晶闸管及其应用课件
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电子技术基础晶闸管课件
亮 已导通的晶闸管在正向阳 亮 极作用下,门极失去控制 亮 作用。
晶闸管在导通状态时,当 暗 阳极电压减小到接近于零
时,晶闸管关断。
电子技术基础晶闸管课件
16
晶闸管正常导通的条件: 1)晶闸管阳极和阴极之间施加正向阳极电压,UAK>0 2)晶闸管门极和阴极之间必须施加适当的正向脉冲电压
和电流, UGK>0
雪崩 击穿
IH
IG 2
IG1 IG=0
O
U DRM U bo +U A
U DSM
-IA
晶闸管的伏安特性
电子技术基础晶闸管课件
21
6.2.4晶闸管的主要参数
1 正向重复峰值电压
晶闸管控制极开路且正向阻断情况下,允许重复加 在晶闸管两端的正向峰值电压。
一般取UFRM = 80% UB0 。 普通晶闸管 UFRM 为100V- 3000V
18
6.2.3晶闸管伏安特性曲线 (I f(U)曲线 )
正向平均电流
I IF
维持电流
UBR URRM
IH
o U
反向转折电压
_+
反向特性
+_
IG2 > IG1 > IG0 IG2 IG1 IG0 UFRMUBO U
正向转折电压
正向特性
电子技术基础晶闸管课件
19
• 正向特性
• IG=0时,器件两端施加
电子技术基础晶闸管课件
29
2
(1)选择额定电流的原则
• 在规定的室温和冷却条件下,只要所选管子的 额定电流有效值大于等于管子在电路中实际可
能通过的最大电流有效值I TM即可。考虑元件的
过载能力,实际选择时应有1.5~2倍的安全裕量。
晶闸管的结构和工作原理课件
晶闸管的导通实验二
实验 顺序
实验时晶闸管条件
阳极电压 Ua
门极电压 Ua
பைடு நூலகம்
实验后灯 的情况
1
正向
反向
暗
结论
2
正向
零
晶闸管同时在正向阳极电压与正向门
暗
极电压作用下才能导通。
3
正向
正向
亮
电力电子技术
晶闸管的结构和工作原理课件
晶闸管导通后的实验(原来灯亮)
实验 顺序
实验时晶闸管条件
阳极电压 Ua
门极电压 Ua
晶闸管的导通关断条件
实 验 电 路 图
电力电子技术
晶闸管的结构和工作原理课件
点击进入仿真
晶闸管的导通实验一
实验 顺序
实验时晶闸管条件
阳极电压 Ua
门极电压 Ua
实验后灯 的情况
1
反向
反向
暗
结论
2
反向
零
晶闸管在反向阳极电压作用下,不论
暗
门极为何种电压,它都处于关断状态。
3
反向
正向
暗
电力电子技术
晶闸管的结构和工作原理课件
K
晶闸管的结构和工作原理课件
有关晶闸管的几个名词
触发:当晶闸管加上正向阳极电压后,门极加上适当的正向门极电压, 使晶闸管导通的过程称为触发。
维持电流IH:维持晶闸管导通所需的最小阳极电流。 正向阻断:晶闸管加正向电压未超过其额定电压,门极未加电压的情 况下,晶闸管关断。
硬开通:给晶闸管加足够的正向阳极电压,即使晶闸管未加门极电压 也会导通的现象叫硬开通。
实验后灯 的情况
1
正向
反向
《晶闸管及其应用》课件
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《晶闸管及其应用》PPT课件
目 录
• 晶闸管简介 • 晶闸管类型与参数 • 晶闸管应用 • 晶闸管电路设计 • 晶闸管使用注意事项
01
晶闸管简介
晶闸管定义
总结词
晶闸管是一种大功率半导体器件,具有单向导电性。
详细描述
晶闸管是一种由半导体材料制成的电子器件,其工作原理基于半导体的PN结。 它具有单向导电性,即只允许电流在一个方向上流动,而在另一个方向上则截 止。
详细描述
晶闸管作为电力电子器件,在电力系统、工业自动化、新能源等领域发挥着重要作用。通过整流技术,可以将交 流电转换为直流电,满足各种电子设备和电器的需求。逆变技术则将直流电转换为交流电,用于驱动电机、照明 等设备。此外,晶闸管还可以用于开关电路,实现电源的通断控制。
电机控制应用
总结词
晶闸管在电机控制领域应用广泛,可以实现电机的调速和正反转控制。
斩波电路设计
总结词
斩波电路是利用晶闸管快速导通和关断特性 ,将直流电转换为脉冲信号的电路。
详细描述
斩波电路设计主要考虑晶闸管的触发角、关 断角和脉冲宽度等因素,以实现斩波效果。 斩波电路常用于调节电源的输出电压或电流 ,以达到节能或调节系统性能的目的。
