dg14二极管和晶体管(1)
16 常见物料分类及编码规则
密级：★高★版本：1.0 常见物料分类及编码规则XXX股份有限公司金蝶软件（中国）有限公司2022年4月25日2022-04-25物料分类及编码规则公司所有物料（除固定资产外）实行三级分类管理，划分为大类别、小类别和品种类型，物料编码总长为15位，物料大类、小类、物料品种和物料规格型号之间用英文句号隔开。
基本编码结构如下：X．XX．XX．XXXXXXXXXX物料规格（10位）物料品种类型（2位阿拉伯数字）物料小分类（2位大写英文字母）物料大分类（1位大写英文字母）一、物料大分类及其代码：1、电子材料：用“T”表示电子材料是指以其电性能为主要应用的材料，根据公司目前应用情况看，包括：集成电路类、印刷电路板类、电容器类、电阻器类、电感器类、晶体管类、接插件类、稳压器类、变压器类、充电器类、开关类、电池类、电声器类、电位器类、磁珠类、数据线类和电线电缆类等。
2、光学材料：用“G”表示光学材料是指传输光线的介质材料，包括光学玻璃、光学晶体和光学塑料等光学介质材料，但不包括光电性能一体化应用的光电材料，例如发光二极管、氖灯、日光灯、显像管、液晶屏等光电类材料，该类材料归于电子材料类，3、塑胶材料：用“S”表示塑胶材料是指以高分子合成树脂为主要应用的材料，包括ABS、PVC、PA、PS、PE 等塑胶料，但不包括光学与塑胶一体化应用的材料，以及用于产品包装的塑胶材料，例如有机玻璃、玻璃钢、吸塑盒等，该类材料归于光学材料类或包装材料类。
公司目前应用的塑胶材料主要包括数码相机、车载摄像头、网络摄像头等产品的塑胶结构件，例如机壳，以及用于其他用途的PVC线管、塑胶工具、塑胶模具等。
4、金属材料：用“J”表示金属材料是指以钢、铁、铝等为主要应用的材料，公司目前主要包括数码相机、摄像头等产品使用的金属结构件，以及用于其他用途的角铁、金属线管、金属紧固件、金属工具、金属模具等。
5、包装材料：用“B”表示包装材料是指用于产品包装的材料，主要包括包装箱、吸塑盒、胶袋、包装带、封箱胶纸、不干胶标签、防潮剂、合格证等。
3ag14晶体管参数
3ag14晶体管参数3AG14晶体管参数3AG14晶体管是一种常用的NPN型晶体管，具有以下参数：1. 最大集电极电流（Icmax）：3AG14晶体管的最大集电极电流是指在正常工作条件下，集电极电流的最大允许值。
它通常决定了晶体管的功率处理能力和热稳定性。
对于3AG14晶体管来说，其最大集电极电流一般为200mA。
2. 最大集电极-基极电压（Vceo）：3AG14晶体管的最大集电极-基极电压是指在正常工作条件下，集电极和基极之间的最大允许电压。
它反映了晶体管的电压处理能力和耐压能力。
对于3AG14晶体管来说，其最大集电极-基极电压一般为30V。
3. 最大功耗（Pd）：3AG14晶体管的最大功耗是指在正常工作条件下，晶体管能够承受的最大功耗。
它与最大集电极电流和最大集电极-基极电压有关。
对于3AG14晶体管来说，其最大功耗一般为625mW。
4. 最大集电极-发射极电压（Vce(sat)）：3AG14晶体管的最大集电极-发射极电压是指在饱和状态下，集电极和发射极之间的电压。
饱和状态是指晶体管工作在最大集电极电流下，且集电极-基极电压低于最大集电极-基极电压的情况。
对于3AG14晶体管来说，其最大集电极-发射极电压一般为0.5V。
5. 最大直流电流增益（hfe）：3AG14晶体管的最大直流电流增益是指在正常工作条件下，集电极电流变化与基极电流变化之间的比值。
它反映了晶体管的放大能力。
对于3AG14晶体管来说，其最大直流电流增益一般为100。
6. 最大频率（fT）：3AG14晶体管的最大频率是指在正常工作条件下，晶体管能够正常工作的最高频率。
它与晶体管的内部结构和工作状态有关，一般与集电极电流和集电极-基极电压有关。
对于3AG14晶体管来说，其最大频率一般为100MHz。
3AG14晶体管具有200mA的最大集电极电流，30V的最大集电极-基极电压，625mW的最大功耗，0.5V的最大集电极-发射极电压，100的最大直流电流增益以及100MHz的最大频率。
肖特基二极管结构原理及参数 知乎
一、肖特基二极管结构原理肖特基二极管（Schottky Diode）是一种特殊的二极管，它的结构原理和普通的 PN 结二极管有所不同。
普通的 PN 结二极管是由 P 型半导体和 N 型半导体材料构成的，而肖特基二极管是由金属和半导体材料构成的。
具体而言，肖特基二极管是由金属和半导体的接触界面构成的，通常是一种金属覆盖在 N 型半导体表面上，形成一种金属－半导体接触。
二、肖特基二极管的参数对于肖特基二极管来说，有一些关键的参数需要我们了解。
其中最重要的参数之一是肖特基势垒高度，记作Φ_B。
它是描述金属和半导体接触界面的势垒高度的重要参数。
另外，肖特基二极管还有正向电压降（V_F）、反向漏电流（I_R）、最大反向工作电压（V_RRM）等参数，这些参数都影响着肖特基二极管的性能和应用。
三、深度探讨：肖特基二极管的优势和应用相对于普通的 PN 结二极管，肖特基二极管具有许多优势和特点。
它的正向压降较小，约为0.3V左右，这意味着在一些特定的应用场合中，肖特基二极管可以替代普通的 PN 结二极管，实现更低的功耗和更高的效率。
肖特基二极管的开关速度非常快，这使得它在高频和射频电路中得到广泛应用。
四、广度探讨：肖特基二极管的应用领域肖特基二极管由于其独特的特性，在许多领域都有着广泛的应用。
在通信领域，肖特基二极管被广泛应用于射频功率放大器和射频混频器等电路中，用于实现信号的调制和解调。
在开关电源和电源管理领域，肖特基二极管也被用于设计高效、稳定的开关电源电路和直流电源管理电路。
在光伏领域、功率电子领域和微波领域，肖特基二极管也都有着重要的应用。
五、总结与回顾通过本文的深度和广度探讨，我们对肖特基二极管的结构原理和参数有了全面的了解。
肖特基二极管作为一种特殊的二极管，在功耗、开关速度和应用领域等方面有着许多优势，因此在现代电子电路中有着广泛的应用前景。
希望本文能够帮助读者深入理解肖特基二极管，并在实际应用中发挥其重要作用。
马自达维修手册-马自达6电路图1
一般信息……………………………2 接地点………………………………12 电器配线图解………………………14
与发动机有关的系统 充电系统……………………………16 起动系统 欧洲（左侧驾驶）规格……………18
