模拟电子技术 期中试卷

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模拟电子技术试卷3

模拟电子技术试卷3

模拟电子技术期中试卷一、选择题。

(每题3分,共36分)1.在本征半导体中,电子浓度_______空穴浓度。

A.大于B.小于C.等于D.不定2.使用万用表直流电压挡,测的电路中晶体管各极相对于某一参考点的电位如图2所示,从而可判断出该晶体管工作在_____。

A.饱和状态.B.放大状态C.截止状态D.倒置状态3.共模抑制比K是______之比.GMRA.差模输入信号与共模输入信号B.输出量中差模成分与共模成分C.差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)D.交流放大倍数与直流放大倍数(绝对值)4.差动放大电路的主要优点是。

A、稳定的放大性能B、较高的输入电阻C、能有效地抑制零点漂移D、有稳定地静态工作点5.稳压管的稳压区是工作在______。

A.正向导通区 B.反向截止区 C.反向击穿区6.二极管两端地反向偏置电压增高时,在达到______电压以前,通过的电流很小。

A.击穿 B.最大 C.短路7.如图所示电流放大电路的输出端直接与输入端相连,则输出电阻R_______。

iA.R1 B.(1+β)R1C.R1/ 1+β D.R1/ β8.变容二极管在电路中使用时,其PN结是_______。

A.正向运用B.反向运用9.当晶体管工作在放大区时,_______。

A.发射结和集电结均反偏;B.发射结正偏,集电结反偏;C.发射结和集电结均正偏。

10.在非线性失真中,饱和失真也称为()A.顶部失真B.底部失真C.双向失真11.简单地把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起______形成PN结。

A.能够B.不能C.不一定12.当二极管两端正向偏置电压大于______电压时,,二极管才能导通。

A.击穿B.饱和C.门槛二、填空题。

(每空2分,共12分)1.写出下列正弦波电压信号的表达式:A.峰—峰值10V,频率10kHz ( )B.均方根值220V,频率50Hz ( )C.峰—峰值100mV,周期1ms()D.峰—峰值0.25V,角频率1000rad/s( )2.一电压放大电路输出端接1kΩ负载电阻时,输出电压为1V,负载电阻断开时,输出电压上升到 1.1V。

模拟电子技术期中考试卷

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模拟电子技术期中考试卷
1.(10分)两级阻容耦合放大电路如图所示,已知T 1的g m =1ms ,r ds =200k Ω, T 2的β=50,r be =1k Ω,⑴画出该放大电路的微变等效电路;
⑵求放大电路的电压放大倍数i O U U A .
../ ;
⑶求放大电路的输入电阻R i 和输出电阻R o ;
2. (10分)已知电路如图所示,T1和T2管的饱和管压降│U CES │=3V ,V CC =15V , R L =8Ω。

选择正确答案填入空内。

(1)电路中D1和D2管的作用是消除 。

A .饱和失真
B .截止失真
C .交越失真
(2)静态时,晶体管发射极电位U EQ 。

A .>0V
B .=0V
C .<0V
(3)最大输出功率P OM 。

A .≈28W
B .=18W
C .=9W
(4)当输入为正弦波时,若R 1虚焊,即开路,则输出电压 。

A .为正弦波
B .仅有正半波
C .仅有负半波
(5)若D1虚焊,则T1管 。

A .可能因功耗过大烧坏
B .始终饱和
C .始终截止
U
o
CC。

模拟电子技术期中考试题

模拟电子技术期中考试题

模拟电子技术期中考试题1.填空题:(每空2分,任意选择选作,最多可得50分)(1)三种双极型管的基本组态放大电路中,输入电阻最大的是共集电放大电路;输入电阻最小的是共基放大电路;输出电压与输入电压反相的是共射放大电路;电压放大倍数最大的是共射和共基放大电路;电压放大倍数最小的是共集电放大电路;输出电阻最小的是共集电放大电路;电流放大倍数最大的是共集电放大电路;既有电流放大又有电压放大的是共射放大电路。

(2)天然的硅和锗经过高度提纯后形成具有共价键(或晶格对称)结构的本征半导体;在本征半导体中掺入微量的三价杂质元素,可形成P型半导体,其多子是空穴,少子是自由电子,不能移动的离子带负电;掺入微量的五价杂质元素,可获得N型半导体,其多子是自由电子,少子是空穴,不能移动的离子带正电。

(3)二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个区。

双极型三极管的输出特性曲线上可分为放大区、饱和区和截止区三个区。

(4)双极型管主要是通过改变基极小电流来改变集电极大电流的,所以是一个电流控制型器件;场效应管主要是通过改变栅源间电压来改变漏极电流的,所以是一个电压控制型器件。

(5)组成放大电路的基本原则是:外加电源的极性应使三极管的发射结正偏、集电结反偏。

(6)放大电路的基本分析法有静态分析法和动态分析法;其中动态分析法的微变等效电路法只能用于分析小信号放大电路;确定放大电路的静态工作点可采用估算法和图解法。

(7)多级放大电路的耦合方式通常有阻容耦合、直接耦合和变压器耦合三种方式;集成电路中一般采用直接耦合方式。

(8)放大电路中出现的饱和失真和截止失真称为非线性失真;频率失真称为线性失真。

2.简答题:(每小题10分,也可任意选作)(1)双踪示波器在电子仪器中的功能是什么?说说信号为1kHz时,周期档位如何选择?答:双踪示波器在电子仪器中可以用来准确显示任意波形、任意频率和一定幅度的电信号轨迹。

《模拟电子技术基础》期中测试题

《模拟电子技术基础》期中测试题

《模拟电子技术基础》期中测试题一、填空题:(40分1.在本征半导体中加入三价元素可形成 p 型半导体,加入五价元素可形成 n 型半导体。

2.当PN 结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变 zai ;当PN 结外加反向电压时,扩散电流小于漂移电流,耗尽层变宽。

