模拟电子技术基础习题(全集) (1)
模拟电子技术习题答案(1)
模拟电子技术习题答案(1)第一章常用半导体器件1习题答案〖题1.1〗(1)杂质浓度,温度(2)呈圆形电中性,呈圆形电中性(3)等同于,大于,变宽,大于,变窄(4)逆向打穿(5)减小,减小,增大(6)左移,下移,加高(7)、发射结,erf(8)一种载流子参予导电,两种载流子参予导电,压控,流控。
〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示,判断图中二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出端电压uo。
设二极管的导通压降为ud=0.7v。
adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)图t1.2解:(a)uo=ua-ud=-5v-0.7v=-5.7v(b)uo=ub=uc=-5v(c)uo=ua=-0.7v(d)uo=ua=-9.3v〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图,未知ui?10sin?t(mv),e?1.2v,ui电容c和直流电源e对交流视为短路,二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示,r?100?,谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。
解:id?id?id?(5?1.92sin?t)maud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3第一章常用半导体器件2〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管,试通过计算判断它们是否导通?。
6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解:(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通;5?525?(?15)4v(b)ua??10?2?185?201ub??151v,ua?ub,二极管截至。
1?141k?1k??d5v?(a)d??〖题1.5〗在图t1.5所示电路中,已知ui=10sinωt(v),二极管的正向压降和反向电流均可忽略。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时,锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来,有1μA 的正向电流流过,试问它们的结电压各为多少? 解:二极管正偏时,TD U U S eI I ≈ , ST D I I lnU U ≈ 对于硅管:mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管:mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时,某硅二极管的反向饱和电流I S =。
(1)当二极管正偏压为时,二极管的正向电流为多少?(2)当温度升至67C 或降至10C -时,分别计算二极管的反向饱和电流。
此时,如保持(1)中的正向电流不变,则二极管的正偏压应为多少? 解:(1)mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-(2)当温度每上升10℃时,S I 增加1倍,则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃),30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时,mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3(a )所示,二极管伏安特性如图P1-3(b )所示。
已知电源电压为6V ,二极管压降为伏。
试求: (1)流过二极管的直流电流;(2)二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解:(1)mA 53100V7.06I D =Ω-=(2)Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时,硅二极管的正向电压为,正向电流为1mA ,试计算正向电压加至时正向电流为多少? 解:mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管,如图P1-5所示。
(华北电力大学主编)模拟电子技术基础习题答案
(华北电⼒⼤学主编)模拟电⼦技术基础习题答案模拟电⼦技术基础习题答案电⼦技术课程组2018.8.15⽬录第1章习题及答案 (1)第2章习题及答案 (14)第3章习题及答案 (36)第4章习题及答案 (45)第5章习题及答案 (55)第6章习题及答案 (70)第7章习题及答案 (86)第8章习题及答案 (104)第9章习题及答案 (117)第10章习题及答案 (133)模拟电⼦技术试卷1 (146)模拟电⼦技术试卷2 (152)模拟电⼦技术试卷3 (158)第1章习题及答案1.1选择合适答案填⼊空内。
(1)在本征半导体中加⼊元素可形成N型半导体,加⼊元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价(2)PN结加正向电压时,空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽(3)当温度升⾼时,⼆极管的反向饱和电流将。
A. 增⼤B. 不变C. 减⼩(4)稳压管的稳压区是其⼯作在。
A. 正向导通B.反向截⽌C.反向击穿解:(1)A、C (2)A (3)A (4)C1.2.1写出图P1.2.1所⽰各电路的输出电压值,设⼆极管是理想的。
