无机薄膜材料与制备技术 ppt课件
薄膜材料概述ppt课件
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Leading Physical Property Analysis of Thin-Film Materials
专注 激情 严谨 勤勉13
薄膜制备分类 1、物理气相沉积(PVD)
采用物理方法使物质的原子或分子逸出,然后沉积 在基片上形成薄膜的工艺
根据使物质的逸出方法不同,可分为蒸镀、溅射和 离子镀 (1)真空蒸镀
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化学气相沉积CVD
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薄膜制备分类
金属有机化学气相沉积(MOCVD)
原料主要是金属(非金属)烷基化合物。 优点是可以精确控制很薄的薄膜生长,适于制 备多层膜,并可进行外延生长。
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薄膜的形成机理
薄膜的生长过程 (1) 核生长型(Volmer Veber型) 特点:到达衬底上的沉积原子首先凝聚成核 ,后续飞来的沉积原子不断聚集在核附近,使核 在三维方向上不断长大而最终形成薄膜。 这种类型的生长一般在衬底晶格和沉积膜晶 格不相匹配(非共格)时出现,大部分的薄膜的 形成过程属于这种类型。
金属膜是在电子学领域中应用最为广泛的 一种薄膜。例如,半导体器件的电极、各种集 成电路中的导线和电极、电阻器、电容器、超 导器件、敏感元件和光纤通信用元器件等。虽 然各种元器件及集成电路对金属膜性能有不同 要求,但是作为共性的要求则需集中研究,例 如:电阻率、电阻率温度系数和非欧姆特性等 与膜厚、环境温度和电场的关系等。
①小岛阶段—②结合阶段—③沟道阶段—④连续薄膜
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薄膜基底种类
基底又称:基片,衬底
陶瓷基底 金属基底 各种工具刀具件 玻璃基底 树脂基底 高分子基底 柔性基底
单晶硅
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玻璃
《薄膜材料》PPT课件
浆料印刷法形成的膜层——厚膜,前者膜厚多,厚~ 200微米
薄膜的真空沉积法优点
可以得到各种材料的膜层 镀料气化方式很多(如电子束蒸发、溅射、气体源等),控 制气氛还可以进行反应沉积
通过基板、镀料、反应气氛、沉积条件的选择,可以对界面结 构、结晶状态、膜厚等进行控制,还可制取多层膜、复合膜及 特殊界面结构的膜层等。由于膜层表面精细光洁,故便于通过 光刻制取电路图形
特别是可直接印刷电路图形。
典型的成膜方法
电镀和化学镀成膜
是依靠电场反应,使金属从金属盐溶液中析出成 膜的方法
电镀 促进电场析出的还原能量由外部电源提供
化学镀 需添加还原剂,利用自分解而成膜
电镀或化学镀成膜的特点 可对大尺寸基板大批量成膜,与其他成膜方法 相比,设备投资低 需要考虑环境保护问题
为保证金属—半导体间连接为欧姆接触,要求: 金属与半导体的结合部位不形成势垒 对于n型半导体,金属的功函数要比半导体的功函数小 对于p型半导体,与上述相反 金属与半导体结合部的空间电荷层的宽度要尽量窄,电子 直接从金属与半导体间向外迁移受到限制等
2、薄膜材料
导体薄膜材料 电阻薄膜材料 介质薄膜材料 功能薄膜材料
2、薄膜材料 导体薄膜材料
材料的种类及性质 实际情形
单一种导体不可能满足上述所有要求 构成电子电路往往需要多种导体膜的组合
2、薄膜材料 导体薄膜材料