发动机控制系统 欧洲（左侧驾驶）规格……………22 GCC 规格……………………………38 燃油控制系统……………………54 冷却风扇系统 LF，L8：一般区域…………………56 LF，L8：高热区域…………………58 L3……………………………………60
·当电流超过电路的规定，它将熔 化，并中断电流。 小心 ·更换后的保险丝不要超过规定功 率。
片式
管式
熔丝管型
熔丝型
电阻 电机 泵
点烟器
喇叭 扬音器
意义 ·当电流通过白热丝时发光并生热。
·有固定值的电阻器。 ·通过保持额定电压，主要用作保 护电路中的电器。
·将电能转化为机械能。
·吸入并排放气体和液体。
与仪表组有关的系统 仪表组………………………………62
与车身有关的系统 风挡玻璃刮水……………………74 后刮水器和清洗器………………76 喇叭………………………………108 后窗除霜器………………………126 电动车窗系统……………………162 无双重锁定系统……………………166 有双重锁定系统……………………172 电动车外后视镜……………………178 电热式车外后视镜……………………178 滑动天窗……………………180 座椅加热器………………………190 电动座椅…………………………192 巡航控制系统……………………194 安全气囊系统维修注意事项 /维修警告…………………………196 安全气囊系统…………………………198 侧气囊系统……………………198 驻车装置系统……………………206 防盗系统…………………………208
第9章--电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介
目录目录.............................................................................................................................................................................. 第9章电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介 . 09.1 电力二极管的应用简介 09.1.1 电力二极管的种类 09.1.2 各种常用的电力二极管结构、特点和用途 09.1.3 电力二极管的主要参数 09.1.4 电力二极管的选型原则 (1)9.2 电力晶体管的应用简介 (2)9.2.1 电力晶体管的主要参数 (2)9.2.2 电力晶体管的选型原则 (2)9.3 晶闸管的应用简介 (3)9.3.1 晶闸管的种类 (3)9.3.2 各种常用的晶体管结构、特点和用途 (3)9.3.3 晶闸管的主要参数 (4)9.3.4 晶闸管的选型原则 (5)9.4 总结 (6)第9章电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介9.1 电力二极管的应用简介电力二极管（Power Diode）在20世纪50年代初期就获得应用，当时也被称为半导体整流器；它的基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管相同，都以半导体PN结为基础，实现正向导通、反向截止的功能。
电力二极管是不可控器件，其导通和关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。
电力二极管实际上是由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。
9.1.1 电力二极管的种类电力二极管主要有普通二极管、快速恢复二极管和肖特基二极管。
9.1.2 各种常用的电力二极管结构、特点和用途名称结构特点、用途实例图片整流二极管多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路中。
其反向恢复时间较长，一般在5s以上，其正向电流定额和反向电压定额可以达到很高。
晶体二极管的归纳总结
晶体二极管的归纳总结晶体二极管（Diode）是一种具有非线性电阻特性的电子元器件，广泛应用于电子电路中。
它具有正向导通和反向截止的特性，被广泛用作整流器、开关以及信号调制等电路的基本元件。
本文将对晶体二极管的工作原理、分类、特性以及应用进行归纳总结。
一、晶体二极管的工作原理晶体二极管是一种半导体器件，由P型和N型半导体材料组成。
在P-N结中，P型半导体的掺杂原子与N型半导体的掺杂原子形成势垒，使得P区电子豁免区域中电子浓度较高，N区电子豁免区域中空穴浓度较高。
当外加电压使P区电势相对于N区升高，势垒减小，使得P 区的电子跨越势垒进入N区，形成正向电流。
当外加电压反向时，势垒增大，使得P-N结处形成耗尽区，电流几乎为零。
二、晶体二极管的分类根据材料、结构和用途的不同，晶体二极管可以分为多种类型。
常见的晶体二极管包括硅二极管、锗二极管、肖特基二极管、LED（发光二极管）等。
1. 硅二极管硅二极管是最常见和广泛使用的一种二极管。
它具有较高的工作温度、稳定性和可靠性，被广泛应用于各种电子电路中。
2. 锗二极管锗二极管是晶体二极管的一种，其主要特点是正向导通电压较低，适用于低电压应用电路。
3. 肖特基二极管肖特基二极管是一种利用PN结形成的金属与N型半导体之间的势垒来控制电流流动的二极管。
与普通PN结二极管相比，肖特基二极管具有较低的正向导通电压和快速响应速度。
4. LED（发光二极管）LED是一种能够将电能直接转换为光能的二极管。
它具有高效率、长寿命、低功耗等特点，被广泛应用于指示灯、背光源、室内外照明等领域。
三、晶体二极管的特性晶体二极管具有以下主要特性：1. 非线性特性晶体二极管在正向电压作用下具有较低的电阻，呈现出导通状态，而在反向电压作用下电阻很大，呈现出截止状态，具有明显的非线性特性。
2. 稳压性能晶体二极管具有稳压能力，能够在一定的工作电压范围内稳定输出，被广泛应用于稳压电源电路中。
3. 快速开关特性晶体二极管具有快速开关特性，可以迅速从导通状态切换到截止状态，被广泛应用于高频开关电路中。
二极管的分类与特性参数
二极管的分类与特性参数一、二极管的分类1.按材料分类：（1）硅二极管：硅二极管是最常见的二极管，具有较高的工作温度和较低的导通电压。
