1章 常用半导体器件 习题
第1章半导体器件习题及答案教学总结
第 1 章半导体器件习题及答案第1章半导体器件一、是非题（注：请在每小题后［］内用” V"表示对，用” X "表示错）1、P型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。
（）2、N型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。
（）3、在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P型半导体。
（）4、P型半导体带正电，N型半导体带负电。
（）5、N型半导体的多数载流子是电子，所以它带负电。
（）6半导体中的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。
（）7、半导体中的空穴的移动是借助于邻近价电子与空穴复合而移动的。
（）8、施主杂质成为离子后是正离子。
（）9、受主杂质成为离子后是负离子。
（）10、PN结中的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
（）11、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
（）12、由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过。
（）13、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）14、二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的反向击穿特性。
（）15、通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。
（）16、有人测得某晶体管的U BE=0.7V, I B=20^A,因此推算出r be=U BE/|B=0.7V/20 卩A=35k Q（）17、 有人测得晶体管在U BE =0.6V , I B =5^A,因此认为在此工作点上的r be 大约为 26mV/l B =5.2k ◎（）18、 有人测得当U BE =0.6V , I B =10^A O 考虑到当U BE =0V 时I B =0因此推算得到、选择题（注：在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处.1、在绝对零度（0K ）时，本征半导体中 __________ 载流子A.有B.没有C.少数D.多数2、在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生 ___________ F很大关系。
模拟电子技术习题答案(1)
模拟电子技术习题答案(1)第一章常用半导体器件1习题答案〖题1.1〗（1）杂质浓度，温度（2）呈圆形电中性，呈圆形电中性（3）等同于，大于，变宽，大于，变窄（4）逆向打穿（5）减小，减小，增大（6）左移，下移，加高（7）、发射结，erf（8）一种载流子参予导电，两种载流子参予导电，压控，流控。
〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出端电压uo。
设二极管的导通压降为ud=0.7v。
adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)图t1.2解：（a）uo=ua－ud=－5v－0.7v=－5.7v（b）uo=ub=uc=－5v（c）uo=ua=－0.7v（d）uo=ua=－9.3v〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图，未知ui?10sin?t(mv)，e?1.2v，ui电容c和直流电源e对交流视为短路，二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示，r?100?，谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。
解：id?id?id?(5?1.92sin?t)maud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3第一章常用半导体器件2〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管，试通过计算判断它们是否导通？。
6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解：(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通；5?525?(?15)4v(b)ua??10?2?185?201ub??151v,ua?ub,二极管截至。
1?141k?1k??d5v?(a)d??〖题1.5〗在图t1.5所示电路中，已知ui=10sinωt(v),二极管的正向压降和反向电流均可忽略。
半导体器件(附答案)
