经典mos管应用电路
工作中常用的几个mos管驱动电路
工作中常用的几个mos管驱动电路常用的几个MOS管驱动电路MOS管是一种常用的电子元件，广泛应用于各个领域的电路中。
在工作中，我们经常会用到一些与MOS管相关的驱动电路，以确保MOS管能够正常工作。
本文将介绍几个常用的MOS管驱动电路。
1. 单级MOS管驱动电路单级MOS管驱动电路是一种简单但有效的驱动电路。
它由一个MOS管和一个电阻组成。
通过控制输入信号的电压，可以控制MOS 管的导通和截止，从而控制输出电压的高低。
这种驱动电路适用于一些简单的应用场景，如LED灯的驱动等。
2. 双级MOS管驱动电路双级MOS管驱动电路是一种更复杂但更稳定的驱动电路。
它由两个MOS管和一些电阻、电容等元件组成。
其中一个MOS管负责放大输入信号，另一个MOS管负责输出信号的驱动。
这种驱动电路具有较高的驱动能力和稳定性，适用于一些要求较高的应用场景，如电机驱动、功率放大等。
3. 高侧驱动电路高侧驱动电路是一种特殊的MOS管驱动电路，用于控制MOS管的源极电压。
由于MOS管的源极电压与驱动信号的电压之间存在差异，因此需要采用一些特殊的电路来实现高侧驱动。
常见的高侧驱动电路包括级联电阻和电容、反相器等。
这种驱动电路适用于一些对源极电压控制要求较高的应用场景，如电源开关、电动汽车驱动等。
4. 低侧驱动电路低侧驱动电路是一种常见的MOS管驱动电路，用于控制MOS管的漏极电压。
它通常由一个MOS管和一个电阻组成，通过控制输入信号的电压，可以控制MOS管的导通和截止，从而控制输出信号的高低。
低侧驱动电路适用于一些对漏极电压控制要求较高的应用场景，如LED驱动、电机控制等。
总结：在工作中，我们经常会用到一些与MOS管相关的驱动电路。
本文介绍了几个常用的MOS管驱动电路，包括单级驱动电路、双级驱动电路、高侧驱动电路和低侧驱动电路。
这些驱动电路都有各自的特点和适用场景，可以根据具体的需求选择合适的驱动电路。
通过合理使用这些驱动电路，可以确保MOS管能够正常工作，提高电路的性能和稳定性。
mos管典型电路
MOS管典型电路1. 引言金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）是一种重要的电子器件，广泛应用于各种集成电路和功率电子系统中。
它具有高速开关、低功耗、高输入阻抗等特点，因此在现代电子技术中起着不可或缺的作用。
本文将介绍MOS管的典型电路及其应用。
2. MOS管基本原理MOS管由金属-氧化物-半导体结构组成，其基本原理是通过施加在栅极上的电压来控制漏极和源极之间的电流。
当栅极施加正向偏置时，形成一个由P型半导体构成的沟道，使得漏极和源极之间形成导通通路。
反之，当栅极施加负向偏置时，沟道被截断，导致漏极和源极之间断开。
3. MOS管典型电路3.1 基本放大电路基本放大电路是MOS管最常见的应用之一。
它利用MOSFET的放大特性来实现信号放大功能。
基本放大电路由一个MOS管和若干个电阻组成。
输入信号通过电容耦合到栅极，当输入信号变化时，栅极电压也发生变化，从而控制漏极-源极之间的电流。
输出信号则通过漏极-源极之间的电压来获取。
3.2 开关电路MOS管的高速开关特性使其在开关电路中得到广泛应用。
开关电路常见的应用场景包括数字逻辑门、存储器单元等。
在数字逻辑门中，MOS管可以被用作开关，控制信号的传输和处理。
存储器单元中，MOS管可以实现数据的读取和写入操作。
3.3 反馈放大电路反馈放大电路是一种将一部分输出信号反馈到输入端以增强或抑制某些特性的技术。
在MOS管反馈放大电路中，输出信号通过一个反馈网络回传到输入端，从而改变输入端的工作状态。
这种结构可以提高系统的稳定性、增益和线性度。
4. MOS管典型应用4.1 音频功放音频功放是一种将低功率音频信号转换为高功率驱动扬声器的装置。
MOSFET作为音频功放的关键元件之一，具有低失真、高效率的特点，广泛应用于音响系统中。
它可以将输入的音频信号放大到足够的功率以驱动扬声器，并保持音质清晰。
4.2 直流-直流转换器直流-直流转换器是一种将输入直流电压转换为输出直流电压的装置。
