半导体元器件封装技术
半导体器件封装技术
半导体器件封装技术半导体器件封装技术是指将裸露的半导体芯片封装在适当的封装材料中,以保护芯片不受外界环境的影响,并提供适当的电气和机械连接接口,以便于与其他电路元件进行连接和集成。
封装技术在半导体器件制造中扮演着至关重要的角色,它不仅直接影响着设备的性能和可靠性,而且对于整个电子行业的发展也具有重要意义。
半导体器件封装技术能够提供良好的电气连接。
芯片封装后,通过引脚与外部电路进行连接。
这些引脚需要具有良好的导电性和可靠的连接性,以确保信号的正常传输和电流的稳定传输。
常见的半导体器件封装技术包括直插式封装(DIP)、表面贴装封装(SMT)以及无引脚封装(WLP)等。
这些封装技术通过适当的引脚设计和接触材料的选择,实现了与外部电路的可靠连接。
半导体器件封装技术能够提供良好的机械保护。
半导体芯片通常非常脆弱,容易受到外界环境的影响而损坏。
封装技术通过将芯片封装在坚固的封装材料中,如塑料、陶瓷或金属等,能够提供良好的机械保护,防止芯片受到机械应力、湿度、温度和化学物质等的侵害。
此外,封装材料还能够防止芯片受到灰尘、杂质和电磁干扰等的影响,确保芯片的稳定运行。
第三,半导体器件封装技术能够提供良好的散热性能。
在半导体器件工作过程中,会产生大量的热量,如果不能及时有效地散发,会导致器件温度过高,影响器件的性能和寿命。
因此,在封装过程中,需要考虑适当的散热设计,如引入散热片、散热胶等。
这些散热元件能够提高器件的散热效率,保持器件的正常工作温度。
半导体器件封装技术还能够提供良好的电磁兼容性。
封装材料的选择和封装结构的设计能够有效地屏蔽和抑制电磁辐射和电磁干扰,减少器件对外界电磁信号的敏感性,保证器件的正常工作。
同时,封装技术还能够提供适当的电磁波导路径,以便于器件内部电磁信号的传输和隔离,确保不同功能模块之间的电磁兼容性。
半导体器件封装技术是半导体制造中不可或缺的一环。
它能够提供良好的电气连接、机械保护、散热性能和电磁兼容性,保证芯片的正常工作和可靠性。
半导体的封装技术有哪些
半导体的封装技术有哪些
半导体的封装技术主要包括以下几种:
11 DIP封装(Dual Inline Package)
这是一种双列直插式封装技术。
引脚从封装两侧引出,封装材料通
常采用塑料或陶瓷。
其特点是成本较低,易于插拔,但封装密度相对
较低。
111 SOP封装(Small Outline Package)
也称为小外形封装。
引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状。
它比DIP封
装更薄、更小,适用于对空间要求较高的应用。
112 QFP封装(Quad Flat Package)
四侧引脚扁平封装。
引脚从芯片的四个侧面引出,呈鸥翼形或J形。
具有较高的引脚数量和封装密度。
113 BGA封装(Ball Grid Array)
球栅阵列封装。
在封装底部以球形引脚取代了传统的引脚。
这种封
装提供了更高的引脚密度和更好的电气性能。
114 CSP封装(Chip Scale Package)
芯片级封装。
其尺寸接近裸芯片的尺寸,具有更小的体积、更薄的
厚度和更短的引脚。
115 Flip Chip封装
倒装芯片封装。
芯片正面朝下,通过凸点与基板直接连接,减少了信号传输的路径和电感,提高了性能。
不同的封装技术具有各自的特点和适用场景,在半导体制造和应用中,需要根据具体的需求选择合适的封装技术,以实现最佳的性能、成本和可靠性平衡。
半导体器件封装三种方法(一)
半导体器件封装三种方法(一)半导体器件封装三种方法1. 芯片式封装•芯片式封装是最常见的一种封装方法。
•在这种封装方法中,芯片被直接粘贴在PCB上。
•封装时,芯片与PCB上的引脚通过焊接进行连接。
•这种封装方法尺寸小巧,适用于需要紧凑尺寸的场景,如智能手机、平板电脑等。
优点:•尺寸小,可以实现集成度高的设计。
•封装结构简单,制造成本相对较低。
缺点:•散热能力有限,可能需要额外的散热措施。
•遇到故障时难以进行维修。
2. 模块式封装•模块式封装是一种将芯片与其他元件封装在一起的方法。
•元件可以包括电阻、电容、晶体振荡器等,以满足特定的功能需求。
•封装时,芯片和其他元件通过电路布线进行连接。
优点:•可以实现不同功能的组合设计,提高产品的灵活性。
•增加了封装的稳定性,提高了产品的可靠性。
缺点:•尺寸相对较大,不适合要求小型化的设计。
•封装复杂度高,制造成本相对较高。
3. 全球无连接封装(WLCSP)•WLCSP是一种通过无连接方式封装芯片的方法。
•在WLCSP封装中,芯片的引脚不再通过焊接进行连接,而是通过金属球与PCB上的焊盘直接接触。
优点:•尺寸最小,适用于需要极小封装尺寸的场景。
•无连接方式可以提供更好的电气性能。
缺点:•制造复杂度高,需要特殊工艺。
•价格较高,不适合大规模生产。
以上是关于半导体器件封装三种方法的详细说明。
每种封装方法都有其优点和缺点,根据具体的设计要求和产品需求,选择适合的封装方法可以提高性能和可靠性,同时降低制造成本和尺寸限制。
4. 板上封装(COB)•板上封装(Chip on Board,简称COB)是一种将芯片直接连接到印刷电路板(PCB)上的封装方式。
•在封装过程中,芯片的引脚会被焊接到PCB上的金属线或焊盘上。
•COB封装可以提供高集成度和紧凑的设计。
优点:•封装非常紧凑,可以实现高密度的电路设计。
•散热性能较好,用于高功率或散热要求较高的应用场景。
•可以减少组装工序和材料,降低制造成本。
半导体封装技术
半导体封装技术1半导体封装技术半导体封装技术是电子元器件封装技术中的一种,主要用来将半导体器件封装到有机绝缘材料上,以提高封装器件的功能、保护性和可靠性。
其也被称为半导体封装,是电子元器件装配工艺的重要环节。
随着半导体技术的发展,半导体封装技术也得到了不断改进和发展,已广泛应用到电子产品的生产、集成电路的封装、数字电路和模拟电路等。
