毕设开题报告sic SBD的特性研究
PSD综合性能检测系统的研制的开题报告
PSD综合性能检测系统的研制的开题报告一、研究背景及意义随着计算机技术的不断发展，各种计算机软、硬件产品层出不穷。
在当前计算机软、硬件市场中，PSD已经成为了一种主流产品。
PSD是一种面向各种场景需求的综合性检测系统，具有性能高、测试精度高、安全可靠等多项优势，被广泛应用于计算机软、硬件的品质检测、安全检测、稳定性测试等领域。
因此，建立一套完善的综合性能检测系统，对于提高PSD产品的性能、品质，确保PSD产品的安全、稳定运行，具有重要意义。
二、研究目的本研究旨在通过对PSD综合性能检测系统的研制，提高PSD产品的性能、品质，确保PSD产品的安全、稳定运行。
具体目标如下：1.设计一套完整的PSD综合性能检测系统架构，包括硬件和软件两部分;2.实现PSD综合性能检测的各项功能，如稳定性测试、性能测试、安全检测等;3.开发一套简便易用的操作界面，方便使用者使用；4.验证系统的可行性和实用性。
三、研究内容1. PSD综合性能检测系统的架构设计该部分主要对PSD综合性能检测系统进行数据流与运作流程的分析，给出系统的整体架构设计，包括硬件和软件两部分。
2. PSD综合性能检测系统的实现该部分主要实现PSD综合性能检测系统各项功能，包括：A. 稳定性测试：对PSD的稳定性进行测试，如主频测试、缓存测试、内存测试等；B. 性能测试：测试PSD的性能，如CPU性能、显卡性能、硬盘读写速度等；C. 安全检测：检测PSD安全漏洞、风险等。
3. 操作界面的设计该部分主要开发一套简便易用的操作界面，使得使用者可以方便地使用PSD综合性能检测系统进行检测。
4. 系统验证与优化完成系统设计和实现后，需要对系统进行验证和优化，包括软硬件的优化以及系统的可行性和实用性测试。
四、研究计划阶段一：文献调研和需求分析（1周）阶段二：PSD综合性能检测系统的架构设计（2周）阶段三：PSD综合性能检测系统的实现（4周）阶段四：操作界面设计及系统测试（3周）阶段五：系统优化和成果总结（1周）五、研究成果与预期效益1. 提出一个完整的PSD综合性能检测系统架构，包括硬件和软件两部分;2. 实现PSD综合性能检测的各项功能，如稳定性测试、性能测试、安全检测等；3. 开发一套简便易用的操作界面，方便使用者使用；4. 验证系统的可行性和实用性，提高PSD产品的性能、品质，确保PSD产品的安全、稳定运行；5. 预期效益：更好地满足用户需求，增加企业参与开发研究的积极性，带动行业技术水平的提高和进步。
SiC薄膜及其缓冲层的制备与性能研究的开题报告
SiC薄膜及其缓冲层的制备与性能研究的开题报告一、选题背景在半导体行业中，硅是最为常见的物质，因其较好的电学特性在电子领域中得到广泛应用。
但同时硅也有一些缺点，比如对高温、高电压和高频的适应性不够好，所以人们开始寻找更好的替代材料。
碳化硅（SiC）是一种具有优异物理性质和化学特性的材料，可用于高功率、高频、高温和高紫外光（UV）的应用领域。
SiC薄膜是SiC材料中比较重要的一部分，具有与大块材料相同的性能优点，但它比大块SiC材料更薄，更轻，制备更方便，适用于更多的应用场景。
然而，由于SiC材料的制备过程较为困难，其合成成本较高，因此如何制备高质量的SiC薄膜以及缓冲层，是值得我们研究的课题。
二、研究内容1、分析SiC薄膜的制备方法，了解其制备原理。
2、探索SiC缓冲层的制备方法，包括原子层沉积（ALD）法、物理气相沉积（PVD）法等，比较不同方法的优缺点。
3、研究SiC薄膜及其缓冲层的性能，包括化学、物理、电学等性能的表征，在此基础上，探讨其潜在应用领域。
三、研究意义1、对于SiC薄膜的制备方法和性能研究，将为改进现有制备方法和开发新的SiC薄膜制备方法提供基础和指导。
2、SiC薄膜及其缓冲层具有广泛的应用前景，如制作高功率半导体器件、高速晶体管、耐高温传感器等，在军事、航天、航空、能源领域具有重要意义。
3、本研究可为相关企业的产品开发提供技术支持，增强我国在半导体领域的竞争力。
四、研究方法1、通过文献调研，了解SiC薄膜和缓冲层的制备方法及其优缺点。
2、采用PVD法和ALD法制备SiC缓冲层，采用PECVD法或者CVD 法制备SiC薄膜。
3、通过扫描电镜、透射电镜、X射线光电子能谱分析、X射线衍射等表征手段对SiC薄膜和缓冲层的微观结构进行分析和表征。
4、通过四点探针和霍尔效应测试等手段对SiC薄膜及其缓冲层进行电学性能测试。
五、预期成果1、总结SiC薄膜制备的常见方法及其优缺点，提出改进意见和研究方向。
SiCC纳米管异质结物理特性的理论研究的开题报告
SiCC纳米管异质结物理特性的理论研究的开题报告
题目：SiC纳米管异质结物理特性的理论研究
一、研究背景
随着纳米技术的发展和应用，SiC纳米管作为一种重要的纳米材料引起了广泛的关注。
作为一种新颖的异质结结构，SiC纳米管异质结对于其电学性质和光学特性具有重要的影响，能够满足现代电子学和光电子学领域的应用要求。