3.二极管最主要的特性是单向导电。

在常温下,硅二极管的开启电压约 0.5 V ,导通后在较大电流下的正向压降约0.7 V ;锗二极管的开启电压约 0.1 V ,导通后在较大电流下的正向压降约0.2 V 。

4.为保证三极管处于放大状态,其发射结必须加正向偏置电压,集电结必须加反向偏置电压。

5.场效应管是一种亚控器件,它利用善缘电压控制漏极电流i D 。

6.NPN 型三极管共射放大电路的输出波形有底部失真,它属于饱和失真,消除该失真要增大 Rb 的阻值。

7.某三极管的极限参数P CM =150mW,I CM =100mA,U (BRCEO =30V,若它的工作电压U CE =10V,则工作电流I C 不得超过 mA ;若工作电压U CE =1V ,则工作电流不得超过 mA ;若工作电流I C =1mA,则工作电压不得超过 V 。

8.图1.8(a和(b是两个放大管的不完整的符号,根据图中所给数据和电流方向,判断它们的导电类型分别为型和型,用半导体材料和制成,电流放大系数β分别为和。

图1.8图1.99.根据图 1.9中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为饱和、放大、截止。

10.三极管处于放大状态时,是工作在其特性曲线的放大区;场效应管工作在放大状态时,是工作在其特性曲线的恒流区。

11.集成运放的内部电路是一种耦合的多级放大电路,它的放大倍数非常高,但是各级静态工作点Q是相互的。

12.互补对称输出电路容易产生交越失真,主要因为两个对称三极管特性有电压,在回路加偏置电压可消除该失真。

13.阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立,能够放大高频信号。

《模拟电子技术(第2版)》试题库 模电期中试卷

《模拟电子技术(第2版)》试题库 模电期中试卷

《模拟电路》课程期中试卷班级姓名学号成绩一、选择题(将一个正确选项前的字母填在括号内)(每小题2分、共30分)1. 在实际工作中调整放大器的静态工作点一般是通过改变( )A.发射极电阻B. 基极电阻C. 集电极电阻D.三极管的值2.在三极管的基本组态电路中 ( )A.共发组态输出电阻最小B.共发组态输入电阻最小C.共基组态输出电阻最小D.共集组态输入电阻最大3. 若要稳定输出电流同时提高输入电阻,可加入下列负反馈()A.电流串联B.电压串联C.电流并联D.电压并联4. 为了稳定静态工作点,电路中应该引入()A.交流负反馈B.直流负反馈C.直流正反馈D.交流正反馈5. 差分放大器是一种直接耦合放大器,它( )A.只能放大直流信号B.只能放大交流信号C.不能放大交流信号D.可以抑制共模信号6. 直接耦合放大电路零点漂移产生的主要原因是( )A.输入信号较大B.环境温度C.各元件质量D.电压放大倍数7. 如图所示为示波器测量正弦波波形参数的画面,若“TIME/DIV”的指示值是2μs,则所测正弦波的频率为()A.500kHz B.250kHz C.125kHz D.100kHz8. 如上图所示为示波器测量正弦波波形参数的画面,若“mV/DIV”的指示值是50,则所测正弦波的最大值为()A.230 mV B.80 mV C.115 mV D.100 mV9. 用万用表欧姆档辨别发光二极管的阴、阳极时,应该把欧姆档拨到()A.R×100或R×1k档B.R×1档C.R×10档D.R×10k档10. 若反馈信号与输出电压信号成比例,则引入的反馈是( )A.电流负反馈B.电压负反馈C.并联负反馈D.串联负反馈11. 在深度负反馈下闭环放大倍数比较稳定的原因是( )A.改善了非线性失真B.输入电阻增大C.输出电阻减小D.反馈网络的稳定特性12. 集成运放为了克服温漂问题,输入级大多采用的电路为( )A.共射电路B.差分放大电路C. 共集电路D. 共基电路13. 要从函数信号发生器上输出峰峰值为50mV的信号,正确的衰减设置( )A.全部弹出B.仅20dB按钮按下C.仅40dB按钮按下D.全部按下14. 电压跟随器在电路中可能起的作用有( )A.放大电压信号B.放大电流信号C.减小电路的输入电阻D.缓冲数据15. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是,后者的运放通常工作在()A.深度负反馈状态 B. 放大状态 C. 开环或正反馈状态 D.线性工作状态二、填空题(每小题2分,共12分)1. PNP型三极管工作在放大状态,三点的电位关系为。

模拟电子技术(期中考试)

模拟电子技术(期中考试)

·《模拟电子技术》课程(期中)第一题:填空题(每空2分,共32分)。

1、N型半导体是在本征半导体中掺入价元素;其多数载流子为。

2、二极管伏安特性方程,表达式为。

3、BJT放大电路静态工作点选得偏高,可能使放大器进入区,并使输出信号的波形产生失真。

4、场效应管的输出特性曲线可分为三个区域,分别是截止区、、。

5、画放大电路的直流通路时,应将隔直电容看作;直流电压源可看作。

6、理想放大器,两输入端电压差可认为0,这种现象被称为概念。

7、电压的国际单位是;电感的国际单位是。

8、某放大器开环放大倍数为A,反馈系数为F,引入负反馈后放大倍数为。

9、乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I C Q= ,静态时的电源功耗P D C=,但这种功放有失真。

10、长尾式差分放大器中电阻Re的作用是引入一个;所学过的基本放大电路中电压放大系数近似为1的是。

第二题:判断题(每题2分,共10分)。

1、场效应管是电压控制型器件。

( )2、运放在线性应用时,必需使它处于开环或正反馈状态。

( )3、乙类互补对称功放电路在输出功率最大时,管子的管耗最大。

( )4、长尾式差分放大电路中,Re越大,K CMR越小。

( )5、放大器的组态中,共射极具有电压倒相作用,而共集电极没有。

()第三题:单选题(每题2分,共10分)。

1、硅稳压管在稳压电路中时,工作在()状态。

A.正向导通状态B.反向齐纳击穿状态C.反向截止状态D.放大状态2、若三级放大电路中的各级电压增益Au1=40dB、Au2= Au3=20dB,则该放大电路的电压放大倍数为()倍。

