4 高分子导体与半导体PPT课件
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1.正向特性 图1-10所示曲线①部分为正向特性。在二极管两端加正向
电压较低时,由于外电场较弱,还不足以克服PN结内电场 对多数载流了扩散运动的阻力,所以正向电流很小,几乎为 零。此时二极管呈现出很大的电阻。
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1.2 半导体二极管
2.反向特性 图1-10所示曲线②部分为反向特性。二极管两端加上反向
电压时,由于少数载流子漂移而形成的反向电流很小,且在 一定的电压范围内基本上不随反向电压而变化,处于饱和状 态,所以这一段电流称为反向饱和电流IR。硅管的反向饱和 电流约在1μA至几十微安,锗管的反向饱和电流可达几百微 安,如图1-10的OC(OC’)段所示。 3.反向击穿特性 如图1-10中曲线③部分所示,当反向电压增加到一定数值 时,反向电流急剧增大,这种现象称为一极管的反向击穿。 此时对应的反向击穿电压用UBR表示。
1.4.2 晶体三极管的工作原理
三极管有两个按一定关系配置的PN结。由于两个PN结之间 的互相影响,使三极管表现出和单பைடு நூலகம்PN结不同的特性。三 极管最主要的特性是具有电流放大作用。下面以NPN型二极 管为例来分析。
1.电流放大作用的条件 三极管的电流放大作用,首先取决于其内部结构特点,即发
射区掺杂浓度高、集电结面积大,这样的结构有利于载流子 的发射和接收。而基区薄且掺杂浓度低,以保证来自发射区 的载流子顺利地流向集电区。其次要有合适的偏置。三极管 的发射结类似于二极管,应正向偏置,使发射结导通,以控 制发射区载流子的发射。而集电结则应反向偏置,以使集电 极具有吸收由发射区注入到基区的载流子的能力,从而形成 集电极电流。
1.1 半导体基础知识
1.1.1本征半导体
不含杂质且具有完整品体结构的半导体称为本征半导体。最 常用的本征半导体是锗和硅品体,它们都是四价元素,在其 原子结构模型的最外层轨道上各有四个价电子。在单品结构 中,由于原子排列的有序性,价电子为相邻的原子所共有, 形成了如图1-1所示的共价键结构,图中的+4表示四价元素 原子核和内层电子所具有的净电荷。本征半导体在温度 T=0K(热力学温度)目没有其他外部能量作用时,其共价键 中的价电子被束缚得很紧,不能成为自由电子,这时的半导 体不导电,在导电性能上相当于绝缘体。但是,当半导体的 温度升高或给半导体施加能量(如光照)时,就会使共价键中 的某些价电子获得足够的能量而挣脱共价键的束缚,成为自 由电子,同时在共价键中留下一个空位,这个现象称为本征 激发,如图1-2所示,自由电子是本征半导体中可以参与导 电的一种带电粒子,叫做载流子。
电压较低时,由于外电场较弱,还不足以克服PN结内电场 对多数载流了扩散运动的阻力,所以正向电流很小,几乎为 零。此时二极管呈现出很大的电阻。
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1.2 半导体二极管
2.反向特性 图1-10所示曲线②部分为反向特性。二极管两端加上反向
电压时,由于少数载流子漂移而形成的反向电流很小,且在 一定的电压范围内基本上不随反向电压而变化,处于饱和状 态,所以这一段电流称为反向饱和电流IR。硅管的反向饱和 电流约在1μA至几十微安,锗管的反向饱和电流可达几百微 安,如图1-10的OC(OC’)段所示。 3.反向击穿特性 如图1-10中曲线③部分所示,当反向电压增加到一定数值 时,反向电流急剧增大,这种现象称为一极管的反向击穿。 此时对应的反向击穿电压用UBR表示。
1.4.2 晶体三极管的工作原理
三极管有两个按一定关系配置的PN结。由于两个PN结之间 的互相影响,使三极管表现出和单பைடு நூலகம்PN结不同的特性。三 极管最主要的特性是具有电流放大作用。下面以NPN型二极 管为例来分析。
1.电流放大作用的条件 三极管的电流放大作用,首先取决于其内部结构特点,即发
射区掺杂浓度高、集电结面积大,这样的结构有利于载流子 的发射和接收。而基区薄且掺杂浓度低,以保证来自发射区 的载流子顺利地流向集电区。其次要有合适的偏置。三极管 的发射结类似于二极管,应正向偏置,使发射结导通,以控 制发射区载流子的发射。而集电结则应反向偏置,以使集电 极具有吸收由发射区注入到基区的载流子的能力,从而形成 集电极电流。
1.1 半导体基础知识
1.1.1本征半导体
不含杂质且具有完整品体结构的半导体称为本征半导体。最 常用的本征半导体是锗和硅品体,它们都是四价元素,在其 原子结构模型的最外层轨道上各有四个价电子。在单品结构 中,由于原子排列的有序性,价电子为相邻的原子所共有, 形成了如图1-1所示的共价键结构,图中的+4表示四价元素 原子核和内层电子所具有的净电荷。本征半导体在温度 T=0K(热力学温度)目没有其他外部能量作用时,其共价键 中的价电子被束缚得很紧,不能成为自由电子,这时的半导 体不导电,在导电性能上相当于绝缘体。但是,当半导体的 温度升高或给半导体施加能量(如光照)时,就会使共价键中 的某些价电子获得足够的能量而挣脱共价键的束缚,成为自 由电子,同时在共价键中留下一个空位,这个现象称为本征 激发,如图1-2所示,自由电子是本征半导体中可以参与导 电的一种带电粒子,叫做载流子。
半导体基础知识PPT培训课件
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目录
• 半导体简介 • 半导体材料 • 半导体器件 • 半导体制造工艺 • 半导体技术发展趋势 • 案例分析
半导体简介