第一章、半导体器件（附答案）一、选择题1．PN 结加正向电压时，空间电荷区将 ________A. 变窄B. 基本不变C. 变宽2．设二极管的端电压为 u ，则二极管的电流方程是 ________A. B. C.3．稳压管的稳压是其工作在 ________A. 正向导通B. 反向截止C. 反向击穿区4．V U GS 0=时，能够工作在恒流区的场效应管有 ________A. 结型场效应管B. 增强型 MOS 管C. 耗尽型 MOS 管5．对PN 结增加反向电压时，参与导电的是 ________A. 多数载流子B. 少数载流子C. 既有多数载流子又有少数载流子6．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量 _____A. 增加B. 减少C. 不变7．用万用表的 R × 100 Ω档和 R × 1K Ω档分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测量结果 ______A. 相同B. 第一次测量植比第二次大C. 第一次测量植比第二次小8．面接触型二极管适用于 ____A. 高频检波电路B. 工频整流电路9．下列型号的二极管中可用于检波电路的锗二极管是： ____A. 2CZ11B. 2CP10C. 2CW11D.2AP610．当温度为20℃时测得某二极管的在路电压为V U D 7.0=。
若其他参数不变，当温度上升到40℃，则D U 的大小将 ____A. 等于 0.7VB. 大于 0.7VC. 小于 0.7V11．当两个稳压值不同的稳压二极管用不同的方式串联起来，可组成的稳压值有 _____A. 两种B. 三种C. 四种12．在图中，稳压管1W V 和2W V 的稳压值分别为6V 和7V ，且工作在稳压状态，由此可知输出电压O U 为 _____A. 6VB. 7VC. 0VD. 1V13．将一只稳压管和一只普通二极管串联后，可得到的稳压值是（ ）A. 两种B. 三种C. 四种14．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 __（1）__，而少数载流子的浓度与 __（2）__有很大关系。
第1章半导体器件习题
第1章半导体器件习题第1章半导体器件习题1.什么是本征半导体？什么是杂质半导体？各有什么特点。
2.N型半导体是在本征半导体中掺入____价元素，其多数载流子是____ ，少数载流子是____。
3.Ｐ型半导体是在本征半导体中掺入___价元素，其多数载流子是____，少数载流子是____。
4.在室温附近，温度升高，杂志半导体中____的浓度将明显增加。
5. 什么是载流子的扩散运动、漂流运动？他们的大小主要与什么有关？６. 在室温下，对于掺入相同数量杂质的Ｐ型、N型半导体，其导电能力___。
（ａ）二者相同；（ｂ）Ｎ型导电能力强；（ｃ）Ｐ型导电能力强；７.PN结是如何形成的？在热平衡下，PN结中有无净电流流过？8.PN结中扩散电流的方向是____ ，漂移电流的方向是____ 。
9.PN结未加外部电压时，扩散电流____漂移电流；加正向电压时，扩散电流____漂移电流，其耗尽层____；加反向电压时，扩散电流____漂移电流,其耗尽层____；10.什么是PN结的击穿现象？击穿有哪两种？击穿是否意味PN 结坏了？为什么？11.什么是PN结的电容效应？何谓势垒电容、扩散电容。
PN结正向运用时，主要考虑什么电容？反向运用时，主要考虑何种电容？12.二极管的直流电阻R D和交流电阻r d有何不同？如何在伏安特性上表示？14.稳压二极管是利用二极管的＿＿＿特性进行稳压的。
（a ）正向导通；（b ）反向截止；（c ）反向击穿室温下，当正向电流分别为、时估算其电阻的值mA 2mA 1试推导二极管正向导通时的交流电阻IU dIdU d T r ==mV U T 26=13.二极管的伏安特性方程为)1(-=TU U e I I S D VDR++__ui uo5V15.二极管电路如图所示,已知输入电压,二极管的正向压降和反向电流均可忽略.试画出输出电压的波形.VDR++__ui uo VDR++__ui uo VDR++_ui uo5V)(sin 30V t u i ω=o u (a)(b)(c)(d)16.电路如图所示, ,试画出输出电压的波形.)(sin 5V t u i ω=o u VD1R++__ui uo 1VVD2VD1R ++__ui uo 2V1VVD2(a)(b)17.由理想二极管组成电路如图所示,试确定各电路的输出电压.VD1RVD2VD3+6V0V -6V -18V Uo(a)(b)6k ΩVD1RVD2VD3+6V0V-6V +18V Uo6k Ω18.为了使三极管能有效地起放大作用,要求三极管的发射区掺杂浓度；基区宽度；集电结结面积比发射结结面积,其理由是什么？如果将三极管的集电极和发射极对调使用(即三极管反接),能否起放大作用?19.三极管工作放大区时,发射接结为,集电结为；工作在饱和区时，发射结____,集电结____；工作在截止区时，发射结为_____，集电结为_____。
电子电路基础习题册参考答案
电子电路基础习题册参考答案免费提供（第三版）全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。
N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。
4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。
一般硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。
5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。
14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。
(完整版)半导体器件基础测试题
第一章半导体器件基础测试题（高三）姓名班次分数一、选择题1、N型半导体是在本征半导体中加入下列物质而形成的。
A、电子；B、空穴；C、三价元素；D、五价元素。
2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是。
A、掺杂的工艺；B、杂质的浓度：C、温度；D、晶体的缺陷。
3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是。