A.100B.80C.1000D.100003、在某放大电路中,测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是()。

A.NPN 型硅管B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管4、在图中,能够构成复合管的是( ) 。

5、放大器引入串联负反馈后,闭环输入电阻()。

模拟电子技术期中考试题1[1页]

模拟电子技术期中考试题1[1页]

模拟电子技术期中考试题1.填空题:(每空2分,任意选择选作,最多可得50分)(1)三种双极型管的基本组态放大电路中,输入电阻最大的是 放大电路;输入电阻最小的是 放大电路;输出电压与输入电压反相的是 放大电路;电压放大倍数最大的是 和 放大电路;电压放大倍数最小的是 放大电路;输出电阻最小的是 放大电路;电流放大倍数最大的是 放大电路;既有电流放大又有电压放大的是 放大电路。

(2)天然的硅和锗经过高度提纯后形成具有 结构的本征半导体;在本征半导体中掺入微量的三价杂质元素,可形成 型半导体,其多子是 ,少子是 ,不能移动的离子带 电;掺入微量的五价杂质元素,可获得 型半导体,其多子是 ,少子是 ,不能移动的离子带 电。

(3)二极管的伏安特性曲线上可分为 区、 区、 区和 区四个区。

双极型三极管的输出特性曲线上可分为 区、 区和 区三个区。

(4)双极型管主要是通过改变 极小电流来改变 极大电流的,所以是一个 控制型器件;场效应管主要是通过改变 间电压来改变 电流的,所以是一个 控制型器件。

(5)组成放大电路的基本原则是:外加电源的极性应使三极管的发射结 偏、集电结 偏。

(6)放大电路的基本分析法有 分析法和 分析法;其中 分析法的微变等效电路法只能用于分析 信号放大电路;确定放大电路的静态工作点可采用 法和 法。

(7)多级放大电路的耦合方式通常有 耦合、 耦合和 耦合三种方式;集成电路中一般采用 耦合方式。

(8)放大电路中出现的饱和失真和截止失真称为 失真;频率失真称为 失真。

2.简答题:(每小题10分,也可任意选作)(1)双踪示波器在电子仪器中的功能是什么?说说信号为1kHz 时,周期档位如何选择?(2)函数信号发生器在电子线路的测量中能做什么?(3)电子线路的测量中,为什么要使用电子毫伏表而不用普通电压表测量电压?电子毫伏表的读数是所测电压的有效值还是最大值?还是峰-峰值?3.计算题:(可任选一题,其中第1题作对可得40分,第2题作对可得60分)(1)图示分压式偏置放大电路中,已知R C =3k Ω,R B1=80k Ω,R B2=20k Ω,R E =1k Ω,β=80,①画出直流通道,进行静态分析(设U BE =0.7V );②画出微变等效电路,进行动态分析(设r bb’=300Ω)。

模拟电子技术期中试题(2020)

模拟电子技术期中试题(2020)

课程: 模拟电子技术(期中) 分数: 班级: 学号: 姓名: 第一题、分析计算题(共计15分)如题1图所示电路中,稳压管的稳定电压U Z =6V ,最小稳定电流I Zmin =5mA ,最大稳定电流I Zmax =25mA 。

当U I = 32V 时,请回答:1. 求此时输出电压U O 的值;2. 此时该电路是否能空载工作?为什么?题1图 第二题、读图分析题(共计20分)有一MOS 型场效应管输出特性曲线如题2图所示,试判断:1. 它是哪一类型的场效应管?2. 它的V GS(th)和I D0是多少?3. 画出其相应的转移特性曲线。

DS (V)题2图第三题、分析画图题(共计16分)电路如题3图所示,已知10sin (V)i u t ω=,E= 4V ,试对应i u 画出ou的波形,并标出对应的幅值。

设二极管正向导通电压可忽略不计。

(要求:写出分析过程)题3图第四题、读图分析题(共计15分)如题4图所示,已知115k R =Ω,235k R R ==Ω,4 2.3k R =Ω,5100k R =Ω,6L 5k R R ==Ω,500S R =Ω,12V CC V =,两只晶体管的12150ββ==,BEQ1BEQ20.7V U U ==,请回答:1. 分别说明T1和T2管的组态;(10分)2. 说明该多级放大器采用的耦合方式;(5分)3. 求该多级放大器的输入电阻i R 。

(选做)R +ou u题4图第五题、分析计算题(共计34分)如题5(a)图所示三极管放大电路的50β=, BE 0.7V U =,200bb r '=Ω1. 现已测得静态管压降CEQ 6V U =,估算R b 约为多少千欧;(6分)2. 画出交流微变等效电路;(6分)3. 计算r be ;(5分)4. 若输入电压有效值U i =1mV ,经过该电路放大后测得的输出电压有效值U O 为多少?(6分)5.若Ce 开路,则在U i =1mV 时,输出电压有效值U O 为多少?(6分)6. 若测得o u波形出现如题5(b) 图所示时,说明电路产生什么失真?产生这种现象的原因是什么?(5分)tωo /u 题5(a)图 题5 (b)图。

模拟电子题期中考试题

模拟电子题期中考试题

《模拟电子技术》期中考试试卷姓 名: 学 号: 专业班级:一、填空题(本题共3小题,每空1分,共10分)⒈ 电路如图所示,设二极管D 为理想二极管,则此时 A 、B 之间的电压U AB = 伏。

⒉ 一共射放大电路及其输出特性曲线如下图所示。

若静态工作点由Q 1移到Q 2位置,则应调整 电阻,如何调 (调大或调小)。

若静态工作点由Q 2移到Q 3位置,则应调整电阻,如何调 (调大或调小)。

假设该电路出现非线性失真,调整R b ,使其阻值变大后,失真消失,则此失真为 失真。

容易产生截至失真的是 ,容易产生饱和失真的是 。

3. PN 结的伏安特性方程 i = ,表明PN 结呈现 导电性。

二、单选题(共20小题,每题1分,共20分) 选择正确答案填入空内,只需填入A 、B 、C … 。

⒈ PN 结加正向电压时,空间电荷区将 。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽⒉ 设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程是 。