(1)(2)(3)图P1.2.1解:(1)⼆极管导通U O1=2V (2)⼆极管截⽌U O2=2V (3)⼆极管导通U O3=2V1.2.2写出图P1.2.2所⽰各电路的输出电压值,设⼆极管导通电压U D=0.7V。
(1)(2)(3)图P1.2.2解:(1)⼆极管截⽌U O1=0V (2)⼆极管导通U O2=-1.3V (3)⼆极管截⽌U O3=-2V1.3.1电路如P1.3.1图所⽰,设⼆极管采⽤恒压降模型且正向压降为0.7V,试判断下图中各⼆极管是否导通,并求出电路的输出电压U o。
图P1.3.1解:⼆极管D1截⽌,D2导通,U O=-2.3V1.3.2电路如图P1.3.2所⽰,已知u i=10sinωt(v),试画出u i与u O的波形。
设⼆极管正向导通电压可忽略不计。
《模拟电子技术基础》A卷及答案[1]
一、选择题1.为了增大输出电阻,应在放大电路中引入 A ;A、电流负反馈B、电压负反馈C、直流负反馈D、交流负反馈2.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为____ B _____失真,下半周失真时为____ A ____失真。
A、饱和B、截止C、交越D、频率3.三端集成稳压器CXX7805的输出电压是____ A _____A、5vB、9vC、12vD、8v4.两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 B 。
A、βB、β2C、2βD、1+β5.直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是____C____。
A、(B、C、E)B、(C、B、E)C、(E、C、B)D、A、B、C均可6.集成运放的互补输出级采用 B 。
A、共基接法B、共集接法C、共射接法D、差分接法7. 稳压管的稳压区是其工作在 D 状态。
A、正向导通B、反向截止C、饱和D、反向击穿8.晶体管能够实现放大的外部条件是 B 。
A、放射结正偏,集电极正偏B、放射结正偏,集电极反偏C、放射结反偏,集电极正偏D、放射结反偏,集电极反偏9.测得晶体管三个电极的静态电流分别是0.06mA,3.66mA和3.6mA,则该管的β为 A 。
A、60B、61C、100D、5010.射极输出器的特点是 C 。
A、。
uA<1,输入电阻小,输出电阻大B、。
uA>1,输入电阻大,输出电阻小C、。
uA<1且。
uA≈1,输入电阻大,输出电阻小D、。
uA>1,输入电阻小,输出电阻大11.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 C 。
A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压稳定12.对于结型场效应管,当| u GS | > | U GS (off ) | 时,管子一定工作在 C 。
A 、恒流区B 、可变电阻区C 、截止区D 、击穿区13.负反馈放大电路产生自激振荡条件是 B 。
A 、AF=1B 、1-=。
模拟电子技术基础期末模拟试卷一(答案)(1)
期末模拟试卷一答案课程名称:模拟电子技术基础一、选择题1. 在保持二极管反向电压不变的条件下,二极管的反向电流随温度升高而____。
A 、增大 ,B 、减小,C 、不变 答案:A2. 在N 型半导体中,空穴浓度____电子浓度。
A 、大于,B 、小于 ,C 、等于 答案:B3. 直接耦合与变压器耦合多级放大电路之间主要不同点是⎽⎽⎽⎽。
A 、所放大的信号不同,B 、交流通路不同,C 、直流通路不同 答案:C4. 在长尾式的差分放大电路中,Re 对__有负反馈作用。
A 、差模信号,B 、共模信号,C 、任意信号 答案:B5. 用直流电压表测出UCE ≈VCC ,可能是因为_____。
A 、CC V 过大 , B 、c R 开路, C 、b R 开路, D 、β 过大答案:C6. 已知图中二极管的反向击穿电压为100V ,测得I =1μA 。
当R 从10Ωk 减小至5Ωk 时,I 将____。
A 、 为2μA 左右,B 、为0.5μA 左右,C 、变化不大,D 、远大于2μA 答案:C7.测得某NPN型晶体管3个电极的电位分别为UB=1V,UE=0.3V,UC=3V,则此晶体管工作在____状态。
A.截止B.饱和C.放大 D. 开关答案:C8. 差动放大电路的主要特点是____。
A. 放大差模信号,抑制共模信号;B. 既放大差模信号,又放大共模信号;C. 放大共模信号,抑制差模信号;D. 既抑制差模信号,又抑制共模信号。
答案:A9.互补输出级采用射极输出方式是为了使____。
A. 电压放大倍数高B. 输出电流小C. 输出电阻增大D. 带负载能力强答案:D10.集成运放电路采用直接耦合方式是因为____。
A. 可获得较高增益B. 可使温漂变小C. 在集成工艺中难于制造大电容D. 可以增大输入电阻答案:C11、利用正反馈产生正弦波振荡的电路,其组成主要是____。
A、放大电路、反馈网络B、放大电路、反馈网络、选频网络C、放大电路、反馈网络、稳频网络答案:B13、分别指出下列传递函数表达式各表示哪一种滤波电路(A、低通,B、高通,C、带通,D、带阻,E、全通)。
模拟电子技术基础试题库(附答案)
模拟电子技术基础试题库(附答案)一、选择题1. 下列哪种器件是双极型晶体管的三个电极名称?A. 发射极、基极、集电极B. 发射极、基极、地C. 发射极、基极、输入端D. 发射极、基极、输出端答案:A2. 下列哪种电路是模拟电子技术中最基本的放大电路?A. 差分放大电路B. 积分放大电路C. 微分放大电路D. 互补放大电路答案:A3. 下列哪种元件在放大电路中起到反馈作用?A. 电容B. 电感C. 电阻D. 运算放大器答案:A4. 下列哪种放大电路具有输入阻抗高、输出阻抗低的特点?A. 固定偏置放大电路B. 分压式偏置放大电路C. 串联型放大电路D. 并联型放大电路答案:B5. 下列哪种放大电路可以实现电压放大和倒相?A. common-emitter amplifier(共射放大器)B. common-base amplifier(共基放大器)C. common-collector amplifier(共集放大器)D. emitter-follower(发射极跟随器)答案:A6. 下列哪种放大电路具有电压放大倍数可调的特点?A. 固定偏置放大电路B. 分压式偏置放大电路C. 串联型放大电路D. 并联型放大电路答案:C7. 下列哪种电路可以实现信号的整流?A. 半波整流电路B. 全波整流电路C. 桥式整流电路D. 滤波电路答案:A8. 下列哪种电路可以实现信号的滤波?A. 半波整流电路B. 全波整流电路C. 桥式整流电路D. 滤波电路答案:D9. 下列哪种电路可以实现信号的积分和微分?A. 积分放大电路B. 微分放大电路C. 滤波电路D. 整流电路答案:B10. 下列哪种电路可以实现信号的放大和滤波?A. 放大电路B. 滤波电路C. 积分电路D. 微分电路答案:A二、填空题1. 晶体管的三个电极分别为____、____、____。