（2）锗二极管：锗二极管具有较低的导通电压，适用于低功耗和低电压应用。
2.按结构分类：（1）环绕式二极管：环绕式二极管是最简单的结构，由P型和N型两种半导体材料组成。
（2）肖特基二极管：肖特基二极管是一种PN结构的二极管，特点是导通电压低，反向漏电流小。
（3）合金二极管：合金二极管是一种PN结构的二极管，具有高转导特性和高工作频率。
3.按工作电压分类：（1）低压二极管：低压二极管的导通电压一般在0.2V以下。
（2）中压二极管：中压二极管的导通电压一般在0.2V~0.6V之间。
（3）高压二极管：高压二极管的导通电压一般在0.6V以上。
二、二极管的特性参数1.最大可逆电压（VRM）：指二极管可承受的最大反向电压，超过该电压会导致二极管击穿损坏。
2.最大正向电流（IFM）：指二极管可承受的最大正向电流，超过该电流会使二极管过热损坏。
3.最大反向电流（IRM）：指二极管在反向电压下的最大反向漏电流，超过该电流会导致负载电路的误操作。
4.导通电压降（VF）：指二极管在正向工作时的导通电压，也称为正向压降。
5.反向漏电流（IR）：指二极管在反向电压下的漏电流，也称为反向电流或反向饱和电流。
6.反向恢复时间（tRR）：指二极管从正向导通转为反向截止的时间，也称为反向恢复速度。
时间越短，二极管的高频特性越好。
7.热稳定工作电流（Iz）：指二极管在指定温度下的稳态工作电流，也称为额定工作电流。
8.温度系数：指二极管的电压、电流等参数随温度变化的大小，也称为温度稳定性。
9.前导电压降（VF1）：指二极管开始正向导通时的电压降。
10.储电容（Cj）：指二极管内部的储电容量，是二极管的一个重要参数，与二极管的高频特性有关。
三、总结二极管是电子电路中使用最广泛的器件之一，根据不同的分类标准，二极管可以分为硅二极管、锗二极管、环绕式二极管、肖特基二极管和合金二极管等。
晶体管种类
晶体管种类晶体管是一种半导体器件，是现代电子技术的重要部分。
晶体管因其小型化、高速度、低功耗等特点，被广泛应用于计算机、电视、电话、音响、汽车和医疗等领域。
虽然晶体管的种类很多，但总的来说，它们都属于三类：二极管、MOSFET和BJT。
1. 二极管二极管是最早的晶体管之一，也是最简单的一种。
二极管由晶体管两个区域组成，其中一个区域为P型半导体，另一个区域为N型半导体。
二极管有两种类型：正向偏置和反向偏置。
正向偏置时，电流从P型半导体进入N型半导体，形成导电。
反向偏置时，电流从N型半导体进入P型半导体，形成阻隔。
二极管可以抑制电压波动、整流交流电和提供电压参考。
2. MOSFETMOSFET的全称是金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor）。
MOSFET多用于数字电路。
它和二极管不同的地方是，它有一个栅极，可以通过改变栅极电压来控制电流。
MOSFET优点是高输入阻抗、小电流漏泄、可靠性高，适合高速器件。
根据栅极的作用可以分为增压MOSFET和光MOSFET等。
3. BJTBJT的全称是双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor）。
BJT是最常用的晶体管之一，广泛应用于模拟和数字电路中。
BJT由三个半导体区域组成，分别是发射区、基区和集电区。
BJT有NPN型和PNP型，分别对应于发射区和集电区的掺杂类型不同。
BJT根据不同的用途，可以分为低压高频、小信号放大和电源开关等类型。
IGBT是继MOSFET之后，又一种高压大功率开关器件，是最新型的高集成度器件之一。
IGBT的全称是绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor）。
IGBT相比BJT，有高输入阻抗、低饱和电压、大输出阻抗等优点。
同时，IGBT又比MOSFET获得更高的电压和电流。
IGBT常使用在交流变频调速、大型UPS（不间断电源）和电力电子系统等领域。
晶体管和二极管区别
晶体管和二极管区别晶体管和二极管区别首先说明一下：晶体管，就是指的半导体器件，二极管也是晶体管里的一种。
下面我们详细介绍一下二极管和三极管的特性及功能原理。
半导体二极管及其特性半导体二极管按其结构和制造工艺的不同，可以分为点接触型和面接触型两种。
点接触二极管是在P型硅晶晶体或N型锗晶体的表面上，安装上一根用钨或金丝做成的触针，与晶体表面接触而成，然后加以电流处理，使触针接触处形成一层异型的晶体。
很据所用金属丝的不同，分别称之为钨键二极管和金键二极管。
国产2APl一7和2APll—17型半导体二极管即属此类。
但前者触针是钨丝，后者是金丝。
面接触型二极管多数系用合金法制成。
在N型锗晶体的表面上安放上一块铟，然后在高温下使一部分锗熔化于铟内。
接着将温度降低，使熔化于姻内的锗又沉淀而出，形成P型晶体。
此P型晶体与末熔化的N型晶体组成P—N结。
点接触型半导体二极管具有较小的接触面积，因而触针与阻挡层间的电容饺小(约1微微法)；而面接触型二极管的极间电容较大，约为15一20微微池。
因此，前者适合于在频率较高的场合工作，而后者只适宜于频率低于50千赫以下的地方工作；另外前者允许通过的电流小，在无线电设备中宜作检波用，后者可通过较大之电流，多用于整流。
常用的半导体二极管其特性指标参数意义如下：1.工作频率范围f(MHz)：指由于P—N结电容的影响，二极管所能应用的频率范围。
2.最大反向电压Vmax(V)：指二极管两端允许的反向电压，一般比击穿电压小。
反向电压超过允许值时，在环境影响下，二极管有被击穿的危险。
3.击穿电压VB(V)：当二极管逐渐加上一定的反向电压时，反向电流突然增加，这时的反向电压叫反向击穿电压。
这时二极管失去整流性能。
4.整流电流I(mA)I指二极管在正常使用时的整流电流平均值。
晶体三极管的结构和类型晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，如图从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。
二极管基础知识点大全
二极管基础知识点大全电子元件家族当中，有一种只允许电流由单一方向流过，具有两个电极的元件，称为二极管，英文是“Diode”，是现代电子产业的基石。
