专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案【精品文档】
专升本《集成电路版图设计》_试卷_答案
专升本《集成电路版图设计》一、（共75题,共150分）1. 单词“LAYOUT”的含义是:（）。
（2分）A.版图B.电路C.输出.标准答案：A2. 集成电阻通常由扩散或者淀积层形成，通常可以用厚度一定的薄膜作为模型，因此习惯上把电阻率和厚度合成一个单位，称为（）。
（2分）A.方块电阻B.电阻C.半导体电阻.标准答案：A3. 由于其较小的方块电阻，发射区是唯一适合于制作较小电阻（0.5～100）的区域。
对于发射区电阻可以忽略（）和电导调制效应。
（2分）A.电流调制B.电压调制C.电荷调制.标准答案：B4. 在模拟BiCMOS工艺中，发射区电阻可以直接置入（）外延层内；（2分）A.P型B.N型C.P型或N型.标准答案：A5. 电容的标准单位是（）。
（2分）A.法拉B.伏特C.安培.标准答案：A6. CMOS工艺中的多晶硅-多晶硅电容，（）可以用作多晶硅-多晶硅电容的下电极。
（2分）A.电阻多晶硅B.电容多晶硅C.多晶硅栅.标准答案：C7. 单位面积电容与相对介电常数即电介质常数成（）。
（2分）A.反比B.正比C.无关.标准答案：B8. 流过导体的电流会在导体周围产生（）。
（2分）A.电场B.磁场C.电磁场.标准答案：B9. 发射结和集电结的击穿决定了一个双极型晶体管的（）工作电压。
重要的三种击穿电压为VEBO，VCBO，VCEO等。
（2分）A.最大 B.最小 C.任意.标准答案：A10. 发射极开路时集电极的击穿电压表示为VCBO，绝大多数晶体管的集电区和基区都是（）的，所以VCBO通常很大。
（2分）A.重掺杂B.不掺杂C.轻掺杂.标准答案：C11. 二极管连接形式的晶体管可以作为一个很方便的基准（）源。
（2分）A.电压B.电流C.电压或电流.标准答案：A12. 使用P型外延层，必须加入深的轻掺杂（）型扩散区用于制作PMOS晶体管。
（2分）A.NB.PC.N或P.标准答案：A13. MOS晶体管是一种（）控制器件。
专升本CMOS模拟集成电路分析与设计试卷答案
专升本CMOS模拟集成电路分析与设计试卷答案专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》一、（共75题,共150分）1. Gordon Moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每（）个月翻一番（2分）A.12B.18C.20D.24.标准答案：B2. MOS 管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。
（2分）A.体B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通.标准答案：C3. 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。
（2分）A.亚阈值区B.深三极管区C.三极管区D.饱和区.标准答案：D4. MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。
（2分）A.夹断B.反型C.导电D.耗尽.标准答案：A5. （）表征了MOS器件的灵敏度。
（2分）A.B.C.D..标准答案：C6. Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的（）。
（2分）A.B.C.D..标准答案：B7. 基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是（）。
（2分）A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值B.负载不匹配C.输入MOS不匹配D.电路制造中的误差.标准答案：C8. 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益（）。
（2分）A.二极管负载差分放大器B.电流源负载差分放大器C.有源电流镜差分放大器D.Cascode负载Casocde差分放大器.标准答案：C9. 镜像电流源一般要求相同的（）。
（2分）A.制造工艺B.器件宽长比C.器件宽度WD.器件长度L.标准答案：D10. 某一恒流源电流镜如图所示。
忽略M3的体效应。
要使和严格相等，应取为（）。
（2分）A.B.C.D..标准答案：A11. 选择题:下列结构中密勒效应最大的是（）。
（2分）A.共源级放大器B.源级跟随器C.共栅级放大器D.共源共栅级放大器.标准答案：A12. 下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。
请计算该电路的等效输入电阻为（）。
专升本《模拟电子技术》_试卷_答案
专升本《模拟电子技术》一、（共48题,共150分）1. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( )。
（2分）A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.晶体管结电容不确定性.标准答案：C2. 稳压二极管的有效工作区是( )。
（2分）A.正向导通区B.反向击穿区C.反向截止区D.死区.标准答案：B3. 如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为( )。
（2分）A.放大状态B.微导通状态C.截止状态D.饱和状态.标准答案：D4. 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( )。
（2分）A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容D.不易制作大阻值的电阻.标准答案：C5. 用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的( )。
（2分）A.抑制共模信号能力增强B.差模放大倍数数值增大C.差模输入电阻增大D.差模输出电阻增大.标准答案：A6. 半导体中PN结的形成主要是由于（）生产的。
（2分）A.N区自由电子向P区的扩散运动B.N区自由电子向P区的漂移运动C.P区自由电子向N区的扩散运动D.P区自由电子向N区的漂移运动.标准答案：A7. 理想的功率放大电路应工作于( )状态。
（2分）A.甲类互补B.乙类互补C.甲乙类互补D.丙类互补.标准答案：C8. NPN共射电路的Q点设置在接近于( )处将产生顶部失真。
（2分）A.截止区B.饱和区C.击穿区D.放大区.标准答案：A 9. 当有用信号的频率介于1500Hz与2000Hz之间时，应采用的最佳滤波电路是( )。
（2分）A.低通B.高通C.带通D.带阻.标准答案：C10. 差动放大电路的特点是抑制( )信号，放大( )信号。
