SP1220F新版芯片规格书
芯片封装图---图片+文字
LQFP BQFP PQFPSC-70SOJSSOPSOP TQFP常见集成电路（IC）芯片的封装SIP(Single In-line Package)PGA(Pin Grid Array Package)PLCC(Plastic leaded Chip Carrier).CSP (Chip Scale Package)DIP,SIP,SOP,TO,SOT元件封裝形式(图)各元器件封装形式图解, 不知道有没有人发过. 暂且放上!CDIP-----Ceramic Dual In-Line PackageCLCC-----Ceramic Leaded Chip CarrierCQFP-----Ceramic Quad Flat PackDIP-----Dual In-Line PackageLQFP-----Low-Profile Quad Flat PackMAPBGA------Mold Array Process Ball Grid ArrayPBGA-----Plastic Ball Grid ArrayPLCC-----Plastic Leaded Chip CarrierPQFP-----Plastic Quad Flat PackQFP-----Quad Flat PackSDIP-----Shrink Dual In-Line PackageSOIC-----Small Outline Integrated PackageSSOP-----Shrink Small Outline PackageDIP-----Dual In-Line Package-----双列直插式封装。
插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。
DIP是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。
PLCC-----Plastic Leaded Chip Carrier-----PLCC封装方式，外形呈正方形，32脚封装，四周都有管脚，外形尺寸比DIP封装小得多。
lna220芯片手册
lna220芯片手册一、产品简介lna220是一款高性能、低噪声的线性放大器芯片，专为射频信号放大设计。
该芯片采用先进的制程技术，具有出色的噪声性能和线性度，广泛应用于无线通信、物联网、卫星通信等领域。
二、技术特性1.参数概述lna220芯片的主要参数如下：- 工作频率：100kHz - 1.7GHz- 增益：20dB- 噪声系数：小于1.5%- 输入阻抗：50Ω- 输出阻抗：50Ω- 电源电压：2.7V - 3.3V- 电流消耗：3.5mA2.性能指标- 线性度：优于1%- 频率响应：平坦至2dB- 输入电压范围：-20dBm至0dBm- 输出功率：大于20dBm3.功能特点- 内置短路保护和过温保护- 采用SMD封装，便于安装与焊接- 宽工作温度范围：-40℃至+85℃三、应用领域lna220芯片适用于以下应用领域：1.无线通信设备2.物联网终端设备3.卫星通信系统4.无线电监测与控制设备5.通信测试仪器仪表四、封装与规格lna220芯片采用SOT-23封装，尺寸为3mm x 2.5mm x 1.1mm。
具体规格如下：- 输入阻抗：50Ω- 输出阻抗：50Ω- 电源电压：2.7V - 3.3V- 工作温度范围：-40℃至+85℃五、测试与评估为确保lna220芯片的性能，我们对其进行了严格的测试与评估。
测试项目包括：增益、噪声系数、线性度、频率响应等。
测试结果表明，该芯片性能优异，满足各种应用场景的需求。
六、编程与使用指南1.硬件设计在使用lna220芯片时，需要注意以下硬件设计要点：- 确保输入和输出阻抗匹配，以获得最佳性能- 选择合适的电源滤波器，以降低电源噪声对芯片性能的影响- 考虑芯片的散热设计，以确保长时间稳定工作2.软件编程针对lna220芯片，我们可以提供相应的驱动程序和开发工具。
在编程过程中，需要注意以下要点：- 合理设置增益，以满足不同应用场景的需求- 根据实际应用调整芯片的工作状态，以实现最佳性能- 关注芯片的电源电压和温度，确保在其工作范围内使用3.测试与调试在测试与调试阶段，可以使用相关测试仪器测量芯片的性能参数，如增益、噪声系数、线性度等。
芯片手册
功能简述 ............................................................................ 46 编程指南 ............................................................................ 46 寄存器 .............................................................................. 47
目 录 ........................................................................ 1
PL3201 芯片特点及功能概述......................................................... 4
2) 增强型 8051 的微处理器MCU ............................................... 21
8051 MCU资源配置 .................................................................... 21 程序控制部分功能 .................................................................... 21 上电复位与电源监测 .................................................................. 24 看门狗定时器 ........................................................................ 25 电压比较器 .......................................................................... 26
lna220芯片手册
lna220芯片手册（原创实用版）目录1.引言2.lna220 芯片概述3.lna220 芯片的功能特点4.lna220 芯片的技术参数5.lna220 芯片的应用领域6.结论正文1.引言随着科技的不断发展，芯片技术在各个领域中都有着广泛的应用。
本篇文章将为您介绍一款名为 lna220 的芯片，并详细阐述其功能特点、技术参数以及应用领域。
2.lna220 芯片概述lna220 是一款高性能、低噪声放大器芯片，其主要功能是对输入信号进行放大，并抑制噪声，从而提高系统的性能。
这款芯片具有广泛的应用前景，适用于各种无线通信、射频信号处理以及高精度测量等领域。
3.lna220 芯片的功能特点lna220 芯片具有以下几个主要功能特点：(1) 高增益：lna220 芯片可以提供高达 22dB 的增益，能够有效地放大输入信号，提高系统性能。
(2) 低噪声：lna220 芯片具有出色的噪声抑制性能，能够大大降低系统中的噪声水平，保证信号质量。
(3) 宽工作电压范围：lna220 芯片的工作电压范围为 3V 至 5V，适用于各种不同的应用场景。
(4) 高线性度：lna220 芯片具有很高的线性度，能够确保信号在放大过程中不会失真。
(5) 紧凑型封装：lna220 芯片采用 SMD 封装，体积小巧，便于安装和使用。
4.lna220 芯片的技术参数以下是 lna220 芯片的主要技术参数：(1) 增益：22dB(2) 带宽：100MHz(3) 噪声系数：1.2dB(4) 输入/输出阻抗：50欧姆(5) 工作电压范围：3V 至 5V(6) 线性度：±1.5dB(7) 稳定性：±0.5dB(8) 温度范围：-40℃至 +85℃5.lna220 芯片的应用领域lna220 芯片广泛应用于以下领域：(1) 无线通信：包括但不限于蓝牙、Wi-Fi、GPS、LoRa 等无线通信技术。
(2) 射频信号处理：包括但不限于广播电视、卫星通信、雷达系统等射频信号处理领域。
