瓷介电容器主要参数

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陶瓷电容器基础知识简介陶瓷电容器使用要点大全

陶瓷电容器基础知识简介陶瓷电容器使用要点大全谈论起陶瓷电容器，我们会想到电子元件器工业。

电子元件器工业在在20世纪出现并得到飞速发展，使得整个世界和人们的工作、生活习惯发生了翻天覆地的变化。

继电器、二极管、电容器、传感器等产品的出现，给我们的生活带来了极大地便利。

而电容器，顾名思义，是‘装电的容器’，是一种容纳电荷的器件。

英文名称：capacitor。

电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。

文章开篇所提到的陶瓷电容器（ceramiccapacitor；ceramiccondenser）就是用陶瓷作为电介质，在陶瓷基体两面喷涂银层，然后经低温烧成银质薄膜作极板而制成。

它的外形以片式居多，也有管形、圆形等形状。

一、陶瓷电容器基础知识简介1、陶瓷电容器是用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。

它又分高频瓷介和低频瓷介两种。

具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。

低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。

这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

高频瓷介电容器适用于高频电路。

2、陶瓷电容器又分为高频瓷介电容器和低频瓷介电容器两种。

具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡电路中，作为回路电容器。

低频瓷介电容器用在对稳定性和损耗要求不高的场合或工作频率较低的回路中起旁路或隔直流作用，它易被脉冲电压击穿，故不能使用在脉冲电路中。

高频瓷介电容器适用于高频电路。

3、陶瓷电容器有四种材质分类：这四种是：Y5V，X5R，X7R，NPO(COG)。

那么这些材质代表什么意思呢？第一位表示低温，第二位表示高温，第三位表示偏差。

Y5V表示工作在-30~+85度，整个温度范围内偏差-82%~+22%X5R表示工作在-55~+85度，整个温度范围内偏差正负15%X7R表示工作在-55~+125度，整个温度范围内偏差正负15%NPO（COG）是温度特性最稳定的电容器，电容温漂很小，整个温度范围容量很稳定，温度也是-55~125度，适用于振荡器，超高频滤波去耦，但容量一般做不大。

电容特性参数

1）名称：聚酯（涤纶）电容（CL）符号：电容量：40p--4u额定电压：63--630V主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路2）名称：聚苯乙烯电容（CB）符号：电容量：10p--1u额定电压：100V--30KV主要特点：稳定，低损耗，体积较大应用：对稳定性和损耗要求较高的电路3）名称：聚丙烯电容（CBB）符号：电容量：1000p--10u额定电压：63--2000V主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路4）名称：云母电容（CY）符号：电容量：10p--0。

1u额定电压：100V--7kV主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路5）名称：高频瓷介电容（CC）符号：电容量：1--6800p额定电压：63--500V主要特点：高频损耗小，稳定性好应用：高频电路6）名称：低频瓷介电容（CT）符号：电容量：10p--4。

7u额定电压：50V--100V主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差应用：要求不高的低频电路7）名称：玻璃釉电容（CI）符号：电容量：10p--0。

1u额定电压：63--400V主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）应用：脉冲、耦合、旁路等电路8）名称：铝电解电容符号：电容量：0。

47--10000u额定电压：6。

3--450V主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等9）名称：钽电解电容（CA）铌电解电容（CN）符号：电容量：0。

1--1000u额定电压：6。

3--125V主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容应用：在要求高的电路中代替铝电解电容10）名称：空气介质可变电容器符号：可变电容量：100--1500p主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等应用：电子仪器，广播电视设备等11）名称：薄膜介质可变电容器符号：可变电容量：15--550p主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大应用：通讯，广播接收机等12）名称：薄膜介质微调电容器符号：可变电容量：1--29p主要特点：损耗较大，体积小应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿13）名称：陶瓷介质微调电容器符号：可变电容量：0。

电容参数X5R,X7R,Y5V,COG详解(精)

电容参数：X5R，X7R，Y5V，COG 详解在我们选择无极性电容式，不知道大家是否有注意到电容的X5R，X7R，Y5V，COG等等看上去很奇怪的参数，有些摸不着头脑，本人特意为此查阅了相关的文献，现在翻译出来奉献给大家。

