电子科技大学814电力电子技术2016年考研专业课真题试卷
成都电子科技大学微电子器件2008-2016年考研初试真题+答案
电子科技大学2016年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共44分，每空1分）1、PN结的内建电势也称为扩散电势，是指耗尽区中从（）处到（）处的电位差。
掺杂浓度越高，内建电势将越（）。
2、根据耗尽近似和中性近似，在PN结势垒区内，（）已完全耗尽；而在势垒区之外，（）浓度等于电离杂质浓度，维持电中性。
3、在相同的电场强度和温度下，锗材料和硅材料相比较，碰撞电离率更高的是（），其原因是它的（）更小。
4、在计算实际PN结的雪崩击穿电压或势垒电容时，如果结两侧掺杂浓度相差较小，浓度梯度较小，而结深较大时，则可将其近似为（）结求解。
5、温度升高时，PN结的齐纳击穿电压会（），因为（）随温度升高减小了。
6、一个PN结二极管在制备完成后对其进行了电子辐照，该二极管的反向恢复时间将（），原因是电子辐照在半导体中引入了（）。
7、当PN结的正向电流增大时，其直流增量电阻会（），扩散电容会（）。
（填“变大”，“变小”或“不变”）8、双极型晶体管的基区宽度越小，其共发射极增量输出电阻越（），厄尔利电压越（）。
（填“大”或“小”）9、双极型晶体管的发射结注入效率是指（）电流与（）电流之比。
10、双极型晶体管的基区发生大注入时，由于基区载流子浓度急剧增加，其发射结注入效率γ会（）；同时，和PN结大注入相类似，基区内会发生（）效应。
11、高频双极型晶体管的工作频率范围一般在：（）< f <（）。
12、双极型晶体管的高频优值是指（）与（）的乘积。
13、小电流时，双极型晶体管的电流放大系数会下降，这是由于（）在（）中所占的比例增加所引起的。
14、MOS结构中，半导体的表面势是指从（）到（）的电势差。
一般来说，实际MOS结构的表面势是（）零的，这主要是由于（）以及（）所引起。
（第三个空填“>”、“<”或“=”）15、为了降低栅氧化层电荷的影响，MOSFET通常会采用（）晶面来制作。
832微电子器件-电子科技大学2015硕士入学考试真题
电子科技大学2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题电子科技大学2016年硕士研究生入学考试初试自命题科目及代码汇总•111单独考试政治理论•241法语(二外)•242德语(二外)•243日语(二外)•244英语(二外仅日语方向) •288单独考试英语•601数学分析•602高等数学•613分子生物学•615日语水平测试•616公共管理综合•621英语水平测试•622心理学综合•623新闻传播理论•625宪法学•688单独考试高等数学•689西方行政史•690中国近现代史•691政治学原理•692数学物理基础•694生物学综合•694生物学综合•695口腔综合•804行政法与行政诉讼法学•805新闻传播实务•806行政管理综合•808金融学基础•809管理学原理•811大学物理•812地理信息系统基础•813电磁场与电磁波•814电力电子技术•815电路分析基础•818固体物理•820计算机专业基础•821经济学基础•824理论力学•825密码学基础与网络安全•830数字图像处理•831通信与信号系统•832微电子器件•834物理化学•835线性代数•836信号与系统和数字电路•839自动控制原理•840物理光学•845英美文学基础知识及运用•846英语语言学基础知识及运用•847日语专业基础知识及应用•852近代物理基础•853细胞生物学•854国际政治学•855辩证唯物主义和历史唯物主义•856测控通信原理•857概率论与数理统计•858信号与系统•859测控通信基础•860软件工程学科基础综合电子科技大学2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共45分，每空1分）1、泊松方程的积分形式即是（）定理，它的物理意义是：流出一个闭合曲面的电通量等于该闭合曲面围成的体积内的（）。
2、PN结的扩散电容和势垒电容有很多不同之处。
电力电子技术(本科)电子科技大学含答案
