很全的模电课程。

3)通频带
下限频率
f bw f H f L
上限频率
4)最大不失真输出电压Uom或Uopp
2.3 放大电路的分析方法
一、放大电路的直流通路和交流通路 二、图解放大器 １、静态工作点——直流负载线
负载线
uCE VCC iC Rc
Q
IBQ
UCEQ
2. 电压放大倍数的分析
uBE VBB uI iB Rb
IB =100uA IB =80uA
IB =60uA
IB =40uA IB =20uA IB= 0
uCE (V)
3、输出特性曲线分区:
1、放大区
电结反偏。 放大区
i C(mA)
曲线基本平行等距。 此时，发射结正偏，集
饱和区
IB =100uA IB =80uA IB =60uA IB =40uA IB =20uA IB=0 uCE (V)
截止区
第二章 基本放大电路分析
2.1 放大的性能指标
任何放大电路均可看成为二端口网络。
输入电流
信号源 内阻 输出电流
信号源
输入电压 输出电压
1) 放大倍数：输出量与输入量之比
U A o A uu u U i
I A o A ii i I i
U o A ui I i
斜率不变
I B I BQ iB
iC
uCE
uO 给定uI iB iC uCE (uO ) Au uI uO与uI反相，Au 符号为“－”。
３结合交流负载线的截止饱和失真与最大不失真输出电压 幅度分析
B
' I CQ RL
三、等效电路分析法
1. 晶体管的h参数等效模型（交流等效模型） 简化的h参数等效电路－交流等效模型

结电容为扩散电容（Cd）与势垒电容（Cb）之和。
扩散路程中 电荷的积累 与释放
空间电荷区 宽窄的变化 有电荷的积 累与释放
4、稳压二极管
（1） 伏安特性
进入稳压区的最小电流
（2） 主要参数
最大功耗PZM＝ IZM UZ
不至于损坏的最大电流
稳定电压UZ、稳定电流IZ，即进入闻压区的最小电流IZmin 动态电阻rz＝ΔUZ /ΔIZ
1.2
半导体二极管
1、二极管的伏安特性及电流方程 二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性
击穿 电压
i IS (e
u UT
反向饱 和电流
开启 电压
1)
(常温下 UT 26mV)
温度的 电压当量
2、二极管的等效电路 （1）直流等效电路
理想开关 导通时 UD＝0 截止时IS＝0
导通时UD＝Uon 截止时IS＝0
U be I b rbb' I e rb'e UT rbe rbb' (1 ) Ib Ib I EQ
2. 基于模型的放大电路的动态分析
阻容耦合共射放大电路的动态分析
' (R ∥ R ) U I R L L o c c A u r U I rbe i b be
I o A iu U i
2)输入电阻和输出电阻
从输入端看进去的 等效电阻
Ui Ri Ii
输入电压与 输入电流有 效值之比。
U Uo U Ro ( 1) RL Uo Uo RL
' o ' o
将输出等效 成有内阻的电 压源，内阻就 是输出电阻。
空载时输出 电压有效值
带RL时的输出电 压有效值
（2） 微变等效电路
ui=0时直流电源作用
uD U T 根据电流方程， rd iD ID
小信号作用 Q越高，rd越小。 静态电流
例
1. V＝5V时二极管中的直流电流各为 多少？ 2. 若输入电压的有效值为5mV，则二 极管中的交流电流为多少？
V Baidu NhomakorabeaUD 5 0.7 ID ( )A 8.6mA R 500
（3）稳压二极管稳压电路设计中分析限流电路R实例
1.3 晶体三极管
一、晶体管的放大条件与工作状态判断
（发射结正偏） uBE U on 放大的条件 （集电结反偏） uCB 0，即 uCE uBE
二、晶体管的放大状态下电流分配关系
IC I B (1 )ICBO I B ICEO
模拟电子技术课程综述 第一章 常用半导体器件
1.1半导体基础 一、 本征半导体中的两种载流子
1、本征半导体：有自由电子和空穴两种载流子。
二、杂质半导体 1. N型半导体：多数载流子（多子）：自由电子 少数载流子（少子）：空穴 2. P型半导体：多数载流子（多子）：空穴 少数载流子（少子）：自由电子 三、PN结的形成及其单向导电性 （结合二极管）
uD U T rd iD I DQ
V＝5V，ID≈ 8.6mA
26 5 rd ( ) 3.02，I d ( )mA 1.65mA 8.6 3.02
3、二极管的主要参数 最大整流电流IF：最大平均值 最大反向工作电压UR：最大瞬时值（UBR的一半） 反向电流 IR：即IS 最高工作频率fM：因PN结有电容效应
一、复合管
复合管的组成：判断类型和参数β计算
U U U Ri o o i Aus A u U U U R R s s i s i
Ri Rb ∥ rbe rbe Ro Rc
２.４静态工作点稳定的典型电路
2. 稳定原理
U BQ Rb1 VCC Rb1 Rb2
基本不随温度变化。
U BQ
Rb1 VCC Rb1 Rb2 U BQ－U BEQ Re
I EQ
2.5 晶体管放大电路的三种接法
基本共集放大电路（射级跟随器特点）
2.6 场效应管及其放大电路
一、各种场效应管基本特性
二、基本共源场效应管放大器分析
1. 场效应管的交流等效模型
２.指标计算
2.7 复合管及其基本放大电路派生电路
式中： ICEO (1 ) ICBO 称为穿透电流。因ICBO很小，忽略则有
IC I B I E (1 ) I B
三、共射输入特性和输出特性 1.共射输入特性
iB f (uBE ) U CE常数
2. 输出特性
iC f (uCE ) I B常数
i C(mA)