这类参数描述了电容采用的电介质材料类别，温度特性以及误差等参数，不同的值也对应着一定的电容容量的范围。

具体来说，就是：X7R常用于容量为3300pF~0.33uF的电容，这类电容适用于滤波，耦合等场合，电介质常数比较大，当温度从0°C 变化为70°C时，电容容量的变化为±15%；Y5P与Y5V常用于容量为150pF~2nF的电容，温度范围比较宽，随着温度变化，电容容量变化范围为±10%或者+22%/-82%。

对于其他的编码与温度特性的关系，大家可以参考表4-1。

例如，X5R的意思就是该电容的正常工作温度为-55°C~+85°C，对应的电容容量变化为±15%。

表4-1 电容的温度与容量误差编码低温高温容量变化X: -55 °C4: +65 °C A: ±1.0%Y: -30 °C5: +85 °C B: ±1.5%Z: +10 °C6: +105 °C C: ±2.2%7: +125 °C D: ±3.3%8: +150 °C E: ±4.7%9: +200 °C F: ±7.5%P: ±10%R: ±15%S: ±22%T: +22% -33%U: +22% -56%V: +22% -82%下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。

不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。

各种贴片电容容值规格参数表

各种贴片电容容值表X7R贴片电容简述X7R贴片电容属于EIA规定的Class 2类材料的电容。

它的容量相对稳定。

X7R贴片电容特性具有较高的电容量稳定性，在-55℃～125℃工作温度范围内，温度特性为±15%。

层叠独石结构，具有高可靠性。

优良的焊接性和和耐焊性，适用于回流炉和波峰焊。

应用于隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。

X7R贴片电容容量范围厚度与符号对应表NPO COG 贴片电容容量规格表默认分类 2009-07-15 16:28 阅读354 评论1字号：大大中中小小NPO(COG)贴片电容属于Class 1温度补偿型电容。

它的容量稳定，几乎不随温度、电压、时间的变化而变化。

尤其适用于高频电子电路。

具有最高的电容量稳定性，在-55℃～125℃工作温度范围内,温度特性为：0±30ppm/℃(COG）、0±60ppm/℃(COH）。

层叠独石结构，具有高可靠性。

优良的焊接性和和耐焊性，适用于回流炉和波峰焊。

应用于各种高频电路,如:振荡、计时电路等。

半导体瓷：其电气性能对外界物理条件极其敏感，可制造各种敏感元件。

比如热敏电阻，气敏电阻。

磁性瓷：即铁氧体瓷，是铁磁性氧化物。

用以制造高频或微波铁氧体器件、以及恒磁器件。

如VCD中的磁珠。

微波介质瓷：其品质因素大，频率特性好，可制作声表面波滤波器(SAWF)；陶瓷滤波器(CF)。

贴片电容的材质规格贴片电容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的材质规格，不同的规格有不同的用途。

下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。

不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是敝司三巨电子公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。

NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。

在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。

陶瓷电容耐压临界

陶瓷电容耐压临界
【原创实用版】
目录
1.陶瓷电容的耐压值
2.陶瓷电容的标识方法
3.陶瓷电容的测试方法
4.陶瓷电容的选用原则
正文
一、陶瓷电容的耐压值
陶瓷电容是一种常见的电容器类型，其耐压值是指电容器能够承受的最高电压。

一般来说，陶瓷电容的耐压值在几十到几百伏特之间。

例如，用在 220V 交变电源输入端的抗高频干扰的瓷介电容耐压值通常是 400V 左右。

二、陶瓷电容的标识方法
陶瓷电容的标识方法主要有直标法、色码表示法等。

直标法就是直接标出电容的容量和耐压值，例如，如果数字是 0.001，那它代表的是
0.001uf（1nf），如果是 10n，那么就是 10nf，同样 100p 就是 100pf。

色码表示法是通过电容引线方向上的不同颜色来表示电容量，如 350 为350pf，3 为 3pf，0.5 为 0.5pf。

三、陶瓷电容的测试方法
测试陶瓷电容的耐压值，可以使用一个带显示电压的电压调节器和一个测电流的器械。

接通后，把电压调节器从零逐渐调大，直到电容损坏，这样就可以测试出电容可以承受的最高电压。

为了提高测试结果的可靠性，可以进行多次测试。

四、陶瓷电容的选用原则
在选择陶瓷电容时，需要根据电路设计的需求来确定电容的容值、耐压值等参数。

例如，在每芯片的供电电源上，我们通常会并联一个 0.1uf 的电容，几个芯片的供电电源上并联一个 10uf 的电容，以保证芯片的可持续供电和滤掉高频杂波得到平滑的电源。

