半导体照明术语对照表
半导体一些术语的中英文对照
半导体一些术语的中英文对照离子注入机 ion implanterLSS理论 Lindhand Scharff and Schiott theory 又称“林汉德-斯卡夫-斯高特理论”。
沟道效应 channeling effect射程分布 range distribution深度分布 depth distribution投影射程 projected range阻止距离 stopping distance阻止本领 stopping power标准阻止截面 standard stopping cross section退火 annealing激活能 activation energy等温退火 isothermal annealing激光退火 laser annealing应力感生缺陷 stress-induced defect择优取向 preferred orientation制版工艺 mask-making technology图形畸变 pattern distortion初缩 first minification精缩 final minification母版 master mask铬版 chromium plate干版 dry plate乳胶版 emulsion plate透明版 see-through plate高分辨率版 high resolution plate, HRP超微粒干版 plate for ultra-microminiaturization 掩模 mask掩模对准 mask alignment对准精度 alignment precision光刻胶 photoresist又称“光致抗蚀剂”。
负性光刻胶 negative photoresist正性光刻胶 positive photoresist无机光刻胶 inorganic resist多层光刻胶 multilevel resist电子束光刻胶 electron beam resistX射线光刻胶 X-ray resist刷洗 scrubbing甩胶 spinning涂胶 photoresist coating后烘 postbaking光刻 photolithographyX射线光刻 X-ray lithography电子束光刻 electron beam lithography离子束光刻 ion beam lithography深紫外光刻 deep-UV lithography光刻机 mask aligner投影光刻机 projection mask aligner曝光 exposure接触式曝光法 contact exposure method接近式曝光法 proximity exposure method光学投影曝光法 optical projection exposure method 电子束曝光系统 electron beam exposure system分步重复系统 step-and-repeat system显影 development线宽 linewidth去胶 stripping of photoresist氧化去胶 removing of photoresist by oxidation等离子［体］去胶 removing of photoresist by plasma 刻蚀 etching干法刻蚀 dry etching反应离子刻蚀 reactive ion etching, RIE各向同性刻蚀 isotropic etching各向异性刻蚀 anisotropic etching反应溅射刻蚀 reactive sputter etching离子铣 ion beam milling又称“离子磨削”。
半导体照明术语及定义(芯片外延片)
外延术语1、外延生长（Epitaxy）2、量子阱（Quantum Well）3、能带工程（Energyband engineering）4、半导体发光二极管（Light Emitting Diode）5、PN结的击穿（PN junction Striking）6 Deposition）7、异质结构（Heterogeneous Structure）8、量子阱半导体激光器（Quantum Well Laser）9、超晶格（Super Lattice）EpitaxyGaP：磷化镓n-GaN：N型氮化镓p-GaN：P型氮化镓GaAs：砷化镓GaN：氮化镓AlInGaP：磷化铝镓铟（铝铟镓磷）AlGaAs：砷化铝镓（铝镓砷）InGaN 铟镓氮AlGaN 铝镓氮Wafer：晶片、外延片分析仪器1、XRD：X射线衍射仪，主peak GaN分析仪器2、PL：荧光光谱仪（或光致发光光谱仪），Peak强度越强，FWHM越窄，表示有较佳的QW。
3、Hall：霍尔测试仪，利用霍尔效应测量载流子（对n-GaN载流子为电子，对p-GaN,载流子为空穴）迁移率（mobility）以及Sheet Resistance，分析时同结构若有相同的掺杂（Doping），若是量测的迁移率mobility较小，可以推测此结构有较多的缺陷（Defects）。
4、SEM（Scanning Electron Microscopy）：扫描式电子显微镜，测量刻蚀深度、及刻蚀截面状况。
5、Microscope：显微镜6、Differential Microscopy（Nikon-OPTI PHOT）：晶相（金相）显微镜，用morphology）。
7、EDS EDS之仪器构造主要是由一个硅(锂)固态侦测器为核心，它是由硅单晶参杂锂原子而成的。
8、：金属有机化学汽相9、TEM10、SIMS：二次离子质谱仪，测量每层的掺杂状况，可测量P-GaN以及N-GaN的掺杂状况，以及掺杂载子的浓度以及扩散距离等测量。
半导体词汇(英汉对照)
半导体词汇(英汉对照)1. 半导体：semiconductor2. 晶体管：transistor3. 二极管：diode4. 集成电路：integrated circuit5. 电容：capacitor8. 金属氧化物场效应管：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)9. 数字信号处理器：Digital Signal Processor (DSP)10. 有机发光二极管：Organic Light-Emitting Diode (OLED)11. 光纤放大器：Optical Fiber Amplifier (OFA)12. 直流-直流变换器：DC-DC Converter13. 脉冲编码调制：Pulse Code Modulation (PCM)14. 光耦合器：Optocoupler15. 调制解调器：Modem16. 电池管理系统：Battery Management System (BMS)17. 片上系统：System-on-a-Chip (SoC)18. 功率电子器件：Power Electronics Device20. 纳米技术：Nanotechnology21. 生物芯片：Biochip23. 激光器：Laser24. 双极型发射极晶体管：Bipolar Junction Transistor (BJT)28. 传感器：Sensor29. 能量收集器：Energy Harvester30. 固态驱动器：Solid State Drive (SSD)31. 