mos管电路应用
mos管电路应用MOS管电路是一种广泛应用于电子领域的器件，具有良好的性能和特点。
本文将探讨MOS管电路在不同领域中的应用，并分别从模拟电路和数字电路两个方面进行探讨。
一、模拟电路中的MOS管应用MOS管在模拟电路中应用广泛，其特点是具有高输入阻抗、低输出阻抗和较宽的动态范围等优点。
其中，基本的MOS共源共栅放大器是模拟电路中最常见的一种应用。
它通过控制栅极电压来调节放大电压增益，广泛应用于放大、滤波和调节功率等方面。
此外，MOS管还可以用于设计运算放大器、差分放大器和低噪声放大器等电路，可以实现电流传输、电压放大和功率放大等功能。
在音频领域中，MOS管可以应用于音响放大器、音频放大器和音频调节等电路。
由于MOS管的低失真特性，可以实现高保真的音频放大效果。
另外，在射频领域中，MOS管可以应用于无线电收发器、射频发射器和射频接收器等电路。
MOS管的高频特性和高功率放大能力，使其成为射频电路中不可或缺的器件。
二、数字电路中的MOS管应用在数字电路中，MOS管主要用于开关和存储件等功能。
其中，CMOS（互补型金属氧化物半导体）技术是目前最常见的数字电路技术，广泛应用于计算机、通信和数字系统等领域。
CMOS技术利用MOS管的导通和截止特性，实现了逻辑门和存储器等功能。
在计算机领域，CMOS技术被广泛应用于微处理器、内存和逻辑电路等芯片中。
由于CMOS电路具有低功耗、高集成度和抗噪声能力强的特点，可以提高计算机性能并降低功耗。
此外，CMOS技术还被应用于图像传感器、光电传感器和触摸屏等领域，实现了高速信号处理和高效能力识别。
除此之外，在通信领域中，MOS管也扮演着重要的角色。
CMOS技术的广泛应用使得数字通信系统具有高速、长距离传输和低功耗等优势。
MOS管的开关速度和线性度使其成为时钟信号发生器、数字信号处理器和通信覆盖等电路的理想选择。
综上所述，MOS管电路在模拟电路和数字电路中都有广泛的应用。
它们通过调节栅极电压来控制电流和放大电压，具有高性能和稳定的特点。
常用mos管开关电路
常用mos管开关电路一、引言MOS管（MOSFET）是一种常用的电子器件，在电子电路中起着重要的作用。
它具有低导通电阻和高阻断电阻的特点，被广泛应用于各种开关电路中。
本文主要介绍常用的几种MOS管开关电路。
二、MOS管的基本工作原理MOS管是一种基于金属-氧化物-半导体结构的三电极器件，由栅极（G）、源极（S）和漏极（D）组成。
通过控制栅极与源极之间的电压，可以控制漏极和源极之间的导通情况。
当栅极与源极之间的电压小于阈值电压时，MOS管处于导通状态，电流可以流过；当栅极与源极之间的电压超过阈值电压时，MOS管处于截止状态，电流无法流过。
三、开关电路中的常用MOS管1. 单N沟道MOS管（NMOS）单N沟道MOS管是最为常见的一种MOS管。
在开关电路中，当栅极与源极之间的电压高于阈值电压时，漏极和源极之间转变为低导通电阻，实现导通；当栅极与源极之间的电压低于阈值电压时，漏极和源极之间的电阻增大，实现截止。
2. 单P沟道MOS管（PMOS）单P沟道MOS管与单N沟道MOS管相反，当栅极与源极之间电压低于阈值电压时，漏极和源极之间转变为低导通电阻，实现导通；当栅极与源极之间电压高于阈值电压时，实现截止。
3. N沟道与P沟道MOS管混合使用在一些特殊的开关电路中，可以通过N沟道和P沟道MOS管的混合使用实现更复杂的功能。
如N沟道MOS管和P沟道MOS管串联使用，可以实现更好的电压控制特性；N沟道MOS管和P沟道MOS管并联使用，可以实现更高的电流控制特性。
四、常见的MOS管开关电路应用1. 开关电源在开关电源中，常用MOS管作为开关元件，通过控制其导通和截止状态，实现整个电源的开关控制。
由于MOS管具有低导通电阻和高截止电阻，可以提高开关电源的效率和稳定性。
2. DC-DC变换器DC-DC变换器是一种常用的电源转换电路，广泛应用于各种电子设备中。
MOS管作为DC-DC变换器的主要开关元件，通过控制其导通和截止状态，实现电能的高效转换。