电容参数

一、电容的主要参数：1、电压1）额定电压：两端可以持续施加的电压，一般为直流电压，通常用VDC。

而专用于交流电的则为交流有效值电压，通常为V AC。

2）浪涌电压：电解电容特有的电压参数，是短时间可以承受的过电压，为额定电压的1.15倍。

3）瞬时过电压：是铝电解电容特有电压参数，为可以瞬时承受的过电压，这个浪涌电压约为额定电压的1.3倍，是铝电解电容的击穿电压。

4）介电强度：电容额定电压低于电容中介质的击穿电压。

一般为额定电压的1.5~2.5倍。

如：铝电解电容的击穿电压约为额定电压的1.3倍；其它介质则通常为1.75~2倍以上。

5）试验电压：薄膜电容在最不利条件下能够长时间承受的过电压能力，通常为1.25~1.75倍额定电压，并且在做高温度下测试。

2、电容量3、电容量的误差4、损耗因数：电容本身在工作时自身损耗的大小。

大小定义为：电容被施加交流电源时，每个周期电容产生的损耗和每个周期存储的功率之比。

5、等效串联电阻（ESR）6、温度系数：容量随温度变化的程度。

7、工作温度范围8、漏电流：介质的绝缘电阻不是无限大和介质存在缺陷（杂质）而产生。

9、寿命二、薄膜电容1、直流检测电压：在电容产品的最终检测（100%电气检测）中给出了每种规格的电容的直流检测电压，此直流电压也可以用于条件符合测试（持续时间为60S）和质量一致检测（持续时间小于2S）。

2、测试电压：指电容在出厂前的抽测电压，根据介质不同，通常为额定电压的1.25~2.5倍。

3、寿命测试电压：和温度测试一同进行测试，通常是在可施加1倍额定电压的温度上限（如85℃）条件下施加测试电压，此电压为1.25倍或1.5倍额定电压，持续500小时。

三、陶瓷介质电容1、直流介电强度/测试电压在电容产品的最终检测（100%电气检测）中给出了每种规格的电容的直流检测电压，此直流电压也可以用于条件符合测试（持续时间为60S）和质量一致检测（持续时间小于2S）。

2、对于电压低于500V的电容，第一类（高频）陶瓷介质电容的介电强度为在端子直接施加3倍额定电压；二类（低频）陶瓷介质电容的介电强度为在端子之间施加2倍额定电压，充放电流低于50mA。

1类2类3类瓷介电容

1类2类3类瓷介电容
瓷介电容是一种使用陶瓷材料作为介质的电容，根据不同的应用和性能要求，可以分为1类、2类和3类瓷介电容。

1类瓷介电容具有温度系数小、稳定性高、损耗低、耐压高等优点。

最大容量不超过1 000 pF，常用的有CC1、CC2 、CC18A、CC11、CCG等系列。

主要应用于高频电路中。

2类瓷介电容的材料的介电系数高，容量大（最大可达0.47 μF)、体积小、损耗和绝缘性能较1类的差。

广泛应用于中、低频电路中作隔直、耦合、旁路和滤波等电容器使用。

常用的有CT1、CT2、CT3等三种系列。

3类瓷介电容具有介电系数高，容量大（最大可达0.47 μF)、体积小、损耗和绝缘性能较1类的差的特点。

贴片叠层瓷介电容器(SMD贴片电容)详细介绍

北京芯联科泰电子有限公司贴片叠层瓷介电容器（SMD贴片电容）详细介绍：贴片电容全称：多层（积层，叠层）片式陶瓷电容器，也称为贴片电容，片容。

英文缩写：MLCC。

基本概述贴片电容(多层片式陶瓷电容器)是目前用量比较大的常用元件，就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。

下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。

不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册尺寸贴片电容的尺寸表示法有两种，一种是英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位来表示，贴片电容的系列型号有0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、2010、2225、2512，是英寸表示法， 04 表示长度是0.04 英寸，02 表示宽度0.02 英寸，其他类同型号尺寸（mm）英制尺寸公制尺寸长度及公差宽度及公差厚度及公差0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.050603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.100805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.20 1.00±0.20 1.25±0.201206 3216 3.00±0.30 1.60±0.20 0.70±0.20 1.00±0.20 1.25±0.201210 3225 3.00±0.30 2.54±0.30 1.25±0.30 1.50±0.301808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.001812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.502225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.503035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00命名贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用的材质、要求达到的精度、要求的电压、要求的容量、端头的要求以及包装的要求。

