大工19秋《电力电子技术》在线作业1 辅导答案

电力电子技术第1章答案

电力电子技术第1章答案1.晶闸管导通的条件是什么?关断的条件是什么?答: 晶闸管导通的条件:①应在晶闸管的阳极与阴极之间加上正向电压。

②②应在晶闸管的门极与阴极之间也加上正向电压与电流。

晶闸管关断的条件:要关断晶闸管,务必使其阳极电流减小到一定数值下列,或者在阳极与阴极加反向电压。

2.为什么要限制晶闸管的通态电流上升率?答:由于晶闸管在导通瞬间,电流集中在门极邻近,随着时间的推移,导通区才逐步扩大,直到全部结面导通为止。

在刚导通时,假如电流上升di dt较大,会引起门极邻近过热,造成晶闸管损坏，因此电流上升率率/应限制在通态电流临界上升率以内。

3.为什么要限制晶闸管的断态电压上升率？答：晶闸管的PN结存在着结电容，在阻断状态下，当加在晶闸管上du dt较大时，便会有较大的充电电流流过结电容，的正向电压上升率/起到触发电流的作用，使晶闸管误导通。

因此，晶闸管的电压上升率应限制在断态电压临界上升率以内。

4.额定电流为100A 的晶闸管流过单相全波电流时，同意其最大平均电流是多少？解：额定电流为100A 的晶闸管在不考虑安全裕量的情况下，同意的电流有效值为：A I I 15710057.157.1T(AV)T =⨯==晶闸管在流过全波电流的时候，其有效值与正弦交流幅值的关系为：2d )sin (1m02m T I t t I I ==⎰πωωπ其平均值与与正弦交流幅值的关系为：πωωππm0m d 2d sin 1I t t I I ==⎰则波形系数为：11.122d T f ===πI I K 则晶闸管在流过全波电流的时候，其平均值为：A K I I 1.14111.1157f T d === 因此，额定电流为100A 的晶闸管流过单相全波电流时，同意其最大平均电流是141.4A 。

5.晶闸管中通过的电流波形如下图所示，求晶闸管电流的有效值、平均值、波形系数及晶闸管额定电流。

解：晶闸管电流的有效值为A I t I I 5.11532003d 21m3202m T ====⎰πωπ 晶闸管电流的平均值为A I t I I 7.6632003d 21m 320m d ====⎰πωπ 波形系数为732.17.665.115d T f ===I I K 晶闸管的额定电流为A I I 120)2~5.1(57.1T T(AV)=⨯=6.比较GTO 与晶闸管的开通与关断，说明其不一致之处。

大工19秋《电力电子技术》在线作业1满分答卷

【2019奥鹏】-大工19秋《电力电子技术》在线作业1-0001
试卷总分:100 得分:100
一、单选题 (共 6 道试题,共 30 分)
1.使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取（）V。

A.5-10
B.15-20
C.10-15
D.0-5
[解析提示：认真完成本题作答，参考001]
标准解析参考答案:C
2.静电感应晶体管的英文缩写是（）。

A.SITH
B.SIT
C.PIC
D.IGCT
[解析提示：认真完成本题作答，参考001]
标准解析参考答案:B
3.整流二极管多用于开关频率在（）Hz以下的整流电路中。

A.5k
B.500
C.1k
D.10k
[解析提示：认真完成本题作答，参考001]
标准解析参考答案:C
4.（）指的是电力二极管所能承受的最大的连续一个或几个工频周期的过电流。

A.额定电流
B.浪涌电流
C.正向平均电流
D.反向重复峰值电流
[解析提示：认真完成本题作答，参考001]
标准解析参考答案:B
5.（）的英文缩写是GTR。

A.门极可关断晶闸管
B.电力晶体管
C.电力场效应晶体管
D.电力二极管
[解析提示：认真完成本题作答，参考001]
标准解析参考答案:B
6.电力电子器件采用的主要材料是（）。

大工19秋《电力电子技术》在线作业1答卷

大工19秋《电力电子技术》在线作业1-0001试卷总分:100 得分:100一、单选题 (共 6 道试题,共 30 分)使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取（）V。

