《半导体物理与器件》教学大纲
物理学相关 半导体物理与器件实验教学大纲
《半导体物理与器件》课程实验教学大纲Semiconductor Physics and devices课程编号：（03320070）课程教学总学时：45 实验总学时：3 总学分：3先修课程：普通物理、量子力学、半导体物理适用专业：光电信系科学与工程一、目的与任务本课程实验是光信息科学与技术专业及光电信息工程专业的主要基础课程实验之一。
本系列实验的目的和任务是通过对本实验课程的教学，培养学生对半导体拉曼光谱的测量的专业实验知识和技能，充分发挥学生的主动性和培养独立实验能力，使学生系统地掌握拉曼散射的基本原理，提高学生实验技能，学习使用拉曼光谱仪测量物质的谱线，知道简单的谱线分析方法。
二、实验教学的基本要求（1）掌握实验的基本原理；（2）了解所涉及的常用装置、仪器的正确使用方法；（3）测试有关数据；（4）数据处理，将理论计算结果与实验测试结果进行比较，得出拉曼光谱线，并对其进行分析。
通过实验，使学生能正确进行相应的仪器操作和使用、准确判断实验现象和结果的合理性，同时具有处理测量数据的能力。
三、本课程开设的实验项目：注：1、类型---指设计性、综合性、验证性；2、要求---指必修、选修；3、该表格不够可拓展。
四、实验成绩的考核与评定办法：实验成绩的考核，以实验报告和实验过程为考核依据，实验报告要求对基本原理、测量方法、实验数据记录和处理等过程描述详细准确。
考试课成绩按百分制记分，实验课成绩在本门课程总成绩中由任课老师在10％～15%内确定。
五、大纲说明学生在实验前应认真阅读实验指导书，了解实验目的和实验原理, 明确本次实验中所需测量结果, 所采用的实验方法, 使用什么仪器, 控制什么条件，需要注意什么问题，并设计好记录数据表格（包含原始数据、中间计算数据及实验结果）等。
在检查完实验器材完整后，根据预习内容进行实验，认真分析实验现象，整理实验结果，填写在实验报告相应位置处。
老师检查实验结果并认可后，学生须切断电源、清理实验仪器、整洁实验台面，经老师同意后学生方可离开实验室。
半导体物理与器件 教案
半导体物理与器件教案一、课程简介本课程旨在介绍半导体物理与器件的基本概念、理论与应用。
通过学习本课程，学生将了解半导体物理的基本原理，掌握常见的半导体器件的工作原理和特性，为深入研究和应用领域奠定基础。
二、教学目标1.掌握半导体物理的基本概念与原理；2.了解常见的半导体器件的结构、工作原理和特性；3.熟悉半导体器件的制备工艺和性能测试方法；4.能够分析和解决半导体器件相关问题；5.培养学生的动手实践能力和团队合作意识。
三、教学内容1. 半导体物理基础•半导体的基本概念与性质；•半导体材料的禁带宽度与导电性；•共价键与导电机理。
2. PN结与二极管•PN结的形成与特性；•二极管的工作原理；•二极管的电流-电压特性。
3. 势垒与电容•势垒高度与势垒宽度的关系；•势垒电容与反向偏置；•PN结的充放电过程。
4. 功率器件•理想二极管的特性与应用；•肖特基二极管的特性与应用；•功率二极管的特性与应用。
5. 晶体管•双极型晶体管的工作原理与特性；•型号代号与参数标识；•三极型晶体管的工作与特性。
6. 场效应晶体管•MOS结构与工作原理；•MOSFET的特性与应用；•IGBT的特性与应用。
7. 光电器件•光电二极管的工作原理与特性；•光敏电阻的工作原理与特性；•光电导的工作原理与特性。
四、教学方法1.理论讲解：通过教师授课的形式讲解半导体物理与器件的基本概念与原理；2.实验实践：设计实验让学生操作和观察实际的半导体器件，巩固理论知识；3.讨论与交流：鼓励学生积极参与讨论，提问与回答问题，促进彼此交流与学习；4.团队合作：通过小组讨论、任务分工等方式培养学生的团队合作意识和解决问题的能力；5.多媒体辅助：运用多媒体展示课件、实验视频等辅助材料，提升教学效果。
五、教学评价1.平时成绩：包括作业完成情况、实验报告、参与度等；2.期中考试：测试学生掌握的基础知识和理解能力；3.期末考试：测试学生对全课程内容的整体掌握和应用能力；4.课堂表现：学生的发言和表达能力、提问质量等；六、参考教材1.高等学校电子类教材编写组. 半导体物理与器件[M].高等教育出版社, 2008.2.张勃. 半导体物理学[M]. 科学出版社, 2012.3.曹健. 半导体物理导论[M]. 电子工业出版社, 2015.七、教学时长•总学时：36学时•理论学时：24学时•实验学时：12学时以上就是《半导体物理与器件》教案的大致内容，希望能够帮助您进行教学设计和准备教学材料。
半导体物理与器件教学大纲
半导体物理与器件教学大纲1. 课程简介本课程旨在介绍半导体物理学的基础理论和实际应用，以及半导体器件的基本原理、设计和制造技术。
学生将在课程中学习半导体物理学的基础知识，掌握半导体器件设计的方法和技巧，为今后的专业发展奠定坚实的基础。
2. 课程目标通过本课程的学习，学生将会达到以下目标： - 掌握半导体物理学的基本概念和原理； - 了解基于半导体材料制造的各类器件的基本工作原理； - 熟悉半导体器件设计的方法和技巧； - 能够应用所学知识解决实际问题； - 具备将来深入学习和研究半导体器件领域的能力。