因此，深入研究SiC纳米管异质结的物理特性和性能是至关重要的。
二、研究目的
本项目旨在对SiC纳米管异质结的电学和光学性质进行详细的理论研究和模拟计算，从而深入了解其电子结构、载流子输运行为、光吸收和荧光特性等重要物理参数，为SiC纳米管异质结的设计和应用提供科学的理论依据。
三、研究内容
1. 建立SiC纳米管异质结的理论模型，分析其电子结构和载流子输运特性。
2. 模拟计算SiC纳米管异质结在不同电场下的电学特性，探究其局域场增强效应和电流密度分布等现象。
3. 研究SiC纳米管异质结的光吸收和荧光特性，分析其光学性质和荧光谱峰位的变化规律。
四、研究方法
本项目主要采用密度泛函理论（DFT）、基于半经典Boltzmann输运方程的格林函数理论等模拟计算方法，对SiC纳米管异质结的电学和光学特性进行详细研究和分析。
五、研究意义
本项目的研究成果将有助于深入了解SiC纳米管异质结的物理特性和性能，为其在电子器件和光电子器件等领域的应用提供科学的理论支持。
同时，本项目的研究方法和理论分析工具也将对其他纳米材料的物理特性研究产生重要的参考和借鉴作用。
SiC MEMS压力传感器及其处理电路研究的开题报告
SiC MEMS压力传感器及其处理电路研究的开题报告一、选题背景随着科技的不断升级和发展，人们对于传感器应用的需求也越来越高。
特别是在工业生产过程中，精确度和稳定性都是非常重要的因素。
而MEMS是一种极具前景的传感技术，它不仅可以提供高精度和高灵敏度的传感器，还可以通过微加工技术将多个传感器集成在一起，从而实现多参数的同时测量，具备较强的工程应用和商业价值。
随着SiC技术的不断发展，SiC MEMS压力传感器也被越来越多地应用在各个领域。
相比传统的传感器，SiC MEMS压力传感器具有更高的抗干扰能力、更高的温度稳定性和更高的工作频率等优势，因此备受科研人员和工程师的关注和研究。
二、研究目的和意义本次研究的目的是针对SiC MEMS压力传感器的设计方法进行探讨，并且研究其处理电路的设计，从而提高传感器的性能指标和稳定性。
本研究的意义主要体现在以下方面：1. 探索利用SiC技术制造MEMS传感器的方法，提供新的技术解决方案。
2. 实现对SiC MEMS压力传感器性能的优化和提升，提高传感器的精确度和稳定性，满足各种工业应用对传感器的需求。
3. 通过对处理电路的设计，为SiC MEMS压力传感器提供更加优秀的信号处理能力，从而提升传感器的实用性和可靠性。
三、研究内容和方案1. 了解SiC MEMS压力传感器的基本原理、制造工艺及应用情况。
2. 对SiC MEMS压力传感器压电传感机制作出基础认识，并且探究其工作原理。
3. 对SiC MEMS压力传感器的电路信号处理进行研究和理论分析。
4. 基于当前最先进的SiC MEMS技术，设计出最优的SiC MEMS压力传感器和处理电路，并进行仿真验证。
五、预期成果1. 对SiC MEMS压力传感器的压电传感机制有更为深入的理解，并且设计出新型的MEMS传感器。
2. 对处理电路的设计进行系统探讨，提出最优解决方案，为SiC MEMS压力传感器的实现提供有力保障。
SiC梯度镀层研究的开题报告
Ni-P梯度镀层及Ni-P/SiC梯度镀层研究的开题报告1. 研究背景和意义镀层技术是一种重要的表面处理技术，广泛应用于制造业的各个领域。
镀层可以增加金属材料表面的耐腐蚀性、硬度、耐磨性和导电性，同时也可以改善材料的外观和装饰效果。
其中，Ni-P镀层是一种获得广泛应用的化学镀层之一，因其具有良好的耐腐蚀性、耐磨性和可焊性等特点，被广泛应用于制造业中。
然而，在某些特定的应用场合中，Ni-P镀层的单一性能已经无法满足需求，需要进行进一步的改进研究。
为了解决这一问题，研究人员开始尝试将SiC等颗粒材料添加到Ni-P镀液中，制备出Ni-P/SiC梯度镀层，通过控制镀液中的SiC颗粒含量，可以改变镀层表面的硬度、抗磨性和耐腐蚀性等性能。
此外，由于Ni-P/SiC镀层具有更好的耐腐蚀性和耐磨性，因此非常适合于制造汽车发动机、液压元件、航空发动机和石化设备等高要求的应用场合。
因此，通过研究Ni-P梯度镀层及Ni-P/SiC梯度镀层的制备方法和性能，可以为工业生产提供更高性能的材料选项，具有重要的科研和应用价值。
2. 研究内容和方法本次研究的主要内容是制备Ni-P梯度镀层和Ni-P/SiC梯度镀层，并研究其性能。
具体的研究方案如下：(1) 制备Ni-P梯度镀层：选择合适的基体材料，并使用化学镀液进行镀层处理。
通过控制镀液的成分和pH值，以及调整电流密度等工艺参数，制备出Ni-P梯度镀层。
采用显微镜、扫描电子显微镜和X射线衍射仪等仪器对镀层进行形貌观察和结构分析，以及对其功能性能进行测试，如硬度、腐蚀性和磨损性等。
(2) 制备Ni-P/SiC梯度镀层：选择合适的SiC粉末和基体材料，并将SiC粉末添加到Ni-P化学镀液中。
