装烘烤焊马达调焦定焦烘烤终测贴辅料oqc入库出货包装ccm摄像头生产工艺及流程smt良品清洗fpc组合单元固晶晶圆清洗金线绑定lensvcm锁配吹洗组装烘烤焊马达调焦定焦烘烤贴辅料oqc包装入库出货ccm摄像头生产工艺及流程ccm摄像头生产工艺及流程
COB封装生产工艺
SMT 良品
晶圆清洗
LENS+VCM 锁配
清洗FPC 组合单元
固晶
金线绑定
吹洗 组装
烘烤
定焦
调焦
焊马达
烘烤
贴辅料
OQC
包装
入库出货
ppt精选版
5
FF模组组装图
ppt精选版
6
AF模组组装图
ppt精选版
7
谢谢大家！！！
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8
势。）
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2
FF模组生产工艺流程
SMT 良品
OQC
清洁 SENSOR
贴辅料包装入库出货源自组装 烘烤烘烤 定焦
分板 调焦
ppt精选版
3
AF模组生产工艺流程
SMT 良品
分板
电性能 SENSOR
测试
清洁
点胶
LENS+VCM 锁配
组装
终测
烘烤
定焦
调焦
焊马达
烘烤
贴辅料
OQC
包装
入库出货
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4
CCM摄像头生产工艺及流程
培训人：涂祥聪
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1
COB封装生产工艺
SMT 良品
晶圆清洗
LENS+VCM 锁配
清洗FPC 组合单元
固晶
金线绑定
吹洗 组装
烘烤
定焦
调焦
焊马达
烘烤
贴辅料
OQC
包装
入库出货
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5
FF模组组装图
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6
AF模组组装图
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7
谢谢大家！！！
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8
势。）
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2
FF模组生产工艺流程
SMT 良品
OQC
清洁 SENSOR
贴辅料包装入库出货源自组装 烘烤烘烤 定焦
分板 调焦
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3
AF模组生产工艺流程
SMT 良品
分板
电性能 SENSOR
测试
清洁
点胶
LENS+VCM 锁配
组装
终测
烘烤
定焦
调焦
焊马达
烘烤
贴辅料
OQC
包装
入库出货
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4
CCM摄像头生产工艺及流程
培训人：涂祥聪
ppt精选版
1
FATP工艺流程
点胶
注意事项： ①点胶过程中避免触碰Lens导致跑焦或通光孔脏污； ②将溢出的胶水擦干净后再进行UV固化。
固化
二、FATP生产常规工艺流程
桌面振动
功能作POG不良拦截在厂内。
注意事项： ①确认振动参数与SOP要求一致； ②产品固定牢固，避免产品洒落。
二、FATP生产常规工艺流程
F300测试
功能作用： ①在特定环境下，旋转Lens至清晰画面（测试画面无红色数值）； ②白板测试拦截POD/POG等不良（测试画面无可见斑状污点或小黑点）； ③完成Lens点胶及UV固化。
白板测试
点胶&固化
F300
注意事项： ①轻拿轻放，避免触碰Lens导致通光孔脏污； ②确保镜头朝上放置； ③产品放置到位后轻轻扣合工装，避免连接器压伤； ④不同类型不良品区分放置。
包装
OIS机种
手动 二维码绑定 白板测试
焊接 振动 远焦测试&白黑板 近焦测试 OIS测试&OTP OTP Check 外观检查 贴辅料
包装
二、FATP生产常规工艺流程
二维码绑定
功能作用： ①产品贴附二维码，用于产品生产信息追溯（如机种信息、生产日期、测试数据等）； ②纸质二维码与产品本身Sensor ID信息绑定，节省后续各测试站位的扫码动作。
Holder Mount
•Lens Module Mount •Glue Dispense •Cure
Function Testing
•O/S •Standby current •Operation current
Focusing
•Focus Adjustment •Resolution Test •UV Glue Dispense & Cure
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CCM摄像头生产工艺及流程
培训人：涂祥聪
PPT学习交流
1
CCM摄像头的生产工艺及流程
• 目前CCM的生产工艺流程主要分为两种：
一、传统芯片级封装生产工艺流程（CSP\PLCC\MLCC等） A、FF模组生产工艺流程（适用于8W-300W像素） B、AF模组生产工艺流程（适用于500W像素含以上） 二、COB封装生产工艺（目前CCM行业未普及，是个趋势。）
4
COB封装生产工艺
SMT 良品
晶圆清洗
LENS+VCM 锁配
清洗FPC 组合单元
固晶
金线绑定
烘烤
定焦
调焦
焊马达
贴辅料
OQCபைடு நூலகம்
包装
入库出货
吹洗 组装 烘烤
PPT学习交流
5
FF模组组装图
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6
AF模组组装图
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7
谢谢大家！！！
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8
知识回顾 Knowledge Review
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9
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2
FF模组生产工艺流程
SMT 良品
OQC
清洁 SENSOR
贴辅料
包装
入库出货
组装 烘烤
烘烤 定焦
分板 调焦
PPT学习交流
3
AF模组生产工艺流程
SMT 良品
终测
分板 烘烤
电性能 SENSOR
测试
清洁
定焦
调焦
点胶 焊马达
LENS+VCM 锁配
组装
烘烤
贴辅料
OQC
包装
入库出货
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培训人：涂祥聪
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1
CCM摄像头的生产工艺及流程
• 目前CCM的生产工艺流程主要分为两种：
一、传统芯片级封装生产工艺流程（CSP\PLCC\MLCC等） A、FF模组生产工艺流程（适用于8W-300W像素） B、AF模组生产工艺流程（适用于500W像素含以上） 二、COB封装生产工艺（目前CCM行业未普及，是个趋势。）
4
COB封装生产工艺
SMT 良品
晶圆清洗
LENS+VCM 锁配
清洗FPC 组合单元
固晶
金线绑定
烘烤
定焦
调焦
焊马达
贴辅料
OQCபைடு நூலகம்
包装
入库出货
吹洗 组装 烘烤
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FF模组组装图
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AF模组组装图
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SMT 良品
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AF模组生产工艺流程
SMT 良品
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电性能 SENSOR
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调焦
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