05
晶闸管使用注意事项
安全操作注意事项
01 操作前应穿戴好防护用具,确保工作区域 安全。
晶闸管工作原理
总结词
晶闸管由P1、N1、P2、N2四个层构成,利用内部电荷的移 动实现电流的控制。
详细描述
晶闸管由P型半导体和N型半导体交错排列形成P1、N1、P2 、N2四个层。当晶闸管两端加上正向电压时,空穴和电子分 别在P1层和N1层中形成,并形成电流。当晶闸管两端加上反 向电压时,空穴和电子在P2层和N2层中形成,但由于内部电 荷的移动被阻止,电流无法通过。
《晶闸管及其应用》PPT课件
目 录
• 晶闸管简介 • 晶闸管类型与参数 • 晶闸管应用 • 晶闸管电路设计 • 晶闸管使用注意事项
01
晶闸管简介
晶闸管定义
总结词
晶闸管是一种大功率半导体器件,具有单向导电性。
详细描述
晶闸管是一种由半导体材料制成的电子器件,其工作原理基于半导体的PN结。 它具有单向导电性,即只允许电流在一个方向上流动,而在另一个方向上则截 止。
详细描述
晶闸管作为电力电子器件,在电力系统、工业自动化、新能源等领域发挥着重要作用。通过整流技术,可以将交 流电转换为直流电,满足各种电子设备和电器的需求。逆变技术则将直流电转换为交流电,用于驱动电机、照明 等设备。此外,晶闸管还可以用于开关电路,实现电源的通断控制。
电机控制应用
总结词
晶闸管在电机控制领域应用广泛,可以实现电机的调速和正反转控制。
斩波电路设计
总结词
斩波电路是利用晶闸管快速导通和关断特性 ,将直流电转换为脉冲信号的电路。
详细描述
斩波电路设计主要考虑晶闸管的触发角、关 断角和脉冲宽度等因素,以实现斩波效果。 斩波电路常用于调节电源的输出电压或电流 ,以达到节能或调节系统性能的目的。
05
晶闸管使用注意事项
安全操作注意事项
01 操作前应穿戴好防护用具,确保工作区域 安全。
晶闸管工作原理
总结词
晶闸管由P1、N1、P2、N2四个层构成,利用内部电荷的移 动实现电流的控制。
详细描述
晶闸管由P型半导体和N型半导体交错排列形成P1、N1、P2 、N2四个层。当晶闸管两端加上正向电压时,空穴和电子分 别在P1层和N1层中形成,并形成电流。当晶闸管两端加上反 向电压时,空穴和电子在P2层和N2层中形成,但由于内部电 荷的移动被阻止,电流无法通过。
晶闸管及其应用《模拟电子技术基础》课件(全集)
逆变电源
利用逆变技术将直流电转换为交流 电,为电子设备提供电源。
04
04 晶闸管与其他电子元件的 比较
与二极管的比较
总结词
二极管与晶闸管在结构和工作原理上存在显著差异。
详细描述
二极管是由一个PN结组成的半导体器件,具有单向导电性,主要用于整流、检波和保护等电路中。而 晶闸管则是由三个PN结组成的半导体器件,具有可控的单向导电性,主要用于可控整流、开关和调压 等电路中。
晶闸管工作原理
总结词
晶闸管通过控制门极电压实现对其通断的控制。
详细描述
当在晶闸管的门极施加适当的正向电压时,晶闸管内部的空穴和电子在强电场的作用下分别向阴极和阳极运动, 形成正向电流。这个电流使晶闸管内部的PN结处于导通状态,允许电流通过。当门极施加反向电压时,晶闸管 内部的PN结处于截止状态,电流无法通过。
未来展望与研究方向
新材料与新工艺
研究新型半导体材料和制程技术,提高 晶闸管的性能和可靠性,以满足不断发
展的应用需求。
集成化与模块化
推动晶闸管的集成化和模块化发展, 简化电路设计和系统搭建,降低成本
并提高可靠性。
高频率、大容量
研究实现更高工作频率和更大容量的 晶闸管,提升电力电子系统的转换效 率和应用范围。
1970-1980年代
随着电力电子技术的快速发展,晶闸管在变频器、 电机控制等领域得到广泛应用。
ABCD
1950-1960年代
晶闸管技术逐渐成熟,开始应用于工业控制和电 力电子领域。
1990年代至今
晶闸管技术不断创新,新型材料和工艺的应用提 高了其性能和可靠性,拓宽了应用领域。
晶闸管的应用前景
新能源领域
02 晶闸管特性
利用逆变技术将直流电转换为交流 电,为电子设备提供电源。
04
04 晶闸管与其他电子元件的 比较
与二极管的比较
总结词
二极管与晶闸管在结构和工作原理上存在显著差异。
详细描述
