芯片组件的封装方法与相关技术
芯片封装原理及分类
芯片封装原理及分类1.芯片封装原理芯片封装是指将微电子器件（包括集成电路、晶体管等）连接到封装基座上的工艺过程。
其原理是将芯片导线通过焊接或焊球连接到封装基座上的金属脚，然后采用封装材料将芯片进行封装。
这样可以保护芯片免受外界环境的影响，并且提供了芯片与外部世界之间的连接接口。
2.芯片封装分类（1）DIP封装（Dual In-line Package）DIP封装是最早的一种芯片封装方式，其特点是通过两排金属脚与外部电路连接。
这种封装方式成本低、可焊接，但体积大，适用于较低密度的集成电路。
（2）SOP封装（Small Outline Package）SOP封装是DIP封装的改进版，其特点是脚距更近，体积更小，适用于较高密度的集成电路。
SOP封装有多种形式，如SOIC（Small Outline Integrated Circuit）、TSOP（Thin Small Outline Package）等。
（3）QFP封装（Quad Flat Package）QFP封装是一种表面贴装封装方式，其特点是四个侧面都带有金属端子，适用于较高密度、中等规模的集成电路。
QFP封装有多种形式，如TQFP（Thin Quad Flat Package）、LQFP（Low-profile Quad Flat Package）等。
（4）BGA封装（Ball Grid Array）BGA封装是一种表面贴装封装方式，在封装基座上布置了一定数量的焊球来实现与外部电路的连接。
BGA封装的特点是密封性好、性能稳定，并且适用于超高密度的集成电路。
BGA封装有多种形式，如CABGA （Ceramic Ball Grid Array）、TBGA（Thin Ball Grid Array）等。
（5）CSP封装（Chip Scale Package）CSP封装是一种紧凑型封装方式，其特点是尺寸和芯片相似，在封装基座上布置了少量焊球或焊盘。
CSP封装的优势在于占据空间小、重量轻、功耗低，并且适用于高密度的集成电路。
集成电路芯片封装技术
集成电路芯片封装技术引言集成电路芯片封装技术是现代电子行业中非常重要的一项技术，它负责将微小的芯片封装成方便使用和安装的实际产品。
在本文中，我们将探讨集成电路芯片封装技术的背景、常用封装方式以及封装过程中的关键技术要点。
背景随着电子产品的不断发展和进步，集成电路芯片封装技术也不断演化和改进。
芯片的封装是将裸露的芯片封装在底座或封装基板上的过程，不仅可以为芯片提供良好的保护，还可以提供良好的导热性能和电气连接性能，以满足不同电子产品的需求。
常用封装方式1. 无封装/裸露芯片无封装的芯片是指没有任何封装保护的裸露芯片，常见于一些特殊应用场景，如实验室研究、集成电路设计验证等。
这种封装方式的优点是尺寸小、重量轻，但缺点是容易受到外部环境的干扰和损坏。
2. 模块封装模块封装是将芯片与其他电子元器件一起封装在同一个封装体中，形成独立的功能模块。
这种封装方式常见于一些需要特定功能或性能的电子产品，如网络设备、手机等。
模块封装的优点是易于安装和维修，但缺点是成本相对较高。
3. 芯片封装芯片封装是将芯片封装在底座或封装基板上，并使用封装材料进行覆盖和保护。
芯片封装方式多种多样，常见的有贴片封装、球栅阵列封装和双列直插封装等。
这种封装方式常见于大部分集成电路产品中，如计算机芯片、嵌入式系统芯片等。
芯片封装的优点是尺寸小、成本低，但缺点是散热性能相对较差。
封装过程中的关键技术要点1. 半导体封装技术半导体封装技术是芯片封装的核心技术，它负责将裸露的芯片连接到封装基板上，并建立电气连接。
半导体封装技术主要包括焊接技术和封装材料选择。
焊接技术常用的有焊接球、焊锡膏和超声波焊接等，封装材料常用的有黄胶、环氧树脂等。
2. 散热技术散热技术是封装过程中需要考虑的一个重要问题，尤其是对于功率较大的芯片。
散热技术主要包括散热片的设计和散热材料的选择。
散热片的设计应考虑到芯片的散热需求和封装空间的限制，散热材料的选择应考虑到其导热性能和耐高温性能。
先进芯片封装知识介绍
先进芯片封装知识介绍芯片封装是将半导体芯片封装成具有特定功能和形状的封装组件的过程。
芯片封装在实际应用中起着至关重要的作用，它不仅保护芯片免受外部环境的干扰和损害，同时也为芯片提供了良好的导热特性和机械强度。
本文将介绍先进芯片封装的知识，包括封装技术、封装材料和封装工艺等方面。
一、芯片封装技术芯片封装技术主要包括无引线封装（Wafer-Level Package，简称WLP）、翻装封装（Flip-Chip Package，简称FCP）和探针封装（Probe Card Package，简称PCP）等。
1.无引线封装（WLP）：无引线封装是在芯片表面直接封装焊盘，实现对芯片进行封装和连接。
它可以使芯片的封装密度更高，并且具有优秀的热传导和电性能。
无引线封装技术广泛应用于移动设备和无线通信领域。
2.翻装封装（FCP）：翻装封装是将芯片颠倒翻转后通过导电焊球连接到基板上的封装技术。
它可以提供更好的电路性能和更高的封装密度，适用于高性能芯片的封装。
3.探针封装（PCP）：探针封装是通过探针头将芯片连接到测试设备进行测试和封装的技术。
它可以快速进行芯片测试和封装，适用于小批量和多品种的芯片生产。
二、芯片封装材料芯片封装材料是指用于封装过程中的材料，包括基板、封装胶料和焊盘等。
1.基板：基板是芯片封装的重要组成部分，主要用于支撑和连接芯片和其他封装组件。
常用的基板材料包括陶瓷基板、有机基板和金属基板等。
2.封装胶料：封装胶料用于固定和保护芯片，防止芯片受损。
常见的封装胶料包括环氧树脂、硅胶、聚酰亚胺等。
3.焊盘：焊盘是连接芯片和基板的关键部分，用于传递信号和电力。
常见的焊盘材料包括无铅焊料、焊接球和金属焊点等。
三、芯片封装工艺芯片封装工艺是指在封装过程中实施的一系列工艺步骤，主要包括胶黏、焊接和封装等。
1.胶黏：胶黏是将芯片和其他封装组件固定在基板上的工艺步骤。
它通常使用封装胶料将芯片和基板粘接在一起，并通过加热或压力处理来保证粘结的强度。
芯片封装详细图解
Bond Ball：第一焊点。指金线在Cap的作用下，在Pad上形成的焊接点 ，一般为一个球形；