1、真空电子二极管早期的二极管包含“猫须晶体”(Cat's Whisker Crystals)和真空管(ThermionicValves)。
1904年，英国物理学家弗莱明根据“爱迪生效应”发明了世界上第一只电子二极管——真空电子二极管。
它是依靠阴极热发射电子到阳极实现导通。
电源正负极接反则不能导电，它是一种能够单向传导电流的电子器件。
早期电子二极管存在体积大、需预热、功耗大、易破碎等问题，促使了晶体二极管的发明。
2、晶体二极管又称半导体二极管。
1947年，美国人发明。
在半导体二极管内部有一个PN结和两个引出端。
这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。
现今最普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。
晶体二极管的核心是PN结，关于PN结首先要了解三个概念。
本征半导体：指不含任何掺杂元素的半导体，如纯硅晶片或纯锗晶片。
P型半导体：掺杂了产生空穴的含较低电价杂质的半导体，如在本征半导体中Si(4+)中掺入Al(3+)的半导体。
N型半导体：掺杂了产生空穴的含较低电价杂质的半导体，如在本征半导体中硅Si(4+)中掺入磷P(5+)的半导体。
由P型半导体和N型半导体相接触时，就产生一个独特的PN结界面，在界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。
当外加电压等于零时，由于PN结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的PN结。
以PN结为核心结构，加上引线或引脚形成单向导电的二极管。
当外加电压方向由P极指向N极时，导通。
3、晶体二极管分类晶体二极管可按材料不同和PN结结构不同，进行分类。
1）点接触型二极管点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。
其PN结的静电容量小，适用于高频电路。
3ag14晶体管参数
3ag14晶体管参数3AG14晶体管参数一、引言3AG14晶体管是一种常用的电子元件，广泛应用于电子电路中。
本文将介绍3AG14晶体管的参数以及其在电路设计中的应用。
二、3AG14晶体管的基本参数1. 最大耐压（VCEO）：3AG14晶体管能够承受的最大电压。
该参数决定了晶体管在工作时所能承受的最大电压，超过该电压将导致晶体管损坏。
2. 最大电流（IC）：3AG14晶体管能够承受的最大电流。
该参数决定了晶体管在工作时所能够通过的最大电流，超过该电流将导致晶体管过载而损坏。
3. 最大功率（P）：3AG14晶体管能够承受的最大功率。
该参数由最大电流和最大电压共同决定，超过该功率将导致晶体管过热而损坏。
4. 直流电流放大倍数（hFE）：3AG14晶体管的放大能力。
该参数表示输入电流和输出电流之间的倍数关系，决定了晶体管的放大效果。
5. 饱和电压（VCEsat）：3AG14晶体管在饱和状态下的电压。
该参数表示晶体管在饱和状态下的工作电压，超过该电压将导致晶体管无法正常开关。
6. 频率响应（fT）：3AG14晶体管的最高工作频率。
该参数表示晶体管能够正常工作的最高频率，超过该频率将导致晶体管失去放大能力。
7. 封装形式：3AG14晶体管的外观和尺寸。
根据不同的应用需求，3AG14晶体管可采用不同的封装形式，如TO-92、SOT-23等。
三、3AG14晶体管在电路设计中的应用1. 放大电路：由于3AG14晶体管具有较高的直流电流放大倍数，因此广泛应用于放大电路中。
通过控制输入电流，可以实现对输出电流的放大，从而达到信号放大的目的。
2. 开关电路：3AG14晶体管具有较低的饱和电压和较高的开关速度，因此在开关电路中具有广泛的应用。
通过控制晶体管的开关状态，可以实现对电路的开关控制。
3. 振荡电路：由于3AG14晶体管具有较高的频率响应，因此在振荡电路中也可以使用。
通过合适的电路设计，可以利用晶体管的振荡特性实现信号的产生和放大。
3ag14晶体管参数
3ag14晶体管参数3AG14晶体管参数3AG14晶体管是一种常见的晶体管型号，具有一系列特定的参数，这些参数对于了解和应用晶体管非常重要。
本文将详细介绍3AG14晶体管的各项参数及其作用。
1. 封装类型：3AG14晶体管采用TO-92封装，这是一种常见的小功率晶体管封装形式。
TO-92封装具有体积小、安装方便等特点，适用于小型电子设备的制造。
2. 极性标识：在3AG14晶体管上，通常会标有三个引脚，分别为基极（B）、发射极（E）和集电极（C）。
正确连接晶体管的引脚是确保其正常工作的前提。
3. 最大集电极电流（ICmax）：ICmax是3AG14晶体管能够承受的最大集电极电流。
超过该电流值，晶体管可能会过热损坏。
因此，在应用晶体管时，要确保集电极电流不超过该参数。
4. 最大集电极-发射极电压（VCEmax）：VCEmax是3AG14晶体管能够承受的最大集电极-发射极电压。
超过该电压值，晶体管可能会击穿或损坏。
因此，在应用晶体管时，要确保集电极-发射极电压不超过该参数。
5. 最大功率（Pmax）：Pmax是3AG14晶体管能够承受的最大功率。
超过该功率值，晶体管可能会过热损坏。
在应用晶体管时，要根据电路的功率需求选择合适的晶体管。
6. 最大频率（fT）：fT是3AG14晶体管的最大工作频率。
超过该频率值，晶体管的放大能力将大大降低。
在高频电路中，需要选择具有较高fT值的晶体管。
7. 饱和压降（VCEsat）：VCEsat是3AG14晶体管在饱和区时的集电极-发射极压降。
该参数决定了晶体管在开关状态下的导通压降大小。
较小的VCEsat值能够减少功耗和发热，提高电路效率。
8. 输入电容（Cib、Cic）：输入电容是指3AG14晶体管输入端的电容，分为输入基极电容（Cib）和输入集电极电容（Cic）。
输入电容越小，晶体管在高频电路中的放大能力越强。
9. 输出电容（Cob）：输出电容是指3AG14晶体管输出端的电容。
二极管功能种类及应用
二极管功能种类及应用二极管是一种半导体器件，具有单向导电性能，广泛应用于电子电路中。
本文将介绍二极管的功能种类及其应用。
功能种类：1. 整流二极管（Rectifier diode）：主要用于将交流电转换为直流电。