EG2124A 芯片数据手册说明书
版本变更记录目录1. 特性 (1)2. 描述 (1)3. 应用领域 (1)4. 引脚 (2)4.1 引脚定义 (2)4.2 引脚描述 (3)5. 结构框图 (4)6. 典型应用电路 (5)7. 电气特性 (5)7.1 极限参数 (5)7.2 典型参数 (6)7.3 开关时间特性及死区时间波形图 (8)8. 应用设计 (8)8.1 VCC端电源电压 (8)8.2 输入逻辑信号要求和输出驱动器特性 (8)8.3 自举电路 (10)9. 封装尺寸 (11)9.1 TSSOP20封装尺寸 (11)9.2 QFN24封装尺寸 (12)EG2124A芯片数据手册V1.01. 特性◼高端悬浮自举电源设计，耐压可达260V◼集成三路独立半桥驱动◼适应5V、3.3V输入电压◼最高频率支持500KHZ◼低端VCC电压范围7V-20V◼输出电流能力IO +0.8A/-1.2A◼VCC和VB带欠压保护◼内建死区控制电路◼自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通◼HIN输入通道高电平有效，控制高端HO输出◼LIN输入通道高电平有效，控制低端LO输出◼封装形式：TSSOP20和QFN24◼无铅无卤符合RHOS标准2. 描述EG2124A是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。
EG2124A高端的工作电压可达260V，低端VCC的电源电压范围宽7V～20V。
该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN 内建了下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO +0.8A/-1.2A，采用TSSOP20和QFN24封装。
3. 应用领域◼三相直流无刷电机驱动器4. 引脚4.1 引脚定义图4-1. EG2124A管脚定义图4-2. EG2124管脚定义4.2 引脚描述5. 结构框图VB1HO1VS1VCCLO1VB2HO2VS2LO2VB3HO3VS3LO3GND图5-1. EG2124A内部电路图6. 典型应用电路图6-1. EG2124A典型应用电路图7. 电气特性7.1 极限参数7.2 典型参数无另外说明，在T A=25℃，Vcc=12V，负载电容C L=1nF条件下7.3 开关时间特性及死区时间波形图图7-1. 低端输出LO 开关时间波形图图7-2. 高端输出HO 开关时间波形图50%50%LOH INLINHO 50%50%图7-3. 死区时间波形图8. 应用设计8.1 VCC 端电源电压针对不同的MOS 管，选择不同的驱动电压，开启MOS 管推荐电源VCC 工作电压典型值为7V-15V 。
SS22~SS220 整流二极管数据表说明书
表面贴装肖特基整流二极管，反向电压：20V~200V，正向电流：2.0A， SMA 封装。
Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers, Reverse Voltage ：20 to 200V,Forward Current:2.0A ,SMA package.玻璃钝化芯片，无铅符合欧盟RoHS 指令2011/65/EU，适用表面贴装。
无卤产品。
Glass Passivated Chip Junction, Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives, For surface mounted applications. HF product.一般用途. General purpose.印章代码 / Marking见印章说明。
See Marking Instructions.描述 / Descriptions特征 / Features用途 / Applications 内部等效电路 / Equivalent Circuit引脚排列 /Pinning参数Parameter符号Symbol数值Rating 单位Unit SS22 SS24 SS26 SS28 SS210 SS212 SS215 SS220Maximum Repetitive PeakReverse VoltageV RRM20 40 60 80 100 120 150 200 V Maximum RMS voltage V RMS14 28 42 56 70 84 105 140 V Maximum DC BlockingVoltageV DC20 40 60 80 100 120 150 200 V Maximum AverageForward Rectified CurrentI F（AV） 2.0 A Peak Forward SurgeCurrent 8.3 ms Single HalfSine Wave Superimposedon Rated Load(JEDEC Method)I FSM50 ATypical JunctionCapacitance atV R=4V f=1MHzC j220 80 pFTypical ThermalResistance 1）RθJA80 ℃/W Operating and StorageTemperature RangeT j,T stg-55~+150 ℃Note:1）P.C.B. mounted with 2.0 X 2.0" (5 X5 cm) copper pad areas.参数Parameter符号Symbol测试条件TestConditions数值Rating 单位Unit SS22 SS24 SS26 SS28 SS210 SS212 SS215 SS220MaximumInstantaneousForward VoltageV F I F=2.0A 0.55 0.70 0.85 0.95 V Maximum DCReverse Current at Rated DC Blocking Voltage I RT a=25℃0.5 0.3 mA T a=100℃ 5.0 3.0 mA极限参数/ Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃) 电性能参数/ Electrical Characteristics(Ta=25℃)电参数曲线图/ Electrical Characteristic Curve外形尺寸图/ Package DimensionsSMA印章说明/ Marking Instructions回流焊温度曲线图(无铅) / Temperature Profile for IR Reflow Soldering(Pb-Free)说明：Note:1、预热温度25～150℃，时间60～90sec; 1.Preheating:25~150℃, Time:60~90sec.2、峰值温度245±5℃，时间持续为5±0.5sec; 2.Peak Temp.:245±5℃, Duration:5±0.5sec.3、焊接制程冷却速度为2～10℃/sec. 3.Cooling Speed: 2~10℃/sec.耐焊接热试验条件/ Resistance to Soldering Heat Test Conditions温度：260±5℃时间：10±1 sec. Temp.:260±5℃Time:10±1 sec包装规格/ Packaging SPEC.卷盘包装/ REELPackage Type 封装形式Units包装数量Dimension 包装尺寸(unit：mm3) Units/Reel只/卷盘Reels/Inner Box卷盘/盒Units/Inner Box只/盒Inner Boxes/Outer Box盒/箱Units/Outer Box只/箱Reel Inner Box盒Outer Box箱SMA 5000 2 10000 7 70000 13〞×12 336X336X40 380X335X366 使用说明/ Notices。
icmef052p120nfr规格书
