测试技术复习资料传感器第四章-考试重点
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A.很低B.很高C.较低D.较高
45.极距变化型电容式传感器，其灵敏度与极距（D）
A.成正比B.平方成正比C.成反比D.平方成反比
46.随电缆电容的增加，压电式加速度计的输出电荷灵敏度（A）
A相应减小B比例增加C保持不变D不确定
47.压电式加速度计，其压电片并联可提高（B）
A.电压灵敏度B.电荷灵敏度C.电压和电荷灵敏度D.电流灵敏度
10.压电式振动传感器输出电压信号与输入振动的（B）成正比。
A.位移B.速度C.加速度D.频率
11.石英晶体沿机械轴受到正应力时，则会在垂直于（B）的表面上产生电荷量。
A.机械轴B.电轴C.光轴D.晶体表面
12.石英晶体的压电系数比压电陶瓷的（C）。
A.大得多B.相接近C.小得多D.不确定
13.光敏晶体管的工作原理是基于（B）效应。
16.电容式传感器中，灵敏度最高的是（C）。
A.面积变化型B.介质变化型C.极距变化型D.不确定
17.极距变化型电容传感器适宜于测量微小位移量是因为（B）
A.电容量微小影响灵敏度
B.灵敏度与极距的平方成反比，间距变化大则产生非线性误差
C.非接触测量
D.两电容极板之间距离变化小
18.高频反射式涡流传感器是基于（A）和集肤效应来实现信号的感受和变化的。
A.很大B.很低C.不变D.随意
42.半导体应变片的灵敏度和电阻应变片的灵敏度相比（A）
A.半导体应变片的灵敏度高B.二者相等
C.电阻应变片的灵敏试验高D.不能确定
43.若石英晶体沿机轴受到正应力，则会在垂直于（C）的面上产生电荷
A.机轴B.电轴C.光轴D.都不
44.压电式传感器是个高内阻传感器，因此要求前置放大器的输入阻抗（B）
A.金属导电材料B.非金属材料C. PVF2D.陶瓷材料
26.当电阻应变片式传感器拉伸时，该传感器电阻（A）
A.变大B.变小C.不变D.不定
27.极距变化型电容传感器的灵敏度与（D）
A.极距成正比B.极距成反比
C.极距的平方成正比D.极距的平方成反比
28.压电式加速度传感器的工作频率应（C）其固有频率
A.涡电流B.纵向C.横向D.压电
19.压电材料按一定方向放置在交变电场中，其几何尺寸将随之发生变化，这称为（D）效应。
A.压电B.压阻C.压磁D.逆压电
20.下列传感器中，能量转换型传感器是（A）
A.光电式B.应变片C.电容式D.电感式
21.测试工作的任务主要是从复杂的信号中提取（C）
A.干扰噪声信号B.正弦信号
A.一阶环节B.二阶环节C.比例环节D.高阶环节
4.磁电式绝对振动速度传感器的测振频率应（A）其固有频率。
A.远高于B.远低于C.等于D.不一定
5.随着电缆电容的增加，压电式加速度计的输出电荷灵敏度将（C）。
A.相应减小B.比例增加C.保持不变D.不确定
6.压电式加速度计，其压电片并联时可提高（B）。
48.（B）的基本工作原理是基于压阻效应
A.金属应变片B.半导体应变片C.压敏电阻D.压电陶瓷
49.可变磁阻式电感传感器，当线圈匝数N及铁芯截面积Ａ0确定后，原始气隙δ0越小，则电感L（B）
C. R减小，L增大，M减小D. R增大，L增大，M增大
31.为消除压电传感器联接电缆分布电容变化对输出灵敏度的影响，可采用（B）
A.电压放大器B.电荷放大器C.相敏检波器D.鉴相器
32.在测量位移的传感器中，符合非接触式测量且不受油污等介质影响的是（D）传感器
A.电容式B.压电式C.电阻式D.电涡流式
C.有用信息D.频域信号
22.压电式传感器是属于（B）型传感器
A.参量型B.发电型C.电感型D.电容型
23.莫尔条纹光栅传感器是（B）的
A.数字脉冲式B.直接数字编码式
C.调幅式D.调频式
24.磁电式绝对振动速度传感器的动态数学模型是（C）
A.一阶环节B.二阶环节C.比例环节D.积分环节
25.电涡流传感器是利用被测（A）的电涡流效应
A.外光电B.内光电C.光生电动势D.光热效应
14.一般来说，物性型的传感器，其工作频率范围（A）。
A.较宽B.较窄C.较高D.不确定
15.金属丝应变片在测量构件的应变时，电阻的相对变化主要由（B）来决定的。
A.贴片位置的温度变化
B.电阻丝几何尺寸的变化
C.电阻丝材料的电阻率变化
D.电阻丝材料长度的变化
33.半导体热敏电阻随温度上升，其阻值（B）
A.上升B.下降C.保持不变D.变为0
34.为使电缆的长短不影响压电式传感器的灵敏度，应选用（B）放大器
A.电压B.电荷C.微分D.积分
35.涡流式位移传感器的输出与被测对象的材料（C）
A.无关B.不确定C.有关D.只限于测铜
37.自感型传感器的两线圈接于电桥的相邻桥臂时，其输出灵敏度（B）
测试技术传感器第四章题型小结
一、选择题
1.电涡流式传感器是利用什么材料的电涡流效应工作的。（A）
A.金属导电B.半导体C.非金属D.