多层陶瓷电容器

容量与温度关系图 1
20 COG
0
X7R -20
容量变化（%）
-40
Z5U
-60
-100
-50
0
50
温度（℃）
100
150
福州欧中电子有限公司
2
Tel:(0591)87871172/182 Fax:87809119
Email: eurocn@
福州欧中电子有限公司
1
Tel:(0591)87871172/182 Fax:87809119
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多层陶瓷电容器介质电特性
多层陶瓷电容器基本原理
电极
介质
±10% P ±15% R +22-56% U +22-82% V
介质分类
陶瓷电容一般是以其温度系数作为主要分类。 Class I - 一类陶瓷（超稳定）EIA 称之为 COG 或 NPO。工作温度范围 -55℃~+125℃，容量变化不超过±30ppm/℃。电容温度变化时，容值很稳定，被称作具有温度补偿功能，适用于要求容值在温度变化范围内稳定和高 Q 值的线路以及各种谐振线路。
端头
t
A
电容量的公式为： C = NKA/t
式中： C = 电容量 N = 电极层数 K = 介质常数（K 值） A = 相对电极覆盖面积 t = 电极间距（介质厚度）
采用多层技术生产陶瓷电容便可以实现大容量小体积的需求，增大 N（增加层数）便可增大容量。反观单层的电容，N 始终是 1，若再要提高容量，必定采用高 K 值（降低稳定性能）、增加 A（增大体积）或降低 t（降低耐电压能力）。
LCD 逆变器应用- FB9 系列..………………………………....................................……...........................31

瓷片电容识别及型号参数

瓷片电容识别及型号参数
瓷片电容识别及型号参数是电子行业中非常重要的一环。

瓷片电容是由一层瓷片和两层铜箔制成，其中瓷片中间空出一个容积，用以提高电容量。

瓷片电容的识别和型号参数可以通过多种方式来确定，如直接查看电容器的外形尺寸，查看标签上的型号参数，或者使用电子测试仪进行测试。

瓷片电容的外形尺寸可以根据电容器的外形尺寸来确定，比如圆形、方形或其他特殊形状，以及电容器的直径、厚度等参数。

此外，电容器的标签上也会标明电容器的型号参数，如电容量、额定电压、额定温度等。

最后，还可以使用电子测试仪进行测试，以确定电容器的容量、额定电压、额定温度等参数。

瓷片电容识别及型号参数是电子行业中重要的一环，可以通过多种方式来确定，如查看外形尺寸、查看标签上的型号参数，或者使用电子测试仪进行测试。

射频微波多层片式瓷介电容器

容量（pF）
9.1 10 11 12 15 18 20 22 24 27 30 33 36 39 43 47 20 22 24 27 30 33 36 39 43 47 51 56 62 68 75 82 91 100
18
射频、微波多层片式瓷介电容器
产品型号： CC41Q 质量等级： G、J 通用规范： GJB192A-1998《有可靠性指标的无包封多层片式瓷介电容器总规范》 QZJ840624 《瓷介电容器“七专”技术条件》提供报告： G：A 组检验、C 组检验、交收报告。 J：A 组检验、交收报告。
150
C、J、 K、M
执行详细规范
Q/QYL20070-2009 Q/QYL20072-2010
CC41Q
射频、微波多层片式瓷介电容器
F、G、J、 K、M
1111
B B、C
尺寸代号 L W Tmin Tmax
0402
1.00±0.15 0.50±0.10
0505
1.40±0.64 1.40±0.38 0.51
三层电镀、银 / 镍 / 锡铅三层电镀、银 /镍/锡三层电镀、铜 /镍/锡
1R3 1R4 1R5 1R6 1R7 1R8 1R9 2R0 2R1 2R2 2R4 2R7 3R0 3R3 3R6 3R9 4R3
200
F、G、 J、K、M
431 471 511 561 621 681 751 821 911 102
容量（pF）
2.0 2.2 2.4 2.7 3.0 3.3 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 2.7 3.0 3.3 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 10 11 12 15 18 3.3 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 10 11 12 15 18 20 22 24 27