A. UI e S B. TU U I eS C . )1e (S -T U U I⒊ 稳压管的稳压区是其工作在 。

A. 正向导通 B .反向截止 C .反向击穿⒋ 当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 。

A. 前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏⒌ 放大电路中三极管的三个电极为U X =-8V ,U Y =-7.3V ,U Z =0V ,如图所示。

则e 、b 、c 三极为 。

⒍ 放大器A u =100,输入电阻为10KΩ,当引入反馈系数F u =0.09的电压串联负反 馈后,电压放大倍数和输入电阻为 。

A. A uf =9,R id =100 KΩB. A uf =10,R id =100 KΩC. A uf =10,R id =90 KΩD. A uf =9, R id =90 KΩ ⒎ 放大器引入电压并联负反馈后可以稳定 。

A. 电压放大倍数B. 互阻放大倍数C. 互导放大倍数 D .电流放大倍数 ⒏ 差动放大器如图所示,则其电压放大倍数为 。

模拟电子技术期中测试

模拟电子技术期中测试

模电期中测试一、 填空题(1空1分,共30分)1. 自然界的各种物质按导电能力分__导体____、_半导体______、__绝缘体________。

2. 杂质半导体具有___P______型和_____N _____型之分。

3. PN 结加正向电压,是指电源的正极接_P________区,电源的负极接_______N __区,这种接法叫___正向偏置法______。

4. N 型半导体是在本征半导体中掺入___+5_____价元素,其多数载流子是___自由电子_________,少数载流子是___空穴________。

5. P 型半导体是在本征半导体中掺入__+3______价元素,其多数载流子是____空穴________,少数载流子是___自由电子________。

6. 二极管的最主要特性是____单向导电性___________,它的两个主要参数是反映正向特性的___电流_____和反映反向特性的___电压________。

7. 稳压二极管是利用二极管的___反向击穿________特性进行稳压的。

8. .双极型晶体管从结构上可以分成__NPN____和___PNP ____两种类型,它们工作时有_自由电子____和____空穴__两种载流子参与导电。

9. 晶体三极管用来放大时,应使发射结处于__正向___偏置,集电结处于_反向____偏置。

10. 为了实现下列目的,应引入A.电压B.电流C.串联D.并联①为了稳定放大电路的输出电压,应引入_A ____。

②为了稳定放大电路的输出电流,应引入__B ___。

③为了增大放大电路的输入电阻,应引入__C ___。

④为了减小放大电路的输入电阻,应引入__D ___。

⑤为了增大放大电路的输出电阻,应引入__B ___。

⑥为了减小放大电路的输出电阻,应引入__A ___。

※电流串联电阻大,电压并联电阻小,对应出入电阻二、 判断题(每题2分,共10分)1.漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。

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10、判断下面三级管的工作状态(
C.-4V )
三、判断题(每题 1 分,共 10 分)
1、晶体二极管击穿后立即烧毁。 ()
2、用万用表测二极管正向电阻,插在万用表标“+”号插孔的测试棒(通常是红色棒 )
所连接的二极管的管脚是二极管正极,另一为负极。 ( )
3、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体(P 型或 N 型)构成的,所以 极 e 和 c 极可以互换使用。()
4、三极管处于截止状态时,发射结正偏 ()
5、晶体三极管具有能量放大功能。 ()
6、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。 ()
7 、 二 极 管 两 端 加 上 0.7V 的 电 压 就 能 导 通 。 ( )8 、 无论是 NPN 还是 PNP 三极管处于放大状态时都要求 Vc>Vb>Ve 。 ( )
A.一定导通 B.超过死区电压才能导通 C.超过 0.7 伏才导通 D.超过 0.3 伏才导通 2.下列 元器件中,()可将电信号转化成光信号。 A.二极管 B.三极管 C.发光二极管 D.光电二极管 3.处于饱和状态时,三极管的发射结和集电结分别处于( ) A. 发射结和集电结都处于正偏 B. 发射结处于正偏,集电结处于反偏 C. 发射结处于反偏,集电结处于正偏 4.对直流通路而言,放大电路中的电容应视为 。 A、直流电源 B、开路 C、短路 5、测得放大电路中三极管的各极电位如图,则该三极管为( )
Rb1 Rc
C2 C2
+ +
++
V
C1
+
V
RL
Re
+ Ce
_
(a)
Rb2
Re
Ce
_

模拟电子技术期中测验题及答案

模拟电子技术期中测验题及答案

模拟电子技术期中测验题及答案————————————————————————————————作者:————————————————————————————————日期:2013-2014学年第(2)学期期中考试答案课程代码 0471003/3122200 课程名称 模拟电子技术A/模拟电子技术教师签字一、选择及填空题:(共52分,每空2分)1.在某放大电路中,测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为-1.2mA 、-0.03mA 、1.23mA 。

由此可判断电极①是 C ,电极②是__B __,电极③是_A ___(A .发射极, B .基极, C .集电极); 该晶体管的类型是_ A ___(A .PNP 型, B .NPN 型);该晶体管的共射电流放大系数约为_ A ___(A .40 ,B .100,C .400)。

2.写出图示各电路的输出电压值(设二极管导通电压V U D 7.0=),=1O U 1.3V ,=2O U 0v 。

3.已知下面图(a )所示电路的幅频响应特性如图(b )所示。

影响f L 大小的因素是 C ,影响f H 大小的因素是 A 。

(A .晶体管极间电容,B .晶体管的非线性特性,C .耦合电容)ff Hf LOC R b R c+V CCu i( a )( b ).A u20lg u o当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时,放大倍数的值约下降到中频时的 B (A. 0.5 B. 0.7 C.0.9)倍。