通过改变SiC粉末的浓度、基体材料的特性和工艺参数，制备出Ni-P/SiC梯度镀层。
对其进行形貌观察和结构分析，并对其功能性能进行测试。
(3) 对比分析：对两种镀层材料的性能进行对比分析，寻找其优缺点和应用场合，为未来的研究提供指导。
01 三江学院毕业设计(论文)开题报告
三江学院毕业设计开题报告课题名称：开关电源功率因数校正电路设计学生姓名：邱圣杰指导教师：陈刚讲师所在系部：电气与自动化工程学院专业名称：电气工程及其自动化三江学院2015年3月6日三江学院毕业设计（论文）开题报告题目开关电源功率因数校正电路设计学生姓名、学号邱圣杰专业电气工程及其自动化指导教师姓名陈刚职称讲师1选题背景伴随着我国经济的发展，现代工业得到快速发展，各种各样的换电流设备使用越来越多，容量也越来越大，再加上一些非线性电设备也接入到电网，将其产生的谐波电流质量下降，也严重地威胁着电网中各种电气设备的安全运行，因此必须限制高次谐波污染，国内外电气组织先后制定了相关标准，我国国家技术监督局1993年颁布GB/T14549-93电能质量公用电网谐波，国际电工委员会1998年也制定了IEC6100-3-2标准。
目前常用的解决电力电子设备谐波污染问题的方法有两种：1.对电网采用滤波补偿；2.对电力电子设备本身进行改造，即进行功率因数校正。
两者相比较，功率因数校正能够更有效地消除整流装置的谐波，具有更广泛的前景，已经成为电力电子技术的一个重要的研究方向。
2研究的意义功率因数定义及谐波电源设计一直是一个极富挑战性的工作，随着许多传统的难题得以解决，一些有关电源效率的规范和要求的标准将再次展现新的挑战。
规范标准的第一个阶段其实已经开始，针对降低待机能耗(低负载状态)方面。
下一个阶段的任务将更艰巨，就是提高工作状态下电源的效率。
在美国国家环保局“能源之星”计划以及中国中标认证中心(CECP)的推动下，世界各地正在公布有关电源工作效率的新能效标准。
这些更有挑战性的标准将需要电源厂商及其供应商(包括半导体供应商)共同努力，提供能符合这些新要求的解决方案。
在这些趋势中，(ICE1000-3-2)标准对功率因数校正(PFC)或降低谐波电流提出强制要求，为此，近年来在电源结构方面发生了较大的变化。
随着所有设备的功率不断增大，及降低谐波电流的标准不断普及，越来越多的电源设计已经采用PFC。
SiC复合材料的结构与性能研究的开题报告
多级增强Cf/SiC复合材料的结构与性能研究的开题报告一、研究背景随着人们对材料性能的追求不断提高，复合材料在航空、航天、高速列车等领域中得到了广泛应用。
Cf/SiC复合材料具有轻质、高强、高温稳定性好等优点，在航空航天等领域中的应用前景广阔。
但是，Cf/SiC复合材料的制备过程复杂，成本高昂，并且存在极限应力不易控制的问题。
因此，如何改善Cf/SiC复合材料的性能，是目前材料领域的研究热点与难点。
二、研究内容和目标本文主要研究多级增强Cf/SiC复合材料的结构与性能。
通过设计不同级别的增强结构，使Cf/SiC复合材料的性能得到进一步提升。
具体研究包括以下几个方面：1. C/SiC单层复合材料的制备及性能测试；2. 多级增强Cf/SiC复合材料的制备及性能测试；3. 增强结构对Cf/SiC复合材料力学性能的影响研究；4. 增强结构对Cf/SiC复合材料热性能的影响研究；5. 增强结构对Cf/SiC复合材料断裂韧性的影响研究。
通过上述研究，我们希望能够得到多级增强Cf/SiC复合材料的结构与性能信息，为优化Cf/SiC复合材料的制备过程提供有力支持。
三、研究方法和步骤1. 制备C/SiC单层复合材料。
采用化学气相沉积法，在Cf表面沉积SiC，并经过高温烧结得到C/SiC单层复合材料。
2. 制备多级增强Cf/SiC复合材料。
根据多级增强的原理，设计加强结构并制备多级增强Cf/SiC复合材料。
3. 对C/SiC单层复合材料和多级增强Cf/SiC复合材料进行性能测试，包括抗拉性能、抗压性能、屈服强度、断裂韧性和热性能等。
4. 分析比较C/SiC单层复合材料和多级增强Cf/SiC复合材料的性能差异，并确定增强结构对Cf/SiC复合材料性能的影响规律。
四、预期成果1. 制备出C/SiC单层复合材料和多级增强Cf/SiC复合材料；2. 测试C/SiC单层复合材料和多级增强Cf/SiC复合材料的性能表现；3. 确定增强结构对Cf/SiC复合材料性能的影响规律；4. 提出优化Cf/SiC复合材料制备工艺的建议。
SiC薄膜的制备以及光电发射性质的开题报告
SiC薄膜的制备以及光电发射性质的开题报告题目：SiC薄膜的制备以及光电发射性质的研究一、研究背景碳化硅（SiC）作为一种半导体材料，具有很高的热稳定性、化学稳定性、电学性能和光学性能，因此被广泛应用于新型光电器件制备中。
其中，SiC薄膜的制备技术对于构建高性能器件至关重要。
此外，SiC薄膜的光电发射性质研究也是制备高性能光电器件的重要基础。
二、研究目的本研究旨在探究SiC薄膜的制备方法，并研究其在光电发射方面的性质，为SiC材料在光电器件领域的应用提供基础研究支持。
