贴片三极管封装形式
1gm 贴片三极管 长电
1gm 贴片三极管长电（实用版）目录1.1gm 贴片三极管的概述2.1gm 贴片三极管的特点3.长电公司的简介4.长电公司生产的 1gm 贴片三极管的优势5.1gm 贴片三极管的应用领域正文一、1gm 贴片三极管的概述1gm 贴片三极管是一种常见的半导体元器件，具有体积小、性能稳定、可靠性高等优点。
它广泛应用于各类电子设备中，如放大器、振荡器、信号处理器等。
二、1gm 贴片三极管的特点1.体积小：1gm 贴片三极管采用贴片封装，具有较小的体积，适合高密度安装。
2.性能稳定：1gm 贴片三极管具有稳定的电流放大特性，可以提供可靠的信号放大功能。
3.可靠性高：1gm 贴片三极管具有较高的工作稳定性，可以在较恶劣的环境条件下稳定工作。
三、长电公司的简介长电公司是一家专业生产半导体元器件的企业，拥有丰富的生产经验和先进的生产设备。
公司产品涵盖了各类三极管、场效应管、集成电路等，广泛应用于通信、家电、工业控制等领域。
四、长电公司生产的 1gm 贴片三极管的优势1.高质量：长电公司生产的 1gm 贴片三极管采用优质的材料和先进的生产工艺，保证了产品的高质量。
2.稳定性能：长电公司生产的 1gm 贴片三极管具有稳定的电流放大特性，可以提供可靠的信号放大功能。
3.多样化产品：长电公司提供多种封装形式的 1gm 贴片三极管，满足不同客户的需求。
五、1gm 贴片三极管的应用领域1.电子设备：1gm 贴片三极管广泛应用于各类电子设备中，如放大器、振荡器、信号处理器等。
2.家电产品：1gm 贴片三极管在家电产品中也有广泛应用，如电视机、收音机、洗衣机等。
2SC2383贴片三极管 SOT-89封装三极管2SC2383参数
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDSOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors2SC2383TRANSISTOR (NPN) FEATURE z High voltage: V CEO =160V z Large continuous collector current capabilityMARKING ：2383MAXIMUM RATINGS (T A =25 unless otherwise noted ℃) Symbol Parameter Value Unit V CBOCollector-Base Voltage 160 V V CEOCollector-Emitter Voltage 160 V V EBOEmitter-Base Voltage 6 V I CCollector Current -Continuous 1 A P CCollector Power Dissipation 0.5 W T JJunction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature -55~+150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified) ParameterSymbol Test conditions M in M ax U nit Collector-base breakdown voltageV (BR)CBO I C = 100μA , I E =0 160 V Collector-emitter breakdown voltageV (BR)CEO * I C = 10mA, I B =0 160 V Emitter-base breakdown voltageV (BR)EBO I E = 10μA, I C =0 6 V Collector cut-off currentI CBO V CB =150V, I E =0 1 μA Emitter cut-off currentI EBO V EB =6V, I C =0 1 μA DC current gainh FE V CE =5V, I C =200mA 100 320 Collector-emitter saturation voltageV CE(sat) I C =500m A, I B =50mA 1 V Base-emitter voltageV BE I C =5mA, V CE = 5V 0.45 0.75 V Transition frequencyf T V CE =5V, I C =200mA 20 MHz Collector output capacitanceC ob V CB =10V,I E =0,f =1MHz 20 pF *pulse testCLASSIFICATION OF h FERankO Y Range 100-200 160-320SOT-89-3L 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTERB,May,2013【南京南山半导体有限公司 — 长电贴片三极管选型资料】20040060080010000.11101101001000050100150200250300B A S E -E M I T T E R S A T U R A T I O N VOL TAG EV BE sa t(m V)AMBIENT TEMPERATURE T a ()℃ 2SC2383Typical Characteristics I h —— REVERSE VOLTAGE V (V)CA P A C I T AN C E C (pF )CO L L E C T O R C U R RE N T I C(m A )Static Characteristic C O L L E C T O R C U R R E N T I C(m A )B,May,2013【Label on the Inner Box Label on the Outer BoxQA LabelSeal the boxwith the tapeSeal the boxwith the tapeStamp “EMPTY”on the empty boxInner Box: 210 mm× 208mm×２０３ m m Outer Box: 440 mm× 440mm× 230mmThe top gasket1000×1 PCSLabel on the ReelThe bottom gasketThe file folderPlastic bag。
MMST3906贴片三极管 SOT-323三极管封装MMST3906规格参数
A,Oct,2010JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDSOT-323 Plastic-Encapsulate TransistorsMMST3906 TRANSISTOR (PNP)FEATURESComplementary to MMST3904MARKING:K5NMAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted) SymbolParameter Value Unit V CBOCollector-Base Voltage -40 V V CEOCollector-Emitter Voltage -40 V V EBOEmitter-Base Voltage -5 V I CCollector Current -200 mA P CCollector Power Dissipation 200 mW R ΘJAThermal Resistance From Junction To Ambient 625 ℃/W T jJunction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature -55～+150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a=25℃ unless otherwise specified) ParameterSymbol Test conditions Min Typ MaxUnit Collector-base breakdown voltageV (BR)CBO * I C =-10µA, I E =0 -40 V Collector-emitter breakdown voltageV (BR)CEO * I C =-1mA, I B =0 -40 V Emitter-base breakdown voltageV (BR)EBO * I E =-10µA, I C =0 -5 V Base cut-off currentI BL * V CE =-30V, V EB(Off)=-3V -50 nA Collector cut-off currentI CEX * V CE =-30V, V EB(Off)=-3V -50 nA V CE =-1V, I C =-100µA 60 V CE =-1V, I C =-1mA80 DC current gain h FE * V CE =-1V, I C =-10mA100 300 I C =-10mA, I B =-1mA -0.2 V Collector-emitter saturation voltageV CE(sat)* I C =-50mA, I B =-5mA -0.3 V I C =-10mA, I B =-1mA -0.65 -0.85 V Base-emitter saturation voltageV BE(sat)* I C =-50mA, I B =-5mA -0.95 V Transition frequencyf T V CE =-20V,I C =-10mA , f=100MHz 250 MHz Collector output capacitanceC ob V CB =-5V, I E =0, f=1MHz 4.5 pF Collector output capacitanceC ib V EB =-0.5V, I E =0, f=1MHz 10 pF Delay timet d 35 ns Rise timet r V CC =-3V, V BE(off)=-0.5V, I C =-10mA, I B1=-1mA 35 ns Storage timet s225 ns Fall time t f V CC =3V, I C =-10mA, I B1= I B2=-1mA 75 ns*Pulse test: pulse width ≤300μs, duty cycle≤ 2.0%.【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】 【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】The bottom gasketThe top gasket3000×1 PCS 3000×15 PCS Label on the Reel Label on the Inner Box Label on the Outer Box QA Label Seal the boxwith the tape Seal the boxwith the tape Stamp “EMPTY”on the empty box Inner Box: 210mm ×208mm ×２０３m m Outer Box: 440mm ×440mm ×230mm。
贴片元件常见封装
贴片电阻常见封装有9种，用两种尺寸代码来表示。
一种尺寸代码是由4位数字表示的EIA(美国电子工业协会)代码，前两位与后两位分别表示电阻的长与宽，以英寸为单位。
我们常说的0603封装就是指英制代码。
另一种是米制代码，也由4位数字表示，其单位为毫米。
下表列出贴片电阻封装英制和公制的关系及详细的尺寸：一、零件规格:(a)、零件规格即零件的外形尺寸，SMT发展至今，业界为方便作业，已经形成了一个标准零件系列，各家零件供货商皆是按这一标准制造。
标准零件之尺寸规格有英制与公制两种表示方法，如下表英制表示法1206 0805 0603 0402公制表示法3216 2125 1608 1005含义L:1.2inch(3.2mm)W:0.6inch(1.6mm)L:0.8inch(2.0mm)W:0.5inch(1.25mm)L:0.6inch(1.6mm)W:0.3inch(0.8mm)L:0.4inch(1.0mm)W:0.2inch(0.5mm)注：a、L（Length）：长度；W（Width）：宽度；inch：英寸b、1inch=25.4mm（b）、在(1)中未提及零件的厚度，在这一点上因零件不同而有所差异，在生产时应以实际量测为准。
（c）、以上所讲的主要是针对电子产品中用量最大的电阻（排阻）和电容（排容），其它如电感、二极管、晶体管等等因用量较小，且形状也多种多样，在此不作讨论。
（d）、SMT发展至今，随着电子产品集成度的不断提高，标准零件逐步向微型化发展，如今最小的标准零件已经到了0201。
二、常用元件封装1）电阻：最为常见的有0805、0603两类，不同的是，它可以以排阻的身份出现，四位、八位都有，具体封装样式可参照MD16仿真版，也可以到设计所内部PCB库查询。
注：ABCD四类型的封装形式则为其具体尺寸,标注形式为L X S X H 1210具体尺寸与电解电容B类3528类型相同0805具体尺寸：2.0 X 1.25 X 0.5（公制表示法）1206具体尺寸：3.0 X 1.5 0X 0.5（公制表示法）2）电阻的命名方法1、5%精度的命名：RS – 05 K 102 JT2、1％精度的命名：RS – 05 K 1002 FTR －表示电阻S －表示功率0402是1/16W、0603是1/10W、0805是1/8W、1206是1/4W、1210是1/3W、1812是1/2W、2010是3/4W、2512是1W。
2SA1013贴片三极管 SOT-89封装三极管2SA1013参数
The bottom gasket
The file folder
Label on the Reel Plastic bag 1000×1 PCS
The top gasket
Seal the box with the tape
Stamp “EMPTY” on the empty box
Seal the box with the tape
Dimensions In Inc 0.016 0.023 0.014 0.017 0.173 0.181 0.061 REF. 0.091 0.102 0.155 0.167 0.060 TYP. 0.118 TYP. 0.035 0.047
fT
CLASSIFICATION OF hFE Rank Range R 60-120 O 100-200 Y 160-320
A,Mar,2011
【 南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】
Symbol A b b1 c D D1 E E1 e e1 L
Dimensions In Millimeters Min. Max. 1.400 1.600 0.320 0.520 0.400 0.580 0.350 0.440 4.400 4.600 1.550 REF. 2.300 2.600 3.940 4.250 1.500 TYP. 3.000 TYP. 0.900 1.200
QA Label
Label on the Inner Box Inner Box: 210 mm× 208 mm×２０３ mm