01
半导体的定义
总结词
半导体的定义
详细描述
半导体是指在常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,常见的半导体材 料有硅、锗等。
半导体的特性
总结词
化合物半导体具有宽的禁带宽度和高 的电子迁移率等特点,使得化合物半 导体在光电子器件和高速电子器件等 领域具有广泛的应用。
掺杂半导体
掺杂半导体是在纯净的半导体中掺入其他元素,改变其导电 性能的半导体。
掺杂半导体的导电性能可以通过掺入不同类型和浓度的杂质 来调控,从而实现电子和空穴的平衡,是制造晶体管、集成 电路等电子器件的重要材料。
掺杂的目的是形成PN结、调控载流 子浓度等,从而影响器件的电学性能。
掺杂和退火的均匀性和控制精度对器 件性能至关重要,直接影响最终产品 的质量和可靠性。
半导体技术发展趋势
05
新型半导体材料
硅基半导体材料
宽禁带半导体材料
作为传统的半导体材料,硅基半导体 在集成电路、微电子等领域应用广泛。 随着技术的不断发展,硅基半导体的 性能也在不断提升。
半导体制造工艺
04
晶圆制备
晶圆制备是半导体制造的第一步,其目的是获得具有特定晶体结构和纯度的单晶硅 片。
制备过程包括多晶硅的提纯、熔炼、长晶、切磨、抛光等步骤,最终得到可用于后 续工艺的晶圆。
晶圆的质量和表面光洁度对后续工艺的成败至关重要,因此制备过程中需严格控制 工艺参数和材料质量。
薄膜沉积
输入 标题
详细描述
集成电路的制作过程涉及微电子技术,通过一系列的 工艺步骤,将晶体管、电阻、电容等电子元件集成在 一块硅片上,形成复杂的电路。
目录
• 半导体简介 • 半导体材料 • 半导体器件 • 半导体制造工艺 • 半导体技术发展趋势 • 案例分析
半导体简介
01
半导体的定义
总结词
半导体的定义
详细描述
半导体是指在常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,常见的半导体材 料有硅、锗等。
半导体的特性
总结词
化合物半导体具有宽的禁带宽度和高 的电子迁移率等特点,使得化合物半 导体在光电子器件和高速电子器件等 领域具有广泛的应用。
掺杂半导体
掺杂半导体是在纯净的半导体中掺入其他元素,改变其导电 性能的半导体。
掺杂半导体的导电性能可以通过掺入不同类型和浓度的杂质 来调控,从而实现电子和空穴的平衡,是制造晶体管、集成 电路等电子器件的重要材料。
掺杂的目的是形成PN结、调控载流 子浓度等,从而影响器件的电学性能。
掺杂和退火的均匀性和控制精度对器 件性能至关重要,直接影响最终产品 的质量和可靠性。
半导体技术发展趋势
05
新型半导体材料
硅基半导体材料
宽禁带半导体材料
作为传统的半导体材料,硅基半导体 在集成电路、微电子等领域应用广泛。 随着技术的不断发展,硅基半导体的 性能也在不断提升。
半导体制造工艺
04
晶圆制备
晶圆制备是半导体制造的第一步,其目的是获得具有特定晶体结构和纯度的单晶硅 片。
制备过程包括多晶硅的提纯、熔炼、长晶、切磨、抛光等步骤,最终得到可用于后 续工艺的晶圆。
晶圆的质量和表面光洁度对后续工艺的成败至关重要,因此制备过程中需严格控制 工艺参数和材料质量。
薄膜沉积
输入 标题
详细描述
集成电路的制作过程涉及微电子技术,通过一系列的 工艺步骤,将晶体管、电阻、电容等电子元件集成在 一块硅片上,形成复杂的电路。
导体半导体和绝缘体ppt课件
e me*ae
ae
e
m
* e
8e
3m
e mh*ah
e
ah mh*
6e
m
(5) dkh e
dt
dt e dkh
t
π
a 0
e
dkh
e
π a
THANK YOU
SUCCESS
2019/5/6
可编辑
18
2.结构变化引起的金属--绝缘体转变(Peierls转变)
设某金属,每个原胞有1个价电子,有一个半满的导带。
使原胞的晶格常量增大, 费密半径 kF 3nπ2 1 3
a n kF
半满的导带
满带
金属
绝缘体
例1:半导体材料的价带基本上填满了电子(近满带),价
带中电子能量表示式E(k)=-1.01610-34k2(J),其中能量顶点取 在价带顶,这时若k=1 106/cm处电子被激发到更高的能带(导
K
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s1
2.碱土金属
Be 1s2 2s2 Mg 1s2 2s2 2p6 3s2 Ca 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s2
ns电子只占一半能带,
为导体。
ns电子填满了ns能带,但 ns能带与上面能带形成能
带交叠,故仍为导体。
6.2.3 近满带和空穴
π a
导带
E
A
πk
a
E
A
πk
a
(2)有外电场
E
dk F dt
dk dt
1
F
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SUCCESS
2019/5/6
可编辑
18
2.结构变化引起的金属--绝缘体转变(Peierls转变)
设某金属,每个原胞有1个价电子,有一个半满的导带。
使原胞的晶格常量增大, 费密半径 kF 3nπ2 1 3
a n kF
半满的导带
满带
金属
绝缘体
例1:半导体材料的价带基本上填满了电子(近满带),价
带中电子能量表示式E(k)=-1.01610-34k2(J),其中能量顶点取 在价带顶,这时若k=1 106/cm处电子被激发到更高的能带(导
K
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s1
2.碱土金属
