模拟电子技术基础考试试题答案

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模拟电子技术基础测试题及参考答案

模拟电子技术基础测试题及参考答案

模拟电子技术基础测试题及参考答案一、选择题1. 下列哪种器件是一种双极型晶体管?(A)锗二极管(B)硅二极管(C)三极管(D)场效应晶体管答案:C2. 在放大电路中,下列哪种反馈方式可以使放大倍数增加?(A)电压反馈(B)电流反馈(C)串联反馈(D)并联反馈答案:A3. 下列哪种电路可以实现交流信号的放大?(A)rc电路(B)lc振荡电路(C)放大电路(D)整流电路答案:C4. 下列哪种元件在放大电路中起到稳定放大倍数的作用?(A)电容器(B)电阻器(C)电感器(D)晶体管答案:D5. 下列哪种电路可以实现信号的整流?(A)放大电路(B)整流电路(C)滤波电路(D)振荡电路答案:B6. 在整流电路中,下列哪种元件可以实现全波整流?(A)二极管(B)三极管(C)晶闸管(D)grt答案:A7. 下列哪种电路可以实现信号的滤波?(A)rc电路(B)lc振荡电路(C)放大电路(D)整流电路答案:A8. 在滤波电路中,下列哪种元件可以实现低通滤波?(A)电容器(B)电阻器(C)电感器(D)晶体管答案:C9. 下列哪种电路可以实现信号的转换?(A)放大电路(B)整流电路(C)滤波电路(D)振荡电路答案:D10. 在振荡电路中,下列哪种元件可以起到决定振荡频率的作用?(A)电容器(B)电阻器(C)电感器(D)晶体管答案:C二、填空题1. 晶体管的三个极分别是发射极、基极和_______极。

答案:集电极2. 放大电路的输入电阻较大,输出电阻较小,这样可以使得输入信号的电压得到_______放大。

答案:有效3. 放大电路中,反馈分为电压反馈和电流反馈,其中电压反馈可以使放大倍数_______。

答案:增加4. 整流电路的作用是将交流信号转换为_______信号。

答案:直流5. 滤波电路的作用是去除信号中的_______分量。

答案:高频6. 振荡电路的作用是产生_______信号。

答案:稳定三、简答题1. 请简述双极型晶体管的工作原理。

《模拟电子技术基础》习题参考答案

《模拟电子技术基础》习题参考答案

《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题:1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。

2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流,它由少数载流子形成,其大小决定于温度,而与外电场无关。

3.PN结的P型侧接高电位,N型侧接低电位称为正向偏置(正偏),反之称为反向偏置(反偏)。

4.PN结最重要的特性是单向导电性,它是一切半导体器件的基础。

在NPN型三极管中,掺杂浓度最大的是发射区。

5.晶体三极管因偏置条件不同,有放大、截止、饱和三种工作状态。

6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。

7.工作在放大区的晶体管,当IB 从10μA增大到20μA,IC从1mA增大到2mA,它的β为100,α为1。

8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时,就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区,而使输出信号的波形产生失真。

9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏,则可判断出x、y、z分别为三极管的集电(C)极、基(B)极、发射(E)极。

10.一只晶体管在放大电路中,用万用表测出管脚对地电压分别是:A脚为12伏,B脚为11.7伏,C脚为6伏,则该管为PNP型锗管,A为发射(E)极,B为基(B)极,C为集电(C)极。

11.稳压二极管工作在反向击穿区,主要用途是稳压。

12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态,而二极管导通时是处于正向偏置状态。

13.晶体管电流放大系数是频率的函数,随着频率的升高而下降。

共基极电路比共射极电路高频特性好。

14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区:分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。

15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。

16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级,与负载相连接的末级放大电路称为输出级,它们之间的放大电路称为中间级。

17.某放大电路空载输出电压为4V,接入3KΩ负载后,输出电压变为3V,该放大电路的输出电阻为1KΩ。

模拟电子技术基础答案完整版

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模拟电子技术基础答案第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ,而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。

2、当PN 结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。

当外加反向电压时,扩散电流 小于 漂移电流,耗尽层 变宽 。

3、在N 型半导体中,电子为多数载流子, 空穴 为少数载流子。

二.判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子,N 型半导体中含有大量电子载流子,所以P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。

( × )2、在N 型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P 型半导体。

( √ )3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。

(× )4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。

( × )5、PN 结在无光照无外加电压时,结电流为零。

( √ )6、温度升高时,PN 结的反向饱和电流将减小。

( × )7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将变宽。

(× )三.简答题1、PN 结的伏安特性有何特点?答:根据统计物理理论分析,PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。

式中,I D 为流过PN 结的电流;I s 为PN 结的反向饱和电流,是一个与环境温度和材料等有关的参数,单位与I的单位一致;V为外加电压; VT=kT/q ,为温度的电压当量(其单位与V 的单位一致),其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810,电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=,则)V (2.11594TV T =,在常温(T=300K )下,V T =25.875mV=26mV 。

当外加正向电压,即V 为正值,且V 比V T 大几倍时,1eTV V >>,于是TV V s eI I ⋅=,这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大,PN 结为正向导通状态.外加反向电压,即V 为负值,且|V|比V T 大几倍时,1eTV V <<,于是s I I -≈,这时PN 结只流过很小的反向饱和电流,且数值上基本不随外加电压而变,PN 结呈反向截止状态。

模拟电子技术基础试题汇总附有答案

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模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。

A 增大B 减小C 不变D 等于零2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D )A. 处于放大区域B. 处于饱和区域C. 处于截止区域D. 已损坏3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管处于( B )A.放大区B.饱和区C.截止区D.区域不定4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。

( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生( B )失真。

( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真6.电路如图所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。