Wedge：第二焊点。指金线在Cap的作用下，在Lead Frame上形成的焊 接点，一般为月牙形（或者鱼尾形）；
• 按照封装外型可分为： SOT、SOIC、TSSOP、QFN、QFP、BGA、CSP等；
芯片封装详细图解
Logo
IC Package （IC的封装形式）
• 按封装材料划分为：
塑料封装
பைடு நூலகம்陶瓷封装
金属封装主要用于军工或航天技术，无 商业化产品；
陶瓷封装优于金属封装，也用于军事产 品，占少量商业化市场；
其中，CSP由于采用了Flip Chip技术和裸片封装，达到了 芯片面积/封装面积=1:1，为目前最高级的技术；
芯片封装详细图解
Logo
IC Package （IC的封装形式）
• QFN—Quad Flat No-lead Package 四方无引脚扁平封装 • SOIC—Small Outline IC 小外形IC封装 • TSSOP—Thin Small Shrink Outline Package 薄小外形封装 • QFP—Quad Flat Package 四方引脚扁平式封装 • BGA—Ball Grid Array Package 球栅阵列式封装 • CSP—Chip Scale Package 芯片尺寸级封装
W/B是封装工艺中最为关键的一部工艺。
芯片封装详细图解
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FOL– Wire Bonding 引线焊接
芯片的封装技术及应用
芯片的封装技术及应用
1封装技术
封装技术是指将芯片、电路板等集成电路产品封装处理的技术，此外，还会添加安排电路板、头颈之间、终端等元件，以实现产品的最终封装。
封装技术分为插件式封装技术和非插件式封装技术，插件式封装技术又称为外插封装，是把电路器件封装在插槽的极其特殊的封装技术，插件式封装技术的主要好处是易操作、安装方便，而它的缺点是对于单芯片来说，封装面积相对比较大。
非插件式封装技术是把芯片封装在插槽以外的封装技术，一般是通过封装在芯片上的晶体管（也可以是其他型号的元器件）来实现。
优点是，封装面积小，芯片可以容纳更多的器件，而且易于加工，但缺点是更换芯片时比较复杂。
2封装技术的应用
封装技术广泛应用于电子信息领域，包括电路板，数字示波器，电话交换机，计算机等等。
它能够有效地把微型电子元器件和接口封装在一个可靠的外壳中，实现电子元器件的防护和电栅栏的连接，扩大了产品的使用寿命，使电子元器件在电子设备中达到最佳的使用状态。
而在电子设备的操作过程中，器件的封装技术也会提供很大的帮助，能够使电子设备拥有较高的可靠性和环境适应性。
总而言之，封装技术是电子产品发展用芯片上封装非常重要的一个环节，它能够使产品节约材料、缩短装配时间、延长使用寿命、保证了可靠性和可维护性。
芯片封装详细图解通用课件
焊接方法主要有两种：热压焊接 和超声焊接。
焊接过程中需要控制温度、时间 和压力等参数，以保证焊接质量
和可靠性。
封装成型
封装成型是将已贴装和焊接好的芯片封装在保护壳内的过程。
封装材料主要有金属、陶瓷和塑料等。
成型过程中需要注意保护好芯片和引脚，防止损坏和短路。同时要保证封装质量和 外观要求。
质量检测
VS
详细描述
高性能的芯片封装需要具备低延迟、高传 输速率和低功耗等特性，以满足电子设备 在运行速度、响应时间和能效等方面的需 求。同时，高可靠性的封装能够确保芯片 在各种环境条件下稳定运行，提高产品的 使用寿命和可靠性。
多功能集成化
总结词
为了满足电子设备多功能化的需求，芯片封 装也呈现出多功能集成化的趋势。
02
芯片封装流程
芯片贴装
芯片贴装是芯片封装流程的第 一个环节，主要涉及将芯片按 照设计要求粘贴在基板上。
粘贴方法主要有三种：粘结剂 粘贴、导电胶粘贴和焊接粘贴 。
粘贴过程中需要注意芯片的方 向和位置，确保与设计要求一 致，同时要保的引脚与基板 的引脚对应焊接在一起的过程。
塑料材料具有成本低、重量轻、加工方便等优点，常用于 封装壳体和绝缘材料等。
常用的塑料材料包括聚苯乙烯、聚酯、聚碳酸酯等，其加 工工艺包括注塑成型、热压成型等。
其他材料
其他材料包括玻璃、石墨烯、碳纳米管等新型材料，具有优异的性能和广阔的应 用前景。
这些新型材料的加工工艺尚在不断发展和完善中。
05
芯片封装发展趋势
02
陶瓷材料主要包括95%Al2O3、 Al2O3-ZrO2、Al2O3-TiO2等， 其加工工艺包括高温烧结、等静 压成型和干压成型等。
金属材料
芯片的封装形式
芯片的封装形式芯片的封装形式是指将芯片组件封装在外壳中，以保护芯片并便于安装和使用。
芯片的封装形式有多种类型，每种封装形式都有其特点和适应的应用领域。
下面将介绍几种常见的芯片封装形式。
1. DIP封装（Dual In-line Package）：DIP封装是最早使用的一种芯片封装形式。
它的特点是引脚以两列直线排列在芯片的两侧，容易焊接和插拔。
DIP封装广泛应用于电子产品中，如电视机、音响等。
2. QFP封装（Quad Flat Package）：QFP封装是一种表面贴装技术（SMT）的封装形式，是DIP封装的一种改进。
QFP封装将引脚排列在芯片的四边，并且引脚密度更高，能够容纳更多的引脚。
QFP封装适用于集成度较高的芯片，如微处理器、FPGA等。
3. BGA封装（Ball Grid Array）：BGA封装是一种表面贴装技术的封装形式，与QFP封装类似，但是引脚不再直接暴露在外，而是通过小球连接到印刷电路板上。
BGA封装具有高密度、小体积和良好的电气性能等优点，广泛应用于高性能计算机、通信设备等领域。
4. CSP封装（Chip Scale Package）：CSP封装是一种尺寸与芯片近似的封装形式，将芯片直接封装在小型外壳中。
CSP封装具有体积小、重量轻和引脚密度高的特点，适用于移动设备、无线通信和消费电子产品等领域。
5. COB封装（Chip On Board）：COB封装是将芯片直接焊接在印刷电路板上的一种封装形式，是一种简化的封装方式。
COB封装具有体积小、可靠性高和成本低的特点，在一些低成本产品中得到广泛应用，如LED显示屏、电子称等。