电容器参数大全

电容器电容器通常简称其为电容，用字母C表示。

电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。

定义2：电容器，任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体（包括导线）间都构成一个电容器。

相关公式电容器的电势能计算公式：E=CU^2/2=QU/2多电容器并联计算公式：C=C1+C2+C3+…+Cn多电容器串联计算公式：1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn三电容器串联C=(C1*C2*C3)/(C1*C2+C2*C3+C1*C3)标称电容量和允许偏差标称电容量是标志在电容器上的电容量。

在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F,常用的电容单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)(皮法又称微微法)等，换算关系是：1法拉(F)= 1000毫法(mF)＝1000000微法(μF) 1微法(μF)= 1000纳法(nF)= 1000000皮法(pF)。

容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法：1m=1000 μF 1P2=1.2PF 1n=1000PF数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。

三位数字的前两位数字为标称容量的有效数宇，第三位数宇表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。

如：102表示标称容量为1000pF。

221表示标称容量为220pF。

224表示标称容量为22x10(4)pF。

在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数宇乘上10的-1次方来表示容量大小。

如:229表示标称容量为22x(10-1)pF=2.2pF。

允许误差±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%如：一瓷片电容为104J表示容量为0.1 μF、误差为±5%。

CC1型1类瓷介电容器(GB5971-86) - POLY ASIA …

温度快速变化耐焊接热后
后
在标称容量及
电容量允许偏差范围 ≤0.5%或 0.5PF ≤1%或 1PF
内
损耗角正 0.0015 其余详见
——
——
切
国标
绝缘电阻 ≥10000MΩ
——
——
气候顺序后稳态湿热后耐久性后温度循环后
≤2%或 1PF ≤2%或 1PF ≤3%或 1PF
≤0.3%或 0.05PF
根部涂料截止引线内弯中心处
4.8 以下 11max
2.5max 根部涂料截止第一道外弯中心 4.8 以下 11max
CC1 型 1 类瓷介电容器（GB5971-86） ■尺寸及引线形式示意
■特性
●气候类别：55/085/21 ●可靠性等级：L（置信度 60%） ●可提供“普军”、“七专”、“七专加严”等质量等级产品。
5.1 6.8 22 7.5
27 30 15 15 24 68 24 5.0 0.5 2.5
12 18 36 20 20 43 47 33 33 100 120 75 6.3
0.6
63 22 30 75 33 33 91 91 62 62 200 240 200 8.0
5.0
或
33 47 120 51 51 150 150 100 100 300 390 360 10.0 0.8
1、1 类瓷介电容器
5、温度系数及偏差代号
2、额定直流电压
6、标称容量
3、尺寸代号
7、允许偏差
4、引线形式
■基本尺寸及技术参数
型号及
额定直流
最大标称电容量（PF）电容温度系数组别
AG
CG
NG
PG

介电陶瓷常数

这类参数描述了电容采用的电介质材料类别，温度特性以及误差等参数，不同的值也对应着一定的电容容量的范围。

具体来说，就是：X7R常用于容量为3300pF~0.33uF的电容，这类电容适用于滤波，耦合等场合，电介质常数比较大，当温度从0°C变化为70°C时，电容容量的变化为±15%；Y5P与Y5V常用于容量为150pF~2nF的电容，温度范围比较宽，随着温度变化，电容容量变化范围为±10%或者+22%/-82%。