A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。

B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。

C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。

D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。

7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。

A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻R b 变高。

8. 直流负反馈是指( C )A. 存在于RC耦合电路中的负反馈B. 放大直流信号时才有的负反馈C. 直流通路中的负反馈D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B )A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声C. 反馈环外的干扰和噪声D. 输出信号中的干扰和噪声10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A )A. -2.5VB. -5VC. -6.5VD. -7.5V11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为( B )A. 10mVB. 20mVC. 70mVD. 140mV12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与低阻负载间接入( C )。

模拟电子技术基础测试题及参考答案

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模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题(共50题,每题1分,共50分)1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案:A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多,其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案:D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成,已知每级电压放大倍数为Au,则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案:B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。

A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案:B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案:B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案:B7、元件引脚的剪脚高度为( )。

A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓,没关系正确答案:B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案:A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。

A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案:C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端,则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案:C11、多级放大电路各级的电压增益分别是:10dB、20 dB、30 dB,则电压总增益是( )。

A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案:C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案:A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案:A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案:D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势,增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高,损耗越大正确答案:D16、当晶体二极管的PN结导通后,则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案:C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。

模拟电子技术基础模拟综合试卷十套附答案

模拟电子技术基础模拟综合试卷十套附答案

模拟综合试卷一一.填充题1.集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ,b 。

2.通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器,其目的是a ,b 。

3.在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下,共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。

4.一个NPN晶体三极管单级放大器,在测试时出现顶部失真,这是失真。

5.工作于甲类的放大器是指导通角等于,乙类放大电路的导通角等于,工作于甲乙类时,导通角为。

6.甲类功率输出级电路的缺点是,乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。

7.若双端输入,双端输出理想差动放大电路,两个输入电压u i1=u i2,则输出电压为V;若u i1=1500µV, u i2=500µV,则差模输入电压u id为µV,共模输入信号u ic为µV。

8.由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。

9.晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降,主要是因为的影响。

10.在共射、共集、共基三种组态的放大电路中,组态电流增益最;组态电压增益最小;组态功率增益最高;组态输出端长上承受最高反向电压。

频带最宽的是组态。

二.选择题1.晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,I CBO,u BE的变化情况为()。

A.β增加,I CBO,与u BE减小 B. β与I CBO增加,u BE减小C.β与u BE减小,I CBO增加 D. β、I CBO与u BE都增加2.反映场效应管放大能力的一个重要参数是()A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3.双端输出的差分放大电路主要()来抑制零点飘移。

A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4.典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出,共模电压放大倍数()。

A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5.差分放大电路的共模抑制比K CMR越大,表明电路()A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6.负反馈放大电路以降低电路的()来提高嗲路的其他性能指标。

(完整版)模拟电子基础的复习题及答案

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模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路:①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下,上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ,输入电阻最 ,频带最宽 的电路是 ;只能放大电流,小 的电路是②,输出电阻最小 的电路是③② ;既能放大电流,又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③;只能放大电压,不能放大电流 的电路是②。

2、如图 1所示电路中,已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ,电流放大系BEQ数为β,B- E 间动态电阻为 r 。

填空:beV CC U BEQ( 1)静态时, I 的表达式为BQ, I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ;,U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L (2)电压放大倍数 的表达式为A u,输入电阻 的表达式为r be,输出电阻 的表达式为R R // r be R R ;0 Ci B(3)若减小 R ,则 I 将 A ,r 将 C ,将 C ,R 将iC ,A B CQ bc u R 将 B 。

oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时, R 减小到一定程度,输出将产生 BA 失真。

A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中,(1)若测得输入电压有效值为 10mV ,输出电压有效值为 1.5V ,则其电压放 大倍数 = 150 ;若已知此时信号源电压有效值为 20mV ,信号源内阻A u为 1k Ω,则放大电路 的输入电阻 R = 1 。

i(2)若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ,带 5 k Ω负载时变为 0.75V , 则放大电路 的输出电阻 Ro(3)若输入信号增大引起电路产生饱和失真,则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真;若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。

增大或将截止失真,则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。

模拟电子技术基础试题库(附答案)

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模拟电子技术基础试题库(附答案)一、选择题1. 下列哪种器件是双极型晶体管的三个电极名称?A. 发射极、基极、集电极B. 发射极、基极、地C. 发射极、基极、输入端D. 发射极、基极、输出端答案:A2. 下列哪种电路是模拟电子技术中最基本的放大电路?A. 差分放大电路B. 积分放大电路C. 微分放大电路D. 互补放大电路答案:A3. 下列哪种元件在放大电路中起到反馈作用?A. 电容B. 电感C. 电阻D. 运算放大器答案:A4. 下列哪种放大电路具有输入阻抗高、输出阻抗低的特点?A. 固定偏置放大电路B. 分压式偏置放大电路C. 串联型放大电路D. 并联型放大电路答案:B5. 下列哪种放大电路可以实现电压放大和倒相?A. common-emitter amplifier(共射放大器)B. common-base amplifier(共基放大器)C. common-collector amplifier(共集放大器)D. emitter-follower(发射极跟随器)答案:A6. 下列哪种放大电路具有电压放大倍数可调的特点?A. 固定偏置放大电路B. 分压式偏置放大电路C. 串联型放大电路D. 并联型放大电路答案:C7. 下列哪种电路可以实现信号的整流?A. 半波整流电路B. 全波整流电路C. 桥式整流电路D. 滤波电路答案:A8. 下列哪种电路可以实现信号的滤波?A. 半波整流电路B. 全波整流电路C. 桥式整流电路D. 滤波电路答案:D9. 下列哪种电路可以实现信号的积分和微分?A. 积分放大电路B. 微分放大电路C. 滤波电路D. 整流电路答案:B10. 下列哪种电路可以实现信号的放大和滤波?A. 放大电路B. 滤波电路C. 积分电路D. 微分电路答案:A二、填空题1. 晶体管的三个电极分别为____、____、____。

答案:发射极、基极、集电极2. 放大电路的目的是____。

答案:放大信号3. 运算放大器是一种具有____、____和____的放大器。

模拟电子技术基础试题库(附参考答案)