磁性存储设备：Magnetic Storage Device32. 屏幕显示器：Display33. 快速门：Fast Gate35. 超高速芯片：Ultra-High-Speed Chip38. 量子计算机：Quantum Computer40. 机器人学：Robotics41. 表面声波器件：Surface Acoustic Wave (SAW) Device45. 长寿命电池：Long-Life Battery46. 红外光电探测器：Infrared Photodetector47. 树莓派：Raspberry Pi48. 可充电电池：Rechargeable Battery49. 无线充电器：Wireless Charger51. 控制电路：Control Circuit53. 逆变器：Inverter55. 拓扑优化器：Topology Optimizer57. 智能家居：Smart Home58. 传输线理论：Transmission Line Theory60. 片上调制器：On-Chip Modulator61. 内存芯片：Memory Chip63. 线性电源：Linear Power Supply64. 电机驱动器：Motor Driver66. 相变存储器：Phase-Change Memory (PCM)68. 氮化镓：Gallium Nitride (GaN)69. 自动驾驶：Autonomous Driving72. 机器学习：Machine Learning77. 差分信号：Differential Signal78. 相位锁定环：Phase Locked Loop (PLL)80. 峰值检测器：Peak Detector84. 相移器：Phase Shifter88. 滤波器：Filter91. 直流伏安表：Digital Multimeter (DMM)92. 频率计：Frequency Counter93. 降噪耳机：Noise-Canceling Headphones94. 耳返系统：In-Ear Monitoring (IEM) System95. 电学模型：Electrical Model97. 声音芯片：Audio Chip98. 跟踪器：Tracker。
半导体照明术语对照表
(半导体)二极管
发光二极管；
当被电流激发时通过传导电子和光子的再复合产生受激辐射而发出非相干光的一种半导体二极管。
发光二极管
固态照明
采用固体发光材料，如发光二极管（）、场致发光（）、有机发光（）等作为光源的照明方式。
固态照明
半导体照明
采用作为光源的照明方式。
由于光亮度的分布或范围不恰当，或对比度太强，而引起不舒适感或分辨细节或物体的能力减弱的视觉条件。
眩光
光轴
关于主辐射能分布中心的一条直线。
注：除非另有规定，光轴即为最大辐射能的方向。
半导体照明
衬底
用于外延沉积、扩散、离子注入等后序工艺操作的基体单芯片。
基板
外延片
用外延方法制备的具有电致发光功能的结构片。
磊芯片
发光二极管芯片
具有结结构、有独立正负电极、加电后可辐射发光的分立半导体芯片。
发光二极管芯片(粒)
模块
由单个或多个发光二极管芯片和驱动电路、控制电路封装在一起、带有连接接口并具有发光功能且不可拆卸的整体单元。
外部量子效率
二、类型
单色光
发出单一颜色光的，有红色、绿色、蓝色、黄色、紫色等。
单色ห้องสมุดไป่ตู้
白光
用单色芯片加荧光粉或多色芯片组合合成白色光的。
白光
直插式；
带有正负极引线、适用于穿孔直插安装工艺的。
炮弹型封装
贴片式；
正负电极在封装基板上、适用于表面贴装工艺的。
表面封装型
小功率
单芯片工作电流在（含）以下的发光二极管。
( )
将芯片安装在涂有银胶或绝缘胶的或支架相应的位置上。
固晶
半导体照明术语对照表
发光二
极管
序 号
大陆术 语
英文
定义
台湾地 区 术语
1-0
5
固态照
明
solid state lighti ng
采用固体发光材料，如 发光二极管（LED、场 致发光（EL）、有机发 光（OLED等作为光源 的照明方式。
采用LED作光源，为被 动显示提供光源的LED
LED背
光源
序 号
大陆术 语
英文
定义
台湾地 区
术语
器件或模块。
五、封装
5-0
1
支架； 框架
leadframe
提供引线端子和芯片焊 接区域的一个或一组零 件。
支架
5-0
2
点胶
coat
在LED支架的相应位置 点上银胶或绝缘胶。
点胶
5-0
3
装架
die attachme n t (die bond)
LED模 块
1-1
2
LED组件
LED discrete n ess
由LED或LED模块和电 子兀器件组合在一起， 具有一定功能并可维修 或拆卸的组合单兀。
LED元
组件
1-1
3
内量子
效率
inner qua ntum efficie nc y
有源区产生的光子数与 所注入有源区的电子-空穴对数之比。
内部量 子效率
磊芯片
1-0
9
发光二 极管芯 片
light-emi tting diode chip
具有PN结结构、有独立 正负电极、加电后可辐 射发光的分立半导体芯 片。
半导体一些术语的中英文对照
半导体一些术语的中英文对照离子注入机ion implanterLSS理论Lindhand Scharff and Schiott theory 又称“林汉德-斯卡夫-斯高特理论”。
沟道效应channeling effect射程分布range distribution深度分布depth distribution投影射程projected range阻止距离stopping distance阻止本领stopping power标准阻止截面standard stopping cross section 退火annealing激活能activation energy等温退火isothermal annealing激光退火laser annealing应力感生缺陷stress-induced defect择优取向preferred orientation制版工艺mask-making technology图形畸变pattern distortion初缩first minification精缩final minification母版master mask铬版chromium plate干版dry plate乳胶版emulsion plate透明版see-through plate高分辨率版high resolution plate, HRP超微粒干版plate for ultra-microminiaturization 掩模mask掩模对准mask alignment对准精度alignment precision光刻胶photoresist又称“光致抗蚀剂”。
