SY77063DC~DC升压芯片

合集下载

LY21系列

占空比效率
IOUT=1mA， VIN：0→2V IOUT=1mA， VIN：2→0V 无外部元件
Vout=Vout*0.95 Vout=Vout+0.5V
VLX=0.4V, Vout=Vout*0.95
Vout=VLX=6V
Vout=set Vout*0.95 on(VLX“L”)side
3.218
Vout=VLX=6V
Vout=set Vout*0.95 on(VLX“L”)side
4.875
5.000
0.8
0.32 50 5.8 300
100 78 86
测试条件：VIN=Vout*0.6，VSS=0V，IOUT=10mA，Topt=25℃。有特殊说明除外。
注意：1、Diode 采用肖特基二极管(正向压降约 0.2V)，如 IN5817,IN5819 2、电感采用：47μH（r<0.5Ω） 3、电容采用钽电容，47μF。
输出电压输入电压启动电压
保持电压
输入电流 1 输入电流 2 开关管合闸电流开关管漏电流振荡频率
占空比效率
IOUT=1mA， VIN：0→2V IOUT=1mA， VIN：2→0V 无外部元件
Vout=Vout*0.95 Vout=Vout+0.5V
VLX=0.4V, Vout=Vout*0.95
5(8)
典型应用
元件：Inductor：47uH(Sumida )
Diode：IN5817、IN5819
Capacitor：47uF/16V(Tantalume type) Transistor：2SD1628G、2SD3279
NMOS：AAT9460、XP151、XP161

3Y30机芯原理简介

3Y30机芯原理简介3Y30机芯为日本三洋系列的超级单片机芯，主芯片为三洋最新的LA76930，它内部集成中放解调、CPU控制、色解码、行场扫描小信号处理等等，使该机芯外围元件大为减少，性价比高。

一、机芯的特别功能简介：1）宽电源电压调整；2）数码流（Y、U、V）输入；```3）国际线路多制式线路；4）I2C总线控制；5）覆盖有线电视全部的增补频道；6）定时开关机功能；7）数码工作站；8）健康互动平台；9）童锁功能；10）中英文菜单显示；11）屏保功能；12）超级集成电路芯片；13）超多频道；14）拉幕式开关机；15）无信号关机功能16）万年历、游戏功能。

二、机芯主要元件功能：U101：TUNER——高频调谐器；IC201：LA76930——内部集成CPU、中放、解码、行场扫描小信号处理；IC202：24C16——数据存储器；IC301：TC4053——三组二选一电子开关，在本机芯作视频切换开关；IC302：TC4052——二组四选一电子开关，在本机芯作音频切换开关；IC401：IA4266——伴音功放；IC601：LA7840——场扫描功放ICT301：行输出变压器；三、整机框图：（见图1）图1四、IC201(LA76930)性能说明:本芯片是目前国内最流行的具有I2C总线控制、高性能单片机之一，与前两代单片机机芯相比，优点比较突出，表现在：1) 高集成度主芯片与I2C总线控制，使外围电路更加简化，调试方便；2) 由于采用功能扩展接口，在不改变主板情况下，通过增加功能板可以实现丽音、环绕声与BBE功能；3) 由于采用亮度信号核化、黑电平延伸、噪声消除、灰度校正、R/B增益与解调角可调等一系列措施，使图像清晰度、透亮度彩色特性与伴音质量更加完美；4) 由于1行延迟、多制式伴音滤波器、陷波器与行振荡VCO内藏，彩色多制式解码只用1个晶体，使价格较高的元器件项数减少，机芯简化，成本降低；5) 14 bits PWM调谐电压输出；6) 全频道（VL、VH、UHF）；7) 所有可选项通过软件来实现，选择结果存于E2PROM中，每次开机时调出；8) 可实现彩色制式：PAL、PAL（场频60HZ）、NTSC3.58、NTSC4.43、SECAM；9) 可实现伴音制式：6.5M、6.0M、5.5M、4.5M；10) 可选择蓝屏时显示工厂标志的功能；11) 可选择开关电源时，电视机是固定处于POWER OFF状态或是根据所记忆的关电源前的POWER状态，实现相应状态；12) 可实现S-VIDEO的输入功能，并根据S-VIDEO输入线是否接入，自动选择实现普通A V状态或S-VIDEO状态；13) 本机功能键（节目号+/-，音量+/-，MENU，TV/A V，AUTO）；14) 全功能遥控；15) 中、英文屏显；16) 自动数字AFT控制功能；17) 对亮度、对比度、色度、锐度、色调、音量、高音、低音、平衡、重低音音量及重低音的开关的调节均通过I2C总线实现，用跳变键可对上述可控制量实现快速跳变（工厂专用）。

SY7063 同步整流升压芯片

Application Note: AN_SY7063
1.8V Minimum Input and 5. 5V Maximum Output 3A Peak Current Synchronous Boost with Output Disconnect
General Description
SY7063 is a high efficiency synchronous boost regulator that converts down to 1.8V input and up to 5.5V output voltage. It adopts NMOS for the main switch and PMOS for the synchronous switch. It can disconnect the output from input during the shutdown mode.
Absolute Maximum Ratings
Recommended Operating Conditions
AN_SY7063 Rev. 0.1
Silergy Corp. Confidential- Prepared for Customer Use Only
2
深圳昱灿电子
专业电源管理芯片 DCDC升压降压 LDO 锂电池充电等联系人：李先生
Figure 2. Efficiency Figure
AN_SY7063 Rev. 0.1
Silergy Corp. Confidential- Prepared for Internal Use Only
1深圳昱灿电子来自专业电源管理芯片 DCDC升压降压 LDO 锂电池充电等联系人：李先生

SY7152A DC-DC 内置2A mos升压IC

Absolute Maximum Ratings (Note 1)
LX, IN, EN ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 18V All other pins-------------------------- ------------------------------------------------------------------------------------------ 3.6V Power Dissipation, PD @ TA = 25°C SOT23-6 ----------------------------------------------------------------------------- 0.6W Package Thermal Resistance (Note 2) θ JA --------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 161°C/W θ JC --------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 130°C/W Junction Temperature Range ----------------------------------------------------------------------------------------------- 125°C Lead Temperature (Soldering, 10 sec.) ----------------------------------------------------------------------------------- 260°C Storage Temperature Range ------------------------------------------------------------------------------------- -65°C to 150°C

XL7025 DC-DC转换芯片演示板说明书

页数：第1 页，共7 页描述221073A01是为产品XL7025制作的演示板，用于DC16V~75V输入，输出15V，输出最大0.3A的应用演示，最高转换效率可以达到85%以上。

XL7025是开关降压型DC-DC转换芯片，最高输入电压100V；固定开关频率150KHz，可减小外部元器件尺寸。

芯片具有出色的线性调整率与负载调整率，输出电压支持1.25V~20V间任意调节。

芯片内部集成过流保护、过温保护、短路保护等可靠性模块。

XL7025为TO252-5L封装，采用标准外部元器件，应用灵活。

DEMO原理图D2VOUT=1.25*(1+R2/R1)引脚介绍页数：第2 页，共7 页物料清单2.CINA、D3用于输入尖峰电压吸收。

性能数据转换效率（不包含输入防反接部分电路）页数：第 3 页，共 7 页转换效率：线性调整率和负载调整率：0.100.150.200.250.3020253035404550556065707580859095Efficiency VS Output currentE f f i c i e n c y (%)Ouput current(A) VIN=24V,VOUT=15V,IOUT=0.1~0.3A VIN=36V,VOUT=15V,IOUT=0.1~0.3A VIN=48V,VOUT=15V,IOUT=0.1~0.3A VIN=60V,VOUT=15V,IOUT=0.1~0.3A VIN=72V,VOUT=15V,IOUT=0.1~0.3A0.100.150.200.250.3014.214.414.614.815.015.215.415.615.8Output voltage VS Output currentO u t p u t v o l t a g e (V )Output current(mA)VIN=24V,VOUT=15V,IOUT=0.1A~0.3A VIN=36V,VOUT=15V,IOUT=0.1A~0.3A VIN=48V,VOUT=15V,IOUT=0.1A~0.3A VIN=60V,VOUT=15V,IOUT=0.1A~0.3A VIN=72V,VOUT=15V,IOUT=0.1A~0.3A热插拔上电输出电压波形：VIN=36VIOUT=0AIOUT=0.3AVIN=48VIOUT=0AIOUT=0.3A页数：第4 页，共7 页VIN=60VIOUT=0A IOUT=0.3A蓝色通道：输入电压波形，10V/格；紫色通道：输出电压波形，5V/格；秒格：1mS/格。

锂电池升降压芯片,3.7V转3.3V供电电路图

1, 锂电池3.7V转3.3V，电荷泵升降压，80mA方案，双芯片：PW5410B2，锂电池3.7V转3.3V，LDO输出模式200MA方案, 双芯片：PW5100-50+PW6566-3.3V 3, 锂电池3.7V转3.3V，DC-DC输出，700MA方案, 双芯片：PW5100-50+PW20584, 锂电池3.7V转3.3V，DC-DC输出，1000MA方案, 双芯片：PW5300+PW20515，锂电池3.7V转3.3V，DC-DC输出，2000MA左右方案，双芯片：PW5300+PW2053 6，锂电池3.7V转3.3V，DC-DC升降压，1000mA方案，单芯片PW2224如18650，聚合物电池等等大小容量的3.7V的锂电池，充满的电池电源是4.2V，放电最低电压标准是3V。

所以一个3.7V锂电池的供电范围是：3V-4.2V之间，如果单从数字上来说的话3.7V转3.3V的芯片和电路可选择是非常多的，但是如果我们的3.7V是锂电池的话，那就要考虑了，在锂电池的3V-4.2V的供电范围内，是否选择的是升降压功能buck-boost功能的电源芯片。

事实中，升降压芯片集成电路是很昂贵的。

，一般我们可以用2个芯片组合的方式1，锂电池3.7V转3.3V，电荷泵升降压，输出最大80mA，及其以下。

PW5410B是一颗低噪声，恒频1.2MHZ的开关电容电压倍增器。

PW5410B的输入电压范围1.8V-5V，输出电压3.3V固定电压，输出电流高达100MA。

外围元件仅需要三个贴片电容即可组成一个升压电路系统。

2，200MA方案：升压芯片+LDO稳压3.3V，低静态10uAPW5100 是一款高效率、低功耗、低纹波、高工作频率的PFM 同步升压DC/DC 变换器。

PW5100 仅需要三个外围元件，就可将低输入电压升压到所需的工作电压。

3，DC-DC输出，700MA方案：升压5V芯片+DC-DC降压3.3V芯片PW2058是一种恒频、电流模式降压转换器。

MT77系列

D C /D C升压变换芯片—MT77系列一、概述MT77系列芯片是采用CMOS工艺制造的静态电流极低的VFM开关型DC/DC升压转换器。

该芯片由振荡器、VFM模式控制电路、Lx开关驱动晶体管、基准电压单元、误差比较放大器、电压采样电阻及V LX限幅电路等组成。

MT77系列升压转换器采用变频的方式，因此较国内外同类产品具有更低的纹波、更强的驱动能力、效率高等特点，应用时外围只需接三个元件(电感、电容及二极管各一个)。

输入电压最低0.8V,并且可以根据要求调整输出电压3V—6V可选。

二、芯片特性及主要参数该设计产品MT77系列DC/DC升压转换器芯片在应用中具有优越的性能：1.外接元件少：需肖特基管、电感及电容各一个；外接元件建议选择: 低直流电阻电感20～220μH，钽电容47～200μF，肖特基二极管。

2.极低的静态电流：4uA3.低噪声及低纹波：纹波典型值为100mV4.驱动能力强：Vtyp=3.3V, Vin=1.0V时，Iout=100mAVtyp=3.3V, Vin=3.0V时，Iout=750mA5.启动工作电压低：最大0.8V6.高效率：85%(Typ)7.封装体积小：SOT89，SOT23（窄体）三、应用范围MT77系列芯片适用于要求大驱动能力、低静态电流、低电磁辐射的电池供电设备：1、电池供电设备的电源部分。

2、玩具、照相机、摄像机、PDA及手持电话等便携式设备的电源部分。

3、要求提供电压比电池所能提供电压高的设备的电源部分。

四、命名规则内置MOS管命名：外置MOS管命名：五、芯片模型及引脚介绍本设计芯片封装样式如下图，其引脚说明亦如下表所示引脚说明：Vss:接地引脚 Lx:开关引脚(或Ext 外置Tr) OUT:升压输出引脚封装PIN1 PIN2 PIN3 SOT89 Vss OUT Lx （Ext ）SOT23（窄体，见封装结构尺寸）Vss Lx （Ext ）OUT六、极限参数对地输入电压V IN 10V 输出电流Iout 800mA 功耗P dSOT-23 0.25WSOT-890.50 工作温度T A -40℃～145℃ 导线焊接温度（10秒） 260℃七、工作原理利用电感对能量的存储，并通过其与输入端电源共同的泄放作用，从而获得高于输入电压的输出电压。

干电池升压3.3v 芯片

干电池升压3.3v 芯片一、引言随着科技的发展，电子设备对电源的需求日益多样化。

干电池作为一种常见的电源，由于其便携性和可靠性，在许多应用中仍被广泛使用。

然而，由于干电池的电压较低，往往不能满足一些设备的工作电压需求。

因此，需要一种能够将干电池的电压升压至所需电压的芯片，以确保电子设备的正常运行。

本文将重点探讨干电池升压3.3V芯片的相关技术和发展趋势。

二、干电池升压3.3V芯片的工作原理干电池升压3.3V芯片的主要功能是将干电池的电压提升至3.3V。

这一过程通常涉及到一个能量转换单元，该单元能够将输入的电能转换为更高的输出电压。

这个过程需要使用到开关电源技术，包括脉冲宽度调制（PWM）和振荡器等关键组件。

PWM控制着转换单元的开关状态，通过调节脉冲宽度来控制输出电压的大小。

当转换单元开启时，输入的电能被储存；当转换单元关闭时，储存的电能被释放，产生更高的输出电压。

这个过程持续进行，以产生稳定的3.3V输出电压。

此外，升压芯片还需要具备过电压保护和过电流保护功能，以防止输出电压过高或电流过大导致芯片损坏。

同时，还需要具备一定的效率，以保证电能的有效利用和设备的持续工作。

三、干电池升压3.3V芯片的应用场景干电池升压3.3V芯片的应用场景广泛，主要适用于需要从干电池获取3.3V电源的电子设备。

这些设备可能包括无线通信设备、遥控器、智能传感器、便携式医疗设备等。

在这些应用中，升压芯片能够提供稳定的3.3V电压，确保设备的正常运行和性能。

此外，对于一些使用可充电干电池的设备，升压芯片还可以与充电电路集成在一起，实现充电和升压的双重功能。

这种集成化的设计能够进一步简化设备的电源管理电路，降低设备的成本和体积。

四、干电池升压3.3V芯片的发展趋势随着技术的不断进步和应用需求的多样化，干电池升压3.3V芯片的发展趋势主要体现在以下几个方面：1.高效率：提高升压芯片的效率是未来发展的重要方向。

高效率的升压芯片能够减少电能损失，延长设备的续航时间，同时也能够降低设备的散热需求，提高其可靠性。

锂电池3.7V转3V,1.5V的稳压和降压芯片

3.7V 是常规我们知道的锂电池多，一般锂电池的放电电压是3V-4.2V 之间，再降压转3V,1.5V 的话，不需要担心升降压等其他问题，不像输出3.3V 时，可能要考虑到升降压芯片的问题了，升降压芯片可考虑到PW2228A ，PW5410B 等等。

其他具体参数要看规格书资料来判断。

1，LDO 稳压芯片电路图2，800MA 的DC-DC 降压器芯片电路 3，1500MA 的DC-DC 降压器芯片电路 4，2000MA 的DC-DC 降压器芯片电路 5，3000MA 的DC-DC 降压器芯片电路1，LDO 稳压芯片电路图PW6566 系列是使用 CMOS 技术开发的低压差，高精度输出电压，低消耗电流正电压型电压稳压器。

由于内置有低通态电阻晶体管，因而压差低，能够获得较大的输出电流。

为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量，内置了过载电流保护电路、短路保护电路。

PW6566 系列采用 SOT-23-3L 环保材质封装。

.PW6566系统采用固定输出电压：3.3V,3V,2.8V,2.5V,1.8V ，1.5V,1.2V 等特点：⚫低静态功耗： 2µA(TYP.)⚫ 输入输出压差低：典型值 160 mV (输出为 3.0V 的产品, IOUT=50mA 时) ⚫ 输出电流大：可输出 250mA （VIN≥VOUT+1v） ⚫ 内置保护：内置过流保护和短路保护电路 ⚫ 封装： SOT-23-3PW2058是一种恒频、电流模式降压转换器。

该器件集成了一个主开关和一个同步整流器，无需外加肖特基二极管就可以实现高效率。

它是用单电池锂离子电池为便携式设备供电的理想选择。

输出电压可调。

特点：⚫效率高达96%⚫ 1.5MHz恒频运行⚫800mA输出电流⚫不需要肖特基二极管⚫2V至6V输入电压范围⚫输出电压低至0.6V⚫低负载下高效率的PFM模式⚫退出运行时100%占空比⚫低静态电流：20μA⚫输出短路保护⚫SOT23-5封装PW2051 是一款由基准电压源、振荡电路、比较器、PWM/PFM 控制电路等构成的CMOS 降压型DC/DC 调整器。

DCDC 电源芯片内部结构全解

作为一名电源研发工程师，自然经常与各种芯片打交道，可能有的工程师对芯片的内部并不是很了解，不少同学在应用新的芯片时直接翻到Datasheet 的应用页面，按照推荐设计搭建外围完事。

如此一来即使应用没有问题，却也忽略了更多的技术细节，对于自身的技术成长并没有积累到更好的经验。

今天以一颗DC/DC 降压电源芯片LM2675 为例，尽量详细讲解下一颗芯片的内部设计原理和结构，IC 行业的同学随便看看就好，欢迎指教！LM2675-5.0 的典型应用电路打开LM2675 的DataSheet，首先看看框图这个图包含了电源芯片的内部全部单元模块，BUCK 结构我们已经很理解了，这个芯片的主要功能是实现对MOS 管的驱动，并通过FB 脚检测输出状态来形成环路控制PWM 驱动功率MOS 管，实现稳压或者恒流输出。

这是一个非同步模式电源，即续流器件为外部二极管，而不是内部MOS 管。

下面咱们一起来分析各个功能是怎么实现的一、基准电压类似于板级电路设计的基准电源，芯片内部基准电压为芯片其他电路提供稳定的参考电压。

这个基准电压要求高精度、稳定性好、温漂小。

芯片内部的参考电压又被称为带隙基准电压，因为这个电压值和硅的带隙电压相近，因此被称为带隙基准。

这个值为1.2V 左右，如下图的一种结构：这里要回到课本讲公式，PN 结的电流和电压公式：可以看出是指数关系，Is 是反向饱和漏电流（即PN 结因为少子漂移造成的漏电流）。

这个电流和PN 结的面积成正比！即Is-》S。

如此就可以推导出Vbe=VT*ln（Ic/Is）！回到上图，由运放分析VX=VY，那么就是I1*R1+Vbe1=Vbe2，这样可得：I1=△Vbe/R1，而且因为M3 和M4 的栅极电压相同，因此电流I1=I2，所以推导出公式：I1=I2=VT*ln（N/R1）N 是Q1 Q2 的PN 结面积之比！回到上图，由运放分析VX=VY，那么就是I1*R1+Vbe1=Vbe2，这样可得：I1=△Vbe/R1，而且因为M3 和M4 的栅极电压相同，因此电流I1=I2，所以推导出公式：I1=I2=VT*ln（N/R1）N 是Q1 Q2 的PN 结面积之比！这样我们最后得到基准Vref=I2*R2+Vbe2，关键点：I1 是正温度系数的，而Vbe 是负温度系数的，再通过N 值调节一下，可是实现很好的温度补偿！得到稳定的基准电压。

3.3V稳压IC方案7033

Rev. 2.1012014-03-19• 低温度系数• 高输入电压范围 (高达 30V)• 静态电流：3µA • 输出电压精度：±3%• 内建迟滞电路• 封装类型：TO92, SOT89, SOT23和 SOT23-5应用领域• 电池检测器• 电平选择器• 电源故障检测器• 微计算机复位• 电池存储备份• 非易失性RAM 信号存储保护概述HT70xxA-1系列是一组采用CMOS 技术实现的三端低功耗电压检测器。

该系列中的电压检测器能检测固定的电压，范围从 2.2V 到 5.0V 。

电压检测器系列由高精度低功耗的标准电压源、比较器、迟滞电路以及输出驱动器组成。

采用 CMOS 技术制造，因而确保了低功率消耗。

尽管主要用作固定电压检测器，但这些 IC 可搭配外部元件用于指定的阈值电压的检测。

选型表注：“xx ” 代表检测电压。

Rev. 2.1022014-03-19方框图N 沟道开漏输出（常开，低有效）输出表格和曲线图..引脚图电源供应电压 ..............................V SS-0.3V ~ V SS+33V 输出电压 ....................................V SS-0.3V ~ V DD+0.3V 输出电流 ..............................................................50mA 功耗 ..................................................................200mW 储存温度范围 .................................................−50°C ~ 125°C 工作环境温度 .........................................−40°C ~ 85°C注：这里只强调额定功率，超过极限参数所规定的范围将对芯片造成损害，无法预期芯片在上述标示范围外的工作状态，而且若长期在标示范围外的条件下工作，可能影响芯片的可靠性。

KT6860-正负压升压芯片

1.5MHz, 500mA STEP-UP DC-DC CONVERTERFigure 1. Package Type of KT6860The KT6860 is available in The KT6860 has built-in overvoltage protection (OVP)The KT6860 is a high power, constant frequency, cur-Aug.0601General Descriptionrent mode PWM, inductor based, step-up (boost) con-verter. The converter operates at high frequency(1.5MHz) so that a small, low profile inductor can be used.to allow the device goes into shutdown mode when the output voltage exceeds the OVP threshold of 29V .standard SOT-23-5 pack-age.Features·High Efficiency up to 81%·Adjustable Output V oltage up to 29V ·Shutdown Current 1µA Typical · 1.5MHz Switching Frequency·36V 500mA Rugged Integrated Bipolar Switch ·Built-in Soft-start to Reduce Inrush Current Dur-ing Start-up·On-chip Overvoltage Protection·Uses Low ESR Ceramic Output Capacitor ·Uses Small InductorApplications·LCD/OLED Display Bias Supply·White LED Driver for LCD Display Backlights ·Cellular PhonesSOT-23-5208Rev.1.4KT68Figure 2. Pin Configuration of KT6860 (Top View)2Pin DescriptionPin NumberPin Name Function1SWSwitch Pin. Connect inductor/diode here. The output voltage can go up to 29V but should not exceed this limit. If the voltage on this pin is higher than the overvoltage protection (OVP)threshold, the device can go into shutdown mode. It can be restarted by a low to high pulse on the SHDN pin, or by a power on reset on the V IN supply 2GND Ground Pin. Connect directly to local ground plane3FBFeedback Pin. Internally compares to 1.25V . Connect R1 and R2 resistor divider here. Calcu-late the Output V oltage according to the formula: V OUT =1.25V * (1+R1/R2)4SHDN Shutdown Pin. Connect to 1.5V or higher to enable device (ON), 0.4V or lower to disabledevice (OFF)5V INInput Supply Pin. Must be locally bypassedPin ConfigurationK Package(SOT-23-5)SW FBV INSHDNGND Aug.060208Rev.1.4KT 68Figure 12. LCD/OLED Display Bias Driver Typical CircuitNote: V OUT =1.25*(1+R1/R2)=1.25*19.2=24VC: X5R or X7R DielectricL: SUMIDA CDTH3D14/HPNP-100NC or Equivalent3Functional Block DiagramFB SHDNV INAug.060208Rev.1.4KT 68number, are RoHS compliant. Products with KT6860KTRP KT6860KTRG E6BG Tape & ReelLead FreeOrdering InformationPackageTemperature RangePart NumberMarking IDPacking TypeLead FreeGreenLead FreeGreenSOT-23-5-40 to 85o CK: SOT-23-5G: GreenTR: Tape & ReelPackage TypeP"G" suffix are available in green packages.signated with "P" suffix in the part KINETEIC's Pb-free products, as de4Aug.0208Rev.1.4Note 1: Stresses greater than those listed under "Absolute Maximum Ratings" may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under "Recommended Operating Conditions" is not implied. Exposure to "Absolute Max-imum Ratings" for extended periods may affect device reliability.Parameter Symbol Min Max Unit Input V oltage V IN 2.616VOperating TemperatureT OP-4085oCRecommended Operating ConditionsAbsolute Maximum Ratings (Note 1)Parameter Symbol Value Unit Input V oltage V IN20V SW V oltage 38V FB V oltage 5V SHDN V oltage16VThermal Resistance (Junction to Atmosphere, no Heat sink) R θJA265oC/WOperating Junction Temperature 150o C Storage Temperature Range T STG -65 to 150o C Lead Temperature (Soldering, 10sec)T LEAD260oCESD (Machine Model)250V ESD (Human Body Model)2000VElectrical Characteristics(V IN=3V, V SHDN=3V, T A=25o C, unless otherwise specified.)Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Unit2.6VMinimum Operating V olt-age16V Maximum Operating V olt-ageFeedback V oltage V FB V IN=5V, V OUT=24V, I OUT=30mA 1.17 1.25 1.33VFB Pin Bias Current V FB=1.25V1045100nASupply Current I CC V SHDN =V FB=V IN, No switching 2.5 3.5mASupply Current I Q V SHDN =0V, V FB=0V0.1 1.0µASwitching Frequency f 1.1 1.5 1.9MHzMaximum Duty Cycle D MAX8590%Switching Current Limit Duty Cycle=80%500mASwitch VCESAT V CESAT I SW=250mA300mVSwitch Leakage Current V SW=5V0.015µASHDN V oltage High (ON)V TH 1.5V SHDN V oltage Low (OFF)V TL0.4SHDN Pin Bias Current55µAOVP V oltage Threshold V OVP29VSoft-Start Time550µS5 Aug.06Aug.0208Rev.1.4Typical Performance CharacteristicsFigure 4. Quiescent Current vs. Input Voltage Figure 5. SHDN Pin Bias CurrentFigure 6. Switching Frequency Figure 7. Feedback Bias Current-50-2502550751000.00.40.81.21.62.0S w i t c h i n g F r e q u e n c y (M H z )Junction Temperature (oC)Junction Temperature (oC)vs. Junction Temperaturevs. Junction Temperaturevs. Junction Temperature7Aug.0208Rev.1.4Figure 9. Switching Current Limit vs. Duty CycleTypical Performance Characteristics (Continued)Figure 10. Feedback Voltage vs. Junction Temperature Figure 11. Efficiency vs. Output CurrentFigure 8. Efficiency vs. Junction Temperature1.241.251.261.271.281.29F e e d b a c k V o l t a g e(V )8Aug.0208Rev.1.4SOT-23-5Unit: mm(inch)Mechanical Dimensions0.000(0.000)1.050(0.041)9)0.100(0.004)。

HL7700A规格书

特点
极低的静态电流：典型值为6μA 只需少量的外接元件：仅一只肖特基二极管、一只电感和一只电容低纹波及低噪声工作电压范围：0.9V~8V 带载能力强：当Vin=3.0V且Vout=3.3V时Iout=400mA 输出电压范围：2.0V~7.0V(步长0.1V) 输出电压高精度：±2.5% 低启动电压：最高值为0.9V(输出电流为1mA时) 最大工作频率：100KHz(典型值) 高效率：典型值为87% 封装尺寸：SOT23-3， SOT-23-5, SOT89,
No
No
No
No
No
No
Yes
Yes
特点标准型扩流型标准使能型扩流使能型扩流可调输出型
引脚排列图
引脚分配
HL 7700Axx
SOT23-3 1 3 2
引脚号
SOT89-3 1 2 3
符号
Vss Vout Lx
HL 7700Bxx
引脚号
SOT23-3
SOT89-3
1
1
3
2
2
3
HL 7700Cxx 引脚号
应用
电池供电设备的电源部分无线鼠标、无线键盘、照相机、摄象机、VCR、PDA、手持电话、电动玩具等便携式设
备的电源部分要求提供电压比电池所能提供电压高的设备的电源部分。
1
选型指南
型号 HL7700Axx HL 7700Bxx HL7700Cxx HL7700Dxx
HL7700F
后缀
mW mW
工作温度存贮温度焊接温度和时间
TOpr Tstg Tsolder
-25~+85
℃
-40~+125

XL6007升压型直流电源变换器芯片(官方版)

