电工学第七版_第14章_二极管和晶体管
电工学第二讲PPT课件
锗管 0.2 ~ 0.3V
外加电压大于死区电压二
极管才能导通。
6
I
I
0 UD U
近似特性
0 U
理想特性
当电源电压与二极管导通时的正向电压降相差不 多时，正向电压降不可忽略。二极管的电压小于其导 通电压的正向电压降时，二极管截止，电流等于零； 二极管导通后，正向电压降恒等于UD。
当电源电压远大于二极管导通时的正向电压降时，
例1： D
3k 6V
12V
V阳 =－6 V
A
+
电路如图，求：UAB
UAB
取 B 点作参考点，
– B
断开二极管，分析二 极管阳极和阴极的电
位。
V阴 =－12 V
V阳>V阴 二极管导通
若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB =－ 6V 否则， UAB低于－6V一个管压降，为－6.3Ｖ或－6.7V
在这里，二极管起钳位作用。
(3)本征半导体中加入三价杂质元素，便形成P型半导 体。其中空穴是多数载流子，电子是少数载流子， 此外还有不参加导电的负离子。
(4)杂质半导体中，多子浓度决定于杂质浓度，少子由
本征激发产生，其浓度与202温1 度有关。
2
(5) PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流， 呈现低电阻，PN结导通； (6) PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流， 呈现高电阻，PN结截止。
2021
9
二极管电路分析举例
定性分析：判断二极管的工作状态
导通 截止
若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零，
反向截止时二极管相当于断开。 “开关特性”
否则，正向管压降
硅0.6~0.8V 锗0.2~0.3V
电工技术下教学课件第14章二极管和晶体管
根据电路需求选择合适的器件
整流二极管
用于整流电路，将交流电转换为 直流电。根据工作频率、反向电 压和电流选择合适的整流二极管
。
晶体管
分为NPN和PNP型，根据电路需 求选择合适的晶体管类型和型号， 如硅管或锗管、低频或高频晶体管 等。
稳压二极管
用于稳压电路，根据稳压值、最大 电流和最大功耗选择合适的稳压二 极管。
最高工作频率
指二极管或晶体管正常工作时能够处理的最 高频率信号。这个参数反映了二极管或晶体 管的频率响应特性，决定了其在高频电路中 的应用范围。
开关速度
在高频电路中，二极管或晶体管的开关速度 也是一个重要的参数。开关速度越快，说明 二极管或晶体管在高频条件下的性能越好。
06
CATALOGUE
二极管和晶体管的选用原则
电流放大系数
电流放大系数表示集电极电流与基极电流之比，是衡量晶体管放大能力的重要参 数。
晶体管的特性曲线
输入特性曲线
描述基极电流与基极-发射极电压之间 的关系，反映了晶体管的开关特性。
输出特性曲线
描述集电极电流与集电极-发射极电压 之间的关系，反映了晶体管的放大特 性。
03
CATALOGUE
二极管的应用
整流电路
01
02
03
04
整流电路
利用二极管的单向导电性，将 交流电转换为直流电的电路。
单相半波整流电路
将一个二极管与一个负载电阻 串联，实现单相交流电的半波
整流。
单相全波整流电路
利用两个二极管反向并联，将 交流电的正负半周分别整流，
实现全波整流。
三相整流电路
利用三个或更多的二极管，将 三相交流电转换为直流电，常
电工与电子学课件--第十四章 二极管和晶体管-PPT资料42页
空穴
22.09.2019
电工与电子学
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14.1 半导体的导电特性
本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现， 同时又不断复合。
在一定的温度下，载流子的产生和复合达到动态 平衡，于是半导体中的载流子便维持一定的数目。
注意
①温度愈高，载流子数目愈多，半导体的导电性 能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。
发射结 N 发射区
集电结 基极 B
发射结
P 集电区 N 基区 P 发射区
发射极 E
发射极 E
C
IB IC
B
T
IE E
NPN型晶体管
C
IB IC
B
T
IE E
PNP型晶体管
22.09.2019
晶体管的结构示意图和表示符号 电工与电子学 回主页 总目录 章目录 上一页 下一页 退出
14.5 晶体管
14.5.2 电流分配和放大原理
PN结的单向导电性，半导体三极管电流分配和 放大作用。
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电工与电子学
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半导体三极管电流分配和放大作用，工作原理 和主要特性曲线。
讲课4学时，习题1学时。
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电工与电子学
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14.1 半导体的导电特性
P
N
交界面就形成一个特殊的薄层，
称为PN结。
22.09.2019
电工与电子学
PN结
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14.2 PN结及其单向导电性
