半导体工艺光刻+蚀刻.描述
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湿法和干法
刻蚀工艺
刻蚀工艺 —— 湿法
用液体化学剂（如酸，碱和溶剂等）
以化学方式去除Si表面的材料
刻蚀工艺 —— 干法
Plasma
把衬底表面曝露于气态的等离子体，等离子体与硅片
发生物理或/和化学反应，从而去掉曝露的表面材料。
亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法
显影液
曝光 去光阻液
显影
窗口
光刻胶的曝光区
氧化层 photoresist 光刻胶层 oxide 氧化层 silicon substrate 硅衬底 硅衬底
光刻胶显影后的最终图形
光刻工艺
使用光敏材料（光刻胶）和可控制的曝
光在光刻胶膜层形成三维图形
在后续工艺(蚀刻)中,保护下面的材料
光刻工艺步骤
紫外光
HMDS
光刻胶
模版
清洗+喷涂粘附剂
旋转涂胶
软烘
对准和曝光
曝光后烘焙
显影
坚膜烘焙
显影检查
光刻工艺
模板
涂胶
曝光
显影
光刻工艺 —— 显影后
Normal
Incomplete
under
over
光刻工艺 —— 显影后
蚀刻工艺
光刻胶上的IC设计图形
晶圆表面
腐蚀作用，从Si片表面去除不需要的材料，
如Si、SiO2，金属、光刻胶等
酸 气体
去光阻
蚀刻
连接导线的制作
光刻+刻蚀 开启电极接触窗口
蒸金，光刻+刻蚀 制作连接导线
芯片制造技术中的
光刻、刻蚀工艺
INTRADUCTION
芯片制造工艺 光刻工艺
刻蚀பைடு நூலகம்艺
光刻+蚀刻
最重要
决定着芯片的最小尺寸 制造时间的40-50% 制造成本的30%
玻璃模版
光刻
光刻胶膜
光化学反应
蚀刻
硅片
腐蚀
光刻工艺
光刻原理
紫外光 模版上的铬岛 光刻胶上的阴影
使光衰弱的被曝光区 岛
光刻胶层
刻蚀工艺
刻蚀工艺 —— 湿法
用液体化学剂（如酸，碱和溶剂等）
以化学方式去除Si表面的材料
刻蚀工艺 —— 干法
Plasma
把衬底表面曝露于气态的等离子体，等离子体与硅片
发生物理或/和化学反应，从而去掉曝露的表面材料。
亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法
显影液
曝光 去光阻液
显影
窗口
光刻胶的曝光区
氧化层 photoresist 光刻胶层 oxide 氧化层 silicon substrate 硅衬底 硅衬底
光刻胶显影后的最终图形
光刻工艺
使用光敏材料（光刻胶）和可控制的曝
光在光刻胶膜层形成三维图形
在后续工艺(蚀刻)中,保护下面的材料
光刻工艺步骤
紫外光
HMDS
光刻胶
模版
清洗+喷涂粘附剂
旋转涂胶
软烘
对准和曝光
曝光后烘焙
显影
坚膜烘焙
显影检查
光刻工艺
模板
涂胶
曝光
显影
光刻工艺 —— 显影后
Normal
Incomplete
under
over
光刻工艺 —— 显影后
蚀刻工艺
光刻胶上的IC设计图形
晶圆表面
腐蚀作用，从Si片表面去除不需要的材料，
如Si、SiO2，金属、光刻胶等
酸 气体
去光阻
蚀刻
连接导线的制作
光刻+刻蚀 开启电极接触窗口
蒸金，光刻+刻蚀 制作连接导线
芯片制造技术中的
光刻、刻蚀工艺
INTRADUCTION
芯片制造工艺 光刻工艺
刻蚀பைடு நூலகம்艺
光刻+蚀刻
最重要
决定着芯片的最小尺寸 制造时间的40-50% 制造成本的30%
玻璃模版
光刻
光刻胶膜
光化学反应
蚀刻
硅片
腐蚀
光刻工艺
光刻原理
紫外光 模版上的铬岛 光刻胶上的阴影
使光衰弱的被曝光区 岛
光刻胶层