答案:发射极、基极、集电极2. 放大电路的目的是____。
答案:放大信号3. 运算放大器是一种具有____、____和____的放大器。
第1章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)
《模拟电子技术基础》第4版习题解答第1章半导体二极管及其基本应用电路一、填空题1.1 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于,而少数载流子的浓度则与有很大关系。
1.2 在N型半导体中,多子是,少子是;在P型半导体中,多子是,少子是。
1.3二极管具有性;当时,二极管呈状态;当时,二极管呈状态。
1.4 2APl2型二极管是由半导体材料制成的;2CZ52A型二极管是由半导体材料制成的。
1.5在桥式整流电路中接入电容C(与负载并联)滤波后,输出电压较未加C时,二极管的导通角,输出电压随输出电流的增大而。
二、选择正确答案填空(只需选填英文字母)1.6二极管正向电压从0.7 V增大15%时,流过的电流增大(a.15%;b.大于15%;c.小于15%)。
1.7当温度升高后,二极管的正向压降将,反向电流将(a.增大;b.减小;c.不变)。
1.8利用二极管的组成整流电路(a1.正向特性;b1.单向导电性;c1.反向击穿特性)。
稳压二极管工作在状态下,能够稳定电压(a2.正向导通;b2.反向截止;c2.反向击穿)。
三、判断下列说法是否正确(用√或×号表示)1.9在N型半导体中,掺入高浓度的三价杂质,可以改型为P型半导体。
( )1.10 PN结的伏安特性方程可以描述PN结的正向特性和反向特性,也可以描述其反向击穿特性。
( )1.11 在桥式整流电路中,如用交流电压表测出变压器二次侧的交流电压为40 V,则在纯电阻负载两端用直流电压表测出的电压值约为36 V。
( ) 1.12光电二极管是受光器件,能将光信号转换为电信号。
( ) 解答:1.1 杂质浓度温度1.2 电子空穴空穴电子1.3 单向导电性 正向偏置 导通 反向偏置 截止1.4 N 型锗材料 N 型硅材料1.5 增大 减小 减小1.6 (b )1.7 (b ) (a )1.8 (b 1) (c 2)1.9 (√)1.10 (×)1.11 (√)1.12 (√)1.13某硅二极管在室温下的反向饱和电流为910-A ,求外加正向电压为0.2 V 、0.4 V 时二极管的直流电阻R D 。
模拟电子技术基础试卷一及参考答案(真题).docx
模拟电子技术基础试卷一及参考答案(总分150分)一、选择题(本大题10个小题,每小题4分,共40分。
在每小题给岀的四个选项中, 只有一项是符合题目要求的,把所选项前的字母填在题后的括号内。
)1.用万用表的RX100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Q,若改用RXlk档,测量同一二极管,则其正向电阻值()a.增加b.不变c.减小d.不能确定2.某三极管各电极对地电位如图2所示,由此可判断该三极管()a.处于放大区域b.处于饱和区域c.处于截止区域d.已损坏图23.某放大电路在负载开路吋的输出电压为6V,当接入2kG负载后,其输出电压降为4V,这表明该放大电路的输出电阻为()a. 10kQb. 2kQc. lkQd. 0.5kQ4.某放大电路图4所示.设V CC»V BE,L CEO"0,则在静态时该三极管处于()a.放大区b.饱和区c.截止区d.区域不定5.图5所示电路工作在线性放大状态,设R「RMR L,则电路的电压增益为()g"尺a. b. 1 + gnA C. 一弘尺; d. 一庄/弘6. 图5屮电路的输入电阻&为( a.Rg+(l?jj//7?g2) c. RJRjlR 立7. 直流负反馈是指()a.存在于RC 耦合电路小的负反馈c.总流通路中的负反馈 8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是() a.输入信号所包含的干扰和噪声c.反馈环外的干扰和噪声 9. 在图9所示电路屮,A 为理想运放,a. -2.5Vb. -5V图910. 在图10所示的单端输出羌放电路中,若输入电压△5尸80诃,二60mV,则差模输入电压为()a. 10mVb. 20mVc. 70mVd. 140mV—nu^— — 1 R 1LICH;Rd rnHX ・ R c--4P_1T- o +Vcc Vo) b. /?g.//(/?g]+/?g2) d. [R g +(心〃他b.放人直流信号时才有的负反馈 d.只存在于直接耦合电路中的负反馈b.反馈环内的十扰和噪声d.输出信号中的干扰和噪声 则电路的输出电压约为()c. -6.5Vd. -7.5V图10二、填空题(本大题共7个小题,18个空,每空2分,共36分。
模拟电子技术基础试题库(附参考答案)
一、单项选择题1. 下列关于电路中电压方向的描述,错误的是()A. 电压的参考方向可任意设定B. 电压的实际方向就是参考方向C. 电位降低的方向是电压的实际方向D. Uab表示a点与b点之间电压参考方向由a指向b答案:B解析:电压的实际方向不一定与参考方向相同,取决于电路的连接方式。