负性光刻胶negative photoresist正性光刻胶positive photoresist无机光刻胶inorganic resist多层光刻胶multilevel resist电子束光刻胶electron beam resistX射线光刻胶X-ray resist刷洗scrubbing甩胶spinning涂胶photoresist coating后烘postbaking光刻photolithographyX射线光刻X-ray lithography电子束光刻electron beam lithography离子束光刻ion beam lithography深紫外光刻deep-UV lithography光刻机mask aligner投影光刻机projection mask aligner曝光exposure接触式曝光法contact exposure method接近式曝光法proximity exposure method光学投影曝光法optical projection exposure method 电子束曝光系统electron beam exposure system分步重复系统step-and-repeat system显影development线宽linewidth去胶stripping of photoresist氧化去胶removing of photoresist by oxidation等离子［体］去胶removing of photoresist by plasma 刻蚀etching干法刻蚀dry etching反应离子刻蚀reactive ion etching, RIE各向同性刻蚀isotropic etching各向异性刻蚀anisotropic etching反应溅射刻蚀reactive sputter etching离子铣ion beam milling又称“离子磨削”。
LED名称术语
anneal
利用各种形式的能量转换产生热量来消除芯片中晶格缺 陷和内应力，以恢复晶格的完整性。同时使注入之掺杂 离子进入到替代位置而有效地活化掺杂杂质。
1.2.15 1.2.16
缓冲层 buffer
在衬底上生长的以消除衬底影响的一层。若此层生长有 问题，将极大影响上层晶格质量。
布拉格反 射层
Distributed Bragg Reflector 外延生长中相当于镜子，减少衬底吸收的一层。 （DBR）
2.1.6
PN结的击 PN junction
穿
striking
2.2 芯片工艺
2.2.1 正装芯片 nomal chip
当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快 速增加，此现象称为PN结的反向击穿。
发光二极管电极在出光面上，衬底材料和支架焊接到一 起的一种芯片结构
2.2.2 倒装芯片 flip chip
组分不同或掺杂不同的半导体超薄层材料交替排列形成 载流子势垒或势阱，并且具有量子效应的材料结构
单量子阱 Single Quantum 只有一个量子阱的材料结构 Well(SQW)
多量子阱
Multi-quantum Well(MQW)
包含多个单量子阱的材料结构
1.2.12 超晶格 super lattice
在LED外延片和芯片表面形成可以提高芯片出光效率和外 量子效率的粗糙表面结构
黄光制程/ 黄光
Litho or Photo
通过对涂覆在玻璃表面的光敏性物质(又称为光刻胶或光 阻)，经曝光、显影后留下的部分对底层起保护作用，然 后进行蚀刻并最终获得永久性的图形的过程。
光刻
photolithograp- 将图形从掩膜版上成象到光阻上的过程。 hy
半导体照明术语及定义(芯片外延片)
外延术语1、外延生长〔Epitaxy〕2、量子阱〔Quantum Well〕3、能带工程〔Energyband engineering〕4、半导体发光二极管〔Light Emitting Diode〕5、PN 结的击穿〔PN junction Striking〕6 、金属有机化学汽相沉淀积〔Metal Organic Chemical Vapor Deposition〕7、异质构造〔Heterogeneous Structure〕8、量子阱半导体激光器〔Quantum Well Laser〕9、超晶格〔Super Lattice〕InGaN AlGaN 铟镓氮 铝镓氮3、Hall ：霍尔测试仪，利用霍尔效应测量载流子〔对 n-GaN 载流子为电子，对p-GaN,载流子为空穴〕迁移率〔mobility 〕以及 Sheet Resistance ，分析时同构造假设有一样的掺杂〔Doping 〕，假设是量测的迁移率 mobility 较小，可以推想此构造有较多的缺陷〔Defects 〕。
Epitaxy ：外延制程〔垒晶〕GaP ：磷化镓n-GaN ：N 型氮化镓p-GaN ：P 型氮化镓GaAs ：砷化镓GaN ：氮化镓AlInGaP ：磷化铝镓铟〔铝铟镓磷〕 AlGaAs ：砷化铝镓〔铝镓砷〕Wafer ：晶片、外延片器1、XRD ：X 射线衍射仪，主 peak GaN 器2、PL ：荧光光谱仪〔或光致发光光谱仪〕，Peak 强度越强，FWHM 越窄，表示有较佳的 QW 。
4、SEM 〔Scanning Electron Microscopy 〕：扫描式电子显微镜，测量刻蚀深度、及刻蚀截面状况。
5、Microscope ：显微镜6、Differential Microscopy 〔Nikon-OPTI PHOT 〕：晶相〔金相〕显微镜，用以观测磊芯片外表的型态〔morphology 〕。
7、EDS ：能量分色散光谱仪，EDS 之仪器构造主要是由一个硅(锂)固态侦测器为核心，它是由硅单晶参杂锂原子而成的。
关于照明技术和光电半导体的术语和定义
已键合晶圆
通过将两个单独的硅基板的氧化表面溶凝（高温下）在一起形成的复合介质隔离基板。
Bonding
键合
将电线从封装引线连接至芯片（或晶粒）焊盘的步骤，是组装过程的一部分。结合热和超声能量将小直径金线或铝线粘合到焊盘区。
Breakdown voltage (VBR)
击穿电压 (VBR)
Centroid wavelength
质心波长
电磁（光）发射光谱的波长，其中一半能量波长较短，另一半能量波长较长。
CFD (Computional Fluid Dynamics) analysis
CFD（计算流体动力学）分析
公认的流体动力学方法，目的在于通过数值法解决流体动力学问题。
Charge Carrier
ASCII（美国信息交换标准代码）
基于英文字母表顺序的字符编码方案，代表电脑和其他通信设备中的文本。ASCII 定义了 128 个字符。
ASIC (Application Specific Integrated Circuit)
ASIC（专用集成电路）
定制仅用于一个特殊用途的集成电路 (IC)。（现代 ASIC 通常基于 32 位微处理器，存储块包含 ROM、RAM、EEPROM、闪存和其它电子元件。）
有源矩阵液晶显示器 (AMLCD)
有源矩阵显示器由以下材料组成：一块装有薄膜晶体管 (TFT) 的背面玻璃基板和一块带色彩过滤板的前面玻璃基板形成夹层，中间填充液晶 (LC) 材料。背面基板上的薄膜晶体管阵列连接到电子驱动器，电子驱动器则从连接到主系统的电脑芯片接收脉冲。每个 TFT 均用作激活像素的通断开关，迫使液晶体扭曲以允许光通过并在显示器上形成图像。
关于照明技术和光电半导体的术语和定义
半导体专业名词