二极管是由一个PN结组成的半导体器件,具有单向导电性,主要用于整流、检波和保护等电路中。而 晶闸管则是由三个PN结组成的半导体器件,具有可控的单向导电性,主要用于可控整流、开关和调压 等电路中。
晶闸管工作原理
总结词
晶闸管通过控制门极电压实现对其通断的控制。
详细描述
当在晶闸管的门极施加适当的正向电压时,晶闸管内部的空穴和电子在强电场的作用下分别向阴极和阳极运动, 形成正向电流。这个电流使晶闸管内部的PN结处于导通状态,允许电流通过。当门极施加反向电压时,晶闸管 内部的PN结处于截止状态,电流无法通过。
未来展望与研究方向
新材料与新工艺
研究新型半导体材料和制程技术,提高 晶闸管的性能和可靠性,以满足不断发
展的应用需求。
集成化与模块化
推动晶闸管的集成化和模块化发展, 简化电路设计和系统搭建,降低成本
并提高可靠性。
高频率、大容量
研究实现更高工作频率和更大容量的 晶闸管,提升电力电子系统的转换效 率和应用范围。
1970-1980年代
随着电力电子技术的快速发展,晶闸管在变频器、 电机控制等领域得到广泛应用。
ABCD
1950-1960年代
晶闸管技术逐渐成熟,开始应用于工业控制和电 力电子领域。
1990年代至今
晶闸管技术不断创新,新型材料和工艺的应用提 高了其性能和可靠性,拓宽了应用领域。
晶闸管的应用前景
新能源领域
02 晶闸管特性
晶闸管及其应用94573-59页PPT精品文档
io
T2 RL
++uo
–
D2 –
3. 工作波形
u
O
2
t
ug
O
t
u O
t
u 动画 T1
O
t
4. 输出电压及电流的平均值
UO
1 π
π
udt
α
Uοπ 1α π 2Usin td (t)
0.9U1coαs
2
IOR U ο0.9R U L1c2oαs
两种常用可控整流电路
②通态电流临界上升率di/dt 这是指在规定条件下,晶 闸管能承受而不导致损坏的最大通态电流上升率。如果 电流上升太快,则晶闸管刚一开通,便会有很大的电流 集中在门极附近的小区域内,从而造成局部过热而使晶 闸管损坏。
晶闸管型号及其含义
KP
导通时平均电压组别
共九级, 用字母A~I表示0.4~1.2V
uac
三相半波可控整流电路,
电阻负载, =60时的波形
u2 =60ua ub
uc
O
t
uG
uOd
t
O
t
iVT1
O
t
0°≤α≤30° Ud 1.17U2 cos
30° ≤ α ≤150°
Ud
0.675U2
1
cos(
6
)
UTM 6U2
在0~150间变化
电压uo波形与电阻性负载相同(见波形图)。
(3)工作波形(加续流二极管)
u
O
2
t
ug
O
t
u O
iL
uT
t
O
t
7第九章晶闸管及其应用09.ppt
IF =Im/π IT=1.57 IF IT: 正弦波电流有效值。
本章要求:
课前预习-上课笔记-课后复习-勤于
14
动手
4、门极触发电压Ug和触发电流I g:阳极加+6V电 压,门极可靠地触发导通的最小电压值和电流值 叫和Ug和I g .。
本章要求:
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15
动手
4、门极触发电压Ug和触发电流I g:阳极加+6V电 压,门极可靠地触发导通的最小电压值和电流值 叫和Ug和I g .。
Rg
P
N
BCR
P
Ea
Rg BCR
EG
反向阻断
正向阻断
正向触发导通
IA>IH断开触发后仍导通
3。晶闸管导通条件是:阳极加正电压,门极加正电压。
本章要求:
课前预习-上课笔记-课后复习-勤于
10
动手
二、晶闸管的伏安特性。
本章要求:
课前预习-上课笔记-课后复习-勤于
11
动手
二、晶闸管的伏安特性。
UFM正向不重复电压 UFRM断态重复峰值电压 通态平均电压0.6~1.2V
5、维持电流IH:门极开路时,维持晶闸管导通必须的 最小阳极电流叫维持电流,
IA<IH关断。
本章要求:
课前预习-上课笔记-课后复习-勤于
16
动手
三、应用实例 同名端鉴别电路
应急灯电路
本章要求:
课前预习-上课笔记-课后复习-勤于
17
动手
9-2 可控整流电路
1。单相半波可控整流路:
本章要求:
课前预习-上课笔记-课后复习-勤于
18
动手
9-2 可控整流电路
晶闸管及其应用电路PPT课件
晶闸管一旦导通, 控制极就不再起控制作用, 不