三、研究内容1. SiC薄膜的制备方法探究本研究将探究SiC薄膜的制备方法，包括化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）等方法，并对比不同方法的优缺点，确定最佳的制备方法。
2. SiC薄膜的制备工艺研究本研究将对SiC薄膜的制备工艺进行研究，包括反应气体组成、反应温度、反应时间、反应压力等影响制备SiC薄膜的因素，并寻找最优的制备工艺。
3. SiC薄膜的表征与分析本研究将对制备出的SiC薄膜进行表征与分析，包括薄膜厚度、结晶度、微观形貌、化学成分等方面的表征，并对其性质进行研究，包括电学性质、光学性质等。
4. SiC薄膜的光电发射性质研究本研究将对制备出的SiC薄膜进行光电发射性质研究，包括微波场下的场发射和光场下的光发射，并探究其能带结构和电子输运过程等基础性质。
四、研究意义1. 探究SiC薄膜的制备方法，为其在光电器件制备中的应用提供技术支持。
2. 研究SiC薄膜的光电发射性质，拓展其在光电器件制备领域的应用。
3. 推动SiC材料在光电器件中的应用，促进材料科学的发展。
五、研究方法本研究采用化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）等方法制备SiC薄膜，并进行表征与分析，包括扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、X射线衍射（XRD）、拉曼光谱、光电发射测试等方法。
六、预期成果本研究预期得到SiC薄膜的制备方法、制备工艺、表征与分析以及光电发射性质等方面的成果，为SiC材料的应用提供重要支持。
氧化锌量子点结构、缺陷和发光性能的研究的开题报告
氧化锌量子点结构、缺陷和发光性能的研究的开题报告
一、选题背景和意义
氧化锌量子点是一种新型的纳米材料，其斑点状的电子结构和具有优异的物理和化学性质，使其在材料科学领域发挥重要作用。
与其他半导体材料相比，氧化锌量子
点具有更高的电子亲和力和化学反应性，不仅能够应用于发光和光催化等方面，还可
以作为更高性能的锌空气电池阳极材料等领域。
因此，研究氧化锌量子点的结构、缺
陷以及发光性能，对于优化其性能和提高应用效果，具有重要意义。
二、研究内容和方法
1.分析氧化锌量子点的优势和局限性
2.设计并制备氧化锌量子点样品，采用TEM、XRD、UV-vis、PL、EPR等多种材料检测手段对其进行表征
3.通过控制反应条件和添加剂等手段，制备具有不同结构和缺陷的氧化锌量子点样品，研究其在光学、电化学催化、生物医药等方面的性能表现。
4.探讨氧化锌量子点结构和缺陷对其光学性能的影响，研究其在荧光检测和生物成像应用方面的研究进展。
三、预期成果和意义
通过对氧化锌量子点结构、缺陷和发光性能的系统分析和研究，可以探索氧化锌量子点的物理和化学性质，在材料科学、物理化学、生物医药等领域发挥更大的作用。
预计本研究可为氧化锌量子点研究提供新的思路和方法，同时拓展其在生物化学、环
保材料等方面的应用，具有理论及应用上的重要意义。
SiC半导体表面处理技术研究的开题报告
SiC半导体表面处理技术研究的开题报告一、课题背景随着现代电子技术的不断进步，SiC半导体已逐步成为新一代电子设备的关键材料。
相比于传统的硅材料，SiC半导体具有更高的温度阈值、更高的电子能带宽度和更高的电子力学韧性等明显优势，因此在应用于高温高频、高功率电子器件时具有更好的性能。
然而，SiC半导体材料在制备过程中存在着许多关键问题，其中之一就是表面处理技术。
SiC半导体材料的表面性质对其性能、稳定性和可靠性都有着很大的影响，因此对于表面处理技术的研究具有重要的意义。
目前，SiC半导体的表面处理技术主要包括化学机械抛光、干法腐蚀和化学气相沉积等，但这些技术还存在着一些局限性和缺陷。
因此，进一步完善SiC半导体的表面处理技术，是当前研究的热点和难点之一。
二、研究内容和目标本课题旨在研究SiC半导体的表面处理技术，通过分析不同的表面处理方法及其影响因素，探讨如何在SiC半导体的表面处理过程中实现对材料的优化，提高其质量和稳定性。
本课题的具体研究内容包括：1.分析SiC半导体的物理和化学性质，了解不同表面处理方法的优缺点以及其实现机理；2.研究不同SiC半导体的表面处理方法，包括化学机械抛光、干法腐蚀和化学气相沉积等方法，并探讨其优化方法和策略；3.研究不同表面处理方法对SiC半导体性能和晶体质量的影响，例如表面平滑度、晶格畸变、杂质控制等；4.实验验证和分析表面处理技术的效果，通过样品的表面形态、晶体结构、电学性质等多个方面进行比较研究；5.总结SiC半导体表面处理技术的现状和趋势，探讨未来研究的方向和重点。
三、研究意义本课题的研究意义在于：1.提高SiC半导体性能和质量：优化表面处理技术，可以有效地改善SiC半导体材料的表面质量和晶格结构，从而提高其性能和质量。