ICMEF052P120NFR是一款符合工业标准的高性能的SMT表面组装模块，其规格书如下：型号：ICMEF052P120NFR尺寸：长x宽x高=12.5mm x 12.5mm x 0.6mm材料：陶瓷工作温度范围：标准规格为-40℃至+85℃，但根据应用和设计，温度范围可能有所不同电气性能：* 引脚间距：0.65mm，符合QFN封装标准* 工作电压：1.8V至3.6V，具体取决于应用需求* 逻辑状态：高电平=0V，低电平=VCC-1.5V* 功耗：低于30mA功能特性：* 具有开关和放大功能，可用于多种传感器和执行器应用* 内置补偿电路，提高线性度和抗干扰能力* 具有反向极性保护功能，适用于不同方向连接的组件* 工作频率：在特定的电压范围内，工作频率是稳定的* 工作环境要求：芯片工作温度范围、供电电压和电流等参数会影响性能和稳定性封装：塑料底部连接器（QFN）封装，这种封装形式具有低成本、高可靠性和易于组装的特点，适合于SMT表面组装技术包装：常规包装为每卷500个元件，也可根据客户需求提供其他包装方式注意事项：* 在使用前，请务必检查元件温度范围、工作电压和其他规格是否符合您的应用需求* 在组装过程中，请确保正确的安装方式和适当的固定方式，以避免不必要的损坏* 请遵循正确的操作步骤和工艺要求，以确保元件的稳定性和可靠性* 如需进一步了解该元件的详细信息，请参考相关技术资料和手册总的来说，ICMEF052P120NFR是一款功能强大、性能稳定的SMT表面组装模块，适用于各种传感器和执行器应用。
其低成本、高可靠性和易于组装的特性使其成为一种极具竞争力的解决方案。
在选择和使用此元件时，请务必遵守相关的操作指南和规范，以确保其稳定的工作和长期的可靠性。
银河麒麟桌面操作系统V10 SP1 产品发布说明说明书
银河麒麟桌面操作系统V101产品发布说明麒麟软件有限公司2023年4月1本文档所有银河麒麟桌面操作系统V10版本指代SP1版本整体概述银河麒麟桌面操作系统V10SP12303是银河麒麟桌面操作系统V10SP1系列的小版本更新，与V10SP12107、V10SP12203版本已适配软硬件生态保持兼容，支持平滑升级。
新版本支持飞腾FT-2000/4、飞腾腾锐D2000、鲲鹏920、龙芯3A4000、龙芯3A5000、海光2号、海光3号、兆芯开先6000系列、申威831、海思麒麟990、海思麒麟9006C，支持Intel最新12代酷睿处理器和最新的AMD处理器。
内核等核心组件大版本与前一版本保持一致。
产品在桌面环境、系统设置、文件管理器等易用性和交互体验一致性方面有极大提升。
相比于银河麒麟桌面操作系统V10SP12203，本版本以下方面做了优化和增强。
●新增功能的模块：新硬件支持，系统安装，系统启动，桌面环境，系统设置（声音、鼠标、输入法、蓝牙、网络、默认应用、搜索），文件管理器，软件商店，系统应用（看图、录音），系统工具（系统监视器、安装器、刻录、工具箱、备份还原、打印、麒麟管家、字体管理器、手机助手），系统安全，系统更新，SDK，KMRE，KWRE。
●功能优化的模块：桌面环境，系统激活，文件管理器，系统设置（网络、搜索）系统应用（看图）、系统工具（安装器、U盘启动器），系统更新。
●硬件相关缺陷修复：系统安装、显示、性能及外设相关的模块。
●系统缺陷修复：桌面环境，系统设置（蓝牙、网络、多屏协同、快捷键、账户、远程桌面、触摸屏、触控板），软件商店，文件管理器，系统应用（影音，音乐，录音，摄像头，看图，截图，传书，天气，屏幕键盘），系统工具（归档管理器，工具箱，分区编辑器，刻录，U盘启动器，备份还原，生物特征管理工具），系统安全（安全模式配置，文件保护箱，安全中心），系统更新，KMRE。
●安全漏洞修复：本版本修复了自2022年4月至2023年4月之间的涉及本产品的CVE漏洞。
七彩虹 C.M9PLD Ver2. 0 主板 中文说明书
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C.M9PLD Ver2.0
后面板接口 键盘 / 鼠标、USB、串口 COM1、网络接口 LAN、并口 PRN、MIC_IN、 LINE_IN、LINE OUT、游戏口等接口都接在后面板上，详细情况见下 图：
键盘 / 鼠标 接口形式为 PS/2，上面印有“KB”和“MOUSE”字样。 USB（通用串行接口） 主板上后面板有 2 对 USB 接口，用于连接 USB 器件 COM1、VGA 1 个9-pin 的串行接口，可以连接鼠标、调制解调器或其他外接式设备。 V G A 接口连接视频输入设备（监视器）。 LPT（并行口） 1 个 25-pin 的并行口，并印有“LPT”字样，般用来连接打印机。 LAN（网络接口） 1 个 10/100M 的网络接口，可以连接 RJ45 的接头。 LINE IN、LINE OUT、MIC IN（音效接口） LINE OUT 可以连接耳机或者音箱，MIC In 可以连接麦克风（详细设 置见音效 连接接口 介绍）。
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PWR-LED 是 2-pin 电源指示灯，用于显示当前电源和系统的状态。 SPEAKER 接口是 4-pin 的插针，它需要接到机箱的小喇叭上。 PWR-RST（RST-SW）接口是使系统复位，重新初始化。 HDD-LED 是 2-pin 的接口，接硬盘指示灯，表明硬盘当前工作状态。 PWR-SW 是 2-pin 的接口，是起电脑的开关机作用，应把它连接到机 箱的 PW-BT 按钮上。
SP1000A芯片规格说明书
SP1000A Datasheet2021.5Revision History目录第1章SP1000A简介 (1)1.1主要技术特征 (2)1.1.1以太网 (2)1.1.2数据中心 (2)1.1.3卸载 (2)1.1.4主机接口 (3)1.1.5虚拟化 (3)1.1.6接口 (3)1.2引脚描述 (4)1.3电气规格 (12)1.3.1极限工作条件 (12)1.3.2建议工作条件 (12)1.3.3工作电流 (13)1.3.4模式配置说明 (13)1.3.5ETH时钟输入 (14)1.3.6电源设计 (15)1.3.7复位时间 (15)1.3.8NCSI AC S PECIFICATION (15)1.3.9FLASH推荐 (16)1.3.10光模块推荐 (16)1.3.11PCI_E XPRESS 布线建议 (17)1.3.12SFP+布线建议 (17)第2章芯片封装尺寸说明 (18)第1章SP1000A简介SP1000A处理器是北京网迅自主设计的，拥有自主知识产权，它能满足企业数据中心对网络最新需求，应用在服务器上，支持管理程序分流数据排序功能，通过有效地平衡网络负载在CPU核上，提高数据吞吐量和CPU使用率，在多CPU处理器系统中表现出极佳的性能。
SP1000A处理器具有优良的噪声抗扰性，同时还支持300米距离光纤连接，适用于服务器和高端设备，它可轻松将任何PCI Express X8集成到万兆网络中，并且对性能进行了优化，使系统I/O不再是高端网络应用的瓶颈。
SP1000A处理器带有两个完全集成的万兆以太网媒体存取控制（MAC）和SFP+端口，它是部署多个网络以及在高性能服务器上部署关键网络应用环境的理想解决方案。
SP1000A产品应用框图如下：1.1主要技术特征1.1.1 以太网➢10G SFI/KR/XAUI/SGMII接口➢支持最大9.5 KB的巨型帧➢支持模式下自动匹配第73条➢控制支持：发送/接收暂停帧和接收FIFO阈值➢支持802.1q VLAN➢休眠唤醒➢流量整形1.1.2数据中心➢支持PFC(802.1Qbb)➢支持ETS(802.1Qaz)➢支持QCN(802.1Qau)➢支持VEPA➢支持ETAG➢支持MIB和RMON➢VXLAN/Geneve/NVGRE卸载1.1.3卸载➢IPv4 TCP RSC卸载➢FCOE卸载➢发送端TCP报文切片：最高支持256KB➢Linksec卸载➢更规范的IPSec➢IP/TCP/UDP/STCP校验和卸载➢用于数据包重组的分段UDP校验和卸载➢以太网CRC剥离卸载➢VLAN Tag发送端插入和接收端剥离卸载➢支持传输数据包的MAC源地址/ VLAN防欺骗功能➢支持接收数据包头拆分1.1.4主机接口➢消息信号中断（MSI / MSI-X）➢中断节流控制，用于限制最大中断速率➢TCP定时器中断➢支持TPH/FLR/IDO/ARI/VPD/ECRC➢256B最大有效载荷/ 2KB最大请求➢PCIE乱序发送➢功能性支持D0和D3状态的ACPI寄存器设置和掉电1.1.5虚拟化➢支持SR-IOV➢128个传输队列◼每个队列有32个条目数据描述符缓存◼每个队列都有2个条目上下文描述符缓存➢128个接收队列◼LLI队列的描述符缓存➢支持每个端口64个虚拟机（64个虚拟机x 2个队列）注：驱动软件支持每个端口63个虚拟网口。