最经典MOS管电路工作原理及详解没有之一
引导八年级物理教案：如何使用万能表测量电压？为了能够更好地学习物理知识，电学部分是非常重要的一点。
在电路中测量电压是我们必须掌握的基本技能之一。
在测量电压的时候，我们使用的是万能表来完成这个操作。
如何使用万能表来测量电压呢？在本文中，我们会为大家详细地介绍万能表的使用方法和测量电压的注意事项。
1. 什么是万能表？万能表是一种电器测量仪器，也是我们在学习电学物理的时候必不可少的一种工具。
它可以测量电压、电流、电阻等基本电性质。
这个仪器由表头、选择旋钮、测试探针等部分组成。
表头是测量元件，它通过测试探针与要测量的元件相连。
选择旋钮则通过不同的旋钮来选择要测试的电量种类。
2. 如何使用万能表测量电压？万能表测量电压可以分为两种情况：测量直流电（DC）电压和测量交流电（AC）电压，下面我们会为大家详细地介绍这两种情况下的使用方法。
2.1 测量直流电（DC）电压第一步：准备工作在进行测量前，我们需要先确定正负电极的位置和要测量的电压范围。
一般来说，我们应该选择稍大于被测电压的最大量程。
第二步：选择直流电压档位在选择万能表测量直流电压时，需要手动选择直流电压档位。
通常我们选择最接近被测电压的档位，以避免电表由于过大电压量程而被烧毁。
第三步：连接万用表本步骤是将万用表的探针连接到电路中以读取电压。
一般来说，我们需要用黑色探针连接电路中任意地点（一般来说是接地），白色探针则连接需要测量电压的电路部分。
第四步：读取数据在上述步骤完成后，我们只需在万用表的显示屏上读取结果，以得到被测的电压值。
2.2 测量交流电（AC）电压当我们需要测量交流电的电压时，与测量直流电时相比，增加了一个步骤。
第一步：准备工作我们需要先了解被测电路中使用的是交流电，以及要测量的电压范围。
第二步：选择交流电压档位直流电传输的方向是不变的，而交流电的方向是改变的。
在使用万用表测量交流电时，我们需要选择交流电压档位。
第三步：测量电压和测量直流电一样，我们需要将万用表的探针连接到电路中以读取电压，并读取显示屏上的结果。
mos管升压典型电路
mos管升压典型电路Mos管升压典型电路引言Mos管升压典型电路是一种常见的电路设计，用于将输入电压提升到较高的电压。
本文将介绍Mos管升压电路的原理、特点以及应用。
一、Mos管升压电路的原理Mos管升压电路的原理基于Mos场效应管的特性。
Mos管是一种具有高电压和低电流的特点的半导体器件。
通过调整Mos管的工作状态，可以实现输入电压的升压。
Mos管升压电路一般由三个部分组成：输入电路、驱动电路和输出电路。
输入电路用于提供输入电压，驱动电路用于控制Mos管的工作状态，输出电路用于输出升压后的电压。
二、Mos管升压电路的特点1. 高效率：Mos管升压电路的转换效率较高，能够提供稳定的升压输出。
2. 快速响应：Mos管具有快速开关速度，能够实现快速响应的升压过程。
3. 可调性强：通过调整驱动电路中的控制信号，可以实现不同的升压倍数和电压范围。
4. 体积小：Mos管升压电路相对于其他升压电路来说，体积较小，适用于空间有限的应用场景。
三、Mos管升压电路的应用1. 电源升压：Mos管升压电路在电源设计中广泛应用，可以将低电压电源升压到需要的高电压，满足不同电器设备的供电需求。
2. LED驱动：Mos管升压电路可以用于LED驱动电路，将低电压的直流电源升压到适合LED工作的电压范围，保证LED正常工作。
3. 电力传输：Mos管升压电路在电力传输中也有一定的应用，可以将输电线路中的电压提升到更高的电压，减少输电线路的损耗。
结论Mos管升压电路是一种常见的电路设计，通过调整Mos管的工作状态，可以将输入电压提升到较高的电压。
它具有高效率、快速响应、可调性强和体积小的特点，广泛应用于电源升压、LED驱动和电力传输等领域。
随着科技的不断进步，Mos管升压电路的设计和应用将会越来越广泛。
详细的MOS管运用电路
详细的MOS管运用电路金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）是一种重要的电子器件，广泛应用于各种电路中。
