芯片组件的封装方法与相关技术

本技术公开的一种芯片组件的封装方法，属于瞬态电压抑制二极管技术领域，包括如下步骤，步骤1备芯：将一颗整流二极管芯A和一颗单向芯片组件的芯片背向串联放置，取一颗整流二极管芯B放置；步骤2纯化处理：第一次腐蚀清洗、第二次腐蚀清洗、涂粉、烧结；步骤3塑化封装：将均纯化后串联的整流二极管芯A和单向芯片组件的芯与整流二极管芯B并联，将产品放入模具注入环氧树脂，加热至160℃～162℃固化成型，取出冷却至常温；纯化处理得到的玻璃封装层，使得产品具备抵抗高温环境的特性，采用环氧树脂塑化封装得到的封装层，使得产品具备抵抗高温环境的特性下具备了抵抗环境冲击的特性。

权利要求书

1.一种芯片组件的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：腐蚀清洗，首先，采用腐蚀液对芯片组件进行腐蚀处理，其次，用去离子水冲洗，再次，放入氢氧化钾液中浸泡腐蚀，最后，采用纯丙酮溶液脱水处理；

步骤2：涂粉，采用玻璃粉浆涂抹在步骤1经过腐蚀清洗后的芯片组件外部形成玻璃层；

步骤3：烧结，将完成步骤2的芯片组件，从常温加热并保温一段时间，取出冷却至常温，使玻璃粉浆固化形成玻璃纯化层(4)；

步骤4：塑化封装，将完成步骤3的芯片组件外部包裹抗冲击的塑料材料，在对其加热固化，在所述芯片组件表面形成塑料封装层(5)。

2.如权利要求1所述的芯片组件的封装方法，其特征在于，在步骤1中，其腐蚀液为：采用氢氟酸、硝酸、硫酸、冰乙酸、磷酸按照1～1.5：1～1.2：0.98～1.02：1.5～2.5：0.98～1.02比例均匀混合而成。

3.如权利要求1所述的芯片组件的封装方法，其特征在于，在步骤1中采用腐蚀液对芯片组件进行腐蚀处理是指：腐蚀液温度控制在15℃～30℃对芯片组件进行腐蚀处理，腐蚀次数1～3次，腐蚀时间60s～120s。

4.如权利要求1所述的芯片组件的封装方法，其特征在于，在步骤2中，其玻璃粉浆为：采用40％～60％氧化锌、20％～35％三氧化二硼、7％～15％二氧化硅均混成的玻璃粉，而后取制成的玻璃粉3～4份与1.35～1.52份去离子水均匀混合成悬浮液状态。

5.如权利要求1所述的芯片组件的封装方法，其特征在于，在步骤3烧结中，将完成步骤2的芯片组件从常温缓慢加热至630℃～650℃，保温10min～15min，取出缓慢冷却至常温。

6.如权利要求5所述的芯片组件的封装方法，其特征在于，在步骤3烧结中，将完成步骤2的芯片组件从常温缓慢加热至630℃～650℃，升温速率为15～20℃/min。

7.如权利要求5所述的芯片组件的封装方法，其特征在于，在步骤3烧结中，取出缓慢冷却至

常温的降温速率为≤7℃/min。

8.如权利要求1所述的芯片组件的封装方法，其特征在于，步骤4塑化封装，使用的抗冲击塑料材料为环氧树脂。

9.如权利要求1所述的芯片组件的封装方法，其特征在于，所述芯片组件包括至少一颗整流二极管芯A(1)、至少一颗单向瞬变电压抑制二极管芯(2)、至少一颗整流二极管芯B(3)，整流二极管芯A(1)负极和单向芯片组件的芯(2)负极连接，整流二极管芯B(3)正负极分别与整流二极管芯A(1)正极、单向芯片组件的芯(2)正极连接。

10.如权利要求9所述的芯片组件，其特征在于，所述整流二极管芯A(1)和单向芯片组件的芯(2)、整流二极管芯B(3)并连处，通过铅锡银焊膏涂覆后经过300℃～450℃高温焊接。

