用霍尔效应法测磁场分布
霍尔效应实验和霍尔法测量磁场
DH-MF-SJ 组合式磁场综合实验仪使用说明书一、概述DH-MF-SJ组合式磁场综合实验仪用于研究霍尔效应产生的原理及其测量方法，通过施加磁场 , 可以测出霍尔电压并计算它的灵敏度，以及可以通过测得的灵敏度来计算线圈附近各点的磁场。
二、主要技术性能1、环境适应性：工作温度10 ～ 35℃；相对湿度 25 ～ 75%。
2、通用磁学测试仪2.1可调电压源： 0～15.00V、 10mA；2.2可调恒流源： 0～5.000mA 和 0～9.999mA可变量程，为霍尔器件提供工作电流，对于此实验系统默认为0-5.000mA 恒流源功能；2.3电压源和电流源通过电子开关选择设置，实现单独的电压源和电流源功能；2.4电流电压调节均采用数字编码开关；2.5数字电压表： 200mV、2V 和 20V 三档，4 位半数显，自动量程转换。
3、通用直流电源3.1 直流电源，电压0～30.00V 可调；电流 0～1.000A 可调；3.2 电流电压准确度： 0.5%±2 个字；3.3 电压粗调和细调，电流粗调和细调均采用数字编码开关。
4、测试架4.1底板尺寸： 780*160mm；4.2载物台尺寸： 320*150mm，用于放置螺线管和双线圈测试样品；4.3螺线管：线圈匝数 1800 匝左右 , 有效长度 181mm，等效半径 21mm；4.4双线圈：线圈匝数1400 匝( 单个 ) ，有效直径 72mm，二线圈中心间距 52mm；下表为电流与磁感应强度对应表( 双个线圈通电 ) ：电流值（ A）0.10.20.30.40.5中心磁感应强度（ mT） 2.25 4.50 6.759.0011.254.5移动导轨机构：水平方向 0～60cm可调；垂直方向 0～36cm可调，最小分辨率 1mm；5、供电电源： AC 220V± 10%，总功耗： 60VA。
三、仪器构成及使用说明DH-MF-SJ组合式磁场综合实验仪由实验测试台、双线圈、螺线管、通用磁学测试仪、通用直流电源以及测试线等组成。
霍尔效应法测量螺线管磁场分布
霍尔效应法测量螺线管磁场分布霍尔效应法测量螺线管磁场分布1879年美国霍普金斯大学研究生霍尔在研究载流导体在磁场中受力性质时发现了一种电磁现象，此现象称为霍尔效应，半个多世纪以后，人们发现半导体也有霍尔效应，而且半导体霍尔效应比金属强得多。
近30多年来，由高电子迁移率的半导体制成的霍尔传感器已广泛用于磁场测量和半导体材料的研究。
用于制作霍尔传感器的材料有多种:单晶半导体材料有锗，硅；化合物半导体有锑化铟，砷化铟和砷化镓等。
在科学技术发展中，磁的应用越来越被人们重视。
目前霍尔传感器典型的应用有：磁感应强度测量仪(又称特斯拉计)，霍尔位置检测器，无接点开关，霍尔转速测定仪，100A-2000A大电流测量仪，电功率测量仪等。
在电流体中的霍尔效应也是目前在研究中的“磁流体发电”的理论基础。
近年来，霍尔效应实验不断有新发现。
1980年德国冯·克利青教授在低温和强磁场下发现了量子霍尔效应，这是近年来凝聚态物理领域最重要发现之一。
目前对量子霍尔效应正在进行更深入研究，并取得了重要应用。
例如用于确定电阻的自然基准，可以极为精确地测定光谱精细结构常数等。
通过本实验学会消除霍尔元件副效应的实验测量方法，用霍尔传感器测量通电螺线管内激励电流与霍尔输出电压之间关系，证明霍尔电势差与螺线管内磁感应强度成正比；了解和熟悉霍尔效应重要物理规律,证明霍尔电势差与霍尔电流成正比；用通电长直通电螺线管轴线上磁感应强度的理论计算值作为标准值来校准或测定霍尔传感器的灵敏度，熟悉霍尔传感器的特性和应用；用该霍尔传感器测量通电螺线管内的磁感应强度与螺线管轴线位置刻度之间的关系，作磁感应强度与位置刻线的关系图，学会用霍尔元件测量磁感应强度的方法.实验原理1．霍尔效应霍尔元件的作用如图1所示.若电流I 流过厚度为d 的半导体薄片，且磁场B 垂直作用于该半导体,则电子流方向由于洛伦茨力作用而发生改变，该现象称为霍尔效应，在薄片两个横向面a 、b 之间与电流I ，磁场B 垂直方向产生的电势差称为霍尔电势差.霍尔电势差是这样产生的：当电流I H 通过霍尔元件（假设为P 型）时，空穴有一定的漂移速度v ，垂直磁场对运动电荷产生一个洛仑兹力)(B v q F B⨯= （1）式中q 为电子电荷，洛仑兹力使电荷产生横向的偏转，由于样品有边界，所以偏转的载流子将在边界积累起来，产生一个横向电场E ，直到电场对载流子的作用力F E ＝qE 与磁场作用的洛仑兹力相抵消为止，即qE B v q =⨯)( （2）这时电荷在样品中流动时不再偏转，霍尔电势差就是由这个电场建立起来的。
根据霍尔效应测磁场的几种方法归纳总结
根据霍尔效应测磁场的几种方法归纳总结霍尔效应是一种常用于测量磁场强度的物理现象。
通过研究霍尔效应，人们发展出了多种方法来测量磁场。
本文将对根据霍尔效应测磁场的几种方法进行归纳总结。
1. 霍尔元件法：霍尔元件是一种基于霍尔效应原理的传感器。
当电流通过霍尔元件时，磁场会引起霍尔电压的产生。
通过测量霍尔电压的大小，可以确定磁场的强度。
霍尔元件法是一种简单而常用的测磁场方法。
霍尔元件法：霍尔元件是一种基于霍尔效应原理的传感器。
当电流通过霍尔元件时，磁场会引起霍尔电压的产生。
通过测量霍尔电压的大小，可以确定磁场的强度。
霍尔元件法是一种简单而常用的测磁场方法。
2. 霍尔传感器法：与霍尔元件法相似，霍尔传感器也是基于霍尔效应原理的传感器。
不同之处在于，霍尔传感器一般具有更高的灵敏度和更广的工作范围。
它可以通过将霍尔传感器放置在需要测量的磁场中，并测量其输出电压来确定磁场的强度。
霍尔传感器法：与霍尔元件法相似，霍尔传感器也是基于霍尔效应原理的传感器。
不同之处在于，霍尔传感器一般具有更高的灵敏度和更广的工作范围。
它可以通过将霍尔传感器放置在需要测量的磁场中，并测量其输出电压来确定磁场的强度。
3. 霍尔探针法：霍尔探针是一种用于测量磁场强度的工具。
它通常由霍尔元件和测量电路组成。