MOSFET可以用作开关或放大器，在数字电路、电源管理、放大器、运算放大器和开关电源等领域得到广泛应用。
MOSFET主要有两种类型：NMOS和PMOS。
在NMOS中，沟道上的载流子是电子；而在PMOS中，沟道上的载流子是空穴。
两种类型的MOSFET都有自己的特性和应用。
在数字电路中，MOSFET经常用作开关。
NMOS作为开关的主要特点是高电压电流能力和低导通电阻（RDS(ON)）。
当逻辑电平为高时，NMOS导通，电流流过，对应的输出接近逻辑低电平。
当逻辑电平为低时，NMOS截止，对应的输出接近逻辑高电平。
PMOS则反之，逻辑电平为高时截止，逻辑电平为低时导通。
通过逻辑门电路中适当的组合，MOSFET可以实现多种逻辑功能，如与门、或门、与非门等。
在电源管理中，MOSFET常用于开关电源调节器中。
在开关电源中，MOSFET作为主要的开关元件控制电源输入和输出的连接和断开状态。
当MOSFET导通时，电源能够提供电流给负载；当MOSFET截止时，电源和负载断开，负载不受电源供电。
通过控制MOSFET的导通和截止，可以实现对输出电压的调节。
在放大器中，MOSFET被用作输入级，增加电路的输入阻抗。
MOSFET也可以用作输出级，提供更大的功率放大能力。
通过合理选择MOSFET的参数和工作点，可以实现不同放大倍数和频率范围的放大。
在运算放大器中，MOSFET经常用作输入级，提供高输入阻抗和低输入偏置电流。
MOSFET还可以用作电流源，提供稳定的电流输出，保证运算放大器的性能。
除了上述应用领域，MOSFET还被广泛应用于模拟继电器、数字加电压转换器、电源管理等电路中。
它们的特点是体积小、功率损耗低、可靠性高、开关速度快等。
总结起来，MOSFET作为一种重要的电子器件，有广泛的应用。
它可以用作开关或放大器，用于数字电路、电源管理、放大器、运算放大器和开关电源等领域。
mos管典型电路
MOS管（金属氧化物半导体场效应管）是一种常见的半导体器件，可以用于各种电子电路中的信号放大、开关、电源管理等。
下面介绍几个典型的MOS管电路：共源极放大电路：共源极放大电路是一种常见的MOS管放大电路，它通过调节输入电压来控制输出电压的放大倍数。
该电路具有输入阻抗高、输出阻抗低的特点，适用于信号放大应用。
共漏极放大电路：共漏极放大电路是另一种常见的MOS管放大电路，它通过调节输入电压来控制输出电流的放大倍数。
该电路具有输入阻抗低、输出阻抗高的特点，适用于功率放大应用。
电平转换或隔离电路：在数字信号传递过程中，不同的系统之间或设备之间数字接口电平经常不一致，需要用到电平转换电路。
可以使用专门的集成IC实现电平转换，或者使用MOS管自行搭建。
搭建时需要注意电平的高低和方向，以及外接电路电平是否确定，是否双向通信和通信速率等因素均影响具体电路的细节考虑。
以上是MOS管的典型电路示例，实际应用中还有很多种电路拓扑结构，需要根据具体的应用场景和需求进行选择。
最经典MOS管电路工作原理及详解没有之一
P沟道： UG<US时导通。 （简单认为）UG=US时截止。
但UG比US大（或小）多少伏时MOS管才会饱和导通呢？
电路符号
饱和导通问题：
UG比US大（或小）多少伏时MOS管才会饱和导通呢？
这要看具体的MOS管，不同MOS管需要的压差不同。
电路符号
小结：“MOS管的开关条件”
前面解决了MOS管的接法问题，接下来谈谈MOS管的 开关条件：
控制极电平为“ ？V ” 时MOS管导通（饱和导通）？ 控制极电平为“ ？V ” 时MOS管截止？
这个问题涉及到MOS管原理，我们这里不谈，只记结果：
不论N沟道还是P沟道MOS管， G极电压都是与S极做比较。
++169VV G极
截止条件：
导通
UG=US=19V。
D极 +01V9V
导通条件： UG比US小10V以上， UG=US-13V=6V。
电路符号
隔离作用：
如果我们想实现线路上电流的单向流通， 比如只让电流由A-B，阻止由B-A
请问可以怎么做？
A
B
方法1：加入一个二级管
A
B
电路符号
方法2：加入MOS管
3
1
2
2
1