技术说明书

一种芯片组件的封装方法

技术领域

本技术属于瞬态电压抑制二极管技术领域，涉及一种芯片组件的封装方法。

背景技术

瞬态电压抑制二极管由于具备能够吸收较大的浪涌脉冲功率，并将电压箝制到预定水平，达到避免高压浪涌脉冲对器件造成损坏的效果，所以使得瞬态电压抑制二极管被广泛应用在计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、电子整流器、家用电器、仪器仪表等设备的保护电路中。目前瞬态电压抑制二极管外部采用塑料或陶瓷或玻璃封装，由于其封装结构使得

瞬态电压抑制二极管无法同时达到所需的抗高温和抗冲击的特性，容易使得瞬态电压抑制二极管在运输和使用中出现损坏。

技术内容

为解决上述技术问题，本技术提供了一种芯片组件的封装方法。

本技术通过以下技术方案得以实现。

本技术提供的一种芯片组件的封装方法，包括以下步骤：

步骤1备芯，将一颗整流二极管芯A和一颗单向芯片组件的芯背向串联放置，取一颗整流二极管芯B放置；

步骤2纯化处理，将串联的整流二极管芯A和单向芯片组件的芯以及单独的整流二极管芯B进行纯化处理，纯化处理步骤如下，

第一次腐蚀清洗，采用氢氟酸、硝酸、硫酸、冰乙酸、磷酸按照1～1.5：1～1.2：0.98～1.02：1.5～2.5：0.98～1.02比例均匀混合而成的腐蚀液，并控温在15℃～30℃对芯片组件进行腐蚀处理，腐蚀次数1～3次，腐蚀时间60s～120s，腐蚀完成后用去离子水冲洗3min～

5min；

第二次腐蚀清洗，第一次腐蚀清洗后的产品放入温度为80℃～95℃浓度为2％～5％的氢氧化钾液中腐蚀，时间120s～240s，腐蚀完成后采用纯丙酮溶液脱水处理；

涂粉，采用40％～60％氧化锌、20％～35％三氧化二硼、7％～15％二氧化硅均混成的玻璃粉，取制成的玻璃粉3～4份与1.35～1.52份去离子水均匀混合成玻璃粉浆，涂抹在步骤1的产品形成玻璃层；

烧结，将涂敷玻璃粉浆的产品，放至630℃～650℃炉内保温10min～15min，取出冷却，形成玻璃纯化层；

步骤3塑化封装，将均纯化后串联的整流二极管芯A和单向芯片组件的芯与整流二极管芯B并联，将产品放入模具注入环氧树脂，加热至160℃～162℃固化成型，取出冷却至常温，形成塑料封装层。

抗冲击材料的环氧树脂，在其他条件下也可以更换成丁腈橡胶、聚酯树脂以及尼龙等抗冲击材料。

为了使得受力均与，提高产品质量，在步骤2纯化处理的涂粉步骤中，产品涂抹玻璃粉浆后呈椭圆形球体。

为了提高玻璃粉浆在受热固化时减小内部应力，提高产品质量，在步骤2纯化处理的烧结步骤中，产品加热的升温速率为15～20℃/min。

为了提高玻璃粉浆在冷却时内部应力得到完全释放，提高产品质量，在步骤2纯化处理的烧结步骤中，产品取出冷却至常温的降温速率为≤7℃/min。

为了提高接触处的导电能力，在步骤3中，串联的整流二极管芯A和单向芯片组件的芯与整流二极管芯B并联处采用铅锡银焊膏涂覆，后经过300℃～450℃高温焊接。

本技术的有益效果在于：本技术步骤2纯化处理得到的玻璃封装层，使得产品具备抵抗高温环境的特性，步骤3采用环氧树脂塑化封装得到的封装层，使得产品具备抵抗高温环境的特性下具备了抵抗环境冲击的特性总而言之，本技术较目前的同类产品，提高了产品的抗高温环境和抵抗环境冲击的特性，保证了产品在运输、贮存以及后续使用的可靠性，降低了使用本技术的设备故障率。

附图说明

图1是本技术的结构示意图；

图2是本技术的电路连接结构示意图。