3. 课程内容本课程内容涵盖以下几个方面： ### 3.1 半导体物理基础 - 半导体材料基础特性 - pn 结的特性和工作原理 - 金属-半导体接触和场效应晶体管3.2 半导体器件设计原理•pn 结二极管•齐纳二极管和隧道二极管•双极型晶体管•场效应晶体管•光电二极管3.3 半导体器件制造技术•半导体晶体的生长技术•制造工艺流程•工艺流程中的光刻、化学蚀刻、扩散和离子注入等关键技术•介绍常见的半导体加工工艺和设备3.4 应用实践案例•简要介绍半导体器件在电子产品中的应用•通过案例分析介绍如何在实际工程中设计和制造半导体器件4. 课程要求学生应具备以下先修知识： - 基础的数学知识，包括微积分、线性代数和概率论； - 基础的物理知识，包括力学、电学和光学； - 基础的材料科学知识。
5. 学习方法•讲授：教师通过课堂讲解、示范和演示，向学生介绍各种半导体物理和器件设计的基本原理和技术；•实验：学生可以参加相关的实验室练习，使学生能够更加深入地理解和掌握所学知识；•自学：学生可以通过参考教材和相关文献，了解和扩展课堂内容，加深对所学知识的认识。
6. 考试要求本课程的考核方式包括考试和作业。
具体规定如下： - 考试：采用闭卷考试，考试时间为 2 小时，考试内容涵盖课程中的重点、难点和案例分析。
- 作业：设计一款简单的半导体器件，并制作出样品，并对该样品进行测试和分析。
半导体物理与器件教学大纲
半导体物理与器件教学大纲半导体物理与器件教学大纲随着科技的迅猛发展，半导体技术在各个领域都起到了重要的作用。
从电子设备到通信系统，从太阳能电池到医疗仪器，半导体器件无处不在。
因此，对于学习半导体物理与器件的教学大纲的设计变得尤为重要。
本文将探讨半导体物理与器件教学大纲的设计原则和内容。
一、教学大纲的设计原则1. 结合实践与理论：半导体物理与器件是一门实践性很强的学科，学生需要通过实验和实际操作来加深对理论知识的理解。
因此，在教学大纲的设计中，要充分考虑实践环节的安排，使学生能够亲自动手进行实验和操作。
2. 渐进式教学：半导体物理与器件的知识体系庞大而复杂，学生需要逐步建立起完整的知识框架。
因此，在教学大纲的设计中，要将知识点按照难易程度进行合理的排序，循序渐进地进行教学。
3. 理论与应用相结合：半导体物理与器件的理论知识需要与实际应用相结合，才能更好地培养学生的创新能力和实践能力。
因此，在教学大纲的设计中，要注重理论知识与实际应用的结合，引导学生将所学知识应用于实际问题的解决中。
4. 多媒体辅助教学：半导体物理与器件的教学内容较为抽象，通过多媒体辅助教学可以更好地帮助学生理解和掌握知识。
因此，在教学大纲的设计中，要充分利用多媒体技术，设计适合学生学习的教学资源。
二、教学内容的安排1. 半导体物理基础知识：介绍半导体物理的基本概念、半导体材料的特性、能带理论等。
通过理论知识的学习，学生可以对半导体物理有一个整体的认识。
2. 半导体器件的基本原理：介绍半导体器件的基本结构和工作原理，包括二极管、晶体管、场效应管等。
通过学习器件的基本原理，学生可以了解半导体器件的基本构造和工作方式。
3. 半导体器件的制造工艺：介绍半导体器件的制造工艺，包括晶体生长、掺杂、薄膜沉积、光刻等。
通过学习制造工艺，学生可以了解半导体器件的制造过程和关键技术。
4. 半导体器件的应用：介绍半导体器件在各个领域的应用，包括电子设备、通信系统、太阳能电池、医疗仪器等。
《半导体器件物理》课程实验教学大纲
《半导体器件物理》课程试验教学大纲《半导体器件物理》课程试验大纲课程编码：01222316 课程模块：专业方向课修读方式：限选开课学期：5课程学分：2.5 课程总学时：51 理论学时：36 实践学时：15一、实践课程的任务与要求本课程是微电子学专业试验课，是一门专业性和实践性都很强的课程。
本课程的主要任务是使学生把握半导体材料和器件的一些根本物理参数和物理性质的测试方法以及清洗、氧化、集中等微电子器件制造工艺，为微电子器件开发设计和研制铺垫必备根底和实际操作技能。
通过试验培育学生对半导体器件制造工艺的试验争论力量，培育学生实事求是、严谨的科学作风，培育学生的实际动手力量，提高试验技能。
其具体要求如下：1.了解微电子相关的一些设备的功能和使用方法，并能够独立操作。
2.通过亲自动手操作提高理论与实践相结合的力量，提高理论学习的主动性。
3.了解半导体器件制造的根本工艺流程。
二、试验工程、内容、要求及学时安排试验一用晶体管特性图示仪测量晶体管的特性参数试验目的或试验原理了解晶体管特性图示仪的工作原理；学会正确使用晶体管特性图示仪；试验内容测量共放射极晶体管的输入特性、输出特性、反向击穿特性和饱和压降等直流特性。
晶体管特性图示仪:XJ4810A 型，NPN 和 PNP 晶体管。
试验二四探针法测量电阻率试验目的或试验原理把握四探针法测量电阻率的根本原理和方法，以及具有各种几何外形样品的修正；分析影响测量结果的各种因素。
试验内容1.测量单晶硅样品的电阻率；2.测量集中薄层的方块电阻；3.测量探针间距 S 及样品的尺寸；4.对测量结果进展必要的修正。