当f = f L 时,o U 与iU 相位关系是 C (A. 45˚ B. -90˚ C. -135˚)。

题号 一 (52分) 二.1 (18分) 二.2 (14分) 二.3(16分) 总成绩 得分 班 级 学 号 姓 名密封装订线密封装订线R b +V CCC 2R LC 1u i u o 120236u CE V60μA 40μA50μA 30μA 51448=10μA I B 20μA 2610VTR c Qi C mA4.有一放大电路对一电压信号进行放大,当输出端开路时输出电压是5V ;接入2k Ω负载后,输出电压降为 4V ,这说明放大电路的输出电阻为 0.5K Ω 。

模拟电路期中试卷

模拟电路期中试卷

模拟电子技术期中考试试卷教师签字一、选择及填空题:(共54分,每空2分)1.在某放大电路中,测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为-1.2mA 、-0.03mA 、1.23mA 。

由此可判断电极①是 ,电极②是__ __,电极③是_ ___(A .发射极, B .基极, C .集电极); 该晶体管的类型是____(A .PNP 型, B .NPN 型);该晶体管的共射电流放大系数约为____(A .40 ,B .100,C .400)。

2.已知某N 沟道增强型MOS 场效应管的V V T 4=。

下表给出了三种状态下u GS 和u DS 的值,判断各状态下管子工作在什么区。

A. 恒流区B. 可变电阻区C. 截止区3.已知下面图(a )所示电路的幅频响应特性如图(b )所示。

影响f L 大小的因素是 ,影响f H 大小的因素是 。

(A .晶体管极间电容,B .晶体管的非线性特性,C .耦合电容)HLV CC( a )( b )当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时,放大倍数的值约下降到中频时的 (A. 0.5 B. 0.7 C. 0.9)倍。

当f = f L 时,oU 与i U 相位关系是 (A. 45˚ B. -90˚ C. -135˚)。

4.有一放大电路对一电压信号进行放大,当输出端开路时输出电压是5V ;接入2k Ω负载后,输出电压降为班 级 学 号 姓密封装订线 密封装订线 密封装订线R L12E V4826104V,这说明放大电路的输出电阻为。

5.为下列不同的要求分别从图示电路中选择合适的电路形式。

(1).电压放大倍数uA >10,并具有较大的电流放大能力的电路是。

(2).电压放大倍数uA >10,并且输出电压与输入电压同相的电路是。

(3).电压放大倍数uA ≈1,输入电阻iR>100kΩ的电路是。

L( a )L( b )L( c )6.放大电路及相应的晶体管输出特性如下图所示,直流负载线和Q点也标在图上(设U BEQ=0.7V)。

模电期中考试题库及答案

模电期中考试题库及答案

模电期中考试题库及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电路中,三极管工作在放大区的条件是()。

A. 基极电流大于集电极电流B. 发射结正向偏置,集电结反向偏置C. 发射结反向偏置,集电结正向偏置D. 发射结和集电结都正向偏置答案:B2. 理想运算放大器的输入电阻是()。

A. 0ΩB. ∞ΩC. 1ΩD. 1kΩ答案:B3. 共发射极放大电路中,若基极电流增大,则集电极电流将()。

A. 增大B. 减小C. 不变D. 无法确定答案:A4. 在多级放大电路中,耦合方式为()可以避免零点漂移。

A. 直接耦合B. 阻容耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合答案:A5. 差分放大电路中,若输入信号为共模信号,则输出电压将()。

A. 增大B. 减小C. 基本不变D. 无法确定答案:C6. 场效应管的控制量是()。

A. 漏极电流B. 漏极电压C. 栅源电压D. 漏极电流和漏极电压答案:C7. 正弦波振荡电路中,若要产生正弦波,则相位移动网络的相位移动量应为()。

A. 90°B. 180°C. 270°D. 360°答案:A8. 理想二极管的正向导通电压为()。

A. 0VB. 0.7VC. 0.3VD. 1V答案:A9. 电源滤波电路中,若要提高滤波效果,可以()。

A. 增大电感B. 增大电容C. 增大电阻D. 减小电感答案:B10. 负反馈放大电路中,反馈信号与输入信号相位()。

A. 相同B. 相反C. 无法确定D. 有时相同有时相反答案:B二、填空题(每题2分,共20分)1. 三极管的三个极分别是发射极、集电极和______。

答案:基极2. 运算放大器的差模输入电压是两个输入端电压的______。

答案:差值3. 共基极放大电路的电流增益为______。

答案:14. 差分放大电路的差模输入电压是两个输入端电压的______。

答案:差值5. 场效应管的漏极电流与栅源电压之间的关系是______。

模拟电子技术基础试卷期中答案

模拟电子技术基础试卷期中答案

R o = 2 kΩ
(b) Au = − : ɺ
(1 + β) Re ≈ 0.99 (或 ≈ 1 ) rbe + (1 + β)Re
Ro = Re //
rbe ≈ 19Ω 1+β
ɺ 2. : U o = Au U i (a)
RL ≈ 146mV Ro + RL RL ≈ 294mV Ro + RL
ɺ (b) U o = Au U i :
RL ≈ 7.56V Rc + RL
′ Rc = Rc // RL ≈ 1.89kΩ
′ U CEQ =V ′ CC− I CQ Rc ≈ 4.9V
2.
R b1 . Ui . Ib . . Uo
R b2
r be
β Ib
Rc
RL
3. rbe = rbb′ + (1 + β)
UT ≈1.9k Ω I EQ
3 3
0 3
截止 导通
导通 导通
0.3 3.3
四、非客观题(5 小题,共 49.0 分) (10 分)[15 1.5 2.5 3.5 t ms
(12 分)[2][答案] 1. : Au = − (a) ɺ
βRc ≈ −0.97 (或 ≈ −1 ) rbe + (1 + β)Re
====================答案==================== 答案部分,(卷面共有 20 题,100.0 分,各大题标有题量和总分) 一、选择题(8 小题,共 30.0 分) (1 分)[1][答案] C|A (2 分)[2][答案] A|C (6 分)[3][答案] A|A|C|D|B (2 分)[4][答案] C (8 分)[5][答案] B|C (2 分)[6][答案] B|A (6 分)[7][答案] C|A|C|B|D (3 分)[8][答案] A|A|B 二、是非(5 小题,共 14.0 分) (2 分)[1][答案] 错 (1 分)[2][答案] 对|错 (2 分)[3][答案] 错 (3 分)[4][答案] 对|对对|错 (6 分)[5][答案] 错|对|对|错 三、填空题 (2 小题,共 7.0 分) (2 分)[1][答案] 3.5V (5 分)[2][答案] U1 / V 0 0 U2 / V 0 3 VD1 导通 导通 VD2 导通 截止 U O/ V 0.3 0.3