通过将霍尔探针置于磁场中，并测量输出电压，可以得到磁场的强度值。
霍尔探针法在磁场测量和磁场分布研究中得到广泛应用。
霍尔探针法：霍尔探针是一种用于测量磁场强度的工具。
它通常由霍尔元件和测量电路组成。
通过将霍尔探针置于磁场中，并测量输出电压，可以得到磁场的强度值。
霍尔探针法在磁场测量和磁场分布研究中得到广泛应用。
4. 霍尔效应测试仪：霍尔效应测试仪是一种专门用于测量磁场强度的设备。
它通常具有较高的精度和稳定性。
通过将样品放置在霍尔效应测试仪中，仪器可以直接测量并显示磁场的强度值。
霍尔效应测试仪一般用于科研、工业生产等领域。
霍尔效应测试仪：霍尔效应测试仪是一种专门用于测量磁场强度的设备。
利用霍尔效应测磁场
（5）
即 ＝ ，测出 值即可求 。
3．霍尔效应与材料性能的关系
根据上述可知，要得到大的霍尔电压，关键是要选择霍尔系数大（即迁移
率高、电阻率亦较高）的材料。因
，就金属导体而言，迁移率和电阻率
均很低，而不良导体电阻率虽高，但迁移率极小，因而这两种材料的霍尔系数
都很小，不能用来制造霍尔器件。半导体迁移率高，电阻率适中，是制造霍尔
相等，样品两侧电荷的积累就达 到动态平衡，故有
（1）
（a）
（b）
设试样的宽为b，厚度为d，
图1 霍尔效应实验原理示意图
载流子浓度为n ，则
（a）载流子为电子（N型）；（b）载流子为空穴（P型）
（2）
由（1）、（2）两式可得：
（3）
比例系数 RH
1 ne
称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。
只要测出 （伏）以及知道 （安）、（高斯）和 （厘米）可按下式计算
（厘米3／库仑）：
（4）
2．霍尔系数与其它参数间的关系
根据 可进一步确定以下参数：
（1）由 的符号（或霍尔电压的正负）判断样品的导电类型。判别的
方法是按图1所示的 和 的方向，若测得的
即 点电位高于
点的电位，则 为负，样品属N型；反之则为P型。
1
（２）由RH求载流子浓度n。即 n RH e 。应该指出，这个关系式是假定 所有载流子都具有相同的漂移速度得到的，严格一点，如果考虑载流子
的速度统计分布，需引入 3 的修正因子（可参阅黄昆、谢希德著《半
导体物理学》）。
8
（3）结合电导率的测量，求载流子的迁移率 。电导率 与载流子浓度 n以及迁移率 之间有如下关系：
【实验目的】
霍尔效应法测量磁场
霍尔效应测磁场霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应。
1879年美国霍普金斯大学研究生霍尔在研究金属导电机理时发现了这种电磁现象，故称霍尔效应。
后来曾有人利用霍尔效应制成测量磁场的磁传感器，但因金属的霍尔效应太弱而未能得到实际应用。
随着半导体材料和制造工艺的发展，人们又利用半导体材料制成霍尔元件，由于它的霍尔效应显著而得到实用和发展，现在广泛用于非电量的测量、电动控制、电磁测量和计算装置方面。
在电流体中的霍尔效应也是目前在研究中的“磁流体发电”的理论基础。
近年来，霍尔效应实验不断有新发现。
1980年原西德物理学家冯·克利青研究二维电子气系统的输运特性，在低温和强磁场下发现了量子霍尔效应，这是凝聚态物理领域最重要的发现之一。
目前对量子霍尔效应正在进行深入研究，并取得了重要应用，例如用于确定电阻的自然基准，可以极为精确地测量光谱精细结构常数等。
在磁场、磁路等磁现象的研究和应用中，霍尔效应及其元件是不可缺少的，利用它观测磁场直观、干扰小、灵敏度高、效果明显。
【实验目的】1．霍尔效应原理及霍尔元件有关参数的含义和作用2．测绘霍尔元件的V H—Is，了解霍尔电势差V H与霍尔元件工作电流Is、磁感应强度B之间的关系。
3．学习利用霍尔效应测量磁感应强度B及磁场分布。
4．学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
【实验原理】霍尔效应从本质上讲，是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
如图13-1所示，磁场B位于Z的正向，与之垂直的半导体薄片上沿X正向通以电流Is（称为工作电流），假设载流子为电子（N型半导体材料），它沿着与电流Is相反的X负向运动。
由于洛仑兹力f L作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的B侧偏转，并使B侧形成电子积累，而相对的A侧形成正电荷积累。
霍尔效应法测量磁场
实验3.7 霍尔效应法测量磁场随着电子技术的不断发展，霍尔器件越来越得到广泛的应用。
霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段，而且，随着实验电子技术的进展，利用该效应制成的霍尔器件，由于结构简单、频率响应宽（高达10GHz）、寿命长、可靠性高等优点，已广泛用于非电量电测、自动控制和信息处理等方面。
置于磁场中的载流体，如果电流方向与磁场垂直，则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场，这个现象是霍普金斯大学研究生霍尔于1879年在研究载流导体载磁场中受力性质时发现的一种电磁现象，后被称为霍尔效应。
【实验目的】1．了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔器件对材料要求的知识。
2．掌握测试霍尔元件的工作特性的方法。
3．学习用霍尔效应测量磁场的方法。
4．学习用“对称测量法”消除副效应的影响。
5．描绘霍尔元件试样的V H− I S和V H− I M曲线。
6．学习用霍尔元件测绘长直螺线管的轴向磁场分布，描绘B - X曲线。
【实验原理】1．霍尔效应法测量磁场原理霍尔效应从本质上讲是指运动的带电粒子在磁场中受洛伦兹力作用而引起偏转的现象。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固定材料中时，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场。