MEMORY存储芯片MAX202CPE+中文规格书
V CC ..........................................................................-0.3V to +6VV+ ..............................................................(V CC - 0.3V) to +14VV- ...........................................................................+0.3V to -14VInput VoltagesT IN ........................................................-0.3V to (V CC + 0.3V)R IN ...................................................................................±30VOutput VoltagesT OUT ................................................(V+ + 0.3V) to (V- - 0.3V)R OUT ....................................................-0.3V to (V CC + 0.3V)Short-Circuit DurationT OUT ......................................................................ContinuousContinuous Power Dissipation (T A = +70°C)14-Pin Plastic DIP (derate 10.00mW/°C above +70°C) ...800mW16-Pin Plastic DIP (derate 10.53mW/°C above +70°C) ...842mW16-Pin SO (derate 8.70mW/°C above +70°C).............696mW16-Pin Wide SO (derate 9.52mW/°C above +70°C) ...762mW16-Pin CERDIP (derate 10.00mW/°C above +70°C) .....800mW20-Pin Plastic DIP (derate 11.11mW/°C above +70°C) ...889mW 20-Pin Wide SO (derate 10.00mW/°C above +70°C) ..800mW 20-Pin CERDIP (derate 11.11mW/°C above +70°C) ...889mW 24-Pin Narrow Plastic DIP (derate 13.33mW/°C above +70°C) .......................1067mW 24-Pin Wide Plastic DIP (derate 9.09mW/°C above +70°C) ...........................727mW 24-Pin Wide SO (derate 11.76mW/°C above +70°C)..941mW 24-Pin SSOP (derate 8.00mW/°C above +70°C) ........640mW 24-Pin CERDIP (derate 12.50mW/°C above +70°C) ...1000mW 28-Pin Wide SO (derate 12.50mW/°C above +70°C) ..1000mW 28-Pin SSOP (derate 9.52mW/°C above +70°C) ........762mW Operating Temperature Ranges MAX2_ _C_ _ .....................................................0°C to +70°C MAX2_ _E_ _ .................................................-40°C to +85°C MAX2_ _ M_ _ ..............................................-55°C to +125°C Storage Temperature Range ............................-65°C to +160°C Lead Temperature (soldering, 10s) (Note 1) ...................+300°C(MAX202/MAX204/MAX206/MAX208/MAX211/MAX213: V CC = +5V ±10%; MAX200/MAX203/MAX205/MAX207: V CC = +5V ±5%, C1–C4 = 0.1µF; MAX201/MAX209: V CC = +5V ±10%, V+ = +9.0V to +13.2V, T A = T MIN to T MAX , unless otherwise noted.)PARAMETERCONDITIONS MIN TYP MAX UNITS Output-Voltage SwingAll transmitter outputs loaded with 3kΩ to ground ±5±8V V CC Power-SupplyCurrent No load, T A = +25°C MAX202, MAX203815mA MAX200, MAX204–MAX208, MAX211,MAX2131120MAX201, MAX2090.41V+ Power-Supply CurrentNo load MAX201510mA MAX209715Shutdown Supply CurrentFigure 1, T A = +25°C MAX200, MAX205, MAX206, MAX211110µA MAX2131550Input Logic Threshold LowT IN , EN , SHDN, EN, SHDN 0.8V Input Logic Threshold HighT IN 2.0V EN , SHDN, EN, SHDN 2.4Logic Pullup CurrentT IN = 0V15200µA RS-232 Input-VoltageOperating Range -30+30V Integrated │ 2Note 1: Maximum reflow temperature for the MAX203 and MAX205 is +225°C.Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.Electrical Characteristics找MEMORY、二三极管上美光存储Absolute Maximum Ratings(MAX202/MAX204/MAX206/MAX208/MAX211/MAX213: V CC = +5V ±10%; MAX200/MAX203/MAX205/MAX207: V CC = +5V ±5%, C1–C4 = 0.1µF; MAX201/MAX209: V CC = +5V ±10%, V+ = +9.0V to +13.2V, T A = T MIN to T MAX , unless otherwise noted.)PARAMETERCONDITIONS MIN TYP MAX UNITS Receiver Input ThresholdLowV CC = +5V, T A = +25°C Active mode 0.8 1.2V Shutdown mode, MAX213, R4, R50.6 1.5Receiver Input ThresholdHighV CC = +5V, T A = +25°C Active mode 1.7 2.4V Shutdown mode, MAX213, R4, R5 1.5 2.4RS-232 Input HysteresisV CC = +5V, no hysteresis in shutdown 0.20.5 1.0V RS-232 Input Resistance V CC = +5V, T A = +25°C357kΩTTL/CMOS Output-Voltage Low I OUT = 3.2mA MAX201, MAX202, MAX2030.4V I OUT = 1.6mA All othersTTL/CMOS Output-Voltage High I OUT = 1.0mA 3.5V TTL/CMOS Output Leakage Current EN = V CC , EN = 0V, 0 ≤ R OUT ≤ V CC 0.05±10µA Output Enable Time Figure 2MAX205, MAX206, MAX209, MAX211, MAX213600ns Output Disable Time Figure 2MAX205, MAX206, MAX209, MAX211, MAX213200ns Receiver Propagation Delay SHDN = 0V, R4, R5MAX213440µs SHDN = V CC 0.510MAX200–MAX2110.510Transmitter Output Resistance V CC = V+ = V- = 0V, V OUT = ±2V 300ΩTransition Region Slew Rate C L = 50pF to 2500pF, R L = 3kΩ to 7kΩ,V CC = 5V, T A = +25°C measured from +3V to -3V or -3V to +3V MAX200, MAX202–MAX211, MAX2133 5.530V/µs MAX201430RS-232 Output Short-Circuit Current ±10±60mA Maximum Data Rate R L = 3kΩ to 7kΩ, C L = 50pF to 1000pF, one transmitter 120kbps MAX200–MAX209/MAX211/MAX213+5V, RS-232 Transceivers with 0.1μF External Capacitors Integrated │ 3Electrical Characteristics (continued)。
BP2822规格书(最新版)
非隔离降压型 LED 恒流控制器
VCS 40 10 3 (VLN VCC )
其中，VCS 是内部电流检测比较器的阈值；VLN 是 LN 端检测电压；VCC 是芯片电源电压。 源极驱动 BP2822 采用专利的源极驱动技术，VCC 静态工作 电流低至 200uA,无需辅助绕组供电，简化设计， 降低系统成本。 储能电感 BP2822 工作在电感电流临界模式，当芯片输出 脉冲时，外部功率 MOSFET 导通，流过储能电感 的电流从零开始上升，功率管的导通时间为：
8
BP2822
晶丰明源半导体
可知，如果电感量很小时，tOFF 很可能会小于芯 片的最小退磁时间， 这时系统就会进入电感电流 断续模式，LED 输出电流会背离设计值；而当电 感量很大时，tOFF 又可能会超出芯片的最大退磁 时间，这时系统就会进入电感电流连续模式，输 出 LED 电流同样也会背离设计值。 所以选择合适 的电感值很重要。 保护功能 BP2822 内置多种保护功能，包括输出 LED 短路 保护，电流检测电阻短路保护和芯片过温保护。 芯片工作时自动检测负载状态， 如果输出 LED 短 路或电流检测电阻短路， 芯片立刻进入短路保护 状态，功率 MOSFET 被关断。同时，芯片不断检 测负载状态，直到故障解除，当外部短路故障解 除后，芯片自动恢复到正常工作。 内部过热保护电路检测芯片结温度， 当结温度超 过热保护阈值时，芯片进入过热保护状态，功率 MOSFET 立刻被关断， 直到结温度下降 30℃以后， 芯片才会退出过热保护状态，恢复到正常工作。 PCB 设计 在设计 BP2822 PCB 时，需要遵循以下指南： 旁路电容 VCC 的旁路电容需要紧靠芯片 VCC 和 GND 引脚。 地线 电流采样电阻的功率地线尽可能短， 且要和芯片 的地线及其它小信号的地线分头接到 Bulk 电容 的地端。 功率环路 功率环路的面积要尽量小，以减小 EMI 辐射。芯 片远离续流二极管等发热元件。
CP2201电子烟控制IC中文说明书
Ver1.0
2
DEC 25,2013
电子烟驱动芯片 CP2201
4、保护控制模块 该芯片内部集成欠压保护模块（UVLO），用于检测系统的电池的供电电压，当工作电压
低于3.3V时，UVLO输出使能有效：短路保护模块（OCP），用于指示发热丝的负载电阻小于 1.4ohm的情况：过温保护模块（OTP），用于控制系统的工作温度，防止系统过热，减少芯 片使用寿命。
1、超低静态工作电流（<3uA） 该芯片在系统工作中有三种工作模式：充电模式、正常工作模式和省电模式。芯片在上
电后，LED闪三次后直接进入省电模式，而在无吸烟动作的时候电路也一直维持在省电模式， 只有在吸烟的情况下，芯片才会由省电模式进入到正常工作模式。在省电模式下具有极低静 态电流损耗，可以有效的延长一次充电后电池的使用时间。
渐灭，从最亮到最灭是1秒； 当触发内部控制开关超过5秒时，LED连续闪两下，输出截止； 当触发开关时，若有短路（即输出电阻小于1.4ohm）则进行短路保护，LED长亮两秒，
输出截止； 当系统充电时，LED会长亮，充满电后（VDD≥4.2V），LED自动熄灭； 当触发开关时，在输出负载电流前进行电池电压检测，当电池电压低于3.3V时，LED连
脚位配置
CP2201
Ver1.0
1
DEC 25,2013
电子烟驱动芯片 CP2201
引脚说明
引脚名称 DM GND LED VOUT VDD
引脚序号 1 2 3 4 5
说明 咪头探测引脚 IC地，接电池负极 LED输出引脚，用于各种指示 外接发热丝，用于加热烟油 IC电源，接电池正极
功能描述
CP2201是一款高集成度、高性能的应用于电子香烟的控制芯片，不同于以往的MCU方案， 该芯片采用ASIC设计，不会发生死机现象，也不会出现因低于临界电压而引起的芯片无法复 位的现象。该IC内部集成功率MOS管，制作方便，功率损耗极低，外围元件极少，仅需要一 颗LED灯和一颗电容即可，系统成本低。其主要功能特点如下所示：
半导体传感器TMS320F2808PZA中文规格书
TMS320F2810, TMS320F2810-Q1, TMS320F2811, TMS320F2811-Q1TMS320F2812, TMS320F2812-Q1SPRS174V – APRIL 2001 – REVISED FEBRUARY 2021Copyright © 2021 Texas Instruments Incorporated Submit Document Feedback17 Product Folder Links: TMS320F2810TMS320F2810-Q1TMS320F2811TMS320F2811-Q1TMS320F2812TMS320F2812-Q1TMS320F2810, TMS320F2810-Q1, TMS320F2811, TMS320F2811-Q1TMS320F2812, TMS320F2812-Q1SPRS174V – APRIL 2001 – REVISED FEBRUARY 20218.9 Thermal Resistance Characteristics for 176-Pin PGF Package(1)These values are based on a JEDEC defined 2S2P system (with the exception of the Theta JC [RΘJC] value, which is based