A.5-10B.15-20C.10-15D.0-5答案:C静电感应晶体管的英文缩写是（）。

A.SITHB.SITC.PICD.IGCT答案:B整流二极管多用于开关频率在（）Hz以下的整流电路中。

A.5kB.500C.1kD.10k答案:C（）指的是电力二极管所能承受的最大的连续一个或几个工频周期的过电流。

A.额定电流B.浪涌电流C.正向平均电流D.反向重复峰值电流答案:B（）的英文缩写是GTR。

A.门极可关断晶闸管B.电力晶体管C.电力场效应晶体管D.电力二极管答案:B电力电子器件采用的主要材料是（）。

A.银B.铁C.钢D.硅答案:D二、多选题 (共 6 道试题,共 30 分)电压驱动型与电流驱动型电路相比，（）。

A.后者需要的驱动功率小B.后者较简单C.前者需要的驱动功率小D.前者较简单答案:CD导通缓冲电路，（）。

A.可以用于抑制器件导通时的电流过冲和di/dtB.可以用于吸收器件导通时的电流过冲和di/dtC.可以减小器件的导通损耗D.可以减小器件的关断损耗答案:AC下列是常用的过电流保护措施的是（）。

A.过电流继电器B.直流快速断路器C.快速熔断器D.以上都不正确答案:ABC电力电子器件是处理电能主电路的主要器件，普遍具有（）等特点。

A.耐压高B.耐压低C.工作电流小D.工作电流大答案:ADGTR的主要参数有（）。

A.集电极最大耗散功率B.集电极最大允许电流C.电流放大系数D.最高工作电压答案:ABCD当器件导通和关断时，串联使用的器件的（）和（）存在差异，这种差异引起的不均压问题称为动态不均压问题。

A.静态参数B.特性C.指标D.动态参数答案:BD三、判断题 (共 8 道试题,共 40 分)电导调制效应使得电力二极管在正向电流较大时管压降较高。

电力电子技术练习题库+参考答案

电力电子技术练习题库+参考答案一、判断题（共100题，每题1分，共100分）1.单相半波可控整流电路电阻负载上电压与电流的波形形状相同。

（）A、正确B、错误正确答案：A2.当晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流晶闸管都不会导通。

（）A、正确B、错误正确答案：A3.降压斩波电路滤波电容C的容量足够大，则输出的电压Uo为常数。

（）A、正确B、错误正确答案：A4.电力电子技术研究的对象是电力电子器件的应用、电力电子电路的电能变换原理和电力电子装置的开发与应用。

（）A、正确B、错误正确答案：A5.变频调速实际上是改变电动机内旋转磁场的速度达到改变输出转速的目的。

（）A、正确B、错误正确答案：A6.无源逆变电路，是把直流电能逆变成交流电能，送给电网（）A、正确B、错误正确答案：B7.触发脉冲具有一定的脉宽，前沿要陡。

（）A、正确B、错误正确答案：A8.斩波电路具有效率高、体积小、重量轻、成本低等优点。

（）A、正确B、错误正确答案：A9.无源逆变指的是把直流电能转变成交流电能回送给电网。

（）A、正确B、错误正确答案：B10.GTO的结构与普通晶闸管相似，也为PNPN四层半导体三端元件。

（）A、正确B、错误正确答案：A11.直流变换电路输出的电压都小于输入电压。

（）A、正确B、错误正确答案：B12.电流的波形系数是电流的有效值与平均值之比。

（）A、正确B、错误正确答案：A13.触发脉冲可采取宽脉冲触发与双窄脉冲触发两种方法，目前采用较多的是双窄脉冲触发方法。

（）A、正确B、错误正确答案：A14.晶闸管的不重复峰值电压为额定电压。

（）A、正确B、错误正确答案：B15.电子技术包括信息电子技术和电力电子技术两大分支。

（）A、正确B、错误正确答案：A16.降压斩波电路斩波开关关断时，电感充电。

（）B、错误正确答案：B17.三相半波可控整流电路，是三相可控整流电路最基本的组成形式。

（）A、正确B、错误正确答案：A18.触发脉冲必须具有足够的功率。

《电力电子技术》第1章课后习题答案

晶闸管导通的条件是什么由导通变成关断的条件是什么答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正朝阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。

或： u AK>0且 u GK>0。

要使晶闸管由导通变成关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到凑近于零的某一数值以下，即降到保持电流以下，即可使导通的晶闸管关断。

1.2晶闸管非正常导通方式有几种（常有晶闸管导通方式有 5 种，见课本 14 页，正常导通方式有：门级加触发电压和光触发）答：非正常导通方式有：(1)Ig=0 ，阳极加较大电压。