1 backplane 背板2 Band gap voltage reference 带隙电压参考3 benchtop supply 工作台电源4 Block Diagram 方块图5 Bode Plot 波特图6 Bootstrap 自举7 Bottom FET Bottom FET8 bucket capcitor 桶形电容9 chassis 机架10 Combi-sense Combi-sense11 constant current source 恒流源12 Core Sataration 铁芯饱和13 crossover frequency 交*频率14 current ripple 纹波电流15 Cycle by Cycle 逐周期16 cycle skipping 周期跳步17 Dead Time 死区时间18 DIE Temperature 核心温度19 Disable 非使能，无效，禁用，关断20 dominant pole 主极点21 Enable 使能，有效，启用22 ESD Rating ESD额定值23 Evaluation Board 评估板24 Exceeding the specifications below may result in permanent damage to the device, or device malfunction. Operation outside of the parameters specified in the Electrical Characteristics section is not implied. 超过下面的规格使用可能引起永久的设备损害或设备故障。
建议不要工作在电特性表规定的参数范围以外。
25 Failling edge 下降沿26 figure of merit 品质因数27 float charge voltage 浮充电压28 flyback power stage 反驰式功率级29 forward voltage drop 前向压降30 free-running 自由运行31 Freewheel diode 续流二极管32 Full load 满负载33 gate drive 栅极驱动34 gate drive stage 栅极驱动级35 gerber plot Gerber 图36 ground plane 接地层37 Henry 电感单位：亨利38 Human Body Model 人体模式39 Hysteresis 滞回40 inrush current 涌入电流41 Inverting 反相42 jittery 抖动43 Junction 结点44 Kelvin connection 开尔文连接45 Lead Frame 引脚框架46 Lead Free 无铅47 level-shift 电平移动48 Line regulation 电源调整率49 load regulation 负载调整率50 Lot Number 批号51 Low Dropout 低压差52 Miller 密勒53 node 节点54 Non-Inverting 非反相55 novel 新颖的56 off state 关断状态57 Operating supply voltage 电源工作电压58 out drive stage 输出驱动级59 Out of Phase 异相60 Part Number 产品型号61 pass transistor pass transistor62 P-channel MOSFET P沟道MOSFET63 Phase margin 相位裕度64 Phase Node 开关节点65 portable electronics 便携式电子设备66 power down 掉电67 Power Good 电源正常68 Power Groud 功率地69 Power Save Mode 节电模式70 Power up 上电71 pull down 下拉72 pull up 上拉73 Pulse by Pulse 逐脉冲（Pulse by Pulse）74 push pull converter 推挽转换器75 ramp down 斜降76 ramp up 斜升77 redundant diode 冗余二极管78 resistive divider 电阻分压器79 ringing 振铃80 ripple current 纹波电流81 rising edge 上升沿82 sense resistor 检测电阻83 Sequenced Power Supplys 序列电源84 shoot-through 直通，同时导通85 stray inductances. 杂散电感86 sub-circuit 子电路87 substrate 基板88 Telecom 电信89 Thermal Information 热性能信息90 thermal slug 散热片91 Threshold 阈值92 timing resistor 振荡电阻93 Top FET Top FET94 Trace 线路，走线，引线95 Transfer function 传递函数96 Trip Point 跳变点97 turns ratio 匝数比，＝Np / Ns。
半导体行业术语
半导体行业术语半导体行业术语是指用于描述和解释半导体及相关技术的术语和术语缩略语。
以下是一些常见的半导体行业术语及其参考解释。
1. 半导体（Semiconductor）- 指的是电导介于导体和绝缘体之间的固态材料，通常是以硅（Si）或镓（Ga）为主要成分，用于制造电子器件。
2. 集成电路（Integrated Circuit，IC）- 也被称为芯片，是将数十亿个晶体管、电阻器、电容器和其他电子元件集成到一块半导体晶片上的技术。
3. MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）- MOSFET是一种常用的场效应晶体管，通过控制栅电压来调节源极电流。
4. CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）- CMOS是一种基于nMOS（n沟道金属－氧化物－半导体）和pMOS（p沟道金属－氧化物－半导体）技术的集成电路制造技术。
5. MEMS（Micro-Electro-Mechanical Systems）- MEMS是一种将微机械系统与电子技术相结合的技术，包括制造微型传感器、执行器和微型结构等。
6. 晶圆（Wafer）- 指的是在半导体制造过程中用于制作芯片的圆形硅片。
晶圆上会进行刻蚀、沉积、光刻等工艺。
7. 工艺（Process）- 指的是制造半导体器件所需的一系列步骤和工作流程，包括光刻、刻蚀、沉积、清洗等。
8. 掩膜（Mask）- 掩膜用于光刻工艺，上面有设计好的图案，通过光刻暴光制造电路芯片的图案。
9. Doping（掺杂）- 在半导体材料中引入杂质，以调整材料的导电性能。
常见的掺杂剂包括硼、磷、砷等。
10. 渗透磁场（Permeable Magnetic Field）- 渗透磁场是指在磁性材料的边界上产生的特殊磁场，常用于磁传感器和存储器中。
11. 氮化镓（Gallium Nitride，GaN）- 氮化镓是一种半导体材料，具有高电子流动性和较大的能隙，适用于高功率电子器件的制造。
半导体照明术语及定义
外延术语1外延生长（Epitaxy）在单晶衬底上沿其表面提供的择优位置延续性生长具有特定晶面的单晶薄层的方法。
根据衬底和外延层的化学成分，可分为同质外延和异质外延。
从反应机理上，又有利用化学反应的外延生长和利用物理化学辻程的外延生长Z分。
按生长过程中相变的方式，可分为气相外延、液相外延和固相外延。
外延生长的温度通常远低干外延层物质的熔点，因而有利于荻得高純度.低缺陷密度的材料，以及具有高熔点、高离解医的材料。