on aJEDEC defined 1S0P system) and will change based on environment as well as application. For more information, see these EIA/JEDEC standards:•JESD51-2, Integrated Circuits Thermal Test Method Environmental Conditions - Natural Convection (Still Air)•JESD51-3, Low Effective Thermal Conductivity Test Board for Leaded Surface Mount Packages•JESD51-7, High Effective Thermal Conductivity Test Board for Leaded Surface Mount Packages•JESD51-9, Test Boards for Area Array Surface Mount Package Thermal Measurements8.10 Thermal Resistance Characteristics for 128-Pin PBK Package(1)These values are based on a JEDEC defined 2S2P system (with the exception of the Theta JC [RΘJC] value, which is based on aJEDEC defined 1S0P system) and will change based on environment as well as application. For more information, see these EIA/JEDEC standards:•JESD51-2, Integrated Circuits Thermal Test Method Environmental Conditions - Natural Convection (Still Air)•JESD51-3, Low Effective Thermal Conductivity Test Board for Leaded Surface Mount Packages•JESD51-7, High Effective Thermal Conductivity Test Board for Leaded Surface Mount Packages•JESD51-9, Test Boards for Area Array Surface Mount Package Thermal Measurements8.11 Thermal Design ConsiderationsBased on the end application design and operational profile, the I DD and I DDIO currents could vary. Systems that exceed the recommended maximum power dissipation in the end product may require additional thermal enhancements. Ambient temperature (T A) varies with the end application and product design. The critical factor that affects reliability and functionality is T J, the junction temperature, not the ambient temperature. Hence, care should be taken to keep T J within the specified limits. T case should be measured to estimate the operating junction temperature T J. T case is normally measured at the center of the package top-side surface. The thermal application report Semiconductor and IC Package Thermal Metrics helps to understand the thermal metrics and definitions.26Submit Document Feedback Copyright © 2021 Texas Instruments Incorporated Product Folder Links: TMS320F2810TMS320F2810-Q1TMS320F2811TMS320F2811-Q1TMS320F2812TMS320F2812-Q1。
FPGA可编程逻辑器件芯片EP1S40F1020C5中文规格书
Stratix II Device Handbook, Volume 1C16 column interconnects span a length of 16 LABs and provide the fastest resource for long column connections between LABs, TriMatrix memory blocks, DSP blocks, and IOEs. C16 interconnects can crossM-RAM blocks and also drive to row and column interconnects at every fourth LAB. C16 interconnects drive LAB local interconnects via C4 and R4 interconnects and do not drive LAB local interconnects directly.All embedded blocks communicate with the logic array similar to LAB-to-LAB interfaces. Each block (that is, TriMatrix memory and DSP blocks) connects to row and column interconnects and has local interconnect regions driven by row and column interconnects. These blocks also have direct link interconnects for fast connections to and from a neighboring LAB. All blocks are fed by the row LAB clocks, labclk[5..0].Table 2–2 shows the Stratix II device’s routing scheme.Table 2–2. Stratix II Device Routing Scheme (Part 1 of 2)SourceDestinationS h a r e d A r i t h m e t i c C h a i nC a r r y C h a i nR e g i s t e r C h a i nL o c a l I n t e r c o n n e c tD i r e c t L i n k I n t e r c o n n e c t R 4 I n t e r c o n n e c tR 24 I n t e r c o n n e c tC 4 I n t e r c o n n e c tC 16 I n t e r c o n n e c tA L MM 512 R A M B l o c kM 4K R A M B l o c kM -R A M B l o c kD S P B l o c k sC o l u m n I