2.为消除压电传感器电缆分布电容变化对输出灵敏度的影响，可采用（B）。
A.电压放大器B.电荷放大器C.前置放大器D.电容放大器
3.磁电式绝对振动速度传感器的数学模型是一个（B）。
A.提高很多倍B.提高一倍
C.降低一倍D.降低很多倍
38.变间隙式电容传感器测量位移量时，传感器的灵敏度随（A）而增大
A.间隙的减小B.间隙的增大
C.电流的增大D.电压的增大
40.压电式振动传感器输出电压信号与输入振动的（C）成正比
A.位移B.速度C.加速度D.时间
41.压电式传感器是高阻抗传感器，要求前置放大器的输入阻抗（A）
A.远高于B.等于C.远低于D.不确定
29.调频式电涡流传感器的解调电路是（C）
A.电荷放大器B.相敏检波器C.鉴频器D.鉴相器
30.高频反射式电涡流传感器，其等效阻抗分为等效电阻R和等效电感L两部分，M为互感系数。当线圈与金属板之间距离δ减少时，上述等效参数变化为（B）
A. R减小，L不变，M增大B. R增大，L减小，M增大
A.电压灵敏度B.电荷灵敏度C.电压和电荷灵敏度D.保持不变
7.Hale Waihona Puke Baidu频式电涡流传感器的解调电路是（C）。
A.整流电路B.相敏检波电路C.鉴频器D.包络检波电路
8.压电式加速度传感器的工作频率应该（C）其固有频率。
A.远高于B.等于C.远低于D.没有要求
9.下列传感器中哪个是基于压阻效应的？（B）
A.金属应变片B.半导体应变片C.压敏电阻D.磁敏电阻
45.极距变化型电容式传感器，其灵敏度与极距（D）
A.成正比B.平方成正比C.成反比D.平方成反比
46.随电缆电容的增加，压电式加速度计的输出电荷灵敏度（A）
A相应减小B比例增加C保持不变D不确定
47.压电式加速度计，其压电片并联可提高（B）
A.电压灵敏度B.电荷灵敏度C.电压和电荷灵敏度D.电流灵敏度
10.压电式振动传感器输出电压信号与输入振动的（B）成正比。
A.位移B.速度C.加速度D.频率
11.石英晶体沿机械轴受到正应力时，则会在垂直于（B）的表面上产生电荷量。
A.机械轴B.电轴C.光轴D.晶体表面
12.石英晶体的压电系数比压电陶瓷的（C）。
A.大得多B.相接近C.小得多D.不确定
13.光敏晶体管的工作原理是基于（B）效应。
16.电容式传感器中，灵敏度最高的是（C）。
A.面积变化型B.介质变化型C.极距变化型D.不确定
17.极距变化型电容传感器适宜于测量微小位移量是因为（B）
A.电容量微小影响灵敏度
B.灵敏度与极距的平方成反比，间距变化大则产生非线性误差
C.非接触测量
D.两电容极板之间距离变化小
18.高频反射式涡流传感器是基于（A）和集肤效应来实现信号的感受和变化的。
A.很大B.很低C.不变D.随意
42.半导体应变片的灵敏度和电阻应变片的灵敏度相比（A）
A.半导体应变片的灵敏度高B.二者相等
C.电阻应变片的灵敏试验高D.不能确定
43.若石英晶体沿机轴受到正应力，则会在垂直于（C）的面上产生电荷
A.机轴B.电轴C.光轴D.都不
44.压电式传感器是个高内阻传感器，因此要求前置放大器的输入阻抗（B）
A.金属导电材料B.非金属材料C. PVF2D.陶瓷材料
26.当电阻应变片式传感器拉伸时，该传感器电阻（A）
A.变大B.变小C.不变D.不定
27.极距变化型电容传感器的灵敏度与（D）
A.极距成正比B.极距成反比
C.极距的平方成正比D.极距的平方成反比
28.压电式加速度传感器的工作频率应（C）其固有频率
A.涡电流B.纵向C.横向D.压电
19.压电材料按一定方向放置在交变电场中，其几何尺寸将随之发生变化，这称为（D）效应。
A.压电B.压阻C.压磁D.逆压电
20.下列传感器中，能量转换型传感器是（A）
A.光电式B.应变片C.电容式D.电感式
21.测试工作的任务主要是从复杂的信号中提取（C）