2. 电路如题2图所示,则以下关于电源功率的描述中,正确的是()A. 电压源吸收功率20W,电流源吸收功率40WB. 电压源吸收功率20W,电流源提供功率40WC. 电压源提供功率20W,电流源吸收功率40WD. 电压源提供功率20W,电流源提供功率40W答案:D解析:电压源提供功率,电流源吸收功率。
3. 已知加在电容C2F两端的电压为U(t)100cos(2000t)(mV),则流过该电容的电流为()A. 10cos(2000t) AB. 10sin(2000t) AC. 10cos(2000t) AD. 10sin(2000t) A答案:A解析:电容的电流与电压之间满足关系 i = C dU/dt,代入公式可得 i =10cos(2000t) A。
4. 下列关于P型半导体中载流子的描述,正确的是()A. 仅自由电子是载流子B. 仅空穴是载流子C. 自由电子和空穴都是载流子D. 三价杂质离子也是载流子答案:B解析:P型半导体中的载流子主要是空穴。
5. 以下关于差动放大电路的描述中,错误的是()A. 差动放大电路是一个对称电路B. 差动放大电路的共模抑制比越大,性能越好C. 差动放大电路能抑制零点漂移D. 差动放大电路能抑制共模干扰答案:D解析:差动放大电路能抑制共模干扰,但不能抑制共模干扰。
二、多项选择题1. 下列哪些元件属于无源元件()A. 电阻B. 电容C. 电感D. 晶体管答案:A、B、C解析:电阻、电容、电感都属于无源元件。
2. 下列哪些电路具有正反馈作用()A. 同相放大电路B. 反相放大电路C. 比较器电路D. 振荡电路答案:A、D解析:同相放大电路和振荡电路具有正反馈作用。
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案
第一章 半导体基础知识自测题一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE=20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。
图略。
六、1、V2V mA6.2 A μ26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O =U CE =2V 。
2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。
习题1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为 1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
tt1.4 u i 和u o 的波形如图所示。
1.5 u o 的波形如图所示。
1.6 I D =(V -U D )/R =2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。
1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
(2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。
模拟电子技术基础部分练习题含答案
模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题(共50题,每题1分,共50分)1、二极管在电路板上用( )表示。
A、CB、DC、RD、L正确答案:B2、根据作业指导书或样板之要求,不该断开的地方断开叫( )。
A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案:C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了? ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案:D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案:B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案:A6、多级放大电路各级的电压增益分别是:10dB、20 dB、30 dB,则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案:C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
A、变压器的效率越高,各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小,变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案:C8、在三极管放大电路中,三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案:D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案:C10、某三极管,测得其发射结反偏,集电结反偏,则该三极管处于( )。
A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案:B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端,则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案:B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为:1、100、-100,则总的电压放大倍数( )。
A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案:B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案:D14、在基本放大电路中,集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案:C15、在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。