2.推动SiC半导体产业发展：SiC半导体在电子、航空、汽车和光电等领域具有广泛应用前景。
本研究的结果有助于推动其产业发展和应用推广。
3.促进科学研究的发展：SiC半导体表面处理技术的研究，对于相关领域的科学研究也具有重要的意义，可以为相关研究提供新的思路和方法。
SiC单晶生长及缺陷研究的开题报告
SiC单晶生长及缺陷研究的开题报告题目：SiC单晶生长及缺陷研究一、选题背景及意义SiC单晶作为一种先进的半导体材料，在电力电子、高功率器件、光电子、先进传感器和航空航天领域等方面拥有广泛应用。
与其他半导体材料相比，SiC单晶具有较高的熔点、硬度和抗辐照性等特性，同时具有较好的机械稳定性和高温稳定性。
因此研究SiC单晶生长及缺陷对于进一步拓展其应用具有重要意义。
二、研究内容本文主要研究SiC单晶生长及缺陷分析。
具体研究内容包括：1. SiC单晶生长的原理及方法；2. SiC单晶材料的结构和性质分析；3. SiC单晶生长过程中缺陷形成及其对性能的影响分析；4. SiC材料制备中的常见问题及解决方法的研究。
三、预期目标和意义通过对SiC单晶生长及缺陷的研究，可以深入了解SiC的结构与性质，掌握SiC单晶的生长技术和缺陷形成机制，为制备高品质的SiC单晶提供理论基础和实践指导。
研究结果可为相关工业领域提供技术支持，提高生产效率和降低成本，推动该领域的发展。
四、研究方法和步骤本文采用实验研究和文献调研相结合的方法，主要步骤如下：1. 调研相关文献，了解SiC单晶生长及缺陷的相关知识；2. 设计实验方案，进行SiC单晶的生长和缺陷分析实验；3. 分析实验数据，比较结果，总结分析结论；4. 对SiC单晶生长及缺陷问题进行讨论和研究，提出解决方法。
五、预期成果本文预期可得到以下成果：1. 掌握SiC单晶生长及缺陷分析的相关知识；2. 实验得到SiC单晶的生长和缺陷数据，为单晶制备提供参考；3. 提出解决SiC单晶制备过程中常见问题的方法，为工业应用提供支持。
六、研究进度安排本研究计划分为以下几个阶段：1. 文献调研和研究设计，预计时长2周；2. 实验数据采集和分析，预计时长4周；3. 结果总结和讨论，预计时长2周。
总时长为8周，预计在规定时间内完成论文写作。
4H-SiC SBD和JBS退火研究
4H-SiC SBD和JBS退火研究闫锐;杨霏;陈昊;彭明明;潘宏菽【期刊名称】《微纳电子技术》【年(卷),期】2009(46)7【摘要】在4H-SiC外延材料上制备了SBD和JBS器件,研究并分析了退火温度对这两种器件正反向特性的影响。
结果表明,低于350℃退火可同时提高SBD和JBS 的正反向特性。
当退火温度高于350℃时,二者的正向特性都出现退化,SBD退化较JBS更为严重。
JBS阻断电压随退火温度升高而增大,在退火温度高于450℃时增加趋势变缓。
SBD阻断电压随退火温度升高先升后降,在500℃退火时达到一个最大值。
可见一定程度的退火有助于提高4H-SiCSBD和JBS器件的正反向特性,但须考虑其对正反向特性的不同影响。
综合而言,退火优化后JBS优于SBD器件性能。
【总页数】4页(P433-436)【关键词】4H-SiC肖特基势垒二极管;4H-SiC结势垒肖特基;退火;正向特性;反向特性【作者】闫锐;杨霏;陈昊;彭明明;潘宏菽【作者单位】专用集成电路国家重点实验室【正文语种】中文【中图分类】TN311;TN304.24【相关文献】1.Ni/4H-SiC SBD电离辐照探测器的实验研究 [J], 张林;肖剑;邱彦章;程鸿亮2.Fabrications and characterizations of high performance 1.2 kV,3.3 kV, and 5.0 kV class 4H-SiC power SBDs [J], Qing-Wen Song;Xiao-Yan Tang;Hao Yuan;Yue-Hu Wang;Yi-Meng Zhang;Hui Guo;Ren-Xu Jia3.High energy electron radiation effect on Ni/4H-SiC SBD and Ohmic contact [J], Zhang Lin;Zhang Yi-Men;Zhang Yu-Ming;Han Chao;Ma Yong-Ji4.Neutron radiation effect on 4H-SiC MESFETs and SBDs [J], Zhang Lin;Zhang Yimen;Zhang Yuming;Han Chao5.一种基于4H-SiC JBS二极管的Boost型PFC电路 [J], 姜玉德;甘新慧;赵琳娜;顾晓峰因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
SiC器件欧姆接触的理论和实验研究的开题报告
SiC器件欧姆接触的理论和实验研究的开题报告一、研究背景及意义SiC材料具有高功率、高频率、高温度和高压力等优异性能，被广泛应用于电力、光电、化学等领域。
