高速光耦芯片选型
常用芯片名称
20106 前置放大器258N 分离式双电源双运放4N25 光电耦合晶体管输出4N25MC 光电耦合晶体管输出4N26 光电耦合晶体管输出4N27 光电耦合晶体管输出4N28 光电耦合晶体管输出4N29 光电耦合达林顿输出4N30 光电耦合达林顿输出4N31 光电耦合达林顿输出4N32 光电耦合达林顿输出4N33 光电耦合达林顿输出4N33MC 光电耦合达林顿输出4N35 光电耦合达林顿输出4N36 光电耦合晶体管输出4N37 光电耦合晶体管输出4N38 光电耦合晶体管输出4N39 光耦可控硅输出6N135 高速光耦晶体管输出6N136 高速光耦晶体管输出6N137 高速光耦晶体管输出6N138 光电耦合达林顿输出6N139 光电耦合达林顿输出74F00 高速四2输入与非门74F02 高速四2输入或非门74F04 高速六反相器74F08 高速四2输入与门74F10 高速三3输入与门74F139 高速双2－4线译码/驱动器74F14 高速六反相斯密特触发74F151 高速双2－4线译码/驱动器74F153 高速双4选1数据选择器74F157 高速双4选1数据选择器74F161 高速6D型触发器74F174 高速6D型触发器74F175 高速4D型触发器74F244 高速八总线3态缓冲器74F245 高速八总线收发器74F32 高速四2输入或门74F373 高速8D锁存器74F38 高速四2输入或门74F74 高速双D型触发器74F86 高速四2输入异或门CA3140 单BIMOS运行CA3240 单BIMOS运行CD4001 4二输入或非门CD4002 双4输入或非门CD4006 18位静态移位寄存器CD4007 双互补对加反相器CD4009 六缓冲器/转换－倒相CD4010 六缓冲器/转换－正相CD40103 同步可预置减法器CD40106 六斯密特触发器CD40107 双2输入与非缓冲/驱动CD4011 四2输入与非门CD40110 计数/译码/锁存/驱动CD4012 双4输入与非门CD4013 置/复位双D型触发器CD4014 8位静态同步移位寄存CD4015 双4位静态移位寄存器CD4016 四双向模拟数字开关CD4017 10译码输出十进制计数器CD40174 6D触发器CD40175 4D触发器CD4018 可预置1/N计数器CD4019 四与或选择门CD40192 BCD可预置可逆计数器CD40193 二进制可预置可逆计数器CD40194 4位双相移位寄存器CD4020 14位二进制计数器CD4021 8位静态移位寄存器CD4022 8译码输出8进制计数器CD4023 三3输入与非门CD4024 7位二进制脉冲计数器CD4025 三3输入与非门CD4026 十进制/7段译码/驱动CD4027 置位/复位主从触发器CD4028 BCD十进制译码器CD4029 4位可预置可逆计数器CD4030 四异或门CD4031 64位静态移位寄存器CD4032 三串行加法器CD4033 十进制计数器/7段显示CD4034 8位静态移位寄存器CD4035 4位并入/并出移位寄存器CD4038 3位串行加法器CD4040 12位二进制计数器CD4041 四原码/补码缓冲器CD4042 四时钟D型锁存器CD4043 四或非R/S锁存器CD4044 四与非R/S锁存器CD4046 锁相环CD4047 单非稳态多谐振荡器CD4048 可扩充八输入门CD4049 六反相缓冲/转换器CD4050 六正相缓冲/转换器CD4051 单8通道多路转换/分配CD4052 双4通道多路转换/分配CD4053 三2通道多路转换/分配CD4056 7段液晶显示译码/驱动CD4060 二进制计数/分频/振荡CD4063 四位数值比较器CD4066 四双相模拟开管CD4067 16选1模拟开关CD4068 8输入端与非/与门CD4069 六反相器CD4070 四异或门CD4071 四2输入或门CD4072 双四输入或门CD4073 三3输入与门CD4075 三3输入与门CD4076 4位D型寄存器CD4077 四异或非门CD4078 八输入或/或非门CD4081 四输入与门CD4082 双4输入与门CD4085 双2组2输入与或非门CD4086 可扩展2输入与或非门CD4093 四与非斯密特触发器CD4094 8位移位/贮存总线寄存CD4096 3输入J－K触发器CD4098 双单稳态触发器CD4099 8位可寻址锁存器CD4502 可选通六反相缓冲器CD4503 六同相缓冲器CD4504 六电平转换器CD4508 双4位锁存器CD4510 BCD可预置可逆计数器CD4511 BCD7段锁存/译码/驱动CD4512 8通道数据选择器CD4513 BCD7段锁存/译码/驱动CD4514 4－16线译码器CD4515 4－16线译码器CD4518 双BCD加法计数器CD4520 双二进制加法计数器CD4521 24位分频器CD4522 可预置BCD1/N计数CD4526 可预置二进制1/N计数CD4527 BCD系数乘发器CD4528 双单稳态触发器CD4531 12位奇偶校验电路CD4532 8位优先编码器CD4538 双精密单稳态触发器CD4539 双四路输据选择器CD4541 可编程振荡/计时器CD4543 7段锁存/译码/驱动CD4553 3位BCD计数器CD4555 双4选1译码器CD4556 双4选1译码器CD4557 1-64位可变长度寄存器CD4558 BCD-7段译码器CD4560 BCD码加法器CD4561 BCD转换成9的补码输出CD4566 工业定时基准发生器CD4569 双4位可编程1/NBCDCD4583 双斯密特触发器CD4584 4斯密特触发器CD4585 4位数值比较器CD4599 8位总线相容寻址锁存器DS12887 非易失实时时钟芯片H11A2 光电耦合晶体管输出H11D1 光电耦合高压晶体管输出H11G2 光电耦合电阻达林顿输出ICL7106 3位ADC/驱动LCDICL7107 3位半ADC/驱动LEDICL7109 4位半ADC/驱动LEDICL7129 4位半ADC/LCD驱动ICL7135 ADC/LCD驱动BCD输出ICL7136 3位半CMOSADC/LCD驱动ICL7218 CMOS低功耗运算放大器ICL7650 整零运放斩波ICL7652 整零运放斩波ICL7660 CMOS直流-直流转换器ICL8038 函数信号发生器ICL8049 反对数放大器L3845 中继接口电路LF347N 宽带JFET输入四运放LF351N 宽带JFET输入运放LF353N JFET输入宽带运放LF355N JFET输入运放LF357N JFET宽带非全裣运放LF398N 采样/保持电路LF412N 低偏差飘移输入运放LM148J 通用四运放LM1875T 无线电控制/接收器LM224J 四运放(工业级)LM24J 四运放(军用级)LM2901N 四电压比较器LM2904N 四运放LM301AN 通用运算放大器LM308N 单比较器LM311P 单比较器LM317K 可调三端稳压器/3A LM317L 可调三端稳压器/100mA LM317T 可调三端稳压器/1.5A LM318 高速宽带运放LM324K 通用四运放LM331N V-F/F-V转换器LM336 5V 基准电压电路LM336-2.5V 基准电压电路LM337T 基准电压电路1ALM338K 可调三端稳压器5A LM339N 四比较器LM348N 四741运放LM358N 低功耗双运放LM361N 高速差动比较器LM386N 声频功率放大器LM3914N 十段点线显示驱动LM393N 低功耗低失调双比较器LM399H 精密基准源(6.9)LM723CN 可调正式负稳压器LM733CN 视频放大器LM741CN 双运放LM741J 单运放MC1377 彩色电视编码器MC1403 精密电压基准源(2.5) MC1413 周边七段驱动阵列MC1416 周边七段驱动陈列MC14409 二进制脉冲拨号器MC14433 3位半A/D转换器MC14489 多字符LED显示驱动器MC145026 编码器MC145027 译码器MC145028 译码器MC145030 编码译码器MC145106 频率合成器MC145146 4位数据总线MOC3020 光耦可控硅驱动输出MOC3021 光耦可控硅驱动输出MOC3023 光耦可控硅驱动输出MOC3030 光耦可控硅驱动输出MOC3040 光耦过零触发可控硅输出MOC3041 光耦过零触发可控硅输出MOC3061 光耦过零触发可控硅输出MOC3081 光耦过零触发可控硅输出NE521 高速双差分比较器NE5532 双运放NE5534 双运放NE555J 时基电路军品极NE555N 单运放NE556 双级型双时基电路NE564 锁相环NE565 锁相环NE567 音调译码器NE592 视频放大器OP07 低噪声运放OP27 超低噪声精密运放OP37 超低噪声精密运放PC814 单光耦PC817 单光耦SG3524 PWM解调调制器SG3525 PWM解调调制器SN7404 六反相器SN7406 六反相缓冲器/驱动器SN7407 六缓冲器/驱动器SN7414 六缓冲器/驱动器SN7416 六反相缓冲器/驱动器SN7440 六反相缓冲器/驱动器SN7497 六反相缓冲器/驱动器SN74HC00 四2输入与非门SN74HC02 四2输入或非门SN74HC03 四2输入或非门SN74HC04 六反相器SN74HC05 六反相器SN74HC08 四2输入与门SN74HC10 三3输入与非门SN74HC107 双J－K触发器SN74HC11 三3输入与门SN74HC113 双J－K负沿触发器SN74HC123 双稳态多谐振荡器SN74HC125 三态缓冲器SN74HC126 四三态总线缓冲器SN74HC132 二输入与非缓冲器SN74HC137 二输入与非缓冲器SN74HC138 3－8线译码/解调器SN74HC139 双2－4线译码/解调器SN74HC14 六反相器/斯密特触发SN74HC148 8选1数据选择器SN74HC151 双4选1数据选择器SN74HC154 4－16线多路分配器SN74HC157 四2选1数据选择器SN74HC161 4位二进制计数器SN74HC163 4位二进制计数器SN74HC164 8位串入并出移位寄存器SN74HC165 8位移位寄存器SN74HC173 4D型触发器SN74HC174 6D触发器SN74HC175 4D型触发器SN74HC191 二进制同步可逆计数器SN74HC20 双四输入与门SN74HC21 双四输入与非门SN74HC221 双单稳态多谐振荡器SN74HC238 3－8线译码器SN74HC240 八缓冲器SN74HC244 八总线3态输出缓冲器SN74HC245 八总线收发器SN74HC251 三态8－1数据选择器SN74HC259 8位可寻址锁存器SN74HC266 四2输入异或非门SN74HC27 三3输入与非门SN74HC273 8D型触发器SN74HC30 八输入端与非门SN74HC32 四2输入或门SN74HC367 六缓冲器/总线驱动器SN74HC368 六缓冲器/总线驱动器SN74HC373 8D锁存器SN74HC374 8D触发器SN74HC393 双4位二进制计数器SN74HC4028 7级二进制串行加数器SN74HC4046 锁相环SN74HC4050 