通过外延生长’可以制备由单原千（分千）层刮百微米量级厚度的单晶薄层，以及超晶格、量千阱等复杂的结构。
外延生长在半导体材料的研制中获得了广泛的应用，并满足了多种多样的电手器件和光电干雜件的需甌在半导体器件的工业生产中，主宴来用气相外延和液相外延。
分千東外延-化学東外延和金属有机化学气相沉积，己成为生长半导体超晶格.童千阱等异质结构的主要手段。
外延生长拽术，还甲千高临界温度超导体"氧化物铁电体等多种功能薄膜材料的研究，旨在为改善器件性能和开发新器件提供所需的材料在宣千力学中能够形成分立能级的原千、分子势场。
人工制备的莹千阱结构是采用分子束外延等枝术生长的。
当组分不同或掺杂不同的半导体超薄层材料交替排列时*就形戒了量千阱结构，两种材料分别为勢阱层和势垒层。
势阱层的厚度可以与电千的德布罗意波长相比（iw童级）,而势垒层的厚度稍大一些。
在势阱中形成一系列由勢阱的厚度、深度和載流千的有效质量决定的分立能级'具有一个势阱的结构是单童千阱结构（阴甲）；具有多个势阱的结构是多童千阱结构（m）°在劣量子阱结构中，势垒层的厚度足骼大，旨在避免相邻势阱内的电子波函数相互辎合。
在童干阱结构中］电手沿超薄层生长方向的运动受到约束；而在垂直干生长方向仍然是自由运动的。
因此，电千运动是二维或准二维的，电子的狀态密度为常数。
考虑到不同能级形咸的千能带的贡献，电千的状态密度是阶梯状的c 1974年，丁勒（L Dingle）等人首先在GaWA LG血单宣千阱的吸收光谱实脸中证实了対幢千限制效应#此外，在宣千阱结构中，由电千空穴对组成的激子具有准二维的特性，激干的東缚能和振子强度均比在体材料内大得多。
大陆-台湾-英语-led半导体照明术语对照表_图文(精)
半导体照明术语对照表2009年2月«X*XfrMAE *«rvu SWcmtuCTOT «!i血s«acorducTox4evlce AiNlflU 处y (Fwu.】«n(Mmcondi»ri€r) dZ(主& H1-01 "二UD litht-tvitfinc 41«4e FMUUMM.W «f«< fttMtt1 WTVH ■■•■1-C5 MA««I solid «1«te iichtim・•发危«n <10)・iWAit(a> , • CUD) Wft*5伯列■"八Ja»»«w1-06 TV侔#Mfl xaiccokKtarli«h?Lng〔用g件为Ft4的创•山式@・ii£咽1-C W«•ub«Tr«ie m i nsMiR. r«. ArnAWfi^ i z ・ rrin***«n・S«iy 4 Kit epiiaiial wafern.SA出l-w li<ht-r»qttirwdiode ddr R<(WW>iA*・庄黄电«(•・屯口可miftt的什#侔“八*弋找■易1-10 ⑼缺LZD scxlde »h*t或事个戏兄•・功电i»・a.-LED««1-12 Lawn LB> 4Ltcrett*watf hUD4LDMft*«r 兀霑 &・n« NPtt悴彳■氏・1-13 imer 9102efficiency «卫KP生tn尤o厮注入f Y穴It«z比.1-14 mt ft* lltM Erwrtiomefficiency amtotAKwt tutt.出栈C1-15 i-A<* Injection•ffieiwncyft ALDlMl ; -'?/；«IBSH Xfi«<(n电il入如“tx «JK1*1S f outer wrr・ a M«int i B sn 人ux» nt 卜々>；ftBZUu Wf"人・♦代•《!,二血刚g ^ecu>1UMUl・y Mtenia 育■包set・*LH>2<Q ll<UZ fitLB)2*43 DHAtn ・3VLB CUd IrrllM z. g GfM ・«H刈.tR t YAflM^r«ia ❺g.TfitfW l皿g •ugSKLXD —g US 1金电・4W・b・441 i1,■"2 l*l>g 卜“l»lc* LB gut ! ：IW > 14M U E“ft ■•|4^XIXDX»U・LD p<we» Lil Inmia^ JKMLUUMUL «wX LBBHYg LBUtB LCD dkw-«w etqur»Mi B /・ nstMvaisHM ito MiZ ・”・auiMWW^BWUD •nrMW0»・Q・3. *■<TB»g创代・• <<n<5jy<w^A«<mtiK I'MHMrt1 Z・ A HMM・ WMaWtfi 位歼■1 TK(4H<ftQ4^«h^AHM.#<-u«/a *»wrtta wU/•►«<•** nHavre^ar-WWtMAIM ・■ P><D e ■ fwa«m «・"♦H ■Uti-wrM —II炖irMCiMUTA创Mh ■r©mal evtaderiwv«cv£ «W<r・*••!< ・K 祁1%•■”^•4BR・2 ・*<r lw“A斡.tl«0U ? • a»• ■X・Rlft«1*f)IBVHH2W1 K6 111 •»hmM€WWH»WtK・ KM feKH >.l ・“IL£lijU・»・fMfQrflrti^ ■*■♦鬲・・tU ・BanXT HIM hrtvrttravM•iriK^tFTfiR0dA<mr.mht VMKM«Ar)■■EK". rx・・«••>NAM tiflBl*ae*er»M^««OlR* < 1 V>«KHS<r)・0 • Hi> MABAftdMT tWMM* H■■刑・・*TBw iCtfMl sdW AAK1 K・・ 4JWU«IF)/ie. d UH ■■ »LB«■・ <ze>・41 n«>i0tai*9«a*. <UH.?><^A ttAU I 水*9r)代卅・・■•rmi•-CB IdlMI 6 etaui R4IMWIWAf・■"•Utlt电上ttAM I^SWrtMff ・• HAfUrrmt08 •A Minrtiw・ wmtiiMRa・血匕” »«: a■馆■円miw.• <»<Ui <• cm«»i r・(tz・wrwsuk・BE ■■m»«rtvtai・irx0・ tM^bOC«4An ・■a imr lift-wM ・、u■此何・角匕庄n ■删■■•««<.舄代・HMHQfcftGU. BtHW・建”川・・竹曲«RCMSHMMI■a M<0TU •IxtrMoIfO 4«A^HA・f）幷电予代•期・・伙貝f・"■a MttM# ・s^cast. tr«*f<x■Z iaUMM H«HI< i wscitnKCxefjha.・■•湘址■OMA)•Ixrr “0UD^KMNil u?(r«. M.|♦・H lateral •Uegh■trwvflr*r.・<OA£»: <y)i ・■z*・LWHkMtmeiuF • A电・AMM vwtlcal 材“心*F.霭.hAitn«ur）鸽心・做冷M3 ■WfT.^itMA*rat«nau«£n・亡・・•的MMi M* MWL9d y»^Mnine 6 s 铃第/；■打片Aai^«4dtt«ernW5，■助wml dU> •・&艸*・<I：EC■初HttHH ■摟<n 总覘.MAU:.口・"1出电m ・E 恂・U UDMAfltJM auf<ntn UD M«d ・■■戻■・"氏■■佥*rr ・ r ID R«F )tt kA<R*ti )tKOfelf LAMM ■久•<aM rwted r«9*t3Wf 刿.Xt-KW ・ tMMR. FBtf H«in«^■円・UMXKD ・. Iff*・M»Wf 计d *Lirf7NiMib<JSit ・・ITm<? 