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一、单项选择题1. 下列关于电路中电压方向的描述,错误的是()A. 电压的参考方向可任意设定B. 电压的实际方向就是参考方向C. 电位降低的方向是电压的实际方向D. Uab表示a点与b点之间电压参考方向由a指向b答案:B解析:电压的实际方向不一定与参考方向相同,取决于电路的连接方式。

2. 电路如题2图所示,则以下关于电源功率的描述中,正确的是()A. 电压源吸收功率20W,电流源吸收功率40WB. 电压源吸收功率20W,电流源提供功率40WC. 电压源提供功率20W,电流源吸收功率40WD. 电压源提供功率20W,电流源提供功率40W答案:D解析:电压源提供功率,电流源吸收功率。

3. 已知加在电容C2F两端的电压为U(t)100cos(2000t)(mV),则流过该电容的电流为()A. 10cos(2000t) AB. 10sin(2000t) AC. 10cos(2000t) AD. 10sin(2000t) A答案:A解析:电容的电流与电压之间满足关系 i = C dU/dt,代入公式可得 i =10cos(2000t) A。

4. 下列关于P型半导体中载流子的描述,正确的是()A. 仅自由电子是载流子B. 仅空穴是载流子C. 自由电子和空穴都是载流子D. 三价杂质离子也是载流子答案:B解析:P型半导体中的载流子主要是空穴。

5. 以下关于差动放大电路的描述中,错误的是()A. 差动放大电路是一个对称电路B. 差动放大电路的共模抑制比越大,性能越好C. 差动放大电路能抑制零点漂移D. 差动放大电路能抑制共模干扰答案:D解析:差动放大电路能抑制共模干扰,但不能抑制共模干扰。

二、多项选择题1. 下列哪些元件属于无源元件()A. 电阻B. 电容C. 电感D. 晶体管答案:A、B、C解析:电阻、电容、电感都属于无源元件。

2. 下列哪些电路具有正反馈作用()A. 同相放大电路B. 反相放大电路C. 比较器电路D. 振荡电路答案:A、D解析:同相放大电路和振荡电路具有正反馈作用。

(完整版)模拟电子技术基础期末考试试题及答案

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《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。

2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。

3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。

6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集)放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(串联)负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=(1/ F )。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(),()称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补功率放大器。

13、OCL电路是()电源互补功率放大电路;OTL电路是()电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为()。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。

二、选择题(每空2分共30分)1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须(),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

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模拟电子技术基础期末考试试题及答案一、选择题1. 下列选项中,哪种元器件可以将一个信号的幅度提高到较高水平?A. 电感B. 二极管C. 发射管D. 收音机答案:C. 发射管2. 以下哪个不是模拟电子技术中常见的电子元器件?A. 电阻B. 电容C. 电子管D. 电池答案:D. 电池3. 在模拟电子技术中,下面哪个元器件常用于放大电压信号?A. 开关B. 反射器C. 放大器D. 混频器答案:C. 放大器4. 下面哪个元器件可以将直流电信号转换成交流电信号?A. 容器B. 反射器C. 变压器D. 调制器答案:D. 调制器5. 在模拟电子技术中,以下哪个元器件常用于对电流进行控制?A. 电流计B. 混频器C. 电容D. 二极管答案:D. 二极管二、填空题6. 电阻的单位是________。

答案:欧姆(Ω)7. 二极管有两个基本电极,分别是阳极(A)和________。

答案:阴极(K)8. 在放大器中,输入信号的强度被放大器增大到预期的输出水平,这个功能叫做________。

答案:放大9. 电容存储的电荷量与其电压的关系是________。

答案:线性关系10. 以下哪个元器件可以将交流信号转换成相同频率的直流信号?答案:整流器三、解答题11. 请简要阐述电子管的工作原理及其在模拟电子技术中的应用。

答案:电子管是一种由真空或带有特殊气体的封闭空间中的电子流控制器件。

电子管工作原理基于热电子发射和电子聚焦的原理,通过在电子管中加入电场和磁场,可以控制电子流的流动和放大信号。

在模拟电子技术中,电子管经常用于放大电压信号。

它具有高放大系数和低噪声的特点,因此在音频放大器、射频放大器等方面得到广泛应用。

同时,电子管还常用于整流、调制和混频等电路中。

12. 请列举并简要介绍两种常见的放大器类型。

答案:两种常见的放大器类型分别是:a. 甲类放大器:甲类放大器是一种线性放大器,输出信号的整个周期都以较小的偏置电流进行放大,即电流在整个传输特性曲线上运行。

模拟电子技术基础考试试题答案

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一、填空(共20空,每空 1 分,共 20 分,所有答案均填写在答题纸上) 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为。

2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,只有当三极管工作在区时,关系式b I Ic β=才成立。

3、场效应管可分为结型场效应管和型场效应管两种类型。

4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共基本放大电路既能放大电流又能放大电压。

5、在绘制放大电路的交流通路时,视为短路,视为短路,但若有内阻则应保留其内阻。

6、多级放大电路级间的耦合方式有、、变压器耦合和光电耦合等。

7、场效应管是利用极和极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。

8、放大电路的直流通路用于研究。

9、理想运放的两个输入端虚短是指。

10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈,通常令输出电压为零,看反馈是否依然存在。

若输出电压置零后反馈仍然存在则为。

11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为。

12、通用集成运放电路由输入级、中间级、和四部分组成。

13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的和的相位关系。

14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解,三极管的放大工作区可与场效应管的区相类比,而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的相类比。

二、单项选择题(共10题,每题 2 分,共 20分;将正确选项的标号填在答题纸上) 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时,稳压二极管。

A :稳压效果变差B :仍能较好稳压,但稳定电压变大C :反向截止D :仍能较好稳压,但稳定电压变小2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结反向偏置,则此管的工作状态为。

A :饱和状态B :截止状态 C :放大状态D :不能确定3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。