此时漏电流急剧增大形成雪崩效应，又经过正反响放大漏电流，最后使晶闸管导通；(2)阳极电压上率 du/dt 过高；产生位移电流，最后使晶闸管导通(3)结温过高；漏电流增大惹起晶闸管导通。

试说明晶闸管有那些派生器件。

答：晶闸管派生器件有：（1）快速晶闸管，（2）双向晶闸管，（3）逆导晶闸管，（4）光控晶闸管GTO 和一般晶闸管同为PNPN结构，为何GTO能够自关断，而一般晶闸管不可以答:GTO 和一般晶闸管同为PNPN 结构 , 由 P1N1P2 和 N1P2N2构成两个晶体管V1、 V2 分别拥有共基极电流增益α 1和α２，由一般晶闸管的解析可得，α 1 + α 2 = 1 是器件临界导通的条件。

α 1 +α 2 ＞ 1两个等效晶体管过饱和而导通；α 1 +α 2 ＜ 1 不可以保持饱和导通而关断。

GTO 之因此能够自行关断 , 而一般晶闸管不可以, 是因为GTO 与一般晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不一样：1 ） GTO 在设计时α 2较大 , 这样晶体管T2 控制敏捷 , 易于 GTO 关断 ;2)GTO 导通时α 1 + α2的更凑近于 l,一般晶闸管α 1 + α 2 ≥ , 而 GTO 则为α 1+α 2 ≈， GTO 的饱和程度不深 , 凑近于临界饱和 , 这样为门极控制关断供给了有益条件;3)多元集成结构使每个 GTO 元阴极面积很小 , 门极和阴极间的距离大为缩短 , 使得 P2 极区所谓的横向电阻很小,从而使从门极抽出较大的电流成为可能。

大工19秋《电力电子技术》在线作业1

大工19秋《电力电子技术》在线作业1试卷总分:100 得分:100一、单选题(共6 道试题,共30 分)1.使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取（）V。

A.0-5B.5-10C.10-15D.15-20答案:C2.静电感应晶体管的英文缩写是（）。

A.PICB.IGCTC.SITHD.SIT答案:D3.整流二极管多用于开关频率在（）Hz以下的整流电路中。

A.500B.1kC.5kD.10k答案:B4.（）指的是电力二极管所能承受的最大的连续一个或几个工频周期的过电流。

A.正向平均电流B.反向重复峰值电流C.额定电流D.浪涌电流答案:D5.（）的英文缩写是GTR。

A.电力二极管B.门极可关断晶闸管C.电力晶体管D.电力场效应晶体管答案:C6.电力电子器件采用的主要材料是（）。

A.铁B.钢C.银D.硅答案:D二、多选题(共6 道试题,共30 分)7.电压驱动型与电流驱动型电路相比，（）。

A.前者较简单B.后者较简单C.前者需要的驱动功率小D.后者需要的驱动功率小答案:AC8.导通缓冲电路，（）。

A.可以用于吸收器件导通时的电流过冲和di/dtB.可以用于抑制器件导通时的电流过冲和di/dtC.可以减小器件的关断损耗D.可以减小器件的导通损耗答案:BD9.下列是常用的过电流保护措施的是（）。

A.快速熔断器B.直流快速断路器C.过电流继电器D.以上都不正确答案:ABC10.电力电子器件是处理电能主电路的主要器件，普遍具有（）等特点。

A.耐压低B.耐压高C.工作电流小D.工作电流大答案:BD11.GTR的主要参数有（）。

A.电流放大系数B.最高工作电压C.集电极最大允许电流D.集电极最大耗散功率答案:ABCD12.当器件导通和关断时，串联使用的器件的（）和（）存在差异，这种差异引起的不均压问题称为动态不均压问题。

A.静态参数B.动态参数C.特性D.指标答案:BC三、判断题(共8 道试题,共40 分)13.电导调制效应使得电力二极管在正向电流较大时管压降较高。

电力电子技术课后题答案

0-1. 什么是电力电子技术 ?电力电子技术是应用于电力技术领域中的电子技术；它是以利用大功率电子器件对能量进行变换和控制为主要内容的技术。

国际电气和电子工程师协会（ IEEE）的电力电子学会对电力电子技术的定义为：“有效地使用电力半导体器件、应用电路和设计理论以及分析开发工具，实现对电能的高效能变换和控制的一门技术，它包括电压、电流、频率和波形等方面的变换。