对于其他的编码与温度特性的关系，大家可以参考表4-1。

例如，X5R的意思就是该电容的正常工作温度为-55°C~+85°C，对应的电容容量变化为±15%。

表4-1 电容的温度与容量误差编码下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。

不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。

NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。

在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。

所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。

一 NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。

它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。

NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。

在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。

NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。

其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。

NPO 电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。

(整理)电容的功能分类和主要特性参数

电容功能分类介绍名称：聚酯（涤纶）电容（CL）符号：电容量：40p--4μ额定电压：63--630V主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路名称：聚苯乙烯电容（CB）符号：电容量：10p--1μ额定电压：100V--30KV主要特点：稳定，低损耗，体积较大应用：对稳定性和损耗要求较高的电路名称：聚丙烯电容（CBB）符号：电容量：1000p--10μ额定电压：63--2000V主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路名称：云母电容（CY）符号：电容量：10p--0.1μ额定电压：100V--7kV主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路名称：高频瓷介电容（CC）符号：电容量：1--6800p额定电压：63--500V主要特点：高频损耗小，稳定性好应用：高频电路名称：低频瓷介电容（CT）符号：电容量：10p--4.7μ额定电压：50V--100V主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差应用：要求不高的低频电路名称：玻璃釉电容（CI）符号：电容量：10p--0.1μ额定电压：63--400V主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）应用：脉冲、耦合、旁路等电路名称：铝电解电容(CD)符号：电容量：0.47--10000μ额定电压：6.3--450V主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等名称：钽电解电容（CA）铌电解电容（CN）符号：电容量：0.1--1000μ额定电压：6.3--125V主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容应用：在要求高的电路中代替铝电解电容名称：空气介质可变电容器符号：可变电容量：100--1500p主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等应用：电子仪器，广播电视设备等名称：薄膜介质可变电容器符号：可变电容量：15--550p主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大应用：通讯，广播接收机等名称：薄膜介质微调电容器符号：可变电容量：1--29p主要特点：损耗较大，体积小应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿名称：陶瓷介质微调电容器符号：可变电容量：0.3--22p主要特点：损耗较小，体积较小应用：精密调谐的高频振荡回路名称：独石电容容量范围：0.5PF--1ΜF耐压：二倍额定电压。

电容器主要参数、基本公式以及参数计算!

电容器主要参数、基本公式以及参数计算！电容器主要参数、基本公式以及参数计算！电容器的主要参数有标称电容量和容差、额定电压、绝缘电阻、损耗率，这些参数主要由电容器中的电介质决定。

电容器产品标出的电容量值。

云母和陶瓷介质电容器的电容量较低(大约在5000pF以下);纸、塑料和一些陶瓷介质形式的电容器居中(大约在0.005μF ~1.0μF);通常电解电容器的容量较大。

电容器主要参数1、标称电容量和容差标称电容量是标在电容器上的电容量。

电容器实际电容量与标称电容量的偏差称容差。

某一个电容器上标有220nJ，表示这个电容器的标称电容量为220nF，实际电容量应220nF±5%之内，此处J表示容量误差为±5%。

若J改为K，表示误差为±10%;改为M表示误差为±20%。

2、额定电压在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值，一般直接标注在电容器外壳上，如果工作电压超过电容器的耐压，电容器击穿，造成不可修复的永久损坏。

3、绝缘电阻理想的电容器，在其上加有直流电压时，应没有电流流过电容器，而实际上存在有微小的漏电流。

直流电压除以漏电流的值，即为电容器的绝缘电阻。

其典型值为100 MΩ到10000MΩ。

现在CL11、CBB22等塑料薄膜电容器的绝缘电阻值可达到5000MΩ以上。

电容器的绝缘电阻是一个不稳定的电气参数，它会随着温度、湿度、时间的变化而变化。

绝缘电阻越大越好。

4、损耗率电容器的损耗率是电容器一周期内转化成热能的能量与它的平均储能的比率，通常用百分数表示。

电容器转化成热能的能量主要由介质损耗的能量和电容所有的电阻所引起的能量损耗，在直流电场的作用下，电容器的损耗以漏电阻损耗的形式存在，一般较小，在交变电场的作用下，电容的损耗不仅与漏电阻有关，而且与周期性的极化建立过程有关。

电容的技术参数及命名

常用电容技术参数值大全常用电容技术参数值大全：1、陶瓷电容器用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。

它又分高频瓷介和低频瓷介两种。

具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。

低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。

这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

高频瓷介电容器适用于高频电路。

2、铝电解电容器用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成，薄的化氧化膜作介质的电容器.因为氧化膜有单向导电性质,所以电解电容器具有极性.容量大，能耐受大的脉动电流，容量误差大，泄漏电流大；普通的不适于在高频和低温下应用,不宜使用在25kHz以上频率低频旁路、信号耦合、电源滤波。

电容量：0.47～10000u额定电压：6.3～450V主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等3、钽电解电容器（CA）铌电解电容（CN）用烧结的钽块作正极,电解质使用固体二氧化锰温度特性、频率特性和可靠性均优于普通电解电容器，特别是漏电流极小，贮存性良好，寿命长，容量误差小，而且体积小，单位体积下能得到最大的电容电压乘积对脉动电流的耐受能力差，若损坏易呈短路状态超小型高可靠机件中。