《模拟电子技术基础》习题答案
模拟电子技术基础答案 第1章习题及答案1.1.在图题1.1所示的各电路图中E =5V ,t u i ωsin 10=V ,二极管的正向压降可忽略不计,试分别画出输出电压o u 的波形。
oo(a)(b)(c)(d)图题1.1解:(a )图:当i u > E 时,o u = E ,当i u < E 时,i o u u =。
(b )图:当i u < E 时,o i u u =;当i u > E 时,E u o =。
(c )图:当i u < E 时,E u o =;当i u > E 时,i o u u =。
(d )图:当i u > E 时,i o u u =;当i u < E 时,E u o =。
画出o u 波形如图所示。
Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2.有两个稳压管D Z1和D Z2,其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ,正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ,3V ,6V ,9V 和14V 几种稳定电压,问这两个稳压管(还有限流电阻)应如何连接?画出各个电路。
解:各电路图如图所示。
(a)0.5V ;(b)3V ;(c)6V ;(d)9V ;(e)14V。
R LR L(a)(b)R LR LR L(c) (d) (e)1.3.在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光,为什么?U图题1.3解:若输入电压U I =1.0V ,发光二极管不发光,因为发光二极管正向工作电压为2~2.5V 。
1.4.光电二极管在电路中使用时,是正向连接还是反向连接?解:光电二极管在电路中使用时,是反向连接,因为光电二极管工作在反偏状态,它的反向电流随光照强度的增加而上升,用于实现光电转换功能。
1.5.某二极管的管壳标有电路符号,如图所示,已知该二极管是好的,万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示,(1)在测二极管的正向电阻时,两根表笔如何连接?(2)在测二极管的反向电阻时,两根表笔又如何连接?(3)两次测量中哪一次指针偏转角度大?偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大?图题1.5解:(1)在测二极管的正向电阻时,黑表笔接正极,红表笔接负极。
模拟电子技术基础习题解答 (1)
图解:U O1=, U O2=0V , U O3=, U O4=2V , U O5=, U O6=-2V 。
四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。
五、电路如图所示,V CC =15V ,?=100,U BE =。
试问:(1)R b =50k ?时,U o=? (2)若T 临界饱和,则R b =?解:(1)26BB BEB bV U I A R μ-==, 2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
图(2)∵ 2.86CC BECS cV U I mA R -==, /28.6BS CS I I A βμ== ∴45.5BB BEb BSV U R k I -==Ω 六、测得某放大电路中三个MOS 管的三个电极的电位如表 所示,它们的开启电压也在表中。
试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区),并填入表内。
图 解图解:i u 与o u 的波形如解图所示。
电路如图所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =。
试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。
图 解图解:波形如解图所示。
电路如图所示, 二极管导通电压U D =,常温下mV U T26≈,电容C 对交流信号可视为短路;i u 为正弦波,有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流 其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图故动态电流的有效值:/1d i D I U r mA =≈现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为。
试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得4种:;14V ;;。
模拟电子技术基础试题(附答案)
模拟电子技术基础试题(附答案)一、填空题(每题2分,共20分)1. 常用的二极管符号有____和____两种。
2. 理想运放满足____、____、____和____四条条件。
3. 电容器充电过程中,其两端电压与充电时间的关系为____。
4. 晶体管的三个极分别为:发射极、____和____。
5. 稳压二极管的反向特性包括____和____两个部分。
6. 常用的放大器分类有____、____和____三种。
7. 整流电路按输入波形不同分为____、____和____三种。
8. 频率响应分析方法主要用于研究____、____和____等电路特性。
9. 常用的滤波器类型有____、____、____和____等。
10. 计数器按计数方式不同分为____、____和____三种。