电子科技大学网络教育考卷（A1卷）(20 年至20 学年度第 学期)考试时间 年 月 日(120分钟) 课程 电力电子技术 教师签名_____大题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 合 计 得 分一、填空题(每小题1分，共30分)1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管 ；可关断晶闸管 ；功率场效应晶体管 ；绝缘栅双极型晶体管 ；IGBT 是 和 的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是 、 和 。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑 的问题，解决的方法是 。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为 波，输出电流波形为 波。
5、型号为KS100-8的元件表示 晶闸管、它的额定电压为 伏、额定有效电流为安。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_ 上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_ 上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会 、正反向漏电流会 ；当温度升高时，晶闸管的触发电流会 、正反向漏电流会 。
8、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为 逆变器与逆变器两大类。
9、常用的过电流保护措施有 、 、 、 。
（写出四种即可）10、由晶闸管构成的逆变器换流方式有 换流和 换流。
11、一个单相全控桥式整流电路，交流电压有效值为220V ，流过晶闸管的电流有效值为15A ，则这个电路中晶闸管的额定电压可选为 ；晶闸管的额定电流可选为 。
二、单项选择题(每小题1.5分，共15分。
从每小题的四个备选选答案，选出一个正确答案，并将正确答案的号码填在题干后面的括号内。
)1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差 度。
A 、180°，B 、60°， c 、360°， D 、120°2、α为 度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
电力电子技术试题20套答案
20套答案第一套题答案！一、填空题（共8小题，每空1分，共20分）1、空1 信息电子技术2、空1 开关；空2 开关3、空1 载波比；空2 同步；空3 分段同步4、空1 冲量；空2 形状5、空1 MOSFET；空2 GTO；空3 IGBT6、空1 ；空27、空1 有源；空2 无源8、空1 VD1；空2 V1；空3 VD2；空4 V2；空5 VD1二、选择题（共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、（B）2、（D）3、（C）4、（C）5、（D）6、（A）7、（C）8、（B）9、（A）10、（B）三、简答题（共3 小题，共22分）1、（7分）晶闸管导通的条件是：阳极承受正向电压，处于阻断状态的晶闸管，只有在门极加正向触发电压，才能使其导通。
门极所加正向触发脉冲的最小宽度，应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流，即擎住电流ＩＬ以上。
导通后的晶闸管管压降很小。
（3分）使导通了的晶闸管关断的条件是：使流过晶闸管的电流减小至某个小的数值－维持电流ＩＨ以下。
其方法有二：（1）减小正向阳极电压至某一最小值以下，或加反向阳极电压；（2分）（2）增加负载回路中的电阻。
（2分）2、（8分）(1) 直流侧为电压源或并联大电容，直流侧电压基本无脉动；（2分）(2) 输出电压为矩形波，输出电流因负载阻抗不同而不同；（3分）(3) 阻感负载时需提供无功。
为了给交流侧向直流侧反馈的无功提供通道，逆变桥各臂并联反馈二极管。
（3分）3、（7分）（1）外部条件：要有一个能提供逆变能量的直流电源，且极性必须与直流电流方向一致，其电压值要稍大于Ud；（2分）（2）内部条件：变流电路必须工作于β<90°区域，使直流端电压Ud的极性与整流状态时相反，才能把直流功率逆变成交流功率返送回电网。
这两个条件缺一不可。
（2分）当出现触发脉冲丢失、晶闸管损坏或快速熔断器烧断、电源缺相等原因都会发生逆变失败。
当逆变角太小时，也会发生逆变失败。
电力电子技术考研必备题库与答案
电力电子技术试题库答案来源：欧阳陶昱的日志电力电子技术试题库答案一、填空题（每空1分，共20分）1、电力电子技术是利用（电力电子器件）对电能进行（控制、转换和传输）的技术.3电力电子技术研究的对象是（电力电子器件的应用）、（电力电子电路的电能变换原理）和电力电子装置的开发与应用。
