电子科技大学历年考研试题-数字电路与模拟电路答案
杭州电子科技大学数字电路2003--2016年考研真题
输入序列X1：010101101
输出序列X2：000101001
最近这几年杭电的数字电路每年的题型都不一样，所以不要指望会碰到以前的原题。参考往年的试题你要知道要考哪些东西这时最重要的，存储器、数模转换，可编程逻辑等等，全考。这几年的数电题都不是太难。2011年的数电有130分的题都算是简单的，两个小时就能搞定。最后一个15分的大题特难，看不懂。
5、写出图所示电路的驱动方程、输出方程和状态方程、画出状态转换图，判断电路逻辑功能，最后检查电路能否自启动。
4、设计题
1、用或非门设计一个1位全加器电路。
2、用8选1的MUX实现下列函数：
要求A2A1A0=WXY
3、用4位二进制计数器74LS161接成48进制计数器，标出输入、输出端。可以附加必要的门电路。
A
B
C
L
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
0
1
1
1
1
0
X
1
1
1
X
4.设 ，则反函数为 =______________对偶函数为 =____________
5.某或非门低电平输入电流为1mA，高电平输入电流为10μA，最大灌电流为12mA，最大拉电流为450μA，则其扇出系数为______________
2007年杭州电子科技大学数字电路考研试题
1、填空题
1.（36）10=（）2=（）8421BCD
杭州电子科技大学电路与模拟电子技术基础(第4版)习题解答完整版
第1章直流电路习题解答1.1 求图1.1中各元件的功率，并指出每个元件起电源作用还是负载作用。
图1.1 习题1.1电路图解 W 5.45.131=×=P （吸收）；W 5.15.032=×=P （吸收） W 15353−=×−=P （产生）；W 5154=×=P （吸收）； W 4225=×=P （吸收）;元件1、2、4和5起负载作用，元件3起电源作用。
1.2 求图1.2中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。
图1.2 习题1.2电路图解 A 2=I ；V 13335=+−=I I U电流源功率：W 2621−=⋅−=U P （产生），即电流源产生功率6W 2。
电压源功率：W 632−=⋅−=I P （产生），即电压源产生功率W 6。
1.3 求图1.3电路中的电流1I 、2I 及3I 。
图1.3 习题1.3电路图解 A 1231=−=I ;A 1322−=−=I由1R 、2R 和3R 构成的闭合面求得：A 1223=+=I I 1.4 试求图1.4所示电路的ab U 。
图1.4 习题1.4电路图解 V 8.13966518ab −=×+++×−=U 1.5 求图1.5中的I 及S U 。
图1.5 习题1.5电路图解 A 7152)32(232=×+−×+−=IV 221021425)32(22S =+−=×+−×+=I U1.6 试求图1.6中的I 、X I 、U 及X U 。
图1.6 习题1.6电路图解 A 213=−=I ；A 31X −=−−=I I ; V 155X −=⋅=I UV 253245X X −=×−−⋅=I U1.7 电路如图1.7所示：（1）求图(a)中的ab 端等效电阻；（2）求图(b)中电阻R 。
图1.7 习题1.7电路图解 (1) Ω=+=+++×+×+×+=1046418666661866666ab R (2) Ω=−−=712432383R1.8 电路如图1.8所示：（1）求图(a)中的电压S U 和U ；（2）求图(b)中V 2=U 时的电压S U 。
电子科技大学考研829 数字 模拟电子本科试卷考研真题
电子科技大学模拟电路期末（2000-2011）试卷14份+答案每份不同电子科技大学模电子科技大学模拟电路期末（2000-2011）试卷14份+答案每份不同电子科技大学模拟电路期中（2004-2011）试卷12份+答案每份不同电子科技大学数字逻辑电路本科试卷（2002年以后）17套（每份不同）829数字电路与模拟电路2000-2010真题与答案电子科大模拟电路简答题试题库（100道左右）电子科技大学考研模拟电路2007-2010 四份电子科技大学模拟电路吴援明课后习题答案电子科技大学模拟电路PPT 3份电子科技大学数字逻辑电路PPT 2份数字逻辑电路课后答案拟电路期中（2004-2011）试卷12份+答案每份不同电子科技大学数字逻辑电路本科试卷（2002年以后）17套（每份不同）829数字电路与模拟电路2000-2010真题与答案电子科大模拟电路简答题试题库（100道左右）电子科技大学考研模拟电路2007-2010 四份电子科技大学模拟电路吴援明课后习题答案电子科技大学模拟电路PPT 3份电子科技大学数字逻辑电路PPT 2份数字逻辑电路课后答案所有资料不重复。
淘宝网：/item.htm?id=9960243831电子科技大学二零零五至二零零六学年第二学期期中考试“数字逻辑设计及应用”课程考试题期中卷（120分钟）考试形式：闭卷考试日期2006年4月22日课程成绩构成：平时20 分，期中20 分，实验0 分，期末60 分一二三四五六七八九十合计一、填空题（每空1分，共15分）1、( 323 )10=( 101000011 ) 22、(0. 4375 )10=( 0.0111 ) 23、(1101．0011) 2 = ( 13.1875 )104、（FD．A）16 = ( 11110000.1010 ) 2= ( 360.50 )85、( 4531 )10 = ( 0100 0101 0011 0001 ) 8421BCD 。
十四套名校数电考研真题、答案与详解
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答案：截止 饱和5．(63)O 的二进制补码是________，格雷码是________。
答案：(101100)B (101010)B6．四个逻辑变量的最小项最多有________个，任意两个最小项之积为________。
答案：16 07．触发器是对脉冲________敏感的存储单元电路，锁存器是对脉冲________敏感的存储电源电路。
答案：边沿 电平8．对于一个含有逻辑变量A 的逻辑表达式L ，当其他变量用0或1代入后，表达式可化简为：L =________或________时，会产生竞争冒险。
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答案：截止 饱和5．(63)O 的二进制补码是________，格雷码是________。
答案：(101100)B (101010)B6．四个逻辑变量的最小项最多有________个，任意两个最小项之积为________。
答案：16 07．触发器是对脉冲________敏感的存储单元电路，锁存器是对脉冲________敏感的存储电源电路。
答案：边沿 电平8．对于一个含有逻辑变量A 的逻辑表达式L ，当其他变量用0或1代入后，表达式可化简为：L =________或________时，会产生竞争冒险。
电子科技大学大二微电子专业模拟集成电路试卷及答案 (2)
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学二零XX 至二零XX 学年第X 学期期终考试模拟集成电路原理课程考试题 A 卷（120分钟）考试形式：开卷考试日期20XX 年月日课程成绩构成：平时10 分，期中0 分，实验10 分，期末80 分一二三四五六七八九十合计一．选择题（共20题，每题2分，共40分）1.对于MOS管, 当W/L保持不变时, MOS管的跨导随漏电流的变化是( B )A. 单调增加B. 单调减小C. 开口向上的抛物线D.开口向下的抛物线.2. 对与MOS器件,器件如果进入饱和区, 跨导相比线性区将( A )Ａ增加 B.减少 C不变 D 可能增加也可能减小3. 在W/L相同时, 采用”折叠”几何结构的MOS管较普通结构的MOS管, 它的栅电阻( C )A 增大B 不变C 减小D 可能增大也可能减小4. 关于衬底PNP,下列说法正确的是( A )A．所有衬底PNP集电极电压必须相同.B．所有衬底PNP发射极电压必须相同.C．所有衬底PNP基极电压必须相同.D．所有衬底PNP各个电极电压可以任意设定5. 对于扩散电阻, 其宽度越大, 则电阻值越易做得( A )A 精确, B误差大, C 误差可大可小, D电阻间的相对误差大.6. 室温下, 扩散电阻阻值的温度系数为( A )A 正, B零, C负, 可正可负7.在集成电路中决定互联线宽度的因素有( A )A．