1 nr/,M*MaichMne<La<fe ・《 L£> •4«・・6G 卸*他 “•：《••"只•宀林版11・IB * CIJMUtaq cri ♦■电.介闿 F.・m f«A IMUM<♦号 5“«tx«•y •MUtWT«U««dC K MT •Huiei.・•山*・件debit 裁■ WGM■« MIKteaifMn* •f*»l*w«l»^9SVW«jBf« F •已■•flUIM ・ *• ■仏as歸qcnwnm ・・1只・・<1 t UP. t» •色••却VK K RM ・ n-a»»mn«u ratfM•-<B W GUdty cMriinatM« 已・・ ii •侨• to rm on zn a A « >Af Hui^iuLint L ・atBan ・ 片、E44"aCBMMM4-.fr«wY "屮etUr w«tr«Rl«足・ ■ Ml •色 C ・ MM4A» 6MV9U AIM ・M ■內"d ■呢▲曲K ・e ・ <-MXnd ・礙©JBWJWyrtlw Aff«f«r«» K «a«nc.wr*•« itur A••・:a 色a* «»l-w fulcnao<HtN电 GKVMM,入■・ <«t< ・Mn tuiA CBM I ORs ■■♦ • v>A0Mir<r<i«iMv •Dl« 8-02”**4 对"M» U» 0W r flWWimfMlMia. <MM 几 ««Knwc«4mnMHM«u ・ ”r ・・a-aa— t<ai^«ae«a» g 5 W"FML ・・1 z ■■ *wml rm MTV ■们債負•pniMif •“肌，叩nay” ■•斤g ・WB■F ts-toui <•>•ernal rrva>*«e« fr ・ Mrtkaa <• CMOUX> HtinttAZMrtIMIt-ot ta ・«・・用・・rwiml rm«««M« "■ M>ciicm t« i«r geq 初导zxrMMH umizfwrHMia 稈n ・》* «■F oy ra•leeirottftieII6W tlKflMM•HIM 时〈"IHteoj 电IL ■•*it 样电卜■W5« ♦■・<UMK «i•>«•«»>tt«0 f AttriMKW<hlt«!k«lIMDa^flC=AMs*X.k«m•toWiciMt.ux 电UD "■龙 i n ・w ■仇❻■ ・MMVMm Met*OU1M I ♦K« <*V Rg «■> ・4H ic MRtV MMt &ArW<nvf • ■•羔»I-4UW0” xm«sMX «A台RMKX«*f ・宜久桂找电“丘： 仿一筹-■筑8-27 Kn«0iiffuuon c<«cii«nceA PK<im«<・ ttfiiPWftMXMX ・ W d r «0电/的■事・・A N - ffV V 贰(U ・・PR 电itttA ・ W 伯电•住・ UH 眄存牛.的电*飢1«1•故电・K ■左e-28 ”电Hltix®T chance of reaistarC WWfimi : <1AQ **4*^M^九.Mtwn Lwn«tx«f伽 g9113j ■宅希IHM «・沏♦论eS^trwl K«prr QsvrHslgUIMI W 能MttifW"心.杯》化谕巾" 紡b ・门仔询尤<»4丰什G ・第 >alHHy WMJW A ”;・,lw hngh*nw« CHLtlg 发•件卜・ 'iHWMMtrtAntMZlt.W!*W i a Mtn A •rtcivalioa・的眾•ffllKK ・ *P*-<«e# •a"发QReicHaiion *Eus 播兀炭❷岌出胁兒的* 现父丘・立您比ftlft ・mat<A«rmivicn««MH Krt tCitli ♦« » * ・嵋.算REM 比•・ «MtWWT 粗ttl ・ A ・■w mmen pZ »JLBXtMXfilMK. GA 勿 rat-»-« fM. 呦Full IH4th at HalfI<IIM c»nn«i«» r«m^«a ・e 位刃匚IHE •帝«• «awu tfficienty<rt*) ・utto 。
半导体专业术语(中英对照)
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半导体专业词汇汇总
2023最新整理收集 do something
Semiconductor：半导体
MFG (Manufacture)：制造部
Wafer ：晶片
Boule：晶锭
Ingot：晶棒
As cut wafer：毛片
Particle：含尘量/微尘粒子 Pod ：晶盒 Cassette： 晶片夹 Clean Room：洁净室（Class 100000 以上） MO（ Miss Operation）：误操作 Process Engineering：制程工程师，简称为P.E.简单称为制程。 Equipment Engineering：设备工程师，简称为E.E.简单称为设备。
关于照明技术和光电半导体的术语和定义
原子层化学气相沉淀
ALE
ALE
原子层外延，以单个原子层为增量的晶体生长。
AlGaAs
AlGaAs
铝镓砷
AllnGaP
AllnGaP
铝铟镓磷
AllnGaP chip (LED)
AllnGaP芯片(LED)
基于铝铟镓磷化物的芯片/LED。
Alphanumeric Display
字母数字显示器
数字和字母的读出装置。
质心波长
电磁（光）发射光谱的波长，其中一半能量波长较短，另一半能量波长较长。
CFD (Computional Fluid Dynamics) analysis
CFD（计算流体动力学）分析
公认的流体动力学方法，目的在于通过数值法解决流体动力学问题。
Charge Carrier
电荷载流子
固态装置的晶体中的电荷载体，如电子或空穴。
有源矩阵液晶显示器(AMLCD)
有源矩阵显示器由以下材料组成：一块装有薄膜晶体管(TFT)的背面玻璃基板和一块带色彩过滤板的前面玻璃基板形成夹层，中间填充液晶(LC)材料。背面基板上的薄膜晶体管阵列连接到电子驱动器，电子驱动器则从连接到主系统的电脑芯片接收脉冲。每个TFT均用作激活像素的通断开关，迫使液晶体扭曲以允许光通过并在显示器上形成图像。
CBE
CBE
化学束外延
CCD-sensor
CCD传感器
（用于数码相机）电荷耦合器件，通常由光敏光电二极管矩阵组成。这些光电二极管所占面积越大，光敏度越高，CCD传感器的动态范围越广。光电二极管的数量越多，CCD的分辨率越高。
CCFL (Cold Cathode Fluorescent Lamps)
CCFL（冷阴极荧光灯）
半导体厂务专业名词中英文对照表