A、发射结正偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结反偏、集电结正偏；D、发射结反偏、集电结反偏；6、理想二极管组成的电路如下图所示，其AB两端的电压是。
A、—12V；B、—6V；C、+6V；D、+12V。
7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是。
A、运用它的反向特性；B、锗管使用在反向击穿区；C、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域；D、都使用正向区域。
8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是。
A、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；B、用万用表的R×10K的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；C、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转；D、用万用表的R×10，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转；9、电路如下图所示，则A、B两点的电压正确的是。
A、U A=3.5V，U B=3.5V，D截止；B、U A=3.5V，U B=1.0V，D截止；C、U A=1.0V，U B=3.5V，D导通；D、U A=1.0V，U B=1.0V，D截止。
半导体器件试题
半导体器件试题第一章半导体器件一、是非题1、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）2、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）3、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（） 4．当外加反向电压增加时，PN结的结电容减小。
（） 5．当外加电压为0时，PN结的电容最小。
（）6、二极管是根据PN结的单向导电性制成的，因此二极管也具有单向导电性。
（）7、二极管的电流-电压关系特性可大概理解为反向偏置导通，正向偏置截止。
（）8、用万用表识别二极管的极性时，若测得是二极管的正向电阻，那么标有“+”号的测试棒相连的是二极管的正极，另一端是负极。
（）9、反向电流几乎与二极管两端所加电压无关，击穿后反向电流剧增。
（）10、特定的二极管，其静态电阻是固定不变的，但动态电阻则随工作点的变化而变化。
（） 11、当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小，当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增加。
（）12、一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
（） 13、如果二极管的正、反向电阻都很大，则该二极管内部断路。
（） 14、二极管的正极电位为-20V，负极电位为19.4V，则二极管处于零偏。
（） 15、二极管的正向电阻小，反向电阻大。
（）16、二极管的正极电位是-20V，负极电位是-19.4V，则该二极管处于反偏的状态。
（）17、稳压二极管是特殊的二极管，工作于反向击穿特性。
（）18、稳压二极管工作在正常的反向击穿状态时，切断外加电压后，PN结仍处于反向击穿状态。
（）19、当工作电流超过最大稳定电流时，稳压二极管将不起稳压作用，但并不损坏。
（） 20、三极管相当于两个反向连接的二极管，所以基极断开后还可以作为二极管使用。
（） 21、晶体管相当于两个反向连接的二极管，所以，基极断开后还可以作为二极管使用。
（） 22、三极管由两个PN结构成，所以能用两个二极管反向连接起来充当三极管使用。
第1章半导体器件习题及答案
第1章 半导体器件一、是非题 (注:请在每小题后[ ]用"√"表示对,用"×"表示错) 1、P 型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。
（ ） 2、N 型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。
（ ） 3、在N 型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P 型半导体。
（ ） 4、P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ ） 5、N 型半导体的多数载流子是电子，所以它带负电。
（ ）6、半导体中的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。
（ ）7、半导体中的空穴的移动是借助于邻近价电子与空穴复合而移动的。
（ ）8、施主杂质成为离子后是正离子。
（ ）9、受主杂质成为离子后是负离子。
（ ）10、PN 结中的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
（ ） 11、漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。
（ ）12、由于PN 结交界面两边存在电位差，所以，当把PN 结两端短路时就有电流流过。
（ ） 13、PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）14、二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的反向击穿特性。