六同相缓冲器SN74HC4051 8选1模拟开关SN74HC4053 三2选1模拟开关SN74HC4060 14位计数/分频/振荡器SN74HC4066 四双相模拟开关SN74HC4078 3输入端三或门SN74HC42 BCD十进制译码器SN74HC4511 7段锁存/译码驱动器SN74HC4520 双二进制加法计数器SN74HC541 8位三态输出缓冲器SN74HC573 8位三态输出D型锁存器SN74HC574 8D型触发器SN74HC595 8位移位寄存器/锁存器SN74HC73 双J－K触的器SN74HC74 双D型触发器SN74HC76 双J－K触的器SN74HC86 四2输入异或门SN74HCT04 六反相器SN74LS03 四2输入与非门SN74LS04 六反相器SN74LS05 六反相器SN74LS06 六反相缓冲器/驱动器SN74LS07 六缓冲器/驱动器SN74LS08 四2输入与非门SN74LS09 四2输入与非门SN74LS10 三3输入与非门SN74LS107 双J－K触发器SN74LS109 正沿触发双J－K触发器SN74LS11 三3输入与非门SN74LS112 双J－K负沿触发器SN74LS113 双J－K负沿触发器SN74LS114 双J－K负沿触发器SN74LS12 三3输入与非门SN74LS121 单稳态多谐振荡器SN74LS122 单稳态多谐振荡器SN74LS123 双稳态多谐振荡器SN74LS124 双压控振荡器SN74LS125 三态缓冲器SN74LS126 四3态总线缓冲器SN74LS13 三3输入与非门SN74LS131 3－8线译码器SN74LS132 二输入与非触发器SN74LS133 13输入与非门SN74LS136 四异或门SN74LS137 地址锁存3－8线译码器SN74LS138 3－8线译码/转换器SN74LS139 双2－4线译码－转换器SN74LS14 六反相器.斯密特触发SN74LS145 BCD十进制译码/驱动器SN74LS147 10－4线优先编码器SN74LS148 8－3线优先编码器SN74LS15 三3输入与非门SN74LS151 8选1数据选择器SN74LS153 双4选1数据选择器SN74LS154 4－16线多路分配器SN74LS155 双2－4线多路分配器SN74LS156 双2－4线多路分配器SN74LS157 四2选1数据选择器SN74LS158 四2选1数据选择器SN74LS16 六反相缓冲器/驱动器SN74LS160 同步BDC十进制计数器SN74LS161 4位二进制计数器SN74LS162 同步BDC十进制计数器SN74LS163 4位二进制计数器SN74LS164 8位串入并出移位寄存SN74LS165 8位移位寄存器SN74LS166 8位移位寄存器SN74LS168 4位可逆同步计数器SN74LS169 4位可逆同步计数器SN74LS17 六反相缓冲器/驱动器SN74LS170 4x4位寄存器堆SN74LS172 16位多通道寄存器堆SN74LS173 4D型寄存器SN74LS174 6D型触发器SN74LS175 4D烯触发器SN74LS176 可预置十进制计数器SN74LS181 运算器/函数发生器SN74LS182 超前进位发生器SN74LS183 双进位保存全价器SN74LS189 64位随机存储器SN74LS190 同步BCD十进制计数器SN74LS191 二进制同步可逆计数器SN74LS192 BCD－同步可逆计数器SN74LS193 二进制可逆计数器SN74LS194 双向通用移位寄存器SN74LS195 并行存取移位寄存器SN74LS196 可预置十进制计数器SN74LS197 可预置二进制计数器SN74LS20 双4输入与门SN74LS21 双4输入与门SN74LS22 双4输入与门SN74LS221 双单稳态多谐振荡器SN74LS238 3－8线译码/多路转换器SN74LS240 八缓冲/驱动/接收器SN74LS241 八缓冲/驱动/接收器SN74LS242 四总线收发器SN74LS243 四总线收发器SN74LS244 八缓冲/驱动/接收器SN74LS245 八总线收发器SN74LS247 BCD－七段译码驱动器SN74LS248 BCD－七段译码驱动器SN74LS249 BCD－七段译码驱动SN74LS25 双4输入与门SN74LS251 三态8－1数据选择器SN74LS253 双三态4－1数据选择器SN74LS256 双四位选址锁存器SN74LS257 四3态2－1数据选择器SN74LS258 四2选1数据选择器SN74LS259 8位可寻址锁存器SN74LS26 四2输入与非门SN74LS260 双5输入或非门SN74LS261 2x4位二进制乘发器SN74LS266 四2输入异或非门SN74LS27 三3输入与非门SN74LS273 八进制D型触发器SN74LS275 七位树型乘法器SN74LS276 四J－K触发器SN74LS279 四R－S触发器SN74LS28 四输入端或非缓冲器SN74LS280 9位奇偶数发生校检器SN74LS283 4位二进制全加器SN74LS290 十进制计数器SN74LS293 4位二进制计数器SN74LS295 4位双向通用移位寄存器SN74LS30 八输入端与非门SN74LS32 四2输入或门SN74LS33 四2输入或门SN74LS365 六缓冲器带公用启动器SN74LS366 六缓冲器带公用启动器SN74LS367 六总线三态输出缓冲器SN74LS368 六总线三态输出反相器SN74LS37 四输入端与非缓冲器SN74LS373 8D锁存器SN74LS374 8D触发器SN74LS375 4位双稳锁存器SN74LS377 8位单输出D型触发器SN74LS38 双2输入与非缓冲器SN74LS386 四2输入异或门SN74LS390 双十进制计数器SN74LS393 双4位二进制计数器SN74LS40 四输入端与非缓冲器SN74LS42 BCD－十进制译码器SN74LS47 BCD－七段译码驱动器SN74LS48 BCD－七段译码驱动器SN74LS49 BCD－七段译码驱动器SN74LS51 三3输入双与或非门SN74LS54 四输入与或非门SN74LS55 四4输入与或非门SN74LS573 8位三态输出D型锁存器SN74LS574 8位D型触发器SN74LS63 六电流读出接口门SN74LS670 8位数字比较器SN74LS684 8位数字比较器SN74LS73 双J－K触发器SN74LS74 双D触发器SN74LS75 4位双稳锁存器SN74LS76 双J－K触发器SN74LS78 双J－K触发器SN74LS83 双J－K触发器SN74LS85 4位幅度比较器SN74LS86 四2输入异或门SN74LS88 4位全加器SN74LS90 4位十进制波动计数器SN74LS91 8位移位寄存器SN74LS92 12分频计数器SN74LS93 二进制计数器SN74LS95 4位并入并出寄存器SN74LS96 5位移位寄存器SN74LSO1 四2输入与非门SN74LSO2 四2输入与非门SN74LSOO 四2输入与非门TIL113 光电耦合达林顿输出TIL117 光电耦合TLL逻辑输出TL062 低功耗JEFT输入双运放TL072 低噪声JEFTTLP521-1 单光耦TLP521-2 双光耦TLP521-4 四光耦TLP621 四光耦UC3842 WM电流型控制器UC3845 PWM电流型控制器ULN2003 周边七段驱动陈列ULN2004 周边七段驱动陈列ULN2803 周边八段驱动陈列ULN2804 周边八段驱动陈列VD5026 编码器VD5027 译码器。
夏普光耦选型手册
PC357NJ0000F
一般用途 一般用途， 高抗噪声性*1 高集电极发射极 电压 低输入电流， 高抗噪声性*1 可进行交流输入 低输入电流， 可进行交流输入, 高抗噪声性*1 高灵敏度
⅜❇
PC352NJ0000F 单 光 晶 体 管 输 出
⅜
50
3.75
80
90
5
5
4
2
100
2
PC451J00000F
PC714V0NSZXF PC724V0NSZXF
高绝缘电压 高绝缘电压， 大输入电流 高绝缘电压， 带基底端子 高绝缘电压， 高灵敏度 高绝缘电压， 高灵敏度, 高集电极发射极电压， 大功率
小型， SMT 型
数字输出 模拟／数字输出
一般用途，高响应速度， 2 通道等 高 CMR
44 44
DIP 型， SMT 型
数字输出 内置基本放大器
一般用途 用于倒流控制，内置短路保护电路
PC900V0NSZXF PC925LxNSZ0F ／PC942J00000F／ PC928J00000F／PC929J00000F
安全标准*8
绝对最大额定值
光电特性
PC123XNNSZ0F*1, *5, *6, *7 单 PC1231xNSZ0X*1 光 晶 体 PC817XNNSZ0F*5, *6, *7 管 输 PC8171xNSZ0X*5, *6 出 PC851XNNSZ0F*5, *6
高绝缘电压，强化绝缘型 高绝缘电压，强化绝缘型， 低输入电流，高抗噪声性*4 高绝缘电压 高绝缘电压，低输入电流， 高抗噪声性*4 高绝缘电压， 高集电极发射极电压 高绝缘电压，高灵敏度 高绝缘电压， 高灵敏度，低输入电流 高绝缘电压， 高集电极发射极电压 高绝缘电压， 高集电极发射极电压
光耦选型最全指南及各种参数说明
光耦选型手册光耦简介：光耦合器（opticalcoupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。
它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏半导体管）封装在同一管壳内。
当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。
光耦合器一般由三部分组成：光的发射、光的接收及信号放大。
输入的电信号驱动发光二极管（LED），使之发出一定波长的光，被光探测器接收而产生光电流，再经过进一步放大后输出。
这就完成了电—光—电的转换，从而起到输入、输出、隔离的作用。
光耦的分类：（1）光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。
非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于开关信号的传输，不适合于传输模拟量。
常用的4N系列光耦属于非线性光耦。
线性光耦的电流传输特性曲线接近直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。
常用的线性光耦是PC817A—C系列。
（2）常用的分类还有：按速度分，可分为低速光电耦合器（光敏三极管、光电池等输出型）和高速光电耦合器（光敏二极管带信号处理电路或者光敏集成电路输出型）。
按通道分，可分为单通道，双通道和多通道光电耦合器。
按隔离特性分，可分为普通隔离光电耦合器（一般光学胶灌封低于5000V，空封低于2000V）和高压隔离光电耦合器（可分为10kV，20kV，30kV等）。
按输出形式分，可分为：a、光敏器件输出型，其中包括光敏二极管输出型，光敏三极管输出型，光电池输出型，光可控硅输出型等。
b、NPN三极管输出型，其中包括交流输入型，直流输入型，互补输出型等。