Be 1s2 2s2 Mg 1s2 2s2 2p6 3s2 Ca 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s2
ns电子只占一半能带,
为导体。
ns电子填满了ns能带,但 ns能带与上面能带形成能
带交叠,故仍为导体。
6.2.3 近满带和空穴
π a
导带
E
A
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a
E
A
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a
(2)有外电场
E
dk F dt
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1
F
1
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4 高分子导体与半导体
13
导电高分子
表5—1 材料导电率范围 材料 绝缘体 半导体 导 体 电导率 /Ω-1· -1 cm <10-10 10-10~102 102~108 >108 典 型 代 表 石英、聚乙烯、聚苯乙烯、聚四 氟乙烯 硅、锗、聚乙炔 汞、银、铜、石墨 铌(9.2 K)、铌铝锗合金(23.3K)、 聚氮硫(0.26 K)
导电高分子
导电高分子不仅具有由于掺杂而带来的金属特 性(高电导率)和半导体(p和n型)特性之外,还 具有高分子结构的可分子设计性,可加工性和密度 小等特点。为此,从广义的角度来看,导电高分子 可归为功能高分子的范畴。 导电高分子具有特殊的结构和优异的物理化学 性能使它在能源、光电子器件、信息、传感器、分 子导线和分子器件、电磁屏蔽、金属防腐和隐身技
1
导电高分子
导电性聚乙炔的出现不仅打破了高分子仅为绝 缘体的传统观念,而且为低维固体电子学和分子电 子学的建立打下基础,而具有重要的科学意义。上 述三位科学家因此分享2000年诺贝尔化学奖。
黑格小传 麦克迪尔米德小传 白川英树小传
2
导电高分子
所谓导电高分子是由具有共轭π键的高分子经 化学或电化学“掺杂”使其由绝缘体转变为导体的 一 类高分子材料。它完全不同于由金属或碳粉末与高 分子共混而制成的导电塑料。 通常导电高分子的结构特征是由有高分子链结 构和与链非键合的一价阴离子或阳离子共同组成。 即在导电高分子结构中,除了具有高分子链外,还 含有由“掺杂”而引入的一价对阴离子(p型掺杂) 或对阳离子(n型掺杂)。 3
5
导电高分子
1.2 材料导电性的表征 根据欧姆定律,当对试样两端加上直流电压V 时,若流经试样的电流为I,则试样的电阻R为:
V R I
(5—1)
电阻的倒数称为电导,用G表示:
导电高分子
表5—1 材料导电率范围 材料 绝缘体 半导体 导 体 电导率 /Ω-1· -1 cm <10-10 10-10~102 102~108 >108 典 型 代 表 石英、聚乙烯、聚苯乙烯、聚四 氟乙烯 硅、锗、聚乙炔 汞、银、铜、石墨 铌(9.2 K)、铌铝锗合金(23.3K)、 聚氮硫(0.26 K)
导电高分子
导电高分子不仅具有由于掺杂而带来的金属特 性(高电导率)和半导体(p和n型)特性之外,还 具有高分子结构的可分子设计性,可加工性和密度 小等特点。为此,从广义的角度来看,导电高分子 可归为功能高分子的范畴。 导电高分子具有特殊的结构和优异的物理化学 性能使它在能源、光电子器件、信息、传感器、分 子导线和分子器件、电磁屏蔽、金属防腐和隐身技
1
导电高分子
导电性聚乙炔的出现不仅打破了高分子仅为绝 缘体的传统观念,而且为低维固体电子学和分子电 子学的建立打下基础,而具有重要的科学意义。上 述三位科学家因此分享2000年诺贝尔化学奖。
黑格小传 麦克迪尔米德小传 白川英树小传
2
导电高分子
所谓导电高分子是由具有共轭π键的高分子经 化学或电化学“掺杂”使其由绝缘体转变为导体的 一 类高分子材料。它完全不同于由金属或碳粉末与高 分子共混而制成的导电塑料。 通常导电高分子的结构特征是由有高分子链结 构和与链非键合的一价阴离子或阳离子共同组成。 即在导电高分子结构中,除了具有高分子链外,还 含有由“掺杂”而引入的一价对阴离子(p型掺杂) 或对阳离子(n型掺杂)。 3
5
导电高分子
1.2 材料导电性的表征 根据欧姆定律,当对试样两端加上直流电压V 时,若流经试样的电流为I,则试样的电阻R为:
V R I
(5—1)
电阻的倒数称为电导,用G表示:
第四章半导体材料-PPT课件
h
并非所有半导体都能发光。Si、Ge不发光。由能 带结构决定。间接能带结构的半导体不发光。直接能带 结构的半导体才发光。(发光材料一章介绍) Si、Ge是间接能带结构。Ⅲ-Ⅴ族化合物如GaAs、 InP是直接能带,可以发光,被用作激光器和发光管。
目前,科学家正努力寻找Si发光的方法,如Si纳米 结构、超晶格。若成功,将使微电子器件和光电子器 件集中在一个硅片上,能大大提高效率、降低成本, 称为光电集成。
统称为半导体微结构材料(人工材料)
A B 异质结—两种不同半导体材料组成的结 量子阱—两个同样异质结背对背 ABA B ABA B 超晶格—两种或以上薄层周期性交替 生长。
半导体中自由电子局限于一个平面内运动——二维 电子气 理论上证明:二维运动电子发射光比 体材料三维运动电子发光更集中,更适合 做激光器,还有其他应用。 可以选择不同材料,设计具有不同禁带宽度和光 学性质的量子阱、超晶格制作新型光电器件——称为能 带裁剪工程。 二、超晶格种类 1、组分超晶格 不同半导体材料薄膜堆垛而成。
Si Si Si
Si
Si中掺5价P,P取代Si原子。4个 价电子与Si组成共价键。第5个价电 子多余,输送到导带上成为自由电 子。导带中电子导电。 产生的自由电子浓度约等于杂质 原子浓度(可控)。