.1957年（美国通用电气（GE）公司）研制出第一只晶闸管，它标志着（电力电子技术）的诞生。
6、电力二极管的主要类型有（普通二极管），（快恢复二极管）和肖特基二极管。
7、电力二极管的主要类型有普通二极管，（快恢复二极管）和（肖特基二极管）。
8、晶闸管是一种既具有（开关作用），又具有（整流作用）的大功率半导体器件。
9、晶闸管有三个电极，分别是（阳极），（阴极）和门极或栅极。
10、晶闸管有三个电极，分别是阳极，（阴极）和（门极或栅极）。
11、晶闸管的正向特性又有（阻断状态）和（导通状态）之分。
12、半控型电力电子器件控制极只能控制器件的（导通），而不能控制器件的（关断）。
13、电流的波形系数Kf指（电流有效值）和（电流平均值）比值。
14、电力晶体管是一种（耐高压）、（大电流）的双极型晶体管。
15、电力晶体管的安全工作区分为（正偏安全工作区）和（反偏安全工作区）。
16、双向晶闸管有两个（主）电极和一个（门）极。
17、双向晶闸管有(I+触发方式)，（I-触发），III+触发和III-触发。
18、IGBT的保护有（过电流保护），过电压保护和（过热保护）。
19、降压变换电路的输出电压与输入电压的关系为（Uo=DUd），升压变换电路的输出电压与输入电压的关系为（Uo=Ud/(1-D)）。
20、全控型电力电子器件控制极既能控制器件的（导通），也不能控制器件的（关断）。
21、电力器件的换流方式有（器件换流），（电网换流），负载换流和脉冲换流。
22、负载换流式逆变电路分为（并联谐振式），（串联谐振式）。
23、按照稳压控制方式，直流变换电路可分为（脉冲宽度调制）和（脉冲频率调制）。
电力电子技术试题套答案
20套答案第一套题答案！一、填空题（共8小题，每空1分，共20分）1、空1信息电子技术2、空1开关；空2开关3、空1载波比；空2同步；空3分段同步4、空1冲量；空2形状5、空1MOSFET；空2GTO；空3IGBT6、空1；空27、空1有源；空2无源8、空1VD1；空2V1；空3VD2；空4V2；空5VD1二、选择题（共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、（B）2、（D）3、（C）4、（C）5、（D）6、（A）7、（C）8、（B）9、（A）10、（B）三、简答题（共3小题，共22分）1、（7分）晶闸管导通的条件是：阳极承受正向电压，处于阻断状态的晶闸管，只有在门极加正向触发电压，才能使其导通。
门极所加正向触发脉冲的最小宽度，应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流，即擎住电流ＩＬ以上。
导通后的晶闸管管压降很小。
（3分）使导通了的晶闸管关断的条件是：使流过晶闸管的电流减小至某个小的数值－维持电流ＩＨ以下。
其方法有二：（1）减小正向阳极电压至某一最小值以下，或加反向阳极电压；（2分）（2）增加负载回路中的电阻。
（2分）2、（8分）(1)直流侧为电压源或并联大电容，直流侧电压基本无脉动；（2分）(2)输出电压为矩形波，输出电流因负载阻抗不同而不同；（3分）(3)阻感负载时需提供无功。
为了给交流侧向直流侧反馈的无功提供通道，逆变桥各臂并联反馈二极管。
（3分）3、（7分）（1）外部条件：要有一个能提供逆变能量的直流电源，且极性必须与直流电流方向一致，其电压值要稍大于Ud；（2分）（2）内部条件：变流电路必须工作于β<90°区域，使直流端电压Ud的极性与整流状态时相反，才能把直流功率逆变成交流功率返送回电网。
这两个条件缺一不可。
（2分）当出现触发脉冲丢失、晶闸管损坏或快速熔断器烧断、电源缺相等原因都会发生逆变失败。
当逆变角太小时，也会发生逆变失败。
（3分）四、作图题（共2小题，每题12分，共24分）1、（12分）同步变压器的钟点数为Y/Y-10,42、（12分）五、计算题（共1小题，20分）1、(1)(a)Ud=α=×220×cos600=99V?（1分）Id=Ud/R=99/4=（1分）I2=Id=（1分）IdVT=1800/3600×Id=2=（1分）IVT=（2分）（b）波形如图1所示（3分）（2）（a）Ud=（1+cosα）/2=×220×（1+cos600）/2=（1分）Id=Ud/R=4=?IdVT=（1800-α）/3600×Id=（1800-600）/3600×=（1分）（1分）（2分）IdVD=2α/3600×Id=2×600/3600×=（1分）（2分）（b）波形如图2所示（3分）图1??波形图图2波形图试卷参考答案及评分标准(2卷)一、填空题：（本题共6小题，每空1分，共15分）1、空1GTR；空2IGBT2、空1基波电流相移；空2电流波形畸变3、空1均压4、空12~45、空1交流变直流；空2直流变交流；空3直流变直流；空4交流变交流6、空1V1；空2VD1；空3V2；空4VD2；空5第2二、选择题：（本题共11小题，9，10，11小题每题2分，其余每题1分，共14分）1、（D）2、（A）3、（B）4、（C）5、（D）6、（B）7、（C）8、（C）9、（D）10、（B）11、（C）三、简答题：（本题共4小题，共30分）1、（7分）答：(1)直流侧为电压源或并联大电容，直流侧电压基本无脉动；（2分）(2)输出电压为矩形波，输出电流因负载阻抗不同而不同；（3分） (3)阻感负载时需提供无功。
