第7章80C51单片机的系统扩展精品PPT课件

12H
74H
34H
13H
50H
3412H 74H 3413H 50H
MOV A,#50H
片外ROM
2020/11/30
4
ROM芯wenku.baidu.com及其扩展方法
常用ROM芯片特性
芯片型号
27C64 27C128
容量
8 KB
16 KB
引脚数
28
28
读出时间/ns
120
120
最大工作电流/mA
20
20
最大维持电流/mA
Q0
GQ
G
OE 74LS373
2020/11/30
3
片外ROM操作时序
片内片外ROM读，用指令MOVC（产生PSEN信号） 片外片外ROM选择，用EA。片外ROM最大容量64K。
【例7-1】读外部ROM时序。
1个机器周期 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S1
ALE PSEN P2口 P0口
34H
E
。 。
D0～ D7
0000H～ 1FFFH
2000H～ 3FFFH
4000H～ 5FFFH
P0.7
PSEN
2020/11/30
9
回目录 上页 下页
2、部分地址译码法扩展24KB EPROM
结构特点： ⑴80C31内部无ROM,所以EA接地， EPROM由PSEN进行读
控⑵制用地址译码信号选择某片片选
74LS573
G OE
D7 Q7 :: :: D0 Q0
A8-A14
27C256
A7 : : A0
CE
D0～D7
OE
2020/11/30
7
1、线地址译码法扩展16KBEPROM
结构特点： ⑴ EPROM由PSEN进行读选通控制，8031的EA 接 ⑵地用一根线(P2.7)去选择芯片，P2.7=0，选中该片
0000H
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1FFFH
0 1 片⑵
00 00 0 00000000 11 11 1 11111111
2000H 3FFFH
1 0 片⑶
6 7
27C128
23 22
8 27C256 21
9 27C512 20
10
19
11
18
12
17
13
16
14
15
27C64 27C128 27C256 27C512
Vcc Vcc Vcc Vcc
PGM PGM A14 A14
NC A13 A13 A13
A8 A8 A8
A8
A9 A9 A9
A9
A11 A11 A11 A11
27128 8031
基本地址范围：0000H～3FFFH
重叠地址范围：4000H～7FFFH
2020/11/30
8
回目录 上页 下页
74LS139
803 1
2、部分地址译码法扩展24KB EPROM
+5V
P2.7 P2.6 P2.5 P2.4 P2.3 PP22..21 P2.0 ALE
GND 2G
0.1
0.1
27C256
32 KB 28 90 20 0.1
27C512
64 KB 28 90 25
0.03
注：应注意优先选用CMOS器件，其读出时间短，耗电少。
2020/11/30
5
常用ROM芯片引脚
27C512 27C256 27C128 27C64
A15 A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 Q0 Q1 Q2 GND
Vpp A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 Q0 Q1 Q2 GND
Vpp A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 Q0 Q1 Q2 GND
Vpp A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 Q0 Q1 Q2 GND
1
28
2
27
3
26
4
25
5 27 C 64 24
⑶用译码后的部分地址选择芯片，叫部分地址译码
地址范围：
选 P2.6 P2. 中
5
0 0 片⑴
地址 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
P2. P2.3 P2.2 P2.1 P2. P0. P0.6P0.5P0.4P0.3P0.2P0.1P0.0
4 0 0 0 0 00 0 70 0 0 0 0 0 0
OE OE OE OE/Vpp
A10 A10 A10 A10
CE CE CE
CE
Q7 Q7 Q7
Q7
Q6 Q6 Q6
Q6
Q5 Q5 Q5
Q5
Q4 Q4 Q4
Q4
Q3 Q3 Q3
Q3
2020/11/30
6
1、线地址译码法扩展16KBEPROM 扩展电路
P2.0-P2.6 ALE P0
80C31
EA
PSEN
2B 2A
VCC
2Y3 2Y2 2Y1 2Y0
A8～A12
A0～ A7 G 1Q～
片选0
片选2 片选1
A0～ C A0～ C A0～ C
748LQS37 A217264 ⑴E A217264 ⑵E A217264 ⑶E
EA
E3 1D～
Q0～ O Q0～ O Q0～ O
。 P0.0
8D
Q7
E Q7
E Q7
非易失 掩膜ROM — Read Only Memory
ROM 现场可编程PROM — Programmable ROM
程序存储器
可擦可编程EPROM — Erasable PROM 电可擦可编程E2ROM — Electrically EPROM
闪速存储器 — Flash Memory
2020/11/30
第7章 80C51单片机的系统扩展
7.1 存储器的扩展 7.2 输入/输出及其控制方式 7.3 81C55接口芯片及其应用 7.4 LCD接口及其扩展
2020/11/30
1
单极性MOS存储器分类
双极性存储器有TTL、ECL
MOS存储器按工作特点、作用以及制造工艺可分为：
MOS存储器
易失
RAM
动态DRAM 数据存储器 静态SRAM Random Access Memory
⑶ P2.6悬空产生地址重叠
地址范围：
CE A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 P2.7P2.6 P2. P2. P2.3 P2.2 P2.1 P2. P0. P0.6P0.5P0.4P0.3P0.2P0.1P0.0
0 × 05 04 0 0 0 0 00 07 0 0 0 0 0 0 0×1 11 11 1 11111111
2
7.1 存储器的扩展
7.1.1 程序存储器的扩展
扩展总线
数据总线，P0口 地址总线，高8位P2口、低8位P0口 控制总线，RD、WR、EA、ALE、PSEN
P2 ALE
P0
80C31
WR RD
G OE
AB
74LS373
D7 Q7
::
::
D0 Q0
DB
D7
DQ
Q7
GQ
D6
DQ
Q6
GQ
:
:
:
D0
DQ