模拟电子技术期中试卷(一)(可编辑修改word版)

模拟电子技术期中试卷(一)(可编辑修改word版)

模拟电子技术期中试卷(一)一、选择题。

(每题3 分,共36 分)1.在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于。

A.掺杂工艺B.温度C.杂质浓度D.晶体缺陷2.在某放大电路中,晶体管三个电极的电流如图所示,已量出I 1 =-1.2mA, I2=-0.02mA, I3= 1.22mA 由此可知对应电极①是。

A.发射B.基极C.集电D.不定3.晶体三极管用来放大时,应使发射结处于偏置,集电结处于偏置.A.正向,反向B.反向,正向C.反向,反向D.不定4.如果在电路中测出某NPN 管三个电极对地电位分别为:V E = 1.0V ;VB= 1.65V ;VC= 1.3V , 则该管工作在区。

A.放大B.饱和C.截止D.击穿5.P NP 型晶体三极管处于放大状态时,各级电位关系正确的是。

A.Vc <Vb <VeB.Ve<Vc<VbC.Vc >Vb>VeD.Vc<Ve<Vb6.在图示电路中,设 C1、C2 对交流信号的影响可以忽略不计,当输入 f=1KHz 的正弦电压信号后,用示波器观察Vi和Vo ,则二者的相位关系为。

A.相差90ºB.相差45ºC.相同D.相差180º7.为了减小温漂,通用型运放的输入级大多采用。

A.共射电路 B.差动放大电路C.OCL 电路(互补对称电路) D.共集电路8.在放大器中引入直流负反馈,说法正确的是。

A.稳定输出电压B.稳定输出电流C.性能不变D.静态工作点稳定性变好9.射随器适合作多级放大电路的输出级,是因为它的()A. 电压放大倍数近似为1B. r i很大C. r O很小10.PN 结反向击穿电压的数值增大,小于击穿电压,。

A.其反向电流增大B.其反向电流减小C.其反向电流基本不变11.由理想二级管组成的电路如图所示,其A、B 两端的电压为。

A.-12VB.+6VC.-6VD.+12V12.在甲乙类互补对称功放电路中,为了改善交越失真,应。

模拟电子技术期中考试试题

模拟电子技术期中考试试题

12预科(2)电子线路期中考试试题考试时间:90分钟班级____________ 姓名____________ 学号_______________一、填空题(每格1分共25分)1.半导体一种导电能力介于与之间的物质。

2.PN结具有_________导电性。

PN结的正向偏置就是在P区加_______偏置电压,N加__________偏置电压。

3.硅二极管的导通压降为________V,死区电压为______V,锗二极管的导通压降为______V,死区电压为______V。

4.三极管工作状态有三种,即______状态,_____状态和_______状态。

要使三极管工作在放大状态,发射结必须加______偏置,集电结加_____偏置,要使信号不失真的放大,三极管应工作于____状态。

5.三极管的三种基本组态是电路、电路、共集电极电路.6.画直流通路时将电容视为,主要用于分析放大器的;画交流通路时,将______________视为短路,将接地、其余不变。

7.用直流电压表测量某放大电路中的一只NPN型晶体三极管,各电极对地电位是:U1=2V,U2=6V,U3=2.7V,可判断管脚:1是_____2是_______,3是________,三极管工作于________状态。

二、选择题(每题2分共20分)( ) 8.用万用表欧姆档测量小功率晶体二极管的好坏时,应把欧姆档拨到A R×100Ω或R×1KΩB R×1Ω档C R×10KΩ( ) 9.当硅晶体二极管加上0.3V正向电压时,该晶体管相当于A小阻值电阻B阻值很大的电阻C内部短路( )10.要使发光二极管发光,必须A 电源正向连接B电源反向连接C正、反向连接都可以( ) 11.晶体三极管工作在饱和状态时,它的集电极电流将()A随I B增加而增加B随I B增加而减少C与I B无关,只决定于R L和R C ( ) 12.当环境温度升高时,晶体二极管的反向电流将( )。

模拟电子技术期中试卷

模拟电子技术期中试卷

天津市第一轻工业学校2003年上学期01级《模拟电子技术》期中试卷班级_______姓名______学号____成绩_____一、填空1、本征硅中若掺入5价元素的原子,则多数载流子应是,掺杂越多,则其数量一定越,相反,少数载流子应是掺杂越多,其数量一定越。