关于这两只三极管,正确的说法是。

模拟电子技术基础试题及答案

模拟电子技术基础试题及答案

模拟电子技术基础试题及答案一、选择题1. 以下哪个元器件用于将交流信号转换为直流信号?A. 二极管B. 晶体管C. 集成电路D. 电阻2. 以下哪个元器件用于放大电流或电压?A. 二极管B. 晶体管C. 集成电路D. 电容器3. 以下哪个元器件用于储存电荷并释放电荷?A. 二极管B. 晶体管C. 集成电路D. 电容器4. 以下哪个元器件用于控制电流的流动?A. 二极管B. 晶体管C. 集成电路D. 电感5. 以下哪个元器件用于将直流信号转换为交流信号?A. 二极管B. 晶体管C. 集成电路D. 变压器二、填空题1. NPN晶体管有_三层_和_两个PN结_。

2. 集成电路是将多个_电子元器件_集成到一块_半导体_芯片上。

3. 交流信号的频率是指单位时间内信号_周期_的个数。

三、判断题1. 电压是指电流通过导体时导体两端的电势差。

(正确/错误)2. 电容器可以储存电荷并释放电荷。

(正确/错误)3. 二极管可以放大电流或电压。

(正确/错误)4. 集成电路是将多个电子元器件集成到一块半导体芯片上。

(正确/错误)5. 交流信号是指电流方向和大小都随时间变化的信号。

(正确/错误)四、简答题1. 请简要解释PN结和作用。

PN结是一种由P型半导体和N型半导体结合而成的二极管结构。

它的作用是可以实现单向导电性,即只允许电流在一个方向上通过。

在正向偏置时,电流可以流过PN结;而在反向偏置时,电流基本上无法流过PN结。

2. 请简要介绍晶体管的工作原理。

晶体管由三个区域(发射区、基区和集电区)的半导体材料组成。

当在基区加上一小电流时(基电流),可以控制从发射区到集电区的大电流(集电电流)的流动。

晶体管的工作原理是通过控制基区的电流来控制集电区的电流,实现信号的放大。

五、综合题请根据以下电路图,回答问题。

电路图:[图片未提供]1. 请标注图中所示电子元器件的名称和性质。

- 元件1: 二极管,用于将交流信号转换为直流信号。

模拟电子基础考试题及答案

模拟电子基础考试题及答案

模拟电子基础考试题及答案一、选择题1. 在理想运算放大器中,输入电阻理论上是:A. 有限值B. 无穷大C. 0欧姆D. 1欧姆答案:B2. 一个二极管的正向压降通常在:A. 0.3VB. 0.7VC. 3VD. 7V答案:B3. 稳压二极管的工作原理是利用二极管的:A. 正向特性B. 反向特性C. 温度特性D. 反向击穿特性答案:D4. 一个理想的电压源与一个电阻串联,其输出电压:A. 等于电压源电压B. 等于电阻上的电压C. 等于电压源电压与电阻电压之和D. 等于电压源电压与电阻电压之差答案:A5. 一个电路的增益定义为输出电压与输入电压的比值,如果增益为-10,这表示:A. 电路是放大器B. 电路是衰减器C. 电路是相位反转放大器D. 电路是相位反转衰减器答案:D二、填空题6. 在模拟电路中,_________ 是用来放大电流的电子元件。

答案:晶体管7. 运算放大器的开环增益通常非常高,可以达到_________ 级别。

答案:兆或更高8. 一个理想的电流源的内阻为_________。

答案:0欧姆9. 滤波器按照通过频率的不同可以分为低通滤波器、高通滤波器、_________ 和_________。

答案:带通滤波器;带阻滤波器10. 负反馈可以提高放大电路的_________ 和_________。

答案:稳定性;线性度三、简答题11. 简述什么是负反馈,并说明其在放大电路中的作用。

答案:负反馈是指将放大电路的输出信号的一部分以相反的相位反馈到输入端的过程。

在放大电路中,负反馈可以提高电路的稳定性,减少非线性失真,增加带宽,降低噪声等。

12. 解释什么是共模抑制比,并说明其在差分放大电路中的重要性。

答案:共模抑制比(CMRR)是指差分放大电路对差模信号的放大能力与对共模信号放大能力的比值。

它反映了差分放大电路抑制共模信号干扰的能力。

在信号处理中,高CMRR可以确保电路只放大所需的差模信号,而抑制共模噪声,从而提高信号的信噪比。

模拟电子技术基础试题(附答案)

模拟电子技术基础试题(附答案)

模拟电子技术基础试题(附答案)一、填空题(每题2分,共20分)1. 常用的二极管符号有____和____两种。

2. 理想运放满足____、____、____和____四条条件。

3. 电容器充电过程中,其两端电压与充电时间的关系为____。

4. 晶体管的三个极分别为:发射极、____和____。

5. 稳压二极管的反向特性包括____和____两个部分。

6. 常用的放大器分类有____、____和____三种。

7. 整流电路按输入波形不同分为____、____和____三种。

8. 频率响应分析方法主要用于研究____、____和____等电路特性。

9. 常用的滤波器类型有____、____、____和____等。

10. 计数器按计数方式不同分为____、____和____三种。

二、选择题(每题2分,共20分)1. 下列哪个不是理想运放的条件?A. 无穷大的开环增益B. 输入端电阻无穷大C. 输出端电阻无穷大D. 输入端电压与输出端电压无关2. 下列哪个电路不是常用的整流电路?A. 单相全波整流电路B. 单相半波整流电路C. 三相半波整流电路D. 晶体管整流电路3. 下列哪个不是稳压二极管的反向特性?A. 反向漏电流B. 反向击穿电压C. 正向阻断特性D. 反向饱和电流4. 下列哪个不是常用的放大器分类?A. 电压放大器B. 功率放大器C. 运算放大器D. 滤波放大器5. 下列哪个不是常用的滤波器类型?A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 陷波滤波器三、简答题(每题10分,共30分)1. 请简述二极管的工作原理。