管UGG存在与否, 晶闸管仍将导通。 若要导通的管子 关断, 则只有减小UAA, 直至切断阳极电流, 使之不能维 持正反馈过程, 如图11.3(f)所示。 在反向阳极电压作
用下, 两只三极管均处于反向电压, 不能放大输入信号, 所以晶闸管不导通。
第13页/共91页
之为正向阻断, 如图11.3(a)所示。
(2) S断开, UGK=0, UAA为反向, 灯泡不亮, 如
图11.3(b)所示。
(3) S合上, UGK为正向, UAA为反向, 灯泡不亮,
称之为反向阻断, 如图11.3(c)所示。
第5页/共91页
R
+ UGG
-
S
(a)
R
+ UGG
-
S
(c)
+
R
UAA
+
第18页/共91页
3. 电流定额
1) 额定正向平均电流IF 2) 维持电流IH
4. 控制极定额
1) 控制极触发电压UG和触发电流IG 2) 控制极反向电压UGR
第19页/共91页
11.1.4 晶闸管的型号 国产晶闸管的型号有两种表示方法, 即KP系 列和3CT系列。 额定通态平均电流的系列为1、 5、 10、 20、 30、 50、 100、 200、 300、 400、 500、 600、 900、 1000(A)等14种规格。 额定电压在1000 V以下的, 每100 V为一级; 1000 V到3000 V的每200 V为一级, 用百位数或千 位及百位数组合表示级数。
用晶闸管替代单相半波整流电路中的二极管
就构成了单相半波可控整流电路, 如图11.10(a)
所示。
+
Tr
管UGG存在与否, 晶闸管仍将导通。 若要导通的管子 关断, 则只有减小UAA, 直至切断阳极电流, 使之不能维 持正反馈过程, 如图11.3(f)所示。 在反向阳极电压作
用下, 两只三极管均处于反向电压, 不能放大输入信号, 所以晶闸管不导通。
第13页/共91页
之为正向阻断, 如图11.3(a)所示。
(2) S断开, UGK=0, UAA为反向, 灯泡不亮, 如
图11.3(b)所示。
(3) S合上, UGK为正向, UAA为反向, 灯泡不亮,
称之为反向阻断, 如图11.3(c)所示。
第5页/共91页
R
+ UGG
-
S
(a)
R
+ UGG
-
S
(c)
+
R
UAA
+
第18页/共91页
3. 电流定额
1) 额定正向平均电流IF 2) 维持电流IH
4. 控制极定额
1) 控制极触发电压UG和触发电流IG 2) 控制极反向电压UGR
第19页/共91页
11.1.4 晶闸管的型号 国产晶闸管的型号有两种表示方法, 即KP系 列和3CT系列。 额定通态平均电流的系列为1、 5、 10、 20、 30、 50、 100、 200、 300、 400、 500、 600、 900、 1000(A)等14种规格。 额定电压在1000 V以下的, 每100 V为一级; 1000 V到3000 V的每200 V为一级, 用百位数或千 位及百位数组合表示级数。
用晶闸管替代单相半波整流电路中的二极管
就构成了单相半波可控整流电路, 如图11.10(a)
所示。
+
Tr
第10章晶闸管及其应用(ppt文件)-路模电子教案
图10.5晶闸管交流调压
(1) 电源电压u的正半周,在t1时刻(ωt1=α ,α又称控 制角)将触发脉冲加到V2管的控制极,V2管被触发导通, 此时V1管承受反向电压而截止。当电源电压u过零时, V2管自然关断。
(2) 电源电压u的负半周,在t2时刻(ωt2=180o+α)将 触发脉冲加到V1管的控制极,V1管被触发导通,此时 V2管承受反向电压而截止。当电源电压u过零时,V1管 自然关断,负载上获得的电压波形如图10.5(b)所示,
(4) 要使导通的晶闸管截止,必须将阳极电压降至 零或为负,使晶闸管阳极电流降至维持电流IH以下。
综上所述,可得如下结论:
① 晶闸管与硅整流二极管相似,都具有反向阻断能 力,但晶闸管还具有正向阻断能力,即晶闸管正向导 通必须具有一定的条件:阳极加正向电压,同时控制 极也加正向触发电压。
② 晶闸管一旦导通,控制极即失去控制作用。要 使晶闸管重新关断,必须做到以下两点之一:一是将 阳极电流减小到小于维持电流IH;二是将阳极电压减 小到零或使之反向。
图10.8 单结管的电压电流特性
三个区域的分界点是P(称为峰点)和V(称为谷点)。 UP、IP分别称为峰点电压和峰点电流;UV、IV分别称 为谷点电压和谷点电流。