电工学14和15章教案
电工学第七版第14、15章教案
教案
新课和新上课的教师要求写详案。
4．要求教师每学期上交教案。
教案
新课和新上课的教师要求写详案。
4．要求教师每学期上交教案。
教案
五、用图解法确定静态值
1．优点：直观地分析和了解静态值的变化对放大电路的影响。
2．步骤：
(1) 用估算法确定I B
新课和新上课的教师要求写详案。
4．要求教师每学期上交教案。
教案
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教案
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山东建筑大学 电工学A2二极管和晶体管 课件
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14.1.2 N型半导体和 P 型半导体
在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）, 形成杂质半导体。 在常温下即可
作原理和特性曲线，理解主要参数的意义； 3. 会分析含有二极管的电路。
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对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和 正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器 件的目的在于应用。
学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况， 对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近 似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结 果。
（a. 电子电流、b.空穴电流）
课本：练习与思考14.1.3
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14.2 PN结
14.2.1 PN结的形成
内电场越强，漂移运
空间电荷区也称 PN 结
少子的漂移运动
动越强，而漂移使空间 电荷区变薄。
P 型半导体
内电场 N 型半导体
－－－－－－ + + + + + + －－－－－－ + + + + + + －－－－－－ + + + + + + －－－－－－ + + + + + +
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14.1.1ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ本征半导体
1、概念： 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半 导体。
二极管和晶体管PPT课件
A
B
E
RB
IE V UBE
V
IC m A
RC EC
UCE
EB
实验线路(共发射极接法)
晶体管电流测量数据
IB/mA IC/mA IE/mA
0
0.02
<0.001 0.70
<0.001 0.72
0.04 0.06 0.08 0.10 1.50 2.30 3.10 3.95 1.54 2.36 3.18 4.05
扩散运动
14.2.2 PN结的单向导电性
PN结加正向电压，即正向偏置： P区加正电压、N区加负电压。
PN结加反向电压，即反向偏置： P区加负电压、N区加正电压。
PN结正向偏置
空间电荷区变薄
P
－+
+
－+
－+ 正向电流
－+
N _
内电场减弱，使扩散加强， 扩散飘移，正向（扩散）电流大
PN结反向偏置 空间电荷区变厚
P
－－ + +
N
_
－－ + +
+
－－ + +
－－
++
反向饱和电流 很小，A级
内电场加强，使扩散停止， 有少量飘移，反向电流很小
§14.3 二极管
1、基本结构
PN结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。
符号
P 阳极
P
+
D
N
—
N 阴极
14.3 二极管
1. 基本结构
按结构分，有点接触型和面接触型两种。
小功 率高 频
+
A
ID2
电工学第七版下册知识点和例题总结
电工学第七版下册知识点及相关习题摘要秦曾煌主编总体内容概况14章半导体二极管晶体管的基本知识15章基本放大电路（共发射极放大电路等）16章集成运算放大器基本运算17章电路中的反馈（主要是负反馈知识）18章直流稳压电源（整流电路，滤波器，稳压电路）以上为模拟电路，以下为数字电路20章门电路及其组合（数字进制编码器译码器）21章触发器知识点及对应例题和习题14章6页半导体特性，N型半导体和P型半导体8页PN结10页二极管特性例14.3.1 14页稳压二极管例14.4.3 14.23页双极型晶体管例14.5.1习题14.3.1----14.4.2 14.3.6 二极管及稳压二极管导电性14.5.1---14.5.6 14.5.9 双极型晶体管分析15章38--40页共发射极放大电路，及静态值确定例15.2.145页动态分析例15.3.1 49页输入信号图解分析52页分压式偏置放大电路例15.4.1 60页射极输出器性质71页共模抑制比习题15.2.1---15.2.4 15.2.5 15.2.7 共发射极放大电路15.3.1----15.7.1 15.3.5 15.4.3 偏置放大电路射极输出器差分电路16章95.96页运算放大器98.99页理想运放例16.1.1100--105页比例运算加减法运算例16.2.3112页电压比较器例16.3.1习题16.2.1---16.2.5 