二、选择题(每题2分,共20分)1. 下列哪个不是理想运放的条件?A. 无穷大的开环增益B. 输入端电阻无穷大C. 输出端电阻无穷大D. 输入端电压与输出端电压无关2. 下列哪个电路不是常用的整流电路?A. 单相全波整流电路B. 单相半波整流电路C. 三相半波整流电路D. 晶体管整流电路3. 下列哪个不是稳压二极管的反向特性?A. 反向漏电流B. 反向击穿电压C. 正向阻断特性D. 反向饱和电流4. 下列哪个不是常用的放大器分类?A. 电压放大器B. 功率放大器C. 运算放大器D. 滤波放大器5. 下列哪个不是常用的滤波器类型?A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 陷波滤波器三、简答题(每题10分,共30分)1. 请简述二极管的工作原理。
2. 请简述运放的同相输入端和反相输入端的区别。
3. 请简述整流电路的作用及其分类。
四、计算题(每题15分,共45分)1. 有一个电容器C=47μF,充电电压U=5V,求充电时间t。
2. 请画出下列电路的频率响应曲线:(略)3. 有一个NPN型晶体管,其β=50,VCBO=5V,VCC=10V,VE=0V,求基极电流Ib、集电极电流Ic和发射极电流Ie。
模拟电子技术基础试题(含答案)
一、选择题(每题2分,共20分)1. 下列哪种半导体器件在正向偏置时导通,在反向偏置时截止?A. 二极管B. 晶体管C. 场效应管D. 稳压管2. 在N型半导体中掺入哪种元素可以形成PN结?A. P型半导体B. N型半导体C. 碳D. 硅3. 三极管放大电路中,发射结和集电结的偏置方式分别是?A. 发射结正偏,集电结反偏B. 发射结反偏,集电结正偏C. 发射结和集电结都正偏D. 发射结和集电结都反偏4. 下列哪种电路可以实现信号的反相放大?A. 共射放大电路B. 共基放大电路C. 共集放大电路D. 集成运算放大电路5. 下列哪种电路可以实现信号的加法运算?A. 集成运算放大电路B. 三极管放大电路C. 场效应管放大电路D. 晶体二极管电路6. 负反馈对放大电路的频率响应有什么影响?A. 提高带宽B. 降低带宽C. 不影响带宽D. 无法确定7. 下列哪种放大电路具有高输入阻抗和低输出阻抗?A. 共射放大电路B. 共基放大电路C. 共集放大电路D. 集成运算放大电路8. 下列哪种放大电路可以实现信号的减法运算?A. 集成运算放大电路B. 三极管放大电路C. 场效应管放大电路D. 晶体二极管电路9. 下列哪种电路可以实现信号的乘法运算?A. 集成运算放大电路B. 三极管放大电路C. 场效应管放大电路D. 晶体二极管电路10. 下列哪种放大电路可以实现信号的除法运算?A. 集成运算放大电路B. 三极管放大电路C. 场效应管放大电路D. 晶体二极管电路二、填空题(每题2分,共20分)1. 半导体中,自由电子带______电,空穴带______电。
2. PN结在______偏置时导通,在______偏置时截止。
3. 三极管放大电路中,发射结的偏置为______,集电结的偏置为______。
4. 集成运算放大电路的反相输入端和同相输入端之间的电压差称为______。
5. 负反馈放大电路的放大倍数与反馈系数的关系为______。
1模拟电子技术基础(附答案)
第一章半导体二极管和三极管第一部分客观题1、正偏二极管端电压增加5%,通过二极管的电流()。
A 增大约5%B 增大小于5%C 增大大于5%D 基本不变。
图1-12、图1-1可用于测量二极管的直流电阻RD 。
当图中电源电压E加倍时,RD会()。
A 加倍B 变大C 不变D 变小3、工作在放大区的某三极管,如果当从12增大到22时,从1变为2,那么它的约为()。
A 70B 83C 91D 1004、在本征半导体中加入()元素可以形成N型半导体。
A 五价B 四价C 三价D 二价5、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为()。
A 前者正偏、后者正偏B 前者正偏、后者反偏C 前者反偏、后者正偏D 前者反偏、后者反偏6、稳压管的稳压区是其工作在()A 正向导通B 方向截止C 反向击穿7、关于晶体管特性曲线的用途,下述说法中的()不正确。
A. 判断BJT的质量B. 估算BJT的一些参数C. 计算放大电路的一些指标D.分析放大器的频率特性8、因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
()9、处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
()10、若耗尽层N沟道MOS管的大于零,则其输入电阻会明显变小。
()11、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
()12、若测得一支BJT 的电流IB=50uA,IC=2.5 mA ,则该管的≈IC/IB=50。
()13、工作点是指BJT 的电流和电压在其特性曲线上对应的点。
()14、放大区IC IB。
因>>1, 故BJT适于电流放大,不适于作电压放大。
()15、放大管集电结反向电压增大,会使集电极电流iC 增大,这是因为此时集电结对从基区扩散过来的载流子吸引力增大的结果。
()16、PNP和NPN是一种对称结构。
因此将发射极与集电极对调使用,BJT仍然能正常放大信号。
()17、PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
《模拟电子技术基础》习题参考答案
《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题:1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流,它由少数载流子形成,其大小决定于温度,而与外电场无关。
3.PN结的P型侧接高电位,N型侧接低电位称为正向偏置(正偏),反之称为反向偏置(反偏)。
4.PN结最重要的特性是单向导电性,它是一切半导体器件的基础。
在NPN型三极管中,掺杂浓度最大的是发射区。
5.晶体三极管因偏置条件不同,有放大、截止、饱和三种工作状态。
6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。
7.工作在放大区的晶体管,当IB 从10μA增大到20μA,IC从1mA增大到2mA,它的β为100,α为1。