试验主要仪器设备及材料四探针测试仪: D41-11D/ZM、P 型或N 型硅片、外延硅片。
试验三 P—N 导电类型鉴别试验目的或试验原理1.了解热电动势〔也称冷热探针法〕和整流法的工作原理；2.分别承受热电动势和整流法来推断硅片的导电类型。
试验内容1.承受整流法来推断硅片的导电类型；2.承受热电动势法来推断硅片的导电类型。
《半导体物理与器件》课程教学大纲
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28
6.1
pn结及其能带
平衡态下的pn结的能带，内建电势差，电场强度，空间电荷区
M1
1
讲授
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29
6.2
pn结电流电压特性
外加电压pn结势垒的变化、载流子的运动和能带图；理想电流电压关系，温度效应，影响电流电压特性的因素
M1
2
讲授
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30
6.3
pn结电容
势垒电容，扩散电容
M1
1
讲授
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31
小信号等效电路，频率限制因素与截止频率
M1
1
讲授
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42
8.5
非理想效应
亚阈值电导、沟道长度调制效应、迁移率变化、速度饱和
M1
1
讲授
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43
8.6
MOSFET按比例缩小理论
恒压缩小，一般缩小
M1,M2
1
讲授、讨论
2
课后作业、自学资料
44
第九章
专用半导体器件
本章重点难点：光器件和功率器件的工作原理，器件的制备工艺
This course is an elective course for students of applied physics. This course introduces the basic concepts and core theories related to semiconductor physics, including crystal structure, valence bond, band theory, carrier type and transport properties, generation and recombination of non-equilibrium carriers, and so on. After that, three important semiconductor device, PN junction diode, Schottky junction diode and MOS field effect transistor, are detailed discussed. The structure, function characteristic, working principle and non-ideal limiting factor of the devices are introduced. Various of functional devices based on the three fundamental semiconductor devices will also be briefly introduced. Through the study of this course, students will acquire the basic concepts and core theories related to semiconductor physics, learn to use the relevant theoretical analyze characteristics, working principle and limiting factors of semiconductor devices, understand the deviation between the practical application and the ideal model. After finishing this course, the students will understand the frontier development of semiconductor devices, have the ability to analyze and deal with some of the basic problems in the field of semiconductor physics and devices, and lay a certain theoretical foundation for engaging in related basic research and application development.