Label on the Outer Box Outer Box: 440 mm× 440 mm× 230 mm
1. BASE
贴片三极管封装
贴片三极管封装各位读友大家好，此文档由网络收集而来，欢迎您下载，谢谢贴片三极管代码查找贴片三极管资料及其封装贴片三极管代码查找贴片三极管资料及其封装JX SOT23BA V170B dual cc Si diode low IrJY SOT23BA V199 dioda-2xJY SOT23BA V199D dual series Si diode lowIrJZ SOT23BAW 156JZ SOT23BAW156A dual ca Si diode low Ir K SCD80 BBY52-02W I UHF varicap K SOD323BAT68-03W I BAT68 SchottkyK SOT232SK211 JFETK SOT323MRF917N npn RF fT 6GHzK0SOT23HSMP-3830 C gp pin diode HP3830K1SOT23BCW71 NPNK1SOT23BCW71N BC107AK1SOT23HSMP-3831 K gp pin diode HP3830 K14 DTA114G N pnp sw 50V 100mA w. b-eres K15DTA124G N pnp sw 50V 50mA w. b-e resK1p SOT23BCW71N BC107AK1t SOT23BCW71N BC107AK1X SOT23KSC3265 NPNK2SOT23BCW72 NPNK2SOT23BCW72NBC107B ZXT300K2SOT23HSMP-3832 D dual HP3830 pin diode K24 DTC114G N npn sw 50V 100mA w. b-eres K25DTA124G N pnp sw 50V 50mA w. b-e res K2p SOT23BCW72N BC107B ZXT300K2t SOT23BCW72N BC107B ZXT300K3SOT23BCW81 NPNK3SOT23BCW81N npn 50V hfe 420K3SOT23HSMP-3833 A dual HP3830 pin diode K31 BCW81R R npn 50V hfe 420 K31SOT23BCW81R NPNK3p SOT23BCW81N npn 50V hfe 420 K3t SOT23 BCW81N npn 50V hfe 420K4SOT23BCW71R NPNK4SOT23HSMP-3834 B dual HP3830 pin diodeK4SOT23R BCW71R R BC107AK5SOT23BCW72R NPNK5SOT23R BCW72R R BC107B ZTX300K6SOT23BCV71R NPNK6SOT23R BCV71R R BC546AK7SOT23BCV71 NPNK7SOT23BCV71N BC546AK71SOT23BCV71R NPNK7p SOT23BCV71N BC546AK7t SOT23BCV71N BC546AK8SOT23BCV72 NPNK8SOT23BCV72N BC546BK81SOT23BCV72R NPNK8p SOT23BCV72N BC546BK8t SOT23BCV72N BC546BK9SOT23BCF81 NPNK9SOT23BCV72R NPNK9SOT23R BCV72R R BC546BK91SOT23BCF81R NPNKA SOT232SK368 JFETMOSFETKB SOT23MMBT8099L N npn 80V gpKB SOT89BSS192 MOSFETKC BFQ29P N BFT66KC SOT232SK625 JFETKC SOT23BFQ29P NPNKM BST80T VN10KM SOT89BST80 FETKN BST84T Nch VMOS 200VKN SOT89BST84 FETKO BST86T nch VMOS 180VFETKX SOT23PMBF170 MOSFETL SCD80BBY53-02W I varicap pFL SOD323BAT62-03W I BAT62 schottky detectorL SOT232SC2712 NPNL0SOT23BAT721S C dual series 40V 200mA schottkyL0SOT23HSMP-3860 C dual series pin diodeL0SOT323HSMP-386B C gp RF pin diodeL1BSS65N pnp 12V 400MHz swL1SOT23BSS65 PNPL12SOT89ZVNL120Z MOSFETL2BSS69N pnp 40V 200MHz swL2SOT23BSS69 PNPL2SOT23HSMP-3862 D dual RF pin diodeL20SOT23BAS29 diodaL20SOT23BAS29C Si diode 120V 50mAL21SOT23BAS31 dioda-2xL21SOT23BAS31D dual BAS29 diodesL22SOT23BAS35 dioda-2xL22SOT23BAS35A dual BAS29 diodesL3BSS70N pnp 40V 200MHz swL3MMBC1623L3N npn 40V gpL3SOT23BSS70 PNPL3SOT23HSMP-3863 A ca gp RF pin diodeL3SOT23MMBC1623L3 NPNL30SOT143BA V23 dioda-2xL30SOT143BA V23S dual 200V 225mA diodesL31SOT23BA V23S dioda-2xL4MMBC1623L4N npn 40V gpL4SOT23BAT54 diodaL4SOT23HSMP-3864 B cc gp RF pin diodeL4SOT23MMBC1623L4 NPNL4SOT323BAT54W diodaL4SOT323BAT54W C BAT85 schottkyL41SOT143BAT74 dioda-2xL41SOT143BAT74S 2x BAT85L42SOT23BAT54A dioda-2xL42SOT323BAT54AW dioda-2xL42p SOT23BAT54A A dual c anode schottkyL43SOT23BAT54C dioda-2xL43SOT323BAT54CW dioda-2xL43p SOT23BAT54C B dual c cathode schottkyL44SOT23BAT54S dioda-2xL44SOT323BAT54SW dioda-2xL44p SOT23BAT54S D dual series schottkyL4p SOT23BAT54C BAT85 schottkyL4Z SOT23BAT54C BAT85 schottkyL5BSS65R R pnp 12V 400MHz swL5MMBC1623L5N MPS3904 hfe 135-270L5SOT23BAS55 diodaL5SOT23BSS65R PNPL5SOT23MMBC1623L5 NPNL51SOT143BAS56 dioda-2xL51SOT143BAS56S dual 60V 200mA diodesL52SOT23BAS678 diodaL6BAR17C pin diodeL6BSS69R N pnp 40V 200MHz swL6MMBC1623L6N MPS3904 hfe 200-400L6SOT23BAR17 diodaL6SOT23BSS69R PNPL6SOT23MMBC1623L6 NPNL7BAR14-1D dual pin 100mA maxL7BSS70R N pnp 