”0-2. 电力电子技术的基础与核心分别是什么?电力电子器件是基础。

电能变换技术是核心.0-3. 请列举电力电子技术的 3 个主要应用领域。

电源装置 ; 电源电网净化设备 ; 电机调速系统 ; 电能传输和电力控制 ; 清洁能源开发和新蓄能系统 ; 照明及其它。

0-4. 电能变换电路有哪几种形式?其常用基本控制方式有哪三种类型AD-DC整流电 ;DC-AC逆变电路 ;AC-AC 交流变换电路 ;DC-DC直流变换电路。

常用基本控制方式主要有三类：相控方式、频控方式、斩控方式。

0-5. 从发展过程看，电力电子器件可分为哪几个阶段? 简述各阶段的主要标志。

可分为：集成电晶闸管及其应用；自关断器件及其应用；功率集成电路和智能功率器件及其应用三个发展阶段。

集成电晶闸管及其应用：大功率整流器。

自关断器件及其应用：各类节能的全控型器件问世。

功率集成电路和智能功率器件及其应用：功率集成电路（ PIC），智能功率模块（ IPM）器件发展。

0-6. 传统电力电子技术与现代电力电子技术各自特征是什么?传统电力电子技术的特征：电力电子器件以半控型晶闸管为主，变流电路一般为相控型，控制技术多采用模拟控制方式。

现代电力电子技术特征：电力电子器件以全控型器件为主，变流电路采用脉宽调制型，控制技术采用 PWM 数字控制技术。

0-7. 电力电子技术的发展方向是什么?新器件：器件性能优化，新型半导体材料。

高频化与高效率。

集成化与模块化。

数字化。

绿色化。

1-1. 按可控性分类，电力电子器件分哪几类?按可控性分类，电力电子器件分为不可控器件、半控器件和全控器件。

电力电子技术练习题库及参考答案

电力电子技术练习题库及参考答案一、判断题（共100题，每题1分，共100分）1.斩波电路中斩波开关不能用晶闸管来实现。

（×）A、正确B、错误正确答案：B2.GTO制成逆导型，能够承受反向电压。

（）A、正确B、错误正确答案：B3.在DC/DC变换电路中，可以采用电网换流方法。

（）A、正确B、错误正确答案：B4.直流变换电路输出的电压都小于输入电压。

（）A、正确B、错误正确答案：B5.提高电力电子装置的工作频率，可以使电力电子装置的体积和重量减小。

（）A、正确B、错误正确答案：A6.电力电子电路只能实现电能的变换，而不能实现电能的控制。

（）A、正确B、错误正确答案：B7.为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在开关状态。

（）A、正确B、错误正确答案：A8.直流变换电路多用于牵引调速。

（）A、正确B、错误正确答案：A9.变流装置其功率因数的高低与电路负载阻抗的性质，无直接关系。

（）A、正确B、错误正确答案：A10.三相半波可控整流电路也必需要采用双窄脉冲触发。

（）A、正确B、错误正确答案：B11.有源逆变装置是把逆变后的交流能量送回电网。

（）A、正确B、错误正确答案：A12.单相半波可控整流电路带电阻负载时输出电压平均值的最大值为U2。

（）A、正确B、错误正确答案：B13.当晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流晶闸管都不会导通。

（）A、正确B、错误正确答案：A14.降压斩波电路滤波电容C的容量足够大，则输出的电压Uo为常数。

（）A、正确B、错误正确答案：A15.有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。

（）A、正确B、错误正确答案：B16.三相半波可控整流电路，是三相可控整流电路最基本的组成形式。

（）A、正确B、错误正确答案：A17.GTO的缺点是电流关断增益很小。

（）A、正确B、错误正确答案：A18.β反映基极电流对集电极电流的控制力。

（）A、正确B、错误正确答案：A19.降压斩波电路运行情况只有一种：电感电流连续模式。

电力电子技术作业解答(精编文档).doc

【最新整理，下载后即可编辑】电力电子技术作业解答教材：《电力电子技术》，尹常永田卫华主编第一章电力电子器件1-1晶闸管导通的条件是什么？导通后流过晶闸管的电流由哪些因素决定？答：晶闸管的导通条件是：（1）要有适当的正向阳极电压；（2）还有有适当的正向门极电压。

导通后流过晶闸管的电流由阳极所接电源和负载决定。

1-2维持晶闸管导通的条件是什么？怎样使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶闸管导通的条件是：流过晶闸管的电流大于维持电流。