对于图3-20所示的半导体试样，若在X方向通以电流I S ，在Z方向加磁场B，则在Y方向即试样A、A' 方向电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的附加电场—霍尔电场，电场的指向取决于试样的导电类型。
图3-20 霍尔效应法测量磁场原理显然，该电场阻止载流子继续向侧面偏移，当载流子所受到的横向电场力eE H与洛伦兹力相等时，样品两侧电荷的积累就达到平衡，故有eE H （3-44）v eB其中H E 为霍尔电场，v 是载流子在电场方向上的平均漂移速度。
设试样的宽度为b ，厚度为d ，载流子浓度为n ，则bd v ne I S = （3-45）由式（3-44）和式（3-45）可得dB I R d BI ne b E V S H S H H ===1（3-46） 即霍尔电压V H （A 、A ′电极之间的电压）与I S B 乘积成正比，与试样厚度d 成反比。
磁场分布测量实验报告
磁场分布测量实验报告一、实验目的本实验旨在测量磁场的分布情况，了解磁场的特性和规律，掌握磁场测量的基本方法和技术。
二、实验原理磁场的测量通常使用霍尔效应传感器。
霍尔效应是指当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差。
通过测量这个电势差，可以计算出磁场的强度。
在本次实验中，将霍尔传感器沿着特定的路径移动，测量不同位置的磁场强度，从而得到磁场的分布情况。
三、实验仪器1、霍尔效应磁场测量仪2、直流电源3、导轨4、探头5、数据采集系统四、实验步骤1、搭建实验装置将导轨水平放置，并确保其平稳。
将霍尔传感器探头安装在导轨上，使其能够沿导轨自由移动。
2、连接仪器将霍尔传感器与数据采集系统连接。
将直流电源与霍尔传感器连接，提供稳定的电流。
3、校准仪器进行零点校准，消除仪器本身的误差。
4、测量磁场分布沿导轨缓慢移动探头，在不同位置记录磁场强度的数据。
5、数据记录仔细记录每个测量点的位置和对应的磁场强度值。
五、实验数据以下是测量得到的磁场强度与位置的数据：｜位置（cm）｜磁场强度（mT）｜｜｜｜｜0|50|｜1|48|｜2|45|｜3|42|｜4|38|｜5|35|｜6|32|｜7|28|｜8|25|｜9|22|｜10|20|六、数据处理与分析1、绘制磁场分布曲线以位置为横坐标，磁场强度为纵坐标，绘制曲线。
从曲线可以看出，磁场强度随着距离的增加而逐渐减小，呈现出一定的衰减趋势。
2、分析磁场分布规律观察曲线的形状和变化趋势，可以初步判断磁场的分布特点。
在本实验中，磁场的衰减较为均匀，可能是由于磁场源的分布较为均匀。
七、误差分析1、仪器误差霍尔传感器本身存在一定的精度限制，可能导致测量结果的偏差。
2、环境干扰周围的电磁场可能对测量结果产生干扰。
3、操作误差在移动探头的过程中，可能存在移动速度不均匀或者位置不准确的情况，影响数据的准确性。
八、实验结论通过本次实验，我们成功测量了磁场的分布情况。
霍尔效应和霍尔效应法测量螺线管线圈内的磁场
霍尔效应和霍尔效应法测量螺线管线圈内的磁场霍尔效应是一种基于磁场和电场相互作用的物理现象，它可用于测量导体片中的电子浓度、电荷密度和磁场强度等参数。
在实际应用中，霍尔效应主要用于测量磁场强度，特别是在研究电流传输和电子器件中的磁场分布时。
常用的测量方法是通过将霍尔片置于磁场中，测量霍尔电压的大小和方向来确定磁场强度及其方向。
在测量螺线管线圈内的磁场时，最常用的方法是采用霍尔效应法。
测量时，将一个霍尔片置于螺线管线圈的中心，使其与磁场垂直。
当螺线管中有电流流过时，会产生一个稳定的磁场，霍尔片中的电子受磁场作用会分布在霍尔片表面，从而形成一个电荷层。
由于霍尔片的电阻极小，因此当磁场作用在电子上时，电子在霍尔片内部形成的电场可以产生一个微小的电压，即霍尔电压。
霍尔电压的大小与磁场强度成正比，并且具有极高的精度和稳定性，因此可以用来测量螺线管线圈内的磁场强度及其方向。
在实际应用中，霍尔效应法的测量精度受到许多因素的影响，例如霍尔片的材料、尺寸和温度等因素，以及测量电路的噪声和干扰等因素。
因此，在进行霍尔效应法测量时，需要采取一系列的措施来减小误差，提高测量精度。
一些工业和科研领域使用螺线管制造强磁场，例如MRI设备，核磁共振仪器以及磁力计等。
在这些设备中，螺线管的磁场强度和分布对设备的性能和精度有着重要的影响。
因此，对螺线管中磁场的测量具有重要的意义。
在螺线管中测量磁场时，使用霍尔效应法具有许多优点，例如测量精度高、对磁场分布的敏感性强、不需要接触对象、测量过程简便等。
但是，在实际应用中还需要考虑到许多不同的因素，例如霍尔片的选取、测量电路的搭建、磁场的影响等。
只有在全面考虑这些因素的情况下，才能够保证测量结果的准确性和可靠性。
磁场分布的实验观测
磁场分布的实验观测磁场是一种特殊的物理现象，它对物体的运动和电流产生影响。
为了研究磁场的特性和分布规律，科学家们进行了许多实验观测。
本文将介绍一些常见的实验方法和观测结果，以期深入了解磁场的本质。
一、霍尔效应实验霍尔效应实验是一种常用的实验手段，用于研究磁场的产生和分布。
该实验基于霍尔效应的现象，即在垂直于电流方向的磁场作用下，导体中会出现电势差。
通过测量电势差和电流的关系，可以确定磁场的强度和方向。
在实验中，我们可以采用如下步骤进行观测：1. 准备实验材料：导体样品（通常使用金属片）、电源、磁铁、电压表等。
2. 搭建实验装置：将导体样品置于磁铁旁，使其垂直于磁场方向。
将电压表连接到导体的两端，并接通电源。
3. 调整实验参数：通过改变电流和磁场的强度，使得电势差达到最大值。
记录下此时的电势差和电流强度。
4. 测量数据分析：根据记录的电势差和电流强度数据，可以得到磁场的强度和方向。
通过多次实验观测，我们可以绘制出磁场分布的图像，进一步了解磁场的特性和空间分布规律。