在整流电源中，整流二极管的作用是只允许电流在一个方向上通过，将交流信号转换为具有单向导电性质的直流信号。
2. 齐纳二极管（Zener diode）：主要用于稳压和电压参考。
齐纳二极管在其反向工作区域具有稳定的电压特性，可以用作稳压器或电压参考元件，使电路中的电压保持在特定的范围内。
3. 光电二极管（Photodiode）：主要用于光电转换。
光电二极管能够将光能转换为电能，常用于光电探测器、光电传感器、光通信和光测量等领域。
4. 发光二极管（Light-emitting diode，LED）：主要用于发光。
发光二极管具有发光特性，可将电能转换为光能，广泛应用于显示屏、指示灯、照明等领域。
5. 肖特基二极管（Schottky diode）：主要用于高频、高速开关和整流。
肖特基二极管具有较低的正向压降和快速开关特性，适用于高频电路、高速开关电路和功率电路。
6. 可变电容二极管（Varactor diode）：主要用于电容调节。
可变电容二极管的电容值可以通过调节反向偏置电压来实现，常用于电子调谐电路、频率合成电路和频率调制电路等。
7. 热敏二极管（Thermistor）：主要用于温度测量和控制。
热敏二极管的电阻值随温度的变化而变化，可用于测量和控制温度，广泛应用于温度传感器、温控电路等。
应用：1. 整流器：整流二极管常用于电源中的整流电路，将交流电转换为直流电，为后续电路提供稳定的直流电源。
2. 电压稳压器：齐纳二极管常用于稳压电路中，通过控制反向电压来保持电路中的电压稳定。
3. 光电传感器：光电二极管常用于光电传感器中，能够将光信号转换为电信号，用于检测光强、测量距离等。
4. 显示器：发光二极管常用于显示屏、指示灯等领域，通过发光实现信息的显示和指示。
常用二极管
≥30
≥300
3DG130D
≥60
≥45
≤0.5
≤1
≥30
≥300
测试条件
Ic=
100μA
Ic=
100μA
UCB=10V
UCE=10V
UCE=10V
Ic=50mA
UCE=10V
IE=3mA
fT=100MHZ
表103AG高频小功率锗管及其他同类型锗管
参数
型号
PCM/mW
ICM/mA
U（BR）CEO/V
1
60
3
2CW130
2CW22
3~4.5
600
3000
≤0.5
≤-8
≤250
3
≤20
100
2CW131
2CW22A
4.5~5.8
500
-6~4
≤300
3
≤15
100
2CW132
2CW22B
5.5~6.5
460
-3~5
≤250
3
≤12
100
2CW133
2CW22C
6.2~7.5
400
≤6
≤200
3
≤6
≤15
2DW7C
6.0~6.5
≤5
测试条件
工作电流=10 mA
反向电压=1V
工作电流=10 mA
表4发光二极管
型号
发光
颜色
最大工作电流/mA
正向压降/V
一般工作电流/mA
发光波长/A
发光亮度
/光通量
发光功率/ mW
HG5200砷化镓二极管
红外
3（A）
常用晶体管的型号参数及代换汇编
常用晶体管的型号参数及代换汇编常用晶体管的型号参数及代换汇编常用晶体管的型号参数及代换汇编电子元器件型号参数管脚检测汇编常用型号晶体三极管的代换常用IN型稳压二极管参数与2CW国产型的代换国产2CW系列稳压二极管参数表大全光敏电阻 MG45 参数表国内外稳压二极管型号对照及代换表电子元器件的引脚及参数资料大全续电子元器件的引脚及参数资料大全 BC系列三极管型号参数与代换表大全国产2CW系列稳压二极管参数表大全中外射频功率管参数及互换表BF系列三极管参数表2SA 系列硅材料ＰＮＰ三极管参数表2SD系列硅材料NPN三极管参数表3DG12 三极管三极管c9014 9013三极管全系列三极管应用参数和代换大全晶体三极管代换手册2经常使用三极管的参数三极管参数代换表大全三极管代换表大全1三极管代换表大全2三极管代换表大全3常用光电耦合器参数表集成电路的种类用途及代换光电耦合器型号参数价格明细表稳压管型号参数价格明细表常用中小功率三极管直插型号与贴片型号对照表局部常用集成电路的引脚识别：小功率三极管应用参数对照表局部贴片三极管与直插式三极管型号对照表局部贴片三极管的代码、型号参数及代换表2SC系列高反压大功率晶体管参数及代换表〔一〕电容器的根底知识及检测方法运算兴旺器LM358管脚排列全系列三极管应用参数及代换(二)2SD-晶体三极管性能资料及互换2N系列三极管参数表及代换 2CW系列稳压管参数表常用光敏电阻的规格参数1753 款集成块管脚查询集成电路 IC替换查询大全电磁炉IGBT管型号与参数场效应管参数资料大全IRF系列场效应管参数表IRF系列场效应管参数表(IRF9Z10-IRF633)可控硅型号与参数表2CW系列稳压管参数表常用光电耦合器参数表 4-6脚集成电路74HC系列引脚排列图及应用国产稳压管2CW系列与国外IN7000系列稳压管的代换3DD到大功率三极管参数及常用整流二极管的型号及参数表红外遥控集成电路BA5101\\BA5201管脚图集三端稳压电源集成电路LM317的管脚排列电容器的容量符号标注及识别电子元器件的参数及代换专集2AS1815、1015、5551、5401、1301、三极管管脚识别电子电路系列—结型场效应管MOS管精讲常用场效应管型号参数管脚识别及检测表常用小功率三极管、场效应管、达林顿三极管、可控硅型号参数大全常用全系列场效应管 MOS管型号参数表常用3DG、从9000、2N系列中小功率三极管参数表C9011~90182AS1815、1015、5551、5401、1301、3280三极管管脚识别三极管的参数及代换表三极管参数9011,9012,9013,9014,8050,8550 光敏接收光电三极管。
晶体管基础知识