2. 请简述运放的同相输入端和反相输入端的区别。

3. 请简述整流电路的作用及其分类。

四、计算题(每题15分,共45分)1. 有一个电容器C=47μF,充电电压U=5V,求充电时间t。

2. 请画出下列电路的频率响应曲线:(略)3. 有一个NPN型晶体管,其β=50,VCBO=5V,VCC=10V,VE=0V,求基极电流Ib、集电极电流Ic和发射极电流Ie。

模拟电子技术基础试题(含答案)

模拟电子技术基础试题(含答案)

一、选择题(每题2分,共20分)1. 下列哪种半导体器件在正向偏置时导通,在反向偏置时截止?A. 二极管B. 晶体管C. 场效应管D. 稳压管2. 在N型半导体中掺入哪种元素可以形成PN结?A. P型半导体B. N型半导体C. 碳D. 硅3. 三极管放大电路中,发射结和集电结的偏置方式分别是?A. 发射结正偏,集电结反偏B. 发射结反偏,集电结正偏C. 发射结和集电结都正偏D. 发射结和集电结都反偏4. 下列哪种电路可以实现信号的反相放大?A. 共射放大电路B. 共基放大电路C. 共集放大电路D. 集成运算放大电路5. 下列哪种电路可以实现信号的加法运算?A. 集成运算放大电路B. 三极管放大电路C. 场效应管放大电路D. 晶体二极管电路6. 负反馈对放大电路的频率响应有什么影响?A. 提高带宽B. 降低带宽C. 不影响带宽D. 无法确定7. 下列哪种放大电路具有高输入阻抗和低输出阻抗?A. 共射放大电路B. 共基放大电路C. 共集放大电路D. 集成运算放大电路8. 下列哪种放大电路可以实现信号的减法运算?A. 集成运算放大电路B. 三极管放大电路C. 场效应管放大电路D. 晶体二极管电路9. 下列哪种电路可以实现信号的乘法运算?A. 集成运算放大电路B. 三极管放大电路C. 场效应管放大电路D. 晶体二极管电路10. 下列哪种放大电路可以实现信号的除法运算?A. 集成运算放大电路B. 三极管放大电路C. 场效应管放大电路D. 晶体二极管电路二、填空题(每题2分,共20分)1. 半导体中,自由电子带______电,空穴带______电。

2. PN结在______偏置时导通,在______偏置时截止。

3. 三极管放大电路中,发射结的偏置为______,集电结的偏置为______。

4. 集成运算放大电路的反相输入端和同相输入端之间的电压差称为______。

5. 负反馈放大电路的放大倍数与反馈系数的关系为______。

电子技术基础模拟练习题及参考答案

电子技术基础模拟练习题及参考答案

电子技术基础模拟练习题及参考答案一、单选题(共70题,每题1分,共70分)1.一只四输入端或非门,使其输出为1的输入变量取值组合有()种A、8B、15C、1正确答案:C2.组合逻辑电路有若干个输入端,只有一个输出端。

A、×B、✔正确答案:A3.用三极管构成的门电路称为()门电路。

A、MOC型B、TTL型C、CMOS型正确答案:B4.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时,应该()偏置电阻。

A、减小。

B、增大C、保持。

正确答案:A5.共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是()A、相位差90°。

B、同相位。

C、相位差180°。

正确答案:C6.设计一个同步十进制加法计数器需要三个触发器就可以。

A、✔B、×正确答案:B7.理想运算放大器的输出电阻为()A、无穷B、不定正确答案:B8.下列逻辑代数运算法则中,错误的是()A、A(B+C)=AB+ACB、A+(B+C)=(A+B)+CC、A+BC=(A+B)C正确答案:C9.半导体导电能力()导体。

A、等于B、小于C、大于正确答案:B10.与非门的逻辑功能是。

A、全高为高。

B、全低为高。

C、部分高为高。

正确答案:B11.逻辑代数运算中1+1=()A、3B、2C、1正确答案:C12.从射极输出器的交流通路看他是一个共()电路。

A、集电极。

B、基极C、发射极。

正确答案:A13.RS出发去具有()种逻辑功能。

A、3B、1C、2正确答案:A14.逻辑代数运算于普通代数运算结果()A、不想同B、有的相同,有的不相同。

C、相同正确答案:B15.测得在放大状态的三极管的三个关脚电压分别是,-0.7,-1,-6责-0.7对应的是()A、基极B、发射极。

C、集电极。

正确答案:B16.一个平衡PN结用导线将p区和n区连起来而导线中()A、有瞬间微弱电流。

B、有微弱电流。

C、无电流。

正确答案:C17.半导体材料有()种A、2B、1C、3正确答案:A18.三端集成稳压器w7805的输出电压是()A、5VB、9VC、12V正确答案:A19.在截止区三极管()电流放大作用。

模拟电子技术基础部分模拟考试题(含答案)

模拟电子技术基础部分模拟考试题(含答案)

模拟电子技术基础部分模拟考试题(含答案)一、单选题(共50题,每题1分,共50分)1、晶体三极管放大电路中,当集电极电流增大时,将使晶体三极管( )A、集电极电压UCE上升B、集电极电压UCE下降C、基极电流不变D、以上答案均不正确正确答案:B2、对于放大电路,所谓开环是指( )。

A、无信号源B、无负载C、无反馈通路D、无电源正确答案:C3、反向比例运算放大器实质上是 ( )A、深度电压串联负反馈B、电流负反馈C、电压负反馈放大器D、深度电压并联负反馈正确答案:D4、在放大电路中,如果希望输出电压受负载影响较小,同时对信号源的影响也要小,则附引入负反锁的类型是( )A、电流并联B、电流申联C、电压申联D、电压并联正确答案:B5、当信号频率等于放大电路的fL 或fH时,放大倍数的值约下降到中频时的 ( )。