二、磁力线实验磁力线实验是另一种常见的研究磁场分布的方法。
通过绘制和观测磁力线，我们可以直观地了解磁场的形态和分布情况。
实验中，我们可以使用如下步骤进行观测：1. 准备实验材料：磁铁、铁屑（或细砂）、透明平板等。
2. 搭建实验装置：将透明平板放置在磁铁附近，使其与磁场垂直。
在平板上均匀撒上铁屑或细砂。
3. 实施实验观测：观察铁屑或细砂的运动情况，注意磁力线的分布形态。
可以通过调整磁铁的位置和方向，进一步调查磁场的变化情况。
通过实验观测和数据记录，我们可以得到磁力线的形状和分布情况。
这些数据对揭示磁场的基本特性和分布规律非常重要。
三、磁场感应实验磁场感应实验是研究磁场的产生和分布的重要手段之一。
它基于法拉第电磁感应现象，通过观测感应电流和磁感应强度的关系，得出磁场的特性和分布规律。
在实验中，可以按照以下步骤进行观测：1. 准备实验材料：线圈、磁铁、电流表、电压表等。
利用霍尔效应测磁场霍尔利用效应霍尔效应测量磁场
利用霍尔效应测磁场霍尔利用效应霍尔效应测量磁场
霍尔效应是指在一定条件下，在导体中沿流动方向施加交变电场时，会在导体内产生电压，这种电压称为霍尔电压。
霍尔效应可以用来测量磁场强度，也可以用于磁场方向的检测和测量。
霍尔效应的原理是：当一个导体带电子流时，由于磁场的作用，电子将发生偏转，使得带有电荷的侧面与另一侧相比有电荷分布的不均匀性。
这样，电流就会在电荷不平衡区域内施加一个电场，这个电场与磁场相垂直，因此就会产生一种称为霍尔电位差的电势差。
霍尔电势差具有如下的特点：
1. 与导体中的电流强度和方向、磁场的强度和方向有关。
2. 与导体的材质和尺寸有关。
3. 在一定温度下保持不变。
利用霍尔效应测磁场的方法一般是：在一个带有导电层的锡烯片上，布置一个恒定的电流，使电流垂直于锡烯片的面板。
当这个锡烯片处于磁场中时，由于磁场的作用，电子流将发生侧向偏转，形成了电荷不平衡的区域，从而会产生一个电压，这个电压就是霍尔电势差。
这个电压的大小正比于锡烯片的电流强度和磁场的强度，与电流方向和磁场方向成正比例和反比例关系。
因此，可以测量霍尔电势差，然后根据其大小来推导出磁场的强度和方向。
霍尔效应在电子技术中有广泛的应用，例如：在集成电路中，可以利用霍尔效应来检测物体的位置、速度和方向；在机器人技术中，也可以利用霍尔效应来测量机器人的位置和朝向等。
此外，霍尔效应还可以用于制备陀螺仪、磁场传感器、匀速电机等。
总之，霍尔效应是电子技术中一项重要的研究内容，具有广泛的应用价值。
实验十一用霍尔效应法测定螺线管轴向磁感应强度分布
实验十一用霍尔效应法测定螺线管轴向磁感应强度分布一、实验目的1、掌握测试霍尔器件的工作特性；2、学习用霍尔效应测量磁场的原理和方法；3、学习用霍尔器件测绘长直螺线管的轴向磁场分布。
二、实验仪器TH-S型螺线管磁场测定实验组合仪。
图11-1三、实验原理1、霍尔效应法测量磁场原理把一半导体薄片放在磁场中，并使片面垂直于磁场方向，如在薄片纵向端面间通以电流，那么，在薄片横向端面间就产生一电势差，这种现象叫做霍尔效应，所产生的电势差叫做霍尔电压，用以产生霍尔效应的半导体片称为霍尔元件。
霍尔效应是由于运动的电荷在磁场中受到洛伦兹力的作用而产生的，如图(11-1)所示，当电子以速率v沿X轴的反方向从霍尔元件的N端面向M端面运动时，电子所受到的沿Z轴方向、强度为B的磁场的作用力为f B=-evB （11-1）式中e为电子电量的绝对值。
f B为电子受到的洛伦兹力，它使电子发生偏移，从而在霍尔元件的P端面聚积起正电荷，在S端面积聚起负电荷，于是在P、S端面间就形成一个电场E H ，称为霍尔电场。
霍尔电场又将产生阻碍电子偏移的电场力f E ，当电子所受到的电场力与磁场力达到动态平衡时，有f E = f B 或 eE H = evB （11-2） 其中v 为电子的漂移速度。
这时，电子将沿X 轴的反方向运动，但此时已在P 端面和S 端面间形成一个电势差V H ，这就是霍尔电压。
设元件的宽度为b ，厚度为d ，电子浓度为n ，则通过霍尔元件的电流为 I=-nevbd（11-3）由(11-2)和(11-3)式可得dIBR d IB ne b E V H H H ==⋅=1 （11-4）即霍尔电压与IB 乘积成正比，与元件厚度d 及电子浓度n 成反比，故采用半导体材料做霍尔元件，并切割得很薄(约0.2mm 左右)。
其中比例系数neR H 1-= 称为霍尔系数，若令 -H K ned =1， 则 V H =K H IB （11-5） 式中K 为霍尔元件的灵敏度，其值已标在仪器上，它表示该器件在单位工作电流和单位磁感应强度下输出的霍尔电压，它的单位取I 为mA 、B 为KGS 、V H 为mV ，则K H 的单位为mV/（mA .KGS ）。
利用霍尔效应测定空间的磁场分布
利用霍尔效应测定空间磁场分布【摘要】： 本文利用霍尔效应在一定的励磁电流和霍尔电流下测得霍尔片在不同X 或Y 值时的霍尔电压，同时通过“对称测量法”消除霍尔电压中的各种副效应。
从而得到单边X(Y)方向的磁场分布。
关键词：励磁电流、霍尔电流、霍尔电压、对称测量法。
【引言】：霍尔效应是一种磁电效应，是霍普经斯大学研究生霍尔于1879年发的。
这种现象的产生主要是由于通电半导体中的载流子在受到洛伦兹力的作用下，产生偏转形成横向电场即霍尔电场。
霍尔电场产生的电场力与洛伦兹力相反，它使得载流子继续堆积，直到霍尔电场力与洛伦兹力相等，这时片子两边形成一个稳定的电压（霍尔电压），由霍尔电压和磁场的线性关系可知，通过测量元件两端的电影可以得到空间磁场分布。
【实验原理】一：从本质上来说霍尔效应是运动的带电粒子在磁场中受到洛仑兹力的作用而发生偏转。
当在半导体试样通以电流时，由于正负电荷手里方向相反，从而在垂直电流和磁场的方向产生横向电场，形成霍尔电压。
形成的电场如图所示。
从图中可以看出电荷所受的电场力和洛伦兹力方向相反，当两者处于动态平衡时：1H H H H H I BI B V E b S ne d d=== （1）其中H V 为霍尔电压，B 为外磁场，d 为霍尔厚度，1H S ne=为霍尔系数。