导带
Si Si
e
Si
P
Si
导带
P
P
施主
P
P
n型半导体
价带
P
P
施主
P
P
价带
P称为施主杂质,表示能给出一个价电子。
当T升高,电子激发到 导带,在价带留下空穴。在 电场作用下,导带中电子和 价带中空穴均导电,称为本 征导电。
半导体基础知识PPT幻灯片课件
流为Izmax 。
i
I zmax
U ZW RL
25mA
1.2ui iR U zW 25R 10
——方程1
(1-37)
令输入电压降到下限 时,流过稳压管的电 流为Izmin 。
i
iL
R
ui
DZ
iZRL uo
i
I
zm in
U ZW RL
10mA
0.8ui iR U zW 10R 10
在常温下,由于热激发,使一些价电子获 得足够的能量而脱离共价键的束缚,成为自由电 子,同时共价键上留下一个空位,称为空穴。
(1-9)
空穴
+4
+4
+4
+4
自由电子 束缚电子
(1-10)
2.本征半导体的导电机理
本征半导体中存在数量相等的两种载流子,即 自由电子和空穴。
+4
+4
+4
+4
在其它力的作用下, 空穴吸引附近的电子 来填补,这样的结果 相当于空穴的迁移, 而空穴的迁移相当于 正电荷的移动,因此 可以认为空穴是载流 子。
(1-43)
1.4.2 电流放大原理
基区空穴
向发射区
的扩散可
忽略。
B
进 少部入分P区与R的B基电区子的
空穴复合,形成
电流IBEE,B 多数
扩散到集电结。
C
N
P
IBE
N
E IE
发射结正 偏,发射 区电子不 断向基区 扩散,形 成发射极
电流EICE。
(1-44)
集电结反偏, 有少子形成的
导电高分子材料PPT课件
复合型
将碳素、金属、金属氧化 物等导电粒子引入到绝缘高分 子材料基材中,得到具有导电 性能的多相复合体系。
不仅具有由于掺杂而带来的 金属特性(高电导率)和半导体
在较大范围内调节电学和力 学性能,成本较低,易于成型
(p和n型)特性之外,还具有分
和大规模生产。
子可设计性,可加工性和密度小
等特点。
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•对阴离子和对阳离子与高分子链之间没有化学键合,仅
起到正负电荷平衡的作用
精选PPT课件
9 02
导电高分子
•纯净无缺陷的理想π共轭结构高分子:绝缘体,不导电。
•导电行为的产生:激发使π共轭结构出现缺陷,最常用的方法是掺杂 (doping),其他有光激发等物理方法。
•导电高分子的掺杂:在π共轭结构高分子链上发生电荷转移或氧化还
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10 02
导电高分子
•导电高分子的掺杂 VS 无机半导体的掺杂
名称
掺杂本质 掺杂量 可逆性
无机半导体中的掺杂
本质是原子的替代 极低:万分之几 没有脱掺杂过程
导电高分子中的掺杂
是一种氧化还原过程,通过电荷 的转移实现
高:一般在百分之几到百分之几 十之间
存在脱掺杂, 掺杂过程是完全可逆的
导电高分子应用
2005年一月初,韩国三星电子宣布开发出世界上最大的5英寸塑料平板 显示器,这款极具弹性的显示器用极具弹性的塑料取代了刚性玻璃。可以 弯曲,不会破碎,其外部设计能自由修改。一月末,韩国三星电子再次宣 布,该公司已经正式推出了一款为手机、MP3播放器和PDA等量身打造的5 英寸弹力塑料屏幕。
阳能材料的替代产品。
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20 02
导 电 高 分 子 聚苯撑/聚对苯 Poly(p-phenylene)
20-半导体基础知识PPT模板
电工电子技术
半导体之所以被作为制造电子器件的主要材料在于它 具有热敏性、光敏性和掺杂性。
热敏性:是指半导体的导电能力随着温度的升高而迅 速增加的特性。利用这种特性可制成各种热敏元件,如热 敏电阻等。
光敏性:是指半导体的导电能力随光照的变化有显著 改变的特性。利用这种特性可制成光电二极管、光电.1 半导体的基本特性
根据导电性能的不同,自然界的物质大体可分为导体、 绝缘体和半导体三大类。其中,容易导电、电阻率小于 10-4Ω·cm的物质称为导体,如铜、铝、银等金属材料;很难 导电、电阻率大于104Ω·cm的物质称为绝缘体,如塑料、橡 胶、陶瓷等材料;导电能力介于导体和绝缘体之间的物质 称为半导体,如硅、锗、硒及大多数金属氧化物和硫化物 等。
(2)反向偏置
给PN结加反向偏置电压,即N区接电源正极,P区接电源 负极,称PN结反向偏置,如下图所示。
由于外加电场与内电场的 方向一致,因而加强了内电场, 促进了少子的漂移运动,阻碍 了多子的扩散运动,使空间电 荷区变宽。此时,主要由少子 的漂移运动形成的漂移电流将 超过扩散电流,方向由N区指向 P区,称为反向电流。由于常温 下少子的数量很少,所以反向 电流很小。此时,PN结处于截 止状态。
(2)P型半导体
在本征半导体硅(或锗)中掺入微量三价元素硼,由 于硼原子只有3个价电子,它与周围硅原子组成共价键时, 因缺少一个价电子而形成一个空穴,相邻的价电子很容易 填补这个空穴,形成新的空穴。这种半导体导电主要靠空 穴,所以称为空穴型半导体或P型半导体,如下图所示。P 型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子。
2.PN结的单向导电性
(1)正向偏置
给PN结外加正向偏置电压,即P区接电源正极,N区接电 源负极,称PN结为正向偏置,如下图所示。
半导体基础知识(48)PPT课件
结电容: Cj Cb Cd
结电容不是常量!若PN结外加电压频率高到一定 程度,则失去单向导电性!