2016年电子科技大学813电磁场与电磁波真题
五、 （16 分）如题五图所示，无限长直导体圆柱由电导率不相同的两层导体构成，内层导体的 半径 a1 a ，电导率 1 2 0 ；外层导体的外半径 a2 2a ，电导率 2 0 。导体圆柱 中流过的电流为 I ，试求导体圆柱中的电场强度 E 和磁场强度 H 。
a
d
0
e 1 A A
2u
2
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ez ， z Az
er 1 A 2 r sin r Ar
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r sin e r sin A
1 u 1 2u 2u ( ) 2 2 2 z
共 4 页第 2 页
d
O
题三图
X
四、 （14 分） 已知介电常数为 的无限大均匀介质中存在均匀电场分布 E ，介质中有一个底 面垂直于电场、半径为 a、高度为 d 的圆柱形空腔，如题四图所示。当 a d 和 a d 时，分别求出空腔中的电场强度 E0 、电位移矢量 D0 和介质表面的极化电荷分布（边缘效 应可忽略不计） 。
Er ( y , z ) 。
附： 圆柱坐标系和球坐标系的 A 、 A 和 2u
A A
1 1 A Az ( A ) z 1 2 1 1 A (r Ar ) (sin A ) 2 r r r sin r sin
，从而建立了完整的麦克斯韦方程组。
5. 时变电磁场可以用矢量位 A 和标量位 来描述， 但是位函数一般是不唯一的， 如要得到唯 一确定的位函数，可以规定 6. 。
均匀平面波在某一均匀媒质中传播，其电磁波的电场强度 E 与磁场强度 H 不同相位，则 这种媒质是 。
(完整版)电力电子技术试题20套及答案
1.考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。
4、面积等效原理指的是，_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，应用最为广泛的是___________。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
电路811电气工程考研真题_2016年天津大学硕士研究生入学考试真题+答案
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天津大学 2016 年硕士研究生入学考试试题
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电力电子技术(专升本)2016年秋季考试
8. 请阐述目前开关电源的发展现状及所涉及电力电子的哪些知识（以具体电路为例）。(10分)
参考答案：无固定答案
解题思路：需涉及DC-DC变换的内容
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解题思路：
4. 交流-交流直接变频器与直流电动机可逆传动系统两组变流器的工作方式、控制原理有什么异
、同之处？(20分)
参考答案：答：同：均是通过对正组、反组控制角的控制。 异：直流电动机可逆传动系统两组
变流器均可工作在整流、逆变状态，通过改变晶闸管的触发控制角或逆变角，可以调节整流或逆
变电压VD，控制交流电源－负载之间交换的功率的大小和方向。 交流-交流直接变频器则是当
时，正组工作，反组停止工作。
时，反组工作，正组停止工作。它只是把相控“整流”
输出电压脉冲中的每个脉冲的平均值控制到按“正弦规律”变化，然后再把这一系列直流脉冲拼成
一个近似的正弦波。
解题思路：
第1/2页
5. 电压型逆变电路中反馈二极管的作用是什么？为何电流型逆变电路中没有反馈二极管？(10分)