除了以上几种常见的芯片封装形式，还有一些特殊封装形式，如CSP/BGA混合封装、QFN封装（Quad Flat No-leads）等。
这些封装形式的出现主要是为了应对芯片不断增加的功能需求和尺寸要求。
总的来说，芯片封装形式的选择取决于芯片的功能、尺寸和应用环境等因素。
IC封装工艺简介
IC封装工艺简介集成电路（IC）封装工艺是制造IC的重要步骤之一，它关系到IC的稳定性、散热效果和外形尺寸等方面。
通过不同的封装工艺，可以满足不同类型的IC器件的需求。
封装工艺分类目前常见的IC封装工艺主要有以下几种类型：1.贴片封装：是将IC芯片直接粘贴在PCB基板上的封装方式，适用于小型、低功耗的IC器件。
2.裸片封装：IC芯片和封装基板之间没有任何封装材料，可以获得更好的散热效果。
3.塑封封装：将IC芯片封装在塑料基板内部，并封装成标准尺寸的芯片，适用于多种场合。
4.BGA封装：球栅阵列封装是一种高端封装技术，通过焊接球栅来连接芯片和PCB基板，适用于高频高性能的IC器件。
封装工艺流程IC封装工艺包括以下几个主要步骤：1.芯片测试：在封装之前，需要对芯片进行测试，确保芯片的功能正常。
2.粘贴：在贴片封装中，IC芯片会被粘贴到PCB基板上，需要精确的定位和固定。
3.焊接：通过焊接技术将IC芯片和PCB基板连接起来，确保信号传输的可靠性。
4.封装：将IC芯片包裹在封装材料中，形成最终的封装芯片。
5.测试：封装完成后需要进行最终的测试，确保IC器件性能符合要求。
封装工艺发展趋势随着技术的不断进步，IC封装工艺也在不断发展，主要体现在以下几个方面：1.多功能集成：随着对IC器件功能和性能需求的提高，封装工艺需要支持更多的功能集成，如封装中集成无源器件或传感器等。
2.微型化：随着电子产品体积的不断缩小，IC封装工艺也在朝着微型化的方向发展，以满足小型化产品的需求。
3.高性能封装：为了提高IC器件的性能和可靠性，封装工艺需要支持更高频率、更高功率的IC器件。
综上所述，IC封装工艺在集成电路制造中扮演着重要的角色，通过不断的创新和发展，可以满足各类IC器件的需求，推动整个电子产业的不断进步。
芯片常用封装
芯片常用封装芯片常用封装是指对芯片进行包装和封装的一种技术，它可以保护芯片，提高芯片的可靠性和稳定性，并方便芯片的使用和安装。
芯片常用封装形式主要有晶圆级封装和后封装两种。
1. 晶圆级封装晶圆级封装是指将芯片直接封装在晶圆上。
这种封装方式具有高度集成、高密度、高性价比等优点。
晶圆级封装主要有以下几种形式。
(1) 裸芯封装：将芯片直接封装在晶圆上，没有任何其他材料进行封装。
这种封装方式适用于一些对成本要求较高、不需要对芯片进行保护的应用场景。
(2) 热压封装：将芯片通过热压工艺与晶圆封装。
这种封装方式可以提高芯片的可靠性和热导性能。
(3) 胶粘封装：将芯片封装在晶圆上，并使用胶粘剂进行固定。
这种封装方式可以提高芯片的抗震性和抗振动性能。
(4) 焊接封装：将芯片封装在晶圆上，并通过焊接工艺进行连接。
这种封装方式可以提高芯片的可靠性和连接性能。
2. 后封装后封装是指将已经完成芯片制造的芯片进行封装。
这种封装方式可以根据不同的应用需求选择不同的封装形式。
(1) DIP封装：DIP封装是一种早期的常用封装形式，它可以直接插入到电路板上。
DIP封装具有安装方便、维修性好等优点，但是不适用于集成度高的芯片。
(2) BGA封装：BGA封装是一种较新的封装技术，它将芯片通过球形焊盘进行连接。
BGA封装具有高集成度、高密度、高可靠性等优点，适用于高性能芯片的封装。
(3) QFP封装：QFP封装是一种表面贴装封装技术，它将芯片通过引脚焊接到电路板上。
QFP封装具有体积小、重量轻、适用于高速信号传输等优点，适用于一些对体积要求较小的应用场景。
(4) CSP封装：CSP封装是一种超小型封装技术，它将芯片直接封装在引脚上。
CSP封装具有体积小、能耗低、适用于高光性能等优点，适用于一些对体积和能耗要求较高的应用场景。
综上所述，芯片常用封装形式有晶圆级封装和后封装两种，各有不同的优点和适用场景。
在选择封装形式时，需要根据芯片的性能要求、应用场景和成本等因素进行综合考虑选择。
芯片常见的封装方式
芯片常见的封装方式随着电子科技的发展，芯片技术也在不断地进步和发展。
芯片是电子产品中最关键的部件之一，它的封装方式直接影响到芯片的性能和应用范围。
在现代电子领域中，芯片封装的种类繁多，本文将介绍常见的芯片封装方式。
一、DIP封装DIP (Dual In-line Package)是芯片封装中最常见的一种类型。
DIP封装是一种双行直插式封装，它的引脚排列在两排中间，每排有一些引脚。
DIP封装的优点是结构简单，容易制造，成本低廉，同时也容易进行手工焊接。
但是，由于DIP封装引脚的间距较大，其封装体积较大，不适合在高密度电路板上使用。
二、QFP封装QFP (Quad Flat Package)是一种方形封装，它的引脚排列在四个边上。
QFP封装可以分为LQFP (Low-profile Quad Flat Package)和TQFP (Thin Quad Flat Package)两种类型。
QFP封装的优点是体积小，引脚数量多，适用于高密度电路板。
但是，QFP封装的制造工艺较为复杂，成本较高，同时也不适合手工焊接。
三、BGA封装BGA (Ball Grid Array)是一种球形网格阵列封装。
BGA封装的引脚是由许多小球组成，它们排列在芯片的底部。
BGA封装的优点是引脚数量多，封装体积小，适用于高密度电路板，同时也具有良好的散热性能。
但是，BGA封装的制造工艺极为复杂，需要高精度的制造设备和技术，因此成本较高。
四、CSP封装CSP (Chip Scale Package)是一种芯片级封装，也称为芯片级封装。
CSP封装的特点是封装体积非常小，几乎与芯片本身大小相同。
CSP封装的优点是封装体积小，引脚数量少，适用于高密度电路板，同时也具有良好的散热性能。
但是，CSP封装的制造工艺非常复杂，需要高精度的制造设备和技术，因此成本非常高。
五、COB封装COB (Chip-on-Board)是一种将芯片直接贴在电路板上的封装方式。
最全的芯片封装技术详细介绍（珍藏...