个人观点供参考,欢迎讨论!
2、本征半导体中的两种载流子
运载电荷的粒子称为载流子。 外加电场时,带负电的自由 电子和带正电的空穴均参与导 电,且运动方向相反。由于载 流子数目很少,导电性很差。 温度升高,热运动加剧,载 流子浓度增大,导电性增强。 绝对温度0K时不导电。
载流子ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
二、杂质半导体
1、N型半导体
5
多数载流子
空穴比未加杂质时的数目 多了?少了?为什么?
四、PN结的电容效应
1、势垒电容 PN结外加电压变化时,空间电荷区的宽度将发生
变化,有电荷的积累和释放的过程,与电容的充放 电相同,其等效电容为势垒电容Cb。 2、扩散电容
PN结外加的正向电压变化时,在扩散路程中载 流子的浓度及其梯度均有变化,也有电荷的积累和 释放的过程,其等效电容为扩散电容Cd。
第二讲 半导体基础知识
一、本征半导体 二、杂质半导体 三、PN结的形成及单向导电性 四、PN结的电容效应
一、本征半导体
1、什么是半导体?什么是本征半导体?
导电性介于导体与绝缘体之间的物质为半导体。 导体--铁、铝、铜等金属元素等低价元素,其最外层电 子在外电场作用下很容易产生定向移动,形成电流。 绝缘体--惰性气体、橡胶等,其原子的最外层电子受原子 核的束缚力很强,只有在外电场强到一定程度才可能导电。 半导体--硅(Si)、锗(Ge),均为四价元素,它们原 子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。 本征半导体是纯净,晶体结构的半导体。
无杂质 稳定的结构
1、本征半导体的结构
共价键
由于热运动,具有足够能量 的价电子挣脱共价键的束缚
结电容不是常量!若PN结外加电压频率高到一定 程度,则失去单向导电性!
个人观点供参考,欢迎讨论!
2、本征半导体中的两种载流子
运载电荷的粒子称为载流子。 外加电场时,带负电的自由 电子和带正电的空穴均参与导 电,且运动方向相反。由于载 流子数目很少,导电性很差。 温度升高,热运动加剧,载 流子浓度增大,导电性增强。 绝对温度0K时不导电。
载流子ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
二、杂质半导体
1、N型半导体
5
多数载流子
空穴比未加杂质时的数目 多了?少了?为什么?
四、PN结的电容效应
1、势垒电容 PN结外加电压变化时,空间电荷区的宽度将发生
变化,有电荷的积累和释放的过程,与电容的充放 电相同,其等效电容为势垒电容Cb。 2、扩散电容
PN结外加的正向电压变化时,在扩散路程中载 流子的浓度及其梯度均有变化,也有电荷的积累和 释放的过程,其等效电容为扩散电容Cd。
第二讲 半导体基础知识
一、本征半导体 二、杂质半导体 三、PN结的形成及单向导电性 四、PN结的电容效应
一、本征半导体
1、什么是半导体?什么是本征半导体?
导电性介于导体与绝缘体之间的物质为半导体。 导体--铁、铝、铜等金属元素等低价元素,其最外层电 子在外电场作用下很容易产生定向移动,形成电流。 绝缘体--惰性气体、橡胶等,其原子的最外层电子受原子 核的束缚力很强,只有在外电场强到一定程度才可能导电。 半导体--硅(Si)、锗(Ge),均为四价元素,它们原 子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。 本征半导体是纯净,晶体结构的半导体。
无杂质 稳定的结构
1、本征半导体的结构
共价键
由于热运动,具有足够能量 的价电子挣脱共价键的束缚
《半导体材料》课件
解决策略
解决可靠性问题需要从材料的设计、制备、封装、测试等各个环节入手,加强质量控制和可靠性评估。
半导体材料的环境影响与可持续发展
环境影响
半导体材料的生产和使用过程中会对环境产生一定的影响,如能源消耗、废弃物处理等。
可持续发展
为了实现可持续发展,需要发展环保型的半导体材料和生产技术,降低能源消耗和废弃物排放,同时 加强废弃物的回收和再利用。
《半导体材料》ppt 课件
目录
CONTENTS
• 半导体材料简介 • 半导体材料的物理性质 • 常见半导体材料 • 半导体材料的制备与加工 • 半导体材料的发展趋势与挑战
01
半导体材料简介
半导体的定义与特性
总结词
半导体的导电能力介于导体和绝缘体 之间,其电阻率受温度、光照、电场 等因材料的制备技术
制备技术
为了获得高性能的半导体材料,需要 发展先进的制备技术。这包括化学气 相沉积、分子束外延、离子注入等。
技术挑战
制备技术面临的挑战是如何实现大规 模生产,同时保持材料的性能和均匀 性。
半导体材料的可靠性问题
可靠性问题
随着半导体材料的广泛应用,其可靠性问题越来越突出。这包括材料的稳定性、寿命、可靠性等方面的问题。
VS
电阻率
电阻率是衡量材料导电能力的物理量。半 导体的电阻率可以通过掺杂等方式进行调 控,从而实现对其导电性能的优化。
光吸收与发光特性
光吸收
半导体具有吸收光子的能力,当光子能量大于其能带间隙时,电子从价带跃迁至导带, 产生光电流。