半导体厂务专业名词中英文对照表Semiconductor Factory Terminologies English-Chinese Comparison1. Semiconductor - 半导体2. Wafer - 晶圆3. Die - 芯片4. Clean Room - 净化室5. Lithography - 光刻6. Etching - 蚀刻7. Deposition - 沉积8. Patterning - 图形化9. Doping - 掺杂10. Metrology - 计量11. Inspection - 检验12. Test - 测试13. Assembly - 组装14. Packaging - 封装15. Back-End - 后端16. Front-End - 前端17. Sputtering - 粒子沉积18. Chemical Vapor Deposition (CVD) - 化学气相沉积19. Physical Vapor Deposition (PVD) - 物理气相沉积20. Thin Film - 薄膜21. Photolithography - 光刻技术22. Ion Implantation - 离子注入23. Diffusion - 扩散24. Planarization - 平坦化25. Ion Etching - 离子蚀刻26. Circuit - 电路27. Integrated Circuit (IC) - 集成电路28. Silicon - 硅29. Gallium Arsenide (GaAs) - 砷化镓30. Silicon dioxide - 二氧化硅This English-Chinese comparison table provides a comprehensive list of key terminologies used in the semiconductor industry. These terms are essential for professionals working in semiconductor manufacturing facilities to communicate effectively with their Chinese counterparts. From basic concepts like wafer and die to advanced processes such as lithography and etching, having a clear understanding of these terms in both languages is crucial for successful collaboration and operations in a semiconductor factory.。
关于照明技术和光电半导体的术语和定义
Chemical Vapor Deposition (CVD)
化学气相沉淀(CVD)
在高温下使绝缘薄膜或金属沉积到晶圆上的气态过程。
Chip
芯片
一种半导体材料，单晶性质，可形成一个或多个有源或无源固态装置。
Chip Carrier
芯片载体
一种超薄元件封装，通常为正方形，其有源芯片腔或安装面积占封装尺寸大部分，封装的四面都有外部连接点。
Black package
黑色封装
对于视频墙应用或可变信息标志，黑色封装的LED比白色封装的LED提供的对比度更高和反射更少。
BLUs (Backlight units)
BLU（背光模组）
LCD（液晶显示屏）背光照明的模块，采用边缘或直接/全部原理（边缘= LED固定在LCD面板侧面；直接/全部=完全采用LED背光照明的LED屏幕）。
Alternating Current (AC)
交流电(AC)
定期逆转方向的电流，通常每秒逆转多次。
Ammeter
电流计
用于测量电路某个部分的电流量的仪表。
Amorphous
非晶体
在提纯加工前无明显原子排列的材料，如塑料和硅。
Analog Display
模拟显示器
提供沿预定校准路径进行的连续、明亮的移动动作的读数装置，用于显示所需测量。
Bipolar
双极
一种半导体装置，其中的空穴和电子均充当载流子。任何负载电流穿过PN结的装置都是双极器件。
Bipolar transistor
双极晶体管
两个PN结形成的有源半导体装置，功能在于放大或切换电子电流。双极晶体管包含三个部分：发射器、基片和集电极。
半导体 行业术语
半导体行业术语
1.芯片：一种半导体材料制成的微型电子元件，可用于存储和处理数据。
2. 集成电路：一种由许多芯片组成的电子元件，它能够实现许多复杂的功能。
3. 逻辑门：一种用于控制逻辑运算的电子元件，包括与门、或门、非门等。
4. MOSFET：金属氧化物半导体场效应管，是一种常见的半导体器件，可用于控制电流和电压。
5. PN结：一种半导体器件结构，由P型半导体和N型半导体组成，可用于制造二极管、光电器件等。
6. 晶体管：一种基于半导体材料的电子元件，可用于放大和开关电路。
7. 闪存：一种用于存储数据的半导体存储器，可用于制造USB 闪存驱动器、SSD等。
8. CMOS：互补金属氧化物半导体技术，是一种用于制造集成电路的主流技术。
9. MEMS：微电子机械系统，是一种将微型机械和电子技术相结合的技术。
10. LED：发光二极管，是一种半导体器件，可用于制造照明产品、指示灯等。
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LED 封装体及支架镀层上的任何颜色变化。 变色 能直接引起视觉的光学辐射。其波长范围一 般在 380－780nm。 以辐射形式发射、传播或接收的功率，单位 为 W。 可见光 辐射通量;辐射 功率
六、光度量术语
6-03
从辐射通量Φ e 汇出的量，该量是根据辐射对 光通量 CIE 标准亮度观测者的作用来评价的。 对于明 视觉：
定义 带有正负极引线、适用于穿孔直插安装工艺 的 LED。 正负电极在封装基板上、适用于表面贴装工 艺的 LED。
单芯片工作电流在 100mA（含 100mA）以下 小功率 LED 的发光二极管。 工作电流在 100mA 以上的发光二极管。 采用 LED 显示数字或字符的器件或模块。 高功率 LED LED 尼士管
辐射照度 照度 平均照度 辐射发散度 (辐射出射度)
光通量的 SI 单位：由一个发光强度为 1cd 的 流明 均匀点光源在单位立体角（球面度）内发射 的光通量。 （第 9 届国际度量大会， 1948 年） 。 等效定义：频率为 540×1012 赫兹、辐射通量 为 1/683 瓦特的单色辐射束的光通量。
5-06
LED 封装
LED package
5-07 5-08 5-09 5-10 5-12
灌封 塑封 点胶封装 热沉 共晶焊
embedding moulding coating package heat sink eutectic bonding
在 LED 芯片与支架或热沉中间放置一种合金 共金结合 焊料（例如金或铅锡等），通过加温加压使 之共熔的一种焊接方法。 无色透明的一种导电或非导电的胶状材料。 通过高温加热，使封装环氧固化。 切断 LED 支架的连筋。 LED 封装体内存在的任何局部空隙。 透明介质 固化 切脚 气泡
3
海峡两岸半导体照明术பைடு நூலகம்对照表 台湾地区 术语
序号
大陆术语
英文
定义 杂质所引起的无序凹坑。
5-19 6-01 6-02
变色 可见光 辐射通量； 辐射功率 Фe；Ф；P 光通量 Фv；Ф
discoloration visible light radiant flux radiant power luminous flux