而且 相互连接及电极中往往也不是采用单一金属,而是多种导体膜积 层化,以达到上述各种要求
多层金属组合的实例
2、薄膜材料 导体薄膜材料
从道理上讲,这种方法ຫໍສະໝຸດ 以在任何基板上沉积任何物 质的薄膜,但一般多用于氧化物、氮化物等绝缘材料 及合金材料的成膜
典型的成膜方法 CVD法
第二章薄膜的制备ppt课件
在信息显示技术中的应用
在信息存贮技术中的应用
• 第二是在集成电路等电子工业中的应用, 其中,从外延薄膜的生长这一结晶学角 度看也具有显著的成果。
在计算机技术中的应用
在计算机技术中的应用
• 第三是对材料科学的贡献。薄漠制 备是在非平衡状态下进行,和通常的热 力学平衡条件制备材料相比具有:所得 材料的非平衡特征非常明显;可以制取普 通相图中不存在的物质;在低温下可以制 取热力学平衡状态下必须高温才能生成 的物质等优点。
薄膜的主要特性
• 材料薄膜化后,呈现出的一部分主要特性:
•
几何形状效应
• 块状合成材料一般使用粉末的最小尺寸为 纳米至微米,而薄膜是由尺寸为1埃左右的原子
或分子逐渐生长形成的。采用薄膜工艺可以研
制出块材工艺不能获得的物质(如超晶格材料),
在开发新材料方面,薄膜工艺已成为重要的手
段之一。
非热力学平衡过程
无机薄膜制备工艺
• 单晶薄膜、多晶薄膜和非晶态薄膜在现代微 电子工艺、半导体光电技术、太阳能电池、光纤 通讯、超导技术和保护涂层等方面发挥越来越大 的作用。特别是在电子工业领域里占有极其重要 的地位,例如半导体集成电路、电阻器、电容器、 激光器、磁带、磁头都应用薄膜。
• 薄膜制备工艺包括:薄膜制备方法的选择; 基体材料的选择及表面处理;薄膜制备条件的选 择;结构、性能与工艺参数的关系等。
(2)双蒸发源蒸镀——三温度法
三温度-分子束外延法主要是用 于制备单晶半导体化合物薄膜。从 原理上讲,就是双蒸发源蒸镀法。 但也有区别,在制备薄膜时,必须 同时控制基片和两个蒸发源的温度, 所以也称三温度法。
三温度法 是制备化合物 半导体的一种 基本方法,它 实际上是在V族 元素气氛中蒸 镀Ⅲ族元素, 从这个意义上 讲非常类似于 反应蒸镀。图 示就是典型的 三温度法制备 GaAs单晶薄膜 原理。
无机薄膜材料
1薄膜材料概述2薄膜材料制备技术3薄膜材料表征方法4溶胶-凝胶制备薄膜材料及应用拉应力或压应力造成薄膜从衬底表面脱落的情况a——拉应力作用;b——压应力作用电容式触控面板电阻式触控面板强度好,敏感度高增透膜硅太阳能电池响应范围1100nm薄膜在400~波长需具有较高透过率蒸发系统工作架轰击电极活动挡板蒸发电极烘烤电极仪器内部结构加热丝加热舟坩埚盒状源(Knudsen Cell低压气体放电现象,使处于等离子状态下的离子轰击靶面,并使溅射出的粒子堆积在基片上轰击靶表面,使溅射出的粒子在基片表面成膜,这称为离子束溅射。
离子束要由特制价格较贵,只是在用于分析技术和制取特殊的薄膜时才采用离子束溅射。
这种装置的最大优点是结构简单,控制方便。
缺点有:在工作压力较高时膜层有沾污;沉积速率低,不能镀l0um 以上的膜厚;由于大量二次电子直接轰击基片,使基片升温过高。
②三级和四极溅射三极溅射是在二极溅射的装置上附加一个电极,使它放出热电子强化放电,它既能使溅射速率有所提高,又能使溅射工况的控制更为方便。
与二极溅射不同的是,可在主阀全开的状态下制取高纯度膜。
四极溅射又称为等离子弧柱溅射,如图所示。
在原来二极溅射靶和基板垂直的位置上,分别放置发射热电子的灯丝(热阴极)和吸引热电子的辅助阳极,其间形成低电压、大电流的等离子体弧柱,大量电子碰撞气体电离,产生大量离子。
其他几种溅射方式这种溅射方法还是不能抑制由靶产生的高速电子对基片的轰击,还存在因灯丝具有不纯物而使膜层沾污等问题。