16.2.6 16.2.7 16.2.13 比例运算16.3.1，16.3.2电压比较器17章132页正反馈和负反馈的判别133---136页负反馈的四种类型141页表17.2.1 负反馈对输入电阻和输出电阻的影响146页RC振荡电路习题17.1.1---17.2.4 负反馈及类型判定17.2.5,17.3.1，17.2.7，17.2.9负反馈的计算18章158页单相半波整流电路例18.1.1 159页单相桥式整流电路167页RC滤波器例18.2.1习题18.1.1--18.1.4 整流电路18.2.1--18.3.3 滤波和稳压电路18.1.6 18.1.7 18.3.4 直流稳压电源综合20章222--224页数制的转化227--229页基本逻辑门电路图20.2.2 20.2.3 20.2.4 231--232页基本逻辑门电路组合图20.2.5 20.2.6 20.2.7 250.251页逻辑代数运算254页逻辑运算实例259页由逻辑图得状态表例20.6.1 20.6.2 262页由状态表得逻辑图例20.6.3 例20.6.4 269页编码器273页译码器习题20.1.1 20.1.2 进制转换20.2.1--20.5.3 门电路逻辑式20.5.4--20.6.6 门电路组合运算20.5.8--20.5.11 逻辑式和逻辑图的转化20.5.12---20.5.13 逻辑式化简21章298页RS触发器。
电力二极管和晶闸管讲义课件
电力二极管和晶闸管讲义课件一、引言本讲义课件旨在介绍电力二极管和晶闸管的根本概念、工作原理以及应用领域。
电力二极管和晶闸管是电子器件中非常重要的组成局部，对于电力系统的平安运行和电能的调控起着至关重要的作用。
通过学习本讲义，您将能够了解到电力二极管和晶闸管的特性以及在实际应用中的具体用途。
二、电力二极管2.1 根本概念电力二极管，也称为肖特基二极管，是一种具有单向导电特性的半导体器件。
它由P型半导体和N型半导体组成，其中P型半导体为阳极〔A〕端，N型半导体为阴极〔K〕端。
当正向电压作用于二极管时，电流能够从阳极端流向阴极端；而当反向电压作用于二极管时，电流几乎不会通过二极管。
2.2 工作原理电力二极管的导电特性是由肖特基效应产生的。
肖特基效应是指当P型半导体和N型半导体相接触时，由于能带结构的不连续性，形成一个肖特势垒。
在正向电压作用下，势垒降低，电子能够克服势垒，从P型半导体向N型半导体注入，形成电流；而在反向电压作用下，势垒增加，阻碍电流的流动。
2.3 应用领域电力二极管在电力系统中有着广泛的应用。
其主要作用是实现电能的整流，即将交流电转换成直流电。
电力二极管可以作为整流器使用，将交流电源转换为电流仅在一个方向上流动的直流电源。
此外，电力二极管还可以用于电压倍增电路、脉冲调制电路等方面。
三、晶闸管3.1 根本概念晶闸管是一种具有控制特性的高功率半导体器件。
它由四层半导体构成，包括三个PN结。
晶闸管有三个主要引脚，包括阳极〔A〕、阴极〔K〕和控制极〔G〕。
晶闸管的主要特点是具有单向导通性和双向控制性，其导通与截止状态可通过控制极上的信号进行控制。
3.2 工作原理晶闸管的导通与截止是由PN结的正向偏置与反向偏置来控制的。
当控制极施加正向脉冲信号时，PN结之间的势垒会降低，使得晶闸管导通；而当控制极施加反向脉冲信号或不施加信号时，PN结之间的势垒会增加，使得晶闸管截止。
3.3 应用领域晶闸管在电力系统中有着广泛的应用。
【2019年整理】电工与电子学课件--第十四章 二极管和晶体管
二极管和晶体管
14.1 半导体的导电特性
14.2 PN结及其单向导电性 14.3 二极管 14.4 稳压二极管 14.5 晶体管 14.6 光电器件
2019/4/21 电工与电子学
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理解PN结的单向导电性；了解二极管、稳压二 极管和晶体管的基本构造、工作原理和主要特性曲 线，理解主要参数的意义；理解晶体管的电流分配 和放大作用。
2019/4/21 电工与电子学
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14.3 二极管
根据二极管的单向导电性，它可用于整流、检波、 限幅、元件保护及在数字电路中作为开关元件等。
使用注意
实际二极管应考虑其正向压降（硅管0.6～0.7V， 锗管0.2～0.3V）； 理想二极管正向压降为零，反向截止。 分析方法：将二极管断开。 若 V阳 >V阴，则二极管导通； 若 V阳 <V阴，则二极管截止。
2019/4/21 电工与电子学
空穴和自由电子的形成
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14.1 半导体的导电特性
当半导体两端加上外电压时，半导体中将出现两 部分电流： ①自由电子作定向运动形成的电子电流； ②仍被原子核束缚的价电子递补空穴所形成的空 穴电流。
半导体和金属在导电原理上的本质差别：在半导 体中，同时存在着电子导电和空穴导电。 自由电子 统称为载流子
2019/4/21 电工与电子学
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14.1 半导体的导电特性
14.1.2 N型半导体和P型半导体
在本征半导体中掺入微量的杂质(某种元素)，形 成杂质半导体，其导电性能大大增强。 在单晶硅中掺入微量磷
第14章二极管和晶体管终稿 共60页
• PNP型
c集电极
P 集电区 集电结