8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时,就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区,而使输出信号的波形产生失真。
9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏,则可判断出x、y、z分别为三极管的集电(C)极、基(B)极、发射(E)极。
10.一只晶体管在放大电路中,用万用表测出管脚对地电压分别是:A脚为12伏,B脚为11.7伏,C脚为6伏,则该管为PNP型锗管,A为发射(E)极,B为基(B)极,C为集电(C)极。
11.稳压二极管工作在反向击穿区,主要用途是稳压。
12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态,而二极管导通时是处于正向偏置状态。
13.晶体管电流放大系数是频率的函数,随着频率的升高而下降。
共基极电路比共射极电路高频特性好。
14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区:分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。
15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。
16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级,与负载相连接的末级放大电路称为输出级,它们之间的放大电路称为中间级。
17.某放大电路空载输出电压为4V,接入3KΩ负载后,输出电压变为3V,该放大电路的输出电阻为1KΩ。
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模拟电子技术基础习题第一章半导体二极管及其应用电路第二章半导体三极管及其放大电路第三章场效应晶体管及其放大电路第四章集成运算放大器第六章运放应用电路第七章功率放大电路第八章波形发生和变换电路第九章直流稳压电源第五章负反馈放大电路第十章晶闸管及其应用第十一章~第二十一章应用篇第一章半导体二极管及其应用电路一、填空:1.半导体是导电能力介于_______和_______之间的物质。
2.利用半导体的_______特性,制成杂质半导体;利用半导体的_______特性,制成光敏电阻,利用半导体的_______特性,制成热敏电阻。
3.PN 结加正向电压时_______,加反向电压时_______,这种特性称为PN 结的_______ 特性。
4.PN 结正向偏置时P 区的电位_______N 区的电位。
导体绝缘体掺杂光敏热敏单向导电截止高于导通5.二极管正向导通的最小电压称为______电压,使二极管反向电流急剧增大所对应的电压称为_______电压.6.二极管最主要的特性是,使用时应考虑的两个主要参数是和_。
7.在常温下,硅二极管的死区电压约_______V ,导通后在较大电流下的正向压降约_______V 。
死区单向导电击穿最大整流电流最大反向工作电压0.50.78.在常温下,锗二极管的死区电压约为_______V ,导通后在较大电流的正向压降约为_______V 。
9.半导体二极管加反向偏置电压时,反向峰值电流越小,说明二极管的_______性能越好。
10.稳压管工作在伏安特性的________区,在该区内的反向电流有较大变化,但它两端的电压_ ______。
0.1V 0.3单向导电反向击穿基本不变11.理想二极管正向电阻为________,反向电阻为_______,这两种状态相当于一个_______。
12.当温度升高时,二极管的正向特性曲线将________,反向特性曲线将_______。
13.当温度升高时,二极管的正向电压降_______,反向击穿电压________,反向电流________。
0无穷大开关左移下移减小减小增大14.整流电路的作用是______ __,核心元器件是_______。
15.滤波电路的作用是________,滤波电路包含有_______元件。
16.单相半波整流,单相桥式整流相比,脉动比较大的是_______,整流效果好的是_______。
17.在单相桥式整流电路中,如果任意一个二极管反接,则________,如果任意一只二极管脱焊,则_______。
将交流电变成脉动的直流电二极管降低输出直流电中的脉动成分储能单相半波单相桥式电源短路成为半波整流二、选择题:1.二极管的导通条件是( )。
A. B. 死区电压 C.击穿电压。
2.硅二极管的正向电压在0.7V 的基础上增加10%,它的电流( )。
A.基本不变B.增加10%C.增加10%以上3.硅二极管的正向电压在0.3V 的基础上增大10%,它的电流( )。
A.基本不变B.增加10%C.增加10%以上4.用万用表的档和档分别测量一个正常二极管的正向电阻,两次测量值分别为和,则与的关系为( )。
A. B. C.0>D U >D U >D U Ω⨯100R Ω⨯K R 11R 2R 1R 2R 21R R 〉21R R =21R R 〈5.当温度为时,二极管的导通电压为0.7V ,若其他参数不变,当温度升高到时,二极管的导通电压将( )。
A.等于0.7VB.小于0.7VC.大于0.7V6.如图所示,二极管均为理想元件,则VD 1、VD 2、VD 3的工作状态为( )。
A. VD 1导通,VD 2、VD 3截止B. VD 2导通,VD 1、VD 3截止C. VD 3导通,VD 1、VD 2截止C ︒20C ︒408.电路如图所示,VD 1~VD 3为理想二极管,A 、B 、C 白炽灯泡额定功率相同,其中最亮的灯是_______。
A. BB. CC. A7 .在图示电路中稳压管VD Z1的稳定电压为9V ,VD Z2的稳定电压为15V ,输出电压等于( )。
A .15VB .9VC .24VO U9.理想二极管桥式整流和电阻性负载电路中,二极管承受的最大反向电压为_______。
A .小于 B.等于C.大于,小于 D.等于10.单相桥式整流电容滤波电路,当满足(3~5)时,负载电阻上的平均电压为_______。