40V 200MHz swL7MMBC1623L7N MPS3904 hfe 300-600L7SOT23BAR14-1 diodax2L7SOT23BSS70R PNPL7SOT23MMBC1623L7 NPNL8BAR15-1A dual pin 100mA maxL8SOT23BAR15-1 dioda-2xL8SOT23BAT721A A dual c anode 40V 200mA schottkyL9BAR16-1B dual pin 100mA maxL9SOT23BAR16-1 dioda-2xL9SOT23BAT721C B dual c cathode 40V 200mAschottkyLA SOT23BF550 PNPLAp SOT23BF550N pnp 40V 25mALB S525T G n-ch vhf mosfet 200MHzLB SOT143BF999 FETLBs SOT23BF999G n-ch vhf mosfet 300MHzLD SOT23BF543 FETLDs SOT23BF543G n-ch vhf mosfet 300MHzLE SOT23BF660 PNPLEs SOT23BF660N BF606A pnp vhf osc fT 800MHzLF SOT23BF777 NPNLG SOT23BF775A NPNLGs SOT23BF775A N npn RF fT for IFampLH BF569R R BF970 pnp RFLH SOT23BF569 PNPLHs SOT23BF569N BF970 pnp RFLJ SOT23BF579 PNPLK SOT23BF799 NPNLKs SOT23BF799N BF959LKs SOT323BF799W N BF959LM d >BST120T p-ch DMOSfet 60VLM SOT23BF569R PNPLM SOT89BST120 FETLN BST122T p-ch DMOSfet 50VLN SOT89BST122 FETLO SOT23BF775 NPNLOs SOT23BF775N BFQ69LOs SOT323BF775W N BFQ69LR SOT23BF517 NPNLRs SOT23BF517T BF763 GHzLS SOT23BF770A NPNLSs SOT23BF770A N npn low noise RF, Ft 6GHzM SCD80BAR64-02W I pin diodeM SOT143BAR65-07S dual pin diodeM SOT892SC2873 NPNM (blue)SOD323 BAR65-03W I pin diodeM (white)SOD323 BBY55-03W I varicap inM01SOT143BF901 FETM02SOT143BF901R FETM04SOT143BF904 FETM06SOT143BF904R FETM08SOT23PMBFJ308 F VHF n-ch JFET J308M09SOT23PMBFJ309 FETM09SOT23PMBFJ309 F VHF n-ch JFET J309M1SOT23BFR30 FETM1SOT23BFR30F BFW11 BF245M10SOT23PMBFJ310 FETM10SOT23PMBFJ310 F J310 n-ch jfetM10SOT23PMBFJ310 F VHF n-ch JFET J310FETM1B SOT23MMBT2222L N2N2222M1E SOT23MMBTA43L N MPSA43 200V Vce npn M1F SOT23MMBT5550L N 2N5550 npn 140VM1J SOT23MMBT2369L 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T VN10KM SOT89 BST80 FETKN BST84 T Nch VMOS 200VKN SOT89 BST84 FETKO BST86 T nch VMOS 180VKO SOT89 BST86 FETKX SOT23 PMBF170 MOSFETL SCD80 BBY53-02W I varicap pFL SOD323 BAT62-03W I BAT62 schottky detector L SOT23 2SC2712 NPN L0 SOT23 BAT721S C dual series 40V 200mA schottky L0 SOT23 HSMP-3860 C dual series pin diode L0 SOT323 HSMP-386B C gp RF pin diode L1 BSS65 N pnp 12V 400MHz swL1 SOT23 BSS65 PNPL12 SOT89 ZVNL120Z MOSFETL2 BSS69 N pnp 40V 200MHz swL2 SOT23 BSS69 PNPL2 SOT23 HSMP-3862 D dual RF pin diodeL20 SOT23 BAS29 diodaL20 SOT23 BAS29 C Si diode 120V 50mAL21 SOT23 BAS31 dioda-2xL21 SOT23 BAS31 D dual BAS29 diodesL22 SOT23 BAS35 dioda-2x。
贴片三极管封装形式
1C SOT23 SMBTA20
NPN
1Cp SOT23 BAP50-05 B dual cc GP RF pin diode
1Cs SOT363 BC847S
BC457
1D SOT23 BC846
NPN
1D SOT23 IRLML5103 F p-ch mosfet 30V 0.6A
1D SOT23 MMBTA42
NPN
1B SOT416 BC846BT N BC546B
1B SOT89 PXT2222
NPN
-1B SOT323 PMST2222 N 2N2222
1B- SOT323 >BC846BW N BC546B
1Bp SOT23 BC846B N BC546B
1Bs SC74 BC817UPN N
1Bt SOT23 BC846B N BC546B
1B SOT23 IRLML2803 F n-ch mosfet 30V 0.9A
1B SOT23 MMBT2222
NPN
1B SOT23 MMBT2222 N 2N2222
1B SOT23 PMBT2222
NPN
1B SOT23 SMBT2222
NPN
1B SOT23 YTS2222
NPN
1B SOT323 BC846BW
NPN
1D SOT23 MMBTA42 N MPSA42 300V npn
1D SOT23 SMBTA42
NPN
1D SOT323 BC846W
NPN
1D SOT89 SXTA42
NPN
1D- SOT323 BC846W N BC456
1DN
2SC4083 N npn 11V 3.2GHz TV tuners
2SB1132贴片三极管 SOT-89封装三极管2SB1132参数
Seal the box with the tape
Stamp “EMPTY” on the empty box
Seal the box with the tape
QA Label
Label on the Inner Box Inner Box: 210 mm× 208 mm×２０３ mm
Label on the Outer Box Outer Box: 440 mm× 440 mm× 230 mm
0.350
0.440
4.400
4.600
1.550 REF.
2.300
2.600
3.940
4.250
1.500 TYP.
3.000 TYP.
0.900
1.200
Dimensions In Inches
Min.