磁控溅射所利用的环状磁场迫使二次电子跳跃式地沿着环状磁场转圈环状磁场控制的区域是等离子体密度最高的部位,在磁控溅射时,可以看见,溅射气体氩气在这部位发出强烈的淡蓝色辉光,形成一个光环,处于光环下的靶材是被离子轰击最严重的部位,会溅射出一条环状的沟槽。
环状磁场是电子运动的轨道,环状的辉光和沟槽将其形象地表现了出来磁控溅射靶的溅射沟槽一旦穿透靶材,就会导致整块靶材报废,所以靶材的利用率不高,一般低于40%这是磁控溅射的主要缺点。
第三章薄膜制备技术ppt课件
分子束外延是在超高真空条件下精确控制源材料的中性分子束强度,并使其在加热的基片上进行外延生长的一种技术。从本质上讲,分子束外延也属于真空蒸发方法,但 与传统真空蒸发不同的是,分子束外延系统具有超高真空,并配有原位监测和分析系统,能够获得高质量的单晶薄膜。
2、溅射法 荷能粒子轰击固体材料靶,使固体原子从表面射出,这些原子具有一定的动能和方向性。在原子射出的方向上放上基片,就可在基片上形成一层薄膜,这种制备薄膜的方法叫做溅射法。 溅射法属于物理气相沉积(PVD),射出的粒子大多处于原子状态,轰击靶材料的荷能粒子一般是电子、离子和中性粒子。
3.1.2 化学气相沉积 (chemical vapor deposition )
化学气相沉积:一定化学配比的反应气体,在特定激活条件下(一般是利用加热、等离子体和紫外线等各种能源激活气态物质),通过气相化学反应生成新的膜层材料沉积到基片上制取膜层的一种方法。 Chemical vapor deposition (CVD) is a chemical process often used in the semiconductor industry for the deposition of thin films of various materials.
《薄膜材料简介》课件
环保化
随着环保意识的提高,环保型薄膜材料的需求越来 越大,薄膜材料的环保化成为未来的重要发展方向 。
智能化
随着智能化技术的不断发展,智能化薄膜材 料的应用越来越广泛,成为薄膜材料的重要 发展方向。
面临的挑战
技术创新
溅射沉积
利用高能离子轰击靶材,使靶材 原子或分子被溅射出来,并在基 材表面凝结形成薄膜。
离子镀
利用电场将气体离子加速到基材 表面,通过离子轰击将靶材原子 或分子沉积在基材表面形成薄膜 。
化学气相沉积法
01
常温化学气相沉积
在常温下,将反应气体通过热解 、化学反应等过程在基材表面形 成薄膜。
02
热化学气相沉积
将反应气体加热至较高温度,使 其发生热解或化学反应,在基材 表面形成薄膜。
03
等离子体增强化学 气相沉积
利用等离子体激发反应气体,使 其发生化学反应并在基材表面形 成薄膜。
溶胶-凝胶法
溶液制备
将原料溶解在溶剂中,制备成均一的溶液。
凝胶化
将溶胶进行热处理或引发剂引发,使其形成 凝胶。
溶胶制备
将溶液进行水解、聚合等反应,形成溶胶。
电学特性
薄膜材料具有导电、绝缘、半导电等特性,使其在电子器件、传感器 和能源存储等领域有广泛应用。
用途
光学仪器制造
太阳能电池
利用薄膜材料的高透光性和低反射性,制 造各种光学仪器,如相机镜头、望远镜和 显微镜等。
通过在太阳能电池表面镀制特定光谱选择 吸收的薄膜材料,提高光电转换效率。
显示面板制造
柔性电子产品
能量转换膜
用于燃料电池、太阳能电池和锂电 池等。
无机材料合成与制备课件
2. 将硅酸乙酯、乙醇和氨水按一定比例混合,搅拌均匀。
实验一:溶胶-凝胶法制备二氧化硅薄膜
3. 将混合液滴加到玻 璃基板上,放入烘箱 中加热至一定温度。
5. 观察和测试二氧化 硅薄膜的形貌和性能 。
4. 取出玻璃基板,用 去离子水冲洗,晾干 后进行热处理。
无机材料合成与制备课件