A.干扰噪声信号B.正弦信号
A.一阶环节B.二阶环节C.比例环节D.高阶环节
4.磁电式绝对振动速度传感器的测振频率应（A）其固有频率。
A.远高于B.远低于C.等于D.不一定
5.随着电缆电容的增加，压电式加速度计的输出电荷灵敏度将（C）。
A.相应减小B.比例增加C.保持不变D.不确定
6.压电式加速度计，其压电片并联时可提高（B）。
48.（B）的基本工作原理是基于压阻效应
A.金属应变片B.半导体应变片C.压敏电阻D.压电陶瓷
49.可变磁阻式电感传感器，当线圈匝数N及铁芯截面积Ａ0确定后，原始气隙δ0越小，则电感L（B）
C. R减小，L增大，M减小D. R增大，L增大，M增大
31.为消除压电传感器联接电缆分布电容变化对输出灵敏度的影响，可采用（B）
A.电压放大器B.电荷放大器C.相敏检波器D.鉴相器
32.在测量位移的传感器中，符合非接触式测量且不受油污等介质影响的是（D）传感器
A.电容式B.压电式C.电阻式D.电涡流式
C.有用信息D.频域信号
22.压电式传感器是属于（B）型传感器
A.参量型B.发电型C.电感型D.电容型
23.莫尔条纹光栅传感器是（B）的
A.数字脉冲式B.直接数字编码式
C.调幅式D.调频式
24.磁电式绝对振动速度传感器的动态数学模型是（C）
A.一阶环节B.二阶环节C.比例环节D.积分环节
25.电涡流传感器是利用被测（A）的电涡流效应
A.外光电B.内光电C.光生电动势D.光热效应
14.一般来说，物性型的传感器，其工作频率范围（A）。
A.较宽B.较窄C.较高D.不确定
15.金属丝应变片在测量构件的应变时，电阻的相对变化主要由（B）来决定的。
A.贴片位置的温度变化
B.电阻丝几何尺寸的变化
C.电阻丝材料的电阻率变化
D.电阻丝材料长度的变化
33.半导体热敏电阻随温度上升，其阻值（B）
A.上升B.下降C.保持不变D.变为0
34.为使电缆的长短不影响压电式传感器的灵敏度，应选用（B）放大器
A.电压B.电荷C.微分D.积分
35.涡流式位移传感器的输出与被测对象的材料（C）
A.无关B.不确定C.有关D.只限于测铜
37.自感型传感器的两线圈接于电桥的相邻桥臂时，其输出灵敏度（B）
测试技术传感器第四章题型小结
一、选择题
1.电涡流式传感器是利用什么材料的电涡流效应工作的。（A）
A.金属导电B.半导体C.非金属D.
2.为消除压电传感器电缆分布电容变化对输出灵敏度的影响，可采用（B）。
A.电压放大器B.电荷放大器C.前置放大器D.电容放大器
3.磁电式绝对振动速度传感器的数学模型是一个（B）。
A.提高很多倍B.提高一倍
C.降低一倍D.降低很多倍
38.变间隙式电容传感器测量位移量时，传感器的灵敏度随（A）而增大
A.间隙的减小B.间隙的增大
C.电流的增大D.电压的增大
40.压电式振动传感器输出电压信号与输入振动的（C）成正比
A.位移B.速度C.加速度D.时间
41.压电式传感器是高阻抗传感器，要求前置放大器的输入阻抗（A）
A.远高于B.等于C.远低于D.不确定
29.调频式电涡流传感器的解调电路是（C）
A.电荷放大器B.相敏检波器C.鉴频器D.鉴相器
30.高频反射式电涡流传感器，其等效阻抗分为等效电阻R和等效电感L两部分，M为互感系数。当线圈与金属板之间距离δ减少时，上述等效参数变化为（B）
A. R减小，L不变，M增大B. R增大，L减小，M增大
A.电压灵敏度B.电荷灵敏度C.电压和电荷灵敏度D.保持不变
7.Hale Waihona Puke Baidu频式电涡流传感器的解调电路是（C）。
A.整流电路B.相敏检波电路C.鉴频器D.包络检波电路
8.压电式加速度传感器的工作频率应该（C）其固有频率。
A.远高于B.等于C.远低于D.没有要求
9.下列传感器中哪个是基于压阻效应的？（B）
A.金属应变片B.半导体应变片C.压敏电阻D.磁敏电阻