经典mos管应用电路
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问题:此电路为什么会烧坏Mos管?
经典分析
此电路是一个非常经典的小电流MOS管驱动电路,但LZ将之移到大电流应用上,水土不服,出了点小问题。
1. 烧MOS管不是由于Q41没有饱和所致,而是由于驱动电流不足,驱动大功率MOS管时(由于其栅极电容的存在),无法快速对其栅极电容充电,引起栅极电压上升缓慢,切换功耗大大增大,引起烧MOS管。
2.D41不能省,一般MOS管的栅极极限电压为15-16V, 此稳压管起保护MOS管作用,防止过高电压(本电路去掉R42时可高达+30V !)对MOS管的栅极冲击引起击穿损坏。
3. R42不能省,起到限制光耦最大输出电流,及对IN4744A的限流作用。
由于光耦的最大输出电流一般较小,过份减小R42加大光耦输出电流,易引起光耦加速老化及损坏,因此,比较好的方法是在光耦输出端用NPN三极管加一级射极跟随器, 放大输出驱动电流。
另外,可在R45上并联一只几十至百皮皮法的小电容,起加速MOS管的饱和。
4. R43不能大幅增加,一般加大到10K为上限,其原因在于,当MOS管关断时,储存一定驱动电压的栅极电容通过R43放电,最终将MOS管关断,如R43太大,MOS管关断时间增加,关断速度减慢,引起关断时的切换功耗大大增大,引起烧MOS管。
当然,最好的方法是在栅极加负压,加速MOS管关断,但这样成本会高些。