采用 LED 显示数字、符号或图形的器件或模 LED 显示器 块。 采用 LED 作光源，为被动显示提供光源的 LED 器件或模块。 提供引线端子和芯片焊接区域的一个或一组 零件。 LED 背光源
支架； 框架 点胶 装架 烧结 引线键合； 压焊
leadframe coat die attachment (die bond) sinter wire bonding
发光二极管芯片 light-emitting diode chip LED 模块 LED module
具有 PN 结结构、有独立正负电极、加电后可 发光二极管芯 辐射发光的分立半导体芯片。 片(粒) 由单个或多个发光二极管芯片和驱动电路、 控制电路封装在一起、带有连接接口并具有 发光功能且不可拆卸的整体单元。 由 LED 或 LED 模块和电子元器件组合在一 起，具有一定功能并可维修或拆卸的组合单 元。 LED 模块
海峡两岸
信息产业技术标准论坛
半导体照明术语对照表
2009 年 2 月
海峡两岸半导体照明术语对照表 台湾地区 术语 半导体
序号
大陆术语
英文
定义
一、基本术语 1-01 半导体 semiconductor 两种载流子引起的总电导率通常在导体和绝 缘体之间的一种材料，这种材料中的载流子 浓度随外部条件改变而变化。 其基本特性是由在半导体中的载流子流动所 决定的器件。
二、LED 类型 2-01 2-02 单色光 LED 白光 LED monochromatic light LED white light LED 发出单一颜色光的 LED，有红色、绿色、蓝 单色 LED 色、黄色、紫色等。 用单色芯片加荧光粉或多色芯片组合合成白 色光的 LED。
2
白光 LED
海峡两岸半导体照明术语对照表 台湾地区 术语 炮弹型封装 LED 表面封装型 LED
辐射率(辐射 亮度)
6-11
光亮度 LV 辐射照度 Ee；E 光照度 Ev ；E 平均照度 Eo 辐射出射度 M e；M 流明 lm
luminance
辉度
6-12 6-13 6-14 6-15 6-16
irradiance illuminance average illuminance radiant Exitance lumen
注：除非另有规定，光轴即为最大辐射能的方向。
6-18 6-20
视效函数(光 见度) 眩光
6-21 6-22 6-23
光轴 半强度角 θ 1/2 立体角
optical axis half-intensity angle solid angle
光轴 半功率发射角 (半强度角)
1-05
solid state lighting
采用固体发光材料，如发光二极管（LED）、 固态照明 场致发光（EL）、有机发光（OLED）等作为 光源的照明方式。 半导体照明 基板 磊芯片
1-06 1-07 1-08 1-09 1-10
半导体照明 衬底 外延片
semiconductor lighting 采用 LED 作为光源的照明方式。 substrate epitaxial wafer 用于外延沉积、扩散、离子注入等后序工艺 操作的基体单芯片。 用外延方法制备的具有电致发光功能的结构 片。
海峡两岸半导体照明术语对照表 台湾地区 术语
序号
大陆术语
英文
定义
LED 发光强度,可以分别用符号 ILED Ae、 ILED Av、 ILED Be、 ILED Bv 来表示。
6-10
辐射亮度
radiance
给定点的辐射束元在给定方向上的辐射强 度，与辐射束元垂直于指定方向上的面积之 比。其数值与辐射面的性质有关，并且随方 向而变化，单位为 W/(m2.sr)。 给定点的光束元在给定方向上的发光强度， 与光束元垂直于指定方向上的面积之比。单 位为 cd/m2。 包含该点的面元上所接收的辐射通量与该点 面元面积之比。单位为 W/m2。 包含该点的面元上所接收的光通量，与该点 面元面积之比。单位为 lx 或 lm/m2。 被照表面接收到的光通量与接收面积的比 值，单位为 lx 或 lm/m2。 离开包含该点面元的辐射通量，与该点面元 面积之比。单位：W/m2。
支架
在 LED 支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。 点胶 将 LED 芯片安装在涂有银胶或绝缘胶的 PCB 固晶 或 LED 支架相应的位置上。 通过高温加热，使银胶固化。 固化
为了形成奥姆接触用金属引线连接 LED 芯片 打线 电极与支架（框架）的引出端。 将 LED 芯片和焊线包封起来， 并提供电连接、 LED 封装 出光和散热通道、机械和环境保护及外形尺 寸。 采用模条灌装成型的封装方式。 采用模压成型的封装方式。 采用点胶成型的封装方式，也称软包封。 与功率芯片粘接在一起的可以传导热量的金 属或其它材料的导热体。 嵌入 模具成型 点胶封装 散热片
6-17
辐射效率 η
e
radiant efficiency
辐射源发射的辐射功率 Фe 与其消耗的电功率 辐射效率 P 的比值。
6-18
luminous efficacy 发光效能； 光源发射的光通量 ФV 与其消耗的电功率 P 的 发光效率 光源的光视效能 luminous efficacy of a 比值，单位为 lm/W。 source η V 辐射的光视效能 luminous efficacy of radiation K 眩光 glare 光源发射的光通量 ФV 与其发射的辐射功率 Фe 的比值，单位为 lm/W。 由于光亮度的分布或范围不恰当，或对比度 太强，而引起不舒适感或分辨细节或物体的 能力减弱的视觉条件。 关于主辐射能分布中心的一条直线。
1-12
LED 组件
LED discreteness
LED 元组件
1-13 1-14 1-15 1-16
内量子效率 出光效率 注入效率 外量子效率
inner quantum efficiency light extraction efficiency Injection efficiency outer quantum efficiency
5-13 5-14 5-15 5-16 5-17 5-18
透明介质 固化 切筋 气泡 黑点 划痕
transparent medium cure dam-bar cut air bladder stain nick
外来异物在 LED 封装体中所形成的点状体。 黑点 LED 封装体表面上的机械划伤、压伤和外界 刮痕
1-02 1-03 1-04
半导体器件 [半导体]二极管 发光二极管； LED 固态照明
semiconductor device
半导体组件 (半导体)二极 管 发光二极管
(semiconductor) diode 具有非对称的电压电流特性的两引出端半导 体器件。 light-emitting diode 当被电流激发时通过传导电子和光子的再复 合产生受激辐射而发出非相干光的一种半导 体二极管。
有源区产生的光子数与所注入有源区的电子- 内部量子效率 空穴对数之比。 逸出 LED 结构的光子数与有源区产生的光子 出光效率 数之比。 注入 LED 的电子-空穴对数与注入有源区的 电子-空穴对数之比。 注入效率
逸出 LED 结构的光子数与注入 LED 的电子- 外部量子效率 空穴对数之比，等于内量子效率与出光效率 和注入效率的乘积。
6-09
averaged luminous 平均发光强度 ILED Ae、ILED Av、 Intensity ILED Be、ILED Bv