（2分）A.共模共模B.共模差模C.差模差模D.差模共模.标准答案：B11. 利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。
（2分） ( ).标准答案：正确12. 未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。
模拟cmos集成电路设计课后题
模拟CMOS集成电路设计课后题在现代电子科学领域中，模拟CMOS集成电路设计是一门重要的课程，它涉及到电子工程中的基本原理和技术，对从事电子电路设计和集成电路制造的专业人员来说，具有非常重要的意义。
而课后题作为知识的巩固和扩展，对于深入理解和掌握这门课程也至关重要。
接下来，我将针对模拟CMOS集成电路设计课后题进行深度和广度兼具的全面评估，并据此撰写一篇有价值的文章。
一、基本概念解释1. 什么是模拟CMOS集成电路设计？模拟CMOS集成电路设计即使用CMOS工艺制作的模拟电路。
它在数字电路的基础上加入了模拟电路。
2. 课后题的重要性课后题是对课堂所学知识的巩固和拓展，通过解答课后题可以帮助学生更深入地理解和掌握课程内容，提高解决问题的能力。
二、课后题解析1. 请列举一些模拟CMOS集成电路设计的常见应用？模拟CMOS集成电路设计常见的应用包括放大电路、滤波电路、比较器、运算放大器等。
2. 什么是CMOS工艺？CMOS是指互补型金属氧化物半导体技术，它是当今集成电路工艺的主流之一。
CMOS工艺具有低功耗、高集成度和良好的抗干扰能力等特点。
3. 请解释CMOS集成电路的工作原理。
CMOS集成电路由N型金属氧化物半导体场效应晶体管和P型金属氧化物半导体场效应晶体管组成。
当输入电压改变时，两个晶体管的导通状态都会随之改变，从而实现信号的放大和处理。
4. 请说明模拟CMOS集成电路设计中需要考虑的主要因素？在模拟CMOS集成电路设计中，需要考虑的主要因素包括功耗、速度、噪声、线性度、稳定性等。
5. 如何进行模拟CMOS集成电路的性能指标评估？模拟CMOS集成电路的性能指标评估包括静态指标和动态指标两部分，静态指标包括增益、带宽、输入输出阻抗等；动态指标包括上升时间、下降时间、过冲、欠冲等。
三、个人观点和总结从我个人的观点来看，模拟CMOS集成电路设计是电子工程领域中非常重要的一门课程，通过课后题的解答可以更好地理解和掌握课程中的知识点，培养自己的问题解决能力。
模拟cmos集成电路设计复习题
二、计算题，假设所有的晶体管都工作在饱和区 （用符号来表示结果, 譬如 gm, ro, RD, VOV, 等等）（共 35 分，共 2 题）
1. 假设没有衬底偏置效应 (15 分)
(a) 画出图中所示的电路图的低频小信号等效电路图 (5 分)
(b) 假设 IS = 0.75I1 ，λ = 0 ，Cox( pmos) = Cox(nmos) ，求该电路的低频小信号电压
——第 17 页——
三、计算题，假设所有的晶体管都工作在饱和区
（用符号来表示结果, 譬如 gm, ro, RD, VOV, 等等.） （共 45 分， ——第 18 页——
学院____________班级____________姓名____________学号____________
密封线内不答题
增益？用迁移率和宽长比表示。（必须给出解题过程） (10 分)
——第 4 页——
学院____________班级____________姓名____________学号____________
密封线内不答题
——第 5 页——
2. 假设下图所示电路图中的所有器件都是完全匹配和对称的，回答一下问 题。请用跨导，输出电阻和电阻表示。（必须给出解题过程） (20 分)
4. 在 NMOS 中, 衬底上加上负电压偏置, 会使阈值电压(
)。
A. 增大 B 不变
C 减小
D 可大可小
5. 采用 PMOS 二极管连接方式做负载的 NMOS 共源放大器NMOS 都存在体效应，电压放大系数与 NMOS 和 PMOS 的宽长比有
关
B． PMOS 和 NMOS 都存在体效应，电压放大系数与 NMOS 和 PMOS 的宽长比无
模拟集成电路设计考核试卷
B.乘法器
C.除法器
D.微分器
12.以下哪种放大器配置的输入阻抗最高？（）
A.共源
B.共栅
C.差分
D.电压跟随器
13.在模拟集成电路中，以下哪个参数影响放大器的热噪声？（）
A.电流
B.电压
C.频率
D.温度
14.以下哪个组件在模拟集成电路中用于调节电压？（）
A.运算放大器
B.电压比较器
C.电压基准
D.电流镜
15.关于电流镜的描述，列哪项是正确的？（）
A.提供电流增益
B.用于电压放大
C.用于电流采样
D.仅用于数字电路
16.以下哪种类型的反馈在放大器设计中可以稳定增益？（）
A.电压反馈
B.电流反馈
C.负反馈
D.正反馈
17.在模拟集成电路设计中，以下哪个参数影响放大器的功率消耗？（）
A.增益
B.驱动能力
A.功能测试
B.性能测试
C.热测试
D.安全测试
二、多选题（本题共20小题，每小题1.5分，共30分，在每小题给出的四个选项中，至少有一项是符合题目要求的）
1.模拟集成电路设计时，以下哪些因素会影响MOSFET的阈值电压？（）
A.栅极长度
B.源漏间距
C.主体区掺杂浓度
D.温度
2.以下哪些是模拟集成电路中常见的噪声来源？（）
A.增益带宽积
B.开环增益
C.输入阻抗
D.输出阻抗
9.在模拟集成电路中，下列哪个部分通常用于实现模拟开关的功能？（）
A. MOSFET
B.二极管
C.晶体管
D.运算放大器
10.以下哪种类型的滤波器在模拟信号处理中用于去除高频噪声？（）
专升本《集成电路工艺技术基础》_试卷_答案
专升本《集成电路工艺技术基础》一、（共34题,共150分）1. 恒定电场条件下，按照微电子工艺下器件的等比例缩小原则，若器件的几何尺寸等比例缩小k倍，则衬底掺杂浓度N应该________k倍，电压Vdd应该________k倍，芯片密度则提高________ 倍。
（6分）.标准答案：1. 提高;2. 缩小;3. k2;2. 拉制单晶的过程包括________、________、________、________、________及________。
（12分）.标准答案：1. 熔硅;2. 引晶;3. 收颈;4. 放肩;5. 等径生长;6. 收晶。
;3. 影响氧化速率的因素有________、________、________、________及________等。
（10分）.标准答案：1. 温度;2. 压强;3. 晶向;4. 掺杂浓度;5. 杂质类型（掺氯）; 4. 掺杂是指在衬底选择区域掺入定量杂质，包括________________和________________两项工艺。
（4分）.标准答案：1. 扩散掺杂;2. 离子注入掺杂;5. 从机理上分析，可以将整个溅射分解为四个过程，分别是________________________________、________________________________、________________________________及________________________________。