发光特性
某些半导体在受到激发后可以发出特定波长的光,这一特性使得半导体在发光器件、激 光器等领域具有广泛应用。
离子束刻蚀
利用离子束对材料进行刻蚀,实现纳米级加工。
解决可靠性问题需要从材料的设计、制备、封装、测试等各个环节入手,加强质量控制和可靠性评估。
半导体材料的环境影响与可持续发展
环境影响
半导体材料的生产和使用过程中会对环境产生一定的影响,如能源消耗、废弃物处理等。
可持续发展
为了实现可持续发展,需要发展环保型的半导体材料和生产技术,降低能源消耗和废弃物排放,同时 加强废弃物的回收和再利用。
《半导体材料》ppt 课件
目录
CONTENTS
• 半导体材料简介 • 半导体材料的物理性质 • 常见半导体材料 • 半导体材料的制备与加工 • 半导体材料的发展趋势与挑战
01
半导体材料简介
半导体的定义与特性
总结词
半导体的导电能力介于导体和绝缘体 之间,其电阻率受温度、光照、电场 等因材料的制备技术
制备技术
为了获得高性能的半导体材料,需要 发展先进的制备技术。这包括化学气 相沉积、分子束外延、离子注入等。
技术挑战
制备技术面临的挑战是如何实现大规 模生产,同时保持材料的性能和均匀 性。
半导体材料的可靠性问题
可靠性问题
随着半导体材料的广泛应用,其可靠性问题越来越突出。这包括材料的稳定性、寿命、可靠性等方面的问题。
VS
电阻率
电阻率是衡量材料导电能力的物理量。半 导体的电阻率可以通过掺杂等方式进行调 控,从而实现对其导电性能的优化。
光吸收与发光特性
光吸收
半导体具有吸收光子的能力,当光子能量大于其能带间隙时,电子从价带跃迁至导带, 产生光电流。
发光特性
某些半导体在受到激发后可以发出特定波长的光,这一特性使得半导体在发光器件、激 光器等领域具有广泛应用。
离子束刻蚀
利用离子束对材料进行刻蚀,实现纳米级加工。
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5
导电高分子
导电高分子自发现之日起就成为材料科学的研 究热点。经过近三十年的研究,导电高分子无论在 分子设计和材料合成、掺杂方法和掺杂机理、导电 机理、加工性能、物理性能以及应用技术探索都已 取得重要的研究进展,并且正在向实用化的方向迈 进。本章主要介绍导电高分子的结构特征和基本的 物理、化学特性,并评述导电高分子的重要的研究 进展。
9
导电高分子
材料的导电性是由于物质内部存在的带电粒子 的移动引起的。这些带电粒子可以是正、负离子, 也可以是电子或空穴,统称为载流子。载流子在外 加电场作用下沿电场方向运动,就形成电流。可 见,材料导电性的好坏,与物质所含的载流子数目 及其运动速度有关。
10
导电高分子
假定在一截面积为S、长为l的长方体中,载流 子的浓度(单位体积中载流子数目)为N,每个载 流子所带的电荷量为q。载流子在外加电场E作用 下,沿电场方向运动速度(迁移速度)为ν,则单 位时间流过长方体的电流I为:
15
导电高分子
1.3 导电高分子的类型 按照材料的结构与组成,可将导电高分子分成
两大类。一类是结构型(本征型)导电高分子,另 一类是复合型导电高分子。 1.3.1 结构型导电高分子
结构型导电高分子本身具有“固有”的导电性, 由聚合物结构提供导电载流子(包括电子、离子或 空穴)。这类聚合物经掺杂后,电导率可大幅度提 高,其中有些甚至可达到金属的导电水平。
表5—1列出了这四大类材料的电导率及其典型 代表。
14
导电高分子
表5—1 材料导电率范围
材料 电导率 /Ω-1·cm-1
典型代表
绝缘体 半导体 导体 超导体
<10-10 10-10~102 102~108
>108
石英、聚乙烯、聚苯乙烯、聚四 氟乙烯
硅、锗、聚乙炔
汞、银、铜、石墨
铌(9.2 K)、铌铝锗合金(23.3K)、 聚氮硫(0.26 K)
6
导电高分子
1.2 材料导电性的表征 根据欧姆定律,当对试样两端加上直流电压V
时,若流经试样的电流为I,则试样的电阻R为:
RV I
(5—1)
电阻的倒数称为电导,用G表示:
G I V
(5—2)
7
导电高分子
电阻和电导的大小不仅与物质的电性能有关, 还与试样的面积S、厚度d有关。实验表明,试样的 电阻与试样的截面积成反比,与厚度成正比:
16
导电高分子
迄今为止,国内外对结构型导电高分子研究得 较为深入的品种有聚乙炔、聚对苯硫醚、聚对苯 撑、聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩以及TCNQ传荷络合 聚合物等。其中以掺杂型聚乙炔具有最高的导电 性,其电导率可达5×103~104Ω-1·cm-1(金属铜的 电导率为105Ω-1·cm-1)。
17
导电高分子
目前,对结构型导电高分子的导电机理、聚合 物结构与导电性关系的理论研究十分活跃。应用性 研究也取得很大进展,如用导电高分子制作的大功 率聚合物蓄电池、高能量密度电容器、微波吸收材 料、电致变色材料,都已获得成功。
18
导电高分子