由（1）知：在恒定霍尔电流H V 与B 是成正比的。
⇒ H H H V S I B =或 HH HV B d V S = (2) 二：在测量霍尔电时会伴随着各种副效应：1）：因为不等势电压0V 只与电流的方向有关，所以可以通过改变H I 的方向来予以消除。
XYZ２）：温差电效应E V 引起的附加电压，因为H E V V >>所以可以省略。
３）：热效应引起的附加电压N V 只与Ｂ的方向有关，所以可以通过改变Ｂ的方向来消除。
４）：热磁效应引起的附加电压RL V 也只与Ｂ的方向有关，所以也可以通过改变Ｂ的方向来消除。
用霍尔效应法测磁场分布
用霍尔效应法测磁场分布实验十四用霍尔效应法测磁场分布测量磁场有许多方法，如霍尔效应法、感应法、冲击法和核磁共振法等。
选用什么方法取决于被测磁场的类型和强弱。
本实验主要介绍霍尔效应法。
它具有测量原理和方法简单、探头体积小、测量敏捷，并能直接连续读数等优点。
利用霍尔效应还可制成测量磁场的特斯拉计（又称高斯计），可测量半导体材料参数等。
[实验目的]1. 了解利用霍尔效应法测量磁场的原理以及有关霍尔器件对材料要求的知识。
2. 学习用"对称测量法"消除副效应的影响，测试霍尔器件的和曲线。
3. 测试螺线管内部的B-X（水平磁场分布）曲线。
[实验原理]1．霍尔效应将通有电流的半导体薄片置于匀强磁场中，如图14-1所示。
如果电流I沿X方向，磁场B沿Z方向，则在y方向上的两截面（M，N）间就会有电位差出现，这种现象是霍尔在1879年发现的，故称霍尔效应。
横向电位差VH称为霍尔电压。
该半导体薄片称为霍尔元件。
霍尔效应是运动载流子（电子或空穴）在磁场中受到洛仑兹力的作用而产生的。
2．霍尔电压VH与外磁场B的关系（特斯拉计原理）若霍尔元件为宽l,厚h的N型半导体，如图14-1（a）所示。
设电子的电荷为e ，速度为v，它在磁场中受到的洛仑兹力Fm= - ev×B,并指向M面，造成电子流发生偏转，而有部分电子聚积于M面上，使M，N之间建立了电场E，该电场又对电子具有反方向的静电力Fe=eE，随着电子向M侧继续积累，该电场也逐渐增强。
直到Fe= - Fm，达到平衡，在M，N间形成稳定的霍尔电场EH。
于是在霍尔片M，N间产生一稳定的电位差VH，此即为霍尔电压。
这时：- eEH = Fe = - Fm = ev×BEH = -v×B当三者互相垂直时，霍尔电场为 EH = vB并指向y轴负向。
在M，N间产生的霍尔电压为VH = l EH = lv B设该片电子浓度为n，则有I = nevlh所以霍尔电压为 (14-1)式中称为霍尔系数，它决定于材料的性质（种类、截流子浓度等）；称为霍尔灵敏度，它决定于材料的性质和几何尺寸，对于确定的霍尔片来说它是一个常数，现常用单位是mV/(mA·kGs),或mV/(mA·T)。
5.霍尔效应测量磁场 实验报告
霍尔效应测量螺线管磁场实验时间：2020年9月8日周二一、实验目的1、了解霍尔效应原理2、测绘霍尔元件的Vh-Is，Vh-I曲线，了解霍尔电势差Vh与霍尔元件工作电流Is，励磁电流I之间的关系及计算霍尔元件的灵敏度KHo3、利用霍尔效应测量螺线管磁场分布。
4、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
二、实验原理1、霍尔效应运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而偏转。
当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
如图1所示，磁场B位于Z的正向，与之垂直的半导体薄片上沿X正向通以工作电流厶，假设载流子为电子(N型半导体材料)，它沿着与电流人相反的X负向运动。
洛伦兹力用矢量式表示为：f L =-e V• B式中e为电子电量，诺为电子运动平均速度，B为磁感应强度。
由于洛伦兹力内的作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的B侧偏转，并使B侧形成电子积累，而相对的A侧形成正电荷积累。
与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力左的作用。
随着电荷积累量的增加，队增大,当两力大小相等(方向相反)时,则电子积累便达到动态平衡。
这时A、B两端面之间建立的电场称为霍尔电场％,相应的电势差称为霍尔电势V H。
电场作用于电子的力为：即霍尔电压与Is，B的乘积成正比，与霍尔元件的厚度成反比，比例系数称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。
当霍尔元件的厚度确定时，设：K H=R H /d = 1/ned(6)则(5)式可表示为：V H=K H I S B(7)K H称为霍尔元件的灵敏度，它表示霍尔元件在单位磁感应强度和单位工作电流下的霍尔电压大小，其单位是［V/A-T}, 一般要求K"愈大愈好。
由于金属的电子浓度n很高，所以它的或K H都不大，因此不适宜作霍尔元件。
此外元件厚度d愈薄，V H愈高,所以制作时，往往釆用减少d的办法来增加灵敏度。
霍尔效应测量磁场实验报告
霍尔效应测量磁场实验报告霍尔效应测量磁场实验报告引言：霍尔效应是指当电流通过导体时，垂直于电流方向的磁场会引起导体中的电荷分布不均匀，从而产生电势差。
这一效应在磁场测量中有着广泛的应用。
本实验旨在通过使用霍尔效应测量磁场的方法，了解霍尔效应的原理，并通过实验验证霍尔效应的可行性。
实验仪器和材料：1. 霍尔效应测量仪2. 磁铁3. 电源4. 导线5. 铜片实验步骤：1. 将霍尔效应测量仪连接到电源上，确保电源正常工作。
2. 将磁铁放置在霍尔效应测量仪的一侧，使其产生一个均匀的磁场。
3. 将铜片固定在测量仪的另一侧，使其与磁场垂直。
4. 调整电源的电流大小，记录下相应的电势差值。