室温下,若多数载流子的浓度达到1015/cm3,则少数载流子的浓度为。

2、PN节空间电荷区又称为,在平衡条件下,电性呈,因为区中所带的电量相等。

P区侧应带,N区侧带。

空间电荷区内的电场为,其方向从指向。

3、场效应管的导电机理为,而晶体三极管为。

比较两者受温度的影响优于。

4、场效应管属于式器件,其G、S间的阻抗要晶体三极管B、E间的阻抗,后者则应属于式器件。

5、晶体三极管3种工作区域是、、,与此不同,场效应管常把工作区域分为、、。

6、场效应管3个电极G、D、S类同晶体三极管的电极,而N沟道、P沟道场效应管则分别类同于、两种类型的晶体三极管。

7、掺杂半导体中影响多数和少数载流子数量的主要的因素是,温度变化时受影响更大的是载流子。

8、半导体二极管按制造工艺分为、、三种。

通常流过的电流最大,流过的电流最小。

而对工作频率而言,最高,最低。

9、在放大电路中,若测的某管的三个电极的电位分别为-2.5v,-3.2v,-9v,则分别代表管子的三个电极是,,。

10、一个单端输出的差动放大电路,要提高共模抑制比的方法为。

二、判断1、交流放大电路中,耦合电容C1、C2和发射极旁路电容总是可看作对交流短路。

()2、晶体管放大电路中,耦合电容C1、C2取得较大,而场效应管放大电路中取得较小,是由于晶体管是电流控制元件,而场效应管是电压控制元件。

()3、直流负载线是静态下,负载开路时工作点移动的轨迹。

()4、交流负载线是动态下,接负载工作点移动的轨迹。

()5、单管放大电器的电压放大倍数A u= -βR c/r be,所以R c越大,电压放大倍数就越大。

()6、单管放大电路中,当电源电压U cc和集电极电阻R c决定后,若基极电流I B太大会引起饱和失真,I B太小会引起截止失真。

模拟电子技术期中考试题及答案汇编

模拟电子技术期中考试题及答案汇编

2013-2014学年第(2)学期期中考试答案课程代码 0471003/3122200 课程名称 模拟电子技术A/模拟电子技术:(共52分,每空2分)1.2mA 、-0.03mA 、1.23mA 。

C ,电极②是__B __,电极③是_A ___(A .发射极, B .基极, C .集电极); 该晶体管的类型是_ A ___(A .PNP 型, B .NPN 型);该晶体管的共射电流放大系数约为_ A ___(A .40 ,, C .400)。

V U D 7.0=),=1O U 1.3V ,=2O U 。

a )所示电路的幅频响应特性如图(b )所示。

影响f L 大小的因素是 C ,影响f H 大小的因素是 A 。

(A .晶体管极间电容,B .晶体管的非线性特性,C .耦合电容)HLV CC( a )( b )f L 或f H 时,放大倍数的值约下降到中频时的 B (A. 0.5 B. 0.7 C. 0.9)f = f L 时,o U 与iU 相位关系是 C (A. 45˚ B. -90˚ C. -135˚)。

5V ;接入2k Ω负载后,输出电压降为 班 级 学 号 姓 名R L12E4826104V,这说明放大电路的输出电阻为0.5KΩ。

5.为下列不同的要求分别从图示电路中选择合适的电路形式。

(1).电压放大倍数uA >10,并具有较大的电流放大能力的电路是 A 。

(2).电压放大倍数uA >10,并且输出电压与输入电压同相的电路是 C 。

(3).电压放大倍数uA ≈1,输入电阻iR>100kΩ的电路是 B 。

L( a )L( b )L( c )6.放大电路及相应的晶体管输出特性如下图所示,直流负载线和Q点也标在图上(设U BEQ=0.7V)。

(1)电源电压V CC= 12 V,cR= 2 Ωk,bR= 377 Ωk;最大不失真输出电压幅值=omU 4.5 V;;为获得更大的不失真输出电压,bR应减小(增大、减小)(2)若Ω=KR6L,画出交流负载线,要标出关键点的数值;(2分)7. 欲将方波电压转换成三角波电压,应选用哪种运算电路 B 。

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西南交通大学2010-2011学年第(2)学期期中试卷课程名称 模拟电子技术一、填空及判断题:(共42 分)1. 已知下图所示电路中稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,则U O1= 6 V ,U O2= 5 V 。

2.工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到22μA 时,I C 从1mA 变为2mA ,那么它的β约为 100 。

3. 某直接耦合放大电路在输入电压为 0.3V 时,输出电压为 2V ;输入电压为 0.1V 时,输出电压为 9V (均指直流电压)。

则该放大电路的电压放大倍数为 B 。

(A .90, B .-35, C .35 , D .30 , E.20) 4.测得某放大电路中三个MOS 管的三个电极的电位(V )如下表所示,它们的开启电压也在表中。

试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区),并填入表内。

5.双极型晶体管的发射极电流放大系数β反映了_ 基_ _极电流对___集电___极电流的控制能力;而单极型场效应管常用g m 参数反映__栅源电压______对__漏极电流_______的控制能力。

6.某扩音器的高音不丰富,主要是因为其放大电路的 B (A .非线性失真大 B .通频带窄)。

7. 已知下面图(a )所示电路的幅频响应特性如图(b )所示。

影响f L 大小的因素是 C ,影响f H 大小的因素是 A 。

(A .晶体管极间电容,B .晶体管的非线性特性,C .耦合电容) 当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时,放大倍数的值约下降到中频时的 B (A. 0.5 B. 0.7 C. 0.9)倍,即增益下降 A (A. 3dB B. -3dB C. 6dB )。

当f = f L 时,oU 与i U 相位关系是 C (A. 45˚ B. -90˚ C. -135˚)。

当f = f H 时,oU 与i U 的相位关系是 C (A. -45˚ B. -135˚ C. -225˚)。

班 级 学 号 姓 名密封装订线 密封装订线 密封装订线HLV CC( a )( b )8. 若差分放大电路的输入电压u I1=1.5mV ,u I2=0.5mV ,则差分放大电路的差模输入电压u Id = 1 mV ,共模输入信号u Ic = 1 mV ,如果|A vd |=60dB ,|A vc |= -20dB ,K CMR = 10000或80dB ,输出电压= 0.9999V 或 -1.0001V 。