SiC器件作为SiC材料的一种典型代表，其性能荣膺电力电子领域的三句话：快、小、耐。
SiC器件欧姆接触是其重要的性能指标之一，其性能直接影响到SiC器件的功率、效率和可靠性等方面。
然而，SiC器件欧姆接触的研究还存在许多问题，急需深入研究。
二、研究内容本文研究SiC器件欧姆接触的理论和实验研究。
具体包括以下几个方面：1. SiC材料的基本性质研究，深入了解SiC材料的结构、特性和性能，为后续实验提供基础知识。
2. SiC器件欧姆接触的原理和模型建立，利用物理和数学方法探究SiC器件欧姆接触的内在机理和工作原理。
3. SiC器件欧姆接触的实验研究，通过搭建实验平台，对SiC器件欧姆接触进行测试、分析和评价，获取实验数据，并与理论模型进行对比，以验证理论模型的准确度。
三、研究方法从基础物理、材料科学、电子学等多个不同的学科领域，综合运用计算机模拟、实验测试、理论分析等多种研究方法，进行对SiC器件欧姆接触的理论和实验研究。
四、研究目标与预期结果本研究的目标是深度探究SiC器件欧姆接触的工作原理和性能特性，为SiC器件的性能提高和工程应用提供理论和实验支持。
预期结果如下：1. 建立SiC器件欧姆接触的物理模型和数学模型，并探究其内在机理和工作原理.2. 搭建实验平台，对SiC器件欧姆接触进行测试、分析和评价，获取实验数据，并与理论模型进行对比以验证理论模型的准确度。
3. 提出新型的SiC器件欧姆接触方案，并实现其在实验室的验证。
五、结论本文研究SiC器件欧姆接触的理论和实验研究，对于推进SiC器件的性能提高和工程应用具有重要意义。
高压4H-SiC结势垒肖特基二极管的研究的开题报告
高压4H-SiC结势垒肖特基二极管的研究的开题报告题目：高压4H-SiC结势垒肖特基二极管的研究一、研究背景随着电力系统的发展和智能化程度的提高，对于高压、高温、高频、高性能功率电子器件的需求日益增加。
当前，SiC半导体材料作为一种新型的宽禁带半导体材料，因其高击穿电压、高热传导性能、高频能力以及高温性能等优良特性，被认为是代替传统硅材料的最有潜力的材料之一。
肖特基二极管（SBD）作为一种基础功率电子器件，具有反压小、开关速度快、漏电流小等优点，广泛应用于高压、高温、高速、高频等领域。
而基于SiC材料的肖特基二极管，由于SiC的优异特性，更能满足高性能功率器件的需求。
因此，研究SiC 材料的势垒肖特基二极管，对于SiC材料的开发和应用具有重要意义。
二、研究目的本次研究旨在研究高压4H-SiC结势垒肖特基二极管的特性和优化制备工艺，以实现性能的最大化。
具体任务包括：1.探究4H-SiC材料的物理、化学特性以及制备方法。
2.设计高压4H-SiC结势垒肖特基二极管的器件结构。
3.通过模拟计算，研究该器件的电学特性。
4.利用制备工艺优化方法，制备出高品质的器件。
5.分析实验结果，评估该器件的性能并探究其优化方法。
三、研究内容1. 4H-SiC材料的物理、化学特性和制备方法研究该部分主要包括对4H-SiC材料的物理、化学特性进行探究和分析，包括材料的微观结构、禁带宽度、载流子迁移率等，以及关联的制备方法。
2. 高压4H-SiC结势垒肖特基二极管器件结构设计该部分主要包括对高压4H-SiC结势垒肖特基二极管器件结构的设计和优化。
其中包括根据不同应用场景的要求，确定器件的尺寸和结构设计，包括肖特基结的尺寸、阳极结的尺寸等。
3. 电学特性的模拟计算该部分主要包括对高压4H-SiC结势垒肖特基二极管的电学特性进行模拟计算。
在软件仿真平台上进行电学仿真，得出器件的电学性能，包括开启电压、正向电阻、反向漏电流等。
4. 器件制备该部分主要包括制备高质量的高压4H-SiC结势垒肖特基二极管器件的制备工艺研究。
毕业论文开题报告 肖鹏
附件1长江大学毕业论文开题报告题目名称酸化缓蚀剂的合成及性能评价院（系）化学与环境工程学院专业班级化工10901班学生姓名肖鹏指导教师刘罡辅导教师李克华开题报告日期 2013年4月11日附件1酸化缓蚀剂的合成及性能评价学生：肖鹏长江大学化学与环境工程学院指导教师：李克华长江大学化学与环境工程学院一．题目来源来源于油气井开采的生产实际。
二．研究目的和意义酸化是强化采油（EOR）的一种措施，是油气井增产、注入井增注的一项有效的技术措施。
其原理是通过酸液对岩石胶结物或地层孔隙、裂缝内堵塞物等的溶解和溶蚀作用，恢复或提高地层孔隙和裂缝的渗透性。
酸化按照工艺不同可分为酸洗、基质酸化和压裂酸化（也称酸压）。
在酸化施工过程中，为防止酸液对油管、套管及各种工艺设备造成腐蚀，避免造成巨大的经济损失和严重的安全隐患，必须向酸液中加入缓蚀剂。
我们研究的目的就是研制出一种酸化缓蚀剂来应用于油气井的开采中。
缓蚀剂在金属防护工程中占有重要的地位，在国民经济建设中发挥着越来越重要的作用。
从目前热力设备防腐及其他工业领域防腐情况来看，酸洗时使用缓蚀剂是一种行之有效、经济效益显著的防腐手段。