晶体管基础知识目录1. 晶体管概述 (2)1.1 晶体管的概念与分类 (3)1.1.1 pn结的工作原理 (3)1.1.2 双极型晶体管 (5)1.1.3 场效应型晶体管 (6)1.1.4 其他晶体管类型 (6)1.2 晶体管的重要特性 (8)1.2.1 集电极电流、基极电流、发射极电流 (9)1.2.2 放大倍数 (10)1.2.3 阈值电压 (11)1.2.4 饱和电压 (11)1.3 晶体管的应用 (12)1.3.1 数码电路 (14)1.3.3 其他应用领域 (16)2. PNP和NPN晶体管 (17)2.1 PNP晶体管的工作原理 (18)2.2 NPN晶体管的工作原理 (19)2.3 PNP和NPN晶体管的区别 (21)3. 双极型晶体管电路 (22)3.1 あげ列连接电路 (22)3.2 发射极跟随电路 (24)3.3 共基路放大电路 (25)3.4 共集路放大电路 (26)4. 场效应型晶体管电路 (27)4.1 简述MOSFET的工作原理 (29)4.2 n沟道和p沟道 (30)4.3 源极跟随电路 (31)4.5 共源放大电路 (34)5. 晶体管的模型和参数 (34)5.1 直流特性模型 (35)5.2 典型晶体管参数 (36)5.3 频率特性 (37)6. 晶体管的损坏原因及避免措施 (38)6.1 过大电流过电压 (40)6.2 静电放电 (41)1. 晶体管概述晶体管是一种以半导体为基本材料的电子元件，于1947年由贝尔实验室的约翰巴丁、沃尔特布拉顿和威廉肖克利首次发明并演示。
晶体管的出现标志着电子技术的一次革命，极大地推动了信息技术领域的发展。
晶体管的核心作用在于它能够控制电流的流动，这使它在许多电子设备中担当关键的开关和放大角色。
晶体管主要有三种类型：双极型晶体管以及隧道型晶体管。
每种晶体管都有其独特的特性和应用领域。
当施加到晶体管栅极的电压变化时，可以显著改变其电流特性。
晶体二极管与晶体三极管
第四章晶体二极管与晶体三极管本章概述：晶体管是采用半导体晶体材料（如硅、锗、砷化镓等）制成的，在电子产品中应用十分广泛。
本章从二、三极管的型号、分类、外形识别及检测等多个方面，对常用二、三极管进行了较为详细和系统的讲解。
第一节晶体二极管和晶体三极管的型号命名方法一、中华人民共和国国家标准（GB249-74）国标（GB249-74）半导体器件型号命名由五部分组成，见表4-1。
表4-1 国标半导体器件型号命名方法例如：锗PNP高频小功率管为3AG11C，即３（三极管）Ａ（PNP型锗材料）Ｇ（高频小功率管）１１（序号）Ｃ（规格号）二、美国电子半导体协会半导体器件型号命名法表4-2 美国电子半导体协会半导体器件型号命名法三、日本半导体器件型号命名方法表4-3 日本半导体器件型号命名方法第二节半导体器件的外形识别一、晶体二极管的外形识别1.晶体二极管的结构与特性定义：晶体二极管由一个PN结加上引出线和管壳构成。
所以，二极管实际就是一个PN结。
电路图中文字表示符号为用V表示。
基本结构：PN结加上管壳和引线，就成为了半导体二极管。
图4-1 二极管的结构和电路符号二极管最主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线如图4-2所示。
1）正向特性当加在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通，处于“截止”状态，当正向电压超过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。
不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-0.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。
2）反向特性二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段)。
不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。
3）击穿特性当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿。
三极管和二极管
三极管和二极管三极管和二极管是电子器件中常见的两种元件。
它们在电子电路中起着重要的作用，常用于放大、整流和开关等应用。
首先，我们来了解一下二极管。
二极管是一种含有两个电极的半导体器件。
它由P型和N型半导体材料组成。
其中，P型半导体材料具有正电荷载流子（空穴），N型半导体材料则具有负电荷载流子（电子）。
在二极管内部，P型半导体和N型半导体形成了一个PN结。
当二极管的正极连接在P型半导体一侧，负极连接在N型半导体一侧时，二极管处于正向偏置状态。
此时，电流能够从P型半导体流向N型半导体，这种二极管被称为正向偏置二极管。
相反，当正极连接在N型半导体一侧，负极连接在P型半导体一侧时，二极管处于反向偏置状态。
在这种情况下，PN结会形成一个阻挡区域，使得电流无法通过，这种二极管被称为反向偏置二极管。
二极管具备单向导通电流的特性，因此常被应用于电路中的整流器，用于将交流信号转化为直流信号。
接下来，我们来介绍一下三极管。
三极管是一种包含三个电极的半导体器件。
它由两个PN结构成，其中一个为基结，另一个为发射结和集电结。
三极管通常被用来放大电流和电压，以及作为开关使用。
三极管的三个电极分别是：基极（B，Base）、发射极（E，Emitter）和集电极（C，Collector）。
基极是控制电流的输入端，发射极是电流的输出端，集电极是三极管的负极电极。
当正向偏置二极管时，通过基极输入的微弱电流会控制集电极和发射极之间的电流放大倍数。
当输入的基极电流稍微增大时，输出的发射极电流也会相应增大，从而起到放大电流的作用。
这使得三极管成为电子放大器的重要组件。
同时，三极管也可作为开关使用。
当基极处于截止状态时，集电极和发射极之间的电流几乎为零，此时三极管处于关断状态；当基极处于导通状态时，集电极和发射极之间的电流将大幅度增大，此时三极管处于导通状态。
这使得三极管具备了控制电路中电流通断的功能。
总结起来，二极管和三极管是两种不可或缺的半导体器件。
晶体管简介
晶体管简介
晶体管（Transistor）是一种有许多载流子的半导体元件，
它是把两个或两个以上的自由电子定向移动而制成的一种半导体。
晶体管是利用半导体材料作为导体和绝缘体之间的界面，从而构成一个工作单元。
晶体管是最基本的一种半导体器件，在电子电路中经常使用。
晶体管按照材料不同分为硅晶体管、砷化镓晶体管等；按照结构不同分为单管和双管等；按照功能不同分为开关、放大、信号处理、功率处理等。
1.半导体基本结构
晶体管是一种由两个半导体材料制成的器件，这两个材料分别称为基极和发射极，中间为源极和漏极。
两个半导体之间的界面称为栅（gate）。
栅有两种：一种是金属栅极（metalgate），
另一种是半导体栅极（transistorgate），它们都是由两部分构成：一部分是金属导电部分，另一部分是半导体导电部分。