最全的芯片封装技术详细介绍（珍藏...封装，Package，是把集成电路装配为芯片最终产品的过程，简单地说，就是把Foundry生产出来的集成电路裸片（Die）放在一块起到承载作用的基板上，把管脚引出来，然后固定包装成为一个整体。
作为动词，“封装”强调的是安放、固定、密封、引线的过程和动作；作为名词，“封装”主要关注封装的形式、类别，基底和外壳、引线的材料，强调其保护芯片、增强电热性能、方便整机装配的重要作用。
(1)、芯片面积与封装面积之比为提高封装效率，尽量接近1：1；(2)、引脚要尽量短以减少延迟，引脚间的距离尽量远，以保证互不干扰，提高性能；(3)、基于散热的要求，封装越薄越好。
1、BGA|ball grid array也称CPAC(globe top pad array carrier)。
球形触点陈列，表面贴装型封装之一。
在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。
也称为凸点陈列载体(PAC)。
引脚可超过200，是多引脚LSI用的一种封装。
封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。
例如，引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方;而引脚中心距为0.5mm的304 引脚QFP 为40mm 见方。
而且BGA不用担心QFP 那样的引脚变形问题。
该封装是美国Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，随后在个人计算机中普及。
最初，BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。
现在也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。
BGA 的问题是回流焊后的外观检查。
美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为MPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC。
2、C-(ceramic)表示陶瓷封装的记号。
例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。
是在实际中经常使用的记号。
3、COB (chip on board)COB (chip on board)板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。
28种芯片封装技术的详细介绍
28种芯片封装技术的详细介绍1、BGA|ball grid array也称CPAC(globe top pad array carrier)。
球形触点陈列，表面贴装型封装之一。
在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。
也称为凸点陈列载体(PAC)。
引脚可超过200，是多引脚LSI用的一种封装。
封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。
例如，引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方;而引脚中心距为0.5mm的304 引脚QFP 为40mm 见方。
而且BGA不用担心QFP 那样的引脚变形问题。
该封装是美国Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，随后在个人计算机中普及。
最初，BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。
现在也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。
BGA 的问题是回流焊后的外观检查。
美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为MPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC。
2、C-(ceramic)表示陶瓷封装的记号。
例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。
是在实际中经常使用的记号。
3、COB (chip on board)COB (chip on board)板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。
虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。
4、DIP(dual in-line package)DIP(dual in-line package)双列直插式封装。
插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。
欧洲半导体厂家多用DIL。
DIP 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。
芯片封装技术研究
芯片封装技术研究一、芯片封装技术概述芯片封装技术是集成电路制造中非常重要的一环，它是将芯片连接到外部电路的关键步骤。
芯片封装技术主要涉及到电路设计、封装材料选择、封装工艺等多个方面，其中每一个方面都需要充分考虑产品的性能、成本等多个方面因素。
现在，芯片的封装技术日益发展，其中最为突出的是通过高密度集成技术将多个功能集成到一个芯片上，并采用小型封装技术，以满足电子行业对小型化和高性能的需求。
二、芯片封装工艺技术芯片封装工艺技术是将芯片封装在小型封装材料内的过程。
通常采用芯片铺装、对芯片进行加固、将芯片与导线粘连、清洗封装等过程。