A.1.1U 2B. 0.9U 2C. 1.2 U 2D. 0.45U 222U 22U 22U 222U 222U C R L 2T11.所示电路图中,(忽略导通压降)用示波器观察的波形正确的是_______。
)(sin 10V t u i ω=ou12.有三个整流电路A、B、C,变压器副边电压,负载电压的波形如图所示,符合该波形的电路是_______。
三、判断题1. 在二极管的反向截至区,反向电流随反向电压增大而增大。
()2. 如果稳压管工作电流则管子可能被损坏。
()3. 指针式万用表的红表笔(正端)接二极管的正极,黑表笔(负端)接二极管的负极,测得的是二极管的正向电阻。
()4.桥式整流电路中,流过每个二极管的平均电流相同,都只有负载电流的一半。
()5.当变压器中心抽头式全波整流电路和桥式整流电路的输入电压相同时,它们的输出电压波形相同,每个二级管承受的反向电压相同。
()×××√×四、分析计算:1.判断下列电路中二极管的工作状态。
VD1导通,VD2截止VD 截止2.图所示,设二极管导通压降为0.7V ,判断二极管是否导通,并求输出电压。
截止0V O U 导通+11.3V 截止+6V导通+0.7V 导通-12.7V3.图所示,设二极管导通压降为0.7V ,判断二极管是否导通,并求输出电压。
O U V U O 7.0导通= VDVD VD VD VD 4321导通 截止,截止,导通,VU O 3.7=4.图所示,设二极管导通压降为0.7V ,判断二极管是否导通,并求输出电压。
O U VD VD 21 3.5 导通截止,O V U =VD 3.11导通O V U -=5.电路如图所示,设,,二极管的正向压降忽略不计,试在图中分别画出的波形。
VE6=)(sin Vtuiω12=1ou5.电路如图所示,设,,二极管的正向压降忽略不计,试在图中分别画出的波形。
VE6=)(sin Vtuiω12=2ou5.电路如图所示,设,,二极管的正向压降忽略不计,试在图中分别画出的波形。
VE6=)(sin Vtuiω12=3ou6.图示电路中,已知2CW5的参数如下:稳定电压,最大稳定电流,若流经电压表V 的电流可忽略不计。
求:1)开关S 合上时,电压表V 、电流表A 1和电流表A 2的读数为多少?2)开关S 打开时,流过稳压管的电流为多少?3)开关S 合上,且输入电压由原来30 V 上升到33 V 时,此时电压表V 、电流表A 1和电流表A 2的读数为多少?V U Z 12=mA I ZM 20=V :12V A 1:12mA A 2:6mAI Z :12mAV :12VA 1:14mAA 2:6mA7.电路如图所示,试估算输出电压和,并标出输出电压对地极性。
1o U 2o U -+-45V+9V8.电容滤波桥式整流电路及输出电压极性如图所示( V )试求:(1)画出图中4只二极管和滤波电容(标出极性);(2)正常工作时,U o =?(3)若电容脱焊,U o=?(4)若R L 开路,U o =?(5)若其中一个二极管开路,U o =?t u ωsin 2102=12V 9V 14V 10V9.电容滤波桥式整流电路及输出电压极性如图所示,( V )试求:(1)画出图中4只二极管和滤波电容(标出极性);(2)正常工作时,U o =?(3)若电容脱焊,U o=?(4)若R L 开路,U o =?(5)若其中一个二极管开路,U o =?t u ωsin 2202=28V 18V24V20V10. 试分析图示电路的工作原理,标出电容电压的极性和数值,并标出电路能输出约多少大的输出电压和极性。
约22222423222U U U U 、、、++++第二章半导体三极管一、填充题1.三极管从结构上看可以分成_____和_____两种类型。
2.晶体三极管工作时有______和______两种载流子参与导电,因此三极管又称为______晶体管。
3.设晶体管的压降不变,基极电流为20μA 时,集电极电流等于2mA ,则=____。
若基极电流增大至25μA ,集电极电流相应地增大至2.6mA ,则=____。
CE U ββ100120NPN PNP 自由电子空穴双极型4.三极管的电流放大作用是指三极管的_____电流约是_____电流的倍,即利用_____电流,就可实现对_____电流的控制。
5.某三极管的发射极电流等于1mA ,基极电流等于20μA ,穿透电流Iceo=0则其集电极电流等于____,电流放大系数β等于____。
6.当三极管工作在____区时,关系式I C ≈βI B 才成立,发射极____偏置,集电极____偏置。
7.当三极管工作在____区时,I C ≈0;发射极____偏置,集电极___偏置。
集电极基极基极集电极0.98mA 49放大正向反向截止零或反向反向8.当三极管工作在____区时,U CE ≈0。
发射极____偏置,集电极____偏置。
9.当NPN 硅管处在放大状态时,在三个电极电位中,以____极的电位最高,____极电位最低,____极和____极电位差等于____。
10.当PNP 锗管处在放大状态时,在三个电极电位中,以____极的电位最高,____极电位最低,U BE 等于____。
11.晶体三极管放大电路中三个电极的电位分别为,试判断三极管的类型是____,材料是____。
V V V V VV 5.1,2.1,4321-=-=-=集电饱和正向发射基0.7V 正向发射发射集电-0.3V PNP锗12.晶体三极管放大电路中三个电极的电位分别为,,三个电极分别1为______,2为______,3为______。
13.温度升高时,三极管的电流放大倍数β将____;穿透电流I CEO 将____;发射极电压U BE 将____。
14.温度升高时,三极管的共射输入特性曲线将____移,输出特性曲线将____移,而且输出特性曲线之间隔将变____。
V V V V V V 5.1,2.1,4321-=-=-=C E B 增大增大减小左上宽15. 查阅电子器件手册,了解下列常用三极管的极限参数,并记录填写在下表中16.某放大电路,当输入电压为10mV 时,输出电压为7V ,当输入电压为15mV 时,输出电压为6.5V 。