c、达林顿三极管输出型，其中包括交流输入型，直流输入型。
d、逻辑门电路输出型，其中包括门电路输出型，施密特触发输出型，三态门电路输出型等。
e、低导通输出型（输出低电平毫伏数量级）。
f、光开关输出型（导通电阻小于10Ω）。
高速光耦型号大全
高速光耦型号大全光电耦合器（简称光耦）是开关电源电路中常用的器件。
光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。
常用的4N系列光耦属于非线性光耦常用的线性光耦是PC817A—C系列。
非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于弄开关信号的传输，不适合于传输模拟量。
线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。
开关电源中常用的光耦是线性光耦。
如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。
由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。
同时电源带负载能力下降。
在彩电，显示器等开关电源维修中如果光耦损坏，一定要用线性光耦代换。
常用的4脚线性光耦有PC817A----C。
PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有：TLP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。
常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的，因为这4种光耦均属于非线性光耦。
以下是目前市场上常见的高速光藕型号：100K bit/S:6N138、6N139、PS87031M bit/S:6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530（双路）、HCPL-2531（双路）10M bit/S:6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630（双路）、HCPL －2631（双路）光耦合器的增益被称为晶体管输出器件的电流传输比 (CTR)，其定义是光电晶体管集电极电流与LED正向电流的比率(ICE/IF)。
光电晶体管集电极电流与VCE有关，即集电极和发射极之间的电压。
RS485光耦应用电路图
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传统光电隔离的典型电路： （如图2所示）
图 2 、光电隔离 RS485 典型电路
图中我们以高速光耦 6N137为例（当然只是示意图）来说明一下隔离型 RS485电路。 VDD 与 VCC485是两组不共地的电源，一般用隔离型的 DC-DC 来实现。通过光耦隔离来实现信 号的隔离传输， ADM487与 MCU 系统不共地， 完全隔离则有效的抑制了高共模电压的产生， 大大降低了485的损坏率，提高了系统的稳定性。但也存在电路体积过大、电路繁琐、分立 器件过多、传输速率受光电器件限制等缺点，对整个系统的稳定性也有一定的影响。
好地 解决这个问题。 3 软件的编程 485芯片的软件编程对产品的可靠性也有很大影响。由于485总线是异步半双工的通信总 线，在某一个时刻，总线只可能呈现一种状态，所以这种方式一般适用于主机对分机的查询 方式通信， 总线上必然有一台始终处于主机地位的设备在巡检其它的分机， 所以需要制定一 套合理的通信协议来协调总线的分时共用。 这里采用的是数据包通信方式。 通信数据是成帧 成包发送的，每包数据都有引导码、长度码、地址码、命令码、内容、校验码等部分组成。 其中引导码是用于同步每一包数据的引导头； 长度码是这一包数据的总长度； 命令码是主机 对分机（或分机应答主机）的控制命令；地址码是分机的本机地址号；“内容”是这一包数 据里的各种信息；校验码是这一包数据的校验标志，可以采用奇偶校验、和校验等不同的方 式。 在485芯片的通信中，尤其要注意对485控制端 DE 的软件编程。为了可靠的工作，在485 总线状态切换时需要做适当延时，再进行数据的收发。具体的做法是在数据发送状态下， 先 将控制端置“1”，延时1ms 左右的时间，再发送有效的数据，一包数据发送结束后再延时 1ms 后，将控制端置“0”。这样的处理会使总线在状态切换时，有一个稳定的工作过程。 4 结论 经过以上的软硬件共同处理，RS-485总线在应用系统工程中的可靠性大大提高，在通常 的环境条件下，24小时连续开机，系统的通信始终处于正常状态，整机性能满足了现场工 程 的需要。 但是 RS-485总线仍然只是一种常规的通信总线，它不能够做总线的自动仲裁，也就是不 能够同时发送数据以避免总线竞争，所以整个系统的通信效率必然较低，数据的冗余量较 大，对于速度要求高的应用场所不适宜用 RS-485总线。同时由于 RS-485总线上通常只有 一台 主机，所以这种总线方式是典型的集中－分散型控制系统。一旦主机出现故障，会使整个系 统的通信陷于瘫痪状态，因此做好主机的在线热备份是一个重要措施。
光耦隔离式栅极驱动芯片的研究与设计
光耦隔离式栅极驱动芯片的研究与设计一、背景随着电子技术的发展，栅极驱动芯片在各类电子设备中发挥着越来越重要的作用。
传统的栅极驱动芯片通常采用分立元件和电感电容等组成，存在着易受干扰、响应速度慢等问题。
因此，研究和设计一种光耦隔离式栅极驱动芯片具有重要意义。
二、设计思路光耦隔离式栅极驱动芯片主要由光耦隔离器件、功率MOS管、保护电路和接口电路等组成。
其主要设计思路如下：1. 光耦隔离器件：采用光耦隔离器件实现输入信号与输出信号的电气隔离，提高系统的安全性与可靠性。
2. 功率MOS管：采用功率MOS管作为驱动芯片的输出级，具有响应速度快、驱动能力强等特点。
3. 保护电路：为防止芯片在异常工作状态下损坏，需要设置过流保护、过压保护等保护电路。
4. 接口电路：设计简单易用的接口电路，方便与其他电子设备的连接。
三、关键技术难点与解决方案1. 响应速度：由于光耦隔离器件存在响应时间，因此需要优化电路设计，降低其对系统响应速度的影响。
可以通过采用高速光耦器件、优化驱动MOS管的参数等方法实现。
2. 电磁干扰：光耦隔离器件对电磁干扰较为敏感，需要采取措施抑制干扰，如优化电路布局、使用磁珠等元件等。
3. 驱动能力：光耦隔离器件的驱动能力有限，需要选择合适的功率MOS管，并优化驱动电路，以满足不同应用场景的需求。
四、实验验证与优化在完成芯片设计后，需要进行实验验证和优化。
实验中，通过调整参数、优化电路布局等方法，提高芯片的性能和稳定性。
实验结果表明，该光耦隔离式栅极驱动芯片具有响应速度快、驱动能力强、安全可靠等特点，适用于各类电子设备中。
五、总结本文研究了光耦隔离式栅极驱动芯片的设计与实现方法，通过合理选择关键器件、优化电路设计等方法，成功设计了一种性能优良的光耦隔离式栅极驱动芯片。
实验验证表明，该芯片具有响应速度快、驱动能力强、安全可靠等特点，具有良好的应用前景和市场潜力。
后续工作将进一步优化该芯片的性能，降低成本，提高市场竞争力。
光耦的选型与应用
光耦的选型与应用[ 2008-2-3 8:54:00 | By: SystemARM ]4推荐光耦全称是光耦合器，英文名字是：optical coupler，英文缩写为OC，亦称光电隔离器，简称光耦。
光耦的结构是什么样的？光耦隔离就是采用光耦合器进行隔离，光耦合器的结构相当于把发光二极管和光敏(三极)管封装在一起。
为什么要使用光耦？发光二极管把输入的电信号转换为光信号传给光敏管转换为电信号输出，由于没有直接的电气连接，这样既耦合传输了信号，又有隔离干扰的作用。
光耦爱坏吗？只要光耦合器质量好，电路参数设计合理，一般故障少见。
如果系统中出现异常，使输入、输出两侧的电位差超过光耦合器所能承受的电压，就会使之被击穿损坏。
光耦的参数都有哪些？是什么含义？1、CTR：电流传输比2、Isolation Voltage：隔离电压3、Collector-Emitter Voltage：集电极－发射极电压CTR：发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值隔离电压：发光管和光敏三极管的隔离电压的最小值集电极－发射极电压：集电极－发射极之间的耐压值的最小值光耦什么时候导通？什么时候截至？关于TLP521-1的光耦的导通的试验报告要求：3.5v～24v 认为是高电平，0v～1.5v认为是低电平思路：1、0v～1.5v认为是低电平，利用串接一个二极管1N4001的压降0.7V+光耦的LED的压降，吃掉1.4V左右；2、24V是最高电压，不能在最高电压的时候，光耦通过的电流太大；所以选用2K的电阻；光耦工作在大概10mA的电流，可以保证稳定可靠工作n年以上；3、3.5V以上是高电平，为了尽快进入光敏三极管的饱和区，要把光耦的光敏三极管的上拉电阻加大；因此选用10K；同时要考虑到ctr最小为50％；电路：1、发光管端：实验室电源（0～24V）->2K->1N4001->TLP521-1(1)->TLP521-1(2)-gnd12、光敏三极管：实验室电源（DC5V）->10K->TLP521-1(4)->TLP521-1(3)-gnd23、万用表直流电压挡20V万用表+ -> TLP521-1(4)万用表- -> TLP521-1(3)试验结果输入电源万用表电压(V)1.3V 51.5V 4.81.7V 4.411.9V 3.582.1V 2.942.3V 1.82.5V 0.582.7V 0.22.9V 0.193.1V 0.173.3V 0.163.5V 0.165V 0.1324V 0.06思考题：光耦的CTR（电流传输比）是什么含义？思考题：1、光耦的CTR（电流传输比）是什么含义？2、CTR与上拉电阻和光耦的光敏三极管之间与饱和导通或者截至之间的关系；参考资料：TLP521-1的CTR为50％（最小值）；TLP521-1的长相TLP521-1的长相线性光耦原理与电路设计【转】线性光耦原理与电路设计来源：21IC中国电子网作者：佚名1. 线形光耦介绍光隔离是一种很常用的信号隔离形式。
PLC中常用元件
PLC常用元件PLC是可编程逻辑控制器（Programmable Logic Controller,PLC）的简称，PLC实质是一种专用于工业控制的计算机，主要用于工业环境中的各种控制需求，比如控制各种生产机器的运行，PLC硬件结构基本上与微型计算机相同，主要分为电源模块，CPU模块，I/O接口模块。
下面对两大主要模块I/O接口模块，CPU模块进行简要说明。
I/O接口模块：I/O接口模块即输入（input）/输出（output）模块，这一部分是主要用光耦的模块，我们知道，最终处理数据的是CPU，那为什么需要I/O接口模块呢？因为在工业环境中，输入信号往往会有很多干扰，因此为了防止这些干扰造成误判或者损坏整个系统，我们需要对这些信号进行处理，通常便是选用光耦进行隔离。
那么输出接口呢？因为CPU的输出功率非常有限，很难带动负载，同时也为了防止负载端对CPU的冲击，因此根据不同的负载，往往要采用不同的器件，比如继电器，MOS管等晶体管。