参考答案：电压型逆变器当交流侧为阻感性负载时，需要向电源反馈无功功率。直流侧电容起缓 冲无功能量的作用。为了给交流侧向直流侧反馈的无功能量提供通道，逆变桥各臂开关器件都反 并联了反馈二极管。 而对电流型逆变器来说，当交流侧为阻感负载时，也需要提供无功能量反馈，但直流侧电感起缓 冲无功能量的作用，因反馈无功能量时，直流电流并不反向，因此不必象电压型逆变器那样要给 开关器件反并联二极管。 解题思路：
6. 单极性和双极性PWM调制有什么区别？三相桥式PWM型逆变电路中，输出相电压（输出端相 对于直流电源中点的电压）和线电压SPWM波形各有几种电平？(10分) 参考答案：三角波载波在信号波正半周期或负半周期里只有单一的极性，所得的PWM波形在半 个周期中也只在单极性范围内变化，称为单极性PWM控制方式。
电子科技大学2016年《814电力电子技术》考研专业课真题试卷
电子科技大学2016年《814电力电子技术》考研专业课真题试卷电子科技大学2016年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：814 电力电子技术注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、单项选择题(每小题2分，共30分。
从每小题的四个备选答案，选出一个正确答案，并将正确答案的号码写在答题纸上。
)1、三相电压型逆变采用°导通方式。
需进行“先下后上”的纵向换流方式。
A. 120B. 90C. 180D. 602、电压型逆变器中间直流环节贮能与缓冲元件是。
A.蓄电池B.电感C. 电容D.电动机3、压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来。
A. 分流B. 降压C. 过电压保护D. 过电流保护4、逆导晶闸管是将大功率二极管与B器件集成在一个管芯上而成。
A.大功率三极管B.逆阻型晶闸管C.双向晶闸管D.可关断晶闸管5、单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ= 。
A.π-αB.π+αC.π-δ-αD.π+δ-α6、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理。
A. 0oB.10o-15oC.0o-10oD.30o-35o7、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关。
A .α和U2 B. α以及负载电流I dC . α、负载电流I d以及变压器漏抗X B D. α、U2以及变压器漏抗X B8、若想减小SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用的控制方法是。
A.增大三角波幅度B.减小三角波频率C.减小正弦调制波频率D.增大正弦调制波幅度9、采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为。
A.减小输出谐波B.增大输出幅值C. 减小输出幅值D.减小输出功率10、晶闸管可控整流电路中直流端的直流电动机应该属于负载。
A. 电阻性B. 阻感反C. 反电动势D. 电感性电力电子技术试题第 1 页共4 页。
电力电子技术试题20套及答案【范本模板】
考试试卷( 1 )卷一、填空题(本题共8小题，每空1分,共２0分）1、电子技术包括__________＿＿＿_和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者．2、为减少自身损耗，提高效率,电力电子器件一般都工作在＿____＿＿_＿状态。
当器件的工作频率较高时，__＿＿_____损耗会成为主要的损耗。
３、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为__＿______＿___，当它为常数时的调制方式称为____＿＿__＿调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步____＿____调制。
4、面积等效原理指的是,＿_＿冲量__＿＿_＿相等而＿_形状___＿_不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。
５、在ＧTR 、ＧTO、ＩGBT与MＯSFET中,开关速度最快的是__ＭOSFET_，单管输出功率最大的是＿_ＧTO_,应用最为广泛的是__ＩＧBT___。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即，其承受的最大正向电压为.７、逆变电路的负载如果接到电源,则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路（用V1,VD１,V2，VD2表示)。