psh《半导体物理与器件》教学大纲
《半导体物理与器件》教学大纲一、课程基本信息1、课程代码：2、课程名称（中/英文）：半导体物理与器件／Semiconductor Physics and Devices3、学时／学分：36学时/2学分4、先修课程：固体物理（晶格结构，能带理论）；电路原理（基本的电子电路）5、面向对象：应用电子、物理教育、光伏材料加工与应用技术等专业。
6、开课院（系）、教研室：化工系、机电系等7、教材、教学参考书：《半导体物理与器件》，裴素华等编著，机械工业出版社，2008《半导体器件基础》，R. T. Pierret著，黄如等译，电子工业出版社，2004《半导体物理学》，刘恩科、朱秉升、罗晋生等，西安交通大学出版社，2004二、课程的性质和任务本课程是电子科学与技术、微电子学等专业的理论基础课，也是其他相关专业的重要选修课之一。
本课程较全面地论述了半导体的一些基本物理概念、现象、物理过程及其规律，并在此基础上选择目前集成电路与系统的核心组成部分，如双极型晶体管（BJT）、金属－半导体场效应晶体管（MESFET）和ＭOS场效应晶体管（MOSFET）等，作为分析讨论的主要对象来介绍半导体器件基础。
学习和掌握这些半导体物理和半导体器件的基本理论和分析方法，为学习诸如《集成电路工艺》、《集成电路设计》等后续课程打下基础，也为将来从事微电子学的研究以及现代VLSI与系统设计和制造工作打下坚实的理论基础。
本课程涵盖了量子力学、固体物理、半导体材料物理以及半导体器件物理等内容，共分为三个部分。
第一部分介绍基础物理，包括固体晶格结构、量子力学和固体物理等相关知识；第二部分介绍半导体材料物理，主要讨论平衡态和非平衡态半导体以及载流子输运现象；第三部分介绍半导体器件物理，主要讨论同质p-n结、金属半导体接触、异质结以及BJT、MOSFET、MESFET等几种核心半导体器件。
本课程要求学生掌握半导体物理和半导体器件的基本概念和基本规律，对于基础理论，要求应用简单的模型定性说明，并能作简单的数学处理。
《半导体物理与器件》教学大纲讲解（5篇）
《半导体物理与器件》教学大纲讲解（5篇）第一篇：《半导体物理与器件》教学大纲讲解物理科学与技术学院《半导体物理与器件》教学大纲课程类别：专业方向课程性质：必修英文名称：Semiconductor Physics and Devices 总学时：讲授学时：48 学分：先修课程：量子力学、统计物理学、固体物理学等适用专业：应用物理学(光电子技术方向)开课单位：物理科学与技术学院一、课程简介本课程是应用物理学专业(光电子技术方向)的一门重要专业方向课程。
通过本课程的学习，使学生能够结合各种半导体的物理效应掌握常用和特殊半导体器件的工作原理，从物理角度深入了解各种半导体器件的基本规律。
获得在本课程领域内分析和处理一些最基本问题的初步能力，为开展课题设计和独立解决实际工作中的有关问题奠定一定的基础。
二、教学内容及基本要求第一章：固体晶格结构（4学时）教学内容： 1.1半导体材料 1.2固体类型 1.3空间晶格1.4原子价键1.5固体中的缺陷与杂质 1.6半导体材料的生长教学要求：1、了解半导体材料的特性, 掌握固体的基本结构类型；2、掌握描述空间晶格的物理参量, 了解原子价键类型；3、了解固体中缺陷与杂质的类型；4、了解半导体材料的生长过程。
授课方式：讲授第二章：量子力学初步（4学时）教学内容：2.1量子力学的基本原理 2.2薛定谔波动方程2.3薛定谔波动方程的应用 2.4原子波动理论的延伸教学要求：1、掌握量子力学的基本原理，掌握波动方程及波函数的意义；2、掌握薛定谔波动方程在自由电子、无限深势阱、阶跃势函数、矩形势垒中应用；3、了解波动理论处理单电子原子模型。
授课方式：讲授第三章：固体量子理论初步（4学时）应用物理学专业教学内容：3.1允带与禁带格 3.2固体中电的传导 3.3三维扩展3.4状态密度函数 3.5统计力学教学要求：1、掌握能带结构的基本特点，掌握固体中电的传导过程；2、掌握能带结构的三维扩展，掌握电子的态密度分布；3、掌握费密-狄拉克分布和玻耳兹曼分布。