输入接口的隔离：通常可以选用晶体管输出光耦进行隔离，下图是4路输入，可采用4个TLP181或者一个TLP181-4，对于一些8路输入，16路输入等，就需要用到8个和16个光耦。
直流输入：常可选TLP181,TLP181-4,TLP185等交流输入：常可选TLP180,TLP184等输出接口：输出端往往采用一些继电器，MOS管来提升驱动能力继电器：因为CPU的输出能力有限，不能直接驱动继电器，因此经常需要用到达灵顿管、缓冲器/线驱动器、锁存器等来驱动继电器。
常用的缓冲器、线驱动器有：SN74HC244D，TC74VHCT244AFT常用的锁存器有：74VHC374，74VHC273常用8通道达灵顿驱动芯片有：TD62083，ULN2803MOS管：上面简单介绍了输入输出接口，而PLC的核心在于可编程，因此需要有通讯端口，满足其程序的写入以及其它通信需求。
常见的通讯协议有RS-232，RS-485，CAN等，还可以配置上USB等端口。
单片机常用外围器件及芯片
常用MCS-51系列（8位）单片机内部硬件资源表更强功能的MCS-51系列（8位）单片机内部硬件资源表 公司型号 片内ROM 片内RAM I/O 口线 中断源 A/D 定时器Intel80C51GA 4K 128 32 7 4*8bit 280C51GB 8K 256 32 7 4*8bit 2 ATMEL 89LV51 Flash 4K 128 32 6 /289LV52 Flash 8K 256 32 8 3 SiemensSAB80512 4K 128 56 6 8*8bit 2SAB80515 8K 256 48 12 8*8bit 3 AMD 80C525/325 8K 256 42 2 8*8bit380C515/535 8K 256 32 4 2Philips/ Signetics 83C552 8K 256 40 15 8*8bit 2 83C752 2K 64 19 6 4*8bit 1常用PIC 单片机系列（8位）单片机内部硬件资源 型号 管脚 片内ROM(位) 片内RAM I/O口线说明PIC12C508A 8 512*12 256 每个I/O 口吸收、驱动电流25mAPIC12C509A 512*12 41PIC12C671 1024*12 128PIC12C671 2048*12 128每个I/O 口吸收、驱动电流25mA ，4路8位ADCPIC16C54C 18 512*12 25 12一个定时器，片内WDT ，每个I/O 口吸收25mA 电流、驱动电流20mAPIC16C55 28 512*12 24 20PIC16C56 18 1024*12 25 12PIC16C57 28 2048*12 72 20公司型号 片内ROM片内RAM I/O 口线中断源 定时/计数器 Intel8031/128 32 5 2 8751 4K EPROM 128 32 5 2 8051 4K 128 32 5 2 8752 8K EPROM 256 32 6 3 ATMEL 89C1051 1K FLASH 128 15 3 1 89C2051 2K FLASH 128 15 5 2 89C51 4K FLASH 128 32 5 2 89C52 8K FLASH2563283常用74系列门电路芯片型号和简单功能描述名称（74XX）特征描述00 四2输入端与非门01 四2输入端与非门（OC）02 四2输入端或非门03 四2输入端或非门（OC）04 六反相器05 六反相器（OC）06 六高压输出反相器（OC,30V）07 六高压输出缓冲驱动器（OC,30V）08 四2输入端与门10 三2输入端与非门11 三2输入端与门13 双4输入端与非门14 六反相器16 六高压输出反相器（OC,15V）17 六高压输出缓冲驱动器（OC,15V）128 四2输入端或非线驱动器常用4000系列门电路芯片型号和简单功能描述型号器件名称厂家名称CD4000 双3输入端或非门+单非门TICD4001 四2输入端或非门HIT/NSC/TI/GOL CD4002 双4输入端或非门NSCCD4011 四2输入端与非门HIT/TICD4012 双4输入端与非门NSCCD4023 三3输入端与非门NSC/MOT/TI CD4025 三3输入端或非门NSC/MOT/TI CD4068 八输入端与非门/与门NSC/HIT/TICD4069 六反相器NSC/HIT/TICD4073 三3输入端与门NSC /TICD4075 三3输入端或门NSC/ TICD4081 四2输入端与门NSC/HIT/TICD4082 双4输入端与门NSC/HIT/TI常用的功率MOSFET驱动器型号配置输出电流（A）最大输入电压（V）封装TC4421 单通道、反相9 18 8-Pin，PDIP,5-Pin TC429 单通道、反相 6 18 8-Pin PDIPTC1413 单通道、反相 3 16 8-Pin PDIP,8-Pin TC4427A 双通道 1.5 18 8-Pin PDIP,8-PinTC4428A 双通道、正反/相1.5 188-Pin PDIP,8-PinSOICTC1426 双通道、反相 1.2 16 8-Pin PDIP,8-Pin SOICTC4467 四通道、反相 1.2 18 14-Pin PDIP,16-Pin SOIC(W)TC4468 四通道 1.2 18 14-Pin PDIP,16-Pin SOIC(W)电流/电压转换芯片型号封装电流大小电源电压最大工作电流(µA）简单描述MAX471 8/PDIP/SO 0~3A +3~+36 50 精密，高端电流传感放大器MAX472 8/PDIP/SO 外部电阻+3~+36 20 精密，高端电流传感放大器MAX4073 5-SC706-SOT23外部电阻+3~+28 500低成本，电压输出高端电流传感放大器MAX4172 8/µMAX/SO 外部电阻+3~+32 800 低成本，精密，H输出高端电流传感放大器MAX4173 6-SOT23 外部电阻+3~+28 420 低成本，电压输出高端电流传感放大器MAX4372 5-SOT238-SO外部电阻+2.7~+28 30低成本，微功耗电压输出高端电流传感放大器+比较器，含电压基准MAX4373 8/µMAX/SO 外部电阻+2.7~+28 50 低成本，微功耗电压输出高端电流传感放大器+比较器，含电压基准MAX4374 8/µMAX/SO 外部电阻+2.7~+28 50 低成本，微功耗电压输出高端电流传感放大器+比较器，含电压基准MAX4375 8/µMAX/SO 外部电阻+2.7~+28 50 低成本，微功耗电压输出高端电流传感放大器+比较器，含电压基准MAX4376 14-TSSOP5-SOT238/µMAX/SO外部电阻+3~+28 1000单高变电流传感放大器带外部增益多路模拟开关型号仪表放大器型号 传感器类型 输出形式 输出阻抗 典型器件 热敏电阻 随温度电阻发生变化 50到1M Ω AD524、AD620 热电偶电压变化 20~20k Ω AD624、AD620电阻温度探测（RTD ） （桥式电路） 随温度电阻发生变化 20~20k Ω AD624、AD625、AD620 水位传感器热型、浮标型 电阻变化500~2k Ω100~2k Ω AD624、AD625、AD620、AMP-01负载传感器应变桥、测重仪电阻变化120~1k Ω AD624、AD625、AD620、 AMP-01 光敏二极管光强度增加，电流增加 10Ω AMP-05磁场传感器 5mv/kg ~120mv/kg 1~ 1k Ω AD624、AD625、AD620、 AMP-02加速度传感器 1~100mv/g500ΩAD624、AD625、AD620、 AMP-02AD 公司DAC 器件 极性型号封装 位数 输出信号 线性 外部基准 接口方式 单极性AD5300BμSOIC8 0~+VDD 1 +VDD SPI AD7523 DIP 8 I 1/2 ±VREF P8 AD7524 DIP 8 I 1/2 ±VREF P8 AD7533 DIP10 I 1/2~2 ±VREF P10 AD5310BμSOIC10 0~+VDD 1 +VDD SPI AD7397 DIP 10 0~+VDD 1 +VREF P12 AD7541A DIP 12 I 1/2 ±VREF P12 AD7545 DIP 12 I 1/2 ±VREF P12 AD7845 DIP 12V1/2~1±VREFP12型号 通道数 最小电压最大电压最大关电流最大开时间 最大关时间 MAX324 2 2.7 16 0.1 150 100 MAX323 2 2.7 16 0.1 150 100 MAX307 8 4.5 30 0.75 200 150 MAX306 16 4.5 30 0.75 200 150 MAX322 2 Dual-Supply Dual-Supply 0.1 150 100 MAX321 2 Dual-Supply Dual-Supply 0.1 150 100 MAX320 2Dual-Supply Dual-Supply 0.1 150100AD7564 DIP 12 I1/2 4路+VREF S AD7393 DIP 12 +1.2(V) 1.6 +1.2(内部) P10 AD7394 DIP 12 +VREF(V) 1 +VREF SPI AD5320B DIP 12 0~+VDD 1 +VDD SPI AD7538 μSOIC 14 I1 ±VREF P14AD420 DIP 16 I(0~20mA/ 0~24mA/ 4~24mA) / 内/外 SPI/Microwire AD421 DIP 16 I(4~24mA) / 内/外 SPI 双极性AD7225 DIP 8 V ±5（V ） I 5mA±2 4路 外 P8 AD7226 DIP 8 V ±5（V ） I 5mA±2 1路 外 P8 AD7243 DIP 12 V ±5（V ） I 5mA±1 +5 S AD7840 DIP14V ±3（V ） I 5mA±2+3P14TI 公司的双极性DAC 器件 器件 管脚数 分辨率 输出 通道数 基准 电源电压 TLV5620 14 8 V 4 外部 2.7~5.5 TLC5628 16 8 V 8 外部 5TLV5604 16 10 V 8 外部 2.7~5.5 TLV5614 16 12 V 8 外部 2.7~5.5 TLC5615 8 10 V 1 外部 5TLC5616 8 12 V 1 外部 2.7~5.5 TLC5617 8 10 V 2 外部 5 TLC5618 8 12 V 2 外部 5TLV5636 8 12 V 1 外部 2.7~5.5 TLV5637 8 10 V 2 外部 2.7~5.5 TLV5638 8 12 V 2外部 2.7~5.5TLV5613 20 12 V 1 外部 2.7~5.5 TLV56192012 V1外部 2.7~5.5型号 通道 分辨率 输出阻抗线性 封装MAX5621 16 16 50 0.0015 64-TQFP 68-QFN MAX5622 16 16 500 0.0015 64-TQFP 68-QFN MAX5623 16 16 1000 0.0015 64-TQFP 68-QFN MAX5631 32 16 50 0.0015 64-TQFP 68-QFN MAX5632 