(1) 0~ｔ1时间段内，电流的通路为_＿_VD１_＿_＿_;(2) t1~t2时间段内,电流的通路为___V1＿___;（３) t2～t3时间段内，电流的通路为_＿VＤ２＿＿__＿；（4) ｔ3~t4时间段内，电流的通路为＿_V2_____;(5）ｔ4～ｔ５时间段内,电流的通路为___VＤ１____;二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分,其余每题1分,共14分)1、单相桥式PＷM逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是（B )A、V１与V4导通，V2与Ｖ3关断Ｂ、V1常通,Ｖ2常断,Ｖ3与V4交替通断Ｃ、V1与V４关断,V2与V3导通D、Ｖ1常断，V ２常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是(Ｃ)Ａ、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于１8０度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内,有( )晶闸管导通.A、1个B、2个Ｃ、3个D、4个4、对于单相交交变频电路如下图,在t1～ｔ2时间段内，P组晶闸管变流装置与Ｎ组晶闸管变流装置的工作状态是()Ａ、P组阻断,Ｎ组整流B、P组阻断,N组逆变C、Ｎ组阻断,P组整流D、N组阻断,Ｐ组逆变5、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是( D )A、3０°～150B、0°~120°Ｃ、1５°~125°Ｄ、0°~１50°6、桓流驱动电路中加速电容Ｃ的作用是（ A ）A、加快功率晶体管的开通B、延缓功率晶体管的关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件７、直流斩波电路是一种（ C ）变换电路。
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电子科技大学
2016年攻读硕士学位研究生入学考试试题
考试科目：814 电力电子技术
注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、单项选择题(每小题2分，共30分。
从每小题的四个备选答案，选出一个正确答案，
并将正确答案的号码写在答题纸上。
)
1、三相电压型逆变采用°导通方式。
需进行“先下后上”的纵向换流方式。
A. 120
B. 90
C. 180
D. 60
2、电压型逆变器中间直流环节贮能与缓冲元件是。
A.蓄电池
B.电感
C. 电容
D.电动机
3、压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来。
A. 分流
B. 降压
C. 过电压保护
D. 过电流保护
4、逆导晶闸管是将大功率二极管与B器件集成在一个管芯上而成。
A.大功率三极管
B.逆阻型晶闸管
C.双向晶闸管
D.可关断晶闸管
5、单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ= 。
A.π-α
B.π+α
C.π-δ-α
D.π+δ-α
6、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理。
A. 0º
B.10º-15º
C.0º-10º
D.30º-35º
7、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关。
A .α和U2 B. α以及负载电流I d
C . α、负载电流I d以及变压器漏抗X B D. α、U2以及变压器漏抗X B
8、若想减小SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用的控制方法是。
A.增大三角波幅度
B.减小三角波频率
C.减小正弦调制波频率
D.增大正弦调制波幅度
9、采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为。
A.减小输出谐波
B.增大输出幅值
C. 减小输出幅值
D.减小输出功率
10、晶闸管可控整流电路中直流端的直流电动机应该属于负载。
A. 电阻性
B. 阻感反
C. 反电动势
D. 电感性
电力电子技术试题第 1 页共4 页。