（8分）.标准答案：1. 等离子体产生过程;2. 离子轰击靶过程;3. 靶原子气相输入过程;4. 沉积成膜过程;6. 硅单晶氧化速度最快的晶向是____________________。
（2分）.标准答案：1. （111）;7. 半导体工艺中Si3N4一般采用____________进行腐蚀，而SiO2则一般采用____________进行腐蚀，Si则一般采用____________和____________进行腐蚀。
苏州大学2011模拟CMOS集成电路设计课程(B)参考答案
苏州大学模拟CMOS集成电路设计课程（B）参考答案共 4 页院系电子信息学院专业1. 其各段工作情况为：当VGS -VTH<0 时，管子关断，处于微弱导通区，或者处于亚阈值区；当VGS -VTH>0 时，管子导通，此时，若VDS<VGS-VTH时，管子处于线性放大区，或者三角区，或者线性区；若VDS >VGS-VTH时，管子处于饱和区，漏电流基本保持不变。
线性区：[]2)(221DSTHGSDSoxnDVVVVLWCI--=μ饱和区：2)(21THGSoxnDVVLWCI-=μ（条件3分，区名称3分，表达式4分，共10分。
）2．主要工艺流程步骤为：晶圆准备；杂质注入扩散；氧化；光刻；腐蚀；淀积；CMOS 器件剖面示意图为：每个步骤1分，图4分，共10分。
3. PMOS衬底一定接最高电位；NMOS衬底一定接最低电位；目的是为了让衬底PN结反偏，限制载流子只在沟道里流动。
共5分。
4.放大器种类和理想模型如下所示共5分。
5．VTH0 =0. 7V，γ＝0.45，2Fφ＝0.9 ，λ＝0 ；00.70.450.70.45TH TH V V γ=+=+=+上式对于V X <1.9V 成立，即在此条件下，Schichman-Hodges 模型成立 V GS =1.9-1=0.9 (V), V DS =1.5-1=0.5 (V) 1) 当V X ＝0 时，0.70.450.893TH V =+≈（V ），此时V DS >V GS -V TH ,晶体管处于饱和区，()22110.20.45220.20.45X n OX GS TH n OX m n OX W W I C V V C L LW g C L μμμ⎡⎤=-=-⎣⎦⎡⎤=-⎣⎦2）当V X 继续增加，使得0.20.45-＝0.5 ，即V X =1.82 时，晶体管处于饱和区与线性区的边界；3）当V X > 1.82 时，晶体管处于线性区，(){}21120.20.450.2522(0.5)X n OX DS GS TH DS n OX m n OX DS n OX W W I C V V V V C L LW Wg C V C L Lμμμμ⎡⎤⎡⎤=--=--⎣⎦⎣⎦==曲线如图所示：（每步骤2分，曲线4分，共10分）6. 1）利用 source degeneration 的结论，把晶体管M1等效为一个阻值为111o m r g ⎛⎫⎪⎝⎭，1123311221111o m V o o m o m m o r g A r r g r g g r ⎛⎫ ⎪⎝⎭=⎛⎫+ ⎪⎛⎫⎝⎭+ ⎪+⎝⎭ 2） in R ≈∞ 3）输出阻抗为 2332211o o m out m o r r g R g r ⎛⎫+ ⎪⎝⎭=+ （共10分）。
集成电路CMOS题库【精选文档】
一、选择题1。
Gordon Moore在1965年预言：每个芯片上晶体管的数目将每个月翻一番。
(B）A.12 B。
18 C.20 D。
242.MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的效应产生的。
（C）A.体B。
衬偏C。
沟长调制 D.亚阈值导通3.在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在区。
（D)A。
亚阈值区 B.深三极管区 C.三极管区D。
饱和区4。
MOS管一旦出现现象，此时的MOS管将进入饱和区。
（A）A.夹断B.反型C.导电D。
耗尽5.表征了MOS器件的灵敏度。
(C）A。
B. C。
D。
6.Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的. （B）A。
B。
C。
D。
7.基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是。
(C）A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值B.负载不匹配C.输入MOS不匹配D。
电路制造中的误差8.下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益。
（ C ）A.二极管负载差分放大器B。
电流源负载差分放大器C。
有源电流镜差分放大器D。
Cascode负载Casocde差分放大器9。
镜像电流源一般要求相同的. （ D ）A。
制造工艺 B。
器件宽长比 C.器件宽度W D.器件长度L10. NMOS管的导电沟道中依靠导电。
（）A.电子 B。
空穴 C.正电荷 D。
负电荷11。
下列结构中密勒效应最大的是。
（A）A。
共源级放大器 B.源级跟随器C。
共栅级放大器 D。
共源共栅级放大器12.在NMOS中，若会使阈值电. （A）A.增大 B。
不变 C。
减小 D。
可大可小13。
模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是。
（C）A.增益B.输出电阻 C。
输出摆幅 D.输入电阻14。
模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是。
（A）A.增益B.电压净空 C。
输出摆幅 D.输入偏置15. 下图中，其中电压放大器的增益为-A,假定该放大器为理想放大器.请计算该电路的等效输入电阻为。
（）第15题A. B。
Razavi《模拟CMOS集成电路设计》习题答案精编版