由图10.7可知
UP
UD
UA
VA
RB1 RB1 RB2
U BB
U B
式中 RB1 称单结管分压比,一般为
RB2 RB2
当E、B1极之间截止后,电源又对C充电,并重复 上述过程,结果在R1上得到一个周期性尖脉冲输出电 压,如图10.9(b)所示。
上述电路的工作过程是利用了单结管负阻特性和 RC充放电特性,如果改变RP,便可改变电容充放电的 快慢,使输出的脉冲前移或后移,从而改变控制角α, 控制了晶闸管触发导通的时刻。显然,充放电时间常 数τ=RC大时,触发脉冲后移,α大,晶闸管推迟导通; τ小时,触发脉冲前移,α小,晶闸管提前导通。
晶闸管及其应用(20)幻灯片PPT
体积小、重量轻、效率高、动作迅速、维修简 单、操作方便、寿命长、 容量大(正向平均电流达 千安、正向耐压达数千伏)。
20.1 晶闸管
20.1.1 基本结
A 阳极
构 晶闸管是具有三个
PN结的四层结构, 其外
三
形、结构及符号如图。
P1
个
四 A层
半
导
G
体
K
N1
PN
结
P2
GG
控制极
N2
(a) 外形 (b) 符号
形成正反馈过程
iB2 iG
iC 22 iG iB 1
iC1β1iC2
1 2iGiB 2
在极短时间内使两 个三极管均饱和导通, 此过程称触发导通。
20.2.2 工作原理
A
β1β2iG
T1
iG
G
iB2
E
R
β 2
iG
T2 EA_+
G
K
EA > 0、EG > 0
形成正反馈过程
iB2 iG
iC 22 iG iB 1
UFRM UBO U
正向转折电压
反向特性
正向特性
20.1.4 主要参 数
UFRM: 正向重复峰值电压(晶闸管耐压值)
晶闸管控制极开路且正向阻断情况下,允
许重复加在晶闸管两端的正向峰值电压。
一般取UFRM = 80% UB0 。 普通晶闸管 UFRM 为100V — 3000V
URRM:反向重复峰值电压
当电压u过零后,由于电感反电动势的存在,
晶闸管在一段时间内仍 维持导通,失去单向导电作 用。
u ou, u T0。
u < 0 时: 可控硅承受反向电压不导通
20.1 晶闸管
20.1.1 基本结
A 阳极
构 晶闸管是具有三个
PN结的四层结构, 其外
三
形、结构及符号如图。
P1
个
四 A层
半
导
G
体
K
N1
PN
结
P2
GG
控制极
N2
(a) 外形 (b) 符号
形成正反馈过程
iB2 iG
iC 22 iG iB 1
iC1β1iC2
1 2iGiB 2
在极短时间内使两 个三极管均饱和导通, 此过程称触发导通。
20.2.2 工作原理
A
β1β2iG
T1
iG
G
iB2
E
R
β 2
iG
T2 EA_+
G
K
EA > 0、EG > 0
形成正反馈过程
iB2 iG
iC 22 iG iB 1
UFRM UBO U
正向转折电压
反向特性
正向特性
20.1.4 主要参 数
UFRM: 正向重复峰值电压(晶闸管耐压值)
晶闸管控制极开路且正向阻断情况下,允
许重复加在晶闸管两端的正向峰值电压。
一般取UFRM = 80% UB0 。 普通晶闸管 UFRM 为100V — 3000V
URRM:反向重复峰值电压
当电压u过零后,由于电感反电动势的存在,
晶闸管在一段时间内仍 维持导通,失去单向导电作 用。
u ou, u T0。
u < 0 时: 可控硅承受反向电压不导通
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A
P G NN
PP N
K
A
? ? ig T 2
G
T1
?i g
ig
K
工作原理说明
UAK > 0 、UGK>0时
T1导通
T2导通
T1进一步导通
形成正反馈
晶闸管迅速导通;
ib1 = i g
iC1 = ? ig = ib2
ic2 =? ib2 = ?? ig = ib1
晶闸管导通后, 去掉 UGK, 依靠正反馈, 晶闸管仍维持导通状态; 晶闸管截止的条件:
1、 电阻性负载 (1)电路及工作原理
A
G
设u
为
1
u1
正弦波
K
uT u2
uL
RL
u2 > 0 时,加上触发电压 uG ,晶闸管导通 。且 uL 的大小随 uG 加入的早晚而变化; u2 < 0 时,晶 闸管不通 ,uL = 0 。故称可控整流。
(2)工作波形 u2 uG uL uT ??