虽然目前缓蚀剂从分子设计、合成路线与工艺，复配增效，应用性能等方面都取得了较大的发展，但是其理论进展仍远滞后于实践，对于不少缓蚀剂的缓蚀机理尚存争议，因此运用各种手段方法研究缓蚀剂的作用机理，发展和完善缓蚀剂理论，成为目前缓蚀剂研究领域的热门课题。
根据结构与物性关系的研究发现，含有富电子的芳香环或者含有电负性较大的原子（如N、O、S等原子）的分子，具有较好的缓蚀性能。
曼尼希反应（Mannich Reaction）是含有活泼氢的化合物（如醛、酮等），与醛和胺进行脱水缩合生成β-氨基酮的反应，此反应产物称为曼尼希碱。
在金属防腐蚀方面，曼尼希碱是广泛使用的典型的吸附型缓蚀剂，以其为主剂复配得到的缓蚀剂大量应用于酸洗、油气井酸化、金属制品储运、水处理等工业生产中，尤其作为盐酸高温缓蚀剂的主剂倍受重视。
4H-SiC功率FJ—SBD的实验研究的开题报告
4H-SiC功率FJ—SBD的实验研究的开题报告一、研究定位本研究旨在对4H-SiC功率FJ-SBD器件进行实验研究，探究其电性能和可靠性能，为其应用于高压、高温和高频等领域提供理论和实践基础。
二、研究背景近年来，随着电子科技的迅猛发展，对功率半导体器件的要求越来越高。
4H-SiC功率FJ-SBD具有高压、高速、高温、高可靠性等优点，成为研究热点和应用前景广阔的一类功率半导体器件。
然而，尽管高性能的4H-SiC功率FJ-SBD已经制备出来，但其电性能和可靠性能还需要进一步探究和优化。
因此，进行一系列的实验研究是十分必要的，为进一步完善其性能和拓宽应用领域提供有效的支撑。
三、研究内容1.对4H-SiC功率FJ-SBD器件的制备方法进行深入研究，包括材料的选择、生长工艺、制备工艺等方面的技术路线和参数的优化；2.对器件的电性能进行测试分析，包括电流-电压特性、开关特性、反向特性、温度特性、低电平的容差特性等，以及对其性能进行评价；3.对器件的可靠性能进行测试研究，包括器件的稳定性、耐压、热稳定性、电热波形等方面的检测和分析；4.在研究过程中，保证实验结果准确可靠，充分考虑实验数据的统计思想和方法，为后续的分析和验证提供可靠的数据基础。
四、研究意义本研究对于完善4H-SiC功率FJ-SBD的性能和推广应用领域具有重要的意义，具体包括：1.对该器件性能的深入了解，为其在高压、高温、高频等领域的应用提供理论基础和实践支撑；2.优化其制备工艺和技术参数，为制备高性能的器件提供指导和借鉴；3.对其可靠性进行测试分析，为器件的工程应用提供保证和参考依据。
综上所述，本研究对于推进功率半导体器件的研究和应用具有重要的实践意义和理论价值。
β-FeSi2SiC光电二级管的设计与分析的开题报告
β-FeSi2SiC光电二级管的设计与分析的开题报告
一、分析背景及研究意义
随着科技的不断发展，光电子技术广泛应用于军事、通讯、医疗等各个领域。
光电二级管作为一种光电传感器，在光电子领域具有广泛的应用前景。
目前，β-FeSi2SiC材料具有良好的光电性能，特别是在太阳辐射能利用和光伏发电方面的应用得到广泛关注。
因此，设计并研究β-FeSi2SiC光电二级管，将有助于更好地发掘该材料的优势，促进其在光电子技术中的应用。
二、研究内容及方法
1.研究内容
本课题将设计并分析β-FeSi2SiC光电二级管的关键参数，包括光响应度、暗电流和噪声等性能参数。
为此，将采用有限元模拟方法，对器件的结构进行建模和优化。
同时，还将结合理论计算和实验测试，对器件性能进行验证和分析。
2.研究方法
(1)建立器件结构的有限元模型，进行电场分析和光电模拟，确定器件的关键参数。
(2)通过优化结构参数，提高器件的灵敏度和响应速度。
(3)通过实验测试对器件性能进行验证，并对仿真结果进行分析和修正。
三、预期结果及意义
通过本研究，预期能够设计并制备出β-FeSi2SiC光电二级管，实现器件的高性能。
同时，也将进一步深入探究该材料在光电领域中的应用潜力，为该领域的发展提供有力支持。
SiC衬底石墨烯生长机理及电学表征的开题报告
SiC衬底石墨烯生长机理及电学表征的开题报告摘要：石墨烯作为目前研究的热点之一，其制备和应用受到了广泛的关注。
其中，SiC衬底上的石墨烯生长具有重要的实际应用价值，因为SiC衬底上的石墨烯可以作为高性能晶体管、电容器和传感器等电子器件的制备基板。
本文主要介绍了SiC衬底上石墨烯生长机理及其电学性能表征的研究进展，重点讨论了石墨烯的生长机理、表征方法及其电学性能。
关键词：石墨烯；SiC衬底；生长机理；电学性能一、研究背景石墨烯，是由碳原子组成的二维晶体结构材料，具有优异的力学、电学、热学和光学等性质。
因此，石墨烯被广泛应用于电子器件、传感器、太阳能电池等领域。
当前，石墨烯的制备方法主要包括机械剥离法、化学气相沉积法、化学还原法等，其中化学气相沉积法得到的石墨烯具有较好的质量和规模性。
SiC衬底上的石墨烯生长因其具有高质量、规模性和一定程度的晶格匹配性等优点，成为目前研究的热点之一。