CORRECTIONS TO SOLUTIONS MANUALIn the new edition, some chapter problems have been reordered and equations and figure refer-ences have changed. The solutions manual is based on the preview edition and therefore must be corrected to apply to the new edition. Below is a list reflecting those changes.The “NEW” column contains the problem numbers in the new edition. If that problem was origi-nally under another number in the preview edition,that number will be listed in the“PREVIEW”column on the same line.In addition,if a reference used in that problem has changed,that change will be noted under the problem number in quotes. Chapters and problems not listed are unchanged.For example:NEW PREVIEW--------------4.18 4.5“Fig. 4.38” “Fig. 4.35”“Fig. 4.39” “Fig. 4.36”The above means that problem4.18in the new edition was problem4.5in the preview edition.To find its solution, look up problem 4.5 in the solutions manual. Also, the problem 4.5 solution referred to “Fig. 4.35” and “Fig. 4.36” and should now be “Fig. 4.38” and “Fig. 4.39,” respec-tively._____________________________________________________________________________ CHAPTER 3NEW PREVIEW--------------3.1 3.83.2 3.93.3 3.113.4 3.123.5 3.133.6 3.143.7 3.15“From 3.6” “From 3.14”3.8 3.163.9 3.173.10 3.183.11 3.193.12 3.203.13 3.213.14 3.223.15 3.13.16 3.23.17 3.2’3.18 3.33.19 3.43.20 3.53.21 3.63.22 3.73.23 3.103.24 3.233.25 3.243.26 3.253.27 3.263.28 3.273.29 3.28 CHAPTER 4NEW PREVIEW--------------4.1 4.124.2 4.134.3 4.144.4 4.154.5 4.164.6 4.174.7 4.18“p. 4.6” “p. 4.17”4.8 4.194.9 4.204.10 4.214.11 4.224.12 4.234.13 4.24“p. 4.9” “p. 4.20”4.14 4.1“(4.52)” “(4.51)”“(4.53)” “(4.52)”4.15 4.24.16 4.34.17 4.44.18 4.5“Fig. 4.38” “Fig. 4.35”“Fig. 4.39” “Fig. 4.36”4.19 4.6“Fig 4.39(c)” “Fig 4.36(c)”4.20 4.74.21 4.84.22 4.94.23 4.104.24 4.114.25 4.254.26 4.26“p. 4.9” “p. 4.20”CHAPTER 5NEW PREVIEW--------------5.1 5.165.2 5.175.3 5.185.4 5.195.5 5.205.6 5.215.7 5.225.8 5.235.9 5.15.10 5.25.11 5.35.12 5.45.13 5.55.14 5.65.15 5.75.16 5.85.17 5.95.18 5.10“Similar to 5.18(a)” “Similar to 5.10(a)”5.19 5.115.20 5.125.21 5.135.22 5.145.23 5.15CHAPTER 6NEW PREVIEW--------------6.1 6.76.2 6.86.3 6.9“from eq(6.23)” “from eq(6.20)”6.4 6.106.5 6.11“eq (6.52)” “eq (6.49)”6.6 6.16.7 6.26.8 6.36.9 6.46.10 6.56.11 6.66.13 6.13“eq (6.56)” “eq (6.53)”“problem 3” “problem 9”6.16 6.16“to (6.23) & (6.80)” “to (6.20) & (6.76)”6.17 6.17“equation (6.23)” “equation (6.20)”CHAPTER 7NEW PREVIEW--------------7.27.2“eqn. (7.59)” “eqn. (7.57)”7.177.17“eqn. (7.59)” “eqn. (7.57)7.197.19“eqns 7.66 and 7.67” “eqns 7.60 and 7.61”7.217.21“eqn. 7.66” “eqn. 7.60”7.227.22“eqns 7.70 and 7.71” “eqns. 7.64 and 7.65”7.237.23“eqn. 7.71” “eqn. 7.65”7.247.24“eqn 7.79” “eqn 7.73”CHAPTER 8NEW PREVIEW--------------8.18.58.28.68.38.78.48.88.58.98.68.108.78.118.88.18.98.28.108.38.118.48.138.13“problem 8.5” “problem 8.9”CHAPTER 13NEW PREVIEW--------------3.17 3.17“Eq. (3.123)” “Eq. (3.119)”CHAPTER 14 - New Chapter, “Oscillators”CHAPTER 15 - New Chapter, “Phase-Locked Loops”CHAPTER 16 - Was Chapter 14 in Preview Ed.Change all chapter references in solutions manual from 14 to 16. CHAPTER 17 - Was Chapter 15 in Preview Ed.Change all chapter references in solutions manual from 15 to 17. CHAPTER 18 - Was Chapter 16 in Preview Ed.NEW PREVIEW--------------18.316.3“Fig. 18.12(c)” “Fig. 16.13(c)”18.816.8“Fig. 18.33(a,b,c,d)” “Fig. 16.34(a,b,c,d)”Also, change all chapter references from 16 to 18.。
模拟cmos集成电路设计课后答案中文