《半导体物理与器件》课程教学大纲
《半导体物理与器件》课程教学大纲一、课程名称（中英文）中文名称：半导体物理与器件英文名称：Semiconductor Physics and Devices二、课程代码及性质专业选修课程三、学时与学分总学时：40学分：2.5四、先修课程《量子力学》、《统计物理》、《固体物理》、《电路原理》五、授课对象本课程面向功能材料专业学生开设六、课程教学目的（对学生知识、能力、素质培养的贡献和作用）本课程是功能材料专业的选修课之一，其教学目的包括：1、能够应用物理、化学基本原理，识别、表达、并通过文献研究分析复杂半导体物理与器件相关工程问题，获得有效结论。
2、掌握半导体物理与器件相关问题的特征，以及解决复杂工程问题的方法。
3、掌握文献检索、资料查询、现代网络搜索工具的使用方法；具备应用各类文献、信息及资料进行半导体物理与器件领域工程实践的能力。
4、了解半导体物理与器件的专业特征、学科前沿和发展趋势，正确认识本专业对于社会发展的重要性。
5、了解半导体物理与器件领域及其相关行业的国内外的技术现状，具有较强的业务沟通能力与竞争能力。
表1 课程目标对毕业要求的支撑关系七、教学重点与难点课程重点：（1）掌握能带理论以及从能带理论的角度分析半导体的导电机制；熟悉半导体中电子的状态及其运动规律；熟悉实际半导体中的杂质和缺陷的种类、性质及其作用；掌握并且会计算热平衡状态下载流子的浓度问题以及非平衡载流子的概念、产生及其随时间的演化规律（寿命问题）；掌握载流子的几种输运机制。
（2）理解和熟悉PN结及其能带图；掌握PN结的电流-电压特性以及电容-电压特性；熟悉PN结的三种击穿机理；理解和掌握PN结二极管的工作原理。
（3）在对PN结二极管工作原理分析的基础上，学会将此分析进行合理的拓宽，即从单结/两端二极管发展到双结/三端晶体管；掌握双极型晶体管（BJT）的基本概念、符号的定义、工作原理的定性分析以及关键的关系表达式等。
（4）系统地了解和掌握MOSFET的基本工作原理与物理机制；掌握MOSFET器件的主要结构形式、工作特性和有关的物理概念；熟悉MOSFET的电容-电压特性、伏-安特性及其交流效应，并能掌握主要参数和特性的分析与计算方法；了解半导体器件制备的方法、过程及几个器件制备的实例。
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《半导体物理与器件》教学大纲
课程类别：专业方向
课程性质：必修
英文名称：Semiconductor Physics and Devices
总学时：48 讲授学时：48
学分： 3
先修课程：量子力学、统计物理学、固体物理学等
适用专业：应用物理学(光电子技术方向)
开课单位：物理科学与技术学院
一、课程简介
本课程是应用物理学专业(光电子技术方向)的一门重要专业方向课程。
通过本课程的学习，使学生能够结合各种半导体的物理效应掌握常用和特殊半导体器
件的工作原理，从物理角度深入了解各种半导体器件的基本规律。
获得在本课程领域内分析和处理一些最基本问题的初步能力，为开展课题设计和独立解决实际工作中的有关问题奠定一定的基础。
二、教学内容及基本要求
第一章：固体晶格结构（4学时）教学内容：
1.1半导体材料
1.2固体类型
1.3空间晶格
1.4原子价键
1.5固体中的缺陷与杂质
1.6半导体材料的生长
教学要求：
1、了解半导体材料的特性, 掌握固体的基本结构类型；
2、掌握描述空间晶格的物理参量, 了解原子价键类型；
3、了解固体中缺陷与杂质的类型；
4、了解半导体材料的生长过程。
授课方式：讲授
第二章：量子力学初步（4学时）教学内容：
2.1量子力学的基本原理
2.2薛定谔波动方程
2.3薛定谔波动方程的应用
2.4原子波动理论的延伸
教学要求：
1、掌握量子力学的基本原理，掌握波动方程及波函数的意义；