同时，SiC衬底上的石墨烯可以利用其本身作为导体的特性，制备高性能晶体管、电容器和传感器等电子器件。
因此，研究SiC衬底上石墨烯的生长机理及其电学性能具有重要的理论和应用价值。
二、研究内容本文将介绍SiC衬底上石墨烯的生长机理及其电学性能表征的研究进展，具体内容包括以下方面：（一）SiC衬底上石墨烯的生长机理目前，石墨烯在SiC衬底上的生长主要有两种方法：热解法和化学气相沉积法。
热解法利用SiC衬底表面碳原子的扩散和晶格再配对生成石墨烯。
化学气相沉积法则是将碳源转化为石墨烯在SiC表面生长。
（二）表征方法在石墨烯的生长过程中，其晶格结构、成分、形貌及尺寸等性质都会发生变化。
因此，需要对其进行一定的表征。
目前，已经发展出了多种表征方法，包括X射线衍射、扫描电镜、原子力显微镜、拉曼光谱等。
（三）电学性能SiC衬底上石墨烯的电性能是其应用于电子器件的重要性能指标之一。
石墨烯的导电性与其形貌、晶体结构、接触电阻和注入载流子密度等因素密切相关。
SiC SJ SBD设计与仿真的开题报告
SiC SJ SBD设计与仿真的开题报告开题报告题目：SiC SJ SBD设计与仿真一、选题的背景和意义在现代工业中，强大的功率设备和高效、可靠的能源转换系统对于实现智能化制造和高速数字化世界发展至关重要。
传统的硅基功率电子元件用于高功率设备和高温环境下存在限制，这促进了新一代半导体材料的开发。
如今，氮化硅（GaN）和碳化硅（SiC）半导体材料已广泛用于高功率应用中，并显示出优良的性能。
SiC SJ SBD（Silicon Carbide Schottky Junction Barrier Diode）是一种新型的SiC 功率电子器件，具有比传统硅基SBD更低的反向漏电流、更低的开启压降和更快的开关速度，可以实现更高的开关频率和更好的工作温度范围。
因此，它已成为高功率、高频率、高温度应用的理想选择。
本研究旨在设计、模拟和优化SiC SJ SBD器件，以了解其功率性能和特性，为实现高效、可靠的能源转换系统做出贡献。
二、研究内容和技术路线本研究的主要内容包括：1. 研究SiC SJ SBD的基本结构和工作原理，建立数学模型和仿真模型。
2. 对SiC SJ SBD进行电学和热学仿真分析，优化结构参数和工艺参数。
3. 使用TCAD软件进行仿真模拟，研究器件的静态和动态性能。
4. 对实验结果进行分析和比较，验证理论模型的准确性。
5. 对SiC SJ SBD的应用进行探索和研究，以提高其效率和可靠性。
技术路线包括：1. 理论分析：了解SiC SJ SBD的基础知识，建立理论模型。
2. 模拟仿真：通过Ansys、COMSOL、Silvaco等软件进行SiC SJ SBD的电学和热学仿真分析。
3. 参数设计：通过仿真结果优化SiC SJ SBD的结构和工艺参数。
4. 实验测试：制备SiC SJ SBD样品，测试其性能和特性。
5. 结果分析：对实验结果进行分析和比较，验证理论模型的准确性。
三、预期成果及应用价值本研究预计取得以下成果：1. 理论模型：建立SiC SJ SBD的理论模型，分析其电学和热学特性。
SiC电容式压力传感器敏感元件的工艺研究的开题报告
SiC电容式压力传感器敏感元件的工艺研究的开题报告标题：SiC电容式压力传感器敏感元件的工艺研究一、研究背景和意义随着科技的不断发展，传感器在机械制造、航空航天、汽车工业、医疗设备等领域中，都有着广泛的应用。
其中，压力传感器作为一种重要的传感器，其在工业生产的控制和监测、流体压力、液位、气流等方面都具有广泛的用途。
而SiC材料具有高硬度、高耐热、高导热、低失谐等优异性能，因此SiC电容式压力传感器敏感元件具有温度稳定性好、灵敏度高、高频响应和高压力承受能力等优点，已成为研究的热点。
因此，对于SiC电容式压力传感器敏感元件的工艺研究，不仅能够更好地促进SiC材料在压力传感器领域的应用，也能够对于传感器的研究和发展有所推动。
二、研究内容和方法1.研究内容（1）SiC材料的制备与处理。
（2）SiC电容式压力传感器敏感元件的设计和制备。
（3）SiC电容式压力传感器敏感元件的特性测试。
2.研究方法（1）SiC材料的制备与处理：采用化学气相沉积法（CVD）制备SiC 材料，并进行热处理。
（2）SiC电容式压力传感器敏感元件的设计和制备：采用MEMS工艺技术，进行SiC电容式压力传感器敏感元件的设计和制备。
（3）SiC电容式压力传感器敏感元件的特性测试：通过压力传感器特性测试仪器，对SiC电容式压力传感器敏感元件的灵敏度、抗干扰性、温度稳定性等特性进行测试。
三、预期成果和意义1.预期成果（1）成功制备出SiC材料。
（2）成功设计和制备出SiC电容式压力传感器敏感元件。
（3）对于SiC电容式压力传感器敏感元件的特性进行测试。
2.研究意义（1）推进SiC材料在压力传感器领域的应用。
（2）提高压力传感器的灵敏度和抗干扰性。
（3）对于MEMS工艺技术的发展和应用具有重要意义。
（4）推动传感器行业的研究和发展。