32 16 500 0.0015 64-TQFP 68-QFN MAX5633 32 1610000.0015 64-TQFP 68-QFNTLV5633 20 12 V 1 内部 2.7~5.5 TLV5639 20 12 V 11 内部 2.7~5.5 THS5641 28 8 I 1 内部 3.0~5.0 THS5651 28 10 I 1 内部 3.0~5.0常用的光耦器件型号品牌描述4N25 QTC 晶体管输出4N30 QTC 达林顿管输出4N33 QTC 达林顿管输出4N35 QTC 晶体管输出6N135 FSC 高速光耦晶体管输出6N136 FSC 高速光耦晶体管输出6N137 FSC 高速光耦晶体管输出T1L113 FSC 达林顿管输出T1L117 - 达林顿管输出MOC3041 - 过零\触发\可控制输出MOC3061 - 过零\触发\可控制输出升/降压电压变换器件型号最小输出电压最大输出电压典型电流特征MAX1672 1.25 5.5 0.3 低电压检测MAX1729 2.5 16 0.0025 低噪声MAX710 - - 0.25 低噪声低电压检测MAX711 2.7 5.5 0.25 低噪声低电压检测升压电压变化器件型号最小输出电压最大输出电压典型电流MAX1675 2 5.5 0.3MAX1676 2 5.5 0.3MAX1678 2 5.5 0.09MAX1687 1.25 6 2MAX1688 1.25 6 2MAX1700 2.2 5.5 0.8MAX1703 2.5 5.5 1.5MAX1705 2.5 5.5 0.8降压电压变换器件型号典型输出值最小输出电压最大输出电压典型电流MAX1672 1.25 5.5 0.3 低电压检测MAX1734 1.5,1.8 - - 0.25MAX1742 1.5,1.8，2.5 1.1 5.5 1 MAX1744 3.3，5 - - 10 MAX1745 - 1.25 18 10 MAX1762 1.8,2.5 0.5 5.5 0.6 MAX1776 5 1.25 24 0.6 MAX1791 3.3,5 0.5 5.5 3 MAX1809 - 1.1 5.5 3 MAX1813 - 0.6 2 22 MAX1830 1.5,1.8,2.5 1.1 5.5 3低压差线性稳压器型号典型输出值最小输出电压最大输出电压典型电流（mA）MAX8873 2.80、2.84、3.15 - - 280MAX8874 2.80、2.84、3.15 - - 280MAX8875 2.5~5 - - 150MAX8877 2.5~5 - - 150MAX8878 2.5~5 - - 150MAX8880 - 1.25 5 200MAX8881 1.8、2.5、2.85、5.0 - - 200MAX8882 1.8、2.5、2.85、3.3 - - 160MAX8883 1.8、2.5、2.85、3.3 - - 160MAX8885 2.5~5 - - 150精密电压基准IC型号输出电压精度最小电压最大电压MAX6191A 2.048 0.1 2.5 12.6MAX6191B 2.048 0.244 2.5 12.6MAX6191C 2.048 0.5 2.5 12.6MAX6192A 2.5 0.08 2.7 12.6MAX6192B 2.5 0.2 2.7 12.6MAX6192C 2.5 0.4 2.7 12.6MAX6193A 3 0.066 3.2 12.6MAX6193B 3 0.166 3.2 12.6MAX6193C 3 0.333 3.2 12.6MAX6194A 4.5 0.04 4.7 12.6MAX6194B 4.5 0.11 4.7 12.6MAX6194C 4.5 0.22 4.7 12.6MAX6195A 5 0.04 5.2 12.6MAX6195B 5 0.1 5.2 12.6 MAX6195C 5 0.2 5.2 12.6 MAX6198A 4.096 0.05 4.3 12.6 MAX6198B 4.096 0.12 4.3 12.6 MAX6198C 4.096 0.24 4.3 12.6看门狗器件型号最小复位时间（ms）最大复位时间（ms）标准看门狗设置MAX690 35 70 可调1.6s MAX691 可调35 可调70 可调1.6s MAX692 可调35 可调70 可调1.6s MAX693 可调35 可调70 可调1.6s MAX694 可调140 可调280 可调1.6s MAX695 可调140 可调280 可调1.6s 单片机常用外围器件单片机常用外围器件************************************一、74系列常用器件1.常用与非门及与非门器件MM54HC08/MM74HC08MM54HC11/MM74HC12.常用或门有或非门器件MM54HC32/MM74HC32MM54HC02/MM74HC023常用与或门及与或非门器件MM54HC58/MM74HC58MM5(7)4HC514.常用总线驱动及收发器件54LS244/DM74LS244DM54LS235/DM74LS24574HC5955.常用计数器DM74LS90/DM74LS93DM54LS193/DM74LS1936.常用编码译码器件MM5(7)4HC148MM5(7)4HC138************************************二、存储器件1.SRAM-IS61C256AH2.EPRAM-M2764A3.EEPRAM24LC256X2816C4.FLASH存储器AT29C2***********************************三、A/D1.逐次比较型A/DADC0809/0804AD78102.并行比较型ADAD90483.半闪烁型高速A/DTLC5510MAX1134.Σ－△型高精度A/DAD7710ADS1100***********************************四、输出及显示1.LED驱动芯片ICM7218MAX7219MCI144892.LCD器件FYD128643.D/A************************************五、传感器1.温度LM35DS18B202.语音芯片ISD25003.时钟芯片DS1302PCF85834.其他热线型半导体气敏元件MR513酒精传感器 MQ-303A可燃性气体传感器 M007*************************************六、常用可编程器件1.可编程并行接口芯片 8255A2.可编程中断控制器 82C59A3.可编程计数器MSM82C53-2MSM82C54-24.可编程键盘、显示控制器件TMP82C79*****************************************七、常用通信器件1.RS-232总线接口芯片 MAX2322.RS-422总线接口芯片 MAX4913.RS-485总线接口芯片 MAX4854.异步收发器 MAX3100B控制器件 ISP15186.以太网接口器件 RTL8019AS*****************************************八、电源相关器件1.DC-DC电压变换器MAX1676MAX6822.电源监控器件MAX791MAX7053.电流传感器MAX471/472。
IPM驱动光耦（1Mbps高速光耦TLP104，TLP2404，TLP714，TLP754）
1Mbps高速光耦TLP104，TLP2404，TLP714，TLP754 IPM驱动光耦东芝提供非常适合应用于智能功率模块（IPM）隔离接口的光耦。
IPM驱动光耦具有开路集电极输出、反相和同相的图腾柱配置。
因此，您可找到最适合您需求的光耦，可满足驱动IPM 的各种输入配置（电平等级）。
1Mbps IPM驱动光耦：TLP104(SO6)，TLP2404(SO8)，TLP714(SDIP6)，TLP754(DIP8)TLP109，TLP719，TLP7595Mbps IPM驱动光耦：TLP2355，TLP2405，TLP715，TLP2955TLP2358，TLP2408，TLP718，TLP2958IPM驱动光耦的特点：具有低电平和高电平IPM接口共模抑制（CMR）达20kV/µs传播延迟为200ns的快速开关1．具有低电平和高电平IPM接口市场上有售的IPM或有一个高电平控制输入（当高电平时打开一个内部IGBT）也或者具有一个低电平控制输入（当低电平时打开一个内部IGBT）。
东芝提供的IPM驱动光耦，能为高电平IPM提供同相输出（当LED输入打开时产生高输出）也能为低电平IPM 提供反相输出（当LED输入打开时产生低输出）。
您可以使用具有适当输出配置的光耦对系统板进行改编以适合不同的IPM，而无需使用一个干扰逆变器IC。
省略片上逆变器IC即可使得不同产品能共用相同的板设计。
2．保证共模抑制达20kV/µs因为IPM控制输入会随着dv/dt的大小而变，所以用于直接驱动的光耦要求共模抑制高于10kV/µs。
在输入和输出电压间增加屏蔽和将电流接地可改进光耦的共模抑制。
为提供高于10kV/µs的共模抑制，东芝的多数IPM驱动光耦在光电探测器芯片中有一个屏蔽层。
这些光耦非常适合应用于IPM控制信号的接口。
特别是TLP2355和TLP2358，能提供高达20kV/µs的共模抑制。
几种用于IGBT驱动的集成芯片
几种用于IGBT驱动的集成芯片2. 1 TLP250（ TOSHIBA公司生产）在一般较低性能的三相电压源逆变器中 , 各种与电流相关的性能控制 , 通过检测直流母线上流入逆变桥的直流电流即可 , 如变频器中的自动转矩补偿 . 转差率补偿等 . 同时 , 这一检测结果也可以用来完成对逆变单元中 IGBT实现过流保护等功能 . 因此在这种逆变器中 , 对 IGBT驱动电路的要求相对比较简单 , 成本也比较低 . 这种类型的驱动芯片主要有东芝公司生产的 TLP250, 夏普公司生产的 PC923等等 . 这里主要针对 TLP250做一介绍 .TLP250包含一个 GaAlAs光发射二极管和一个集成光探测器 , 8脚双列封装结构 . 适合于 IGBT或电力MOSFET栅极驱动电路 . 图 2为 TLP250的内部结构简图 , 表1给出了其工作时的真值表 .TLP250的典型特征如下：1）输入阈值电流（IF）： 5 mA（最大） ;2）电源电流（ICC）： 11 mA（最大） ;3）电源电压（VCC）： 10～ 35 V;4）输出电流（IO）：± 0.5 A（最小） ;5）开关时光（tPLH /tPHL）：0.5 μ s（最大） ;6）隔离电压：2500 Vpms（最小）.表2给出了TLP250的开关特征,表3给出了TLP250的推举工作前提.注：使用 TLP250时应在管脚 8和 5间连接一个 0.1 μ F的陶瓷电容来稳定高增益线性放大器的工作 , 提供的旁路作用掉效会损坏开关性能 , 电容和光耦之间的引线长度不应超过 1 cm.图 3和图 4给出了 TLP250的两种典型的应用电路 .在图 4中 , TR1和 TR2的选取与用于 IGBT驱动的栅极电阻有直接的关系 , 例如 , 电源电压为24V时 ,TR1和 TR2的Icmax≥ 24/Rg.图 5给出了 TLP250驱动 IGBT时 ,1 200 V/200 A的 IGBT上电流的试验波形（50 A/10 μ s） . 