常见型号有: AOD425
实物
2 它是N沟道还是P沟道的呢？
先从简单的开始，拿最常见的3PIN脚MOS管（SOT-23）讲起。
D
G S
01.6220V
接下来， 将万用表调 到“二极体档”。
由上一小节内容，我们可以立即找 到MOS管的G,S,D三极。
D极
电路符号
mos管典型电路
mos管典型电路
MO管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金
属氧化物半导体场效应晶体管）的典型电路有以下几种：
1. 基本耦合放大电路：MO管作为放大器的开关，通过调整栅
极电压来控制信号放大倍数。
该电路常用于音频放大器、放大器前级等。
2. 桥式电路：由四个MO管构成的桥式电路，可实现信号放
大和电压输出的功率放大。
常用于音响功放、无线电发射器等。
3. CMOS逻辑电路：CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）逻辑电路由NMOS和PMOS两种MO管组成，通过控制栅极电压实现逻辑运算。
常用于数字电路、微处理器等。
4. 开关电源：MO管作为开关管，控制电源输入和输出的断开
和闭合。
常用于电源适配器、变频器等。
5. 电流输出电路：MO管通过控制栅极电压来调节通过源极的
输出电流大小。
常用于电流源、恒流源等。
这些是MO管的一些典型电路，根据不同的应用需求，还有
其他不同的电路配置和连接方式。
三极管mos管的经典电路
三极管mos管的经典电路三极管和MOS管是电子元器件中最常见的两种晶体管，它们在电路设计中有着广泛的应用。
本文将介绍三极管和MOS管的基本原理和经典电路。
一、三极管三极管是一种三端口的半导体器件，由基极、发射极和集电极组成。
它的工作原理是通过控制基极电流来控制集电极电流。
当基极电流增加时，集电极电流也会随之增加。
三极管的主要特点是放大和开关功能。
1. 放大电路放大电路是三极管最常见的应用之一。
放大电路可以将输入信号放大到更高的电平，以便于后续电路的处理。
常见的放大电路有共射放大电路、共基放大电路和共集放大电路。
共射放大电路是最常见的放大电路之一。
它的基极接在输入信号上，集电极接在输出负载上，发射极接地。
当输入信号为正时，基极电流增加，集电极电流也随之增加，输出电压也随之增加。
共射放大电路的放大倍数可以通过改变电路中的电阻值来调整。
共基放大电路是另一种常见的放大电路。
它的发射极接在输入信号上，集电极接在输出负载上，基极接地。
当输入信号为正时，发射极电流增加，集电极电流也随之增加，输出电压也随之增加。
共基放大电路的放大倍数比共射放大电路高，但它的输入阻抗较低。
共集放大电路是一种输出电压与输入电压同相的放大电路。
它的集电极接在输入信号上，发射极接在输出负载上，基极接地。
当输入信号为正时，集电极电流增加，输出电压也随之增加。
共集放大电路的放大倍数比共射放大电路低，但它的输入阻抗较高。
2. 开关电路三极管还可以用作开关电路。
当三极管的基极电流为零时，集电极电流也为零，此时三极管处于关闭状态。
当基极电流增加时，集电极电流也随之增加，此时三极管处于开启状态。
开关电路常用于控制电路中的负载开关。
二、MOS管MOS管是一种金属-氧化物-半导体场效应管，由栅极、漏极和源极组成。
它的工作原理是通过控制栅极电压来控制漏极电流。
当栅极电压增加时，漏极电流也会随之增加。
MOS管的主要特点是高输入阻抗和低功耗。
1. 放大电路MOS管可以用于放大电路。
mos管典型应用电路
mos管典型应用电路mos管是一种常见的场效应管，也是集成电路中的重要元件之一。
它具有低功耗、高速度和可靠性等优点，被广泛应用于各种典型电路中。
一、模拟开关mos管可以作为模拟开关，通过控制栅极电压来控制mos管的导通与截止。
当mos管导通时，它可以将输入信号放大并输出到负载上；当mos管截止时，输入信号无法通过。
这种应用常见于开关电路、放大器和模拟开关电源等领域。
通过调整mos管的工作点，可以实现不同的放大倍数和截止频率，以满足不同应用的需求。