14.5 晶体管
c
b基极
N基区
P
发射结
发射区
b e
e发射极 (a) PNP型
14.5 晶体管
14.5.2 电流分配和放大原理
• 内部条件
iC
• 外部条件
发射结正偏， 集电结反偏。
c
－
uBC iB +
• 电路接法：
共射接法
Rb
b+
uBE
N+
P uCE N
Rc VCC
VBB
－
iE －
e
晶体管内部载流子的运动
ICBO
iCn
iC
N
iB
iBE
P
Rb
EB
iEp
iE
(a) 载流子运动情况
N iEn
14.5 晶体管
• 发射区向基区扩散
电子的过程
• 电子在基区扩散和
复合过程
• 集电区收集从发射
区扩散过来电子的 EC 过程
晶体管内部载流子的运动
14.5 晶体管
Байду номын сангаас
iC ICBO
• 实验表明，在一定的温度下，电子浓度和空穴浓
度都保持一个定值.
14.1 半导体的导电特性
+4 C
+4
+4
+4 B
A +4
空穴
+4
• 空穴的
+4
运动实
自由电子 质 上 是
价电子
+4
填补空
共价键 穴 而 形
+4
成的。
电工学第七版第14章半导体课件上
半导体: 另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘 体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓 和一些硫化物、氧化物等。
(14-1)
半导体的导电机理不同于其它物质，所以它 具有不同于其它物质的特点。例如:
• 当受外界热和光的作用时, 它的导电能 • 力明显变化 -- 热敏特性、光敏特性。 • 往纯净的半导体中掺入某些杂质, 会使 • 它的导电能力明显改变 -- 掺杂特性。
以上均是二极管的直流参数, 二极管的应用主要 是利用它的单向导电性, 它可应用于整流、检波、限 幅、保护等等。
(14-31)
二极管电路分析
定性分析: 判二极管的工作状态 ---- 导通、截止 I
导通压降
U
死区电压
实际二极管: 正向导通 ---- 硅 0.6~0.8V 锗 0.2~0.3V 死区电压 ---- 硅 0.5V 锗 0.1V
PN 结加上正向电压、正向偏置的意思都是: P 区加正电压、N 区加负电压。
PN 结加上反向电压、反向偏置的意思都是: P区加负电压、N 区加正电压。
(14-22)
一、PN 结加正向电压 变薄
内电场被削弱, 多 子扩散加强, 能够形 成较大的正向电流。
+ P
－+ －+ －+ －+
_ N
外电场
R
内电场
(14-32)
理想二极管: 正向导通 ---- 管压降为零 反向截止 ---- 相当于断开 I
导通压降
U
硅0.7V 锗0.2V
(14-33)
二极管电路分析
分析方法: 1. 断开二极管
2. a) 分析其两端电位高低, b) 或其两端所加电压 UD 的正负。
大学电工与电子技术14章课件
无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。
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14.2 PN结及其单向导电性
14.2.1 PN结的形成
空间电荷区也称 PN 结
少子的漂移运动 P 型半导体
－ － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － －
内电场越强，漂移 运动越强，而漂移使 空间电荷区变薄。 扩散和漂移这 一对相反的运动 最终达到动态平 衡，空间电荷区 的厚度固定不变。
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2. 二极管限幅电路
限幅是指限制电路的输出幅值。输入信号的波形 经限幅后，只有其中一部分传到输出，其余部分则被 限制而消失。 模拟电子技术中，常用限幅电路来减小和限制某 些信号的幅值，以适应电路的不同要求，或作为保护 措施。在数字电路中, 常用限幅电路来处理信号波形。 限幅电路是用具有非线性特性的器件来实现的， 二极管可用来组成简单的限幅电路。限幅电路中的二 极管一般都工作在大电流范围，所以可采用二极管的 恒压模型来分析电路的工作原理。
ui 18V 8V
参考点
t
二极管阴极电位为 8 V ui > 8V，二极管导通，可看作短路， uo = 8V ui< 8V，二极管截止，可看作开路， uo = ui
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14.4 稳压二极管
1. 符号和外形图 – +
稳定电压UZ
2. 伏安特性
I
稳压管正常工作时 加反向电压
反向电流在 一定电压范围 内保持常数。
P–
+N
硅管0.5V 锗管0.1V
反向特性
外加电压大于反向击穿 电压二极管被击穿，失去 单向导电性。
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14.3 半导体二极管
二极管的结构示意图
金属触丝 阳极引线 N型锗片 阴极引线 N型硅 P 型硅 阳极引线 二氧化硅保护层
( a) 点接触型
铝合金小球 N 型硅
外壳
阴极引线
阳极引线 PN结 金锑合金 底座
(c ) 平面型
阳极
D 阴极
阴极引线
( d) 符号
( b) 面接触型 图 1 – 12 半导体二极管的结构和符号
3. 主要参数 (1) 稳定电压UZ 稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。 (2) 电压温度系数ｕ 环境温度每变化1C引起稳压值变化的百分数。 UZ (3) 动态电阻 r Z IZ
rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。
(4) 稳定电流 IZ 、最大稳定电流 IZM (5) 最大允许耗散功率 PZM = UZ IZM
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14.4 稳压二极管
1. 符号 2. 伏安特性
I
_
+
UZ
稳压管正常工作 时加反向电压
O
U
稳压管反向击穿后， IZ 电流变化很大，但其 IZ 两端电压变化很小， U Z IZM 利用此特性，稳压管 在电路中可起稳压作 使用时要加限流电阻 用。
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14.5 半导体三极管
14.5.1 基本结构
B
E 二氧化碳保护膜 B N型锗 P 铟球
E P
铟球
P型硅 N型硅 C
(a)
N型硅
C (b)
晶体管的结构 (a)平面型； (b)合金型
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14.5 半导体三极管
发射结 发射极 E P 集电结 发射结 集电极 发射极 E C P N 集电结 P 集电极 C N 发射区 C
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14.3 半导体二极管
14.3.1 基本结构
(a) 点接触型 结面积小、 结电容小、正 向电流小。用 于检波和变频 等高频电路。 (b)面接触型 结面积大、 正向电流大、 结电容大，用 于工频大电流 整流电路。
(c) 平面型 用于集成电路制作工艺中。PN结结面积可大可 小，用于高频整流和开关电路中。
无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。
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1. 在杂质半导体中多子的数量与 a （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 2. 在杂质半导体中少子的数量与 b
（a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 3. 当温度升高时，少子的数量 c （a. 减少、b. 不变、c. 增多）。 4. 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流 主要是 b ，N 型半导体中的电流主要是 a 。
PN 结变宽
－ － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + +
P
IR
内电场 外电场
N
–
内电场被加 强，少子的漂 移加强，由于 少子数量很少， 形成很小的反 向电流。
+
PN 结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小， 反向电阻较大，PN结处于截止状态。 温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。
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例2:
D2 D1
求：UAB
3k 12V
6V
两个二极管的阴极接在一起 A + 取 B 点作参考点，断开二极 UAB 管，分析二极管阳极和阴极 – B 的电位。
V1阳 =－6 V，V2阳=0 V，V1阴 = V2阴= －12 V UD1 = 6V，UD2 =12V ∵ UD2 >UD1 ∴ D2 优先导通， D1截止。 若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB = 0 V 流过 D2 的电流为 12 在这里， D2 起 I D2 4mA 钳位作用， D1起 3 D1承受反向电压为－6 V 隔离作用。
1. PN 结加正向电压（正向偏置） P接正、N接负
PN 结变窄
－－－ － － － －－－ － － － －－－ － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + +
P IF + –
内电场 外电场
N
内电场被 削弱，多子 的扩散加强， 形成较大的 扩散电流。
PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较 大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。
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2. PN 结加反向电压（反向偏置） P接负、N接正
－ － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + +
P
内电场 外电场
N
–
+
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2. PN 结加反向电压（反向偏置） P接负、N接正
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14.3.3 主要参数