可以看出 , 因为TLP250不具备过流呵护功效 ,当 IGBT过流时, 经由过程掌握旌旗灯号关断 IGBT, IGBT中电流的下降很陡 , 且有一个反向的冲击 . 这将会产生很大的 di/dt和开关损耗 , 而且对控制电路的过流保护功能要求很高 .TLP250使用特点：1） TLP250输出电流较小 , 对较大功率 IGBT实施驱动时 , 需要外加功率放大电路 .2）由于流过 IGBT的电流是通过其它电路检测来完成的 , 而且仅仅检测流过 IGBT的电流 , 这就有可能对于 IGBT的使用效率产生一定的影响 , 比如 IGBT在安全工作区时 , 有时出现的提前保护等 .3）要求控制电路和检测电路对于电流信号的响应要快 , 一般由过电流发生到 IGBT可靠关断应在 10 μ s以内完成 .4）当过电流发生时 , TLP250得到控制器发出的关断信号 , 对 IGBT的栅极施加一负电压 , 使 IGBT硬关断 . 这种主电路的 dv/dt比正常开关状态下大了许多 , 造成了施加于 IGBT两端的电压升高很多 , 有时就可能造成IGBT的击穿 .2.2 EXB8..Series（ FUJI ELECTRIC公司临盆）跟着有些电气装备对三相逆变器输出机能请求的进步及逆变器本身的原因,在现有的很多逆变器中,把逆变单元 IGBT的驱动与呵护和主电路电流的检测分别由不同的电路来完成 . 这种驱动方式既提高了逆变器的性能 , 又提高了 IGBT的工作效率 , 使 IGBT更好地在安全工作区工作 . 这类芯片有富士公司的 EXB8..Series. 夏普公司的 PC929等 . 在这里 , 我们主要针对 EXB8..Series做一介绍 .EXB8..Series集成芯片是一种专用于 IGBT的集驱动 . 保护等功能于一体的复合集成电路 . 广泛用于逆变器和电机驱动用变频器 . 伺服电机驱动 . UPS. 感应加热和电焊设备等工业领域 . 具有以下的特点： 1）不同的系列（标准系列可用于达到 10 kHz开关频率工作的 IGBT, 高速系列可用于达到 40 kHz开关频率工作的 IGBT） .2）内置的光耦可隔离高达 2 500 V/min的电压 .3）单电源的供电电压使其应用起来更为方便 .4）内置的过流保护功能使得 IGBT能够更加安然地工作 .5）具有过流检测输出信号 .6）单列直插式封装使得其具有高密度的安装方式 .常用的 EXB8..Series 主要有：标准系列的 EXB850和EXB851, 高速系列的 EXB840和 EXB841. 其主要应用场合如表 4所示 .注： 1）标准系列：驱动电路中的信号延迟≤ 4 μ s 2）高速系列：驱动电路中的信号延迟≤ 1.5 μ s图 6给出了 EXB8..Series的功能方框图 .表 5给出了 EXB8..Series的电气特性 .表6给出了EXB8..Series工作时的推举工作前提 .表 6 EXB8..Series工作时的推举工作条件图 7给出了 EXB8..Series的典范运用电路 .EXB8..Series运用不合的型号 ,可以达到驱动电流高达 400 A,电压高达1200 V的各类型号的IGBT.因为驱动电路的旌旗灯号延迟时光分为两种：尺度型（EXB850.EXB851）≤ 4μs,高速型（ EXB840. EXB841）≤1 μ s, 所以标准型的 IC实用于频率高达 10 kHz的开关操作 , 而高速型的 IC适用于频率高达 40 kHz的开关操作 .在应用电路的设计中, 应留意以下几个方面的问题：—— IGBT栅射极驱动电路接线必须小于 1 m;—— IGBT栅射极驱动电路接线应为双绞线 ;——如想在IGB集电极产生大的电压尖脉冲,那么增长 IGBT栅极串联电阻（ Rg）即可 ;——应用电路中的电容 C1和 C2取值相同 , 对于EXB850和 EXB840来说 , 取值为33 μ F, 对于 EXB851和 EXB841来说 , 取值为47 μ F. 该电容用来吸收由电源接线阻抗而引起的供电电压变化 . 它不是电源滤波器电容 .EXB8..Series的使用特点：1） EXB8..Series的驱动芯片是通过检测 IGBT在导通过程中的饱和压降 Uce来实施对 IGBT的过电流保护的 . 对于 IGBT的过电流处理完全由驱动芯片自身完成 , 对于电机驱动用的三相逆变器实现无跳闸控制有较大的帮助 .2） EXB8..Series的驱动芯片对 IGBT过电流保护的处理采用了软关断方式 , 因此主电路的 dv/dt比硬关断时小了许多 , 这对 IGBT的使用较为有利 , 是值得重视的一个优点 .3） EXB8..Series驱动芯片内集成了功率放大电路 ,这在一定程度上提高了驱动电路的抗干扰能力 .4） EXB8..Series的驱动芯片最大只能驱动 1 200V /300 A的 IGBT, 并且它本身并不提倡外加功率放大电路 , 另外 , 从图 7中可以看出 , 该类芯片为单电源供电 , IGBT的关断负电压信号是由芯片内部产生的－ 5 V 信号 , 容易受到外部的干扰 . 因此对于 300 A以上的IGBT或者 IGBT并联时 , 就需要考虑别的驱动芯片 , 比如三菱公司的 M57962L等 .图 8给出了 EXB841驱动 IGBT时 , 过电流情况下的实验波形 . 可以看出, 正如前面介绍过的, 由于EXB8..Series芯片内部具备过流保护功能 , 当 IGBT过流时 , 采用了软关断方式关断 IGBT, 所以 IGBT中电流是一个较缓的斜坡下降 , 这样一来 , IGBT关断时的 di/dt明显减少 , 这在一定程度上减小了对控制电路的过流保护性能的要求 .2. 3 M579..Series（ MITSUBISHI公司生产）M579..Series是日本三菱公司为 IGBT驱动提供的一种 IC系列 , 表 7给出了这种系列的几种芯片的基本应用特性（其中有＊者为芯片内部含有 Booster电路） .在 M579..Series中 , 以 M57962L为例做出一般的解释 . 随着逆变器功率的增大和结构的复杂 , 驱动信号的抗干扰能力显得尤为重要 , 比较有效的办法就是提高驱动信号关断 IGBT时的负电压 , M57962L的负电源是外加的（这点和 EXB8..Series不同） , 所以实现起来比较方便 . 它的功能框图和图 6所示的 EXB8..Series功能框图极为类似 , 在此不再赘述 . 图 9给出了 M57962L在驱动大功率 IGBT模块时的典型电路图 . 在这种电路中 , NPN 和 PNP构成的电压提升电路选用快速晶体管（tf≤ 200 ns） , 并且要有足够的电流增益以承载需要的电流 .在使用 M57962L驱动大功率 IGBT模块时 , 应注意以下三个方面的问题：1）驱动芯片的最大输出电流峰值受栅极电阻Rg的最小值限制 , 例如 , 对于 M57962L来说 , Rg的允许值在 5 Ω 左右 , 这个值对于大功率的 IGBT来说高了一些 , 且当 Rg较高时 , 会引起 IGBT的开关上升时间 td(on). 下降时间 td(off)以及开关损耗的增大 , 在较高开关频率（ 5 kHz以上）应用时 , 这些附加损耗是不可接受的 .2）即便是这些附加损耗和较慢的开关时间可以被接受 , 驱动电路的功耗也必须考虑 , 当开关频率高到一定程度时（高于 14 kHz） , 会引起驱动芯片过热 .3）驱动电路缓慢的关断会使大功率 IGBT模块的开关效率降低 , 这是因为大功率 IGBT模块的栅极寄生电容相对比较大 , 而驱动电路的输出阻抗不够低 . 还有 , 驱动电路缓慢的关断还会使大功率 IGBT模块需要较大的吸收电容 .以上这三种限制可能会产生严重的后果 , 但通过附加的 Booster电路都可以加以克服 , 如图 9所示 .从图 10（ a）可以看出 , 在 IGBT过流信号输出以后 , 门极电压会以一个缓慢的斜率下降 . 图 10（ b）及图10（ c）给出了 IGBT短路时的软关断过程（集电极－发射极之间的电压 uCE和集电极电流 iC的软关断波形）0 引言跟着电力电子技巧朝着大功率.高频化.模块化成长,绝缘栅双极品体管(IGBT)已广泛运用于开关电源.变频器.电机掌握以及请求快速.低损耗的范畴中.IGBT是复合全控型电压驱动式电力电子器件,兼有MOSFET和GTR的长处：输入阻抗高,驱动功率小,通态压降小,工作频率高和动态响应快.今朝,市场上500~3000V,800～l800A的IGBT,因其耐高压.功率大的特征,已成为大功率开关电源等电力电子装配的首选功率器件.1 驱动呵护电路的原则因为是电压掌握型器件,是以只要掌握ICBT的栅极电压就可以使其开通或关断,并且开通时保持比较低的通态压降.研讨标明,IGBT的安然工作区和开关特征随驱动电路的转变而变更.是以,为了包管IGBT靠得住工作,驱动呵护电路至关重要.IGBT驱动呵护电路的原则如下.(1)动态驱动才能强,能为栅极供给具有峻峭前后沿的驱动脉冲;(2)开通时能供给适合的正向栅极电压(12~15V),关断时可以供给足够的反向关断栅极电压(一5V);(3)尽可能少的输入输出延迟时光,以进步工作效力;(4)足够高的输入输出电气隔离特征,使旌旗灯号电路与栅极驱动电路绝缘;(5)消失短路.过流的情形下,具有敏锐的呵护才能.今朝,在现实运用中,广泛运用驱动与呵护功效合为一体的IGBT专用的驱动模块.2 集成驱动模块为懂得决IGBT的靠得住驱动问题,世界上各厂家丌发出了浩瀚的IGBT集成驱动模块.如日本富士公司的EXB系列,三菱电机公司的M57系列,三社电机公司的GH系列,美国国际整流器公司的TR系列,Unitrode公司的UC37系列以及国产的HL系列.以下是几种典范的集成驱动模块.2.1 EXB841模块的剖析EX841高速驱动模块为15脚单列直插式构造,采取高隔离电压光耦合器作为旌旗灯号隔离,内部构造图如图l所示,其工作频率可达40 kHz,可以驱动400 M600 V以内及300 A/l200 V的IGBT管,其隔离电压可达2500AC/min,工作电源为自力电源20±1V,内部含有一5V稳压电路,为ICBT的栅极供给+15V的驱动电压,关断时供给一5V的偏置电压,使其靠得住关断.当脚15和脚14有10 mA电流畅过时,脚3输出高电平而使IGBT在1μs内导通;而当脚15和脚14无电流畅过时,脚3输出低电平使IGBT关断;若ICBT导通时因推却短路电流而退出饱和,Vce敏捷上升,脚6悬空,脚3电位在短路后约3．5μs后才开端软降.EXB841典范运用图如图2所示,电容C1.C2用于接收高频噪音.当脚3输出脉冲的同时,经由过程快速二极管D1检测IGBT的C—E间的电压.当Vce>7V时,过流呵护电流掌握运算放大器,使其输出软关断旌旗灯号,在10μs内将脚3输出电平降为O.因EXB841无过流自锁功效,所以外加过流呵护电路,一旦产生过流,可经由过程外接光耦TLP521将过流呵护旌旗灯号输出,经由必定延时,以防止误动作和包管进行软关断,然后由触发器锁定,实现呵护.缺点：EXB84l过流呵护阀值过高,Vce>7V时动作,此时已弘远于饱和压降;消失呵护肓区;在实现止常关断时仅能供给一5V偏压,在开关频率较高.负载过大时,关断就显得不成靠;无过流呵护自锁功效,在短路呵护时其栅压的软关断进程被输入的关断旌旗灯号所打断.2．