? :控制角 ?:导通角
Hale Waihona Puke 应用领域:整流 (交流 逆变 (直流 变频 (交流
斩波 (直流
直流) 交流) 交流) 直流)
此外还可作无触点开关等
一、 工作原理
1、 结构
A(阳极)
三
P1 四
个
层
N1
半
PN 结
导
P2
体
G(控制极)
N2
K (阴极)
2、 工作原理
A
A
A G
K 符号
P1
P
N1 G
P2
NN G
PP
N2
N
K
K
示意图
工作原理分析
ITAV: 通态平均电流 。(环境温度为 40OC时,在 电阻性负载、单相工频 正弦半波、导电 角不小于 170 o的电路中,晶闸管允许的 最大通态平均电流。普通晶闸管 ITAV 为 1A---1000A 。)
I TAV含义说明
i
ITAV
t
?
2?
I TAV
?
1 2?
?
?I
0
m
sin
?
td
(?
t
)
?
(1)晶闸管开始工作时 ,UAK加反向电压, 或不加触发信号(即UGK = 0 );
(2)晶闸管正向导通后,令其截止,必须 减小UAK,或加大回路电阻,使晶闸管 中电流的正反馈效应不能维持。
结论
晶闸管具有单向导电性(正
向导通条件:A、K间加正向 电压,G 、K 间加触发信号);
晶闸管一旦导通,控制极失去作用。 若使其关断,必须降低 UAK或加大回路电阻,把阳极 电流减小到维持电流以下。
Im ?
主要参数(续)
UTAV :通态平均电压 。(管压降。在规定的条件 下,通过正弦半波平均电流时,晶闸管阳、 阴两极间的电压平均值。一般为 1V左右。)
IH:维持电流。 (在室温下,控制极开路、晶闸管 被触发导通后,维持导通状态所必须的最 小电流。一般为几十到一百多毫安。)
UG、IG:控制极触发电压和电流。 (在室温下, 阳极电压为直流 6V时,使晶闸管完全导通 所必须的最小控制极直流电压、电流 。一 般UG为1到5V,IG为几十到几百毫安。)
t t t t
(3)输出电压及电流的平均值
? Uo =
1
?
u 2d? t
2? ?
? ? 1 ? 2 u 2 sin ? td ? t
2? ?
?
0
.45
U
2
1?
cos 2
?
Io =
UO RL
?
0. 45 U2
1 ? cos 2R L
?
2、 电感性负载
(1)电路及工作原理
G
设u1为
正弦波
u1
A
K
uT
u2
D
uL
R
L
u 2正半周时晶闸管导通,u 2过零后,由于电感
反电动势的存在,晶闸管在一定时间内仍维持 导通,失去单向导电作用。
D称为续流二极管,加入D的目的就是消除反 电动势的影响。
(2)工作波形(不加续流二极管)
u2 t
uG t
uL t
uT t
??