1. 最大整流电流 IOM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向 平均电流。 2. 反向工作峰值电压URWM 是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压， 一般是二极管反向击穿电压UBR的一半或三分之二。 二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。 3. 反向峰值电流IRM 指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反 向电流大，说明管子的单向导电性差，ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱRM受温度的 影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小， 锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。
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二极管电路分析举例
导通 截止 若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零， 反向截止时二极管相当于断开。
定性分析：判断二极管的工作状态
否则，正向管压降
硅0.6~0.7V 锗0.2~0.3V
分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位 的高低或所加电压UD的正负。 若 V阳 >V阴或 UD为正( 正向偏置 )，二极管导通 若 V阳 <V阴或 UD为负( 反向偏置 )，二极管截止
内电场 N 型半导体
+ + + + + + + + + + + +
+ + + + + +
+ + + + + +
扩散和漂移 这一对相反的 运动最终达到 动态平衡，空 间电荷区的厚 度固定不变。
浓度差 形成空间电荷区
多子的扩散运动 扩散的结果使空 间电荷区变宽。
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14.2.2 PN结的单向导电性
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二极管的单向导电性
1. 二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴 极接负 ）时， 二极管处于正向导通状态，二极管正 向电阻较小，正向电流较大。 2. 二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴 极接正 ）时， 二极管处于反向截止状态，二极管反 向电阻较大，反向电流很小。 3.外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失 去单向导电性。 4.二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反 向电流愈大。
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14.1.2 N型半导体和 P 型半导体
在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）, 形成杂质半导体。 在常温下即可 变为自由电子 掺入五价元素 掺杂后自由电子数目 Si Si 多 余 大量增加，自由电子导电 电 成为这种半导体的主要导 p+ Si Si 子 电方式，称为电子半导体 或N型半导体。 失去一个 电子变为 正离子 磷原子 在N 型半导体中自由电子 是多数载流子，空穴是少数 载流子。
对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就 不要过分追究精确的数值。 器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差、 工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。
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14.1 半导体的导电特性
半导体的导电特性： 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强 (可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做 成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。
（a. 电子电流、b.空穴电流）
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14.2 PN结
14.2.1 PN结的形成
空间电荷区也称 PN 结
少子的漂移运动 内电场越强，漂移运 动越强，而漂移使空间 电荷区变薄。
P 型半导体
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例1：
D + 3k
A
电路如图，求：UAB 取 B 点作参考点， 断开二极管，分析二 极管阳极和阴极的电 位。
6V 12V
UAB
– B
V阳 =－6 V V阴 =－12 V V阳>V阴 二极管导通 若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB =－ 6V 否则， UAB低于－6V一个管压降，为－6.3Ｖ或－6.7V 在这里，二极管起钳位作用。