二、数字逻辑电路mos管也可以作为数字逻辑电路中的开关元件，用于实现与门、或门、非门等逻辑功能。
mos管的特点是输入电阻高、功耗低，可以实现高速的数字信号处理。
它广泛应用于计算机、通信设备、显示器等数字电路中，提供了高效、可靠的信号处理能力。
三、驱动器mos管的高输入电阻和低输出电阻特性，使其成为各种驱动器电路的理想选择。
mos管驱动器可以实现信号的放大、变换和隔离等功能。
在各种传感器、执行器和接口电路中，mos管驱动器起到了关键作用。
例如，在电机驱动电路中，mos管驱动器可以实现对电机的精确控制，提高电机的效率和响应速度。
四、交流/直流变换器mos管可以根据输入信号的频率和幅值，将直流电源转换为交流电源，或者将交流电源转换为直流电源。
这种变换器常见于电源管理、电动汽车、太阳能发电等领域。
mos管的高效率和可靠性，使其成为现代电力系统中不可缺少的元件。
五、开关电源mos管在开关电源中的应用非常广泛。
开关电源通过高频开关mos 管来实现电能的转换和调节，具有高效率、小体积和稳定的输出特性。
mos管在开关电源中的关键作用是实现高速的开关动作，提供稳定的输出电压和电流。
六、放大器mos管作为放大器的应用也非常常见。
通过调整mos管的工作点和电路参数，可以实现不同放大倍数和频率响应。
mos管放大器广泛应用于音频放大、射频放大、功放等领域，提供了稳定、高保真的信号放大能力。
MOS管典型应用电路图 MOS管常见的几种应用电路
MOS管典型应用电路图MOS管常见的几种应用电路一、开关和（放大器）MOS管最常见的电路可能就是开关和放大器。
1. （开关电路）G极作为普通（开关控制）MOS管。
2. 放大电路让MOS管工作在放大区，具体（仿真）结果可在上节文章看到。
二、时序电路中作为反相器使用下图示例电路中，（芯片）1正常工作时，PG（端口）高电平。
如果芯片1、芯片2有时序要求，在芯片1正常工作后，使能芯片2。
可以看到芯片2的使能端初始连接VCC为高电平，当芯片1输出高电平后，(关注公众号：（硬件）笔记本）MOS管导通，芯片2的使能端被拉低为低电平，芯片2开始正常工作。
这时MOS管起到的就是反相的作用。
三、双向电平转换电路1. 原理图下面是一个3.3V-5V（信号）通讯中电平转换电路。
2. 工作状态分析假设：左边接芯片信号3.3V，右侧芯片信号5V。
电路中接入2个NMOS管。
这里要注意的是，（I2C）输出状态有低电平、高阻两种状态。
（1）分析（SD）A，信号从左向右当SDA低电平，D1 的GS 压差73.3V可以导通，VGA_SDA也是低电平。
当SDA高阻抗状态，D1的S引脚有R2上拉到3.3V，MOS管GS截止。
由于VGA_SDA由R5上拉到5伏，这时VGA_SDA就是5V。
（2）分析SDA，信号从右向左当VGA_SDA低电平，由于D1中有体（二极管）的存在，S初始被R2上拉，当D极是0的时候，S极会被钳在导通电压约0.2V左右，(关注公众号：硬件笔记本）最终I2C_SDA为低电平；当VGA_SDA高电平，D1的D极高电平，而S被R2上拉，这时MOS管不会导通，所以I2C_SDA输出高电平。
SCL信号类似原理。
四、线或功能原理图2. 工作状态分析上面电路实现的效果是：（IC）1和IC2都输出低电平时，（LED）熄灭；其它情况下，LED都会点亮。
MOS管在这里实现的仍是开关的功能，但是避免IC1和IC2的端口直接相连造成信息干扰，同时芯片控制端电压比较低，可以驱动较大的负载。
mos管典型电路
mos管典型电路（原创版）目录1.MOS 管的基本概念2.MOS 管的结构和工作原理3.MOS 管的分类和主要参数4.MOS 管的典型电路应用5.MOS 管的发展前景和挑战正文一、MOS 管的基本概念MOS 管，全称为金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor），是一种半导体器件，广泛应用于集成电路、模拟电路和数字电路等领域。
它以金属为源极和漏极，氧化物为栅极，半导体为基片，通过改变栅极电压来控制源漏电流，实现信号放大、开关控制等功能。