模拟cmos集成电路设计课后答案中文【篇一：北邮模拟cmos集成电路设计实验报告】=txt>姓名学院专业班级学号班内序号实验一:共源级放大器性能分析一、实验目的1、掌握synopsys软件启动和电路原理图（schematic）设计输入方法；2、掌握使用synopsys电路仿真软件custom designer对原理图进行电路特性仿真；3、输入共源级放大器电路并对其进行dc、ac分析，绘制曲线；4、深入理解共源级放大器的工作原理以及mos管参数的改变对放大器性能的影响二、实验要求1、启动synopsys，建立库及cellview文件。
2、输入共源级放大器电路图。
3、设置仿真环境。
4、仿真并查看仿真结果，绘制曲线。
三、实验结果1、电路图2、仿真图四、实验结果分析器件参数：nmos管的宽长比为10，栅源之间所接电容1pf，rd=10k。
实验结果：输入交流电源电压为1v，所得增益为12db。
由仿真结果有：gm=496u，r=10k，所以增益av=496*10/1000=4.96=13.91 db实验二:差分放大器设计一、实验目的1.掌握差分放大器的设计方法；2.掌握差分放大器的调试与性能指标的测试方法。
二、实验要求1.确定放大电路；2.确定静态工作点q；3.确定电路其他参数。
4.电压放大倍数大于20db，尽量增大gbw，设计差分放大器；5.对所设计电路进行设计、调试；6.对电路性能指标进行测试仿真，并对测量结果进行验算和误差分析。
三、实验结果随着r的增加，增益也增加。
但从仿真特性曲线我们可以知道，这会限制带宽的特性，w/l增大时，带宽会下降。
为保证带宽，选取w/l=30，r=30k的情况下的数值，保证了带宽，可以符合系统的功能特性，实验结果见下图。
1.电路图【篇二：集成电路设计王志功习题答案1-5章】划分，集成电路的发展已经经历了哪几代？它的发展遵循了一条业界著名的定律，请说出是什么定律？晶体管-分立元件-ssi-msi-lsi-vlsi-ulsi-gsi-soc。
CMOS模拟集成电路设计习题参考答案Chap11
答案：
（1）刚开始时 M5、M6 都截止，VX、VY 逐渐增大。随着 VY 增大到 VTH6，M6 导通。VX 也增大到 VTH5 使 M5 导通。这样 VDD 经 M3、M5 到地就构成通路，使其余电路都导通。 （2）随着 VY 进一步增大，IDS6 不断增大，就有可能使 VX=VDD‐IDS6(Ra+Rb)<VTH5,这样 M5 就 截止。 （3）电路工作后，要使 M5 截止，要满足 VX=VDD‐IDS6(Ra+Rb)<VTH5。 5、 11.12
ห้องสมุดไป่ตู้
I CB 9 I V ln 8 , VT ln CB 8 R3 T IS 8I S R3
R1 ln 8 R3
（3）C1 可以保证输出电压更加稳定。C2:位于两级放大器级间，进行频率补偿，使反馈网 络稳定工作。 （4）M120、 M12、 R6 构成的电路和 M9、 C1 对整个电路起启动作用， 启动后通过它 （M120、 M12、R6 构成的电路）的电流很小，对电路工作状态影响小。 启动过程：开始时，VREF 为零 M7、M11 截止，VB 为高电位，M5 也截止。M120、M12、 R6 构成的电路将 M9 栅极电位拉低，M9 导通给 C1 充电，使 VREF 缓慢（C1=30p 很大）升高。 M7、M11 先后导通，拉低 VB 也使 M5 导通。经过电路的反馈自动调节，电路正常工作。 4、 11.2
。
答案： 图中的基准电路的平衡点由下式决定： | V BE1 | I OUT R1 ，而 V BE1 VT ln
I IN 。输 IS nI OUT 。 IS
出电流 I OUT 与 I IN 的关系与管子尺寸有关，设 nI OUT I IN ，则 I OUT R1 VT ln 由此可以看出输出电流 I OUT 不是电源电压 VDD 的函数，故对 VDD 不敏感。
模拟集成电路设计期末试卷word精品
《模拟集成电路设计原理》期末考试一•填空题（每空1分，共14分）1、与其它类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很容易按________ 比例____ 缩小，CMOS电路被证明具有_较低—的制造成本。
2、放大应用时，通常使MOS管工作在_饱和一区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义—跨导_来表示电压转换电流的能力。
3、入为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，入值____ 较小 _ （较大、较小）。
4、源跟随器主要应用是起到___电压缓冲器—的作用。
5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高，因此可以做成―恒定电流源_。
6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输入电平的变化会引起差动输出的改变。
7、理想情况下，_电流镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中，为了抑制沟长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为—共源共栅电流镜—结构。
&为方便求解，在一定条件下可用—极点一结点关联一法估算系统的极点频率。
9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示，电路的输入电容C in为—C F（1 - A）__。
10、入为沟长调制效应系数，入值与沟道长度成—反比__ （正比、反比）。
二.名词解释（每题3分，共15分）1、阱解：在CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上，其中某一类器件要做在一个“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。
2、亚阈值导电效应解：实际上，V GS=V TH时，一个“弱”的反型层仍然存在，并有一些源漏电流，甚至当V GS<V TH时，I D也并非是无限小，而是与V GS呈指数关系，这种效应叫亚阈值导电效应。
3、沟道长度调制解：当栅与漏之间的电压增大时，实际的反型沟道长度逐渐减小，也就是说, 这种效应称为沟道长度调制。
4、等效跨导Gm6、N 阱:解：CMOS 工艺中，PMOS 管与NMOS 管必须做在同一衬底上，若衬底为 P 型，贝U PMOS 管要做在个N 型的“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的N 型“局部衬底”叫做 N 阱。
集成电路CMOS题库
集成电路CMOS题库⼀、选择题1、Gordon Moore 在1965年预⾔:每个芯⽚上晶体管得数⽬将每个⽉翻⼀番。
（B ）A 、12B 、18C 、20D 、242.MOS 管得⼩信号输出电阻就是由MOS 管得效应产⽣得。
