量子点发光二极管的制备及性能表征

量子点发光二极管的制备及性能表征
目前,量子点电致发光器件(QLED)经过几十年的研究和发展,其商业化黎明正在到来。

QLED的高色域,高亮度,窄半宽峰使得其在显示领域备受关注。

量子点材料被广泛应用在手机,电视,电脑等产品中。

目前研究主要以有机空穴传输层和无机电子传输层夹心结构为主。

由于是多层结构器件,其制作涉及多种材料和工艺。

该研究主要是为了获得更好电光转化效率(EQE)的和更长寿命的QLED。

针对QLED存在的问题,本文研究工作如下:合成PLQY超过80%CdSe/ZnS高性能核壳结构量子点,并对其使用十二硫醇配体交换制作器件量子点发光层材料。

合成了氧化锌量子点和低温退火掺铜氧化镍纳米晶,并通过调节材料结构和组分获得表现良好的电子传输层和空穴传输层材料。

研究不同器件结构,并通过对器件的功能层如电荷传输层(电子和空穴),发光层以及电极工艺进行研究。

使用了可见光吸收光谱,TEM,AFM等多种表征技术对材料和器件进行了表征。

对器件测试从原理上进行了推导,使用光谱仪,光功率计,2400源表结合并使用MATLAB编程实现了对于不同波段量子点材料光致发光荧光效率和器件的光电性能测试与数据处理。

研究发现使用氧化镍作为空穴传输层可有效提升器件稳定性,使用5%掺镁氧化锌可以获得最高的电子注入效率。

使用3500rpm旋涂获得器件最优的量子点层厚度,其EQE达到7.412%。