大电流密度限制.B．Si-Al互熔问题.C．互联线的温度系数………密………封………线………以………内………答………题………无………效……D．是否形成欧姆接触.8. 套筒式共源共栅运放和折叠式共源共栅运放相比, 它的( B )较大些A. 最大电压输出摆幅B. 差模增益C. 极点频率D.功耗9.在版图设计上, 采用比例电阻和比例电容的设计可以( C )A. 提高电阻或电容自身的绝对精度,B. 提高电阻或电容自身的相对精度,C. 减小电阻或电容间的比例误差D. 无影响10.差分对中, 不影响其共模抑制比的因素为( C )A．差分管的对称性B．电流源的交流阻抗C．输入电压幅度D．电阻R C1和R C2的对称性11. Cascode电流镜的最小输出电压V MIN(out)的值为( C )A．V ON+V TN B.2(V ON+V TN) C. 2V ON+V TN D. V ON+2V TN12.对于ED NMOS基准电压源电路, 其中的两个NMOS的工作状态为( A )A, 都是饱和区B. 一个是饱和区, 一个是线性区C 都是线性区D都是亚阈值区13正偏二级管正向压降具有( B )温度特性.A . 零 B. 负 C. 正 D. 可正可负14. MOS共栅放大器的特点是( D )A．放大器输入输出反相, 输入阻抗高B．放大器输入输出同相, 输入阻抗高………密………封………线………以………内………答………题………无………效……C．放大器输入输出反相, 输入阻抗低D．放大器输入输出同相, 输入阻抗低15. 电路的主极点是( D )A离原点最远的极点, 它对应电路的-3dB带宽B 离原点最远的极点, 它对应电路的单位增益带宽C离原点最近的极点, 它对应电路的单位增益带宽D.离原点最近的极点, 它对应电路的-3dB带宽16.在CMOS差分输入级中, 下面的做法哪个对减小输入失调电压有利( C )A．增大有源负载管的宽长比.B．提高静态工作电流..C．增大差分对管的沟道长度和宽度D．提高器件的开启(阈值)电压17.在差分电路中, 可采用恒流源替换”长尾”电阻. 这时要求替换”长尾”的恒流源的输出电阻( A )A．越高越好, B.越低越好 C. 没有要求D. 可高可低18. 和共源极放大器相比较, 共源共栅放大器的密勒效应要( A )A.小得多B相当, C 大得多. D不确定19.在版图设计上, 采用比例电阻和比例电容的设计可以( C )A. 提高电阻或电容自身的绝对精度,B. 提高电阻或电容自身的相对精度,C. 减小电阻或电容间的比例误差D. 无影响20.对于差分对的版图设计下列（ D ）图最优.………密………封………线………以………内………答………题………无………效……二． 简答题（共5题，每题4分， 共20分）1. 画出共源共栅放大器基本结构, 简述其工作原理及特点.答:基本原理：M1为输入器件，M2为共源共栅器件，共源级M1将输入电压信号Vin 转换为电流信号g m Vin ，该电流信号流入M2漏端，从其源端输入到负载。
电子科技大学《数字电路》真题2010年
电子科技大学《数字电路》真题2010年(总分：140.00，做题时间：90分钟)一、{{B}}选择题{{/B}}(总题数：10，分数：20.00)1.两个二进制数进行算术运算，下面______说法是不正确的。
• A.两个无符号数相加，如果最高位产生进位输出，则肯定发生溢出• B.两个最高位不同的补码进行相加运算，肯定不会产生溢出• C.两个补码进行相加运算，如果最高位产生进位输出，则肯定发生溢出• D.两个补码的减法运算可以用加法器来实现（分数：2.00）A.B.C. √D.解析：2.以下描述一个逻辑函数的方法中______只能唯一表示。
• A.表达式• B.逻辑图• C.真值表• D.波形图（分数：2.00）A.B.C. √D.解析：3.在不影响逻辑功能的情况下，CMOS与非门的多余输入端可______。
• A.接高电平• B.接低电平• C.悬空• D.通过电阻接地（分数：2.00）A. √B.C.D.解析：4.欲产生序列信号11010111，则至少需要______级触发器。
• A.2• B.3• C.4• D.5（分数：2.00）A.B. √C.D.解析：5.一个8位二进制减法计数器，初始状态为00000000，问经过268个输入脉冲后，此计数器的状态为______。