（C ）A.体 B 、衬偏 C 、沟长调制 D 、亚阈值导通3.在CMOS 模拟集成电路设计中，我们⼀般让MOS 管⼯作在区。
（D ）A 、亚阈值区B 、深三极管区C 、三极管区D 、饱与区4、MOS 管⼀旦出现现象，此时得MOS 管将进⼊饱与区。
（A ）A 、夹断B 、反型C 、导电D 、耗尽5、表征了MOS 器件得灵敏度。
（C ）A 、o rB 、b m gC 、m gD 、ox n c u6.Cascode 放⼤器中两个相同得NMOS 管具有不相同得。
（B ）A 、o rB 、b m gC 、m gD 、ox n c u7.基本差分对电路中对共模增益影响最显著得因素就是。
（C ）A 、尾电流源得⼩信号输出阻抗为有限值B 、负载不匹配C 、输⼊MOS 不匹配A.⼆极管负载差分放⼤器 B 、电流源负载差分放⼤器C 、有源电流镜差分放⼤器D 、Cascode 负载Casocde 差分放⼤器9、镜像电流源⼀般要求相同得。
（ D ）A 、制造⼯艺 B 、器件宽长⽐ C 、器件宽度W D 、器件长度L10、 NMOS 管得导电沟道中依靠导电。
（）A.电⼦ B 、空⽳ C 、正电荷 D 、负电荷11、下列结构中密勒效应最⼤得就是。
（A ）A 、共源级放⼤器B 、源级跟随器C 、共栅级放⼤器D 、共源共栅级放⼤器12.在NMOS 中，若0V sb 会使阈值电。
（A ）A 、增⼤B 、不变C 、减⼩D 、可⼤可⼩13、模拟集成电路设计中可使⽤⼤信号分析⽅法得就是。
（C ）A 、增益B 、输出电阻C 、输出摆幅D 、输⼊电阻14、模拟集成电路设计中可使⽤⼩信号分析⽅法得就是。
（A ）A 、增益B 、电压净空C 、输出摆幅D 、输⼊偏置15、下图中，其中电压放⼤器得增益为-A ，假定该放⼤器为理想放⼤器。
专升本《集成电路与数字系统设计工程》_试卷_答案
专升本《集成电路与数字系统设计工程》一、（共59题,共150分）1. 关于PROM和PLA的结构，下列叙述不正确的是（）（2分）A.PROM的与阵列固定不可编程B.PROM的或阵列可编程C.PLA的与、或阵列均可编程D.PROM的与、或阵列均不可编程.标准答案：D2. 一个多输入与非门，输出为0的条件是（）（2分）A.只要有一个输入为1，其余输入无关B.只要有一个输入为0，其余输入无关C.全部输入均为1D.全部输入均为0.标准答案：C3. 下列四种类型的逻辑门中，可以用（）实现三种基本运算买的商品数。
（2分）A.与门B.与非门C.或门D.非门.标准答案：B4. 设计一个四位二进制码的奇偶位发生器（假定采用偶检验码），需要（）个异或门。
（2分）A.2B.3C.4D.5.标准答案：B5. 寻址容量为的RAM需要（）根地址线。
（2分）A.4B.8C.14D.16.标准答案：C6. 对于如图所示波形,其反映的逻辑关系是（）。
（2分）A.与关系B.异或关系C.同或关系D.无法判断.标准答案：7. 已知逻辑表达式，与它功能相等的函数表达式（）（2分）A.F=ABB.F=AB+CC.D..标准答案：B 8. 一只四输入端与非门，使其输出为1的输入变量取值组合有（）种。
（2分）A.15B.8C.7D.1.标准答案：A9. 时序电路输出状态（）。
（2分）A.仅与该时刻输入信号的状态有关B.仅与时序电路的原状态有关C.与A、B皆有关D.与A、B、C皆有关.标准答案：D10. 对于标准的1P2M CMOS工艺，不能实现的器件是（）。
（2分）A.PMOSB.纵向BJTC.PIP电容D.NMOS.标准答案：C11. 下列公式中哪一个是错误的？（）。
（2分）A.0+A=A??B.A+A=A?C.?????D.A+BC=(A+B)(A+C).标准答案：C12. 如果将异或门当作反相器使用，各输入端应如何连接？（）（2分）A.异或门的一个输入端当作反相器的输入端，另一个输入端都接高电平B.异或门的一个输入端当作反相器的输入端，另一个输入端都接低电平C.异或门的一个输入端当作反相器的输出端，另一个输入端都接高电平D.异或门的一个输入端当作反相器的输出端，另一个输入端都接低电平.标准答案：A13. 数字系统中，采用（）可以将减法运算转化为加法运算。
模拟CMOS集成电路分析与设计总复习
描述电路响应速度和稳定性的参数。
03
CMOS集成电路设计
电路设计流程
确定设计目标
明确电路的功能、性能指标和限制条件，如 功耗、面积、速度等。
电路设计
根据设计目标，选择合适的电路结构和元件 参数，进行电路设计和仿真验证。
版图绘制
将电路设计转换为版图，确保电路元件和互 连符合工艺要求。
物理验证
对版图进行物理验证，检查版图的正确性和 工艺兼容性。
01
新材料和新器件结构
探索新型半导体材料（如硅基氮化镓 、碳化硅等）和新型器件结构（如 FinFET、GAAFET等），以提高性能 、降低功耗和解决制程技术瓶颈。
02
异构集成和系统级封 装
发展异构集成技术，将不同工艺的芯 片高效集成在同一封装内，实现更强 大的系统功能。同时，研究系统级封 装技术，以提高集成度和降低成本。
形成。
优点
低功耗、高集成度、低成本、低噪 声等。
应用领域
计算机、通信、消费电子等领域。
CMOS集成电路的工作原理
工作原理
开关状态转换
CMOS集成电路利用N型和P型半导体 的特性，通过正负电压的交替作用， 实现逻辑门的开关状态转换。
当输入端接收到信号时，反相器中的 N型和P型半导体材料会交替导通和截 止，从而实现开关状态转换。
电源管理应用
电源管理芯片
CMOS集成电路在电源管理领域中扮演着重要角色，如电源管理芯片等。这些芯片能够实现电压调节、电流控制等功 能，从而保证电子设备正常工作和延长电池寿命。
电源转换
CMOS集成电路还可以用于实现各种电源转换，如DC-DC转换、AC-DC转换等。这些转换电路能够将电源转换为电 子设备所需的电压和电流等级，以满足不同设备的电源需求。
(完整版)专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案
.标准答案：B
and 54. 工作在（）区的 MOS 管，可以被看作为电流源。 （2 分） e A.截止 B.三极管 C.深三极管 D.饱和
.标准答案：D
tim 55. 工作在（）区的 MOS 管，其跨导是恒定值。 （2 分） t a A.截止 B.三极管 C.深三极管 D.饱和 a .标准答案：D
59. NMOS 管的导电沟道中依靠（）导电。 （2 分） A.电子 B.空穴 C.正电荷 D.负电荷 .标准答案：A
60. 当 MOS 管的宽长比是定值时，其跨导与过驱动电源的关系曲线是（）。
A B C D （2 分） A.见图 B.见图 C.见图 D.见图 .标准答案：C
61. MOS 管的漏源电流受栅源过驱动电压控制，我们定义（）来表示电压转换电流 的能力。 （2 分） A.跨导 B.受控电流源 C.跨阻 D.小信号增益 .标准答案：A
A.电阻负载
B.二极管连接负载
C.电流源负载
D.二极管和电流源并联负载
.标准答案：C
25. 模拟集成电路设计中的最后一步是（）。 （2 分）
A.电路设计
B.版图设计
C.规格定义