二、MOS 管的结构和工作原理MOS 管的结构主要包括 n 型或 p 型半导体基片、氧化物栅极和金属源漏极。
在工作原理上，MOS 管分为 nMOS 和 pMOS 两种类型。
nMOS 管的基片为 p 型半导体，源极和漏极为 n 型金属，而 pMOS 管的基片为 n 型半导体，源极和漏极为 p 型金属。
当栅极施加正向电压时，栅极与基片之间形成正向电场，源漏电流增大；当栅极施加负向电压时，栅极与基片之间形成反向电场，源漏电流减小。
三、MOS 管的分类和主要参数根据材料和结构不同，MOS 管可分为多种类型，如 CMOS（互补 MOS）、BiMOS（双极型 MOS）等。
MOS 管的主要参数有：源漏电流、栅源电压、阈值电压、输入电阻、输出电阻等。
这些参数决定了 MOS 管的性能和应用范围。
四、MOS 管的典型电路应用MOS 管在电子电路中有广泛的应用，如：1.电流放大：MOS 管可作为电流放大器，实现输入信号的电流放大。
2.电压开关：MOS 管可作为电压开关，根据栅极电压的正负改变源漏电流的通断。
3.振荡器：MOS 管可作为振荡器元件，与其他元件配合实现信号振荡。
4.存储器：MOS 管可作为存储器单元，实现数据存储和读写功能。
五、MOS 管的发展前景和挑战随着半导体技术的发展，MOS 管的尺寸和性能不断提高，为我国集成电路产业带来了巨大的发展机遇。
几种常用的MOS管参数、应用电路及区别：IRF540N、IRF9540N、IRF9540
⼏种常⽤的MOS管参数、应⽤电路及区别：IRF540N、IRF9540N、IRF95401. IRF540N,N沟道,100V,33A,44mΩ@10V栅极（Gate—G，也叫做门极），源极(Source—S)，漏极（Drain—D）漏源电压（Vdss）100V连续漏极电流（Id）（25°C 时）33A栅源极阈值电压4V @ 250uA漏源导通电阻44mΩ @ 16A,10V最⼤功率耗散（Ta=25°C）130W类型N沟道IRF540N（NMOS管）应⽤电路MOS管由电压控制，与三极管不同（三极管是电流控制）。
说⽩了，给箭头⽅向相反的压降就是导通，⽅向相同就是截⽌可以在单⽚机和栅极之间加⼀个1k的电阻，起到限流作⽤；此外，可以栅极和源极之间加⼀个10k的电阻，⼀是为提供；⼆是起到泻放电阻的作⽤：保护栅极G-源极S2. IRF9540N,P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V漏源电压（Vdss）-100V连续漏极电流（Id）（25°C 时）23A栅源极阈值电压4V @ 250uA漏源导通电阻117mΩ @ 11A,10V最⼤功率耗散（Ta=25°C）140W类型P沟道IRF9540N（PMOS管）应⽤电路3. IRF9540,P沟道,-100V,-19A跟IRF9540N的区别是引脚封装不同，从原理图可以看出来，两个正好是上下颠倒的。
漏源电压（Vdss）-100V连续漏极电流（Id）（25°C 时）19A(Tc)栅源极阈值电压4V @ 250uA漏源导通电阻200mΩ @ 11A,10V最⼤功率耗散（Ta=25°C）150W(Tc)类型P沟道。
最经典MOS管电路工作原理及详解没有之一
S极
N沟道MOSFET
G极 箭头指向G极的是N沟道
D极
电路符号
S极
P沟道MOSFET
G极 箭头背向G极的是P沟道
D极
当然也可以先判断沟道类型，再判断三个脚极性。
电路符号
小测试： 先判断是什么沟道，再判断三个脚极性。
G极 1
1 S极
2 D极
D极 2
电路符号
19V
Adapter
BAT 12V
Q1 Q2 隔离
19V 3. 适配器+电池
问题：如果不用Q2隔离，同时插上适配器和电池会怎样？
现象是： 大电流。 当然这只有在维修稳压电源上才可以看到：电流直接达到 稳压电源的最大值6A以上，短路灯狂闪。
电池充电不就是用较高的电压加到电池上来进行的吗？ 那么，你觉得，为什么会出现这样的现象呢？
常见的有：AOL1448，AOL1428A，AON7406，AON7702， MDV1660，