Max.
0.055
0.063
0.013
0.020
0.016
0.023
0.014
0.017
0.173
CAPACITANCE C (pF)
【 南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】
Symbol
A b b1 c D D1 E E1 e e1 L
Dimensions In Millimeters
Min.
Max.
1.400
1.600
0.320
0.520
0.400
0.580
1 2 3
Parameter Collector-base breakdown voltage
Symbol Test conditions V(BR)CBO IC=-50μA,IE=0
Collector-emitter breakdown voltage
贴片三极管的封装类型
贴片三极管的封装类型引言：贴片三极管是电子元器件中常用的一种，它具有体积小、重量轻、易于安装等优点，因此在电子产品中得到广泛应用。
本文将对贴片三极管的封装类型进行详细介绍，并探讨其特点和应用领域。
一、SOT-23封装SOT-23封装是贴片三极管中最常见的一种封装类型。
它的尺寸为3.0mm x 1.3mm x 1.1mm，外形呈现为一个小巧的长方形。
这种封装适用于低功耗、小信号放大器和开关电路等应用。
由于其体积小，可实现高密度集成，因此在移动通信设备、计算机设备和汽车电子等领域得到了广泛应用。
二、SOT-89封装SOT-89封装是一种中等尺寸的贴片三极管封装，其尺寸为 4.5mm x 4.1mm x 1.6mm。
相比于SOT-23封装，SOT-89封装具有更好的散热性能和更高的功率承受能力。
因此，SOT-89封装常用于中等功率的放大器、开关和稳压器等电路中。
在工业控制、电源管理和汽车电子等领域，SOT-89封装也是常见的选择。
三、SOT-223封装SOT-223封装是一种较大尺寸的贴片三极管封装，其尺寸为6.7mm x 3.7mm x 1.7mm。
这种封装适用于高功率应用，能够较好地散热。
SOT-223封装常用于功率放大器、开关和稳压器等电路中。
在电源管理、汽车电子和工业控制等领域，SOT-223封装也得到了广泛应用。
四、其他封装类型除了上述常见的封装类型外，还有一些其他类型的贴片三极管封装。
例如，SOT-323封装是一种更小尺寸的封装，常用于微型电子设备和手持设备中。
SOT-416封装则是一种超小尺寸的封装，适用于高频放大器和射频电路等应用。
此外，还有一些特殊封装类型，如DFN封装、QFN封装和BGA封装等，它们在特定领域具有独特的优势。
结论：贴片三极管的封装类型多种多样，不同的封装类型适用于不同的应用场景。
SOT-23封装适用于低功耗、小信号电路；SOT-89封装适用于中等功率电路；SOT-223封装适用于高功率电路。
三极管封装形式三极管封装类型图文对照
TO-252（贴片）三极管封装形式SOT-23-3L示意图[ 发布日期:2013-01-08 08:50:57 | 浏览:12264次] 1、三极管封装形式SOT-23-3L实物拍摄图：2、三极管SOT-23-3L封装工艺尺寸示意图：三极管封装形式SOT-23-5L示意图[ 发布日期:2013-01-08 08:52:23 | 浏览:8562次] 1、三极管封装形式SOT-23-5L实物拍摄图：2、三极管SOT-23-5L封装工艺尺寸示意图：三极管封装形式SOT-23示意图[ 发布日期:2013-01-08 08:53:50 | 浏览:3520次] 1、三极管封装形式SOT-23实物拍摄图：2、三极管SOT-23封装工艺尺寸示意图：三极管封装形式SOT-89-3L示意图[ 发布日期:2013-01-08 08:54:38 | 浏览:4673次] 1、三极管封装形式SOT-89-3L实物拍摄图：2、三极管SOT-89-3L封装工艺尺寸示意图：三极管封装形式SOT-89示意图[ 发布日期:2013-01-08 08:55:18 | 浏览:5076次] 1、三极管封装形式SOT-89实物拍摄图：2、三极管SOT-89封装工艺尺寸示意图：[ 发布日期:2013-01-10 09:28:21 | 浏览:7542次] 1、三极管封装形式SOT-223实物拍摄图：2、三极管SOT-223封装工艺尺寸示意图：[ 发布日期:2013-01-10 09:30:53 | 浏览:4918次] 1、三极管封装形式SOT-323实物拍摄图：2、三极管SOT-323封装工艺尺寸示意图：[ 发布日期:2013-01-10 09:34:00 | 浏览:6057次]1、三极管封装形式SOT-363实物拍摄图：2、三极管SOT-363封装工艺尺寸示意图：三极管封装形式SOT-523示意图文解说[ 发布日期:2013-01-10 09:35:53 | 