工作波形(加续流二极管后)
u2 t
uG
t
uL
第五章
晶闸管(Thyristor )
别名:可控硅(SCR)
(Silicon Controlled Rectifier )
它是一种大功率半导体器件,出现于70年代。 它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电 领域 。
特点
体积小、重量轻、无噪声、寿命长、 容 量大(正向平均电流达千安、正向耐压 达数千伏)。
500、600、800、1000A 等14种规格。
额定电压( UDRM)通用系列为: 1000V 以下的每 100V为一级,1000V 到3000V 的 每200V 为一级。
通态平均电压( U )等级一般用A ~ I 字母表 TAV
示,由 0.4 ~ 1. 2V每 0.1V 为一级。
三、 可控整流电路 (一)单相半波可控整流电路
工作时,反向电压必须小于 URSM。 URSM :反向不重复峰值电压 。
2、 主要参数
UDRM:断态重复峰值电压 。(晶闸管耐压值。 一般取 UDRM = 80% U DSM 。普通晶闸管 UDRM 为 100V---3000V )
URRM :反向重复峰值电压 。(控制极断路时, 可以重复作用在晶闸管上的反向重复电 压。一般取 URRM = 80% U RSM。普通晶 闸管URRM 为100V--3000V )
iLAV
t
uT t
??
(3)电压与电流的计算(加入续流二极管后的 情况)
负载中的电压及电流
? U0 =
1 2?
?
u 2d ? t
?
?
0.45 U 2
1?
COS 2
?
Io ? Uo
RL
当? L >> R时, ILAV在整个周期中可近似
看做直流。
(二)单相全波可控整流电路
1、 电阻性负载桥式可控整流电路
特性说明
U -- 阳极、阴极间的电压 I -- 阳极电流
正向特性: 控制极开路时,随 UAK的加大,阳极电 流逐渐增加。当 U = UDSM时,晶闸管自动导通。正 常工作时, UAK应小于 UDSM 。 UDSM:断态不重复峰值电压 ,又称正向转折电压。
反向特性 :随反向电压的增加,反向漏电流 稍有增加,当U = URSM 时,反向极击穿。正常
(1)电路及工作原理
A
u2 > 0的导通路径: +
u2 (A) T1
u2
uL
T1 T2 RL
u2 (B)
RL
D2
-
B
D1 D2
T1、T2 -- 晶闸管 D1、D2 --晶体管
u2 < 0的导通路径:
u 2 (B) T2
A
-
RL u2
u2 (A) D1
+
B
uL
T1 T2 RL
晶闸管型号
K
通态平均电压( U ) TAV
额定电压级别( UDRM)
额定通态平均电流 (I TAV)
晶闸管类型 P--- 普通晶闸管 K--- 快速晶闸管 S ---双向晶闸管 晶闸管
晶闸管电压、电流级别
额定通态电流(
I
)通用系列为
TAV
1、5、10、 20、30、50、100、200、300、400
P G NN
PP N
K
A
? ? ig T 2
G
T1
?i g
ig
K
工作原理说明
UAK > 0 、UGK>0时
T1导通
T2导通
T1进一步导通
形成正反馈
晶闸管迅速导通;
ib1 = i g
iC1 = ? ig = ib2
ic2 =? ib2 = ?? ig = ib1
晶闸管导通后, 去掉 UGK, 依靠正反馈, 晶闸管仍维持导通状态; 晶闸管截止的条件:
1、 电阻性负载 (1)电路及工作原理
A
G
设u
为
1
u1
正弦波
K
uT u2
uL
RL
u2 > 0 时,加上触发电压 uG ,晶闸管导通 。且 uL 的大小随 uG 加入的早晚而变化; u2 < 0 时,晶 闸管不通 ,uL = 0 。故称可控整流。
(2)工作波形 u2 uG uL uT ??
? :控制角 ?:导通角
Hale Waihona Puke 应用领域:整流 (交流 逆变 (直流 变频 (交流
斩波 (直流
直流) 交流) 交流) 直流)
此外还可作无触点开关等
一、 工作原理
1、 结构
A(阳极)
三
P1 四
个
层
N1
半
PN 结
导
P2
体
G(控制极)
N2
K (阴极)
2、 工作原理
A
A
A G
K 符号
P1
P
N1 G
P2
NN G
PP
N2
N
K
K
示意图
工作原理分析
ITAV: 通态平均电流 。(环境温度为 40OC时,在 电阻性负载、单相工频 正弦半波、导电 角不小于 170 o的电路中,晶闸管允许的 最大通态平均电流。普通晶闸管 ITAV 为 1A---1000A 。)
I TAV含义说明
i
ITAV
t
?
2?
I TAV
?
1 2?
?
?I
0
m
sin
?
td
(?
t
)
?
(1)晶闸管开始工作时 ,UAK加反向电压, 或不加触发信号(即UGK = 0 );
(2)晶闸管正向导通后,令其截止,必须 减小UAK,或加大回路电阻,使晶闸管 中电流的正反馈效应不能维持。
结论
晶闸管具有单向导电性(正
向导通条件:A、K间加正向 电压,G 、K 间加触发信号);
晶闸管一旦导通,控制极失去作用。 若使其关断,必须降低 UAK或加大回路电阻,把阳极 电流减小到维持电流以下。
Im ?