D.电路结构选择
.标准答案：B
26. 在当今的集成电路制造工艺中，（）工艺制造的 IC 在功耗方面具有最大的优势。
（2 分）
19. NMOS 管中，如果 VB 变得更负，则耗尽层（）。 （2 分） A.不变 B.变得更窄 C.变得更宽 D.几乎不变 .标准答案：C
20. 随着微电子工艺水平提高,特征尺寸不断减小,这时电路的工作电压会（） （2 分）
A.不断提高 B.不变 .标准答案：D
C.可大可小 D.不断降低
21. MOS 管漏电流的变化量除以栅源电压的变化量是（）。 （2 分） A.电导 B.电阻 C.跨导 D.跨阻 .标准答案：C
模拟集成电路试题
模拟集成电路试题一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟集成电路设计中，以下哪种器件不是基本的构成元件？A. 晶体管B. 电阻C. 电容D. 电感2. 运算放大器的差分输入电压是指：A. 同相输入端与反相输入端之间的电压差B. 同相输入端与输出端之间的电压差C. 反相输入端与输出端之间的电压差D. 输出端与地之间的电压差3. 以下哪个参数不是模拟集成电路中的噪声参数？A. 噪声功率谱密度B. 噪声电压C. 噪声电流D. 增益带宽积4. 在模拟集成电路中，电流源的主要作用是什么？A. 提供稳定的电流B. 提供稳定的电压C. 作为信号的放大器D. 作为信号的滤波器5. 模拟集成电路中的反馈通常用于：A. 增加增益B. 减少增益C. 增加稳定性D. 减少稳定性6. 以下哪个不是模拟集成电路中的放大器类型？A. 共发射极放大器B. 共基极放大器C. 共集电极放大器D. 共栅极放大器7. 在模拟集成电路设计中，温度补偿的目的是什么？A. 增加电路的增益B. 减少电路的功耗C. 保持电路性能在不同温度下稳定D. 提高电路的响应速度8. 模拟集成电路中的带宽通常指的是：A. 电路可以处理的最高频率B. 电路可以处理的最低频率C. 电路可以处理的最大电流D. 电路可以处理的最大电压9. 以下哪个参数不是模拟集成电路中的失真参数？A. 谐波失真B. 互调失真C. 相位失真D. 增益10. 在模拟集成电路中，电源电压的变化对电路性能的影响主要体现在：A. 增益的变化B. 功耗的变化C. 频率响应的变化D. 以上都是二、填空题（每题2分，共20分）1. 模拟集成电路中的______放大器通常用于实现高输入阻抗和低输出阻抗。
2. 在模拟集成电路中，为了减少噪声，常常使用______作为输入级。
3. 模拟集成电路中的______效应是指由于温度变化引起的参数变化。
4. 模拟集成电路中的______是指电路对不同频率信号的响应能力。
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专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》一、（共75题,共150分）1. Gordon Moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每（）个月翻一番（2分）A.12B.18C.20D.24.标准答案：B2. MOS 管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。
（2分）A.体B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通.标准答案：C3. 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。
（2分）A.亚阈值区B.深三极管区C.三极管区D.饱和区.标准答案：D4. MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。
（2分）A.夹断B.反型C.导电D.耗尽.标准答案：A5. （）表征了MOS器件的灵敏度。
（2分）A.B.C.D..标准答案：C6. Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的（）。
（2分）A.B.C.D..标准答案：B7. 基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是（）。
（2分）A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值B.负载不匹配C.输入MOS不匹配D.电路制造中的误差.标准答案：C 8. 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益（）。
（2分）A.二极管负载差分放大器B.电流源负载差分放大器C.有源电流镜差分放大器D.Cascode负载Casocde差分放大器.标准答案：C9. 镜像电流源一般要求相同的（）。
（2分）A.制造工艺B.器件宽长比C.器件宽度WD.器件长度L.标准答案：D10. 某一恒流源电流镜如图所示。
忽略M3的体效应。
要使和严格相等，应取为（）。
（2分）A.B.C.D..标准答案：A11. 选择题:下列结构中密勒效应最大的是（）。
（2分）A.共源级放大器B.源级跟随器C.共栅级放大器D.共源共栅级放大器.标准答案：A12. 下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。
请计算该电路的等效输入电阻为（）。
（2分）A.B.C.D..标准答案：A13. 对电路进行直流工作点分析的Hspice命令是（）。
（2分）A.DCB.ACC.OPD.IC.标准答案：C14. 模拟集成电路设计中的第一步是（）。
（2分）A.电路设计B.版图设计C.规格定义D.电路结构选择.标准答案：C15. （）可提高图中放大器的增益。
（2分）A.减小，减小B.增大，增大C.增大，减小D.减小，增大.标准答案：A16. 模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是（）。
（2分）A.增益B.输出电阻C.输出摆幅D.输入电阻.标准答案：C17. 模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是（）。
（2分）A.增益B.电压净空C.输出摆幅D.输入偏置.标准答案：A 18. 在NMOS 中，若会使阈值电压（）（2分）A.增大B.不变C.减小D.可大可小.标准答案：A19. NMOS管中，如果VB变得更负，则耗尽层（）。
（2分）A.不变B.变得更窄C.变得更宽D.几乎不变.标准答案：C20. 随着微电子工艺水平提高,特征尺寸不断减小,这时电路的工作电压会（）（2分）A.不断提高B.不变C.可大可小D.不断降低.标准答案：D21. MOS管漏电流的变化量除以栅源电压的变化量是（）。
（2分）A.电导B.电阻C.跨导D.跨阻.标准答案：C22. 工作在饱和区的MOS管，可以被看作是一个（）。
（2分）A.恒压源B.电压控制电流源C.恒流源D.电流控制电压源.标准答案：B23. 密勒效应最明显的放大器是（）。