9.多级放大电路如图所示,设电路中的所有电容器对交流均可视为短路。

试指出电路中各个放大器件所组成的基本放大电路分别属于哪种组态。

(a ) VT1 CE VT2 CE VT3 CC (b ) VT1 CS VT2 CGC 1C 3u OC 1R L( d )C 2R d1R d2R gR 1R 2R 3R LC 2C 4u O+V DDu IVT 1VT 2VT 1VT 2+V CCR cC 1R 2R 1R 4R 6R 5R 7( a )(( c )(C 1C 2C 3C 4VR gR 1R 2RC 4+V CCR 3VT 1VT 2VT 3u Iu Ou IVT 1u SR eRR s10.定性判断图中各电路的放大能力,选择正确图号,用a 、b 、c 、d 填空)。

(1).具有同相放大能力的电路有__B D__; (2).具有反相放大能力的电路有__A__; (3).不具备正常放大能力的电路有__C__。

( b )( a )( d )( c )11.放大电路及相应的晶体管输出特性如下图所示,直流负载线和Q 点已标在图上, 设U BEQ =0.7V ,C L =R R 。

电源电压V CC= 12 V ,c R = 2 Ωk ,b R = 377 Ωk ,最大不失真输出电压幅值=om U 3 V ;为获得更大的不失真输出电压,b R 应 减小 (增大、减小). (交流负载线:过Q 点作直线,与u CE 轴交点为9V )12.差动放大电路如下图所示。

设电路元件参数变化所引起静态工作点改变不会使放大管出现截止或饱和。

试选择正确答案填空(答案:A .增大,B .减小,C .基本不变)。

(1).若R e 增大,则静态工作电流I C2 B ,动态电阻be r A ,差模电压增益d u A B ,共模电压增益c u A B ;(2).若R c 增大,则静态工作电流I C2 C ,差模电压增益d u A A ,共模电压增益c u A A 。

EE ( 12V)二.判断下列说法的正、误,在相应的括号内画√表示正确,画×表示错误。

(8分)1.现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000。

( × )2.对三极管放大电路来说,发射结必须正偏,集电结必须反偏。

(√)所以基极电源应为正电源,集电极电源应为负电源。

( ×)3.当放大电路输入一个方波电压时,输出电压波形的顶部和底部均变得倾斜,因此可以断定该放大器的非线性失真较大。

(×)R L12EV4826104.调节图示电路中的W R ,使晶体管处于临界饱和状态。

此时,如果减小b R ,晶体管的饱和深度将增加(√);如果增大c R ,晶体管将脱离饱和(×);如果换用β小的管子,晶体管的临界饱和状态基本不变(×);如果增大CC V ,晶体管的临界饱和状态基本不变(√ )。

三.分析计算1.(17分)已知图示电路中晶体管的β =120,BEQ U =0.6V ,b b 'r =200Ω,各电容的容抗可忽略不计。

1) 求静态电流CQ I 和发射极对地静态电压EQ U ;2) 求电压放大倍数)/(i o U U A u 和)/(so s U U A u 以及输入电阻i R 和输出电阻o R 。

R L 2k Ωu解:1.()mA 27.1 1) ( eb BEQ CC CQ -≈++--=R βR U V βIU EQ =I EQ R e ≈-2.53 V 2.()Ω≈++='k 67.2 1EQTb b be I U βr r ()()()()98.0// 1// 1L e be L e ≈+++=R R βr R R βA uR i =[ r be + (1+β ) ( R e / / R L )] // R b ≈85ΩkR o =R e Ω≈++2181////sb be βR R r72.0is is≈+=uu A R R R A R bV CC R2.(15分)已知图示两个电路中的场效应管的跨导均为m g =5mS ,电容对交流信号可视为短路。

(1)分别求每个电路的电压放大倍数uA 和输出电阻o R ; (2)两个电路分别接上相同的输入电压i U (500mV )和相同的负载电阻L R (3k Ω)后,分析说明哪个电路带负载能力强。

( a )( b)解:(1)(a ):94.01sm dm -≈+-=R g R g A u, Ω==k 3d o R R(b ): 94.01≈+=s m s m u R g R g A , Ω≈=1881//ms o g R R (2)(a ):mV 234L o L io ≈+=R R R U A U u (b ):mV 441Lo Lio ≈+=R R R U A U u 说明(b )带负载能力强;或者从R O2<R O1上可看出(b )带负载能力强下面两道题目中可任选一道。

3. (15分) 放大电路如图所示。

已知结型场效应管VT 1、VT 2参数相同,g m =2mS ,r gs =r ds =∞,VT 3 ~VT 5的参数为β3=β4=β5=100,r bb3'=300Ω,U BE3=-0.2V ,U BE4=U BE5=0.6V 。

试估算:(1)静态工作电流:I E4、I E5、I D2、I C3;静态工作电位U D2 、U O ,设I B3<<I D2; (2)电压放大倍数 .10VSS2d2v v v A A A ⋅=解:(1)mA 12e4c4BE4DD E4=+-≈R R U V ImA 2.1454E5=≈E e e I R R I mA 6.0215D2D1===E I I I mA 2322C3=-=e EBd D R V R I IV 4d2D 2D D D 2=-=R I V U V 0SS c3C3O =+=V R I U (2)()Ωk 6.11E3T33b b be3≈++='I U r r β ()[]{}101//21e33be3d2m 1≈++=R r R g A u β ()7.11e33be3c332-≈++-=R r R A u ββ1721-≈⋅=u u u A A A4. (15分)图示电路中,已知集成运算放大器A 1~A 4都是理想器件,调节R W 可使电压放大倍数I1I2Ou u u A u -=从0.92~0.5变化。

(1)电路中电阻4R =?(2)若将R W 调至中点,且V 3I1=u 、V 1I2=u ,则输出电压O u =?u u解:(1)经推导,电路的电压放大倍数为 W434W I1I2O R R R R R u u u A u +++=-=当 0W =R 时,反馈最强,5.0min =u A ,即 5.0434==R R R A u +故 Ω=k 14R (2)当 Ω=k 5W R 时, 86.0W434W I1I2O ≈++=-=R R R R R u u u A u +V 72.1)(86.0I1I2O -=-≈u u u。

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