半导体栅极可以把电子定向移动到金属栅极上去，而金属栅极又把电子定向移动到半导体基极上去。
—— 1 —1 —。
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阳极引线
PN结 金锑合金
底座
阴极引线
( b) 面接触型
2021/3/5
电子技术
阳极引线 二氧化硅保护层
N型硅 阴极引线
(c ) 平面型
P 型硅
阳极 D 阴极 ( d) 符号
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14.3.2 伏安特性
特点：非线性
I
反向电流在一定电压
正向特性
电子技术
P+ – N
范围内保持常数。
3. 当温度升高时，少子的数量 c （a. 减少、b. 不变、c. 增多）。
4. 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流 主要是 b ，N 型半导体中的电流主要是 a 。
（a. 电子电流、b.空穴电流）
2021/3/5
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电子技术
14.2 PN结及其单向导电性
电子技术
1. 符号
2. 伏安特性
I
_+
稳压管正常工作
时加反向电压
UZ
O
U
稳压管反向击穿后，
电流变化很大，但其
两端电压变化很小， 利用此特性，稳压管
UZ
IZ
IZ IZM
在电路中可起稳压作 用。
使用时要加限流电阻
2021/3/5
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1.什么是传统机械按键设计？
电子技术
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3. 主要参数
电子技术
(1) 稳定电压UZ 稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。
(2) 电压温度系数ｕ
环境温度每变化Z IZ
rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。
(4) 稳定电流 IZ 、最大稳定电流 IZM
2021/3/5
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电子技术
14.1 半导体的导电特性
半导体的导电特性：
热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强
(可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。
光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做 成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。
掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。
导通压降 硅0.6~0.8V锗
0.2~0.3V
U
反向击穿 电压U(BR)
P– + N 反向特性
死区电压 硅管0.5V, 锗管0.1V。
外加电压大于反向击 穿电压二极管被击穿， 失去单向导电性。
2021/3/5
外加电压大于死区电 压二极管才能导通。
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14.3.3 主要参数
– B
断开二极管，分析二 极管阳极和阴极的电
位。
V阳 =－6 V ， V阴 =－12 V V阳 > V阴 ，二极管导通 若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB =－ 6V 否则， UAB低于－6V一个管压降，为－6.3Ｖ或－6.7V
二极管起钳位作用。
2021/3/5
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电子技术
1.二最极大管整长流期电使流用IO时M ，允许流过二极管的最大正向
平均电流。
2. 反向工作峰值电压URWM 是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，
一般是二极管反向击穿电压UBR的一半或三分之二。 二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。
3. 反向峰值电流IRM
指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反 向电流大，说明管子的单向导电性差，IRM受温度的 影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小， 锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。
2021/3/5
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电子技术
2. PN 结加反向电压（反向偏置） P接负、N接正
－－－ － －－ + + + + + + －－－ － －－ + + + + + + －－－ － －－ + + + + + +
P
外电场
N
– + IR
少子在外电场 作用下定向移 动，形成很小 的反向电流。
或N型半导体。
失去一个 电子变为 正离子
2021/3/5
磷原子
多数载流子（多子）：自由电子 少数载流子（少子）：空穴
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14.1.2 N型半导体和 P 型半导体
电子技术
Si
Si
掺入三价元素 空穴 掺杂后空穴数目大量
增加，空穴导电成为这
BS–i
Si
种半导体的主要导电方 式，称为空穴半导体或
接受一个 电子变为 负离子
硼原子
P型半导体。
多子：空穴 少子：自由电子
无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。
2021/3/5