2 M57962L模块的剖析M57962AL是一种14脚单列直捕式构造的厚膜驱动模块,其内部构造图如图3所示.它由光耦合器.接口电路.检测电路.准时复位电路以及门关断电路构成,驱动功率大,町以驱动600A/600V及400A/l200V等系列IGBT模块.M5796AL具有高速的输入输出隔离,绝缘电压也可达到AC 2500V/min;输入电平与TTL电平兼容,适于单片机掌握;内部有准时逻辑短路呵护电路,同时具有延时呵护特征;采取双电源供电方法,相对于EXB84l来说,固然多运用一个电源．但IGBT可以更靠得住地通断.典范运用图如图4所示.当驱动旌旗灯号经由过程脚14和脚13时,经由高速光耦隔离,由M57962AL内置接口电路传输至功率放大极,在M57962AL的脚5产生+15V开栅和一10V关栅电压,驱动IGBT通断.当脚1检测到电压为7V时,模块认定电路短路,立刻经由过程光耦输出关断旌旗灯号,使脚5输出低电平,从而将IGBT的G—E两头置于负向偏置,靠得住关断.同时,输出误差旌旗灯号使故障输出端(脚8)为低电平,从而驱动外接的呵护电路工作.延时2～3s后,若检测到脚13为高电平,则M57962AL恢复工作.稳压管DZ1用于防止D1击穿而破坏M57962AL,Rg为限流电阻,DZ2和DZ3起限幅感化,以确保靠得住通断.比较：与EXB841比拟,M57962AL须要双电源(+15V,一1OV)供电,外周电路庞杂.而恰是因为M57962AL可输出一10V的偏压,使得IGBT靠得住地关断;别的,M57962AL具有过流呵护主动闭锁功效,并且软关断时光可外部调节,而EXB84l的软关断时光无法调节.所以M57962AL较EXB841更安然.靠得住.2.3 HL402模块的剖析HL402是17脚单列直插式构造,内置有静电屏障层的高速光耦合器实现旌旗灯号隔离,抗干扰才能强,响应速度快,隔离电压高.它具有对IGBT进行降栅压.软关断双重呵护功效,在软关断及降栅压的同时能输出报警旌旗灯号,实现封锁脉冲或分断主回路的呵护.它输出驱动电压幅值高,正向驱动电压可达15～17V,负向偏置电压可达10～12V,因而可用来直接驱动容量为400A/600V及300A/1200V以下的IGBT.HL402构造图如图5所示.图5中,VL1为带静电屏障的光耦合器,它用来实现与输入旌旗灯号的隔离.因为它具有静电屏障,因而明显进步了HL402抗共模干扰的才能.图5中U1为脉冲放大器,S1.S2实现驱动脉冲功率放大,U2为降栅压比较器,正常情形下因为脚9输入的IGBT集电极电压VCE不高于U2的基准电压VREF,U2不翻转,S3不导通,故从脚17和脚16输入的驱动脉冲旌旗灯号经S2整形后不被封锁.该驱动脉冲经S2.S2放大后供给应IGBT使其导通或关断,一旦IGBT退饱和,则脚9输入集电极电压给IGBT使其导通或关断,并且脚9输入的集电极电压采样旌旗灯号VCE高于U2的基准电压VREF,比较器U2翻转输出高电平,使S3导通,由稳压管DZ2将驱动器输出的栅极电压VGE下降到10V.此时,软关断准时器U3在降栅压比较器U2翻传达到设定的时光后,输出正电压使S4导通,将栅极电压软关断降到IGBT的栅射极门限电压,给IGBT供给一个负的驱动电压,包管IGBT靠得住关断.HL402典范运用图如图6所示.在现实电路中,C1.C2.C3.C4需尽可能地接近H1402的脚2.脚l.脚4装配.为了防止高频耦合及电磁干扰,由HL402输出到被驱动IGBT栅射极的引线须要采取双绞线或同轴电缆屏障线,其引线长度不超出1m.脚9和脚13接至IGBT集电极的引线必须离开走,不得与栅极和发射极引线绞合,以免引起交叉干扰.光耦合器L1可输入脉冲封锁旌旗灯号,当L1导通时,HLA02输出脉冲立刻被封锁至-10V.光耦合器L2供给软关断报警旌旗灯号,它在躯动器软关断的同时导通光耦合器L3,供给降栅压报警旌旗灯号.运用中,经由过程调剂电容器C5.C6.C7的值,可以将呵护波形中的降栅压延迟时光.降栅压时光.软关断斜率时光调剂至适合的值.在高频运用时,为了防止IGBT受到多次过电流冲击,可在光耦合器L2输出数次或1次报警旌旗灯号后,将输入脚16和脚17间的旌旗灯号封锁.小结：以上三者中,M57962AL和HL402都采取陶瓷基片黑色包装,EXB841采取覆铜板黄色包装,因为陶瓷基片的散热机能和频率特征比覆铜板好,HL402的负载才能和散热机能最好,加之合理的计划设计,在三者中的工作频率最高,呵护功效最全,而EXB841和M57962AL都没有降栅压呵护功效.别的,HL402和M57962AL供给负偏压的稳压管,放于外部,既有灵巧性又进步了靠得住性,而EXB841的稳压管在内部,经常因稳压管的破坏而掉效.是以,HL402凭借其优胜的机能可以填补别的两者的缺点.2．4 GH-039模块的剖析GH-039采取单列直插式12脚封装,功耗低.工作中发烧很小,可以高密度运用它采取单电源工作,内置高速光耦合器,带有软关断过流呵护电路,过流呵护除闭锁自身输出外,还给出供用户运用的同步输出端.它可以用来直接驱动300A/600V以下的IGBT模块.其内部构造图如图7所示,工作道理与EXB和M57系列模块相相似,这里不再赘述.而与EXB系列和M57系列的模块不合的是该模块已含有呵护后发送报警或动作旌旗灯号的光耦合器,所以运用中不须要像EXB和M57系列的模块外接光耦合器,因而加倍便利,其机能比EXB和M57系列的模块在呵护机能上加倍优胜;在靠得住性方面,因为GH-039是单电源供电,不克不及供给负偏压,从而导致ICBT不克不及靠得住地关断.与HL402比拟,CH-039呵护功效还不完美,它也同EXB841和M57962AL一样无降栅压呵护.是以,GH-039驱动模块也是出缺点的.GH-039典范接线图如图8所示.工作电源VCC为26V;为了保持电压稳固,滤波电容器应尽可能接近GH一039模块装配和运用,且其电容值不克不及小于10μF,并应选用高质量的电容;串入GH-039脚12与ICBT集电极之间的二极管D1,应选超快速恢复二极管,并且要包管其反向耐压不低于ICBT的集电极与栅极之间的额定电压;为防止所衔接的过流呵护端子光电隔离器的误动作,应在D1与GH一039的脚12之间串入100Ω的电阻;接于脚lO与脚12之间的D2选用超快速恢复二极管,其反向耐压可以低于IGBT的集射极间耐压.2．5 其他驱动器(1)IR系列驱动器 IR系列驱动器主如果为驱动桥臂电路而设计的,该芯片具有14脚,DIP封装.它具有过流呵护和欠压呵护功效,特殊是它具有自举浮动电源大大简化了驱动电源的设计,只用一路电源即可驱动多个功率器件.其缺点是本身不克不及产生负偏压,当用于驱动桥式电路时,因为米勒效应的感化,在开通与关断时刻,轻易在栅极上产生干扰,造成桥臂短路;别的IR系列驱动器采取了不隔离的驱动方法,在主电路的功率器件破坏时,高压可能直接串入驱动器件,致使驱动模块及前极电路破坏.(2)UC37系列驱动器该系列驱动器一般由UC3726和UC3727两片芯片配对运用,其工作频率较高,但在两芯片之间需增长脉冲变压器,给电路的运用和设计带来便利,是以该系列驱动器在我同并未得到推广.3 结语经由过程以上剖析比较,可得到如下结论.(1)以上6个系列的驱动器均能实现对IGBT的驱动与呵护;(2)EXB84l外周电路简略,仅需单电源供电,是最早进入我国市场的ICBT 驱动模块,技巧成熟,运用广泛;(3)EXB841与M57962AL在IGBT关断时代均能在栅极上施加负电压,进一步包管了IGBT的靠得住关断;(4)EXB841.M57962AL.GH一039和HL402都是自身带有对IGBT进行退饱和及过流呵护功效的ICBT驱动模块,且都是经由过程检测IGBT集射极间的电压来完成呵护功效的.但EXB841.M57962AL.GH一039在ICBT消失退饱和或过流时,仅可进行软关断的呵护.而HL402不单能进行软关断呵护,还可进行降栅压呵护.是以,HL402是四者中呵护功效最强,呵护功效设计最合理和呵护机能运用最便利的IGBT驱动器;(5)驱动雷同个数的IGBT功率开关时,IR系列所需工作电源起码,但不具有负偏压,轻易造成桥臂短路,实用于小功率驱动场合.。
光耦选型经典指南
光耦选型经典指南1.0.目的:针对光偶选型，替代，采购，检测及实际使用过程中出现的光偶特性变化引起的产品失效问题，提供指导。
2.0.适用范围:本指导书适用于瑞谷光偶的设计，选型，替代等。
3.0.说明:目前发现，因光偶的选型，光偶替代，光偶工作电流，工作温度设计不当等原因导致产品出现问题，如何减少选型，设计，替代导致的产品问题，这里将制订出相关指导性规范。
4.0.内部结构图及CTR 的计算方法:, 规格定义CTR:Ice/I*100% (检测条件:I=5 ma Vce=5V, 2701，2801系列) F F5.0.光偶主要特性分析，设计选型替代要求:5.1外观尺寸:设计，选型，替代注意:, 封装正确，本体MARK字迹要清晰，品牌正确，与技术规格书一致;, 替代时，如都为标准件封装，基本上装配没有问题，但需注意厚度是否与原料相同，是否满足整机的工艺要求。
5.2不同输入控制电流I，CTR 值不同; F光偶选型指导, 由图表显示，IF在5-15ma时CTR值最大;在小于5mA时(目前我们产品设计大多如此)，CTR值一般小于正常额定规格值;, 附加 Cosmo KPS2801-B 实测数据:J16(2009年第16周生产)的光耦在室温下的CTR#1 #2 #3 #4 #5 #6 #7 I ()FVCE=5V1mA 88.3% 90.48% 90.57% 86.56% 87.1% 85.12% 87..39% 2mA 133% 130% 130% 125% 135% 122% 126%3mA 150% 154% 154% 147% 151% 139% 150%5mA 177% 187% 183% 177% 178% 170% 177%J25(2009年第25周生产)的光耦在室温下的CTR#1 #2 #3 #4 #5 #6 #7 I ()FVCE=5V1mA 69.24% 78.61% 66.68% 66.41% 65.7% 75.5% 79.0%2mA 97% 105% 110% 104% 101% 122% 126%3mA 121% 121% 131% 132% 129% 151% 151%5mA 166% 147% 174% 174% 173% 210% 196%, 评注:IF不同，CTR不同，且差异非常大;不同DATECODE的也有差异，但在IF=5ma时，CTR值都在规格(130-260)范围内;, 设计，选型，替代注意:设计时工作电流应接近来料的检测电流值(目前大多IF=5ma),否则应用的CTR值无法保证，产品动态性能将很差;5.3不同环境温度，CTR 值不同;2光偶选型指导, 由图表显示，CTR 值与光偶的工作环境有关，温度太高或太低都小于常温附近的检测值;, 附加 Cosmo KPS2801-B 实测数据(单体):光耦随温度变化的CTR(%)#1 #2 #3 #4-40? 149 147 137 13025? 170 172 176 16785? 140 143 149 141注:测试条件:V=5V，I为5mA CEF, 评注:温度不同，CTR不同，温度太高或太低都低于常温，且差异很大; , 设计，选型，替代注意:产品在高低温CTR的值是否满足产品反馈环路的增益,产品动态稳定吗,开关机，输出是否产生震荡掉沟等不良，5.4光偶有RL阻值大小及工作频带带宽要求;3光偶选型指导, 由图表可看出:光偶有频带要求，如上图为KPS-2801光偶，工作频率基本在500KHZ以内，且对于高频工作时，RL(输出分压电阻)要小;, 设计，选型，替代注意:产品工作频率，RL选取阻值务必在带宽内，且考虑IF电流大小，VCE工作压降;5.5不同环境温度，输入控制电流可能产生变化:, 由图表可看出:环境温度超过55-60度后，输入控制电流I的最大值将随着温度上F4光偶选型指导升而显著减小;, 设计，选型，替代注意:选取合适的IF电流，使输入控制电流的变动都能及时反馈到输出端，保证产品反馈环的稳定;5.6 环境温度及功耗特性曲线, 由图表可看出:光偶的输出部分(或集电极)功耗在低温时，在温度高时数值变小;, 设计，选型，替代注意:1，器件常温时可提供功耗值;2，高温过程变化曲线; 3，有必要计算产品在高温工作时光偶功耗值;4，替代时考虑常温功耗，高温状态替代料是否优于原料;5光偶选型指导5.7 Ic,If,Vce关系曲线:, 由图表可看出:Vce必须大于一定电压，Ic才能达到最大，CTR值才会大; , 设计，选型，替代注意:Vce在电路应用中，保证设计有一定的电压值，否则Ic将较小，CTR将较小，一般设计Vc应大于3V。