5. 移动磁铁的位置，重复步骤4，记录不同位置下的电势差值。
6. 根据记录的数据，绘制出电势差与磁场强度的关系曲线。
实验结果：根据实验数据绘制的曲线显示，电势差与磁场强度之间存在线性关系。
随着磁场强度的增加，电势差也随之增加。
这一结果与霍尔效应的原理相符。
讨论：在本实验中，我们利用霍尔效应测量了磁场的强度。
霍尔效应的基本原理是，当导体中的电荷受到磁场的作用时，会在导体内部产生一个电势差。
通过测量这个电势差，我们可以间接地得到磁场的强度。
在实验中，我们使用了铜片作为导体。
铜具有良好的电导率和热导率，因此非常适合用于霍尔效应的测量。
通过调整电流大小和移动磁铁的位置，我们可以得到不同磁场强度下的电势差值。
通过绘制电势差与磁场强度的关系曲线，我们可以得到一个直观的结果。
实验结果显示，电势差与磁场强度之间存在线性关系。
这一结果与霍尔效应的原理相符。
根据霍尔效应的数学表达式，电势差与磁场强度之间的关系应该是线性的。
因此，我们的实验结果验证了霍尔效应的可行性。
结论：通过本实验，我们成功地利用霍尔效应测量了磁场的强度。
实验结果显示，电势差与磁场强度之间存在线性关系，这与霍尔效应的原理相符。
因此，我们可以得出结论，霍尔效应是一种可靠的测量磁场的方法。
霍尔法测磁场实验报告
一、实验目的1. 理解霍尔效应的基本原理和测量磁场的应用。
2. 掌握霍尔元件的结构和工作原理。
3. 学会用霍尔元件测量磁场的强度和分布。
4. 了解实验过程中的注意事项和数据处理方法。
二、实验原理霍尔效应是指当电流垂直通过一个置于磁场中的导体或半导体时，会在垂直于电流和磁场的方向上产生电压差。
这个电压差称为霍尔电压，其大小与电流、磁感应强度和导体（或半导体）的厚度有关。
霍尔电压的计算公式为：\[ U_H = B \cdot I \cdot d \cdot K_H \]其中：- \( U_H \) 为霍尔电压；- \( B \) 为磁感应强度；- \( I \) 为通过导体的电流；- \( d \) 为导体厚度；- \( K_H \) 为霍尔系数，与导体的材料有关。
通过测量霍尔电压，我们可以计算出磁感应强度，从而实现对磁场的测量。
三、实验仪器与设备1. 霍尔效应实验仪2. 直流稳流电源3. 毫伏电压表4. 霍尔元件5. 磁场发生器6. 磁场探测线圈7. 导线四、实验步骤1. 按照实验仪器的说明，连接好电路，确保霍尔元件处于磁场中。
2. 调节直流稳流电源，使通过霍尔元件的电流保持恒定。
3. 打开磁场发生器，产生待测磁场。
4. 读取毫伏电压表的读数，记录霍尔电压。
5. 改变磁场的方向，重复步骤4，记录霍尔电压。
6. 改变磁场的强度，重复步骤4和5，记录霍尔电压。
7. 利用公式 \( B = \frac{U_H}{I \cdot d \cdot K_H} \) 计算磁感应强度。
五、实验结果与分析1. 通过实验，我们得到了不同磁场强度下的霍尔电压数据。
2. 根据霍尔电压和电流、霍尔系数等参数，计算出了相应的磁感应强度。
3. 通过对比实验数据，我们发现霍尔电压与磁感应强度之间存在良好的线性关系。
六、实验讨论1. 实验过程中，霍尔元件的安装位置和角度对实验结果有较大影响。
因此，在实验过程中要确保霍尔元件正确放置。
霍尔效应法测量磁场
5.将将Is和Im调到最小，断开三个闸刀开关，关闭电源拆线收拾仪器。
数据处理及误差计算（报告）：8.007.006.005.004.003.002.001.000.001.002.003.004.005.006.007.001.81.61.41.210.80.60.40.20.1000.2000.3000.4000.5000.600原始实验数据粘贴处实验结果分析：1、当霍尔电压保持恒定，改变励磁电流时，测量得到的霍尔电压随励磁电流的增加而增加，通过作图发现二者之间也满足线性关系。
2、2、当励磁电流保持恒定，改变霍尔电流时，测量得到的霍尔电压随霍尔电流的增加而增加，通过作图发现二者之间满足线性关系。
问题讨论：1、霍耳元件为什么要用半导体材料，而且要求做得很薄？霍尔电压是如何产生的？答：半导体材料的迁移率高，电阻率适中，是制造霍耳器件较理想的材料。
2、工作电流和磁场为什么要换向？实际操作时如何实现？答：为了把产生霍耳效应的时候所伴随的副效应的影响从测量的结果中消除。
实际操作时通过切换实验仪三组双刀开关改变电流和磁场的方向。
3、回答SI、MI、HU、U分别表示什么含义？SI、MI的作用分别是什么？答：SI表示样品工作电流；MI表示励磁电流；HU表示存在磁场时的霍耳电压；U表示在零磁场下的霍耳电压。
SI的作用是改变电流大小和方向，MI的作用是改变磁场的大小及方向。
4、霍耳效应有哪些应用？答：在现代汽车上广泛应用的霍尔器件有：在分电器上作信号传感器、ABS系统中的速度传感器、汽车速度表和里程表、液体物理量检测器、各种用电负载的电流检测及工作状态诊断、发动机转速及曲轴角度传感器。
5、如何精确测量霍耳电压？本实验采用什么方法消除各种附加电压？答：设法消除产生霍尔效应时伴随的多种副效应。
本实验采用电流和磁场换向的所谓对称测量法。
6、磁场不恰好与霍耳片的法线一致，对测量结果有何影响？答：磁场不与霍尔片垂直，只有其法向分量能起作用，即霍尔片产生的霍尔电压会减小。
用霍尔元件测螺线管轴线磁场分布-精选文档
新型螺线管磁场测定仪—电 源 mA
数字电流表
ON
数字电压表
mV
+
励磁恒流输出
2.4V~2.6V
4.8V~5.2V
+
电压输入
上海复旦天欣科教仪器有限公司
2 K2 K1 0
1
V+和V- :给霍 尔元件提供 工作电流
V_
3 2 1
集成霍耳元件
V+ VOUT
外接2.500V 补偿电压
位置读数
Vout和V- :输 出霍尔电压
调节励 磁电流
K2
2 K1 0
1
显示霍尔 元件输出 电压.
V_
集成霍耳元件
3 2 1
V+ VOUT
位置读数
集成霍尔元件
霍尔元件位置读数
双刀换向开关K2 用于改变励磁电 流的方向.