• A.11001111• B.11110100• C.11110010• D.11110011（分数：2.00）A.B. √C.D.解析：6.为构成4096×16的RAM区，共需1024×4位的RAM芯片______片。
• A.64• B.8• C.16• D.32（分数：2.00）A.B.C. √D.解析：7.逻辑函数F1=∑A，B，C，D(2，3，5，8，11，13)和F2=∏A，B，C，D(2，4，7，10，12，13)之间满足______关系。
• A.对偶• B.相等• C.香农展开• D.反演（分数：2.00）A. √B.C.D.解析：8.移位寄存器由8级触发器组成，用它构成的扭环形计数器具有______种有效状态；用它构成的环形计数器具有______种有效状态，构成线性反馈移位寄存器具有______种有效状态。
电子科大考研真题：836信号与系统和数字电路
输出 RCO
0 0 0 0 0 0 0 0 0 1
图 2-3
第6页 共7页
三：设计题（二小题共 25 分）（设计题可以不画具体电路图，但必须有详细且明确的连接 关系表达，如逻辑函数表达；器件管脚说明，信号-管脚连接表等。） 1）（10 分）设计一个实现 Z=2.5·Y 乘法运算的组合电路，其中 Y 是输入，为 4_bit 二进 制码字；Z 为二进制输出。（电路实现结构、器件自选，必须说明设计思路。） 2）（15 分）试用 D 触发器和必要的逻辑门设计一个时钟同步状态机电路。电路功能要求： 在电路复位（低电平复位）有效后，每输入 5 个时钟脉冲时，在第 3 个和第 4 个时钟脉冲处， 输出端 Z 都有一个脉冲输出（波形如图 3-2 所示）。由于后续电路对输出信号 Z 的脉冲边沿 有要求，请在设计中考虑器件延时对输出波形的影响；要求能自启动。（电路结构、器件自 选，必须说明设计思路。）
二、（１０分）已知 LTI（线性时不变）连续时间系统冲激响应为 h0 (t) ，当输入是 f0 (t) 时，
响应为 y0 (t) 。如果另一 LTI 连续时间系统冲激响应 h(t) 和输入信号 f (t) 分别表示如下，
并设其响应为 y (t) 。用卷积的概念和性质求系统的响应 y (t) （用 y0 (t) 表示）。（请给出推
j sin(5πt)
h 2(t)
y3 (t)
f(t)
h 1(t)
y1(t)
y(t)
图 2 (a)
F(ω) 1
−2π
0
2π ω
图 2 (b) 图 2、第４题图
第3页 共7页
五、（16 分）求解下列问题：
∞
∑ （1）信号 m(t) = δ (t − kT ) ，T > 0 ，是否周期信号，若是，周期是多少？ k =0 ∞
电子科技大学考研复试(2017数字电路与模拟电路)
掌握二进制编码器、7段译码器、奇偶校验电路、加法器的设计方法。
掌握利用集成译码器（74138、74139）及附加电路进行组合电路设计的方法；
掌握利用集成数据选择器（74151、74153）进行组合电路设计的方法；
了解MOS器件的基本开关特性；
掌握CMOS逻辑电路的基本结构，能够使用晶体管构成反相器、与非门和或非门电路，并在此基础上构成与门和或门电路。
了解CMOS器件的电平范围、驱动能力、延迟时间和动态功耗等基本概念。
4、组合电路分析与设计
掌握组合电路的基本概念及分析方法；
掌握组合电路的设计方法（SSI）
对于给定设计要求，能够建立真值表或函数关系式。
模拟电路部分（50%）
第一章常用半导体器件
1、了解半导体基础知识：了解本征半导体与杂质半导体（P型与N型）的导电原理，了解PN结的形成原理（耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义）；理解PN结的单向导电特性，了解PN结的电容效应。
2、了解半导体二极管基本知识：了解二极管的常见结构和电路符号；掌握二极管的伏安特性、二极管的主要参数与几种等效电路；了解稳压二极管的伏安特性、硅管与锗管的区别。理解二极管在直流电源中的整流应用以及稳压二极管的基本应用。
熟悉对偶定理的概念，能够使用加圈方式进行逻辑设计；
了解展开定理的概念，能够根据真值表写出标准逻辑运算式：最小项和表达式、最大项积表达式；
熟悉真值表的卡诺图表现形式，能够利用卡诺图得出最小和表达式（最简“与或”表达式）；
理解无关项的含义，并能利用无关项进行逻辑化简。
3、逻辑门电路
了解逻辑状态的电平表达概念，理解开关电路的基本概念；