钙钛矿量子点发光二极管.pdf
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Research progress
一、金属有机卤化物 CH3NH3Pb X3( X =Cl,Br,I) 量 子点的研究进展
1、2012年,A.Kojima 等人报道了纳米 级的CH3NH3PbBr3量子点的合成,他们 使用多孔铝作为模板,使合成后的 CH3NH3PbBr3镶嵌在孔洞中,以具备纳 米量级的大小。
SAMSUNG 重心投 QLED
优点: 1.颜色亮,饱和度更好。例如:波 光粼粼的湖面,多层次彩色等 2.反应时间快,二极管开关速度快 3.屏幕尺寸大,商用价值高 4.大规模生产可行,成本较OLED低
缺点: 1.漏光。显像时依然会在该是 纯粹黑色显像处出现漏光的状 况 2.视角范围不如OLED 3.耗电大于OLED
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Device structure
钙钛矿层
多层结构,减少能级跳跃,有利于电子空穴的迁移
多层钙钛矿QLED设备的插图。 a)设备结构。 b)显示多层材料的横截面TEM图像 具有鲜明的对比。 比例尺,50纳米。 c)平带能级图。
有机钙钛矿量子点-无机钙钛矿量子点(中间层的不同)
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Research progress
三、新型二维半导体材料:超薄无机钙钛矿
1.受强离子性以及立方晶相制约,超薄 (单层、少层)CsPbBr3二维钙钛矿的 大产率高质量合成仍然非常困难。
2.南京理工大学曾海波团队采用溶液 化学合成方法,制备了高质量、大产 率、单层及少层厚度的全无机钙钛矿 CsPbBr3超薄纳米片
2、F. Zhang 等人进一步进行了实验 分析总得出增强的激子结合能和钝化 效果良好的表面共同作用使 CH3NH3PbBr3量子点的荧光量子效率超 过 70% 。
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Research progress
二、无机组分Cs Pb X3(X = Cl,Br,I)量子点的研究进展
1.2015年1月,L.Protesescu等人 发表合成了CsPbX3量子点
2.直径8nm,明显的光致发光,半 宽高窄,荧光量子效率高90%。发 光波长范围410-700nm
3.2015年7月,G.Nedulcu等人发表了 阴离子交换法合成CsPbX3量子的文章
4.2015年,南京理工大学曾海波教授课题组团 队采用ITO/PEDOT:PSS/PVK/QDs/TPBi/LiF/Al 器件构型,构筑了无机钙钛矿量子点QLED器件, 实现了红绿蓝三基色等多种颜色的电致发光, 这是该体系QLED的首次报道。
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Background
OLED
有机发光二极管(Organic LightEmitting Diode, OLED)又称为有机电 激光显示、有机发光半导体。由美籍华 裔教授邓青云(Ching W. Tang)于1979 年在实验室中发现。
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QLED
QLED是Quantum Dot Light Emitting Diodes的缩写,是不需要额外光源的自 发光技术。
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钙钛矿晶体,属于正交、四 方或立方晶系 钙钛矿(CaTiO3)的发现最早 可以追溯到1839年。 通用化学式AMX3的物质统称 为钙钛矿。 A代表碱土元素,M代表过渡 金属元素,X代表卤族元素。
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Perovskite quantum dot light emitting diode
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钙钛矿量子点发 光二极管
Reporter:LeqianDu
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Background
照明显示技术发展史
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第一代显示技术 阴极射线管(CRT)
一种电真空器件,通过 驱动电路控制电子发射 和偏转扫描,受控电子 束激光涂在屏幕上的荧 光材料而发出可见光。
特点: 亮度高、彩色鲜艳、寿 命长
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Background
照明显示技术发展史
2018/12/17
第三代显示技术 发光二极管(LED)
在某些半导体材料的PN结 中,注入的少数载流子与 多数载流子复合时会把多 余的能量以光的形式释放 出来,从而把电能直接转 换为光能
优点:亮度高、寿命长、 视角大、屏幕面积可大可 小。
缺点:耗电量大、价格昂贵
量子点 1.零维 2.胶体半导体
发光原理:材料中载流子在接受外来 能量后,达到激发态,在载流子回复 至基态的过程中,会释放能量,这种 能量通常以光的形式发射出去。
wk.baidu.com
量子点:其电子运动在三个维度上均受到约束,能量都
是量子化的 对于孤立原子,其荧光谱线尖锐且狭窄包含大约10010000个原子的量子点,其谱线同样狭窄。 其带隙会明显受到量子点尺寸的影响,则可通过改变其大 小,很容易实现其吸收及发射光谱的调节
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Compare OLED with QLED
从图中可以看出,四 款采用不同技术的电 视相比,QLED在亮度 上有明显的优势,相 比之下,OLED的颜色 则比较黯淡,在亮度 加成下,QLED的色彩 颜色也显得更加鲜艳, 更加接近人眼所看到 的物体。
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Compare OLED with QLED
缺点: 体积大、笨重、功耗大
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Background
照明显示技术发展史
第二代显示技术(主流) 液晶(LCD)
液晶分子受电场、磁场等 的影响发生可控性的偏转, 从而在背光源的配合下发 出不同颜色的光。
优点:节省空间,低耗电、 无辐射。
缺点: 可视角度小、维修 问题,易出现“坏点”。
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Market
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全球彩电产业正进入新的一 轮产业变革期,已有的彩电 市场销量下降,现有的彩电 技术尚未取得重大突破,黎 明前最是黑暗,在下一代显 示技术爆发之前,彩电市场 整体呈现出低迷的状况。
LED:下一个爆发点
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Perovskite quantum dot light emitting diode
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Problem:
• 结构不稳定
由于离子型晶体的钙钛矿材料不管是块状结构,二维纳米片和纳米线 或者零维的量子点上,稳定性能极差。晶体结构先天性的对极性溶剂 和氧气敏感。这将会严重影响围绕钙钛矿量子点为核心的光电器件。
• 环境不稳定