实验内容：仪器调节
二. 将霍尔元件的工作电流调节为标准工作电流 断开开关K2，使集成霍耳传感器处于零磁场条件下. 将开关K1指向位置1，调节4.8V—5.2V电源输出电压，使 数字电压表显示的“Vout” 和“V-”间的电压为2.500V，此 时集成霍尔元件达到标准化工作状态，即流过霍尔元件的 电流为标准工作电流，且剩余电压恰好补偿，V0=0V. 三. 对传感器输出的2.500V电位差进行补偿 K2仍断开，保持V+和V-电压不变，把开关K1指向2，调节 2.4V—2.6V的外接补偿电压，使数字电压表在mV档的示 值为0，即用一个外接2.500V电位差对传感器输出的 2.500V电位差进行补偿，以便可直接读出V’ .
VOUT
实验内容：仪器调节
一. 需连接以下电路:
连接给螺线管提供励磁电流的电路. 连接给霍尔元件提供工作电流(IS)的电路. 连接输出霍尔电压的电路. 连接外接补偿电压(2.500V)的电路.
霍尔效应法测磁场实验报告
竭诚为您提供优质文档/双击可除霍尔效应法测磁场实验报告篇一：物理实验报告3_利用霍尔效应测磁场实验名称：利用霍耳效应测磁场实验目的：a．了解产生霍耳效应的物理过程；b．学习用霍尔器件测量长直螺线管的轴向磁场分布；c．学习用“对称测量法”消除负效应的影响，测量试样的Vh?Is和Vh?Im曲线；d．确定试样的导电类型、载流子浓度以及迁移率。
实验仪器：Th－h型霍尔效应实验组合仪等。
实验原理和方法：1.用霍尔器件测量磁场的工作原理如下图所示，一块切成矩形的半导体薄片长为l、宽为b、厚为d，置于磁场中。
磁场b垂直于薄片平面。
若沿着薄片长的方向有电流I通过，则在侧面A和b间产生电位差Vh?VA?Vb。
此电位差称为霍尔电压。
半导体片中的电子都处于一定的能带之中，但能参与导电的只是导带中的电子和价带中的空穴，它们被称为载流子。
对于n型半导体片来说，多数载流子为电子；在p型半导体中，多数载流子被称为空穴。
再研究半导体的特性时，有事可以忽略少数载流子的影响。
霍尔效应是由运动电荷在磁场中收到洛仑兹力的作用而产生的。
以n型半导体构成的霍尔元件为例，多数载流子为电子，设电子的运动速度为v，则它在磁场中收到的磁场力即洛仑兹力为Fm??ev?bF的方向垂直于v和b构成的平面，并遵守右手螺旋法则，上式表明洛仑兹力F的方向与电荷的正负有关。
自由电子在磁场作用下发生定向便宜，薄片两侧面分别出现了正负电荷的积聚，以两个侧面有了电位差。
同时，由于两侧面之间的电位差的存在，由此而产生静电场，若其电场强度为ex，则电子又受到一个静电力作用，其大小为Fe?eex电子所受的静电力与洛仑兹力相反。
当两个力的大小相等时，达到一种平衡即霍尔电势不再变化，电子也不再偏转，此时，ex?bV两个侧面的电位差Vh?exb由I?nevbd及以上两式得Vh?[1/(ned)]Ib其中：n为单位体积内的电子数；e为电子电量；d为薄片厚度。
令霍尔器件灵敏度系数则Vh?IsVh?KhIb若常数Kh已知，并测定了霍尔电动势Vh和电流I就可由上式求出磁感应强度b的大小。
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[实验目的]
1. 了解利用霍尔效应法测量磁场的原理以及有关霍尔器件对材料要求的知识。
2. 学习用"对称测量法"消除副效应的影响，测试霍尔器件的和曲线。
3. 测试螺线管内部的B-X（水平磁场分布）曲线。
[实验原理]
1．霍尔效应
将通有电流的半导体薄片置于匀强磁场中，如图14-1所示。如果电流I沿X方向，磁场B沿Z方向，则在y方向上的两截面（M，N）间就会有电位差出现，这种现象是霍尔在1879年发现的，故称霍尔效应。横向电位差VH称为霍尔电压。该半导体薄片称为霍尔元件。
+ B , + IS VMN= V1
- B , + IS VMN = V2
- B , -IS VMN= V3
- eEH = Fe = - Fm = ev×B
EH = -v×B
当三者互相垂直时，霍尔电场为 EH = vB并指向y轴负向。在M，N间产生的霍尔电压为
VH = l EH = lv B
设该片电子浓度为n，则有I = nevlh
所以霍尔电压为 (14-1)
4．霍尔电压的正确测量
在产生霍尔效应的同时，因伴随着各种副效应，以致实验测得的M、N两极间的电压并不等于真实的霍尔电压VH值，而是包含各种副效应所引起的附加电压，因而必须设法消除。根据副效应产生的机理可知，采用电流和磁场换向的对称测量法，基本上可以将副效应的影响从测量结果中消除。即在规定了电流和磁场的正、反方向后，分别测量由下列四组不同方向的Is和B组合的VMN（M、N两点的电位差）：
+ B , - IS VMN= V4
然后求出V1、V2、V3、V4的代数平均值。
（14- 4）
相关副效应产生的机理，详见附录。
（4） 置"测量选择"于IS档（放键）,电流表所示的值可随"IS调节"旋钮顺时针转动而增大，其变化范围是0-10mA, 此时电压表所示读数为"不等势"电压值，它随IS增大而增大，IS换向，VH极性改号(此乃"不等势"电压值，可通过"对称测量法"予以消除)。
（5） 置"测量选择"于IM档（按键）,电流表所示的值可随"IM调节"旋钮顺时针转动而增大，其变化范围是0-1A, 此时电压表所示读数随IM增大而增大，IM换向，VH极性改号(其绝对值随IM流向不同而异，此乃副效应而致，可通过"对称测量法"予以消除)。至此，应将"IM调节"旋钮置零位（逆时针旋到底）。
保持IS值不变（取IS=8. 00mA），保持IM值不变（取IM=0.800A），调节螺线管中标尺，，改变霍尔片在磁场中的水平位置，依次测量+IS, +B；+IS,－B；－IS,－B； －IS, +B数据，将实验测量结果记入表14-3中。
[注意事项]
1、 样品各电极引线与对应的双刀开关之间的连线已由制造厂连接好，请勿再动！
2、 记下样品的相关参数（N、KH）。
3、 用毫米方格纸绘出VH-IS曲线、VH-IM曲线。
4、 绘出B-X曲线（水平磁场分布），并根据理论公式B=μ0NIM，求出B的理论值，计算百分误差。