这些过程中需要注意的是，需要确保整个工艺过程的平稳性，避免对芯片产生任何的损伤，进而保证封装后的芯片具有高质量的性能。
三、芯片封装材料选择在芯片封装过程中，封装材料是非常重要的一环，它直接决定了芯片的保护性能和性能表现。
常见的封装材料有塑料、陶瓷、硅酸盐、复合材料等多种，通常根据不同的应用场景、性能需求进行选择。
其中，塑料封装是目前应用最广的一种封装材料，因为它具有结构简单、成本低、性能稳定等优点，但其耐热性和耐腐蚀性相对较弱，因而主要适用于一些低功率的电子产品。
四、芯片封装技术应用芯片封装技术的应用非常广泛，从家居电器到航空航天，无处不在。
以智能手机为例，现在市面上的绝大多数智能手机都采用了先进的高密度集成技术，从而实现了内部结构的精简化和体积的缩小。
同时，封装材料的应用也逐渐转向了陶瓷、硅酸盐等更高性能的材料，从而使得智能手机的性能和可靠性得到进一步提升。
总之，芯片封装技术在集成电路制造中起着非常重要的作用，同时其应用也日益广泛，未来还将有更多创新性的技术不断涌现，如3D芯片封装等，推动芯片封装技术不断进步。
芯片封装详细图解课件
超声检测
利用超声波对封装内部进行无损检测，用于检测 内部裂纹、气孔等问题。
ABCD
X射线检测
利用X射线对封装内部进行无损检测，用于检测 内部缺陷、焊接不良等问题。
热像仪检测
通过红外热像仪检测芯片封装温度分布，判断散 热性能和热稳定性。
封装可靠性的影响因素
封装材料
封装材料的质量和性能对封装可靠性有直接 影响，如材料的老化、腐蚀等。
芯片封装详细图解课件
目录
• 芯片封装概述 • 芯片封装材料 • 芯片封装工艺流程 • 芯片封装检测与可靠性分析 • 芯片封装的应用与发展趋势 • 芯片封装案例分析
01
芯片封装概述
封装的概念和作用
封装的概念
芯片封装是指将集成电路用绝缘 的塑料或陶瓷材料打包，以保护 芯片免受环境影响，同时提供引 脚供外部电路连接。
芯片封装技术的发展趋势与挑战
发展趋势
随着技术进步和应用需求的变化，芯 片封装技术正朝着更小尺寸、更高集 成度、更低成本、更可靠性的方向发 展。
挑战
随着芯片封装技术的发展，面临着如 何提高封装密度、减小热阻、降低成 本等挑战，同时还需要解决先进封装 技术的可靠性和可制造性问题。
未来芯片封装技术的研究方向
程。
这一步需要使用焊接设备，控制 焊接温度和时间，确保引脚焊接
的质量和可靠性。
引脚焊接完成后需要进行外观检 查，确保焊接质量符合要求。
塑封固化
塑封固化是将芯片和引脚整体封装在 塑封材料中，起到保护芯片和引脚的 作用。
塑封固化过程中需要控制温度和压力 ，确保塑封材料的均匀分布和固化效 果。
塑封材料需要具有良好的绝缘性、耐 腐蚀性和机械强度。
切筋整型
切筋整型是将完成固化的封装体 进行切割和整型，使其成为符合
40种常用的芯片封装技术
40种常用的芯片封装技术封装，Package，是把集成电路装配为芯片最终产品的过程，简单地说，就是把Foundry生产出来的集成电路裸片（Die）放在一块起到承载作用的基板上，把管脚引出来，然后固定包装成为一个整体。
作为动词，“封装”强调的是安放、固定、密封、引线的过程和动作；作为名词，“封装”主要关注封装的形式、类别，基底和外壳、引线的材料，强调其保护芯片、增强电热性能、方便整机装配的重要作用。
1、芯片面积与封装面积之比为提高封装效率，尽量接近1：1；2、引脚要尽量短以减少延迟，引脚间的距离尽量远，以保证互不干扰，提高性能；3、基于散热的要求，封装越薄越好。
封装主要分为DIP双列直插和SMD贴片封装两种。
从结构方面，封装经历了最早期的晶体管TO（如TO-89、TO92）封装发展到了双列直插封装，随后由PHILIP公司开发出了SOP小外型封装，以后逐渐派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）等。
从材料介质方面，包括金属、陶瓷、塑料，很多高强度工作条件需求的电路如军工和宇航级别仍有大量的金属封装。
1、BGA 封装（ball grid array）球形触点陈列，表面贴装型封装之一。
在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。
也称为凸点陈列载体（PAC）。
引脚可超过200，是多引脚LSI 用的一种封装。
封装本体也可做得比QFP（四侧引脚扁平封装）小。
例如，引脚中心距为1．5mm 的360引脚BGA 仅为31mm 见方；而引脚中心距为0．5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。
而且BGA。
芯片封装详细图解
封装类型
01
02
03
04
针脚型封装
将芯片固定在引脚上，引脚向 外延伸，便于与其他电路连接
。
表面贴装型封装
将芯片直接贴装在PCB板上， 实现小型化和轻便化。
球栅阵列型封装
将芯片的电极以球形方式排列 ，实现高速、高密度的信号传
输。
晶圆级封装
将整个晶圆进行封装，实现更 小尺寸的封装。
02 芯片封装材料
常用的陶瓷材料包括氧化铝、氮化硅等，可以根据具体需求选择合适的陶瓷材料。
塑料材料
塑料材料在芯片封装中主要用于廉价、 大批量生产的封装。
常用的塑料材料包括环氧树脂、聚苯 乙烯等，可以根据具体需求选择合适 的塑料材料。
塑料材料具有成本低、加工方便等优 点，能够满足中低端芯片的封装需求。
其他材料
其他材料在芯片封装中主要用于 特殊需求的封装，如玻璃、石墨
晶片贴装
晶片贴装
将芯片按照设计要求放置在封装基板上，使用粘合剂将其固 定。
位置调整
通过显微镜对芯片位置进行调整，确保其与周围元件对齐。
引脚连接
引脚焊接
使用焊接技术将芯片的引脚与基板的 导电路径连接起来。
引脚保护
在焊接完成后，对引脚进行保护处理 ，防止其氧化和损坏。
密封与涂装
密封处理
将芯片和引脚进行密封，以保护内部电路不受外界环境影响。
金属材料
金属材料在芯片封装中主要用 于制造引脚、底座和散热器等 部件。