O ER o w I O EShared arithmetic chain v Carry chain v Register chain vLocal interconnect v v v v v v vDirect link interconnect v R4 interconnect v v v v v R24 interconnect v v v v C4 interconnect vvv C16 interconnect v v v vALMv v v v v vv M512 RAM block v v v v M4K RAM block v v vv M-RAM block v v v vDSP blocksv vvStratix II Device Handbook, Volume 1TriMatrix MemoryTriMatrix MemoryTriMatrix memory consists of three types of RAM blocks: M512, M4K, and M-RAM. Although these memory blocks are different, they can all implement various types of memory with or without parity, including true dual-port, simple dual-port, and single-port RAM, ROM, and FIFO buffers. Table 2–3 shows the size and features of the different RAM blocks.Column IOE v v vRow IOEv v v vTable 2–2. Stratix II Device Routing Scheme (Part 2 of 2)SourceDestinationS h a r e d A r i t h m e t i c C h a i nC a r r y C h a i nR e g i s t e r C h a i nL o c a l I n t e r c o n n e c tD i r e c t L i n k I n t e r c o n n e c t R 4 I n t e r c o n n e c tR 24 I n t e r c o n n e c tC 4 I n t e r c o n n e c tC 16 I n t e r c o n n e c tA L MM 512 R A M B l o c kM 4K R A M B l o c kM -R A M B l o c kD S P B l o c k sC o l u m n I O ER o w I O ETable 2–3.TriMatrix Memory Features (Part 1 of 2)Memory FeatureM512 RAM Block (32×18 Bits)M4K RAM Block (128×36 Bits)M-RAM Block (4K ×144Bits)Maximum performance 500 MHz550 MHz420 MHzT rue dual-port memory vv Simple dual-port memory v v v Single-port memory v v vShift register v v ROM v v (1)FIFO buffer v v v Pack mode v v Byte enablev v v Address clock enable v v Parity bits v v v Mixed clock mode v v vMemory initialization (.mif )vvStratix II Device Handbook, Volume 1Stratix II ArchitectureMemory Block SizeTriMatrix memory provides three different memory sizes for efficient application support. The Quartus II software automatically partitions the user-defined memory into the embedded memory blocks using the most efficient size combinations. You can also manually assign the memory to a specific block size or a mixture of block sizes.When applied to input registers, the asynchronous clear signal for the TriMatrix embedded memory immediately clears the input registers. However, the output of the memory block does not show the effects until the next clock edge. When applied to output registers, the asynchronous clear signal clears the output registers and the effects are seen immediately.Simple dual-port memory mixed width support vv v T rue dual-port memory mixed width support vvPower-up conditions Outputs cleared Outputs cleared Outputs unknown Register clears Output registers Output registers Output registers Mixed-port read-during-write Unknown output/old data Unknown output/old data Unknown outputConfigurations512 × 1256 × 2128 × 464 × 864 × 932 × 1632 × 184K × 12K × 21K × 4512 × 8512 × 9256 × 16256 × 18128 × 32128 × 3664K × 864K × 932K × 1632K × 1816K × 3216K × 368K × 648K × 724K × 1284K × 144Notes to Table 2–3:(1)The M-RAM block does not support memory initialization. However, the M-RAM block can emulate a ROM function using a dual-port RAM bock. The Stratix II device must write to the dual-port memory once and then disable the write-enable ports afterwards.Table 2–3.TriMatrix Memory Features (Part 2 of 2)Memory FeatureM512 RAM Block (32×18 Bits)M4K RAM Block (128×36 Bits)M-RAM Block (4K ×144Bits)Stratix II Device Handbook, Volume 1TriMatrix MemoryII ArchitectureStratixStratix II Device Handbook, Volume 1。
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SP1220F
10 BS 9 LX 8 UG 7 LG 6 GND
管脚号 1
管脚名称 VIN
2
COMP
3
FB
4
