《电子产品装配与调试技术》期末考试试卷一及答案
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期末考试试卷一
一.选择题
(1)单选15个,每题1分,共15分。
1、单极型半导体器件是()。
A、二极管;
B、双极型三极管;
C、场效应管;
D、稳压管。
2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的()元素构成的。
A、三价;
B、四价;
C、五价;
D、六价。
3、稳压二极管的正常工作状态是()。
A、导通状态;
B、截止状态;
C、反向击穿状态;
D、任意状态。
4、用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1KΩ,说明该二极管()。
A、已经击穿;
B、完好状态;
C、内部老化不通;
D、无法判断。
5、PN结两端加正向电压时,其正向电流是()而成。
A、多子扩散;
B、少子扩散;
C、少子漂移;
D、多子漂移。
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E=2.1V,V B=2.8V,V C=4.4V,说明此三极管处在()。
A、放大区;
B、饱和区;
C、截止区;
D、反向击穿区。
7、绝缘栅型场效应管的输入电流()。
A、较大;
B、较小;
C、为零;
D、无法判断。
8、正弦电流经过二极管整流后的波形为()。
A、矩形方波;
B、等腰三角波;
C、正弦半波;
D、仍为正弦波。
9、三极管超过()所示极限参数时,必定被损坏。
A、集电极最大允许电流I CM;
B、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEO;
C、集电极最大允许耗散功率P CM;
D、管子的电流放大倍数 。
10、若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是()
A、发射结正偏、集电结正偏;
B、发射结反偏、集电结反偏;
C、发射结正偏、集电结反偏;
D、发射结反偏、集电结正偏。
11、基本放大电路中,经过晶体管的信号有()。
A、直流成分;
B、交流成分;
C、交直流成分均有。
12、基本放大电路中的主要放大对象是()。
A、直流信号;
B、交流信号;
C、交直流信号均有。
13、分压式偏置的共发射极放大电路中,若V B点电位过高,电路易出现()。
A、截止失真;
B、饱和失真;
C、晶体管被烧损。
14、共发射极放大电路的反馈元件是()。
A、电阻R B;
B、电阻R E;
C、电阻R C。
15、功放首先考虑的问题是()。
A、管子的工作效率;
B、不失真问题;
C、管子的极限参数。
(2)多选5个,每题2分,共10分。
1、对放大电路来说,人们总是希望电路的输入电阻越好,因为这可以减轻信号源的负荷。人们又希望放大电路的输出电阻越好,因为这可以增强放大电路的整个负载能力。
A: 越大 B: 越小C: 不大D: 不小
2、共射放大电路的静态工作点设置较低,造成截止失真,其输出波形为上削顶。若采用分压式偏置电路,通过调节,可达到改善输出波形的目的。
A: 上 B: 反馈环节C: 下D: 合适的基极电位
3、基本放大电路的三种组态分别是:放大电路、放大电路和放大电路。
A: 共发射极 B: 共基极C: 共集电极D: 发射极
4、放大电路应遵循的基本原则是:结正偏;结反偏。
A: 发射 B: 共基极C: 共集电极D: 集电
5、电压放大器中的三极管通常工作在状态下,功率放大器中的三极管通常工作在参数情况下。功放电路不仅要求有足够大的,而且要求电路中还要有足够大的,以获取足够大的功率。
A: 放大 B: 输出电压C: 输出电流D: 极限
二.名词解释(5个,每题2分,共10分)
1、光敏电阻:
2、电容器:
3、调频制:
4、焊接:
5、熔焊:
三.判断(10个,每题1分,共10分)
1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。()
2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。()
3、用万用表测试晶体管时,选择欧姆档R×10K档位。()
4、PN结正向偏置时,其内外电场方向一致。()
5、无论在任何情况下,三极管都具有电流放大能力。()
6、双极型晶体管是电流控件,单极型晶体管是电压控件。()
7、二极管只要工作在反向击穿区,一定会被击穿。()
8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM时,该管必被击穿。()
9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。()
10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同,因此可以互换使用。()
四.简答题(5个,每题5分,共25分)
1、简述焊接注意事项?
2、简述指针式万用表的使用方法。
3、简述螺丝刀使用方法
4、为什么要搪锡?
5、放大电路中为何设立静态工作点?静态工作点的高、低对电路有何影响?
五.论述题(3个,每题10分,共30分)
1、何谓“空翻”现象?抑制“空翻”可采取什么措施?
2、触发器有哪几种常见的电路结构形式?它们各有什么样的动作特点?
3、你能否推出由两个或非门组成的基本RS触发器的功能?写出其真值表。