第四章 场效应管习题答案

第四章 场效应管基本放大电路

4-1 选择填空

1．场效应晶体管是用_______控制漏极电流的。

a. 栅源电流

b. 栅源电压

c. 漏源电流

d. 漏源电压 2．结型场效应管发生预夹断后，管子________。

a. 关断

b. 进入恒流区

c. 进入饱和区

d. 可变电阻区 3．场效应管的低频跨导g m 是________。

a. 常数

b. 不是常数

c. 栅源电压有关

d. 栅源电压无关 4. 场效应管靠__________导电。

a. 一种载流子

b. 两种载流子

c. 电子

d. 空穴 5. 增强型PMOS 管的开启电压__________。

a. 大于零

b. 小于零

c. 等于零

d. 或大于零或小于零 6. 增强型NMOS 管的开启电压__________。

a. 大于零

b. 小于零

c. 等于零

d. 或大于零或小于零 7. 只有__________场效应管才能采取自偏压电路。

a. 增强型

b. 耗尽型

c. 结型

d. 增强型和耗尽型 8. 分压式电路中的栅极电阻R G 一般阻值很大，目的是__________。

a. 设置合适的静态工作点

b. 减小栅极电流

c. 提高电路的电压放大倍数

d. 提高电路的输入电阻 9. 源极跟随器（共漏极放大器）的输出电阻与___________有关。

a. 管子跨导g m

b. 源极电阻R S

c. 管子跨导g m 和源极电阻R S

10. 某场效应管的I DSS 为6mA ，而I DQ 自漏极流出，大小为8mA ，则该管是_______。

a. P 沟道结型管

b. N 沟道结型管

c. 增强型PMOS 管

d. 耗尽型PMOS 管

e. 增强型NMOS 管

f. 耗尽型NMOS 管 解答：

1.b

2.b

3.b,c

4. a

5.b

6.a

7. b,c

8. d

9.c 10.d

4-2 已知题4-2图所示中各场效应管工作在恒流区，请将管子类型、电源V DD 的极性（+、-）、u GS 的极性（>0，≥0，<0，≤0,任意）分别填写在表格中。

D

DD

（a ）题4-2图

D

DD

（b ）

D

DD

（c ）D

DD

（d ）

D

DD

（e ）D

DD

（f ）

解：

4-3试分析如题4-3图所示各电路能否正常放大，并说明理由。

V DD

（a ）

（b ）

DD

题4-3图

（c ）

O

--V DD

（d ）

+

u O

-（e ）

DD

（f ）

DD

U CC

解：

(a)不能。

VT 是一个N 沟道JFET ，要求偏置电压U GS 满足U GS,off 0，因此不能进行正常放大。

(b)能。

VT 是一个P 沟道JFET ，要求偏置电压U GS 满足00，只要在0

（c ）能。

VT 是一个N 沟道MOSFET ，要求偏置电压U GS 满足U GS > U GS,off >0。电路中U GS >0，如果满足U GS < U GS,off 就可以正常放大。

（d ）不能。

虽然MOSFET 的漏极D 和源极S 可以颠倒使用，但是此时衬底的接法也需要调整。虽然电路中自给偏置电压U GS >0，也可能满足U GS > U GS,off >0。但是D 极和衬底B 之间的PN 结正向导通，因此电路不能进行信号放大。

（e ）不能

VT 是一个N 沟道增强型MOSFET ，开启电压U on >0，要求直流偏置电压U GS > U on ，电路中U GS =0，因此不能进行正常放大。

（f ）能。

VT 是一个P 沟道耗尽型MOSFET ，夹断电压U GS,off >0，放大时要求偏置电压U GS 满足U GS < U GS,off 。电路中U GS >0，如果满足U GS < U GS,off 就可以正常放大。

4-4 电路如题4-4图所示，V DD =24 V ，所用场效应管为N 沟道耗尽型，其参数I DSS =0.9mA ，U GS,off =-4V ，跨导g m =1.5mA/V 。电路参数R G1=200k Ω, R G2=64k Ω, R G =1M Ω, R D = R S = R L =10k Ω。试求： 1．静态工作点。 2．电压放大倍数。

3．输入电阻和输出电阻。

+u o

-

题4-4图

解：

1． 静态工作点的计算

D

D S D DD G2G1G2S G GS 108.510246420064

I I R I V R R R U U U -=-⨯+=-+≈

-=