高速比较器芯片型号选型表
高速比较器芯片型号选型表（实用版）目录1.高速比较器芯片概述2.高速比较器芯片的选型要求3.高速比较器芯片型号推荐4.总结正文一、高速比较器芯片概述高速比较器芯片是一种用于比较两个信号电压大小的电子元器件，具有响应速度快、输出波形陡峭等特点。
在高速信号处理系统中，比较器芯片起到关键作用，例如在数据通信、信号处理、振幅调制等领域。
根据不同的应用场景，高速比较器芯片有不同的性能要求，如响应速度、输入偏差、电源电压范围等。
二、高速比较器芯片的选型要求1.响应速度：高速比较器芯片的响应速度是评价其性能的重要指标。
通常情况下，响应速度越快，芯片的性能越好。
根据不同的应用场景，可选择不同响应速度的比较器芯片。
2.输入偏差：输入偏差是指比较器芯片在输入信号电压相等时，输出电压的差值。
输入偏差越小，表示比较器芯片的精度越高。
3.电源电压范围：高速比较器芯片的电源电压范围会影响其工作稳定性。
在选型时，需要根据系统电源电压范围选择合适电源电压范围的比较器芯片。
4.输出方式：高速比较器芯片的输出方式有模拟输出和数字输出两种。
模拟输出适合对信号波形要求较高的场景，数字输出则适用于需要明确信号状态的场景。
5.封装形式：高速比较器芯片的封装形式会影响其性能和稳定性。
常见的封装形式有 SOIC、TSSOP、LFCSP 等。
在选型时，需要根据实际应用场景选择合适的封装形式。
三、高速比较器芯片型号推荐根据上述选型要求，以下是几款高速比较器芯片型号推荐：1.TI 公司的 LM5017：该芯片具有快速响应速度（1ns），输入偏差低（500μV），电源电压范围宽（1.8V~5.5V），且封装形式为 LFCSP，适用于高速信号处理系统。
2.AD 公司的 ADC128S：该芯片响应速度为 2ns，输入偏差为 500μV，电源电压范围为 2.5V~5V，封装形式为 SOIC。
该芯片具有较高的性价比，适合数据通信等领域。
3.Maxim 公司的 MAX9997：该芯片具有快速响应速度（1ns），输入偏差低（500μV），电源电压范围宽（1.8V~5.5V），且封装形式为 TSSOP。
同相高速光耦
同相高速光耦一、同相高速光耦是什么同相高速光耦啊，这可是个超有趣的东西呢。
它就像是一个超级小助手，在电路里发挥着独特的作用。
同相的意思就是输入和输出的信号在相位上是相同的哦。
高速光耦呢，就表示它能够快速地处理信号，比那些普通的光耦要厉害好多。
你想啊，在一些需要快速反应的电路里，这个同相高速光耦就像是个小超人，迅速地把信号传过去，而且还能保证信号的质量。
它就像是一个桥梁，连接着电路的不同部分，让整个电路系统能够和谐地工作。
二、同相高速光耦的工作原理这个同相高速光耦的工作原理其实也不是特别复杂啦。
它有一个发光的部分和一个接收的部分。
当输入信号来到发光部分的时候，这个部分就会根据信号的情况发光。
然后呢，接收部分就会感知到这个光，再把光信号转化成相应的电信号输出。
就好像是两个人在传暗号一样，一个人用灯光来表示暗号内容，另一个人看到灯光就能知道暗号是什么啦。
而且因为它是同相的，所以输入和输出的信号在时间上是很同步的呢。
三、同相高速光耦的应用场景1. 在通信设备里同相高速光耦可有用啦。
比如说在手机或者基站这些通信设备里，信号的传输速度要求很高，而且要准确。
同相高速光耦就能在里面帮忙，把不同模块之间的信号快速准确地传递，这样我们打电话或者上网的时候，信号才会又好又快。
2. 在电脑主板上电脑主板上也是它的小天地哦。
主板上有好多不同的芯片和电路部分，它们之间的信号交互需要一个可靠的东西来帮忙，同相高速光耦就可以承担这个任务。
它可以让数据在各个部件之间快速地跑来跑去，让电脑运行得更加顺畅。
3. 在工业控制领域在那些大的工厂里，有各种各样的机器设备需要控制。
同相高速光耦就可以在控制电路里发挥作用。
比如说，从控制器到执行器之间的信号传输，同相高速光耦就能保证信号快速准确地到达，这样机器就能按照我们的要求工作啦。
光耦主要参数和高速光耦如何选型
光耦主要参数和高速光耦如何选型光耦是一种将电气信号转换为光信号或将光信号转换为电气信号的器件。
它由光电二极管和光敏三极管（或光控双极晶体管）组成，具有隔离电解、放大、调制和调制功能。
在实际应用中，选择适合的光耦是至关重要的，以下将讨论光耦的主要参数以及如何选型高速光耦。
光耦的主要参数如下：1.光耦电流传输比（CTR）：CTR是光耦输出电流与输入电流的比值，通常以百分比表示。
CTR越高，输入光功率相同，输出电流就越大。
选取适当的CTR可以确保信号传输的准确性和稳定性。
2.光耦响应时间：光耦响应时间是光信号从输入端到输出端需要的时间。
高速信号传输需要快速的响应时间，因此在选择高速光耦时要确保响应时间能满足实际应用需求。
3.隔离电压：隔离电压是光耦能够承受的最大电压。
对于需要高电压隔离的应用，需要选择具有足够高隔离电压的光耦。
4.工作温度范围：光耦的工作温度范围取决于其元件材料和封装方式。
在选择光耦时，要确保其工作温度范围能够适应实际应用环境。
5.耐压能力：耐压能力指的是光耦能够承受的最大电压。
在选择光耦时要根据所需的电压范围来确定光耦的耐压能力。
6.封装类型：光耦的封装类型也是选择的一个重要因素。
常见的封装类型包括DIP（双列直插封装）、SMD（表面贴装封装）和COB（芯片封装）等。
选择适合的封装类型可以简化产品的安装和布局。
对于高速光耦的选型，除了上述主要参数外，还需要考虑以下几个因素：1.带宽：高速光耦的带宽是指其能够传输的最高频率。
通常以MHz或GHz为单位。
在选择高速光耦时，要根据实际应用需求确定所需的带宽范围。
2.上升时间：上升时间是指光信号从0%到90%上升的时间。
它是评估光耦响应速度的重要指标。
较低的上升时间可以实现更快的信号传输。
3.构造和材料：高速光耦通常采用功率放大器来提高高速信号的响应速度。
不同的构造和材料可以对高速光耦的性能产生影响。
因此，在选型时要仔细考虑构造和材料的选择。
高速光耦芯片选型大全
通讯用高速光藕型号大全
100K bit/S:
6N138、6N139、PS8703
1M bit/S:
6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530（双路）、HCPL-2531（双路）
10M bit/S:
6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630（双路）、HCPL－2631（双路）
另外，台湾COSMO公司的KP7010在RL选值为300欧左右时，我根据其数据手册所载数值计算，速率可达100Kbit/S，且为6脚封装，比同级的6N138、6N139小巧，价格也较低。
速度要求不高的情况下，可以用廉价的低速光耦搭配2只廉价的三级管来提高速度。
上次我做一个SPI通信的系统，并且要求不能共地，SPI总线的频率100K左右，我就用一个廉价的TLP521加了一只C1815,一只A1015实现了。
作技术总结时，为了验证通信的可靠性，我将该电路单独搭出来测试，轻松过300K，做了100只光耦，全部通过300K测试。
要看做什么样的通信,如果对边沿要求高的话,可以涮掉好大一部分.。
TLP521中文资料及选型指南
间 (tr,tf)
VCC=4.5V
VCC=6.0V
直流电气特性
最小 2 0
-40 -55
最大 6
VCC +85 +125 1000 500 400
单位 V V ℃ ℃ ns ns ns
Symbol 符号
Parameter 参数
Conditions 条件
74HC
VCC
TA=25℃
TA=-40 to 85℃
图 1 引脚图功能 图 2 逻辑图
图 3 7404 真值表
电源电压 DC 输入电压
最大额定值 -0.5 to +7.0V -1.5 to Vcc+1.5V
直流输出电压 钳位二极管电流 直流输出电流，每个引脚（输出） 功耗
-0.5 to Vcc+0.5V ±20mA ±25mA 600mW
建议操作条件:
16mA
— 15 — μs
— 25 —
图 3 TLP521-1 封装图 图 4 TLP521-2 封装图
图 5 TLP521-4 封装图 图 6 开关时间测试电路 特性曲线图：
应用电路：
图 7 打开或关闭 12V 直流电动机的 TTL 控制信号输入电路图
74HC04 特性:
• 缓冲输入 • 传输延迟(典型值): 6ns at VCC = 5V, CL = 15pF, TA = 25°C • 扇出（驱动）能力： (在温度范围内)
℃
Lead soldering temperature 无铅焊接温度 Tsol 260 (10 s)
℃
Total package power dissipation 整体功耗 PT
250
150
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通讯用高速光藕型号大全
100K bit/S:
6N138、6N139、PS8703
1M bit/S:
6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530（双路）、HCPL-2531（双路）
10M bit/S:
6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630（双路）、HCPL－2631（双路）
另外，台湾COSMO公司的KP7010在RL选值为300欧左右时，我根据其数据手册所载数值计算，速率可达100Kbit/S，且为6脚封装，比同级的6N138、6N139小巧，价格也较低。
速度要求不高的情况下，可以用廉价的低速光耦搭配2只廉价的三级管来提高速度。
上次我做一个SPI通信的系统，并且要求不能共地，SPI总线的频率100K左右，我就用一个廉价的TLP521加了一只C1815,一只A1015实现了。
作技术总结时，为了验证通信的可靠性，我将该电路单独搭出来测试，轻松过300K，做了100只光耦，全部通过300K测试。
要看做什么样的通信,如果对边沿要求高的话,可以涮掉好大一部分.。