SEN2
5
SEN1
6
GND
7
LG
8
UG
9
LX
10
BS
图2. SP1220F管脚分布图
描述 电源输入脚。VIN接旁路电容1µF到GND，电容尽可能靠近转换器。 误差放大器输出脚。COMP是误差放大器输出端和PWM比较器正相输 入端。COMP和FB共同补偿控制器的电压控制反馈回路。将COMP脚 拉低至0.4V以下即可关断控制器和振荡器，同时使UG和LG输出维持 低电平。 输出电压反馈脚。反馈电压为1V，在输出和地之间接分压电阻来设置 输出电压。 电流采样输入脚2。当SEN2脚电压大于电流采样电压时，将会触发OCP 功能。 电流采样输入脚1。当SEN1脚电压大于电流采样电压时，将会触发OCP 功能。 地脚。 下管栅极驱动输出脚。 上管栅极驱动输出脚。 电源开关信号输出脚，外接电感。 自举脚。该管脚给内部上管MOSFET栅极驱动器提供电源。在BS端和 LX端接100nF电容。
第1页
SP1220F 宽输入电压范围 CC/CV 同步降压控制器
一．概述
SP1220F 是一款同步降压型 PWM 控制器，该控制器可驱动双路输出 8A（4A+4A）负载电流。设计允 许 SP1220F 在 9V 到 40V 宽输入电压范围内工作。通过将 COMP/EN 引脚逻辑电平拉低来实现外部关断功 能，并进入待机模式。外部补偿使反馈控制环路具有良好的线压调整率和负载调整率，且外围设计灵活。
CurrentLimit(A) 100mV R SENSE
3. 软启动
SP1220F内置软启动功能，该功能是用来控制输出电压上升速率和限制启动过程中的尖峰电流。典型 的软启动时间约为3ms。
4. 上电复位
上电复位电路监控输入电压。当输入电压高于7.5V时，转换器开始工作，一旦输入电压低于6.5V 转 换器将会关断。
单位 V mA mA mA V V
96
120
144 KHz
-
200
-
ns
0
95
%
-
1.0
-
V
-2
+2
%
-
5
-
uA
3
ms
-
0.4
-
V
-
-250
-
uA
-
250
-
uA
95
100
105 mV
-
12
-
Ω
-
2
-
Ω
-
26
-
Ω
-
2
-
Ω
-
60
-
ns
-
80
-
ns
160
℃
40
℃
0.4
V
0.5
s
DBM-DS-0076-260 V 2.6
BVDSS
RDS(ON)
VGS(th)
ID
SP14N04ST
40V
11.5 m
1.5V
42A
功率管封装：TO-252-2L
D
D
G
G
D
S
S
管脚分布
内部结构
上管 SP08N04ST+下管 SP08N04ST 用于 6A~8A 应用方案，功率管参数指标：
BVDSS
RDS(ON)
VGS(th)
ID
SP08N04ST
DBM-DS-0076-260 V 2.6
无锡硅动力微电子股份有限公司
SP-QRD-CF02-01
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SP1220F 宽输入电压范围 CC/CV 同步降压控制器
八、电气参数
VIN=12V TA=25℃（除非其他说明）
参数 输入电压
输入电流
VIN POR阈值
振荡器 PWM频率 最小导通时间 占空比范围 基准电压和软启动 反馈电压 反馈电压精度 线压补偿电流 软启动时间 误差放大器 COMP关断阈值电压 COMP源电流 COMP吸电流 电流采样放大器 SEN1或SEN2阈值电压 前级驱动(设计保证)
VOUT
(1
R FB1 R FB2
) VFB
R FB1
( VSEN 16.6K
1uA)
DBM-DS-0076-260 V 2.6
图 7. 12VIN 5VOUT 线缆补偿（RS=33mΩ） 无锡硅动力微电子股份有限公司
SP-QRD-CF02-01
SP1220F 宽输入电压范围 CC/CV 同步降压控制器
DATA SHEET
深圳芯派科技 ＴＥＬ：１３５ ３０４５ ２６４６ （唐生） ＩＣＱ：２９４ ４３４５ ３３６２
SP1220F
宽输入电压范围 CC/CV 同步降压控制器
版本号：V2.6
DBM-DS-0076-260 V 2.6
SP-QRD-CF02-01
电感值L：
L
VOUT VIN VOUT
VIN fLX IOUTMAX KRIPPLE
值 -65到+150 -40到+150 -40到+85
260
单位 ℃ ℃ ℃ ℃
FB COMP
1.2V
????
?? ?? ?? ??
0.36V ??
?? ????
0.4V
?? ??
??
VREF ?????
SEN1 0.1V
SEN2 0.1V
????1
?? ??
????2
??
??? 120KHz
?? ?? 5V
图4. SP1220F USB口接法典型应用电路
DBM-DS-0076-260 V 2.6
无锡硅动力微电子股份有限公司
SP-QRD-CF02-01
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SP1220F 宽输入电压范围 CC/CV 同步降压控制器
功率管选型建议：
SP17N04DF 用于 4.2A 及 4.2A 以下应用方案，功率管参数指标：
SP28N04SF
BVDSS 40V
RDS(ON) 25.6 m
VGS(th) 1.5V
ID 5.5A
SP14N04SF
40V
11.6 m
1.5V
10A
功率管封装：SOP8
Dቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
S1
8D
S2
7D
S3
6D G
G4
5D
S
管脚分布
内部结构
上管 SP14N04ST+下管 SP14N04ST 用于 4.8A~6A 应用方案，功率管参数指标：
UG驱动
LG 驱动
死区时间
保护功能 过温关断 过温迟滞 短路反馈电压 循环周期
符号
VIN ICCQ ICC ICC VINRTH VINFTH
测试条件
COMP/EN=GND VIN=12V ,VOUT=5V,空载 VIN=30V, VOUT=5V,空载 VIN 上升 VIN 下降
FOSC TON-MIN
流电阻设置限流点。恒压输出控制模式下，输出电压精度可控制在±2%；恒流输出控制模式下，输出电流 精度可控制在±5%。
2. 过流保护功能
SP1220F 一直监控电流采样电阻（RSENSE）上的压降，一旦该压降超过 OCP 值，OCP 功能就会关闭 转换器。芯片的限流点可通过外部电阻（RSENSE）来设置限流值，限流值的计算公式如下：
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SP1220F 宽输入电压范围 CC/CV 同步降压控制器
3.电感选择
电感为输出负载维持连续的电流。电感电流纹波由电感量决定：
更大的电感量能够减小电流纹波的峰峰值。较大的电感量会增加电感磁芯尺寸和串联电阻，且会降低
电流处理能力，所以要在电感磁芯尺寸和串联电阻之间进行折中考虑。通常，根据纹波电流的需要来选取
参数
符号
值
输入电压
VIN
-0.3 到+43
BS 到 LX
-0.3 到+7
LX 到 GND
-1 到+VIN+1
BS,UG 到 GND
Vsw -0.3 到 Vsw +7
FB,COMP,LG,SEN1，SEN2 到 GND
-0.3 到+7
ESD HBM(人体模式)
±2K
ESD MM(机械模式)
±200
功耗，PD＠TA=25℃ 从结到塑封体的热阻
SP1220F 可以工作在 CC（恒流输出）或 CV（恒压输出）两种模式，过流保护(OCP)电流值可以通过 外部电流检测电阻设置。同时芯片提供完善的保护机制，具体包括：输出过流保护、输出短路保护、输出 过压保护、过温保护。
SP1220F 芯片采用 MSOP10 封装，仅需较少的外部器件即可正常工作。
从结到环境的热阻
PD
(TJ –TA)/θJA
θJC
43
θJA
135
注：器件工作条件超过上表中列出的范围时可能造成器件的永久损坏或功能异常。
单位 V V V V V V V W
℃/W ℃/W
五、推荐使用条件
参数 存储温度 结温 工作温度 焊接温度（焊接时间10秒）
六、功能框图
符号 TST TJ TOP
????
?? ??
VIN
BS UG LX LG GND
DBM-DS-0076-260 V 2.6
图1.SP1220F功能框图 无锡硅动力微电子股份有限公司