（2分）A.共源极放大器B.源极跟随器C.共栅极放大器D.共基极放大器.标准答案：A24. 不能直接工作的共源极放大器是（）共源极放大器。
（2分）A.电阻负载B.二极管连接负载C.电流源负载D.二极管和电流源并联负载.标准答案：C25. 模拟集成电路设计中的最后一步是（）。
（2分）A.电路设计B.版图设计C.规格定义D.电路结构选择.标准答案：B26. 在当今的集成电路制造工艺中，（）工艺制造的IC在功耗方面具有最大的优势。
（2分）A.MOSB.CMOSC.BipolarD.BiCMOS.标准答案：B27. MOS器件小信号模型中的mbg是由MOS管的（）效应引起。
（2分）A.二级B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通.标准答案：B28. PMOS管的导电沟道中依靠（）导电。
（2分）A.电子B.空穴C.正电荷D.负电荷.标准答案：B29. 当MOS管的宽长比是定值时，其跨导与漏源电流的关系曲线是（）。
AB C D （2分）A.见图B.见图C.见图D.见图.标准答案：D30. 如果MOS管的栅源过驱动电压给定，L越（），输出电流越理想。
（2分）A.大B.小C.近似于WD.精确.标准答案：A31. MOS电容中对电容值贡献最大的是（）。
（2分）A.GSCB.GDCC.DBCD.SBC.标准答案：A32. 下面几种电路中增益线性度最好的是（）。
（2分）A.电阻负载共源级放大器B.电流源负载共源级放大器C.二极管负载共源级放大器D.源极负反馈共源级放大器.标准答案：C33. 电阻负载共源级放大器中，下列措施不能提高放大器小信号增益的是（）。
（2分）A.增大器件宽长比B.增大负载电阻C.降低输入信号直流电平D.增大器件的沟道长度L.标准答案：D34. 电阻负载共源级放大器中，让输入信号从VDD下降，NMOS管首先进入（）区。
（2分）A.亚阈值区 B.深三极管区 C.三极管区 D.饱和区.标准答案：B35. 下图的共源共栅放大器中，选择合适的偏置电压VB，让输入电压Vin从0逐渐增加，则先从饱和区进入线性区的MOS管是（）。
（2分）A.M1B.M2C.两个同时进入D.都有可能.标准答案：D36. 下面放大器的小信号增益为（）。
（2分）A. o m rg-B. smomRgrg+-1C.1D.理论上无穷大.标准答案：A37. 下列不是基本差分对电路中尾电流的作用的是（）。
（2分）A.为放大器管提供固定偏置B.为放大管提供电流通路C.减小放大器的共模增益D.提高放大器的增益.标准答案：D38. 下图电流镜的输出电压最小值为（）。
（2分） A.th OD V V 22+ B.th OD V V +2 C.OD V 2 D.GS OD V V 22+ .标准答案：C39. 下图中，其中电压放大器的增益为-A ，假定该放大器为理想放大器。
请计算该电路的等效输出电阻为（）。
（2分）A.A R +1B.A R 11+ C.()A R +1D.()A R 11+ .标准答案：B 40. （）可提高图中放大器的增益。
（2分）A.减小2,1⎪⎭⎫ ⎝⎛LWB.仅增大2,1LC.增大2,1⎪⎭⎫ ⎝⎛LWD.仅减小2,1W.标准答案：C41. MOS 管的端电压变化时，源极和漏极（）互换。
（2分） A.能 B.不能C.不知道能不能D.在特殊的极限情况下能 .标准答案：A42. CMOS 工艺里不容易加工的器件为（）。
（2分） A.电阻 B.电容 C.电感 D.MOS 管 .标准答案：C43. MOS 管的特征尺寸通常是指（）。
（2分） A.W B.L C.W/L D.tox .标准答案：B44. MOS 管从不导通到导通过程中，最先出现的是（）。
（2分） A.反型 B.夹断 C.耗尽 D.导通 .标准答案：C45. 源极跟随器通常不能用作（）。
（2分）A.缓冲器B.放大器C.电平移动D.驱动器 .标准答案：B46. 能较大范围提高阈值电压的方法是（）。
（2分）A.增大MOS管尺寸B.提高过驱动电压C.制造时向沟道区域注入杂质D.增大衬底偏置效应.标准答案：C47. PMOS管导电，依靠的是沟道中的（）。
（2分）A.电子B.空穴C.电荷D.电子空穴对.标准答案：B48. 为了让MOS管对外表现出受控电流源的特性，我们通常让其工作在（）区。
（2分）A.截止B.三极管C.线性D.饱和.标准答案：D49. MOS管中最大的电容是（）。
（2分）A.氧化层电容B.耗尽层电容C.交叠电容D.结电容.标准答案：A50. MOS 器件小信号模型中的是由MOS管的（）效应引起。
（2分）A.体B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通.标准答案：C51. 在当今的集成电路制造工艺中，（）工艺制造的IC最容易实现尺寸的按比例缩小。
（2分）A.MOSB.CMOSC.BipolarD.BiCMOS.标准答案：B52. （）在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每18个月翻一番（2分）A.比尔盖茨B.摩尔C.乔布斯D.贝尔.标准答案：B53. 最常见的集成电路通常采用（）工艺制造。
（2分）A.MOSB.CMOSC.BipolarD.BiCMOS.标准答案：B54. 工作在（）区的MOS管，可以被看作为电流源。
（2分）A.截止B.三极管C.深三极管D.饱和.标准答案：D55. 工作在（）区的MOS管，其跨导是恒定值。
（2分）A.截止B.三极管C.深三极管D.饱和.标准答案：D56. 载流子沟道就在栅氧层下形成（），源和漏之间“导通”。
（2分）A.夹断层 B.反型层 C.导电层 D.耗尽层.标准答案：B57. 形成（）的栅源电压叫阈值电压（）。
（2分）A.夹断层B.反型层C.导电层D.耗尽层.标准答案：B58. NMOS管中，如果VBS变得更小，则耗尽层（）。
（2分）A.不变B.变得更窄C.变得更宽D.几乎不变.标准答案：C59. NMOS管的导电沟道中依靠（）导电。
（2分）A.电子B.空穴C.正电荷D.负电荷.标准答案：A60. 当MOS管的宽长比是定值时，其跨导与过驱动电源的关系曲线是（）。
AB C D （2分）A.见图B.见图C.见图D.见图.标准答案：C61. MOS管的漏源电流受栅源过驱动电压控制，我们定义（）来表示电压转换电流的能力。
（2分）A.跨导B.受控电流源C.跨阻D.小信号增益.标准答案：A62. 为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，值（）（2分）A.较大B.较小C.不变D.不定.标准答案：B63. 共源共栅放大器结构的一个重要特性就是输出阻抗（）。
（2分）A.低B.一般C.高D.很高.标准答案：D64. NMOS管中，对阈值电压影响最大的是（）。
（2分）A.VBSB.VGSC.VDSD.W/L.标准答案：A65. Cascode放大器中两个尺寸相同的NMOS具有相同的（）效应。
（2分）。