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电子技术
1. 在杂质半导体中多子的数量与 a （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。
2. 在杂质半导体中少子的数量与 b （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。
例2: D2
D1
3k 6V
12V
求：UAB
电子技术
A 解： 取 B 点作参考点，断开 + 二极管，分析二极管阳极和 UAB 阴极的电位。
–B
V1阳 =－6 V，V2阳=0 V，V1阴 = V2阴= －12 V
UD1 = 6V，UD2 =12V
∵ UD2 >UD1 ∴ D2 优先导通， 钳位，使D1截止。
于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。
2021/3/5
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本征半导体的导电机理
电子技术
半导体有两种导电粒子（载流子）：自由电子、空穴
当半导体两端加上外电压时，载流子定向运动（漂移 运动），在半导体中将出现两部分电流
(1)自由电子作定向运动 电子电流 (2)价电子递补空穴 空穴电流 自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。 在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡， 半导体中载流子便维持一定的数目。 注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； (2) 温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性能 也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。
PN 结加反向电压时，反向电阻较大，处于截止状态。 温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。
2021/3/5
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14.3 半导体二极管 电子技术
14.3.1 基本结构（一个PN结）
(a) 点接触型
(b)面接触型
结面积小、 结电容小、正 向电流小。用 于检波和变频 等高频电路。
2021/3/5
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二极管的单向导电性
电子技术
1. 二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴 极接负 ）时， 二极管处于正向导通状态，二极管正 向电阻较小，正向电流较大。
2. 二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴 极接正 ）时， 二极管处于反向截止状态，二极管反 向电阻较大，反向电流很小。
解： ui
18V 8V
参考点
二极管的用途：
整流、检波、
限幅、钳位、开
t 关、元件保护、
温度补偿等。
二极管阴极电位为 8 V ui > 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui < 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui
2021/3/5
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14.4 稳压二极管
3. 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去 单向导电性。 4. 二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向 电流愈大。
2021/3/5
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二极管电路分析举例
定性分析：判断二极管的工作状态
导通 截止
电子技术
分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位 的高低或所加电压UD的正负。 若 V阳 >V阴或 UD为正，二极管导通
2021/3/5
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14.1.2 N型半导体和 P 型半导体
电子技术
在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,
形成杂质半导体。 在常温下即可 变为自由电子 掺入五价元素
Si
Si
pS+i
Si
多
掺杂后自由电子数目
余 大量增加，自由电子导电
电 成为这种半导体的主要导
子 电方式，称为电子半导体
学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况， 对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近 似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结 果。
器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差， 工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。对 电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不 要过分追究精确的数值。
PN 结：P型半导体和N型半导体交界面的特殊薄层 1. PN 结加正向电压（正向偏置） P接正、N接负
－－－－ － － －－－－ － － －－－－ － －
+ + ++ + + + + ++ + + + + ++ + +
P
外电场 N
IF
+–
多子在外电 场作用下定 向移动，形 成较大的正 向电流。