浏览:7585次]1、三极管封装形式SOT-523实物拍摄图：2、三极管SOT-523封装工艺尺寸示意图：[ 发布日期:2013-01-10 09:37:11 | 浏览:9144次] 1、三极管封装形式SOT-563实物拍摄图：2、三极管SOT-563封装工艺尺寸示意图：[ 发布日期:2013-01-16 09:03:04 | 浏览:22038次] 1、三极管封装形式TO-92实物拍摄图：2、三极管TO-92封装工艺尺寸示意图：[ 发布日期:2013-01-16 09:04:09 | 浏览:6694次] 1、三极管封装形式TO-92L实物拍摄图：2、三极管TO-92L封装工艺尺寸示意图：三极管封装形式TO-92MOD封装尺寸图文解说[ 发布日期:2013-01-16 09:05:10 | 浏览:7041次]1、三极管封装形式TO-92MOD实物拍摄图：2、三极管TO-92MOD封装工艺尺寸示意图：[ 发布日期:2013-01-16 09:06:07 | 浏览:6583次] 1、三极管封装形式TO-92S实物拍摄图：2、三极管TO-92S封装工艺尺寸示意图：[ 发布日期:2013-01-16 09:07:02 | 浏览:18653次] 1、三极管封装形式TO-126实物拍摄图：2、三极管TO-126封装工艺尺寸示意图：[ 发布日期:2013-01-19 09:38:25 | 浏览:6661次] 1、三极管封装形式TO-126C实物拍摄图：2、三极管TO-126C封装工艺尺寸示意图：[ 发布日期:2013-01-19 09:41:54 | 浏览:23506次] 1、三极管封装形式TO-220F实物拍摄图：2、三极管TO-220F封装工艺尺寸示意图：[ 发布日期:2013-01-19 09:42:55 | 浏览:13366次] 1、三极管封装形式TO-251实物拍摄图：2、三极管TO-251封装工艺尺寸示意图：三极管封装形式TO-252-2L封装尺寸图文解说[ 发布日期:2013-01-19 09:43:56 | 浏览:11860次]1、三极管封装形式TO-252-2L实物拍摄图：2、三极管TO-252-2L封装工艺尺寸示意图：[ 发布日期:2013-07-12 18:05:56 | 浏览:8344次] 1、三极管封装形式TO-220实物拍摄图：2、三极管TO-220封装工艺尺寸示意图：[ 发布日期:2013-07-12 18:07:27 | 浏览:7375次] 1、三极管封装形式TO-252实物拍摄图：2、三极管TO-252封装工艺尺寸示意图：。
1GM贴片三极管丝印参数
1GM贴片三极管丝印参数
贴片三极管的封装形式又称为外观、包装，常见的有SOT-23、SOT-89、SOT-223等。
这些封装形式代表了产品在外观和引脚排列方面的规格。
封装形式也是贴片三极管的丝印参数之一、例如，如果1GM贴片三极管采
用SOT-23封装，其丝印参数中会标注"SOT-23"。
此外，贴片三极管的丝印参数中还包括了一些电性能相关的信息，如
工作电流、最大电压、最大功率等。
这些参数对于电路设计者来说至关重要，能够帮助他们选择与设计要求相匹配的元器件。
对于1GM贴片三极管
来说，这些电性能参数可能是：工作电流范围为0.1A至0.5A，最大电压
为50V，最大功率为0.2W等。
此外，1GM贴片三极管还可能标注了与质量控制相关的标识信息，如
质量等级、出厂日期等。
质量等级标识了产品的可靠性和稳定性，通常分
为A级、B级等。
出厂日期则表示了该产品的生产日期，可以用于追踪产
品的质量问题和维修。
总之，1GM贴片三极管的丝印参数包括型号、封装形式、生产厂家、
工作电流、最大电压、最大功率、质量等级、出厂日期等。
这些参数提供
了有关元器件的重要信息，可以帮助电子工程师在电路设计和选型过程中
做出合适的选择。
BCX55贴片三极管 SOT-89封装三极管BCX55参数
TRANSITION FREQUENCY f (MHz) T
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
BASE-EMITTER VOLTAGE V (V) BE
500
f T
——
I
C
100
COMMON EMITTER
V =5V CE
T =25℃ a
10
10
30
100
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
0.6mA
0.5mA 0.4mA 0.3mA 0.2mA I =0.1mA
B
1
2
3
4
5
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V (V) CE
V
—— I
CEsat
C
300
(mV)
CEsat
VOLTAGE V
COLLECTOR-EMMITTER SATURATION
100
T =100℃ a
(V)