但总的来说,结构型导电高分子的实际应用尚 不普遍,关键的技术问题在于大多数结构型导电高 分子在空气中不稳定,导电性随时间明显衰减。此 外,导电高分子的加工性往往不够好,也限制了它 们的应用。科学家们正企图通过改进掺杂剂品种和 掺杂技术,采用共聚或共混的方法,克服导电高分 子的不稳定性,改善其加工性。
4
导电高分子
导电高分子不仅具有由于掺杂而带来的金属特 性(高电导率)和半导体(p和n型)特性之外,还 具有高分子结构的可分子设计性,可加工性和密度 小等特点。为此,从广义的角度来看,导电高分子 可归为功能高分子的范畴。
导电高分子具有特殊的结构和优异的物理化学 性能使它在能源、光电子器件、信息、传感器、分 子导线和分子器件、电磁屏蔽、金属防腐和隐身技 术方面有着广泛、诱人的应用前景。
Rd S
同样,对电导则有:
(5—3)
G S d(5—4)8 Nhomakorabea导电高分子
上两式中,ρ称为电阻率,单位为(Ω·cm), σ称为电导率,单位为(Ω-1·cm-1)。
显然,电阻率和电导率都不再与材料的尺寸有 关,而只决定于它们的性质,因此是物质的本征参 数,都可用来作为表征材料导电性的尺度。
在讨论材料的导电性时,更习惯采用电导率来 表示。
n
Niqii i1
(5—8)
由此可见,载流子浓度和迁移率是表征材料导 电性的微观物理量。
13
导电高分子
材料的导电率是一个跨度很大的指标。从最好 的绝缘体到导电性非常好的超导体,导电率可相差 40个数量级以上。根据材料的导电率大小,通常可 分为绝缘体,半导体、导体和超导体四大类。这是 一种很粗略的划分,并无十分确定的界线。在本章 的讨论中,将不区分高分子半导体和高分子导体, 统一称作导电高分子。
导电高分子-高分子导体与半导体
1. 概述
1.1 导电高分子的基本概念 物质按电学性能分类可分为绝缘体、半导体、
导体和超导体四类。高分子材料通常属于绝缘体的 范畴。但1977年美国科学家黑格(A.J.Heeger)、 麦克迪尔米德(A.G. MacDiarmid)和日本科学家 白川英树(H.Shirakawa)发现掺杂聚乙炔具有金 属导电特性以来,有机高分子不能作为导电材料的 概念被彻底改变。
1
PART ONE
前言
请在此处添加具体内容,文字尽量言简意赅,见到 那描述即可,不必过于繁琐,注意版面美观度。
2
导电高分子
导电性聚乙炔的出现不仅打破了高分子仅为绝 缘体的传统观念,而且为低维固体电子学和分子电 子学的建立打下基础,而具有重要的科学意义。上 述三位科学家因此分享2000年诺贝尔化学奖。
黑格小传 麦克迪尔米德小传 白川英树小传
3
导电高分子
所谓导电高分子是由具有共轭π键的高分子经 化学或电化学“掺杂”使其由绝缘体转变为导体的
一 类高分子材料。它完全不同于由金属或碳粉末与高 分子共混而制成的导电塑料。
通常导电高分子的结构特征是由有高分子链结 构和与链非键合的一价阴离子或阳离子共同组成。 即在导电高分子结构中,除了具有高分子链外,还 含有由“掺杂”而引入的一价对阴离子(p型掺杂) 或对阳离子(n型掺杂)。
I NqS
(5—5)
11
导电高分子
而载流子的迁移速度ν通常与外加电场强度E
成正比:
v E
(5—6)
式中,比例常数μ为载流子的迁移率,是单位
场强下载流子的迁移速度,单位为(cm2·V-1·s-1)。
结合式(5—2),(5—4),(5—5)和(5—
6),可知
Nq
(5—7)
12
导电高分子
当材料中存在n种载流子时,电导率可表示为:
导电高分子
导电高分子自发现之日起就成为材料科学的研 究热点。经过近三十年的研究,导电高分子无论在 分子设计和材料合成、掺杂方法和掺杂机理、导电 机理、加工性能、物理性能以及应用技术探索都已 取得重要的研究进展,并且正在向实用化的方向迈 进。本章主要介绍导电高分子的结构特征和基本的 物理、化学特性,并评述导电高分子的重要的研究 进展。
9
导电高分子
材料的导电性是由于物质内部存在的带电粒子 的移动引起的。这些带电粒子可以是正、负离子, 也可以是电子或空穴,统称为载流子。载流子在外 加电场作用下沿电场方向运动,就形成电流。可 见,材料导电性的好坏,与物质所含的载流子数目 及其运动速度有关。
10
导电高分子
假定在一截面积为S、长为l的长方体中,载流 子的浓度(单位体积中载流子数目)为N,每个载 流子所带的电荷量为q。载流子在外加电场E作用 下,沿电场方向运动速度(迁移速度)为ν,则单 位时间流过长方体的电流I为:
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导电高分子
1.3 导电高分子的类型 按照材料的结构与组成,可将导电高分子分成
两大类。一类是结构型(本征型)导电高分子,另 一类是复合型导电高分子。 1.3.1 结构型导电高分子
结构型导电高分子本身具有“固有”的导电性, 由聚合物结构提供导电载流子(包括电子、离子或 空穴)。这类聚合物经掺杂后,电导率可大幅度提 高,其中有些甚至可达到金属的导电水平。
表5—1列出了这四大类材料的电导率及其典型 代表。
14
导电高分子
表5—1 材料导电率范围
材料 电导率 /Ω-1·cm-1
典型代表
绝缘体 半导体 导体 超导体