A、0.5倍B、0.1倍C、0.7倍D、0.9倍正确答案:C6、有电流放大、无电压放大的电路是 ( )放大电路.A、共集电极B、基本共射C、共基极D、分压式偏置正确答案:A7、为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用 ( )。

A、共基放大电路B、差动放大电路C、共射放大电路D、共集放大电路正确答案:C8、用文字符号法表示电阻器的阻值时,中间的“R"表示( )。

A、103ΩB、109ΩC、ΩD、106Ω正确答案:C9、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案:A10、电阻器上标有“2R7”的含义是 ( )A、27B、27KC、2.7D、2.7K正确答案:C11、当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区,而且所受正向电压大于其门坎电压时,则晶体二极管相当 ( )A、大电阻B、断开的开关C、接通的开关D、以上答案均不正确正确答案:C12、识别发光二极管极性时,可以从外形来判断,以下正确的是( )。

A、引脚短的为正极B、无法判断C、引脚长的为正极D、没有正负正确答案:C13、直流稳压电源中滤波电路的作用是( )A、稳压B、将交流变为直流C、将高频变为低频D、将交、直流混合量中的交流成分滤掉正确答案:D14、在单相半波整流电路中,所用整流二极管的数量是( )。

模电试题及答案

模电试题及答案

模拟电子技术基础试题A 卷学号姓名 .一、判断下列说法是否正确,用“×”或“√”表示判断结果; 10分 1在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”; 2电压负反馈稳定输出电压,电流负反馈稳定输出电流; 3使输入量减小的反馈是负反馈,否则为正反馈; 4产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响; 5利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管; 6本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等; 7未加外部电压时,PN 结中电流从P 区流向N 区; 8集成运放在开环情况下一定工作在非线性区; 9只要引入正反馈,电路就会产生正弦波振荡; 10直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路; 二、选择填空 10分1为了减小输出电阻,应在放大电路中引入 ; 为了稳定静态工作点,应在放大电路中引入 ; A 电流负反馈 B 电压负反馈 C 直流负反馈 D 交流负反馈 2RC 串并联网络在RCf f π210==时呈 ; A 感性 B 阻性 C 容性 3通用型集成运放的输入级多采用 ;A 共基接法B 共集接法C 共射接法D 差分接法 4两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 ; A β B β2 C2β D1+β5在A 、B 、C 三种电路中输出电阻最小的电路是 ; 既能放大电流,又能放大电压的电路是 ; A 共基放大电路 B 共集放大电路 C 共射放大电路6当NPN 型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为u C u B u E ; A > B < C = D ≤ 7硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 ; A 大 B 小 C 相等三、5分图示电路中二极管为理想二极管,请判断它是否导通,并求出u 0; 四、10分在图示电路中,已知晶体管静态时B-E 间电压为U BEQ ,电流放大系数为β,B-E 间动态电阻为r be ;填空:静态时,I BQ 的表达式为 ,I CQ 的表达式为 ,U CEQ 的表达式为 ;电压放大倍数的表达式为 ,输入电阻的表达式为 ,输出电阻的表达式为 ;若减小R B ,则I CQ 将 ,r be将 ,uA 将 ,R i 将 ; 五、10分在图示电路中,已知晶体管静态时U BEQ =,电流放大系数为β=100,r be =1 k Ω,R B1=5 k Ω,R B2=15 k Ω,R E = k Ω,R C =R L =3 k Ω,V CC =12V;1估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻;2估算信号源内阻为R S =1k Ω时,Sus U U A 0=的数值; 六、10分在图示电路中,已知V CC =12V,V EE =6V,恒流源电路 I=1 mA,R B1=R B2=1 k Ω,R C1=R C2=10 k Ω;两只晶体管特性完全相同, 且β1=β2=100,r be1= r be2=2 k Ω;估算: 1电路静态时T 1和T 2管的集电极电位;2电路的差模放大倍数A d 、共模放大倍数A C 、输入电阻R i 和输出电阻R 0 七、5分在图示OCL 电路中,已知T 1、T 2管的V U CES 1=,电源电压为±9V,负载电阻R L =8 Ω,试计算最大输出功率P om 及效率η; 八、8分设图示各电路均引入了深度交流负反馈,试判断各电路引入了哪种组态的交流负反馈,并分别估算它们的电压放大倍数; 九、6分在图示电路中,要求R F =100 k Ω,比例系数为11,试求解R 、和R '的阻值; 十、6分求解图示电路的运算关系式;十一、9分在图示文氏桥振荡电路中,已知R 1=10 k Ω,R 和C 的可调范围分别为1~100 k Ω、~1μF;(1) 振荡频率的可调范围是多少 2R F 的下限值为多少十二、5分在图示电路中,已知W7806的输出电压为6V,R 1=R 2=R 3=200 Ω,试求输出电压U 0的调节范围;十三、6分串联型稳压电路如图所示,T 2和T 3管特性完全相同,T 2管基极电流可忽略不计,稳压管的稳定电压为U Z ;填空:调整管为 ,输出电压采样电阻由 组成,基准电压电路由 组成,比较放大电路 组成;输出电压调节范围的表达式为 ;模拟电子技术基础试题B 卷学号姓名 .一、判断下列说法是否正确,用“×”或“√”表示判断结果; 10分 1只要满足相位平衡条件,电路就会产生正弦波振荡;2引入直流负反馈可以稳定静态工作点;3负反馈越深,电路的性能越稳定; 4零点漂移就是静态工作点的漂移;5放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻; 6镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同; 7半导体中的空穴带正电;8P 型半导体带正电,N 型半导体带负电; 9实现运算电路不一定非引入负反馈; 10凡是引入正反馈的集成运放,一定工作在非线性区; 二、选择填空 10分1为了增大输出电阻,应在放大电路中引入 ;为了展宽频带,应在放大电路中引入 ; A 电流负反馈 B 电压负反馈 C 直流负反馈 D 交流负反馈 2在桥式文氏桥RC 正弦波振荡电路中, ; A φA =-1800,φF =+1800 B φA =+1800,φF =+1800 C φA =00,φF =00 3集成运放的互补输出级采用 ;A 共基接法B 共集接法C 共射接法D 差分接法 4两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 ; A β B β2 C2β D1+β5在A 、B 、C 三种电路中输入电阻最大的电路是 ;既能放大电流,又能放大电压的电路是 ; A 共基放大电路 B 共集放大电路 C 共射放大电路6当PNP 型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为u C u B u E ; A > B < C = D ≤ 7硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 ; A 大 B 小 C 相等三、5分图示电路中二极管为理想二极管,请判断它是否导通,并求出u 0; 四、10分在一个放大电路中,三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示,将每只管子所用材料Si 或Ge 、类型NPN 或PNP 及管脚为哪个极e 、b 或c 填入表内;管 号 T 1 T 2 T 3 管号T 1 T 2 T 3管 脚电 位 V①3 电 极名称 ① ② 0 6 10② ③ 5 3③材 料 类型五、10分在图示电路中,已知晶体管静态时U BEQ =,电流放大系数为β=80,r be = k Ω,R B =500 k Ω,R C =R L =5 k Ω,V CC =12V;1估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻;2估算信号源内阻为R S =Ω时,Sus U U A 0=的数值; 六、10分在图示电路中,已知V CC =12V,V EE =6V,恒流源电路 I=1 mA,R B1=R B2=1 k Ω,R C1=R C2=10 k Ω;两只晶体管特性完全相同, 且β1=β2=100,r be1= r be2=2 k Ω;估算: 1电路静态时T 1和T 2管的集电极电位;2电路的差模放大倍数A d 、共模放大倍数A C 、输入电阻R i 和输出电阻R 0七、5分在图示OCL 电路中,已知T 1、T 2管的V U CES 1=,电源电压为±9V,负载电阻R L =8 Ω,试计算最大输出功率P om 及效率η; 八、8分设图示各电路均引入了深度交流负反馈,试判断各电路引入了哪种组态的交流负反馈,并分别估算它们的电压放大倍数;九、6分在图示电路中,要求其输入电阻为20 k Ω,比例系数为-15,试求解R 、R F 和R '的阻值; 十、6分求解图示电路的运算关系式;十一、9分将图示电路合理连接,构成桥式即文氏桥正弦波振荡电路,并估算电路的振荡频率和R 1的最大值;十二、5分在图示电路中,已知W7805的输出电压为5V,I W =5mA,R 1=1 k Ω,R 2=200 Ω;试求输出电压U 0的调节范围;十三、6分串联型稳压电路如图所示,稳压管的稳定电压为U Z ;填空:调整管为 ,输出电压采样电阻由 组成,基准电压电路由 组成,比较放大电路由 组成;输出电压调节范围的表达式为;A 卷参考答案一、1×2√3×4√5 √ 6√7×8√9×10√ 二、1B 、C2B3D4B5B 、C 6A 、A7A三、二极管D 导通,-3V 四、BBEQCC BQ R U V I -=;BQ CQI I β=;C CQ CC CEQ R I V U -=;beLur R A '-=β ; be B i r R R //=;C R R =0;增大;减小;减小;减小 五、3V ;1mA ;10цA ;;-150;Ω; 六、7V ;-333;0;6 k Ω;20 k Ω 七、4W ;;70%八、a 电压并联负反馈;-R 2/R 1 b 电压串联负反馈;1+R 2/R 1 九、10 k Ω;9 k Ω 十、2121120)1(I I u R Ru R R u ++-= 十一、—160kH Z ;20 k Ω十二、9V ;8V十三、T 1 ;R 1、R 2、R 3;R 、D Z ;T 2、T 3、R E 、R C ;B 卷参考答案一、1×2√3×4√5 √ 6√7√8×9×10× 二、1A 、D2C3B4B5B 、C 6B 、B7A三、二极管D 截止,-6V五、цA ;;3V ; -167;Ω;5 k Ω; 六、7V ;-333;0;6 k Ω;20 k Ω 七、4W ;;70%八、a 电压串联负反馈;1+R 2/R 1 b 电压并联负反馈;-R 2/R 1 九、20 k Ω;300k Ω; k Ω 十、21210I I u R R u u += 十一、 160 H Z ;50 k Ω 十二、5V--35V十三、T ;R 1、R 2、R 3;R 、D Z ;A ;。