BEsat
BCX54,BCX55,BCX56
h —— I
1000
FE
C
COMMON EMITTER
V =2V CE
300
T =100℃ a
T =25℃ a
100
30
10
1
10
100
1000
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
1.0
β=10
V
—— I
BEsat
C
0.8
T =25℃ a
Value 45 60 100 45 60 80 5 1 500 250 150
-55~+150
2SD1664贴片三极管 SOT-89封装三极管2SD1664参数
0.091
0.102
0.155
0.167
0.060 TYP.
0.118 TYP.
0.035
0.047
The bottom gasket The file folder
Plastic bag
Label on the Reel 1000×1 PCS
The top gasket
Seal the box with the tape
500
mW
TJ
Junction Temperature
150
℃
Tstg
Storage Temperature
-55~150
℃
1. BASE
2. COLLECTOR 3. EMITTER
1 2 3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)
【 南京南山半导体有限公司 — 长电贴片三极管选型资料】
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors
2SD1664 TRANSISTOR (NPN)
Symbol
Test conditions
V(BR)CBO IC=50μA, IE=0
V(BR)CEO IC=1mA, IB=0
V(BR)EBO IE=50μA, IC =0
ICBO
VCB=20V, IE=0
IEBO
VEB=4V, IC=0
hFE
VCE=3V, IC=100mA
VCE(sat) IC=0.5A, IB=50mA
贴片三极管的封装类型
贴片三极管的封装类型贴片三极管是一种常见的电子元件，它广泛应用于电子设备中的放大、开关和稳压等电路中。
贴片三极管的封装类型多样，不同的封装类型适用于不同的应用场景。
本文将介绍几种常见的贴片三极管封装类型，并分析其特点和应用。
1. SOT-23封装SOT-23封装是一种小型封装，尺寸约为3mm×3mm。
它适用于对空间要求较高的电子设备，如手机、数码相机等。
SOT-23封装的引脚数量为3或5个，常用于低功耗放大、开关和稳压电路中。
2. SOT-89封装SOT-89封装是一种中等尺寸的封装，尺寸约为4.5mm×4.5mm。
它适用于对功率要求较高的电子设备，如电源管理、电机驱动等。
SOT-89封装的引脚数量为3或5个，常用于中功率放大、开关和稳压电路中。
3. SOT-223封装SOT-223封装是一种较大尺寸的封装，尺寸约为 6.7mm×6.7mm。
它适用于对散热要求较高的电子设备，如电源放大、开关和稳压电路等。
SOT-223封装的引脚数量为4或5个，常用于高功率放大、开关和稳压电路中。
4. SOT-323封装SOT-323封装是一种微型封装，尺寸约为2mm×2mm。
它适用于对空间要求极高的电子设备，如蓝牙耳机、智能手环等。
SOT-323封装的引脚数量为3或5个，常用于微功耗放大、开关和稳压电路中。
5. SOT-363封装SOT-363封装是一种超微型封装，尺寸约为 1.6mm×1.6mm。
它适用于对微型化要求极高的电子设备，如耳机、智能眼镜等。
SOT-363封装的引脚数量为6个，常用于超微功耗放大、开关和稳压电路中。
6. SOT-523封装SOT-523封装是一种超超微型封装，尺寸约为1mm×0.6mm。
它适用于对超微型化要求极高的电子设备，如可穿戴设备、智能眼镜等。
SOT-523封装的引脚数量为3个，常用于超超微功耗放大、开关和稳压电路中。
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贴片三极管封装1A SOT323 BC846AW NPN1A SOT416 BC846AT N BC546A1A SOT89 PXT3904 NPN1A SOT89 SXT3904 NPN-1A SOT323 PMST3904 N 2N39041A- SOT323 BC846AW N BC546A1AM SOT23 MMBT3904L N 2N39041Ap SOT23 BC846A N BC546A1At SOT23 BC846A N BC546A1At SOT323 BC846AW N BC546A1B SOT23 BC846B NPN1B SOT23 BC846B N BC546B1B SOT23 FMMT2222 NPN1B SOT23 FMMT2222 N 2N22221B SOT23 IRLML2803 F n-ch mosfet 30V 0.9A 1B SOT23 MMBT2222 NPN1B SOT23 MMBT2222 N 2N22221B SOT23 PMBT2222 NPN1B SOT23 SMBT2222 NPN1B SOT23 YTS2222 NPN1B SOT323 BC846BW NPN1B SOT416 BC846BT N BC546B1B SOT89 PXT2222 NPN-1B SOT323 PMST2222 N 2N22221B- SOT323 >BC846BW N BC546B1Bs SC74 BC817UPN N1Bt SOT23 BC846B N BC546B1Bt SOT323 BC846BW N BC546B1C SOT23 FMMT-A20 NPN1C SOT23 FMMT-A20 N MPSA201C SOT23 IRLML6302 F p-ch mosfet 20V 0.6A1C SOT23 MMBTA20 NPN1C SOT23 MMBTA20L N MPS39041C SOT23 SMBTA20 NPN1Cp SOT23 BAP50-05 B dual cc GP RF pin diode 1Cs SOT363 BC847S BC4571D SOT23 BC846 NPN1D SOT23 IRLML5103 F p-ch mosfet 30V 0.6A1D SOT23 MMBTA42 NPN1D SOT23 MMBTA42 N MPSA42 300V npn1D SOT23 SMBTA42 NPN1D SOT323 BC846W NPN1D SOT89 SXTA42 NPN1D- SOT323 BC846W N BC4561DN 2SC4083 N npn 11V 3.2GHz TV tuners1Dp SOT23 BC846 N BC4561DR SC59 MSD1328-RT1 NPN1DR SOT346 MSD1328R N npn gp 25V 500mA1Ds SC74 BC846U N BC4561Ds SOT363 BC846U BC4561Dt SOT23 BC846 N BC4561Dt SOT323 BC846W N BC4561E FMMT-A43 N MPSA431E SOT23 BC847A NPN1E SOT23 BC847A N BC547A1E SOT23 FMMT-A43 NPN1E SOT23 MMBTA43 NPN1E SOT23 MMBTA43 N MPSA43 200V npn1E