<10-10 10-10~102 102~108
>108
石英、聚乙烯、聚苯乙烯、聚四 氟乙烯
硅、锗、聚乙炔
汞、银、铜、石墨
铌(9.2 K)、铌铝锗合金(23.3K)、 聚氮硫(0.26 K)
6
导电高分子
1.2 材料导电性的表征 根据欧姆定律,当对试样两端加上直流电压V
时,若流经试样的电流为I,则试样的电阻R为:
RV I
(5—1)
电阻的倒数称为电导,用G表示:
G I V
(5—2)
7
导电高分子
电阻和电导的大小不仅与物质的电性能有关, 还与试样的面积S、厚度d有关。实验表明,试样的 电阻与试样的截面积成反比,与厚度成正比:
16
导电高分子
迄今为止,国内外对结构型导电高分子研究得 较为深入的品种有聚乙炔、聚对苯硫醚、聚对苯 撑、聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩以及TCNQ传荷络合 聚合物等。其中以掺杂型聚乙炔具有最高的导电 性,其电导率可达5×103~104Ω-1·cm-1(金属铜的 电导率为105Ω-1·cm-1)。
17
导电高分子
目前,对结构型导电高分子的导电机理、聚合 物结构与导电性关系的理论研究十分活跃。应用性 研究也取得很大进展,如用导电高分子制作的大功 率聚合物蓄电池、高能量密度电容器、微波吸收材 料、电致变色材料,都已获得成功。
18
导电高分子
但总的来说,结构型导电高分子的实际应用尚 不普遍,关键的技术问题在于大多数结构型导电高 分子在空气中不稳定,导电性随时间明显衰减。此 外,导电高分子的加工性往往不够好,也限制了它 们的应用。科学家们正企图通过改进掺杂剂品种和 掺杂技术,采用共聚或共混的方法,克服导电高分 子的不稳定性,改善其加工性。
4
导电高分子
导电高分子不仅具有由于掺杂而带来的金属特 性(高电导率)和半导体(p和n型)特性之外,还 具有高分子结构的可分子设计性,可加工性和密度 小等特点。为此,从广义的角度来看,导电高分子 可归为功能高分子的范畴。
导电高分子具有特殊的结构和优异的物理化学 性能使它在能源、光电子器件、信息、传感器、分 子导线和分子器件、电磁屏蔽、金属防腐和隐身技 术方面有着广泛、诱人的应用前景。
Rd S
同样,对电导则有:
(5—3)
G S d(5—4)8 Nhomakorabea导电高分子
上两式中,ρ称为电阻率,单位为(Ω·cm), σ称为电导率,单位为(Ω-1·cm-1)。
显然,电阻率和电导率都不再与材料的尺寸有 关,而只决定于它们的性质,因此是物质的本征参 数,都可用来作为表征材料导电性的尺度。
在讨论材料的导电性时,更习惯采用电导率来 表示。
n
Niqii i1
(5—8)
由此可见,载流子浓度和迁移率是表征材料导 电性的微观物理量。
13
导电高分子
材料的导电率是一个跨度很大的指标。从最好 的绝缘体到导电性非常好的超导体,导电率可相差 40个数量级以上。根据材料的导电率大小,通常可 分为绝缘体,半导体、导体和超导体四大类。这是 一种很粗略的划分,并无十分确定的界线。在本章 的讨论中,将不区分高分子半导体和高分子导体, 统一称作导电高分子。
导电高分子-高分子导体与半导体
1. 概述
1.1 导电高分子的基本概念 物质按电学性能分类可分为绝缘体、半导体、
导体和超导体四类。高分子材料通常属于绝缘体的 范畴。但1977年美国科学家黑格(A.J.Heeger)、 麦克迪尔米德(A.G. MacDiarmid)和日本科学家 白川英树(H.Shirakawa)发现掺杂聚乙炔具有金 属导电特性以来,有机高分子不能作为导电材料的 概念被彻底改变。
1
PART ONE
前言
请在此处添加具体内容,文字尽量言简意赅,见到 那描述即可,不必过于繁琐,注意版面美观度。
2
导电高分子
导电性聚乙炔的出现不仅打破了高分子仅为绝 缘体的传统观念,而且为低维固体电子学和分子电 子学的建立打下基础,而具有重要的科学意义。上 述三位科学家因此分享2000年诺贝尔化学奖。
黑格小传 麦克迪尔米德小传 白川英树小传
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导电高分子
所谓导电高分子是由具有共轭π键的高分子经 化学或电化学“掺杂”使其由绝缘体转变为导体的
一 类高分子材料。它完全不同于由金属或碳粉末与高 分子共混而制成的导电塑料。
通常导电高分子的结构特征是由有高分子链结 构和与链非键合的一价阴离子或阳离子共同组成。 即在导电高分子结构中,除了具有高分子链外,还 含有由“掺杂”而引入的一价对阴离子(p型掺杂) 或对阳离子(n型掺杂)。
I NqS
(5—5)
11
导电高分子
而载流子的迁移速度ν通常与外加电场强度E
成正比:
v E
(5—6)
式中,比例常数μ为载流子的迁移率,是单位
场强下载流子的迁移速度,单位为(cm2·V-1·s-1)。
结合式(5—2),(5—4),(5—5)和(5—
6),可知
Nq
(5—7)
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导电高分子
当材料中存在n种载流子时,电导率可表示为: