《高频课程设计》

1总体设计方案选择：频率调制是高频振荡的振幅U cm保持不变，而频率却随调制信号uΩ(t)的变化做线性变化，已调波成为调频波。

这中调制称为频率调制，常用FM 表示。

产生调频信号的电路叫做调频器，对他有4个主要的要求：1 已调波的瞬时频率与调制信号电压的大小成比例变化。

2 未调制时的载波频率即已调波的中心频率具有一定的稳定度。

3 最大频偏与调制频率无关。

4 无寄生调幅或寄生调幅尽量小。

产生调频的方法主要归纳为两类：1 用调制信号直接控制载波的瞬时频率——直接调频。

2先将调制信号积分，然后对载波进行调相，结果得到调频波。

即由调相变调频——间接调频。

变容二极管调频的主要优点是能够获得较大的频移（相对于间接调频而言），线路简单，并且几乎不需要调制功率，其主要缺点是中心频率的稳定度低。

在满足设计的各项参数的基础上尽量简化电路，因此本次课程设计采用2CC1C变容二极管进行直接调频电路设计。

电路包括二部分LC正弦波振荡器和变容二极管调频电路。

2变容二极管调频电路设计原理2.1 FM 调制原理：FM 调制是靠信号使频率发生变化，振幅可保持一定，所以噪声成分易消除。

设载波t w Vcm Vc c cos =,调制波t w Vsm Vs s cos =。

t w w w w s c m cos ∆+=或t f f f f s c m π2cos ∆+=，此时的频率偏移量△f 为最大频率偏移。

最后得到的被调制波m cm m V V θsin = , V m 随V s 的变化而变化。

⎰∆+==ts s c m m t w w w t w dt w 0sin )/(θ)sin sin(]sin )/(sin[sin t w m t w V t w w w t w V V V s c cm s s c cm mcm m +=∆+==θss f fw w m ∆=∆=为调制系数 2.2 变容二极管直接频率调制的原理：2.2.1 变容二极管的特性：变容二极管是利用半导体PN 结的结电容随反向电压的改变而变化这一特性制成的一种半导体二极管，它的集间结构和伏安特性与一般检波二极管没有多大差别。

不同的是在加反向电压时，变容二极管呈现较大的结电容。

这个结电容的大小能灵敏的随反向偏压而变化。

正是利用变容二极管这一特性，将变容二极管接到振荡器的振荡回路中，作为可控电容元件，则回路的电容量会随调制电压而变化，从而改变振荡频率，达到调频的目的。

变容二极管的反向电压与其结电容呈非线性关系，它的结电容C j 与反向电压V R 存在如下关系：γ)1(0DR j j V v C C +=式中，VD 为PN 结的势垒电压（内建电势差），C j0为V R =0时的结电容，γ为系数，它的值随半导体的掺杂浓度和PN 结的结构不同而异：对于缓变结，γ=1/3；突变结：γ=1/2；对于超突变结，γ=1～4，最大可达6以上。

2.2.2 变容二极管调频的基本原理：变容二极管的C j -V 特性曲线如图2.1所示。

图2.1 变容二极管的C j -V 特性曲线加到变容二极管上的反向电压包括直流偏压V 0和调制信号电压V Ω(t)=V Ωcos Ωt ，即tV V t v R Ω+=Ωcos )(0。

结电容在V R (t)的控制下随时间发生变化如图所示。

结电容是振荡器的振荡回路的一部分，结电容随调制信号变化。

把受到调制信号控制的变容二级管接入载波振荡器的振荡回路，则振荡回路的频率已收到调制信号的控制。

适当选择调频二极管的特性和工作状态，可以使振荡频率的变化与调制信号近似成线性变化，如图所示。

这样就实现了调频。

设电路工作在线性调制状态，在静态工作点Q 处，曲线的斜率为VC k ΔΔC =。

3 变容二极管调频电路设计分析3.1 变容二极管调频电路原理图如图3.1，是LC正弦波振荡器与变容二极管调频电路，有LC正弦波振荡器和变容二极管调频电路二部分组成。

其中，晶体管T组成常见的电容三点式震荡器的改进型电路即克拉波电路实现LC振荡，简便易行。

变容二极管的接入方式为部分接入，如果去掉与之串联的Cc则为全部接入。

变容二极管电容作为组成LC振荡电路的一部分，电容值会随加在其两端的电压的变化而变化，从而达到了变频的目的。

图3.1 变容二极管调频信号产生电路3.2 LC 振荡电路本电路晶体管T 被接成共基组态，CB 为经集极耦合电容。

Rc ，R E ，R B1，R B2设置LC 震荡电路的静态工作点，即：CC B B B BQ V R R R V 212+=β/CQ BQ CE CEO CC CQ E CQ BE BQ EQ I I R R V V I R I V V V =+-=≈-=小功率振荡器的静态工作电流I CQ 一般为(1～4)mA ，I CQ 增大，振荡幅度增加，但波形失真加重，频率稳定度变差。

L1，C1与C2,C3构成并联谐振回路，其中C3两端的电压构成振荡器的反馈电压V BE ，以满足相位平衡条件∑=πϕn 2。

比值C2/C3=F 决定反馈电压的大小，当A VO F=1时，振荡器满足振幅平衡条件，电路的起振条件为A VO F>1。

为减小晶体管的极间电容对回路振荡频率的影响，C2,C3的取值较大。

如果选C1<<C2,C1<<C3，则回路的谐振频率f 0主要由C1决定，则1121C L fo π≈·3.3 调频回路调频回路由变容二极管D C 及耦合电容C C 组成，Cc,Dc 接入LC 振荡电路改变振荡频率构成调频电路。

R1、R2提供变容二极管工作所需的反馈直流偏置电压V Q ，即V Q =[R2/(R1+R2)]V CC 。

电阻R3称为隔离电阻，常取R3>R1,R3>>R2，以减小调制信号V Ω对V Q 的影响。

信号V Ω从C5接入，电感L2是一低通线圈，可以过滤掉信号的高频部分,C6起到高频滤波作用。

变容二极管Dc 通过Cc 部分接入振荡电路，有利于提高主振频率fo 的稳定性，减小调制失真。

图3.2为变容二极管部分接入振荡回路的交流等效电路。

图3.2交流等效电路图3.4 调制灵敏度单位调制电压所引起的最大频偏称为调制灵敏度，以S ƒ表示，单位为 kHz/V ，即m ΩmV f S f ∆=V Ωm 为调制信号的幅度；Δƒm 为变容管的结电容变化ΔC j 时引起的最大频偏。

∵回路总电容的变化量为j2C p C ∆=∆∑在频偏较小时，Δƒm 与ΔC ∑的关系可采用下面近似公式，即∑∑∆⋅-≈∆Q o m 21C Cf f∴ p ↑ Δƒ ↑ ，ΔC j ↑Δƒ ↑。

调制灵敏度 式中，ΔC ∑为回路总电容的变化量；C Q ∑为静态时谐振回路的总电容， 即∴ C 1↓S ƒ↑Δƒ↑m ΩQ o 2V CC f S f ∑∑∆⋅=QC Q C 1Q C C C C C C ++=∑调制灵敏度S ƒ可以由变容二极管C j -V 特性曲线上V Q 处的斜率k C 计算。

S ƒ越大，说明调制信号的控制作用越强，产生的频偏越大。

改变C C 的值可以使变容二极管的工作点调节到最佳状态。

3.3 增加稳定度的措施：3.3.1 震荡回路参数LC显然LC 如有变化，必然引起震荡频率的变化，影响LC 飞变化的因素有：元件的机械变形，周围温度变化的影响，适度，气压的变化，因此为了维持LC 的数值不变，首先就应选取标准性高的，不易发生机械变形的元件；其次，应尽量维持振荡器的环境温度的恒定，因为当温度变化时，不仅会使LC 的数值发生变化，而且会引起电子器件的参数变化，因此高稳定度的振荡器可以封闭在恒温箱（杜瓦瓶）内，LC 采用温度系数低的材料制成。

3.3.2 温度补偿法使L 与C 的变化量与ΔL 与ΔC 的变化量相互抵消以维持恒定的震荡频率，其原理如下：若回路的损耗电阻r 很小，即Q 值很高，则振荡频率可以近似的用回路的固有频率f 0来表示。

LC f f π210=≈由于外界因素的影响，使LC 产生微小的变量ΔL 、ΔC ，因而引起振荡频率的变化为C Cf L L f f ∆∂∂+∆∂∂=∆00⎪⎭⎫⎝⎛∆+∆-≈C C L L f 021 若选用合适的负温度系数的电容器 （电感线圈的温度系数恒为正值）， 使得ΔC/C 与ΔL/L 互相抵消，则Δf 可减为零。

这就是温度补偿法。

3.3.3 回路电阻r的大小是由振荡器的负载决定的，负载重时，r大，负载轻时r小，当负载变化时，振荡频率也随之变化。

为了减小r的影响尽量使负载小且稳定，r越小，回路的Q值越高，频率的稳定度也越高，3.3.4 加缓冲级为了减弱后级电路对主振器的影响，可在主振器后面加入缓冲级。

所谓缓冲级，就是实际上是一级不需要推动功率的放大器（工作于甲类）。

3.3.5有源器件的参数晶体管为有源器件时，若他的工作状态（电源电压或周围温度等）有所改变，则晶体管的h参数会发生变化，即引起振荡频率的改变。

本实验采用的三极管为3DG100. 为了维持晶体管的参数不变，应该采用稳压电源，和恒温措施。

图3.1高频三极管的参数采用高稳定度LC振荡电路例如采用克拉泼电路如图3.2所示：C 1>>C3,C2>>C3,Cb为基极耦合电容，C3为可变电容，他的作用是把L与C1，C2分隔开，使反馈系数仅取决于C1，C2的比值，振荡频率基本上由L和C3决定。

这样，C3就减弱了晶体管与振荡电路之间的耦合，使折算到回路内的有源器件的参数减小，提高了频率的稳定度，另一方面，不稳定电容（如分布电容）则与C1，C2并联，基本上不影响震荡频率。

C 3越小，则频率的稳定度越好，但起振也就越困难。

因此C3也不能无限制的减小。

4 各单元电路元器件参数设置：4.1 LC震荡电路直流参数设置：I CQ 一般为(1～4)mA。

ICQ偏大，振荡幅度增加，但波形失真加重，频率稳定性变差。

取ICQ =2mA。

取VCEQ=1/2VCC=6V。

可以求出Rc+Re=3KΩ，取Rc=2KΩ，Re=1KΩ；β=60，IBQ =β×IBQ，为使减小IBQ对偏执电阻的电位偏执效果的影响，取RB1和RB2上流过的电流IB >>IBQ，取RB1=28KΩ，RB2=8.2KΩ。

4.2 调频电路的直流参数设置根据2CC1C数据手册提供的变容二极管的Cj-V特性曲线（如图1），取变容二极管的正常工作的反向偏置电压为4V，R1与R2为变容二极管提供静态时的反向直流偏置电压V Q ，电阻R3称为隔离电阻，常取R3>>R2，R3>>R1，以减小调制信号VΩ对VQ的影响。

已知V Q =4V，若取 R2=10kW ，隔离电阻R3=150kΩ。

则R1=20KΩ4.3 交流电路参数设置：由LC 震荡频率的计算公式可求出11o π21C L f ≈，若取C 1=100pF ，则L 1≈10mH 。