• 无机材料概述 • 无机材料合成方法 • 无机材料制备技术 • 无机材料合成与制备的研究进展 • 无机材料合成与制备的前景与挑战 • 无机材料合成与制备实验课程设计
01
无机材料概述
无机材料的定义与分类
无机材料定义
无机材料是指不含碳元素的化合物或 单质,主要由无机化合物组成的一类 材料。
实验二:化学气相沉积法制备氮化硅薄膜
01 实验步骤
02
1. 准备试剂和仪器,如硅烷、氨气、氢气、氮气、反
应腔等。
03
2. 将反应气体按一定比例通入反应腔中,加热至一定
温度。
实验二:化学气相沉积法制备氮化硅薄膜
3. 保持反应一定时间,使反应 物在基材表面沉积形成薄膜。
4. 停止反应,取出基材,进行 后处理。
5. 观察和测试氮化硅薄膜的形 貌和性能。
实验三:物理气相沉积法制备钛合金薄膜
实验目的
通过物理气相沉积法合成钛合金薄膜,了解 物理气相沉积法的合成过程和原理,掌握钛 合金薄膜的制备技术。
实验原理
物理气相沉积法是一种常用的材料合成方法 ,通过将金属蒸发或溅射成原子或分子,在 基材表面沉积形成薄膜。钛合金薄膜具有高 强度、耐腐蚀等特性,常用于航空、化工等 领域。
05
无机材料合成与制备的前景与挑战
《薄膜材料与技术》课件
Part One
单击添加章节标题
Part Two
薄膜材料的种类
金属薄膜
铝薄膜:广泛 应用于包装、
电子等领域
铜薄膜:常用 于电子电路、 太阳能电池等
领域
镍薄膜:常用 于电子电路、
电池等领域
钛薄膜:常用 于航空航天、 生物医学等领
域
塑料薄膜
聚乙烯薄膜:广泛应用于食品包装、药品包装等领域 聚丙烯薄膜:具有较好的耐热性和耐化学性,常用于包装和印刷 聚氯乙烯薄膜:具有良好的耐候性和耐化学性,常用于建筑和工业领域 聚酯薄膜:具有良好的耐热性和耐化学性,常用于包装和印刷
面的研究
研究目标:开发具有优异性 能的新型薄膜材料
研究意义:推动薄膜技术的 发展,提高薄膜材料的性能
和应用范围
薄膜材料在新能源领域的应用研究
储能电池:薄膜材料作为储 能电池的电极,提高能量存 储密度
燃料电池:薄膜材料作为燃 料电池的电极,提高电化学 反应效率
太阳能电池:薄膜材料作为 太阳能电池的基底,提高光 电转换效率
超级电容器:薄膜材料作为 超级电容器的电极,提高能
量存储和释放速度
热电材料:薄膜材料作为热 电材料的基底,提高热电转
换效率
光热材料:薄膜材料作为光 热材料的基底,提高光热转
换效率
薄膜材料在其他领域的应用研究
电子领域:薄膜材料在电子设备中的广泛应用,如薄膜太阳能电池、薄膜显示器等
光学领域:薄膜材料在光学器件中的应用,如薄膜光学镜片、薄膜光学传感器等 生物医学领域:薄膜材料在生物医学领域的应用,如薄膜生物传感器、薄膜药物载体等 环境领域:薄膜材料在环境领域的应用,如薄膜空气净化器、薄膜水处理设备等
力学特性
弹性模量:薄膜 材料的弹性模量 通常较小,易于 弯曲和变形
第19章-无机膜制备化学-幻灯片
美国官方文件曾说:“18世纪电器改变了整个工业过程, 而20世纪的膜技术将改变整个面貌,目前没有一项技术能 像膜一样广泛地应用”。
日本把膜技术作为21世纪基础技术进行研究与开发,早在 1987年东京国际膜会议上,明确指出:“21世纪的多数 工业中,膜分离技术扮演着战略角色”。
国际上有一种流行的说法,即“谁掌握了膜技术,谁就掌 握了化工的未来”。
19.1.3 无机膜制备技术
膜的传质分离性能取决于膜材料的物 理、化学和结构参数,这可以通过适当的 制备工艺及其参数调整,达到优化性能的 目的。
目前的制备方法有:粉体干压成型烧 结法、流延法、轧辊法、注浆成型法、挤 压成型法、溶胶-凝胶法等十多种方法。
表19-1无机膜结构与性能表征方法
表19-2 无机膜材料的制备方法一览表
H