金属材料具有良好的导电性和 导热性，能够满足芯片的电气 和散热需求。
常用的金属材料包括铜、铁、 铝等，可以根据具体需求选择 合适的金属材料。
陶瓷材料
陶瓷材料在芯片封装中主要用于制造高可靠性、高稳定性的封装。
芯片封装技术大全
芯片封装技术知多少我们经常听说某某芯片采用什么什么的封装方式，在我们的电脑中，存在着各种各样不同处理芯片，那么，它们又是是采用何种封装形式呢？并且这些封装形式又有什么样的技术特点以及优越性呢？那么就请看看下面的这篇文章，将为你介绍各种芯片封装形式的特点和优点。
一、DIP双列直插式封装DIP(DualIn－line Package)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。
采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。
当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。
DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏引脚。
DIP封装具有以下特点：1.适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接，操作方便。
2.芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。
Intel系列CPU中8088就采用这种封装形式，缓存(Cache)和早期的内存芯片也是这种封装形式。
二、QFP塑料方型扁平式封装和PFP塑料扁平组件式封装QFP（Plastic Quad Flat Package）封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大型集成电路都采用这种封装形式，其引脚数一般在100个以上。
用这种形式封装的芯片必须采用SMD（表面安装设备技术）将芯片与主板焊接起来。
采用SMD安装的芯片不必在主板上打孔，一般在主板表面上有设计好的相应管脚的焊点。
将芯片各脚对准相应的焊点，即可实现与主板的焊接。
用这种方法焊上去的芯片，如果不用专用工具是很难拆卸下来的。
PFP（Plastic Flat Package）方式封装的芯片与QFP方式基本相同。
唯一的区别是QFP一般为正方形，而PFP既可以是正方形，也可以是长方形。
QFP/PFP封装具有以下特点：1.适用于SMD表面安装技术在PCB电路板上安装布线。
2.适合高频使用。
最全的芯片封装方式
最全的芯片封装方式芯片封装是将芯片固定在封装底座上，并通过引脚与外界连接的一种封装形式，用来保护、固定和连接芯片，同时提供了简化电路连接和可靠引脚布局的便利。
随着芯片技术的发展，不断涌现出各种芯片封装方式。
下面将详细介绍一些常见的芯片封装方式。
1. DIP (Dual In-line Package)DIP封装是最早使用的一种芯片封装方式，通常用于直插式电子元器件，如集成电路和二极管等。
DIP封装的芯片在两条平行的引脚排上，通过插座与电路板上的插槽连接。
2. SMD (Surface Mount Device)SMD封装是目前最常见的一种芯片封装方式。
它通过表面安装技术将元件焊接在电路板上，而不是通过引脚插入插座。
SMD封装具有体积小、重量轻和高集成度等特点，适用于大规模的集成电路。
3. BGA (Ball Grid Array)BGA封装是一种高密度封装方式，其引脚以球形焊盘的形式分布在芯片的底部。
这种封装方式可以提供更多的引脚数量，并提高信号传输的速度和稳定性。
BGA封装广泛应用于大容量、高速的处理器、图形芯片和存储器等领域。
4. QFP (Quad Flat Package)QFP封装是一种常见的表面安装封装方式，其引脚分布在芯片的四周，并且是平行于芯片表面的。
QFP封装具有较高的引脚密度和较大的散热能力，适用于高速处理器和集成电路等。
5. SOP (Small Outline Package)SOP封装是一种常见的表面安装封装方式，其引脚分布在芯片的两侧，并且是平行于芯片表面的。
SOP封装通常比QFP封装更紧凑，适用于体积较小的芯片和集成电路。
6. LGA (Land Grid Array)LGA封装是一种与BGA封装类似的方式，其引脚通过焊盘连接到电路板上。
与BGA封装不同的是，LGA封装中的引脚是平面的，而不是球形的。
LGA封装适用于高密度、高速度和高功率的应用，如服务器和网络通信设备等。
28种芯片封装技术的详细介绍
28种芯片封装技术的详细介绍芯片封装技术是针对集成电路芯片的外包装及连接引脚的处理技术，它将裸片或已经封装好的芯片通过一系列工艺步骤引脚，并封装在特定的材料中，保护芯片免受机械和环境的损害。
在芯片封装技术中，有许多不同的封装方式和方法，下面将详细介绍28种常见的芯片封装技术。
1. DIP封装（Dual In-line Package）：为最早、最简单的封装方式，多用于代工生产，具有通用性和成本效益。
2. SOJ封装（Small Outline J-lead）：是DIP封装的改进版，主要用于大规模集成电路。
3. SOP封装（Small Outline Package）：是SOJ封装的互补形式，适用于SMD（Surface Mount Device）工艺的封装。
4. QFP封装（Quad Flat Package）：引脚数多达数百个，广泛应用于高密度、高性能的微处理器和大规模集成电路。
5. BGA封装（Ball Grid Array）：芯片的引脚通过小球焊接在底座上，具有较好的热性能和电气性能。
6. CSP封装（Chip Scale Package）：将芯片封装在极小的尺寸内，适用于移动设备等对尺寸要求极高的应用。
7. LGA封装（Land Grid Array）：通过焊接引脚在底座上，适用于大功率、高频率的应用。
8. QFN封装（Quad Flat No-leads）：相对于QFP封装减少了引脚长度，适合于高频率应用。