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一、填空(共20空,每空 1 分,共 20 分,所有答案均填写在答题纸上)
1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。

2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,只有当三极管工作在 区时,关系式b I Ic β=才成立。

3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。

4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。

5、在绘制放大电路的交流通路时, 视为短路, 视为短路,但若有内阻则应保留其内阻。

6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。

7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。

8、放大电路的直流通路用于研究 。

9、理想运放的两个输入端虚短是指 。

10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈,通常令输出电压为零,看反馈是否依然存在。

若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。

11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。

12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。

13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。

14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解,三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比,而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。

二、单项选择题(共10题,每题 2 分,共 20分;将正确选项的标号填在答题纸上) 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时,稳压二极管 。

A :稳压效果变差
B :仍能较好稳压,但稳定电压变大
C :反向截止
D :仍能较好稳压,但稳定电压变小
2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结反向偏置,则此管的工作状态为 。

A :饱和状态 B :截止状态
C :放大状态
D :不能确定
3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。

关于这两只三极管,正确的说法是 。

图1(a) 图1(b) 图2
A :(b )图中电流为的电极为发射极。

B :(a )图中电流为10μA 的电极为集电极。

C :(a )图中电流为1mA 的电极为发射极。

D :(b )图中没有标电流的电极为基极。

4、电路如图2所示,二极管导通电压U D =,下列说法正确的是 。

A :若21U U =二极管D1和D2一定同时导通。

B :若21U U ≠二极管D1和D2不可能同时导通。

C :若21U U ≠输出电压将不唯一。

D :输出电压与输出端是否接负载无关。

5、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从20μA 变化到10μA ,I C 从2mA 变为1mA ,那么它的β约为 。