由于半导体封装技术提供了有关电路连接、数据交互、功耗分配和保护等服务,因此半导体封装技术对现代电子装配工厂至关重要。
1.1工艺流程半导体封装的基本工艺流程包括基板预处理、半导体器件的清洁、表面处理、焊接和布线等,可以按照不同的封装形式来实现,常见的有针脚封装、贴片、圆鼓封装形式。
针脚封装通常用于大型内存芯片,它会将芯片连接到电路板上。
贴片封装有多种形式,常见的有BGA(抛锭球栅封装)和LGA(椭圆针栅封装)等。
圆鼓封装则可以将两个电路封装在一起,如IC晶片封装。
1.2优点半导体封装技术具有许多优点:(1)提高器件的可靠性和功能。
通过将器件与基板连接,减少因腐蚀引起的故障,提高器件的功能和可靠性。
(2)保护电路板的环境。
采用封装技术,可有效防止杂质、水汽、湿度等对芯片的破坏和电路板的污染。
(3)简化设计和安装过程。
器件封装后,无需进行安装,可以直接实现电子设备产品的生产,简化设计和安装过程。
1.3缺点半导体封装也有一定的缺点,其主要是可行的封装尺寸较小,不能封装大型元器件,也存在封装成本较高的问题。
另外,随着封装密度的增加,半导体封装技术是否能够满足绝缘、耐用和耐温等要求,也是存在挑战的地方。
半导体封装技术为电子装配提供了一种灵活的、可完成的、简单的解决方案,目前在许多电子产品中已经得到成功应用,取得了显著的效果和投资回报。
半导体封装技术的不同等级、作用和演变过程
半导体封装技术是指将芯片封装在一个保护壳内,以保护芯片免受外界环境的影响,并提供与外部电路连接的接口。
半导体封装技术的不同等级、作用和演变过程如下:1. 等级:- TO(Transistor Outline)封装:这是最早的封装形式,主要用于分立器件的封装,如晶体管、二极管等。
- DIP(Dual In-line Package)封装:DIP 封装是一种双列直插式封装,广泛应用于早期的集成电路。
- SOP(Small Outline Package)封装:SOP 封装是一种小尺寸封装,比 DIP 封装更小,适用于引脚数量较少的集成电路。
- QFP(Quad Flat Package)封装:QFP 封装是一种四面扁平封装,引脚数量较多,适用于高密度集成电路。
- BGA(Ball Grid Array)封装:BGA 封装是一种表面贴装封装,采用球形焊点,适用于引脚数量非常多的集成电路。
- CSP(Chip Scale Package)封装:CSP 封装是一种芯片级封装,尺寸非常小,适用于高性能、高密度的集成电路。
2. 作用:- 保护芯片:半导体封装可以保护芯片免受外界环境的影响,如湿度、温度、灰尘等。
- 提供电气连接:半导体封装提供了芯片与外部电路之间的电气连接,使得芯片能够正常工作。
- 提高可靠性:半导体封装可以提高芯片的可靠性,减少因焊点失效等问题导致的故障。
- 提高散热性能:半导体封装可以提高芯片的散热性能,降低芯片的温度,从而提高芯片的工作效率和寿命。
3. 演变过程:- 最初的半导体封装主要是 TO 和 DIP 封装,随着集成电路的发展,引脚数量逐渐增加,出现了 SOP、QFP 等封装形式。
- 随着表面贴装技术的发展,BGA、CSP 等封装形式逐渐成为主流。
- 目前,半导体封装技术正在向更高密度、更小尺寸、更高性能的方向发展,如 3D 封装、系统级封装(SiP)等。
总之,半导体封装技术的不同等级、作用和演变过程是随着集成电路技术的发展而不断发展的。
半导体封装技术后固化工艺流程介绍
一、介绍半导体封装技术半导体封装技术是将芯片和其它元件封装在一起,以保护芯片不受外界影响,并便于安装和使用的技术。
其主要步骤包括前固化、粘合、后固化、切割等。
二、半导体封装技术后固化工艺的重要性后固化工艺是半导体封装技术中不可或缺的一部分,它直接影响到封装件的质量和性能。
掌握后固化工艺流程至关重要。
三、半导体封装技术后固化工艺流程介绍1. 探针测试在封装过程中,需要对芯片进行探针测试,以确保其正常工作。
探针测试是一种非常关键的测试工艺,可发现芯片的问题,保证最终封装件的质量。
2. 后固化材料选择选择合适的后固化材料对封装件的性能至关重要。
适合的后固化材料能够增强封装件的耐热性、防潮性和绝缘性能,提高其可靠性。
3. 后固化温度和时间控制后固化的温度和时间对封装件的性能影响很大。
合理的固化温度和时间能够确保封装件在使用过程中不会出现老化、断裂等问题。
4. 后固化工艺监控通过对后固化工艺进行监控和调整,可以确保封装件的质量稳定。
监控指标包括固化温度、时间、环境湿度等。
及时发现问题并进行调整,是保证封装件质量的重要手段。
5. 器件存放和包装封装件固化后,需要进行适当的存放和包装,以防止其受潮和污染。
良好的存放和包装措施可以有效延长封装件的使用寿命。
四、结语后固化工艺流程对半导体封装技术起着至关重要的作用,只有严格控制后固化工艺流程,才能保证封装件的质量和性能。
希望本文对您了解半导体封装技术后固化工艺流程有所帮助。
后固化工艺是半导体封装技术的重要环节,它不仅影响到封装件的质量和性能,还直接关系到整个封装过程的稳定性和可靠性。
在半导体封装行业中,后固化工艺流程是一个至关重要的部分。
接下来,我们将更详细地讨论后固化工艺流程的相关内容。
1. 后固化温度和时间的控制后固化的温度和时间是确保封装件质量稳定的关键参数。
在后固化的过程中,需要对温度和时间进行严格的控制和监测。
通常情况下,固化的温度和时间会根据所使用的后固化材料和封装件的具体要求而有所不同。
半导体器件封装技术
半导体器件封装技术半导体器件封装技术是半导体器件制造中非常重要的一个环节。
它将芯片与外部环境隔离,并提供必要的电气连接。
封装技术的发展与半导体工艺的进步同步进行,是半导体产品性能、可靠性和成本的重要影响因素。
半导体器件封装技术主要包括封装材料、封装结构和封装工艺三个方面。
封装材料是指用于制造封装壳体的材料,例如环氧树脂、瓷瓶、塑料等。
封装结构是指封装壳体的形状、尺寸和内部结构,例如DIP、SOP、QFP、BGA等。
封装工艺是指封装过程中的各种工艺步骤,例如焊接、金线连接、球栅阵列连接等。
在封装材料方面,环氧树脂是最常用的封装材料之一。
它具有良好的机械强度、电绝缘性和耐化学性,可以在高温下使用。
与此同时,瓷瓶和塑料也被广泛应用于半导体器件封装领域,它们具有良好的机械强度和电绝缘性,但温度和化学稳定性不如环氧树脂。
在封装结构方面,DIP(直插式封装)、SOP(表面安装封装)和QFP(矩形平面封装)是传统的封装结构。
它们的尺寸和引脚数量有限,适用于低密度器件。
而BGA(球栅阵列封装)则是一种新型的封装结构,它具有更高的引脚密度和更好的散热性能,适用于高密度器件。
在封装工艺方面,焊接是最基本的封装工艺步骤。
它可以通过不同的焊接方式实现芯片与外部引脚的连接,如铅焊、无铅焊、球栅阵列焊等。
金线连接是一种较为复杂的封装工艺步骤,它需要精密的设备和技术,可以实现芯片与外部引脚之间的高精度电气连接。
球栅阵列连接则是一种新型的封装工艺,它可以实现高引脚密度的芯片封装,但需要更高的制造技术和设备。
在半导体器件封装技术的发展中,有几个趋势值得注意。
首先是封装结构的多样化,随着芯片引脚数量的增加和器件尺寸的缩小,人们需要更多种类的封装结构来适应不同的应用场景。
其次是封装材料的环保化,人们越来越注重环境保护,要求封装材料具有更低的毒性和更好的可降解性。
最后是封装工艺的自动化和智能化,随着制造技术的进步,人们可以通过自动化和智能化的封装工艺来提高生产效率和产品质量。
第三代半导体封装技术
第三代半导体封装技术
第三代半导体封装技术是指在半导体芯片封装过程中采用新型材料和新工艺,以提高芯片性能和可靠性的技术。
相比于传统的封装技术,第三代半导体封装技术具有更高的集成度、更低的功耗和更高的可靠性。
第三代半导体封装技术的主要特点是采用新型材料。
传统的封装技术主要采用有机材料,而第三代半导体封装技术则采用无机材料,如硅、氮化硅、氮化铝等。
这些材料具有更高的热导率和更好的机械性能,可以更好地保护芯片,提高芯片的可靠性。
第三代半导体封装技术还采用了新工艺。
传统的封装技术主要采用线性封装工艺,而第三代半导体封装技术则采用非线性封装工艺,如球栅阵列(BGA)封装、无铅封装等。
这些工艺可以提高芯片的集成度和可靠性,同时还可以减小芯片的尺寸和功耗。
第三代半导体封装技术的应用范围非常广泛。
它可以应用于各种类型的芯片,如处理器、存储器、传感器等。
同时,它还可以应用于各种领域,如通信、计算机、汽车、医疗等。
在这些领域中,第三代半导体封装技术可以提高产品的性能和可靠性,同时还可以减小产品的尺寸和功耗,从而满足市场的需求。
第三代半导体封装技术是半导体封装领域的一项重要技术。
它采用新型材料和新工艺,可以提高芯片的性能和可靠性,同时还可以减
小芯片的尺寸和功耗。
随着科技的不断发展,第三代半导体封装技术将会得到更广泛的应用。
第三代半导体封装技术
第三代半导体封装技术随着电子技术的快速发展,半导体器件的封装技术也在不断演进。
第三代半导体封装技术作为一种新兴的封装技术,具有更高的集成度、更好的散热性能、更高的可靠性和更小的尺寸等优势,正逐渐成为半导体封装的主流技术。
第三代半导体封装技术主要包括三维封装、芯片级封装和集成封装等。
其中,三维封装是一种将多个芯片通过堆叠或倒装的方式进行封装的技术。
它可以提高芯片的集成度,减小封装体积,同时还能缩短信号传输路径,提高芯片性能。
芯片级封装则是将封装过程直接应用到芯片制造中,实现芯片级封装的同时还能减小尺寸,提高性能。
而集成封装是将多个芯片和其他元器件集成到同一个封装中,实现多功能的集成电路。
第三代半导体封装技术相比于传统封装技术具有以下优势。
首先,第三代封装技术可以实现更高的集成度。
传统封装技术由于封装空间有限,导致芯片的集成度受限。
而第三代封装技术通过堆叠、倒装等方式,可以将多个芯片集成到同一个封装中,大大提高了芯片的集成度,实现更复杂的功能。
其次,第三代封装技术具有更好的散热性能。
由于半导体器件在工作过程中会产生大量的热量,传统封装技术往往无法有效散热,导致器件温度过高,影响其性能和寿命。
而第三代封装技术通过使用导热材料、散热片等手段,可以有效提高散热性能,降低芯片温度,提高器件的可靠性。
再次,第三代封装技术可以实现更小的尺寸。
传统封装技术由于封装工艺的限制,无法实现器件尺寸的进一步缩小。
而第三代封装技术通过采用新的封装材料、封装工艺等手段,可以实现器件尺寸的进一步缩小,使得整个封装更加紧凑,适应了电子产品小型化的需求。
第三代半导体封装技术的发展离不开材料和工艺的支持。
新型的封装材料,如有机封装材料、导热材料等,可以满足第三代封装技术对材料的要求。
而先进的封装工艺,如3D打印、微电子加工等,可以实现更精细的封装结构和更复杂的封装工艺,提高封装的可靠性和性能。
尽管第三代半导体封装技术在集成度、散热性能、尺寸等方面具有明显优势,但也面临一些挑战。
半导体封装与测试技术的创新与发展
半导体封装与测试技术的创新与发展一、半导体封装技术的创新与发展半导体封装技术是半导体工业的重要环节之一,其主要目的是保护芯片并提供连接外部设备的桥梁。
随着半导体产业的快速发展,封装技术也在不断创新和演进,以适应市场需求和提升性能。
本节将介绍几种半导体封装技术以及其创新与发展。
1. 焊接封装技术焊接封装技术是最常见的半导体封装技术之一。
它通过焊接芯片引线和印刷电路板等外部引脚,实现芯片与外界的连接。
随着芯片尺寸的不断缩小以及功能的提升,焊接封装技术也在不断创新。
例如,传统的焊接封装技术通常使用铅锡合金进行焊接,但由于铅的环境和健康问题,逐渐出现了无铅焊接技术的创新。
此外,高密度焊接、微焊接等技术也在应用中不断发展,以实现更小尺寸和更高性能的封装。
2. 嵌入式封装技术嵌入式封装技术是近年来快速发展的一种封装方式。
它将芯片与封装材料一同制作为一个整体,以实现更高的集成度和更好的性能。
嵌入式封装技术可分为有源嵌入式封装和无源嵌入式封装两种。
有源嵌入式封装在芯片中集成了元器件,使芯片具备更多的功能,适用于高性能应用;无源嵌入式封装则主要用于实现更小尺寸和更高集成度的传感器等无源器件。
3. 多芯片封装技术多芯片封装技术是指将多个芯片封装在一个封装体中,以提升系统集成度和性能。
常见的多芯片封装技术有系统级封装(SiP)和三维封装等。
系统级封装将多个芯片封装在同一封装体内,通过高速、低延迟的互连技术连接芯片,实现协同工作和高性能;三维封装则通过堆叠多个芯片,以实现更高的集成度和更小的尺寸。
多芯片封装技术的创新主要集中在互连技术、封装材料等方面,以满足不断增长的需求。
二、半导体测试技术的创新与发展半导体测试技术是在封装完成后,对芯片进行功能、性能、可靠性等方面的测试和验证。
准确和有效的测试技术对于确保芯片质量和性能至关重要。
本节将介绍几种常见的半导体测试技术以及其创新与发展。
1. 功能测试技术功能测试技术是对芯片的基本功能进行测试和验证。
半导体行业的封装技术了解半导体封装技术的发展趋势和关键技术
半导体行业的封装技术了解半导体封装技术的发展趋势和关键技术半导体行业的封装技术:了解半导体封装技术的发展趋势和关键技术半导体封装技术是半导体行业中至关重要的一环。
它涉及将芯片封装成能够直接应用于电子产品的小型尺寸器件。
随着技术的不断发展,半导体封装技术也在不断演进。
本文将介绍半导体封装技术的发展趋势以及关键技术。
一、封装技术的背景和定义半导体芯片制造完成后,需要将其封装,以保护芯片不受外界环境的影响。
封装技术主要包括封装材料的选择、封装工艺的设计和封装设备的制造等方面。
目前市场上常见的封装形式包括球栅阵列(BGA)、无引线封装(CSP)和多芯片模块(MCM)等。
二、半导体封装技术的发展趋势1. 空间效率的提升随着电子产品体积的不断缩小,对封装技术提出了更高的要求。
未来封装技术将朝向更高密度、更紧凑的方向发展,以提高空间效率,使产品更加轻薄、小巧。
2. 高性能和高可靠性随着半导体芯片功能的不断增强,对封装技术的性能和可靠性要求也越来越高。
封装技术需要能够兼顾信号传输速度、散热效果和抗干扰能力,以实现高性能和高可靠性的要求。
3. 低成本和高效率半导体封装技术在不断追求性能提升的同时,也需要提高制造效率,降低成本。
封装工艺应该具备高度自动化、高效率的特点,以提升生产效率并降低生产成本。
4. 节能环保封装工艺中的材料选择和处理方式也受到越来越多的关注。
未来的封装技术应该尽量减少对环境的影响,选择低能耗、可回收利用的材料,并采取节能环保的工艺流程。
三、半导体封装技术的关键技术1. 封装材料的创新封装材料的选择对封装技术的性能和可靠性起着至关重要的作用。
新一代封装材料应具备高导热性能和低介电常数,以提高散热效果和信号传输速度。
2. 先进封装工艺先进封装工艺是实现高性能封装的关键。
包括晶片级封装(WLP)、三维封装和系统级封装等工艺。
这些工艺能够提高芯片的空间利用率,并提供更好的散热效果和信号传输性能。
3. 3D封装技术3D封装技术是未来的发展方向之一。
元器件设计中的封装技术和封装材料选择
元器件设计中的封装技术和封装材料选择在现代电子产品中,元器件的封装技术和封装材料的选择起着至关重要的作用。
封装技术是将电子元器件封装到外壳中,以保护其不受外界环境的影响,同时方便插入或焊接到电路板上。
而封装材料的选择则需要考虑电子元器件的工作环境及功能要求。
本文将对元器件设计中的封装技术和封装材料选择进行探讨。
一、常见的封装技术1. 贴片封装贴片封装是目前应用最广泛的封装技术之一。
它采用贴片机通过热熔胶或焊锡将元器件贴在电路板上,并进行可靠的电气连接。
贴片封装的优点是尺寸小、重量轻、焊接可靠,适用于大批量生产。
常见的贴片封装类型有SMD、QFP、BGA等。
2. 模块封装模块封装将多个功能模块集成到一个封装内,如处理器、存储器、通信模块等。
模块封装能够提高系统集成度,减小电路板尺寸,简化设计和制造流程。
常见的模块封装有系统级封装(SiP)、多芯片模块(MCM)等。
3. 芯片级封装芯片级封装是将芯片直接封装在半导体材料中,以实现高度集成的封装方式。
芯片级封装可以提高电路性能、减小尺寸和功耗,适用于集成电路(IC)等高端应用。
常见的芯片级封装有CSP、Flip-Chip、SiP等。
二、封装材料的选择1. 塑料封装材料塑料封装材料具有价格低廉、重量轻、绝缘性能好等优点,适用于绝大多数的元器件。
其中最常用的塑料封装材料是环氧树脂,具有良好的电气性能和热稳定性。
此外,还有聚酯、聚酰亚胺等材料也常用于封装。
2. 金属封装材料金属封装材料主要用于对高功率器件、高温工作器件等有特殊要求的元器件。
金属封装材料具有良好的散热性能和抗振性,可保护元器件免受外界的干扰。
常见的金属封装材料包括银、铜、镍、铝等。
3. 玻璃封装材料玻璃封装材料主要应用于高频、高温等特殊工况下的元器件。
玻璃封装材料具有优异的电气性能、耐高温性和尺寸稳定性,适用于射频器件、光电器件等。
常见的玻璃封装材料包括高熔点玻璃、钢化玻璃等。
4. 硅胶封装材料硅胶封装材料主要用于对振动、湿气、冲击等有较高要求的元器件。
第三代半导体封装技术
第三代半导体封装技术引言随着电子产业和通信技术的飞速发展,半导体器件的需求越来越高。
为了满足不断增长的需求,半导体封装技术也在不断进步。
在过去的几十年中,我们目睹了从第一代到第三代的半导体封装技术的发展。
本文将重点探讨第三代半导体封装技术的新特点和进展。
什么是第三代半导体封装技术?第三代半导体封装技术是指将芯片封装成实际可用的器件的技术。
与前两代相比,第三代半导体封装技术在封装密度、散热性能、可靠性和功耗等方面有显著提高。
第三代半导体封装技术的新特点更高的封装密度第三代半导体封装技术采用了更小尺寸的封装形式,如球栅阵列(BGA)和无引线封装(WLP),使得器件的封装密度得以大幅提高。
这意味着在同样的封装面积下,可以容纳更多的芯片,从而实现更高性能的应用。
更优越的散热性能由于功耗密度的提高和集成度的增加,芯片的散热成为一个极为重要的问题。
第三代半导体封装技术采用了多层金属冷却系统和导热材料,有效地提高了芯片的散热性能。
尤其是在高性能的应用领域,如人工智能和大数据处理,散热能力的提升对于保证芯片的可靠性至关重要。
更高的可靠性第三代半导体封装技术通过采用更先进的封装材料和结构设计,提高了器件的可靠性。
例如,采用先进的封装材料可以降低芯片和封装之间的热应力,减少疲劳和断裂的风险。
另外,采用更先进的封装技术可以提高器件的防护性,增强其抗击冲击、振动和湿度等环境因素的能力。
更低的功耗第三代半导体封装技术致力于提供更低的功耗解决方案。
通过优化器件的封装结构和材料,减少能量损耗和信号传输损失。
例如,采用低电阻材料和短线连接可以降低器件的功耗。
第三代半导体封装技术的进展先进的封装材料第三代半导体封装技术的发展离不开先进的封装材料。
比如,具有优良导热性能的金属基板和导热胶料,可以有效提高器件的散热性能。
另外,高强度和可靠性的封装材料,例如有机填充树脂(CRM)和无铅焊料,可以提高芯片和封装之间的结合强度和可靠性。
先进的封装技术随着封装密度的提高和器件尺寸的缩小,新一代的封装技术如薄型芯片封装(FCP)和基板级封装(SLP)等得到了广泛应用。
半导体几种封装及应用范围
半导体几种封装及应用范围半导体器件的封装形式是指将半导体芯片固定在封装材料中,以提供电气连接和保护芯片的外部结构。
不同的半导体器件具有不同的封装形式,主要根据器件的类型、尺寸、功率和应用需求等来选择。
目前常见的半导体器件封装形式包括以下几种:1. DIP封装(Dual in-line package)DIP封装是最早应用的一种半导体器件封装形式,其引脚排列成两行,中间有一定间距,适用于大多数集成电路、逻辑器件和传感器等。
DIP封装的优点是结构简单、成本低廉、可手动焊接,但体积较大,不适合高集成度和高密度的应用。
2. 焊盘封装(QFP)焊盘封装是现代集成电路器件最常见的一种封装形式,其引脚布置成矩形,边缘有焊盘用于焊接。
QFP封装广泛应用于微处理器、存储器、FPGA等,具有密度高、功耗低、带宽大、易于自动焊接等优点。
3. 表面贴装封装(SMT)表面贴装封装是目前半导体器件最常用的一种封装形式,尤其适用于小尺寸、高集成度和高频率的应用。
SMT封装将芯片焊接在PCB表面,通过焊接球或焊锡膏与PCB的焊盘连接。
SMT封装包括BGA(Ball Grid Array)、CSP(Chip Scale Package)等多种形式,广泛应用于手机、平板电脑、相机、无线通信等领域。
4. 射频封装(RF)射频封装主要针对射频器件的特殊性需求,如天线、射频放大器等。
射频封装要求引脚的长度和布线特性具有低损耗、高速度和低串扰的特点,常见的射频封装形式包括QFN、MSOP等。
5. 高功率封装(Power)高功率封装适用于功率器件和功率集成电路等高功率应用,主要解决散热、这样设计和电气特性的问题。
常见的高功率封装形式包括TO封装、DPAK封装、SOT 封装等。
半导体器件的封装形式根据应用需求的不同,还可以细分为塑封、金属封装、陶瓷封装等多个不同的材料类型。
此外,封装形式还可以根据引脚的连接方式、数量和排列方式等因素进行分类。
半导体封装技术大全
半导体封装技术大全1、BGA(ball grid array)球形触点陈列,表面贴装型封装之一。
在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI 芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。
也称为凸点陈列载体(PAC)。
引脚可超过200,是多引脚LSI 用的一种封装。
封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。
例如,引脚中心距为1.5mm 的360 引脚BGA仅为31mm 见方;而引脚中心距为0.5mm 的30 4 引脚QFP 为40mm 见方。
而且BGA不用担心QFP 那样的引脚变形问题。
该封装是美国Motorola 公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有可能在个人计算机中普及。
最初,BGA的引脚(凸点)中心距为1.5mm,引脚数为225。
现在也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。
BGA的问题是回流焊后的外观检查。
现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。
有的认为,由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来处理。
美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC,而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC 和GPAC)。
2、BQFP(quad flat package with bumper)带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。
QFP 封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。
美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中采用此封装。
引脚中心距0.635mm,引脚数从84 到196 左右(见QFP)。
3、碰焊PGA(butt joint pin grid array) 表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。
4、C-(ceramic)表示陶瓷封装的记号。
例如,CDIP 表示的是陶瓷DIP。
是在实际中经常使用的记号。
5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ECL RAM,DSP(数字信号处理器)等电路。
半导体器件封装三种方法
半导体器件封装三种方法半导体器件封装三种1. 塑料封装•塑料封装是最常见,也是最经济实惠的封装方法之一。
•使用塑料材料制成封装壳体,具有良好的绝缘性能和机械强度。
•塑料封装适用于大部分低功率的半导体器件,如晶体管、二极管等。
•操作简便,适合批量生产,广泛应用于消费电子、通信设备等领域。
2. 硅胶封装•硅胶封装是一种环保、耐高温的封装方式。
•利用硅胶材料对半导体器件进行密封,提供优异的绝缘性能和耐腐蚀性能。
•硅胶封装适用于一些特殊环境下的半导体器件,如工业控制、航空航天等。
•尽管硅胶封装的成本较高,但其可靠性和稳定性使其成为一些特殊应用场景的首选。
•球栅阵列封装(BGA)是高密度封装的一种重要方式。
•使用多个焊球连接半导体芯片和印刷电路板,实现高速数据传输和高密度集成。
•BGA封装适用于大功率、高频率的半导体器件,如处理器、FPGA 等。
•BGA封装的主要优势是能够提供更多的引脚数量和更好的热管理能力,但焊接技术要求较高。
以上是三种常见的半导体器件封装方法。
每种方法都有其适用的场景和优势,根据不同的需求和应用领域选择合适的封装方式,可以确保半导体器件的性能和可靠性。
4. 焊盘封装•焊盘封装是一种广泛应用于电子系统的封装方式。
•焊盘封装使用金属焊盘连接半导体器件和电路板,提供稳定的电气连接和机械支撑。
•焊盘封装适用于中功率的半导体器件,如功放器件、运算放大器等。
•焊盘封装具有较好的热性能和可靠性,是一种经济实用的封装方式。
•敞开式封装是一种非常规的封装方式。
•将半导体器件放置在散热片上,通过散热片将器件散热至空气中。
•敞开式封装适用于大功率、高温度的半导体器件,如功率变换器、电源模块等。
•敞开式封装具有优异的散热性能和可靠性,但需要进行有效的散热设计和绝缘处理。
综上所述,塑料封装、硅胶封装、球栅阵列封装、焊盘封装和敞开式封装是常见的半导体器件封装方式。
每种封装方法有其独特的特点和适用的场景,选择合适的封装方式可以满足不同应用需求并保证半导体器件的性能和可靠性。
半导体封装流程完整
半导体封装流程完整
条理清楚;
一、简介
半导体封装在当今的电子产品行业中扮演着重要的角色,比如汽车电子、手机等新型技术电子产品的封装工艺要求更加严格。
封装技术不仅主要针对半导体元件的外表现象,而且涉及到元件的封装效果、对元件的质量影响、成本影响等方面。
本文主要介绍半导体封装的流程及具体实施操作,以便让大家从中有所收获,能够更好的使用半导体封装技术。
二、半导体封装流程
1、基底材料的选择:半导体封装流程首先从半导体元件基底材料的选择开始。
半导体基底的材料通常包括碳素陶瓷及金属陶瓷等,要根据元件的特性、封装要求等因素灵活选择而定,如贴片封装的元件,一般选择BIM-1、BIM-2和BIM-4等碳素陶瓷基底;如晶体管封装,一般采用铝基底或金属陶瓷基底,同时,要考虑芯片封装的电性要求,此时可以考虑采用高介电性和高相对可用热导率材料,例如氧化铝和石墨等。
2、芯片覆盖:接下来,要将半导体芯片覆盖在基底上,覆盖的方法有很多,例如采用喷嘴喷涂法、银接粘贴法和贴片法等。
半导体封装简介可编辑全文
FOL– Wire Bonding 引线键合
陶瓷的Capillary
内穿金线,并且在EFO的 作用下,高温烧球;
金线在Cap施加的一定 压力和超声的作用下, 形成Bond Ball;
金线在Cap施加的一 定压力作用下,形成 Wedge;
FOL– Wire Bonding 引线焊接
EFO打火杆在磁 Cap下降到芯片的Pad
Thickness
Size
FOL– 3rd Optical Inspection三光检查
检查Die Attach和Wire Bond之后有无各种废品
EOL– End of Line后段工艺
EOL
Annealing 电镀退火
Trim/Form 切筋/成型
Molding 注塑
Laser Mark 激光打字
➢磨片时,需要在正面(Active Area)贴胶带保护电路区域, 同时 研磨背面。研磨之后,去除胶带,测量厚度;
FOL– Wafer Saw晶圆切割
Wafer Mount 晶圆安装
Wafer Saw 晶圆切割
Wafer Wash 清洗
➢将晶圆粘贴在蓝膜(Mylar)上,使得即使被切割开后,不会散落;
主要是针对Wafer Saw之后在显微镜下进行Wafer的外观检查,是否有出现废品。
Chipping Die 崩边
FOL– Die Attach 芯片粘接
Write Epoxy 点银浆
Die Attach 芯片粘接
Cure 银浆固化
Epoxy Storage: 零下50度存放;
Epoxy Aging: 使用之前回温,除 去气泡;
EOL– Molding(注塑)
L/F L/F
半导体电子元器件封装工艺流程
半导体电子元器件封装工艺流程一、晶圆制造后的准备。
半导体电子元器件封装之前,那晶圆可是刚刚经历了复杂的制造过程呢。
晶圆就像是一个宝藏,上面有好多好多微小的芯片,这些芯片可是未来元器件的核心部分。
不过这个时候的晶圆可不能直接拿去封装,得先进行一些检测和准备工作。
比如说要检查晶圆上的芯片有没有什么缺陷,就像挑水果一样,得把坏的挑出去,只留下好的芯片。
而且还要对晶圆进行切割前的标记,就像是给每个小芯片都标上一个独特的记号,这样后面在封装的时候就不会搞混啦。
二、晶圆切割。
接下来就到了激动人心的晶圆切割环节。
这就好比是把一块大蛋糕切成小块一样,不过这个蛋糕可小得不得了,而且切的时候得特别特别精准。
切割的工具也是非常精细的,就像一把超级小的刀,要把晶圆按照之前标记好的位置切成一个个独立的小芯片。
这过程可不能马虎,要是切歪了或者切坏了芯片,那这个芯片可能就报废了。
每一个小芯片都是未来电子设备里的小英雄,所以切割的时候要小心翼翼的,就像对待自己心爱的小宝贝一样。
三、芯片粘贴。
切割好芯片之后呢,就得把芯片粘贴到封装的基板上啦。
这个基板就像是芯片的小床,要让芯片舒舒服服地躺在上面。
粘贴的胶水也很有讲究,得是那种能很好地固定芯片,又不会对芯片有什么不良影响的胶水。
这就像是给芯片找了一个合适的床垫,让它能稳稳地待在那里。
而且在粘贴的时候,要保证芯片的位置准确无误,就像把一幅画准确地挂在墙上一样,不能歪一点。
四、引线键合。
这可是个技术活呢。
芯片粘贴好了之后,要把芯片上的电极和封装基板上的引脚连接起来,这个连接就靠引线键合啦。
这就像是在芯片和外界之间搭起了一座座小桥梁,通过非常细的金属丝来实现连接。
操作人员得用专门的设备,像一个超级精细的小工匠一样,把金属丝精准地焊接到芯片和基板的相应位置上。
这个过程要快、准、稳,不然的话,这些小桥梁要是搭得不好,信号就没办法正常传输啦。
五、封装保护。
芯片和基板连接好之后,可不能就这么赤裸裸地放在那里,得给它们穿上一层保护衣。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
SMT工艺技术基础:半导体元器件封装技术摘要:摘要:SMT工艺控制的主要目的就是有一个良好的焊接效果。
工艺控制水平是影响焊接的关键因素,设计和材料则直接影响焊接效果 ...摘要:SMT工艺控制的主要目的就是有一个良好的焊接效果。
工艺控制水平是影响焊接的关键因素,设计和材料则直接影响焊接效果。
本文主要涉及焊接材料的相关知识,如PCB的表面材料及其处理工艺,元器件的引脚材料等。
焊接与2个表面焊接是用熔融的填充金属使结合点表面润湿且在两个金属部件之间形成冶金的键合,填充金属的熔点要低于450度。
英文名字叫做Soldering,意为“用在接触处熔化的非铁填充金属(诸如黄铜和钎焊料之类,其熔点低于基体金属的熔点)来焊接金属”。
对于较高温度熔点的填充金属,焊接工艺被规类为硬铅焊。
每每谈到焊接工艺,尤其在选择Flux时,我们首先要考虑两个表面:管脚表面和焊盘表面。
一般很少有人去关心管脚表面的材料究竟是什么样一种东西,因为大部分元器件都是供应商大批量生产和供货的,元器件的焊接部位采用什么样的表面处理工艺大部分由元器件制造商来决定,而PCB组装厂很难对其进行严格的控制。
而且,针对不同的PCB组装厂来定制元器件管脚表面的处理工艺是不划算的,当然除了特殊情况。
因此,对于SMT工艺工程师和来料检测人员来讲,应该把关注的重点放在元器件的可焊性上,尤其是来料检测人员必须确保元器件的可焊性。
而PCB就完全不一样了,因为每一个产品的PCB都是量身定作的,设计人员和工艺工程师可以决定让PCB制造厂采用哪种合适的材料和PCB表面处理工艺,并对焊盘的可焊性进行严格要求和控制。
更为重要的是,为了把PCB组装缺陷降到最低,设计人员必须明确规定采用那些可焊性好的材料来处理焊盘表面,以及他们的具体的技术规格;是来料检测人员则要对来料的可焊性进行严格检查。
常用的几种焊接金属1、裸铜经过化学清洗的裸铜是最容易焊接的一种材料,即使采用非常柔和的助焊剂;而且裸铜的处理工艺简单经济。
但是裸铜很容易氧化和失去光泽,从而导致可焊性急剧下降,除非在回流焊炉中有强劲的Flux(松香基)保护铜表面。
如果生产中用到了裸铜表面,在使用和储藏(储藏时间要尽量短)当中必须注意裸铜的可焊性!裸铜不能储存在含有硫的环境中,如纸、纸板、印刷品,因为硫很容易使铜生锈。
2、金在元器件管脚(或引线)和插拔用的金手指中经常会看到金的存在,如今PCB焊盘也大量采用了镀金工艺。
金的可焊性非常好,在回流焊接时它可以迅速溶于焊锡中,各种研究表明,镀金管脚上的金(厚度为50uinch)会在2秒内溶于锡铅共晶合金中。
但是金价格昂贵,而且金会影响焊点的属性,过多的金会使焊点钝化、脆化。
金镀层厚度要适当,而且要密(金呈多孔性),否则金下面的镍会被氧化,从而影响可焊性。
3、Kovar铁镍钴合金双列直插封装及其相关集成电路的引线大都采用Kovar,但是Kovar很难焊接,因为它润湿性差,对于这种表面,多采用含有机酸的Flux或特制的酸清洗剂。
4、银银曾经一度在电子工业流行,但是现在已经没有人采用银来作元器件引线表面和其他终端表面了,原因是银迁移现象的发生。
20世纪50年代后期人们发现了银迁移现象,并在2 0世纪60年代初对这一现象进行了深入研究,研究结果建议尽量避开银的使用。
银的可焊性不亚于裸铜。
5、浸锡浸锡就是通过化学方法在裸铜表面沉积一层锡薄膜。
刚经过浸锡处理的表面可焊性非常好,但是这种局面是暂时的,浸锡表面会迅速恶化并变得比裸铜表面难焊的多,同时锡在高温环境中很容易氧化。
6、锡铅锡铅(共晶合金)被广泛应用于元器件管脚和PCB焊盘,它可以有效保护材料的可焊性。
锡铅表面的处理工艺有电镀、热风整平等。
经过合适处理的锡铅表面具有优良的可焊性和很长的保存寿命。
常见的PCB表面处理工艺这里的“表面”指的是PCB上为电子元器件或其他系统到PCB的电路之间提供电气连接的连接点,如焊盘或接触式连接的连接点。
裸铜本身的可焊性很好,但是暴露在空气中很容易氧化,而且容易受到污染。
这也是P CB必须要进行表面处理的原因。
1、HASL在穿孔器件占主导地位的场合,波峰焊是最好的焊接方法。
采用热风整平(HASL,Ho t-air solder leveling)表面处理技术足以满足波峰焊的工艺要求,当然对于结点强度(尤其是接触式连接)要求较高的场合,多采用电镀镍/金的方法。
HASL是在世界范围内主要应用的表面处理技术,但是有三个主要动力推动着电子工业不得不考虑HASL的替代技术:成本、新的工艺需求和无铅化需要。
从成本的观点来看,许多电子元件诸如移动通信和个人计算机正变成平民化的消费品。
以成本或更低的价格销售,才能在激烈的竞争环境中立于不败之地。
组装技术发展到SMT以后, PCB焊盘在组装过程中要求采用丝网印刷和回流焊接工艺。
在SMA场合,PCB表面处理工艺最初依然沿用了HASL技术,但是随着SMT器件的不断缩小,焊盘和网板开孔也在随之变小,HASL技术的弊端逐渐暴露了出来。
HASL技术处理过的焊盘不够平整,共面性不能满足细间距焊盘的工艺要求。
环境的关注通常集中在潜在的铅对环境的影响。
2、有机可焊性保护层(OSP)OSP的保护机理故名思意,有机可焊性保护层(OSP, Organic solderability preservative)是一种有机涂层,用来防止铜在焊接以前氧化,也就是保护PCB焊盘的可焊性不受破坏。
目前广泛使用的两种OSP都属于含氮有机化合物,即连三氮茚(Benzotriazoles)和咪唑有机结晶碱(Imidazoles)。
它们都能够很好的附着在裸铜表面,而且都很专一―――只情有独钟于铜,而不会吸附在绝缘涂层上,比如阻焊膜。
连三氮茚会在铜表面形成一层分子薄膜,在组装过程中,当达到一定的温度时,这层薄膜将被熔掉,尤其是在回流焊过程中,OSP比较容易挥发掉。
咪唑有机结晶碱在铜表面形成的保护薄膜比连三氮茚更厚,在组装过程中可以承受更多的热量周期的冲击。
OSP涂附工艺OSP涂附过程见表1。
清洗: 在OSP之前,首先要做的准备工作就是把铜表面清洗干净。
其目的主要是去除铜表面的有机或无机残留物,确保蚀刻均匀。
微蚀刻(Microetch):通过腐蚀铜表面,新鲜明亮的铜便露出来了,这样有助于与OS P的结合。
可以借助适当的腐蚀剂进行蚀刻,如过硫化钠(sodium persulphate),过氧化硫酸(peroxide/sulfuric acid)等。
Conditioner:可选步骤,根据不同的情况或要求来决定要不要进行这些处理。
OSP:然后涂OSP溶液,具体温度和时间根据具体的设备、溶液的特性和要求而定。
清洗残留物:完成上面的每一步化学处理以后,都必须清洗掉多余的化学残留物或其他无用成分。
一般清洗一到两次足夷。
物极必反,过分的清洗反倒会引起产品氧化或失去光泽等,这是我们不希望看到的。
整个处理过程必须严格按照工艺规定操作,比如严格控制时间、温度和周转过程等。
OSP的应用PCB表面用OSP处理以后,在铜的表面形成一层薄薄的有机化合物,从而保护铜不会被氧化。
Benzotriazoles型OSP的厚度一般为100A°,而Imidazoles型OSP的厚度要厚一些,一般为400 A°。
OSP薄膜是透明的,肉眼不容易辨别其存在性,检测困难。
在组装过程中(回流焊),OSP很容易就熔进到了焊膏或者酸性的Flux里面,同时露出活性较强的铜表面,最终在元器件和焊盘之间形成Sn/Cu金属间化合物,因此,OSP用来处理焊接表面具有非常优良的特性。
OSP不存在铅污染问题,所以环保。
OSP的局限性1、由于OSP透明无色,所以检查起来比较困难,很难辨别PCB是否涂过OSP。
2、OSP本身是绝缘的,它不导电。
Benzotriazoles类的OSP比较薄,可能不会影响到电气测试,但对于Imidazoles类OSP,形成的保护膜比较厚,会影响电气测试。
OSP更无法用来作为处理电气接触表面,比如按键的键盘表面。
3、OSP在焊接过程中,需要更加强劲的Flux,否则消除不了保护膜,从而导致焊接缺陷。
4、在存储过程中,OSP表面不能接触到酸性物质,温度不能太高,否则OSP会挥发掉。
随着技术的不断创新,OSP已经历经了几代改良,其耐热性和存储寿命、与Flux的兼容性已经大大提高了。
3、化镍浸金(ENIG)ENIG的保护机理通过化学方法在铜表面镀上Ni/Au。
内层Ni的沉积厚度一般为120~240μin(约3~6μm),外层Au的沉积厚度比较薄,一般为2~4μinch(0.05~0.1μm)。
Ni在焊锡和铜之间形成阻隔层。
焊接时,外面的Au会迅速融解在焊锡里面,焊锡与Ni形成Ni/Sn金属间化合物。
外面镀金是为了防止在存储期间Ni氧化或者钝化,所以金镀层要足够密,厚度不能太薄。
ENIG处理工艺ENIG(Electroless nickel/immersion gold)工艺过程见表2。
清洗:清洗的目的与OSP工艺一样,清楚铜表面的有机或无机残留物,为蚀刻和催化做好准备。
蚀刻(Microetch):同OSP工艺……催化剂:这一步的作用是在铜表面沉积一层催化剂薄膜,从而降低铜的活性能量,这样Ni就比较容易沉积在铜表面。
钯、钌都是可以使用的催化剂。
化学镀镍:这里就不详细介绍其具体过程了。
镍沉积含有6~11%的磷,根据实际的具体用途,镍可能用作焊接表面,也可能作为接触表面,但不论怎样,必须确保镍有足够的厚度,以达到保护铜的作用。
浸金:在这个过程中,目的是沉积一层薄薄的且连续的金保护层,主要金的厚度不能太厚,否则焊点将变得很脆,严重影响焊电可靠性。
与镀镍一样,浸金的工作温度很高,时间也很长。
在浸洗过程中,将发生置换反应―――在镍的表面,金置换镍,不过当置换到一定程度时,置换反应会自动停止。
金强度很高,耐磨擦,耐高温,不易氧化,所以可以防止镍氧化或钝化,并适合工作在强度要求高的场合。
清洗残留物:完成上面的每一步化学处理以后,都必须清洗掉多余的化学残留物或其他无用成分。
一般清洗一到两次足夷。
物极必反,过分的清洗反倒会引起产品氧化或失去光泽等,这是我们不希望看到的。
ENIG的应用ENIG处理过的PCB表面非常平整,共面性很好,用于按键接触面非他莫属。
其次,E NIG可焊性极佳,金会迅速融入熔化的焊锡里面,从而露出新鲜的Ni。
ENIG的局限性ENIG的工艺过程比较复杂,而且如果要达到很好的效果,必须严格控制工艺参数。
最为麻烦的是,ENIG处理过的PCB表面在ENIG或焊接过程中很容易产生黑盘效应(Black pad),从而给焊点的可靠性带来灾难性的影响。
黑盘的产生机理非常复杂,它发生在Ni 与金的交接面,直接表现为Ni过度氧化。