n Built in Thermal Shutdown Function n Built in Current Limit Function n Available in SOIC-8 packageApplicationsn Automotive and Industrial Boost /Buck-Boost / Inverting Converters n Portable Electronic EquipmentFigure1. Package Type of XL6007Pin Configurations SWSWFigure2. Pin Configuration of XL6007 (Top View)Table 1 Pin DescriptionPin NumberPin Name Description1 ENEnable Pin. Drive EN pin low to turn off the device, drive ithigh to turn it on. Floating is default high.2 VINSupply V oltage Input Pin. XL6007 operates from a 3.6V to 24V DC voltage. Bypass Vin to GND with a suitably large capacitor to eliminate noise on the input.3 FB Feedback Pin (FB). The feedback threshold voltage is 1.25V .4 NC No Connected.5,6 SWPower Switch Output Pin (SW). Output is the switch node thatsupplies power to the output.7,8 GND Ground Pin.Function BlockFigure3. Function Block Diagram of XL6007 Typical Application CircuitFigure4. XL6007 Typical Application Circuit (Boost Converter)to the device. This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operation is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.XL6007 Electrical CharacteristicsT a = 25℃;unless otherwise specified.Symbol Parameter Test Condition Min. Typ. Max. Unit System parameters test circuit figure4VFB FeedbackV oltageVin = 12V to 16V, V out=18VIload=0.1A to 0.5A1.213 1.25 1.287 VEfficiency ŋVin=12V ,V out=18.5VIout=0.5A- 90 - %Electrical Characteristics (DC Parameters)Vin = 12V, GND=0V, Vin & GND parallel connect a 220uf/50V capacitor; Iout=0.5A, T a = 25℃; the others floating unless otherwise specified.Parameters Symbol Test Condition Min. Typ. Max. Unit Input operation voltage Vin 3.6 24 V Shutdown Supply Current I STBY V EN=0V 70 100 uAQuiescent Supply Current I q V EN =2V,V FB =Vin2.5 5 mAOscillator Frequency Fosc 320 400 480 Khz Switch Current Limit I L V FB =0 2 AOutput Power NMOS Rdson Vin=12V,I SW=2A110 120 mohmEN Pin Threshold V EN High (Regulator ON)Low (Regulator OFF)1.40.8VI H V EN =2V (ON) 3 10 uA EN Pin Input LeakageCurrent ILV EN =0V (OFF) 3 10 uA Max. Duty Cycle D MAX V FB=0V 90 %Typical System Application – Boost (Output 18.5V/0.5A)Figure5. XL6007 Typical System Application (Boost Converter)Typical System Application – SEPIC Buck-Boost (Input 10V~18V , Output 12V/0.5A)Figure6. XL6007 Typical System Application (SEPIC Buck-Boost Converter)Typical System Application for Inverting Converter– SEPIC Inverting Topology (Input 10V~18V , Output + -12V/0.6A)Figure7. XL6007 Typical System Application (SEPIC Inverting Converter)Package InformationSOP8 Package Mechanical Dimensions。

锂电池升压芯片1.5—3.7升5v

MCC6288概述MCC6288系列产品是一种高效率、低纹波、工作频率高的PFM升压DC-DC变换器。

MCC6288系列产品仅需要四个元器,就可完成将低输入的电池电压变换升压到所需的工作电压，非常适合于便携式1～4 节普通电池应用的场合。

电路采用了高性能、低功耗的参考电压电路结构，同时在生产中引入修正技术，保证了输出电压的高输出精度及低温度漂移。

MCC6288可提供SOT-23-3, SOT-23-5, SOT-89封装形式,SOT23-5封装内置EN使能端，可控制变换器的工作状态，可使它处于关断省电状态，功耗降至最小。

特性¾最高工作频率:300KHz¾输出电压:2.0V～5.0V（步进0.1V）¾低起动电压：0.8V(1mA)¾输出精度:优于±2.5%¾最高效率:87%¾输出电流：大于300mA（Vi=2.5V，Vo=3.3V）¾低纹波，低噪声应用范围1～3个干电池的电子设备,如：电子词典、数码相机、LED手电筒、LED灯、血压计、MP3、遥控玩具、无线耳机、无线鼠标键盘、医疗器械、防丢器、汽车防盗器、充电器、VCR、PDA 等手持电子设备PFM 升压 DC-DC变换器典型应用电路图MCC6288MCC6288方框图管脚定义封装型式和管脚号符号SOT-23-3SOT-23-5SOT-89说明LX 2 5 3 开关脚 VOUT 3 2 2 输出电压 EN - 1 - 使能端 GND 1 4 1 地 EXT3空最大额定参数值参数符号说明典型值单位Vmax 供给U OUT和V LX端的最大电压值 8 V 电压Vmin-max 在EN端的电压范围 -0.3-VOUT+0.3V 电流 ILXmax LX端最大电流 1000 mA Psot-23-3 SOT-23-3封装最大电流功耗 0.25 WPsot-23-5 SOT-23-5封装最大电源功耗 0.25 W 电源功耗Psot-89 SOT-89封装最大电源功耗 0.5 WTmin-max 工作温度范围 -20-85 o C 温度Tstorage 存储温度范围 -40-165 o C ESD VESD 人体静电耐压值 2000 V电气特性参数符号测试条件最小值典型值最大值单位输出电压精度 △VOUT -2.5 2.5 %最大输入电压VINMAX0.7 VOUT V起动电压VSTART ILOAD=1mA, VIN:0→2V 1.2V保持电压VHOLD ILOAD=1mA, VIN:2→0V 0.9 V最大振荡频率FMAX200 300 350 KHz振荡信号占空比DCOSC75 80 85 %效率η8488% 限流I LIMIT 6008001000mAVIN=1.8V VOUT=3.0V 11.8 uA无负载状态下输入电流IIN0VIN=1.8V VOUT=5.0V 7 uA待机（省电）状态输入电流IINQ No load, EN=“low” 1 uAEN “高”电压值 0.4*VOUT VEN “低”电压值0.2V EN “高” 输入电流0.1uA EN “低” 输入电流-0.1 uA应用指引MCC6288是一款BOOST 结构、电压型PFM控制模式的DC-DC转换电路。

高性能电流控制PWM芯片YTE760

管脚定义描述
功率管基极，启动电流输入，外接启动电阻供电脚接地脚
振荡电容脚，外接定时电容反馈脚
开关电流取样与限制设定，外接电流取样电阻输出脚，接开关变压器
注 1：PCB Layout时应将 Pin6与 Pin7之间保留 1mm以上的安全距离，避免产生放电现象。
极限参数（注 2）
参数
供电电压 VCC 引脚输入电压 OC集电极承受电压峰值开关电流总耗散功率工作温度范围储存温度范围焊接温度
率管超上限电流，则上限电流触发器优先置位，强制FB下降，占空比变小，多而保护功率管和变压器；在
下一个关周期开始沿或FB小于1.8V，上限电流触发器复位。另外，YTE760内置热保护，在内温度高于140
℃后调宽振荡器的周期，使YTE760温度产超过150℃；内置斜坡补偿，在YTE760大占空比或连续电流模式
（温度变化时的 Ron变化很大）开关芯片，开关电流在一个较宽的范围都可以非常精准，这样将允许设计者在设计方案时不必留有太大的余量即可满足较大的工作温度范围，提高电流的使用安全性。对于 YTE760，其
过温保护
典型的最大开关电流限制值约为 0.80A，在一个设计在 65V反射电压 0.8A开关电流的反激式电
YTE760
功能描述
直至振荡器关闭。
CT定时电容与开关频率的关系由内部
功率管驱动特性与高耐压偏置技术功
112μA电流源对 CT电容进行恒流充电形成时钟的上升沿，在充电电压至 2.5V时，内部电流将以 1.95mA的下拉电流对 CT放电，形成时钟的下降沿，完成一个时钟周期，一个时钟周期约为：
率管采用斜坡电流驱动，驱动电流随输出功率增加而增加，在 IS=0V时，OB电流约为 40mA，在 IS=0.6V时，OB电流约为 120mA，小输出时的驱动功耗得到显著的降低。IC内部集成了独特的偏置

降压型DC-DC转换器 XL7056 说明书

2.1A 100KHz 100V 降压型DC-DC转换器XL7056特点⏹最高输入电压100V⏹最大占空比85%⏹最小压差2.0V⏹输出电压从1.25V至20V可调⏹5V输出时最大2.1A输出电流⏹15V输出时最大1.2A输出电流⏹固定100KHz开关频率⏹最大输出功率小于20W⏹内置高压功率MOSFET⏹效率高达93%⏹出色的线性与负载调整率⏹内置限流功能⏹内置输出短路保护功能⏹TO263-7L封装应用⏹电动车控制器供电⏹通信描述XL7056是一款高效、高压降压型DC-DC转换器，固定100KHz开关频率，可提供最高2.1A输出电流能力，低纹波，出色的线性调整率与负载调整率。

XL7056内置固定频率振荡器与频率补偿电路，简化了电路设计。

PWM控制环路可以调节占空比从0~85%之间线性变化。

图1. XL7056封装2.1A 100KHz 100V 降压型DC-DC 转换器 XL7056引脚配置CSP CSN FB GNDSW 12345TO263-7LMetal Tab SWVC VIN 67图2. XL7056引脚配置表1.引脚说明引脚号引脚名描述 1 GND 接地引脚。

2 FB 反馈引脚，通过外部电阻分压网络，检测输出电压进行调整。

参考电压为1.25V 。

3 CSN 电流检测负端引脚。

4 SW 功率开关输出引脚。

5 CSP 电流检测正端引脚。

6 VC 内部电压调节器旁路电容引脚，需要在VIN 与VC 引脚之间连接1个1uF 电容。

7VIN电源输入引脚，需要在VIN 与GND 之间并联电容以消除噪声。

2.1A 100KHz 100V 降压型DC-DC 转换器 XL7056方框图EABias current & Voltage ReferenceVINGND75mV 1.25VEA COMPOscillator100KHz/25KHzSWRS Latch and DriverFBStart Up UVLOCSNSwitchVCocsCSP图3. XL7056方框图典型应用XL7056L1 100uH/3ACIN 100uF 100VC2105R210K 1%R13.3K 1%D1FSV10150SW FBGNDVINVIN7421CFF 10nF COUT 220uF 16VR30.035Ω 1%C1104VOUT 5V/0~2.1AOUTPUT 5V/0~2.1A VOUT=1.25*(1+R2/R1)CSP 53CSN CC 105VC6R3用于限制最大输出电流，当VOUT ≤5V 时，R3选择0.035欧姆；当VOUT>5V 时，R3选择0.055欧姆。