利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到维持电流以下，可使导通的晶闸管关断。

1-5某元件测得VU DRM840=，VU RRM980=，试确定此元件的额定电压是多少，属于哪个电压等级？答：根据将DRM U 和RRM U 中的较小值按百位取整后作为该晶闸管的额定值，确定此元件的额定电压为800V ，属于8级。

1-11双向晶闸管有哪几种触发方式？常用的是哪几种？答：双向晶闸管有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ+和Ⅲ-四种触发方式。

常用的是：（Ⅰ+、Ⅲ-）或（Ⅰ-、Ⅲ-）。

1-13 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构，为什么GTO 能够自关断，而普通晶闸管不能？答：因为 GTO 与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同：（1）GTO 在设计时2α较大，这样晶体管 V2控制灵敏，易于 GTO 关断；（2）GTO 导通时的21αα+更接近于 1，普通晶闸管15.121≥+αα，而 GTO 则为05.121≈+αα，GTO 的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制关断提供了有利条件；（3）多元集成结构使每个GTO 元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得P2极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。

第二章电力电子器件的辅助电路2-5说明电力电子器件缓冲电路的作用是什么？比较晶闸管与其它全控型器件缓冲电路的区别，说明原因。

答：缓冲电路的主要作用是：⑴ 减少开关过程应力，即抑制d u /d t ，d i /d t ；⑵ 改变器件的开关轨迹，使器件工作于安全工作区内，避免过电压、过电流损坏；⑶ 减少器件的开关损耗。

1075电力电子技术西南大学网教19秋作业答案

1075 20192单项选择题1、在PWM斩波方式的开关信号形成电路中，比较器反相输入端加三角波信号，同相端加（）。

. D. 方波信号.正弦信号.锯齿波信号.直流信号2、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理（）。

.10º-15º.30º-35º.0º.0º-10º3、三相桥式全控整流电路，大电感负载，当α＝（）时整流平均电压Ud=0。

. E. 30度.90度.120度.60度4、晶闸管稳定导通的条件（）。

.晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流.晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流.晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流.晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流5、可在第一和第四象限工作的变流电路是( )。

.三相半波可控变流电路.单相半控桥.接有续流二极管的单相半波可控变流电路.接有续流二极管的三相半控桥6、降压斩波电路中，已知电源电压Ud=16V，导通比为3/4，则负载电压U0=( )。

.21V.12V.64V.4V7、电流型逆变器中间直流环节贮能元件是( )。

.电动机.电感.电容.蓄电池8、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（）。

.减小至5A以下.减小至维持电流以下.减小至门极触发电流以下.减小至擎住电流以下9、对于电阻负载单相交流调压电路，下列说法错误的是（）。

.以上说法均是错误的.输出负载电压UO的最大值为U1.α的移项范围为0<α<180度.输出负载电压与输出负载电流同相10、若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用控制方法是（）。

.增大正弦调制波幅度.增大正弦调制波频率.增大三角波幅度.增大三角波频率11、可实现有源逆变的电路为（）。

.单相半控桥整流电路.单相全控桥接续流二极管电路.三相半控桥整流桥电路.三相半波可控整流电路12、单相全控桥式整流电路大电感性负载中，控制角的最大移相范围是（）。

电力电子技术题库及答案整理版

电力电子技术题库及答案整理版《电力电子技术》习题&答案一、填空（每项1分，共50分）1、对同一晶闸管，维持电流ih与擎住电流il在数值大小上有il__大于__ih。

2.功率集成电路的Pic可分为两类，一类是高压集成电路，另一类是高压集成电路_________智能功率集成电路。

3.晶闸管关闭状态下的不重复电压UDSM和转向电压UBO的值应为，UDSM_u_________________。

在带电阻负载的三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大正向电压UFM等于UFM？是相电压的有效值。

5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差__________120°_______。

6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值_______下降______。

7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻r是_____________静态均压________________措施。

8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有___y形和△形___二种方式。

9、抑制过电压的方法之一是用_____储能元件_______吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。

10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在___同一相_的上、下二个开关元件之间进行。

11、改变spwm逆变器中的调制比，可以改变_________________输出电压基波________的幅值。

12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是___________(一个)较大的负电流__________。

13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是_________减小存储时间________________。

14.为了使二极管的功率与二极管的开关时间相匹配，需要使用功率晶体管缓冲保护电路中的二极管。

15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为：_____________________维持电流_______________________。