主要参数(续)
UTAV :通态平均电压 。(管压降。在规定的条件 下,通过正弦半波平均电流时,晶闸管阳、 阴两极间的电压平均值。一般为 1V左右。)
IH:维持电流。 (在室温下,控制极开路、晶闸管 被触发导通后,维持导通状态所必须的最 小电流。一般为几十到一百多毫安。)
UG、IG:控制极触发电压和电流。 (在室温下, 阳极电压为直流 6V时,使晶闸管完全导通 所必须的最小控制极直流电压、电流 。一 般UG为1到5V,IG为几十到几百毫安。)
t t t t
(3)输出电压及电流的平均值
? Uo =
1
?
u 2d? t
2? ?
? ? 1 ? 2 u 2 sin ? td ? t
2? ?
?
0
.45
U
2
1?
cos 2
?
Io =
UO RL
?
0. 45 U2
1 ? cos 2R L
?
2、 电感性负载
(1)电路及工作原理
G
设u1为
正弦波
u1
A
K
uT
u2
D
uL
R
L
u 2正半周时晶闸管导通,u 2过零后,由于电感
反电动势的存在,晶闸管在一定时间内仍维持 导通,失去单向导电作用。
D称为续流二极管,加入D的目的就是消除反 电动势的影响。
(2)工作波形(不加续流二极管)
u2 t
uG t
uL t
uT t
??
工作波形(加续流二极管后)
u2 t
uG
t
uL
第五章
晶闸管(Thyristor )
别名:可控硅(SCR)
(Silicon Controlled Rectifier )
它是一种大功率半导体器件,出现于70年代。 它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电 领域 。
特点
体积小、重量轻、无噪声、寿命长、 容 量大(正向平均电流达千安、正向耐压 达数千伏)。
500、600、800、1000A 等14种规格。
额定电压( UDRM)通用系列为: 1000V 以下的每 100V为一级,1000V 到3000V 的 每200V 为一级。
通态平均电压( U )等级一般用A ~ I 字母表 TAV
示,由 0.4 ~ 1. 2V每 0.1V 为一级。
三、 可控整流电路 (一)单相半波可控整流电路
工作时,反向电压必须小于 URSM。 URSM :反向不重复峰值电压 。
2、 主要参数
UDRM:断态重复峰值电压 。(晶闸管耐压值。 一般取 UDRM = 80% U DSM 。普通晶闸管 UDRM 为 100V---3000V )
URRM :反向重复峰值电压 。(控制极断路时, 可以重复作用在晶闸管上的反向重复电 压。一般取 URRM = 80% U RSM。普通晶 闸管URRM 为100V--3000V )
iLAV
t
uT t
??
(3)电压与电流的计算(加入续流二极管后的 情况)
负载中的电压及电流
? U0 =
1 2?
?
u 2d ? t
?
?
0.45 U 2
1?
COS 2
?
Io ? Uo
RL
当? L >> R时, ILAV在整个周期中可近似
看做直流。
(二)单相全波可控整流电路
1、 电阻性负载桥式可控整流电路
特性说明
U -- 阳极、阴极间的电压 I -- 阳极电流
正向特性: 控制极开路时,随 UAK的加大,阳极电 流逐渐增加。当 U = UDSM时,晶闸管自动导通。正 常工作时, UAK应小于 UDSM 。 UDSM:断态不重复峰值电压 ,又称正向转折电压。
反向特性 :随反向电压的增加,反向漏电流 稍有增加,当U = URSM 时,反向极击穿。正常
(1)电路及工作原理
A
u2 > 0的导通路径: +
u2 (A) T1
u2
uL
T1 T2 RL
u2 (B)
RL
D2
-
B
D1 D2
T1、T2 -- 晶闸管 D1、D2 --晶体管
u2 < 0的导通路径:
u 2 (B) T2
A
-
RL u2
u2 (A) D1
+
B
uL
T1 T2 RL
晶闸管型号
K
通态平均电压( U ) TAV
额定电压级别( UDRM)
额定通态平均电流 (I TAV)
晶闸管类型 P--- 普通晶闸管 K--- 快速晶闸管 S ---双向晶闸管 晶闸管
晶闸管电压、电流级别
额定通态电流(
I
)通用系列为
TAV
1、5、10、 20、30、50、100、200、300、400