A:90
B :-90
C:100
D :-100
6、图3中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q 3点移动到Q 4点可能的原因是 。

A :集电极电源+V CC 电压变高
B :集电极负载电阻R
C 变高 C :基极电源+V BB 电压变高
D :基极回路电阻R b 变高。

7、关于单管放大电路的三种基本接法,正确的说法是 。

A :共射放大电路只能放大电压,不能放大电流。

B :共集放大电路既能放大电流,又能放大电压。

C :共基放大电路只能放大电压,不能放大电流。

D :共集放大电路和共基放大电路都能放大电压。

8、图4所示各电路有可能能够放大正弦交流信号的是 。

图4
A :(a)图
B :(b)图
C :(c)图
D :(d)图
9、在输入量不变的情况下,若引入反馈后,则说明引入的反馈是负反馈。

A:输入电阻增大B:输出量增大
C:净输入量增大D:净输入量减小
10、为了稳定放大电路的输出电流,应当引入反馈。

A:电压反馈B:电流反馈
C:串联反馈D:并联反馈
四、判断图5所示各电路引入的负反馈的类型,从四个备选项中选择正确的选项, 将正确选项的标号填在答题纸上,答在试卷上的无效;(共4题,每题 2 分,共8 分)
本题的备选答案如下:
A:电压并联负反馈B:电压串联负反馈C:电流串联负反馈D:电流并联负反馈
1、图5(a)引入的反馈的类型为。

2、图5(b)引入的反馈的类型为。

3、图5(c)引入的反馈的类型为。

4、图5(d)引入的反馈的类型为。

图5(a) 图5(b) 图5(c) 图5(d)
五、分析图6所示放大电路中T1和T2及其周边元件组成的放大电路的组态,并画出其交流通路和微变等效电路(第1至2小题每题2分,第3小题8分,共12分,将答案做在答题纸的相应位置)1、图6中T1组成放大电路。

2、图6中T2组成放大电路。

3、画出图6所示放大电路的交流通路和微变等效电路。

图6 图7
六、分析计算题(共3题,每题10分,共30分,答案一律写在答题纸的指定位置处)
1、(本题10分)
电路如图7所示,已知电路中晶体管的=100,r be=1kΩ,R L=Ω, R c=3kΩ, V CC=12V。

(1)现已测得静态管压降U CEQ=6V,估算R b约为多少千欧;(4分)
(2)求动态参数
A 、R i和R o;(6分)
u
2、(本题10分)
实验电路如图8(a)所示,示波器(已校准)X 轴扫描档位为div ,输入、输出信号对应通道的Y 轴档位分别为10mV/div 和1V/div ,图8(b)是甲同学做实验时在双踪示波器观测到的输入信号u i (上)和输出信号u o (下);图8(c)是乙同学做实验时在双踪示波器观测到的输入信号u i (上)和输出信号u o (下)。

(1)甲、乙两同学哪个同学实验电路参数调整的合理并根据该同学观察到的波形求输入信号的频率f
及电压放大倍数u A &。

(6分)
(2)电路参数调整的不合理的同学所观察到的输出波形出现了何种失真如何调整ωR 才能消除这种失真(4分)
图8(a) 图8(b) 图8(c)
3、(本题10分)
已知V u V u V u V u I I I I 4,3,2,14321====,分别求图9(a)和图9(b)中的输出电压o u 。

图9(a) 图9(b)
参考答案
一、填空题(每空1分,共20分)
1、晶体管中自由电子和空穴两种载流子同时参与导电。

2、放大。

3、绝缘栅型(或MOS)。

4、射。

5、容量大的电容;直流电源。

6、直接耦合;阻容耦合。

7、栅;源。

8、静态工作点。

9、集成运放的两个输入端的电位无穷接近,但又不是真正短路的特点。

10、电流反馈。

11、直流反馈。

12、输出级;偏置电路。

13、输入端;输出端。

14、恒流区;饱和区。

二、单项选择题(每小题2分,共20分)
题号12345678910
答案A C A B C A C B D B
四、判断负反馈类型(每小题 2 分,共8 分)
1、 B
2、 C
3、 A
4、 D
五、分析题(第1至2小题每题3分,第3小题6分,共12分)
1、图6中T1组成共射放大电路。

2、图6中T2组成共射放大电路。

3、图6所示电路的交流通路和微变等效电路如下:
图6所示电路的交流通路图6所示电路的微变等效电路
六、分析计算题(每题10分,共30分)
1、(本题共10分)
解:
(1)求解R b (共4分)
Ω
≈-=
===-=
k 565μA
20mA
2BQ
BEQ
CC b CQ
BQ c CEQ
CC CQ I U V R I I R U V I β
(2)求动态参数u
A &、R i 和:R o :(共6分) 图七所示放大电路的微变等效电路为:
1001
)5.1//3(100)//( -=-=-=be L C u
r R R A β& Ω≈==K r R R be b i 11//565//
Ω==K R R c o 3
2、(本题共10分) 解:
(1) 甲同学电路参数调整的合理;(共6分)
由图知:mS T 5.025.02=⨯=,mV U ipp 15105.1=⨯=,V U opp 2.312.3=⨯= 信号的频率Z KH mS T f 25.011===
3.21152.3-==-
=mV
V Ui U A pp
opp
u & (2)电路参数调整的不合理的同学,也就是乙同学,观察到的输出波形发生了截止失真;调整ωR 使之减小可以消除该失真。

(共4分) 3、(本题共10分) 解:(每小题5分,不要求详细步骤)
(a )
V u u u u R R u 8)12(8)( 8)(I1I2I1I21f
O =-=-=-=
(b )I44
f I33f I22f I11f O u R R
u R R u R R u R R u ⋅+⋅+⋅-⋅-=
V
u u u u 64434022012040202014
13I2I1=+⨯+⨯-⨯-=++--=。

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