9. TSOP封装（Thin Small Outline Package）：为SOJ封装的一种改进版本，用于闪存存储器和DRAM等应用。
10. PLCC封装（Plastic Leaded Chip Carrier）：芯片通过引脚焊接在塑料封装上，适用于多种集成电路。
11. PLGA封装（Pin Grid Array）：引脚排列成矩阵状，适用于计算机和通信技术。
12. PGA封装（Pin Grid Array）：引脚排列成网格状，适用于高频、高功率的应用。
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本技术公开的一种芯片组件的封装方法，属于瞬态电压抑制二极管技术领域，包括如下步骤，步骤1备芯：将一颗整流二极管芯A和一颗单向芯片组件的芯片背向串联放置，取一颗整流二极管芯B放置；步骤2纯化处理：第一次腐蚀清洗、第二次腐蚀清洗、涂粉、烧结；步骤3塑化封装：将均纯化后串联的整流二极管芯A和单向芯片组件的芯与整流二极管芯B并联，将产品放入模具注入环氧树脂，加热至160℃～162℃固化成型，取出冷却至常温；纯化处理得到的玻璃封装层，使得产品具备抵抗高温环境的特性，采用环氧树脂塑化封装得到的封装层，使得产品具备抵抗高温环境的特性下具备了抵抗环境冲击的特性。
权利要求书1.一种芯片组件的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：腐蚀清洗，首先，采用腐蚀液对芯片组件进行腐蚀处理，其次，用去离子水冲洗，再次，放入氢氧化钾液中浸泡腐蚀，最后，采用纯丙酮溶液脱水处理；步骤2：涂粉，采用玻璃粉浆涂抹在步骤1经过腐蚀清洗后的芯片组件外部形成玻璃层；步骤3：烧结，将完成步骤2的芯片组件，从常温加热并保温一段时间，取出冷却至常温，使玻璃粉浆固化形成玻璃纯化层(4)；步骤4：塑化封装，将完成步骤3的芯片组件外部包裹抗冲击的塑料材料，在对其加热固化，在所述芯片组件表面形成塑料封装层(5)。
2.如权利要求1所述的芯片组件的封装方法，其特征在于，在步骤1中，其腐蚀液为：采用氢氟酸、硝酸、硫酸、冰乙酸、磷酸按照1～1.5：1～1.2：0.98～1.02：1.5～2.5：0.98～1.02比例均匀混合而成。
3.如权利要求1所述的芯片组件的封装方法，其特征在于，在步骤1中采用腐蚀液对芯片组件进行腐蚀处理是指：腐蚀液温度控制在15℃～30℃对芯片组件进行腐蚀处理，腐蚀次数1～3次，腐蚀时间60s～120s。
4.如权利要求1所述的芯片组件的封装方法，其特征在于，在步骤2中，其玻璃粉浆为：采用40％～60％氧化锌、20％～35％三氧化二硼、7％～15％二氧化硅均混成的玻璃粉，而后取制成的玻璃粉3～4份与1.35～1.52份去离子水均匀混合成悬浮液状态。
5.如权利要求1所述的芯片组件的封装方法，其特征在于，在步骤3烧结中，将完成步骤2的芯片组件从常温缓慢加热至630℃～650℃，保温10min～15min，取出缓慢冷却至常温。
6.如权利要求5所述的芯片组件的封装方法，其特征在于，在步骤3烧结中，将完成步骤2的芯片组件从常温缓慢加热至630℃～650℃，升温速率为15～20℃/min。
7.如权利要求5所述的芯片组件的封装方法，其特征在于，在步骤3烧结中，取出缓慢冷却至常温的降温速率为≤7℃/min。
8.如权利要求1所述的芯片组件的封装方法，其特征在于，步骤4塑化封装，使用的抗冲击塑料材料为环氧树脂。
9.如权利要求1所述的芯片组件的封装方法，其特征在于，所述芯片组件包括至少一颗整流二极管芯A(1)、至少一颗单向瞬变电压抑制二极管芯(2)、至少一颗整流二极管芯B(3)，整流二极管芯A(1)负极和单向芯片组件的芯(2)负极连接，整流二极管芯B(3)正负极分别与整流二极管芯A(1)正极、单向芯片组件的芯(2)正极连接。
10.如权利要求9所述的芯片组件，其特征在于，所述整流二极管芯A(1)和单向芯片组件的芯(2)、整流二极管芯B(3)并连处，通过铅锡银焊膏涂覆后经过300℃～450℃高温焊接。
技术说明书一种芯片组件的封装方法技术领域本技术属于瞬态电压抑制二极管技术领域，涉及一种芯片组件的封装方法。
背景技术瞬态电压抑制二极管由于具备能够吸收较大的浪涌脉冲功率，并将电压箝制到预定水平，达到避免高压浪涌脉冲对器件造成损坏的效果，所以使得瞬态电压抑制二极管被广泛应用在计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、电子整流器、家用电器、仪器仪表等设备的保护电路中。
目前瞬态电压抑制二极管外部采用塑料或陶瓷或玻璃封装，由于其封装结构使得瞬态电压抑制二极管无法同时达到所需的抗高温和抗冲击的特性，容易使得瞬态电压抑制二极管在运输和使用中出现损坏。
技术内容为解决上述技术问题，本技术提供了一种芯片组件的封装方法。
本技术通过以下技术方案得以实现。
本技术提供的一种芯片组件的封装方法，包括以下步骤：步骤1备芯，将一颗整流二极管芯A和一颗单向芯片组件的芯背向串联放置，取一颗整流二极管芯B放置；步骤2纯化处理，将串联的整流二极管芯A和单向芯片组件的芯以及单独的整流二极管芯B进行纯化处理，纯化处理步骤如下，第一次腐蚀清洗，采用氢氟酸、硝酸、硫酸、冰乙酸、磷酸按照1～1.5：1～1.2：0.98～1.02：1.5～2.5：0.98～1.02比例均匀混合而成的腐蚀液，并控温在15℃～30℃对芯片组件进行腐蚀处理，腐蚀次数1～3次，腐蚀时间60s～120s，腐蚀完成后用去离子水冲洗3min～5min；第二次腐蚀清洗，第一次腐蚀清洗后的产品放入温度为80℃～95℃浓度为2％～5％的氢氧化钾液中腐蚀，时间120s～240s，腐蚀完成后采用纯丙酮溶液脱水处理；涂粉，采用40％～60％氧化锌、20％～35％三氧化二硼、7％～15％二氧化硅均混成的玻璃粉，取制成的玻璃粉3～4份与1.35～1.52份去离子水均匀混合成玻璃粉浆，涂抹在步骤1的产品形成玻璃层；烧结，将涂敷玻璃粉浆的产品，放至630℃～650℃炉内保温10min～15min，取出冷却，形成玻璃纯化层；步骤3塑化封装，将均纯化后串联的整流二极管芯A和单向芯片组件的芯与整流二极管芯B并联，将产品放入模具注入环氧树脂，加热至160℃～162℃固化成型，取出冷却至常温，形成塑料封装层。
抗冲击材料的环氧树脂，在其他条件下也可以更换成丁腈橡胶、聚酯树脂以及尼龙等抗冲击材料。
为了使得受力均与，提高产品质量，在步骤2纯化处理的涂粉步骤中，产品涂抹玻璃粉浆后呈椭圆形球体。
为了提高玻璃粉浆在受热固化时减小内部应力，提高产品质量，在步骤2纯化处理的烧结步骤中，产品加热的升温速率为15～20℃/min。
为了提高玻璃粉浆在冷却时内部应力得到完全释放，提高产品质量，在步骤2纯化处理的烧结步骤中，产品取出冷却至常温的降温速率为≤7℃/min。
为了提高接触处的导电能力，在步骤3中，串联的整流二极管芯A和单向芯片组件的芯与整流二极管芯B并联处采用铅锡银焊膏涂覆，后经过300℃～450℃高温焊接。
本技术的有益效果在于：本技术步骤2纯化处理得到的玻璃封装层，使得产品具备抵抗高温环境的特性，步骤3采用环氧树脂塑化封装得到的封装层，使得产品具备抵抗高温环境的特性下具备了抵抗环境冲击的特性总而言之，本技术较目前的同类产品，提高了产品的抗高温环境和抵抗环境冲击的特性，保证了产品在运输、贮存以及后续使用的可靠性，降低了使用本技术的设备故障率。
附图说明图1是本技术的结构示意图；图2是本技术的电路连接结构示意图。
图中：1-整流二极管芯A；2-单向芯片组件的芯；3-整流二极管芯B；4-玻璃纯化层；5-塑料封装层。
具体实施方式下面进一步描述本技术的技术方案，但要求保护的范围并不局限于所述。
实施例1如图1-2所示。
一种芯片组件的封装方法，包括以下步骤：步骤1备芯，将一颗整流二极管芯A1和一颗单向芯片组件的芯2背向串联放置，取一颗整流二极管芯B放置；步骤2纯化处理，将串联的整流二极管芯A1和单向芯片组件的芯及单独的整流二极管芯B2进行纯化处理，纯化处理步骤如下，第一次腐蚀清洗，采用氢氟酸、硝酸、硫酸、冰乙酸、磷酸按照1.5：1.2：1.02：2.5：1.02比例均匀混合而成的腐蚀液，并控温在15℃～30℃对芯片组件进行腐蚀处理，腐蚀次数1～3次，腐蚀时间120s，腐蚀完成后用去离子水冲洗5min；第二次腐蚀清洗，第一次腐蚀清洗后的产品放入温度为80℃～95℃浓度为5％的氢氧化钾液中腐蚀，时间240s，腐蚀完成后采用纯丙酮溶液脱水处理；涂粉，采用40％氧化锌、20％三氧化二硼、15％二氧化硅均混成的玻璃粉，取制成的玻璃粉4g与1.52g去离子水均匀混合，在球磨机小搅拌2h～5h小时制成玻璃粉悬浮液，采用半自动涂粉机对步骤1中的产品表面涂上玻璃粉浆，以获得椭圆形球体。
烧结，将涂敷玻璃粉浆的产品，放至低温成型炉内，以20℃/min的升温速率，加热炉内至630℃～650℃，并保温15min，取出以降温速率为4℃/min进行冷却至常温，形成玻璃纯化层4。
步骤3塑化封装，将均纯化后串联的整流二极管芯A1和单向芯片组件的芯与整流二极管芯B2并联，在线头并联处采用铅锡银焊膏涂覆，后经过300℃～450℃高温焊接，而后将产品放入模具注入环氧树脂，加热至160℃～162℃固化成型，取出冷却至常温，形成塑料封装层5。
经检测产品抵抗高温环境的特性和抗冲击合格。
实施例2如图1-2所示。
一种芯片组件的封装方法，包括以下步骤：步骤1备芯，将一颗整流二极管芯A1和一颗单向芯片组件的芯2背向串联放置，取一颗整流二极管芯B放置；步骤2纯化处理，将串联的整流二极管芯A1和单向芯片组件的芯及单独的整流二极管芯B2进行纯化处理，纯化处理步骤如下，第一次腐蚀清洗，采用氢氟酸、硝酸、硫酸、冰乙酸、磷酸按照1.25：1.12：1.01：1.85：0.98比例均匀混合而成的腐蚀液，并控温在15℃～30℃对芯片组件进行腐蚀处理，腐蚀次数1～3次，腐蚀时间120s，腐蚀完成后用去离子水冲洗3min；第二次腐蚀清洗，第一次腐蚀清洗后的产品放入温度为80℃～95℃浓度为4％的氢氧化钾液中腐蚀，时间200s，腐蚀完成后采用纯丙酮溶液脱水处理；涂粉，采用47％氧化锌、31.5％三氧化二硼、12.5％二氧化硅均混成的玻璃粉，取制成的玻璃粉3g与1.35g去离子水均匀混合，在球磨机小搅拌2h～5h小时制成玻璃粉悬浮液，采用半自动涂粉机对步骤1中的产品表面涂上玻璃粉浆，以获得椭圆形球体。
烧结，将涂敷玻璃粉浆的产品，放至低温成型炉内，以20℃/min的升温速率，加热炉内至630℃～650℃，并保温10min，取出以降温速率为6℃/min进行冷却至常温，形成玻璃纯化层4。
步骤3塑化封装，将均纯化后串联的整流二极管芯A1和单向芯片组件的芯与整流二极管芯B2并联，在线头并联处采用铅锡银焊膏涂覆，后经过300℃～450℃高温焊接，而后将产品放入模具注入环氧树脂，加热至160℃～162℃固化成型，取出冷却至常温，形成塑料封装层5。
经检测产品抵抗高温环境的特性和抗冲击合格。
实施例3如图1-2所示。
一种芯片组件的封装方法，包括以下步骤：步骤1备芯，将一颗整流二极管芯A1和一颗单向芯片组件的芯2背向串联放置，取一颗整流二极管芯B放置；步骤2纯化处理，将串联的整流二极管芯A1和单向芯片组件的芯以及单独的整流二极管芯B2进行纯化处理，纯化处理步骤如下，第一次腐蚀清洗，采用氢氟酸、硝酸、硫酸、冰乙酸、磷酸按照1：1：0.98：1.5：1比例均匀混合而成的腐蚀液，并控温在15℃～30℃对芯片组件进行腐蚀处理，腐蚀次数1～3次，腐蚀时间120s，腐蚀完成后用去离子水冲洗4min；第二次腐蚀清洗，第一次腐蚀清洗后的产品放入温度为80℃～95℃浓度为2％的氢氧化钾液中腐蚀，时间120s，腐蚀完成后采用纯丙酮溶液脱水处理；涂粉，采用60％氧化锌、35％三氧化二硼、7％二氧化硅均混成的玻璃粉，取制成的玻璃粉5g与1.515g去离子水均匀混合，在球磨机小搅拌2h～5h小时制成玻璃粉悬浮液，采用半自动涂粉机对步骤1中的产品表面涂上玻璃粉浆，以获得椭圆形球体。