SOT23 SMBTA43 NPN1E SOT323 BC847AW NPN1E SOT416 BC847AT N BC547A1E SOT89 SXTA43 NPN1E- SOT323 BC847A N BC547A1EN 2SC4084 N npn 20V 2.0GHz TV tuners1Ep SOT23 BC847A N BC547A1ER SOT23R BC847AR R BC547A1Es SOT23 BC847A N BC4571Es SOT323 BC847AW N BC4571Et SOT323 BC847A N BC547A1F SOT23 BC847B NPN1F SOT23 BC847B N BC547B1F SOT23 FMMT5550 NPN1F SOT23 MMBT5550 NPN1F SOT23 MMBT5550 N 2N5550 140V npn 1F SOT23 PMBT5550 NPN1F SOT323 BC847BW NPN1F SOT416 BC847BT N BC547B1F- SOT323 BC847BW N BC547B1Fp SOT23 BC847B N BC547B1FR SOT23R BC847BR R BC547B1Fs SC75 BC847BT N BC547B1Fs SOT23 BC847B N BC547B1Fs SOT323 BC847BW N BC547B1Ft SOT23 BC847B N BC547B1Ft SOT323 BC847BW N BC547B1G FMMT-A06 N MPSA061G SOT23 BC847C NPN1G SOT23 BC847C N BC547C1G SOT23 FMMT-A06 NPN1G SOT23 MMBTA06 NPN1G SOT23 MMBTA06 N MPSA061G SOT23 SMBTA06 NPN1G SOT323 BC847CW NPN1G SOT416 BC847CT N BC547C1G- SOT323 BC847CW N BC547C1GM SOT23 MMBTA06 N MPSA061Gp SOT23 BC847C N BC547C1GR SOT23R BC847CR R BC547C1Gs SOT23 BC847C N BC547C1Gs SOT323 BC847CW N BC547C1GT SOA06 N MPSA061GT SOT23 SOA06 NPN1Gt SOT323 BC847CW N BC547C1H FMMT-A05 N MPSA051H SOT23 BC847 NPN1H SOT23 FMMT-A05 NPN1H SOT23 MMBTA05 NPN1H SOT23 MMBTA05 N MPSA051H SOT23 SMBTA05 NPN1H SOT323 BC847W NPN1H- SOT323 BC847W N BC5471Ht SOT23 BC847 N BC5471HT SOT23 SOA05 NPN1HT SOT23 SOA05 N MPSA051Ht SOT323 BC847W N BC5471J FMMT2369 N 2N23691J SOT23 BC848A N BC548A1J SOT23 MMBT2369 N MPS23691JA SOT23 MMBT2369A N MPS2369A1JR SOT23R BC848AR R BC548A1Js SOT143 BCV61A VQ npn current mirror hFe 180 1Js SOT23 BC848A N BC548A1Js SOT323 BC848AW N BC548A1K FMMT4400 N 2N44001K SOT143 BCV61B NPN1K SOT23 BC848B NPN1K SOT23 BC848B N BC548B1K SOT23 FMMT4400 NPN1K SOT23 MMBT6428 NPN1K SOT23 MMBT6428 N MPSA18 50V1K SOT23 PMBT6428 NPN1K SOT23 SMBT6428 NPN1K SOT323 BC848BW NPN1KM SOT23 MMBT6428L N MPSA18 50V1Kp SOT23 BC848B N BC548B1KR SOT23R BC848BR R BC548B1Ks SOT143B BCV61B VQ npn current mirror hFe 290 1Ks SOT23 BC848B N BC548B1Ks SOT323 BC848BW N BC548B1L FMMT4401 N 2N44011L MMBT6429 N MPSA18 45V1L SOT143 BCV61C NPN1L SOT143B BCV61C VQ npn current mirror hFe 520 1L SOT23 BC848C NPN1L SOT23 BC848C N BC548C1L SOT23 FMMT4401 NPN1L SOT23 FMMT5400 PNP1L SOT23 MMBT6429 NPN1L SOT23 PMBT6429 NPN1L SOT23 SMBT6429 NPN1L SOT323 BC848CW NPN1Lp SOT143B BCV61C VQ npn current mirror hFe 520 1Lp SOT23 BC848C N BC548C1LR SOT23R BC848CR R BC548C1Ls SOT323 BC848CW N BC548C1M SOT143 BCV61 NPN1M SOT23 BC848 NPN1M SOT23 FMMT-A13 NPN1M SOT23 FMMT-A13 N MPSA131M SOT23 MMBTA13 NPN1M SOT23 MMBTA13 N MPSA13 darlington1M SOT23 PMBTA13 NPN1M SOT23 SMBTA13 NPN1M SOT323 BC848W NPN1Mp SOT143B BCV61 VQ npn current mirror1Mp SOT23 BC848 N BC5481N SOT23 FMMT-A14 NPN1N SOT23 FMMT-A14 N MPSA141N SOT23 MMBTA14 NPN1N SOT23 MMBTA14 N MPSA14 darlington1N SOT23 PMBTA14 NPN1N SOT23 SMBTA14 NPN1N SOT89 PXTA14 NPN1N10 SOT223 MMFT1N10ET1 MOSFET1P BC847PN DI pnp/npn separate pair gpAF1P FMMT2222A N 2N2222A1P SOT23 FMMT2222A NPN1P SOT23 MMBT2222A NPN1P SOT23 MMBT2222A N 2N2222A1P SOT23 PMBT2222A NPN1P SOT23 SMBT2222A NPN1P SOT23 YTS2222A NPN1P SOT89 PKT2222A NPN1Q SOT23 FMMT5088 NPN1Q SOT23 MMBT5088 NPN1Q SOT23 MMBT5088 N MPSA18 Vce 30V1Q SOT23 PMBT5088 NPN半导体三极管参数符号及其意义三极管基础知识及检测方法：一、晶体管基础双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN 结。