AON6428L，AON6718L，AO4496，AO4712，AO6402A，AO3404，SI3456DDV， MDS1660URH，MDS2662URH，RJK0392DPA，RJK03B9DP。
PMOS管则和NMOS条件刚好相反。
作用： 电压通断（开关）
常用接法： D极接输入，UD=5V。 S极接输出。
截止条件： UG=US=0V。
导通条件： UG比US大10V以上， UG=US+10V=15V。 （导通时，US=5V）
电路符号
示例3：
PMOS管： AOD425
作用： 电压通断（开关）
+19V S极
MOS管开关电路实际应用
MOS管开关电路实际应用场景描述：一个小系统，要外挂一个功能模块（后面描述简称模块），这功能模块的供电方式是由MOS开关管电路来控制的，控制信号为小系统主控发出。
已知小系统的正常供电电压最低为4.5V，极限低电为4.0V，若供电电压低于4.0V，则电源管理芯片则会断电自锁（由UVLO控制），所以电源供电电压瞬间不能低于4.0V，否则系统不开机。
下图MOS开关电路是用来控制功能模块的电源，各参数是初始设置。
下面给系统上电，发现系统开不了机，为了查明原因，用示波器测得输入输出电压波形为从第一张图看，系统上电后，功能模块电源开通下又立马掉电了，第二张图是将开关电路输出电压放大来看时的情况，模块电源开通的瞬间把输入电源的电压拉低了，且低于了4.0V，所以系统开不了机。
这里可能的原因是模块功耗较大，将电源电压拉下来了，又可能是开关电路本身的原因。
下面开始来做实验，这里的实验以实际测量为主，不做基本理论和公式化分析。
1.将输入输出直接短路，去掉开关电路，测得电源电压没有被瞬间拉到4.0V以下，所以系统可以正常工作。
这里说明，电源的供电还是满足系统工作要求的。
另一方面也说明还是开关电路存在某些问题。
那存在什么问题呢？这里应该是开关线路开启太快，瞬间完全开启，导致功率瞬间上来将输入电压拉低。
那怎么样将开关电路慢慢开启呢？下面继续来做实验。
2.MOS管开关线路各参数设置一（对各电阻电容的参数重新配置），如图用示波器测得输入输出电压波形为从波形上看这种参数设置是可以让系统正常工作的，实际上也确实如此。
3.MOS管开关线路各参数设置二，如图用示波器测得输入输出电压波形为从波形来看，这种设置不能让系统正常工作。
4.MOS管开关线路各参数设置三，如圖用示波器测得输入输出电压波形为这里的设置也是不能让系统开机。
5.MOS管开关线路各参数设置四，如图用示波器测得输入输出电压波形为实际测得一样不能让系统正常开机。
6.MOS管开关线路各参数设置五，如图用示波器测得输入输出电压波形为这里实际测得也是不能让系统开机。
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问题：此电路为什么会烧坏Mos管？
经典分析
此电路是一个非常经典的小电流MOS管驱动电路，但LZ将之移到大电流应用上，水土不服，出了点小问题。
1. 烧MOS管不是由于Q41没有饱和所致，而是由于驱动电流不足，驱动大功率MOS管时（由于其栅极电容的存在），无法快速对其栅极电容充电，引起栅极电压上升缓慢，切换功耗大大增大，引起烧MOS管。
2.D41不能省，一般MOS管的栅极极限电压为15-16V, 此稳压管起保护MOS管作用，防止过高电压（本电路去掉R42时可高达+30V !）对MOS管的栅极冲击引起击穿损坏。
3. R42不能省，起到限制光耦最大输出电流，及对IN4744A的限流作用。
由于光耦的最大输出电流一般较小，过份减小R42加大光耦输出电流，易引起光耦加速老化及损坏，因此，比较好的方法是在光耦输出端用NPN三极管加一级射极跟随器, 放大输出驱动电流。
另外，可在R45上并联一只几十至百皮皮法的小电容，起加速MOS管的饱和。
4. R43不能大幅增加，一般加大到10K为上限，其原因在于，当MOS管关断时，储存一定驱动电压的栅极电容通过R43放电，最终将MOS管关断，如R43太大，MOS管关断时间增加，关断速度减慢，引起关断时的切换功耗大大增大，引起烧MOS管。
当然，最好的方法是在栅极加负压，加速MOS管关断，但这样成本会高些。