M-OH+ M-OH →M-O-M-OH →M-O-M+H2O
2.无机聚合物溶胶的形成
应用聚合物溶胶制备溶胶-凝胶膜,其方式 与粒子溶胶颇为不同,在这类溶胶中,分 散相是由有机金属前驱体在有机介质中水 解缩合得到,大多数情况下,该过程涉及 到金属烷氧基化合物在醇中的聚合作用。
硅的烷氧化合物的水解与缩合反应速率比 较慢,因此需要碱或算催化剂
1.水溶液中粒子溶胶的形成
采用金属盐(或醇盐)为前驱体,溶于水后,在水介质中 的基本反应有以下三类:
(1)溶剂化 金属阳离子Mz+溶于水中,常为极性水分子所 包围,形成水(溶剂)合离子: Mz++:OH2→[M←OH2]z+
(2)水解反应 水合离子发生水解反应,相应发生电荷转移, 给出质子H+,其水解平衡式可写作: [MOH2]z+↔ [MOH]z-1+ H+ ↔ [M=O]z-2+2H+ 从上式看,水解平衡存在着三种类型的配位基:水合基 (MOH2);羟基MOH和氧化剂M=O。
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• 表面能的相对大小决定一种材料是否和另 一种材料相湿润并形成均匀黏附层。
• 具有非常低表面能的材料容易和具有较高 表面能的材料相湿润。反之,如果淀积材 料具有较高表面能,则它容易在具有较低 表面能衬底上形成原子团(俗称起球)。
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• 氧化物具有特殊的作用。即使对一般的金属 来说不能牢固附着的塑料等基片上也能牢固 附着。
• 内应力就其原因来说分为两大类,即固有应力 (或本征应力) 和非固有应力。固有应力来自 于薄膜中的缺陷,如位错。薄膜中非固有应力 主要来自薄膜对衬底的附着力。
• 由于薄膜和衬底间不同的热膨胀系数和晶格失 配能够把应力引进薄膜,或者由于金属薄膜与 衬底发生化学反应时,在薄膜和衬底之间形成 的金属化合物同薄膜紧密结合,但有轻微的晶 格失配也能把应力引进薄膜。
• 或者这些高速粒子自己进入晶格之中。这些都是 产生压应力的原因。因此,溅射薄膜中的内应力 与溅射条件的关系很密切。
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(4)异常结构和非理想化学计量比 特性
• 薄膜的制法多数属于非平衡状态的制取过 程,薄膜的结构不一定和相图相符合。
• 规定把与相图不相符合的结构称为异常结 构,不过这是一种准稳(亚稳)态结构, 但由于固体的粘性大,实际上把它看成稳 态也是可以的,通过加热退火和长时间的 放置还会慢慢地变为稳定状态。
• 如果拉应力用正数表示,则压应力就用负数表示。
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• 真空蒸镀膜层的应力值情况比较复杂。
• 在溅射成膜过程中,薄膜的表面经常处于高速离 子以及中性粒子的轰击之下,在其他参数相同的 条件下,放电气压越低,这些高速粒子的能量越 大。与薄膜相碰撞的高速粒子会把薄膜中的原子 从阵点位置碰撞离位,并进入间隙位置,产生钉 扎效应(pinning effect)。
第四章 无机薄膜材料与制备技
术
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4.1 薄膜及其特性
• 一、 薄膜的定义及其特性 • 二、 薄膜材料的分类 • 三、 薄膜的结构特征与缺陷 • 四、 薄膜和基片
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m
一、 薄膜的定义及其特性
• 什么是“薄膜”(thin film),多“薄”的 膜才算薄膜?
• 薄膜有时与类似的词汇“涂层”(coating)、 “层”(layer)、“箔”(foil)等有相同 的意义,但有时又有些差别。
• Si、Cr、Ti、W等易氧化(氧化物生成能大) 物质的薄膜都能比较牢固地附着。
• 若在上述这些物质的薄膜上再沉积金属等, 可以获得附着力非常大的薄膜。
• 为增加附着力而沉积在中间的过渡层薄膜称 为胶粘层(glue),合理地选择胶粘层在薄 膜的实际应用是极为重要的。
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(3)薄膜中的内应力
• 在薄膜材料中还包含有大量的表面晶粒间界和 缺陷态,对电子输运性能也影响较大。
• 在基片和薄膜之间还存在有一定的相互作用, 因而就会出现薄膜与基片之间的粘附性和附着 力问题,以及内应力的问题。
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(1)表面能级很大
• 表面能级指在固体的表面,原子周期排列的连续 性发生中断,电子波函数的周期性也受到影响, 把表面考虑在内的电子波函数已由塔姆(Tamm) 在1932年进行了计算,得到了电子表面能级或称 塔姆能级。
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实验结果表明:
• ①在金属薄膜-玻璃基片系统中,Au薄膜 的附着力最弱;
• ②易氧化元素的薄膜,一般说来附着力 较大;
• ③在很多情况下,对薄膜加热(沉积过 程中或沉积完成之后),会使附着力以 及附着能增加;
• ④基片经离子照射会使附着力增加。
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• 一般来说,表面能是指建立一个新的表面 所需要的能量。
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设薄膜、基片都是导体,而且二者的费米能级不同, 由于薄膜的形成,从一方到另一方会发生电荷转移, 在界面上会形成带电的双层。此时,薄膜和基片之 间相互作用的静电力F为:
2
F
2 0
式中, 为界面上出现的电荷密度;
0 为真空中的介电常数。
要充分考虑这种力对附着的贡献。
费米能级是绝对零度时电子ppt课的件 最高能级.
• 薄膜的一个面附着在基片上并受到约束作用,因 此薄膜内容易产生应变。若考虑与薄膜膜面垂直 的任一断面,断面两侧就会产生相互作用力,这 种相互作用力称为内应力。
• 附着和内应力是薄膜极为重要的固有特征。
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• 基片和薄膜属于不同种物质,附着现 象所考虑的对象是二者间的边界和界 面。
• 二者之间的相互作用能就是附着能, 附着能可看成是界面能的一种。附着 能对基片-薄膜间的距离微分,微分最 大值就是附着力。
• 像薄膜这种表面面积很大的固体,表面能级将会 对膜内电子输运状况有很大的影响。尤其是对薄 膜半导体表面电导和场效应产生很大的影响,从 而影响半导体器件性能。
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(2)薄膜和基片的粘附性
• 薄膜是在基片之上生成的,基片和薄膜之间就会 存在着一定的相互作用,这种相互作用通常的表 现形式是附着(adhesion)。
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不同种物质原子之间最普遍的相互作用是范德
瓦耳斯力。这种力是永久偶极子、感应偶极子之 间的作用力以及其他色散力的总称。
设两个分子间的上述相互作用能为U,则U可 用下式表示:
U
3a,r为分子间距离;a为分子的极化率;I为分 子的极化能;下标A、B分别表示A分子和B分子。 用范德瓦耳斯力成功地解释了许多附着现象。
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• 一般说来,薄膜往往是在非常薄的基片上沉积的。 在这种情况下,几乎对所有物质的薄膜,基片都 会发生弯曲。
• 弯曲有两种类型:一种是弯曲的结果使薄膜成为 弯曲面的内侧,使薄膜的某些部分与其他部分之 间处于拉伸状态,这种内应力称为拉应力。
• 另一种是弯曲的结果使薄膜成为弯曲的外侧,它 使薄膜的某些部分与其他部分之间处于压缩状态, 这种内应力称为压应力。
• 通常是把膜层无基片而能独立成形的厚度作 为薄膜厚度的一个大致的标准,规定其厚度 约在1µm左右。
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薄膜材料的特殊性
• 同块体材料相比,由于薄膜材料的厚度很薄, 很容易产生尺寸效应,就是说薄膜材料的物性 会受到薄膜厚度的影响。
• 由于薄膜材料的表面积同体积之比很大,所以 表面效应很显著,表面能、表面态、表面散射 和表面干涉对它的物性影响很大。