2、掌握薛定谔波动方程在自由电子、无限深势阱、阶跃势函数、矩形势垒
中应用；
3、了解波动理论处理单电子原子模型。
授课方式：讲授
第三章：固体量子理论初步（4学时）
教学内容：
3.1允带与禁带格
3.2固体中电的传导
3.3三维扩展
3.4状态密度函数
3.5统计力学
教学要求：
1、掌握能带结构的基本特点，掌握固体中电的传导过程；
2、掌握能带结构的三维扩展，掌握电子的态密度分布；
3、掌握费密-狄拉克分布和玻耳兹曼分布。
授课方式：讲授
第四章：平衡半导体（6学时）教学内容：
4.1半导体中的载流子
4.2掺杂原子与能级
4.3非本征半导体
4.4施主与受主的统计学分布
4.5电中性状态
4.6费密能级的位置
教学要求：
1、掌握本征载流字电子和空穴的平衡分布；
2、掌握掺杂原子的作用，掌握非本征载流字电子和空穴的平衡分布；
3、掌握完全电离和束缚态，掌握补偿半导体平衡电子和空穴浓度；
4、掌握费密能级随掺杂浓度和温度的变化。
授课方式：讲授
第五章：载流子输运现象（4学时）教学内容：
5.1载流子的漂移运动
5.2载流子扩散
5.3杂质梯度分布
5.4霍尔效应
教学要求：
1、掌握载流子漂移运动的规律，掌握载流子漂移扩散的规律；
2、了解杂质梯度分布规律，了解霍尔效应现象。
授课方式：讲授
第六章：非平衡过剩载流子（6学时）教学内容：
6.1载流子的产生与复合
6.2过剩载流子的性质
6.3双极输运
6.4准费密能级
6.5过剩载流子的寿命
6.6表面效应
教学要求：
1、掌握载流子产生与复合的规律，掌握连续性方程与扩散方程；
2、掌握双极输运方程的推导与应用，掌握准费密能级的确定；
3、了解肖克莱-里德-霍尔复合理论及非本征掺杂和小注入的约束条件；
4、了解表面态与表面复合速。
授课方式：讲授
第七章：PN结（2学时）教学内容：
7.1 PN结的基本结构
7.2零偏
7.3反偏
7.4非均匀掺杂PN结
教学要求：
1、掌握PN结的基本结构，掌握内建电势差与空间电荷区宽度；
2、掌握势垒电容与单边突变结，了解线性缓变结与超突变结。
授课方式：讲授
第八章：PN结二极管（4学时）教学内容：
8.1 PN结电流
8.2 PN结的小信号模型
8.3产生与复合电流
8.4结击穿
8.5电荷存储与二极管瞬态
8.6隧道二极管
教学要求：
1、掌握PN结内电荷流动的定性描述，掌握扩散电阻与等效电路；
2、掌握反偏产生电流正偏复合电流；
3、了解结击穿的物理图像，了解关瞬态与开瞬态，了解隧道二极管的基本
特征。
授课方式：讲授
第九章：双极晶体管（6学时）教学内容：
10.1双极晶体管的工作原理
10.2少子的分布
10.3低频共基极电流增益
10.4非理想效应
10.5等效电路模型
10.6频率上限
教学要求：
1、掌握双极晶体管的工作原理，掌握少子的分布规律；
2、了解有用因素及电流增益的数学表达式；
3、掌握基区宽度调制效应及大注入效应；
4、了解Ebers-Moll模型及Gummel-Poon模型；
5、了解延时因子的概念及晶体管截止频率。
授课方式：讲授
第十章：MOS场效应管（1）（4学时）教学内容：
11.1双端MOS结构
11.2电容—电压特性
11.3MOSFET基本原理
11.4频率限制特性
11.5CMOS技术
教学要求：
1、掌握能带图、耗尽层厚度、功函数、平带电压、阈值电压、电荷分布；
2、掌握理想C-V特性及频率特性；
3、掌握MOSFET的结构及电流--电压关系的数学推导；
4、了解小信号等效电路，了解CMOS制备技术。
授课方式：讲授
第十一章：MOS场效应管（2）（4学时）教学内容：
12.1非理想效应
12.2MOSFET按比例缩小理论
12.3阈值电压的修正
12.4附加电学特性
12.5辐射和热电子效应
教学要求：
1、掌握亚阈值电导与沟道长度调制效应；
2、了解恒定电场按比例缩小，了解短沟道效应和窄沟道效应；
3、了解击穿电压及轻掺杂漏晶体管；
4、了解辐射引入的氧化层电荷及辐射引入的界面态。