[思考题]
1、 霍尔电压是如何形成的？它的极性与磁场电流方向（或载流子浓度）有什么关系？
2、 如何观察不等位效应？如何消除它？
3、测绘VH-IM曲线
保持IS值不变（取IS=8. 00mA），改变IM的值，IM取值范围为0.300-1.00A，依次测量+IS, +B；+IS,－B；－IS,－B； －IS, +B数据，同时保证霍尔片位置X=14.0cm。将实验测量结果记入表14-2中。
4、测绘B-X曲线（水平磁场分布）
3．热磁效应直接引起的附加电压因器件两端电流引线的接触电阻不等，通电后在接触点两处将产生不同的焦尔热，导致在x方向有温度梯度，引起载流子沿梯度方向扩散而产生热扩散电流，见图14-4。热流在z方向磁场作用下，类似于霍耳效应在Y方向上产生一附加电场，相应的电压，而的符号只与的方向有关，与的方向无关。因此可通过改变的方向予以消除。
2、 ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ绘VH-IS曲线
将测试仪的"功能切换"置VH，IS和IM换向开关掷向上方，表明IS及IM均为正值（即IS沿X轴方向，IM沿Y轴方向）。反之，则为负。保持IM值不变（取IM=0.800A），改变IS的值，IS取值范围为4.00-10.00mA，此时保证霍尔片位置X=14.0cm，依次测量+IS, +B；+IS,－B；－IS,－B；－IS, +B数据,将实验测量值记入表14-1中。
3、 测量过程中哪些量要保持不变？为什么？
4、 换向开关的作用原理是什么？测量霍尔电压时为什么要接换向开关？
5、 IS可否用交流电源（不考虑表头情况）？为什么？
[附录]霍尔器件中的副效应及其消除方法
1．不等势电压
这是由于测量霍耳电压的电极A和A'位置难以做到在一个理想的等势面上，因此当有电流通过时，即使不加磁场也会产生附加的电压＝，其中r为A、A'所在的两个等势面之间的电阻（如图14-2 所示）。的符号只与电流的方向有关，与磁场的方向无关，因此，可以通过改变的方向予以消除。
式中称为霍尔系数，它决定于材料的性质（种类、截流子浓度等）；称为霍尔灵敏度，它决定于材料的性质和几何尺寸，对于确定的霍尔片来说它是一个常数，现常用单位是mV/(mA·kGs),或mV/(mA·T)。
由式（14-1）可知，对于选定的霍尔元件其n,e,h为定值，即KH值为已知。若测得通过霍尔元件的控制电流IS和相应的VH值，即可求出霍尔元件所处外磁场的磁感应强度B，即
表14-3：测绘B-X实验曲线数据记录表 IS=8. 00mA IM=0. 800A
X1
（cm） X2
（cm） X
（cm） V1(mV) V2(mV) V3(mV) V4(mV) （mV） B
（KGS） +IS +B +IS －B －IS －B －IS +B 14.0 14.0 28.0 14.0 13.5 27.5 14.0 13.0 27.0 14.0 12.5 26.5 14.0 12.0 26.0 14.0 9.0 23.0 14.0 6.0 20.0 14.0 3.0 17.0 14.0 0.0 14.0 11.0 0.0 11.0 8.0 0.0 8.0 5.0 0.0 5.0 2.0 0.0 2.0 1.5 0.0 1.5 1.0 0.0 1.0 0.5 0.0 0.5 0.0 0.0 0.0
(14-2)
反之，若B已知，测得了IS与相应的VH值，即可测定该霍尔片的灵敏度KH，即
(14-3)
[实验仪器]
TH-S型螺线管磁场测定实验组合仪
[实验内容]
1、 掌握仪器性能，连接测试仪与实验仪各组之间的连线
（1） 开关机前，测试仪的"IS调节"和"IM调节"旋钮均置零位（即逆时针旋到底）。
（2） 连接测试仪和实验仪之间各组的连线。
（3） 接通电源，预热几分钟，电流表显示".000"（当按下"测量选择"键时）或"0.00"（放开"测量选择"键时），电压表显示为"0.00"。
若对选定的霍尔片，保持通过它的控制电流IS值不变，则霍尔电压VH与被测磁感应强度B成正比。若将测得的VH值进行放大，用电表来指示，并通过一定的换算而在电表的表盘上直接以B值来标度，这样就制成了特斯拉计。
3．半导体材料导电类型的确定
霍尔电压还与载流子电荷的正负号有关。载流子若为电子，RH为负值，则VH<0；反之，载流子为空穴，RH为正值，则VH>0。若实验中能测出I、B的方向，就可以判断VH的正负，决定霍尔系数的正负，从而判别出半导体的导电类型。N型半导体的RH为负值，P型半导体的RH为正值。
2、 严禁将测试仪的励磁电源"IM输出"误接到实验仪的"IS输入"处。否则，一旦通电，霍尔样品即遭损坏！霍尔片性脆易碎，电极甚细，严防撞击，或用手去摸，否则，即遭损坏！霍尔片放置在电磁铁空隙中间，在需要调节霍尔片位置时，必须谨慎，切勿随意调Y轴的高度，以免霍尔片与磁极面摩擦而受损。
3、 改变霍尔片在螺线管中的水平位置时，可以调节并排两根长度相同的标尺。
表14-2：测绘VH-IM实验曲线数据记录表 IS=8. 00mA X=14.0cm
IM（A） V1(mV) V2(mV) V3(mV) V4(mV) +IS +B +IS －B －IS －B －IS +B 0.300 0.400 0.500 0.600 0.700 0.800 0.900 1.000
[数据处理]
1、 数据记录参考表
表14-1：测绘VH-IS实验曲线数据记录表 IM=0.800A X=14.0cm
IS（mA） V1(mV) V2(mV) V3(mV) V4(mV) +IS +B +IS －B －IS －B －IS +B 4.00 5.00 6.00 7.00 8.00 9.00 10.00
2．温差电效应引起的附加电压
如图14-3所示，由于构成电流的载流子速度不同，若速度为的载流子所受的洛伦兹力与霍耳电场力的作用刚好抵消，则速度大于或小于的载流子在电场和磁场作用下，将各自朝对立面偏转，从而在y方向引起温差，由此产生的温差电效应。在A、A'电极上引入附加电压，且，其符号与和的方向与是相同的，因此不能用改变和方向的方法予以消除，但其引入的误差很小，可以忽略。