电力电子习题及答案

升，避免了 GTR 同时承受高电压、大电流。另一方面，缓冲电路也可以使 GTR 的集
电极电压变化率 du 和集电极电流变化率 di 得到有效值抑制，减小开关损耗和防
dt
dt
止高压击穿和硅片局部过热熔通而损坏 GTR。
17 与 GTR 相比功率 MOS 管有何优缺点?
答：GTR 是电流型器件，功率 MOS 是电压型器件，与 GTR 相比，功率 MOS
所选导线截面积为
S
≥
I
J
=
13.3 6
≈
2.22mm 2
负载电阻上最大功率
PR = I 2 R = 8.9kW
答：IGBT的开关速度快，其开关时间是同容量GTR的 1/10，IGBT电流容量大，
是同容量MOS的 10 倍；与VDMOS、GTR相比，IGBT的耐压可以做得很高，最大允许电
压UCEM可达 4500V，IGBT的最高允许结温TJM为 150℃，而且IGBT的通态压降在室温和
最高结温之间变化很小，具有良好的温度特性；通态压降是同一耐压规格VDMOS的
各图的电流平均值．电流有效值和波形系数。
解：图(a)：
∫ 1
IT(AV)= 2π
π 0
I
m
sin
ωtd
(ωt
)
=
Im π
∫ IT=
1 2π
π 0
(I
m
sin
ωt
)
2
d
(ωt)
=
Im 2
Kf=
IT IT ( AV )
=1.57
1
图(b)：图(c)：图(d)：
图题 1．9
∫1
IT(AV)= π
π

19秋北交《电工电子技术基础》在线作业一-0001参考答案

北交《电工电子技术基础》在线作业一-0001
试卷总分:100 得分:100
一、单选题 (共 15 道试题,共 30 分)
1.下面选项中提高功率因数的原则叙述不对的是？______
A.加至负载上的电压不变
B.负载的有功功率不变
C.负载的有功功率增加
D.原负载的工作状态不变
答案:C
2.电容C具有______的作用。

A.隔直通交
B.隔交通直
C.隔直隔交低频
D.通直通交
答案:A
3.负载增加指负载取用的 _____和____增加。

.
A.电流,功率
B.电压,功率
C.电流,电压
D.电压,电阻
答案:A
4.下面哪些选项与电容器的电容值计算无关? _________
A.极板面积
B.板间距离
C.介电常数
D.极板厚度
答案:D
5.放大电路在小信号运用时的动态特性如Au、ri、r0等应采用的方法是________。

A.图解法
B.瞬时极性法
C.微变等效电路法
D.估算法
答案:C
6.电路中某处短路时的特征? _________
A.短路处的电流等于零
B.短路处的电压等于零
C.短路处的电阻等于零
D.不确定
答案:B
7.三极管放大的外部件：发射结________、集电结________。

A.正偏，正偏。

大工18春《电力电子技术》在线作业1(满分答案)

T: 对
F: 错
正确答案:
(判断题) 3: GTO的导通机理没有正反馈过程。
T: 对
F: 错
正确答案:
(判断题) 4: 电力MOSFET是主要电力电子器件中开关速度最高的。
T: 对
F: 错
正确答案:
(判断题) 5: 电力MOSFET是电流驱动型器件。
T: 对
A: 静态特性 B: 动态特性 Fra bibliotekC: 正向特性
D: 反向特性
正确答案:
(多选题) 3: 对GTR的保护缓冲电路主要有以下哪几种形式?( )
A: RC缓冲电路
B: 充放电型R-C-VD缓冲电路
C: 阻止放电型R-C-VD缓冲电路
D: LR缓冲电路
正确答案:
(多选题) 4: 电力电子装置在发生故障或者在器件导通和关断过程中,可能会发生( )。
A: 交流断路器
B: 直流快速断路器
C: 快速短路器
D: 电子保护电路
正确答案:
(多选题) 1: 下列哪些属于变流技术的主要分类?( )
A: 整流
B: 直流斩波
C: 逆变
D: 交流电力控制、变频、变相
正确答案:
(多选题) 2: 晶闸管的伏安特性曲线包括哪几部分?( )
A: 过电流
B: 过电压
C: 过大的di/dt
D: 过大的du/dt
正确答案:
(多选题) 5: 下列哪些是常用的过电压保护措施?( )
A: 避雷器
B: 变压器静电屏蔽
C: 阻容吸收电路
D: 非线性电阻器件
正确答案: