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半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工考试题及答案(最新版).doc

半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工考试题及答案（最新版）考试时间：120分钟考试总分：100分遵守考场纪律，维护知识尊严，杜绝违纪行为，确保考试结果公正。

l4、单项选择题器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。

A.掩膜版 B.扩散 C.光刻本题答案： 5、填空题钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内（）控制。

本题答案： 6、单项选择题pn 结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数，也是评价（）的重要标志。

A.扩散层质量 B.设计 C.光刻本题答案： 7、单项选择题溅射法是由（）轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。

A.电子 B.中性粒子姓名：________________ 班级：________________ 学号：________________--------------------密----------------------------------封 ----------------------------------------------线----------------------C.带能离子本题答案：8、单项选择题金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺，金属作封装底盘、管帽和引线，（）做绝缘和密封。

A.塑料B.玻璃C.金属本题答案：9、判断题没有经济收入或交纳党费有困难的党员，由本人提出申请，经党支部委员会同意，可以少交或免交。

本题答案：10、填空题气中的一个小尘埃将影响整个芯片的（）性、（）率，并影响其电学性能和（）性，所以半导体芯片制造工艺需在超净厂房内进行。

本题答案：11、单项选择题常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类。

半导体器件的粘封工艺一般选用（）。

A.热塑性树脂B.热固性或橡胶型胶粘剂本题答案：12、填空题外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。

半导体或芯片岗位招聘笔试题与参考答案2025年

2025年招聘半导体或芯片岗位笔试题与参考答案(答案在后面)一、单项选择题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、在半导体工艺中，使用多种类型的光刻胶，其中最常用于大规模集成电路生产的是（）。

A. GRI-45B. GRI-25C. GRI-46D. GRI-422、MOS（金属-氧化物-半导体）制作技术中，晶体管结构所采用的材料中不包括（）。

A. 金属B. 绝缘体C. 导电材料D. 电阻体3.在半导体制造工艺中，以下哪个步骤不属于典型的半导体制造流程？A. 氧化B.光刻C. 薄膜沉积D. 清洗4.下列哪种材料是用于制作半导体器件的理想材料？A. 铜B. 锌C. 石墨D. 硅5、以下哪个半导体工艺技术能够实现更小的晶体管尺寸？A、传统CMOS工艺B、FinFET工艺C、GAAFET工艺D、平面晶体管工艺6、在半导体制造过程中，以下哪个步骤是为了提高硅片的纯度？A、扩散B、蚀刻C、清洗D、热处理7、半导体材料中最常用的材料是什么？（）A. 硅（Si）B. 铜（Cu）C. 金（Au）D. 镁（Mg）8、在芯片制造过程中，光刻技术的主要作用是什么？（）A. 去除不需要的材料B. 增加材料的功能性C. 将电路设计图案转移到硅片上D. 加热固化硅片结构9.在半导体制造工艺中，以下哪个步骤不属于典型的CMOS工艺流程？A. 氧化硅膜沉积B. 光刻C. 切割D. 离子注入 10.在半导体器件中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的主要组成部分包括：A. 沟道区B. 源极C. 栅极D. 上述全部二、多项选择题（本大题有10小题，每小题4分，共40分）1、以下哪个物理现象通常用于提高晶体管开关速度？（）A、短沟道效应B、量子隧道效应C、沟道极化D、多晶硅栅极2、在数字电路中，一种常见的数字缓冲器是 _ 。

（）A、反馈触发器B、D触发器C、三态缓冲器D、差分放大器3.以下关于半导体材料的说法正确的是（）：A. SiC的禁带宽度比 Si 更宽B. GaN的发光效率比 Si 更高C. InGaAs 的电子迁移率比 Si 更快D. ZnSe可以用于制造红光 LED4.在半导体器件制造中，对于离子注入工艺，正确的工作原则包括（）：A. 离子注入可以形成三维空间中的杂质分布B. 注入离子可以改变晶格特性，增强材料强度C. 注入离子能量过高，可能导致晶体缺陷D. 离子注入温度应当尽可能高，以提高注入效率5.半导体芯片制造过程中，哪些步骤通常需要使用光刻技术？A. 芯片设计B. 光刻C. 薄膜沉积D. 金属化6.在半导体器件中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的主要组成部分包括：A. 沟道区B. 源极C. 次沟道区D. 栅极7、在半导体的制造过程中，以下哪个工艺步骤不用于清洗晶圆？A. 刻蚀B. 化学机械抛光C. 清洁去毛刺D.湿法沉积8、在半导体制造过程中，以下哪种类型的晶圆对齐是用来确保图案精确地转移到光罩上的？A. 接触式对准B. 深亚微米对准C. 缩放对准D. 光学对准9.在半导体行业中，晶体管通常分为两种类型：双极型晶体管（BJTs）和场效应晶体管（FETs）。

半导体制造技术考试答案(考试必看

1、问答题热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。

2、问答题什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化？3、问答题说明SiO2的结构和性质，并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区别。

4、问答题从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用铜（Cu）互连和低介电常数（low-k）材料的必要性。

5、问答题写出菲克第一定律和第二定律的表达式，并解释其含义。

6、问答题说明影响氧化速率的因素。

7、问答题CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？8、问答题假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。

9、问答题什么是溅射产额，其影响因素有哪些？简述这些因素对溅射产额产生的影响。

10、问答题以P2O2为例说明SiO2的掩蔽过程。

11、问答题简述杂质在SiO2的存在形式及如何调节SiO2的物理性质。

12、问答题什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时，As和B哪种横向效应更大？为什么？13、问答题简述BOE（或BHF）刻蚀SiO2的原理。

14、问答题简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。

15、问答题下图为直流等离子放电的I-V曲线，请分别写出a-g 各段的名称。

可用作半导体制造工艺中离子轰击的是其中哪一段？试解释其工作原理。

16、问答题简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区别。

17、问答题典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的作用。

18、问答题简述RTP设备的工作原理，相对于传统高温炉管它有什么优势？19、问答题简述RTP在集成电路制造中的常见应用。

20、问答题简述几种典型真空泵的工作原理。

21、问答题影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些？22、问答题下图是硅烷反应淀积多晶硅的过程，写出发生反应的方程式，并简述其中1～5各步的含义。

半导体工艺原理测试题及答案大全

半导体工艺原理测试题及答案大全一、选择题（每题2分，共20分）1. 下列关于半导体材料的叙述中，错误的是：A. 半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间。

B. 半导体材料的导电性随温度升高而增加。

C. 半导体材料的导电性受光照影响。

D. 半导体材料的导电性不受掺杂影响。

答案：D2. 在半导体工艺中，光刻技术主要用于：A. 沉积薄膜B. 氧化C. 刻蚀D. 形成图案答案：D3. 下列哪种掺杂方式可以增加半导体的导电性？A. N型掺杂B. P型掺杂C. 无掺杂D. 以上都是答案：D4. 氧化层在半导体工艺中的作用不包括：A. 保护B. 绝缘C. 导电D. 隔离答案：C5. 扩散工艺在半导体工艺中主要用于：A. 形成晶体管B. 形成绝缘层C. 形成金属层D. 形成氧化层答案：A二、填空题（每题2分，共20分）1. 在半导体工艺中，____是形成晶体管PN结的关键步骤。

答案：扩散2. 半导体工艺中的氧化层通常采用____材料。

答案：二氧化硅3. 光刻胶在光刻过程中的作用是____。

答案：形成掩模4. 离子注入技术可以用于____掺杂。

答案：N型或P型5. 在半导体工艺中，____技术用于去除不需要的材料。

答案：刻蚀三、简答题（每题10分，共30分）1. 简述CMOS工艺中晶体管的工作原理。

答案：在CMOS工艺中，晶体管的工作原理基于PN结的开关特性。

N型晶体管（NMOS）在栅极电压高于源极电压时导通，而P型晶体管（PMOS）在栅极电压低于源极电压时导通。

通过控制栅极电压，可以实现晶体管的开关控制。

2. 描述氧化层在半导体工艺中的作用。

答案：氧化层在半导体工艺中主要起到保护、绝缘和隔离的作用。

它可以保护硅片不受化学腐蚀，防止杂质扩散，同时作为绝缘层隔离不同的晶体管或电路元件，确保电路的稳定性和可靠性。

3. 离子注入技术在半导体工艺中的应用是什么？答案：离子注入技术在半导体工艺中主要用于掺杂，通过将掺杂原子注入硅片，可以精确控制掺杂的类型、浓度和深度，从而制造出具有特定特性的半导体器件，如晶体管、二极管等。

半导体工艺及芯片制造技术问题答案全

常用术语翻译active region 有源区2.active component有源器件3.Anneal退火4.atmospheric pressure CVD (APCVD) 常压化学气相淀积5.BEOL(生产线)后端工序6.BiCMOS双极CMOS7、bonding wire 焊线,引线8、BPSG 硼磷硅玻璃9、channel length沟道长度10、chemical vapor deposition (CVD) 化学气相淀积11、chemical mechanical planarization (CMP)化学机械平坦化12、damascene 大马士革工艺13、deposition淀积14、diffusion 扩散15、dopant concentration掺杂浓度16、dry oxidation 干法氧化17、epitaxial layer 外延层18、etch rate 刻蚀速率19、fabrication制造20、gate oxide 栅氧化硅21、IC reliability 集成电路可靠性22、interlayer dielectric 层间介质(ILD)23、ion implanter 离子注入机24、magnetron sputtering 磁控溅射25、metalorganic CVD(MOCVD)金属有机化学气相淀积26、pc board 印刷电路板27、plasma enhanced CVD(PECVD) 等离子体增强CVD28、polish 抛光29、RF sputtering 射频溅射30、silicon on insulator绝缘体上硅(SOI)第一章半导体产业介绍1、什么叫集成电路？写出集成电路发展的五个时代及晶体管的数量？(15分)集成电路:将多个电子元件集成在一块衬底上,完成一定的电路或系统功能。

集成电路芯片/元件数产业周期无集成 1 1960年前小规模(SSI) 2到50 20世纪60年代前期中规模(MSI) 50到5000 20世纪60年代到70年代前期大规模(LSI) 5000到10万 20世纪70年代前期到后期超大规模(VLSI) 10万到100万 20世纪70年代后期到80年代后期甚大规模(ULSI) 大于100万 20世纪90年代后期到现在2、写出IC 制造的５个步骤？(15分)Wafer preparation(硅片准备)Wafer fabrication (硅片制造)Wafer test/sort (硅片测试与拣选)Assembly and packaging (装配与封装)Final test(终测)3、写出半导体产业发展方向？什么就是摩尔定律？(15分)发展方向:提高芯片性能——提升速度(关键尺寸降低,集成度提高,研发采用新材料),降低功耗。

半导体制造技术题库答案

精心整理1.分别简述RVD和GILD的原理，它们的优缺点及应用方向。

快速气相掺杂(RVD,RapidVapor-phaseDoping)利用快速热处理过程(RTP)将处在掺杂剂气氛中的硅片快速均匀地加热至所需要的温度，同时掺杂剂发生反应产生杂质原子，杂质原子直接从气态转变为被硅表面吸附的固态，然后进行固相扩散，完成掺杂目的。

同普通扩散炉中的掺杂不同，快速气相掺杂在硅片表面上并未形成含有杂质的玻璃层；同离子注入相比(特别是在浅结的应用上)，RVD技术的潜在优势是：它并不受注入所带来的一些效应的影响；对于选择扩散来说，采用快速气相掺杂工艺仍需要掩膜。

另外，快速气相掺杂仍然要在较高的温度下完成。

杂质分布是非理想的指数形式，类似固态扩散，其峰值处于表面处。

气体浸没激光掺杂(GILD:GasImmersionLaserDoping)用准分子激光器(308nm)产生高能量密度(0.5—2.0J/cm2)的短脉冲(20-100ns)激光，照射处于气态源中的硅表面；硅表面因吸收能量而变为液体层；同时层内。

不会发生2.(1).(2).(3).(4).操作上要十分小心。

3.化阻滞扩散的机理。

①交换式：两相邻原子由于有足够高的能量，互相交换位置。

②空位式：由于有晶格空位，相邻原子能移动过来。

③填隙式：在空隙中的原子挤开晶格原子后占据其位，被挤出的原子再去挤出其他原子。

④在空隙中的原子在晶体的原子间隙中快速移动一段距离后，最终或占据空位，或挤出晶格上原子占据其位以上几种形式主要分成两大类：①替位式扩散；②填隙式扩散。

替位式扩散如果替位杂质的近邻没有空位．则替位杂质要运动到近邻晶格位置上，就必须通过互相换位才能实现。

这种换位会引起周围晶格发生很大的畸变，需要相当大的能量，因此只有当替位杂质的近邻晶格上出现空位，替位式扩散才比较容易发生。

填隙型扩散?挤出机制：杂质在运动过程中“踢出”晶格位置上的硅原子进入晶格位置，成为替位杂质，被“踢出”硅原子变为间隙原子；Frank-Turnbull机制：也可能被“踢出”的杂质以间隙方式进行扩散运动。

半导体工艺标准规范标准及其芯片制造技术问答规范标准答案(全)

常用术语翻译active region 有源区2.active component有源器件3.Anneal退火4.atmospheric pressure CVD (APCVD) 常压化学气相淀积5.BEOL（生产线）后端工序6.BiCMOS双极CMOS7.bonding wire 焊线，引线8.BPSG 硼磷硅玻璃9.channel length沟道长度10.chemical vapor deposition (CVD) 化学气相淀积11.chemical mechanical planarization (CMP)化学机械平坦化12.damascene 大马士革工艺13.deposition淀积14.diffusion 扩散15.dopant concentration掺杂浓度16.dry oxidation 干法氧化17.epitaxial layer 外延层18.etch rate 刻蚀速率19.fabrication制造20.gate oxide 栅氧化硅21.IC reliability 集成电路可靠性22.interlayer dielectric 层间介质（ILD）23.ion implanter 离子注入机24.magnetron sputtering 磁控溅射25.metalorganic CVD(MOCVD)金属有机化学气相淀积26.pc board 印刷电路板27.plasma enhanced CVD(PECVD) 等离子体增强CVD28.polish 抛光29.RF sputtering 射频溅射30.silicon on insulator绝缘体上硅（SOI）第一章半导体产业介绍1. 什么叫集成电路？写出集成电路发展的五个时代及晶体管的数量？(15分)集成电路：将多个电子元件集成在一块衬底上，完成一定的电路或系统功能。

集成电路芯片/元件数产业周期无集成 1 1960年前小规模(SSI) 2到50 20世纪60年代前期中规模(MSI) 50到5000 20世纪60年代到70年代前期大规模(LSI) 5000到10万 20世纪70年代前期到后期超大规模(VLSI) 10万到100万 20世纪70年代后期到80年代后期甚大规模(ULSI) 大于100万 20世纪90年代后期到现在2. 写出IC 制造的５个步骤？(15分)Wafer preparation(硅片准备)Wafer fabrication (硅片制造)Wafer test/sort (硅片测试和拣选)Assembly and packaging (装配和封装)Final test(终测)3. 写出半导体产业发展方向？什么是摩尔定律？(15分)发展方向：提高芯片性能——提升速度(关键尺寸降低,集成度提高,研发采用新材料)，降低功耗。

半导体工艺工程师面试问题及答案

半导体工艺工程师面试问题及答案在半导体行业中，半导体工艺工程师是一个至关重要的职位。

他们负责研发和改进半导体制造过程，确保产品的质量和性能。

面试时，招聘人员通常会提出一些围绕半导体制造工艺的问题。

下面是一些常见的半导体工艺工程师面试问题及答案，希望能够帮助你准备面试。

1. 请介绍一下你的半导体工艺工程师背景和经验。

答：我拥有学士学位和硕士学位，专业是半导体工程。

在我的学术背景中，我研究了多种半导体制备工艺和工艺设备的使用。

在实际工作中，我曾在一家知名半导体公司担任半导体工艺工程师一职，负责制定和优化半导体制造流程，并参与了新产品的研发和生产。

2. 你熟悉哪些常见的半导体制造工艺？答：我熟悉的常见半导体制造工艺包括：沉积、光刻、蚀刻、扩散、离子注入和清洗。

在沉积工艺方面，我熟悉化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）等。

光刻方面，我对掩膜的设计和光刻胶的选择有一定的了解。

蚀刻方面，我熟悉湿法蚀刻和干法蚀刻。

在扩散和离子注入工艺中，我了解掺杂的原理和工艺参数的优化。

此外，我还熟悉硅晶片的清洗工艺和技术。

3. 请详细描述一下你在半导体制造工艺方面的项目经验。

答：在我之前的工作中，我参与了多个半导体研发项目。

其中一个项目是开发一种更高效的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）制造工艺。

我负责制定并优化了金属氧化物的沉积工艺，确保了薄膜的均匀性和质量。

此外，我还改进了光刻胶的选择和曝光参数，以提高图形的解析度。

通过这些改进，我们成功地生产出了具有更高性能的MOSFET晶体管。

4. 在半导体工艺设计中，你如何处理工艺参数的优化和问题解决？答：在半导体工艺设计中，我通常会进行一系列的工艺参数优化。

首先，我会通过仿真软件进行工艺参数的设计和优化。

然后，我会进行实验验证和数据分析，根据实验结果对参数进行调整和优化。

如果在工艺过程中出现问题，我会进行详细的故障排除和问题解决，分析问题根源并提出解决方案。

半导体工艺《半导体制造技术》答案

光刻 NMOS 管源漏区→NMOS 管源漏区磷注入
光刻 PMOS 管源漏区→PMOS 管源漏区硼注入
BPSG 沉积回流/增密
电子科技大学微电子与固体电子学院
2013 年 5 月 8 日
光刻接触孔BPSG 刻蚀
溅射 Si-Al-Cu→光刻金属互连刻蚀 Si-Al-Cu
该截面实际无压焊窗口，此图仅为示意，压焊窗口版图为一些亮区方块 SiO2 和 SiN 钝化层沉积→光刻压焊窗口→SiO2 和 SiN 刻蚀合金化退火 4. 什么是浅槽隔离 STI？（即简要描述浅槽隔离 STI），它取代了什么工艺？浅槽隔离是在衬底上通过刻蚀槽、氧化物填充及氧化物平坦化等步骤，制作晶体管有源区之间的隔离区的一种工艺。它取代了 LOCOS 隔离工艺。
N MAX 0.4 0.4 5 1015 cm2 9.7 1020 cm3 RP 207 A
exp t kT
x j RP RP 2 ln N MAX N B 582 A 207 A 2 ln 9.7 1020 cm 3 1016 cm 3 1574 A
电子科技大学微电子与固体电子学院
2013 年 5 月 8 日
步骤：等离子体形成、高能氩离子轰击金属靶材、金属原子溅射、金属原子输运、金属原子沉积、尾气排出。优点：台阶覆盖能力相对好、能沉积合金材料、能进行原位溅射刻蚀（反溅） 2. 列出集成电路金属互连对金属的 7 种要求。电阻率低、电流密度高；粘附性好、接触电阻低；易于沉积、间隙填充好（大马士革）；易于刻蚀、易于平坦化（大马士革）；抗温循性能好（延展性好）；抗腐蚀性能好；抗应力性能好。 3. 现代集成电路用铜互连取代铝互连的原因是什么？简要描述大马士革工艺的流程。原因：铜电导率更低可以降低 RC 延迟；铜抗电迁移能力更好。大马士革工艺流程：层间介质沉积和图形化、金属填隙、金属平坦化 CMP。 4. 列出硅化物的 3 个作用。降低器件寄生电阻；降低接触电阻；作为金属与硅之间的粘合剂。第五章作业 1. 请写出光刻的 8 个基本步骤气相成底模、涂胶、软烘、对准和曝光、曝光后烘焙、显影、坚膜、显影后检查。 2. 请列出软烘的至少 2 个作用去除溶剂从而：改善胶的粘附性、优化胶的光吸收特性和显影能力、缓解涂胶时产生的应力、防止曝光时挥发污染设备。 3. 已知接触孔版图图形为一些小方块，如果使用正胶，掩膜版应该是暗版还是亮版？暗版。接触孔处待刻蚀层材料应该去除，因此不应被光刻胶覆盖，因此该处光刻胶应曝光（正胶），因此版图图形为透光部分，而其他部分为不透光部分，故为暗版。 4. 已知某台分步重复光刻机的紫外光源波长为 248nm、光学系统的数值孔径为 0.7、工艺因子为 0.7，试计算该设备光刻的分辨率和焦深。分辨率：R=kλ/NA=0.7*248nm/0.7=248nm 焦深：DOF=λ/2(NA)2=248nm/(2×0.72)=253nm 第六章作业 1. 为什么现代集成电路工艺多采用干法刻蚀？干法刻蚀各向异性，可以实现图形精确转移。 2. 待刻蚀层厚度为 5000A，待刻蚀层与掩膜层选择比为 5:1，待刻蚀层与刻蚀终止层选择比为 10:1，过刻蚀时间为 20%，请问需要掩膜层的最小厚度是多少？刻蚀终止层的刻蚀深度是多少？掩膜层厚度：5000A/(5:1)*(1+20%)=1200A 刻蚀终止层的刻蚀深度：5000A/(10:1)*20%=100A 3. 描述反应离子刻蚀的机理。反应离子刻蚀属于物理和化学混合刻蚀。 ①进入真空反应室的刻蚀气体在射频电场的作用下分解电离形成等离子体，等离子体由高能电子、反应正离子、自由基、反应原子或原子团组成。 ②反应室被设计成射频电场垂直于被刻蚀样片表面且射频电源电极（称为阴极）的面积小于接地电极（称为阳极）的面积时，在系统的电源电极上产生一个较大的自偏置电场。 ③等离子体中的反应正离子在自偏置电场中加速得到能量轰击样片表面，这种离子轰击不仅对样片表面有一定的溅射作用形成物理刻蚀，而且提高了表面层自由基和反应原子或原子团的化学活性，加速与样片的化学反应。 ④由于离子轰击的方向性，遭受离子轰击的底面比未遭受离子轰击的侧面的刻蚀要快得多，

半导体制造技术智慧树知到答案2024年上海工程技术大学

半导体制造技术上海工程技术大学智慧树知到答案2024年第一章测试1.“摩尔定律”是（）提出的？A:1960 B:1958年 C:1965年 D:1970年答案:C2.第一个晶体管是（）材料晶体管？A:硅 B:锗 C:碳答案:B3.戈登摩尔是（）科学家。

A:德国 B:法国 C:美国 D:英国答案:C4.第一个集成电路在（）被研制。

A:1958 B:1955 C:1965 D:1960答案:A5.（）被称为中国“芯片之父”。

1、A:邓中翰 B:吴德馨 C:许居衍 D:沈绪榜答案:A第二章测试1.硅在地壳中的储量为（）。

A:第一 B:第四 C:第二 D:第三答案:C2.脱氧后的沙子主要以（）的形式。

A:二氧化硅 B:碳化硅 C:硅答案:A3.半导体级硅的纯度（）。

A:99.9999999％ B:99.999999％ C:99.999％ D:99.99999％答案:A4.西门子工艺制备得到的硅为单晶硅。

（）A:错 B:对答案:A5.一片硅片只有一个定位边。

（）A:对 B:错答案:B6.晶面指数（m1 m2 m3）： m1 、m2 、m3分别为晶面在X、Y、Z轴上截距的倒数。

（）A:对 B:错答案:A第三章测试1.通过薄膜淀积方法生长薄膜不消耗衬底的材料。

（）A:对 B:错答案:A2.热氧化法在硅衬底上制备二氧化硅需要消耗硅衬底。

（）A:对 B:错答案:A3.二氧化硅可以与氢氟酸发生反应。

（）A:对 B:错答案:A4.薄膜的密度越大，表明致密性越低。

（）A:错 B:对答案:A5.电阻率，表征导电能力的参数，同一种物质的电阻率在任何情况下都是不变的。

（）A:错 B:对答案:A第四章测试1.光刻本质上是光刻胶的光化学反应。

（）A:错 B:对答案:B2.一个透镜的数值孔径越大就能把更少的衍射光会聚到一点。

（）A:错 B:对答案:A3.使用正胶进行光刻时，晶片上所得到的图形与掩膜版图形相同。

（）A:对 B:错答案:A4.使用负胶进行光刻时，晶片上得到的图形与掩膜版上的图形相反。

半导体或芯片岗位招聘笔试题与参考答案(某大型国企)

招聘半导体或芯片岗位笔试题与参考答案(某大型国企)(答案在后面)一、单项选择题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、以下哪个选项不属于半导体制造过程中的关键步骤？A、光刻B、蚀刻C、离子注入D、组装2、在半导体行业中，以下哪个术语用来描述晶体管中用于控制电流流动的导电区域？A、源极B、栅极C、漏极D、基区3、题干：以下关于半导体制造工艺的描述，正确的是：A、光刻工艺是将光刻胶图案转移到硅片上的过程。

B、蚀刻工艺是利用光刻胶保护硅片，通过化学或物理方法去除硅片表面不需要的层。

C、离子注入是将离子直接注入硅片表面，用于掺杂的过程。

D、扩散工艺是通过在硅片表面形成一层光刻胶，然后利用高温使杂质原子扩散到硅片中。

4、题干：在半导体制造过程中，以下哪种缺陷类型对芯片性能影响最为严重？A、表面缺陷B、体缺陷C、界面缺陷D、晶格缺陷5、在半导体制造过程中，以下哪种材料通常用于制造晶圆的基板？A. 石英玻璃B. 单晶硅C. 聚酰亚胺D. 氧化铝6、以下哪种技术用于在半导体器件中实现三维结构，从而提高器件的集成度和性能？A. 厚膜技术B. 硅片减薄技术C. 三维封装技术D. 双极型晶体管技术7、在半导体制造过程中，下列哪种缺陷类型是指由于光刻胶在曝光和显影过程中产生的缺陷？A. 逻辑缺陷B. 光刻缺陷C. 杂质缺陷D. 损伤缺陷8、下列哪种技术用于在硅片上形成纳米级结构的半导体器件？A. 溶胶-凝胶法B. 化学气相沉积法（CVD）C. 离子束刻蚀D. 电子束刻蚀9、以下哪项不属于半导体制造过程中的关键步骤？（）A、光刻B、蚀刻C、离子注入D、焊接二、多项选择题（本大题有10小题，每小题4分，共40分）1、以下哪些是半导体制造过程中常见的工艺步骤？（）A、光刻B、蚀刻C、离子注入D、化学气相沉积E、掺杂2、以下哪些是影响芯片性能的关键因素？（）A、晶体管结构B、工艺节点C、材料选择D、功耗控制E、封装设计3、以下哪些技术是现代半导体制造中常用的光刻技术？A. 干法光刻B. 湿法光刻C. 电子束光刻D. 紫外光刻E. 激光直接成像4、下列关于半导体材料掺杂的描述，正确的是：A. N型半导体通过加入五价元素如磷（P）或砷（As）来制造B. P型半导体通过加入三价元素如硼（B）或铟（In）来制造C. 掺杂的目的是增加半导体的导电性D. 杂质原子在半导体中的浓度被称为掺杂浓度E. 掺杂过程会改变半导体的电学性质5、以下哪些技术属于半导体制造过程中常用的光刻技术？（）A. 光刻胶技术B. 具有纳米级分辨率的电子束光刻C. 紫外光光刻D. 平板印刷技术E. 双光束干涉光刻6、以下哪些因素会影响半导体器件的可靠性？（）A. 热稳定性B. 电压应力C. 材料纯度D. 封装设计E. 环境因素7、以下哪些是半导体制造过程中常见的缺陷类型？（）A. 晶圆划痕B. 氧化层破裂C. 线路短路D. 热应力裂纹E. 杂质沾污8、在半导体器件的测试与表征中，以下哪些方法用于评估器件的电气特性？（）A. 频域分析B. 温度特性测试C. 噪声分析D. 瞬态响应测试E. 微观结构分析9、以下哪些是半导体制造过程中常用的物理或化学方法？（）A. 光刻B. 化学气相沉积（CVD）C. 离子注入D. 磨光E. 蚀刻三、判断题（本大题有10小题，每小题2分，共20分）1、半导体制造过程中，光刻是直接将电路图案转移到硅片上的关键步骤。

半导体芯片制造工半导体芯片制造高级工考点模拟考试

半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工考点模拟测试测试时间：120分钟测试总分：100分遵守考场纪律,维护知识尊严,杜绝违纪行为,保证测试结果公正.1、问做题简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性？此题答案：1.光刻是通过一系列生产步骤将晶圆外表薄膜的特定局部除此题解封析：1.光刻是通过一系列生产步骤将晶圆外表薄膜的特定局部除去并得到所需I 图形的工艺.I 2.光刻的重要性是在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何I 图形,从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的，它是晶圆加工过程的中央，I为后面的刻蚀和离子注入做准备.决定了芯片的性能,成品率,可靠性.I 2、填空题⅛铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得牢固的焊接,甚至根本无法实现焊接的原因是铝的外表在空气中极易生成一层〔〕，它们阻挡了铝原子之间的紧密接触,达不到原子之间引力范围的间距.此题答案：氧化物此题解析：氧化物3、单项选择题金属封装主要用于混合集成电路封装,外壳零件一般有底盘、管帽、引线和玻璃绝缘子组成.底盘、管帽和引线的材料常常是1〕∙A.合金A-42B.4J29可伐C.4J34可伐4、填空题钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛限制、温度限制和密封腔体内〔J控制.此题答案：湿度此题解析：湿度5、单项选择题双极晶体管的lc7r噪声与〔〕有关.A.基区宽度B.外延层厚度C.外表界面状态此题答案：C此题解析：暂无解析6、问做题什么叫晶体缺陷？此题答案：晶体机构中质点排列的某种不规那么性或不完善性.又称晶格缺此题解析：晶体机构中质点排列的某种不规那么性或不完善性.又称晶格缺陷.7、填空题离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是〔〕和〔〕.此题答案：平均投影射程；平均投影标准差此题解析：平均投影射程；平均投影标准差8、填空题禁带宽度的大小决定着〔〕的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化.此题答案：电子从价带跳到导带此题解析：电子从价带跳到导带9、单项选择题变容二极管的电容量随〔〕变化∙A.正偏电流B.反偏电压C结温此题答案：B10、填空题半导体集成电路生产中，元件之间隔离有〔〕〔〕〔〕隔离等三种基本方法.此题答案：Pn结介质；Pn结隔离；Pn结介质混合此题解析：Pn结介质；Pn结隔离；Pn结介质混合11、问做题洁净区工作人员应注意些什么？此题答案：保持部件与工具洁净,保持个人清洁卫生.不能把洁净服提来此题解析：保持部件与工具洁净,保持个人清洁卫生.不能把洁净服提来提去，人员不能触摸或翻动洁净服.禁止吃喝,禁止用手表,首饰,指甲油，吸烟,化妆,工作只能在洁净面上进行.12、单项选择题塑封中注塑成型工艺主要工艺参数有〔J、模具温度、合模压力、注射压力、注射速度和成型时间∙A.准备工具B.准备模塑料C.模塑料预热此题答案：C此题解析：暂无解析13、问做题简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求？此题答案：1、能很好的阻挡材料扩散；2、高电导率,低此题解析：1、能很好的阻挡材料扩散；2、高电导率,低欧姆接触电阻；3、在半导体和金属之间有很好的附着水平；4、抗电迁水平强；5、在很薄和高温下具有很好的稳定性；6、抗侵蚀和抗氧化性好.7、具有高的导电率和纯度.8、与下层存底〔通常是二氧化硅或氮化硅〕具有良好的粘附性.9、与半导体材料连接时接触电阻低.10、能够淀积出均匀而且没有空洞的薄膜,易于填充通孔.Ilv易于光刻和刻蚀,容易制备出精细图形.12、很好的耐腐蚀性.13、在处理和应用过程中具有长期的稳定性.14、单项选择题在低温玻璃密封工艺中，常用的运载剂由2%（质量比〕的硝化纤维素溶解于98%（质量比〕的醋酸异戊酯或松油醇中制得,再将20%的运载剂与〔J的玻璃料均匀混合,配成印刷浆料.A.80%~90%B.10%~20%C.40%-50%此题答案：A此题解析：暂无解析15、判断题没有经济收入或交纳党费有困难的党员，由本人提出申请,经党支部委员会同意,可以少交或免交.此题答案：对此题解析：暂无解析16、单项选择题溅射法是由〔〕轰击靶材外表,使靶原子从靶外表飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜∙A.电子B.中性粒子C.带能离子此题答案：C此题解析：暂无解析17、填空题延生长方法比拟多,其中主要的有〔J外延、〔〕外延、金属有机化学气相外延、外延、原子束外延、固相外延等.此题答案：化学气相；液相；分子束此题解析：化学气相；液相；分子束18、单项选择题恒定外表源扩散的杂质分布在数学上称为〔〕分布.A.高斯B.余误差C指数此题答案：B此题解析：暂无解析19、单项选择题超声热压焊的主要应用对象是超小型镀金外壳与镀金管帽的焊接,焊接处依靠〔〕封接,因而外壳零件的平整度和镀金层厚度是实现可靠性封接的关键因素.A.管帽变形B.镀金层的变形C.底座变形此题答案：B此题解析：暂无解析20、填空题最常用的金属膜制备方法有〔J加热蒸发、〔〕蒸发、C〕.此题答案：电阻；电子束；溅射此题解析：电阻；电子束；溅射21、单项选择题金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺,金属作封装底盘、管帽和引线，〔〕做绝缘和密封.A.塑料B.玻璃C金属此题答案：B此题解析：暂无解析22、单项选择题非接触式厚膜电路丝网印刷时,丝网与基片之间有一定的距离,称为间隙,通常为（〕∙A.小于0.1mmB.0.5"2.0mm匚大于2.0mm此题解析：暂无解析23、单项选择题pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数,也是评价〔J的重要标志.A.扩散层质量B.设计C.光刻此题答案：A此题解析：暂无解析24、填空题硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液.碑化像片用〔J系、氢氧化氨系蚀腐蚀液. 此题答案：硫酸此题解析：硫酸25、单项选择题常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类.半导体器件的粘封工艺一般选用〔〕∙A.热塑性树脂B.热固性或橡胶型胶粘剂此题答案：B此题解析：暂无解析26、单项选择题双极晶体管的高频参数是[].A.hFEVcesB.BVceC.ftfm此题答案：C此题解析：暂无解析27、填空题二氧化硅的制备方法很多,其中最常用的是高温〔〕、〔J淀积、PECVD淀积.此题答案：氧化；气相此题解析：氧化；气相28、填空题钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又可分为〔〕、〔〕等.此题答案：导电胶粘接；银浆烧结此题解析：导电胶粘接；银浆烧结29、填空题如果热压楔形键合小于引线直径L5倍或大于3.。

半导体芯片制造中级工试题及答案

1、问答题操作人员的质量职责是什么？2、填空题白光照射二氧化硅时，不同的厚度有不同的（）。

3、问答题集成电路封装有哪些作用？4、单项选择题将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触，再用紫外光照射来进行曝光的方法，称为（）曝光。

A.接触B.接近式C.投影5、单项选择题人们规定：（）电压为安全电压.A.36伏以下B.50伏以下C.24伏以下6、单项选择题恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？（）A、高斯函数B、余误差函数C、指数函数D、线性函数7、填空题半导体材料的主要晶体结构有（）型、闪锌矿型、（）型。

8、单项选择题介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。

常用的电介质是（）层。

A.多晶硅B.氮化硅C.二氧化硅9、填空题在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）10、填空题化学清洗中是利用硝酸的强（）和强（）将吸附在硅片表面的杂质除去。

11、填空题光刻工艺一般都要经过涂胶、（）、曝光、（）、坚膜、腐蚀、（）等步骤。

12、问答题集成电容主要有哪几种结构？13、问答题叙述H2还原SiCl4外延的原理，写出化学方程式。

14、单项选择题位错的形成原因是（）。

A.位错就是由弹性形变造成的B.位错就是由重力造成的C.位错就是由范性形变造成的D.以上答案都不对15、多项选择题按蒸发源加热方法的不同，真空蒸发工艺可分为：（）蒸发、（）蒸发、离子束蒸发等。

A.电阻加热B.电子束C.蒸气原子16、单项选择题光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）A.刻制图形B.绘制图形C.制作图形17、单项选择题属于绝缘体的正确答案是（）。

A.金属、石墨、人体、大地B.橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷C.硅、锗、砷化镓、磷化铟D.各种酸、碱、盐的水溶液18、单项选择题腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）A、盐酸B、硫酸C、硝酸D、氢氟酸19、问答题什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？20、填空题半导体材料有两种载流子参加导电，具有两种导电类型。

芯片工艺面试题目(3篇)

第1篇一、芯片工艺基础知识1. 简述半导体材料的基本性质，以及硅作为半导体材料的原因。

2. 解释晶体管的基本工作原理，并说明MOSFET和BJT的区别。

3. 简述集成电路制造过程中的光刻、蚀刻、离子注入等主要工艺。

4. 描述MOS晶体管的制造工艺流程，包括掺杂、光刻、蚀刻等步骤。

5. 解释芯片制造中的晶圆切割和晶圆加工技术。

二、芯片制造工艺6. 什么是CMOS工艺？简述其基本原理。

7. 什么是高介电常数（High-k）材料？它在芯片制造中的应用是什么？8. 解释栅极长度和栅极宽度的概念，并说明它们对晶体管性能的影响。

9. 什么是FinFET？与传统的MOSFET相比，它有哪些优势？10. 简述双极型晶体管（BJT）和MOSFET在制造过程中的差异。

三、芯片制造设备与材料11. 简述光刻机的工作原理，以及它对芯片制造的重要性。

12. 解释离子注入设备的原理，并说明其在芯片制造中的应用。

13. 描述刻蚀设备的基本类型和原理，以及它们在芯片制造中的作用。

14. 什么是化学气相沉积（CVD）？它在芯片制造中的应用有哪些？15. 解释溅射工艺的原理，并说明其在芯片制造中的应用。

四、芯片制造过程中的质量控制16. 简述芯片制造过程中的关键质量指标（KPI）。

17. 解释良率、成品率和缺陷率的概念，并说明它们之间的关系。

18. 描述芯片制造过程中的质量控制方法，如缺陷检测、缺陷分类和缺陷分析。

19. 解释芯片制造过程中的可靠性测试，如高温老化测试和高压测试。

20. 简述芯片制造过程中的安全规范，如ESD防护和化学品管理。

五、芯片制造工艺改进与创新21. 解释摩尔定律，并说明其对芯片制造工艺的影响。

22. 简述纳米技术对芯片制造工艺的挑战和机遇。

23. 描述芯片制造过程中的绿色工艺，如低功耗设计、低排放材料和可回收材料。

24. 解释芯片制造过程中的自动化和智能化趋势，如机器人、人工智能和机器学习。

25. 简述芯片制造过程中的新材料、新工艺和新设备的研究与开发。

半导体芯片制造工：半导体制造技术考点模拟考试卷.doc

半导体芯片制造工：半导体制造技术考点模拟考试卷考试时间：120分钟考试总分：100分遵守考场纪律，维护知识尊严，杜绝违纪行为，确保考试结果公正。

1、问答题说明影响氧化速率的因素。

本题答案： 2、问答题个投影曝光系统采用ArF 光源，数值孔径为0.6，设k1=0.6，n=0.5，计算其理论分辨率和焦深。

本题答案： 3、填空题研究细胞结构和功能异常与疾病关系的细胞生物学分支称为（）。

本题答案： 4、问答题什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化？本题答案： 5、问答题说明SiO2的结构和性质，并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区别。

本题答案： 6、问答题典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的作用。

本题答案： 7、问答题姓名：________________ 班级：________________ 学号：________________--------------------密----------------------------------封 ----------------------------------------------线----------------------什么是溅射产额，其影响因素有哪些？简述这些因素对溅射产额产生的影响。

本题答案：8、问答题分别简述RVD和GILD的原理，它们的优缺点及应用方向。

本题答案：9、问答题简述常规热氧化办法制备SiO2介质薄膜的动力学过程，并说明在什么情况下氧化过程由反应控制或扩散控制。

本题答案：10、问答题下图为一个典型的离子注入系统。

（1）给出1~6数字标识部分的名称，简述其作用。

（2）阐述部件2的工作原理。

本题答案：11、问答题采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀，在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响？随着O2或H2进气量的增加，对Si和SiO2刻蚀选择性怎样变化？为什么？本题答案：12、问答题离子在靶内运动时，损失能量可分核阻滞和电子阻滞，解释什么是核阻滞、电子阻滞？两种阻滞本领与注入离子能量具有何关系？本题答案：13、问答题下图是硅烷反应淀积多晶硅的过程，写出发生反l18、问答题写出菲克第一定律和第二定律的表达式，并解释其含义。

半导体工艺及芯片制造技术问题答案全

集成电路芯片/元件数产业周期无集成 1 1960年前小规模(SSI) 2到50 20世纪60年代前期中规模(MSI) 50到5000 20世纪60年代到70年代前期大规模(LSI) 5000到10万 20世纪70年代前期到后期超大规模(VLSI) 10万到100万 20世纪70年代后期到80年代后期甚大规模(ULSI) 大于100万 20世纪90年代后期到现在2. 写出IC 制造的５个步骤？(15分)Wafer preparation(硅片准备)Wafer fabrication (硅片制造)Wafer test/sort (硅片测试和拣选)Assembly and packaging (装配和封装)Final test(终测)3. 写出半导体产业发展方向？什么是摩尔定律？(15分)发展方向：提高芯片性能——提升速度(关键尺寸降低,集成度提高,研发采用新材料)，降低功耗。

半导体芯片制造中、高级工考试题

半导体芯片制造中、高级工考试题1、填空（江南博哥）大容量可编程逻辑器件分为（）和（）。

解析：复杂可编程逻辑器件；现场可编程门阵列2、单选人们规定：（）电压为安全电压.A.36伏以下B.50伏以下C.24伏以下答案：A3、问答题对于大尺寸的MOS管版图设计，适合采用什么样的版图结构？简述原因。

解析：（1）S管的版图一般采用并联晶体管结构。

采用并联晶体管结构后，可共用源区和漏区，使得在同样宽长比的情况下，漏区和源区的面积被减小，并因此使得器件源极和漏极的PN 结电容被减小，对提高电路的动态性能很有好处。

（2）寸器件在版图设计时还采用折叠的方式减小一维方向上的尺寸。

因为器件的尺寸大，即叉指的个数较多，如果采用简单并列的方式，将由于叉指到信号引入点的距离不同引起信号强度的差异。

同时，由于在一维方向上的工艺离散性，也将导致最左端的叉指和最右端的叉指所对应的并联器件在参数和结构上产生失配。

4、填空在一个晶圆上分布着许多块集成电路，在封装时将各块集成电路切开时的切口叫（）。

解析：划片槽5、填空半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。

比较通用的则是根据其化学组成可分为元素（）、（）半导体、固溶半导体三大类。

解析：半导体；化合物6、问答题叙述H2还原SiCl4外延的原理，写出化学方程式。

解析：在气相外延生长过程中，首先是反应剂输运到衬底表面；接着是它在衬底便面发生反应释放出硅原子，硅原子按衬底晶向成核，长大成为单晶层。

化学方程式如下：7、填空化学清洗中是利用硝酸的强（）和强（）将吸附在硅片表面的杂质除去。

解析：酸性；氧化性8、问答题集成电路封装有哪些作用？解析：（1）机械支撑和机械保护作用。

（2）传输信号和分配电源的作用。

（3）热耗散的作用。

（4）环境保护的作用。

9、填空外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、（）、固相外延等。

解析：化学气相；液相；原子束外延10、填空半导体材料有两种载流子参加导电，具有两种导电类型。