电容量：0.1～1000u额定电压：6.3～125V主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容应用：在要求高的电路中代替铝电解电容4、薄膜电容器结构与纸质电容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质频率特性好，介电损耗小不能做成大的容量，耐热能力差滤波器、积分、振荡、定时电路。

a 聚酯（涤纶）电容（CL）电容量：40p～4u额定电压：63～630V主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路b 聚苯乙烯电容（CB）电容量：10p～1u额定电压：100V～30KV主要特点：稳定，低损耗，体积较大应用：对稳定性和损耗要求较高的电路c 聚丙烯电容（CBB）电容量：1000p～10u额定电压：63～2000V主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路5、瓷介电容器穿心式或支柱式结构瓷介电容器，它的一个电极就是安装螺丝。

常见电容值

常见电容值【单位pF】39 P 43 P 47 P 51 P 56 P 62 P 68 P 75 P 82 P 91 P100 P 120 P 150 P 180 P 200 P 220 P 240 P 270 P 300 P 330 P360 P 390 P 470 P 560 P 620 P 680 P 750 P【单位nF】1.0 1.2 1.5 1.82.2 2.73.3 3.94.75.6 10 15 18 22 27 33 39 56 68 82【单位uF】0.1 0.15 0.22 0.33 0.47 1.0 (1.5) 2.2常用电容技术参数值大全：1、陶瓷电容器用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。

它又分高频瓷介和低频瓷介两种。

具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。

低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。

这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

高频瓷介电容器适用于高频电路。

电容器的主要电气参数讲解

电容器的主要电气参数有哪些？字体: 小中大| 上一篇| 下一篇发布: 06-07 15:47 作者: 本站整理来源: 互联网查看: 34次电容器主要电气规格:1. 电容量Capacitance: 一般电解电容器的电容量范围为0.47uF-10000uF, 测试频率为120Hz. 塑料薄膜电容器的电容量范围为0.001uF-0.47uF, 测试频率为1KHz. 陶瓷电容器T/C type的电容量范围为1 pF-680pF, 测试频率为1MHz. Hi-K type的电容量范围为100pF-0.047uF, 测试频率为1KHz. S/C type的电容量范围为0.01uF-0.33uF.2. 电容值误差Tolerance: 一般电解电容器的电容值误差范围为M 即+/-20%, 塑料薄膜电容器为J即+/-5%或K即+/-10%, 或M即+/-20%三种, 陶瓷电容器T/C type为C即+/-0.25pF (10pF以下时), 或D即+/-0.5pF (10pF以下时), 或J或K四种. Hi-K type 及S/C type为K或M或Z即+80/-20%三种.3. 损失角即D值: 一般电解电容器因为内阻较大故D值较高, 其规格视电容值高低决定, 为0.1-0.24以下. 塑料薄膜电容器则D值较低, 视其材质决定为0.001-0.01以下. 陶瓷电容器视其材质决定, Hi-K type 及S/C type为0.025以下. T/C type其规格以Q值表示需高于400-1000. (Q值相当于D值的倒数)4. 温度系数Temperature Coefficient: 即为电容量受温度变化改变之比例值, 一般仅适用于陶瓷电容器. T/C type其常用代号为CH或NPO 即为+/-60ppm, UJ即为-750+/-120ppm, SL即为+350+/-1000ppm. Hi-K type (Z)及S/C type (Y), 其常用代号为B (5P)即为+/-10%, E (5U)即为+20/-55%, F (5V)即为+30/-80%.5. 漏电流量Leakage current: 此为电解电容器之特定规格, 一般以电容器本身额定电压加压3 Min后, 串接电流表测试, 其漏电流量需在0.01CV ( uF电容量值与额定电压相乘积) 或3uA以下(取其较大数值). 特定低漏电流量使用(Low leakage type) 则其漏电流量需在0.002CV或0.4uA以下.6. 冲击电压Surge Voltage: 一般以电容器本身额定电压之1.3倍电压加压, 需工作正常无异状.7. 使用温度范围: 一般电解电容器的使用温度范围为-25℃至+85℃, 特定高温用或低漏电流量用者为-40℃至+105℃. 塑料薄膜电容器为-40℃至+85℃. 陶瓷电容器T/C type为-40℃至+85℃, Hi-K type 及S/C type为-25℃至+85℃.度知道：如何选择电容字体: 小中大| 上一篇| 下一篇发布: 03-14 09:01 作者: 本站整理来源: 互联网查看: 1047次如何选择电容悬赏分：10-解决时间：2006-5-16 08:56在构建一个有相位差的电路中，根据电工原理知道，电流流过电容C后产生90度的相位滞后，而电阻不会。