高频电子线路读书笔记

高频电子线路读书笔记

【篇一：晶体管放大电路设计读书笔记】

一、放大电路的工作

1、功率开关mos管结构：在内部将大量fet并联连接起来的，每

一个单元中流过的电流很小，防止局部的电流集中，同时改善高频

特性。

2、耦合电容：使输入信号与电路或电路与者电路与电路的耦合。

3、电源的去耦电容：降低电源对gnd的交流阻抗的电容(旁路电容)，当没有这个电容时，电路的交流特性变的很奇特，严重时电路

产生震荡。

4、在低频电路中，去耦电容的安装位置不是问题；但在高频电路中，安装位置比什么都重要，引线也要短。

5、 npn型的ttl三极管可以理解为：由集电极进行输出的电流源。

6、在共射电路中，发射极接个电阻re,可以认为在改电路中加了负

反馈，由于负反馈，re有抑制hfe(电流放大系数)的分散性和vbe的

温度变化而产生的发射极电流变化的作用。

7、 ttl三极管共射电路中：发电极电位设定在vcc与ve的中点。

二、增强输出电路

1、ttl三极管工集电路中：集电极电位设定在vcc与gnd的中点。

2、射机跟随器大多数用在电路的输出极，因为需要经常处理大电流，所以必须注意晶体管和电阻的发热问题。

3、将射极跟随器组合在共发射极放大电路上来降低输出阻抗的放大

电路。

4、由于集电极电容接地，故不会发生密勒效应，因此频率特性变好。

5、在晶体管电路中，通常越提高放大率，噪音就越增加，这是由于

进行放大的同时，电路内部产生的噪音也被放大的缘故。

6、当op放大器需要驱动大的负载时，需要将op放大器与射极跟

随器相互结合。

三、功率放大器的制作与设计

1、功率放大器的一般规律：首先电压放大得到必要的输出；之后放

置能驱动低阻抗负载的电流缓冲放大器。

2、解决发热问题是制作功率放大器的重点。

3、用一个晶体管进行工作的集电极电流的适当值为最大电流的1/3

左右。

四、拓宽频带特性

1、由于共基极放大电路的输出阻抗比较高，所以在输出信号长距离传输时，输出阻抗与布线杂散电容形成低通滤波器，就不能够显示出共基极放大电路本来的频率特性有点，为了改进这一点，在共基极放大电路的后级接上射极跟随器。

2、在共基极放大电路中，发射极等效于交流接地。

3、在共基极放大电路中，可以将信号直接输入到发射极上。但由于由于电路的输入阻抗只有数欧那样低的值，所以它通常难以使用，为此，除了在高频范围，一般不使用该电路。

五、视频选择器的设计和制作

1、在高频电路中，用一定的输出阻抗进行发送，用一定的输入阻抗进行接收，以此来作为信号的传送。

2、通常晶体管流过大一些的发射极电流时，则频率特性变好。

【篇二：电子电路读书笔记】

电子电路读书笔记

1、 hc为coms电平，hct为ttl电平

2、 ls输入开路为高电平，hc输入不允许开路， hc一般都要求有上下拉电阻来确定输入端无效时的电平。ls 却没有这个要求

3、 ls输出下拉强上拉弱，hc上拉下拉相同

4、工作电压：ls只能用5v，而hc一般为2v到6v

5、 cmos可以驱动ttl，但反过来是不行的。ttl电路驱动coms电路时需要加上拉电阻，将2.4v~3.6v之间的电压上拉起来，让cmos 检测到高电平输入

6、驱动能力不同，ls一般高电平的驱动能力为5ma，低电平为20ma;而cmos的高低电平均为5ma

7、 rs232电平为+12v为逻辑负，-12为逻辑正

8、 74系列为商用，54为军用

9、 ttl高电平2.4v,ttl低电平0.4v, 噪声容限0.4v

10、 oc门，即集电极开路门电路(为什么会有oc门?因为要实现“线与”逻辑)，od门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。并且只能吸收电流，必须外界上拉电阻和电源才才能对外输出电流

11、 coms的输入电流超过1ma，就有可能烧坏coms

12、当接长信号传输线时，在coms电路端接匹配电阻

13、在门电路输入端串联10k电阻后再输入低电平，输入端出呈现

的是高电平而不是低电平

14、如果电路中出现3.3v的coms电路去驱动5v cmos电路的情况，如3.3v单片机去驱动74hc,这种情况有以下几种方法解决，最

简单的就是直接将74hc换成74hct的芯片，因为3.3v cmos 可以

直接驱动5v的ttl电路;或者加电压转换芯片;还有就是把单片机的

i/o口设为开漏，然后加上拉电阻到5v，这种情况下得根据实际情况

调整电阻的大小，以保证信号的上升沿时间。

15、逻辑门输出为高电平时的负载电流(为拉电流)，逻辑门输出为

低电平时的负载电流(为灌电流)

16、由于漏级开路，所以后级电路必须接一上拉电阻，上拉电阻的

电源电压就可以决定输出电平。这样漏极开路形式就可以连接不同

电平的器件，用于电平转换。需要注意的一点：在上升沿的时候通

过外部上拉无源电阻对负载进行充电，所以上升沿的时间可能不够

迅速，尽量使用下降沿

17、几种电平转换方法：

(1) 晶体管+上拉电阻法

就是一个双极型三极管或mosfet，c/d极接一个上拉电阻到正电源，输入电平很灵活，输出电平大致就是正电源电平。

(2) oc/od 器件+上拉电阻法

跟 1) 类似。适用于器件输出刚好为 oc/od 的场合。

(3) 74xhct系列芯片升压(3.3v→5v)

凡是输入与 5v ttl 电平兼容的 5v cmos 器件都可以用作3.3v→5v

电平转换。——这是由于 3.3v cmos 的电平刚好和5v ttl电平兼容(巧合)，而 cmos 的输出电平

总是接近电源电平的。

廉价的选择如 74xhct(hct/ahct/vhct/ahct1g/vhct1g/...)系列 (那个

字母 t 就表示 ttl 兼容)。

(4) 超限输入降压法(5v→3.3v, 3.3v→1.8v, ...)

凡是允许输入电平超过电源的逻辑器件，都可以用作降低电平。

这里的超限是指超过电源，许多较古老的器件都不允许输入电压超

过电源，但越来越多的新器件取消了这个限制 (改变了输入级保护电路)。

例如，74ahc/vhc 系列芯片，其 datasheets 明确注明输入电压范

围为0~5.5v，如果采用3.3v 供电，就可以实现5v→3.3v 电平转换。