（ ） 15、通常的BJT 管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。
（ ） 16、有人测得某晶体管的U BE =0.7V ，I B =20μA，因此推算出r be =U BE /I B =0.7V/20μA=35kΩ。
（ ） 17、有人测得晶体管在U BE =0.6V ，I B =5μA，因此认为在此工作点上的r be 大约为26mV/I B =5.2kΩ。
（ ）18、有人测得当U BE =0.6V ，I B =10μA。
考虑到当U BE =0V 时I B =0因此推算得到0.6060()100BE be B U r k I ∆-===Ω∆- （ ）二、选择题(注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论) . 1、在绝对零度（0K ）时，本征半导体中_________ 载流子。
模电第1章答案常用半导体器件(精)
第 1 章常用半导体器件一、选择题 (6 小题 ,共 10.0 分 )(02 分 )1.从括号中选择正确答案，用 A 、B 、 C、填空。
在纯净半导体中掺入三价硼元素后，形成____（A ．P 型B． N 型）半导体；其导电率（ C．增大，D．减小，E．不变）；这种半导体的多数载流子是____，少数载流子是 ____ （ F．空穴，G．自由电子）。
(01 分 )2.选择正确的答案用A、 B 、C 填空。
随着温度升高，晶体管的电流放大系数____，穿透电流____，在IB 不变的情况下 b-e 结电压 U BE____。
（ A．增大，B．减小，C．不变）(02 分 )3.选择正确的答案用 A 、 B 、C填空。
随着温度升高，晶体管的共射正向输入特性曲线将_______________ ，输出特性曲线将 _______________，输出特性曲线的间隔将 _______________ 。
（ A ．上移，B．下移，C．左移，D．右移，E．增大，F．减小，G．不变）(01 分 )4.用“大”、“小”填空：场效应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流_____；绝缘栅型场效应管栅极的静态输入电流比结型场效应管的____。
二、是非题 (3 小题 ,共 6.0 分 )(02 分 )1.判断以下说法的正误，用√表示正确，用×表示错误。
1．晶体三极管具有两个PN 结，因此把两个二极管反向串联起来，也能具有放大能力。
（）2．测出某晶体管的共基电流放大系数小于1，表明该管子没有放大能力。
（）3．由于晶体管的发射区和集电区的掺杂浓度不同，所以发射极和集电极互换后电流放大能力大大减小。
（）(02 分 )2.判断以下说法的正误，在相应括号内画√表示正确，画×表示错误。
1．场效应管的优点是有很高的输入电阻和很低的输出电阻。
（）2．绝缘栅场效应管的栅极静态输入电流比结型场效应管的小。
（）3．耗尽型绝缘栅场效应管的栅极静态电流比增强型绝缘栅场效应管的小。
01常用半导体器件练习题
01常用半导体器件练习题第1章常用半导体器件一．选择题1、半导体导电的载流子是____C____，金属导电的载流子是_____A__。
A．电子B．空穴C．电子和空穴Ｄ．原子核2、在纯净半导体中掺入微量3价元素形成的是___A_____型半导体。
A.PB.NC.PND.电子导电3、纯净半导体中掺入微量5价元素形成的是____B____型半导体。
A.PB.NC.PND.空穴导电4、N型半导体多数载流子是B，少数载流子是A；P型半导体中多数载流子是A，少数载流子是BA．空穴B．电子Ｃ．原子核Ｄ．中子5、杂质半导体中多数载流子浓度取决于D，少数载流子浓度取于BA．反向电压的大小B．环境温度C．制作时间D．掺入杂质的浓度6、PN结正向导通时，需外加一定的电压U，此时，电压U的正端应接PN结的A，负端应接PN结BA．P区B．N区7、二极管的反向饱和电流主要与B有关。
(当温度一定时，少子浓度一定，反向电流几乎不随外加电压而变化，故称为反向饱和电流。
)A．反向电压的大小B．环境温度C．制作时间D．掺入杂质的浓度8、二极管的伏安特性曲线反映的是二极管A的关系曲线。
A．VD-IDB．VD-rDC．ID-rDD．f-ID9、用万用表测量二极管的极性，将红、黑表笔分别接二极管的两个电极，若测得的电阻很小（几千欧以下），则黑表笔所接电极为二极管的CA．正极B．负极C．无法确定10、下列器件中，B不属于特殊二极管。
A．稳压管B．整流管C．发光管D．光电管11、稳压二极管稳压，利用的是稳压二极管的CA．正向特性B．反向特性C．反向击穿特性12、稳压管的稳定电压VZ是指其DA．反向偏置电压B．正向导通电压C．死区电压D．反向击穿电压13、光电二极管有光线照射时，反向电阻A(反压下，光照产生光电流) A．减少B．增大C．基本不变D．无法确定14、三极管的主要特征是具有____C____作用。
A．电压放大B．单向导电C．电流放大D．电流与电压放大15、三极管处于放大状态时____A____。
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电子电路基础习题册参考答案免费提供（第三版）全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。
N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。
4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。
一般硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。
5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。
14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。
常用半导体器件复习题
常用半导体器件复习题第1章常用半导体器件一、判断题（正确打“√”，错误打“某”，每题1分）1．在N型半导体中，如果掺入足够量的三价元素，可将其改型成为P型半导体。
（）2．在N型半导体中，由于多数载流子是自由电子，所以N型半导体带负电。
（）3．本征半导体就是纯净的晶体结构的半导体。
（）4．PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）5．使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏，且集电结也是正偏。
（）6．晶体三极管的β值，在任何电路中都是越大越好。
()7．模拟电路是对模拟信号进行处理的电路。
()8．稳压二极管正常工作时,应为正向导体状态。
()9．发光二极管不论外加正向电压或反向电压均可发光。
()10．光电二极管外加合适的正向电压时，可以正常发光。
()一、判断题答案：（每题1分）1．√；2．某；3．√；4．√；5．某；6．某；7．√；8．某；9．某；10．某。
二、填空题（每题1分）1．N型半导体中的多数载流子是电子，P型半导体中的多数载流子是2．由于浓度不同而产生的电荷运动称为3．晶体二极管的核心部件是一个，它具有单向导电性。
4．二极管的单向导电性表现为：外加正向电压时，外加反向电压时截止。
5．三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结偏置。
6．场效应管与晶体三极管各电极的对应关系是：场效应管的栅极G对应晶体三极管的基极b，源极S对应晶体三极管，漏极D对应晶体三极管的集电极c。
7．PN结加正向电压时，空间电荷区将8．稳压二极管正常工作时，在稳压管两端加上一定的电压，并且在其电路中串联一支限流电阻，在一定电流范围内表现出稳压特性，且能保证其正常可靠地工作。
9．晶体三极管三个电极的电流I、I、I的关系为：EBC10．发光二极管的发光颜色决定于所用的，目前有红、绿、蓝、黄、橙等颜色二、填空题答案：（每题1分）1．空穴2．扩散运动3．PN结4．导通5．反向6．发射机e7．变薄8．反向9．I＝I＋IEBC10．材料三、单项选择题（将正确的答案题号及内容一起填入横线上，每题1分）1．在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入三价元素可形成P型半导体。
第1章半导体器件习题答案
习题1-1 （1）什么是P 型半导体？什么是N 型半导体？（2）什么是PN 结？其主要特性是什么？（3）如何使用万用表欧姆档判别二极管的好坏与极性？（4）为什么二极管的反向电流与外加反向电压基本无关，而当环境温度升高时会明显增大？ （5）把一节1.5V 的电池直接到二极管的两端，会发生什么情况？判别二极管的工作状态 解：（1） 在本征半导体内掺入受主杂质，得到P 型半导体；在本征半导体内掺入施主杂质，得到N 型半导体。
（2） 将P 型半导体与N 型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称PN 结。
PN 结具有单向导电性。
（3） 用欧姆档，测两次电阻（正反测），看电阻有无很大的出入，若有则说明是好的。
当测得电阻很大的时候，对应的红表笔对应的是阴极。
（4） 由于二极管的反向电流是由少子漂移产生的，浓度很低，反向电流很容易达到饱和，不随外加电压变化，或说变化很小。
当温度升高时，本征激发增加，少子赠短，反向饱和电流增大。
（5） 不能，普通二极管是不能的，一般导通电压为0.7V ，加到1.5V 说明二极管导通了，此时二极管相当于导线，二极管将由于电流过大烧坏，但是二极管有很多分类，有的发光二极管却可以这样接。
1-2 二极管电路如题1-2图所示，D 1、D 2为理想二极管，判断图中的二极管是导通还是截止，并求AO 两端的电压U AO 。
题1-2图解：（a ）假设D 1截止电位V U D 6-=+，V U D 12-=-（由于假设D 1截止，电阻电流=0），V U U U D D D 6=-=-+，则假设不成立，D 1导通，因此V U AO 6-=。
（ｂ）假设D 1截止电位V U D 15-=+，V U D 12-=-（由于假设D 1截止，电阻电流=0），(a)3K 6VD 112VAO(c)O12V D 2D 13K Ω6VA(c)3K 15VD 112VAO(d)O12VD 2D 13K Ω6VAV U U U D D D 3-=-=-+，则假设成立，D 1截止，由于电阻电流=0，因此V U AO 12-=。
(完整版)电子电路基础习题册参考答案-第一章
电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。
N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。
4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。
一般硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。
5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M相接时，A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。
14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。
1章 常用半导体器件题
第一章 常用半导体器件自 测 题一、选择正确答案填入空内。
（1）P N 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e UB. T U U I e SC. )1e (S －T U U I（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏二、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D ＝0.7V 。
图T1.3六、电路如图T1.6所示，V C C ＝15V ，β＝100，U B E ＝0.7V 。
试问：（1）R b ＝50k Ω时，u O ＝？（2）若T 临界饱和，则R b ≈？习 题1.1 选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入 元素可形成N 型半导体，加入 元素可形成P 型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。
A. 增大B. 不变C. 减小（3）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA 变为2mA，那么它的β约为。
A. 83B. 91C. 1001.2 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？1.13 有两只晶体管，一只的β＝200，I C E O＝200μA；另一只的β＝100，I C E O＝10μA，其它参数大致相同。
你认为应选用哪只管子？为什么？1.15测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.15所示。
在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
图P1.15。
模拟电子技术课程习题 第一章 常用半导体器件
第一章 常用半导体器件1.1 在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图1.1所示，该晶体管的类型是[ ]A.NPN 型硅管B.PNP 型硅管 C.NPN 型锗管 图D. PNP 型锗管 1.3V b1.2 某三极管各个电极的对地电位如图1-2所示，可判断其工作状态是[ ]A. 饱和B. 放大C. 截止 图1.2D. 已损坏1.3 在如图1.3所示电路中，当电源V=5V 时，测得I=1mA 。
若把电源电压调整到V=10V ，则电流的大小将是 [ ]A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mAD.不能确定图1.31.4 在如图1-7所示电路中电源V=5V 不变。
当温度为20O C 时测得二极管的电压U D =0.7V 。
当温度上生到为40O C 时,则U D 的大小将是[ ]A.仍等于0.7VB.大于0.7VC. 小于0.7VD.不能确定图1.41.5 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ ]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷1.6 对于同一个晶体管而言，反向电流最小的是 [ ]A.I CBOB.I CESC.I CERD.I CEO1.7二极管的主要特性是 [ ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性1.8 温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定1.9 下列选项中，不属三极管的参数是[ ]A.电流放大系数βB.最大整流电流IFC.集电极最大允许电流ICM D.集电极最大允许耗散功率PCM1.10 温度升高时，三极管的β值将A.增大B.减少C.不变D.不能确定1.11 在N型半导体中，多数载流子是[ ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.12 下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D. 正向电阻反向电阻都大1.13 在如图1.13所示电路中，设二极管的正向压降可以忽略不计，反向饱和电流为0.1 mA, 反向击穿电压为25V且击穿后基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于[ ]A. 0.1 mAB. 2.5mAC. 5mAD. 15 mA图 1.131.14 在P型半导体中，多数载流子是[ ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.15 下列对场效应管的描述中，不正确的是[ ]A 场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点；B 场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET；C 场效应管工作时多子、少子均参与导电；D 场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。
模拟电子技术基础(第四版)习题解答
图 Pl.14
(a)
(b)
解图 Pl.14
8
解： 在场效应管的恒流区作横坐标的垂线 (如解图 Pl.14 (a)所示 ),读出其与各条曲 线交点的纵坐标值及 u G S 值，建立 i D f ( uG S ) 坐标系，描点，连线，即可得到转移 特性曲线，如 解图 Pl.14 (b) 所示。
1.15 电路如 图 P1.15 所示，T 的输出特性如 图 Pl.14 所示 ,分析当 u I =4V、8V 、12V 三种情况下场效应管分别工作在什么区域。
因此， u GD u GS u DS
2V ，小于开启电压，
说明假设成立，即 T 工作在恒流区。
当 u I =12V 时，由于 V DD 12V ，必然使 T 工作在可变电阻区。
图 Pl.15
l.16 分别判断 图 Pl.16 所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。
(a)
(b)
(c)
图 P1.16
其动态电阻 : rD U T / I D 10
故动态电流的有效值： I d U i / rD 1m A
图 P1.4
1.5 现有两只稳压管，稳压值分别是 6V 和 8V，正向导通电压为 (1) 若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2) 若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？
U I 15V 时， U O
RL
UI
R RL
5V ；
图 Pl.6
U I 35 V 时， U O
RL
UI
R RL
11.7 V
U Z ，∴ U O U Z 6V 。
0.1 (2) 当负载开路时， I Z
UI UZ R
29 mA I Z max
1章 半导体器件题解
第一章 常用半导体器件1、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）×2、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －TU UI（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）在本征半导体中加入 元素可形成N 型半导体，加入 元素可形成P 型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价 （6）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。
A. 增大 B. 不变 C. 减小（7）工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1m A 变为2m A ，那么它的β约为 。
A. 83B. 91C. 100解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A ，C （6）A （7）C3、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
4、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z mi n＝5m A。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
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第一章题解－1第一章 常用半导体器件习 题1.1 选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入 元素可形成N 型半导体，加入 元素可形成P 型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价 （2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。
A. 增大 B. 不变 C. 减小（3）工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1m A 变为2m A ，那么它的β约为 。
A. 83B. 91C. 100（4）当场效应管的漏极直流电流I D 从2m A 变为4m A 时，它的低频跨导g m 将 。
A.增大B.不变C.减小 解：（1）A ，C （2）A （3）C （4）A1.2 能否将1.5V 的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V 时，管子会因电流过大而烧坏。
1.3 电路如图P1.3所示，已知u i ＝10s in ωt (v)，试画出u i 与u O 的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图P1.3第一章题解－2解图P1.3解：u i 和u o 的波形如解图P1.3所示。
1.4 电路如图P1.4所示，已知u i ＝5s in ωt (V)，二极管导通电压U D ＝0.7V 。
试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。
图P1.4解图P1.4解：波形如解图P1.4所示。
1.5 电路如图P1.5（a ）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b ）所示，二极管导通电压U D ＝0.7V 。
试画出输出电压u O 的波形，并标出幅值。
图P1.5解：u O 的波形如解图P1.5所示。
第一章题解－3解图P1.51.6 电路如图P1.6所示，二极管导通电压U D ＝0.7V ，常温下U T ≈26m V ，电容C 对交流信号可视为短路；u i 为正弦波，有效值为10m V 。
试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？解：二极管的直流电流I D ＝（V －U D ）/R ＝2.6m A其动态电阻 r D ≈U T /I D ＝10Ω 故动态电流有效值I d ＝U i /r D ≈1m A 图P1.61.7 现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问：（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？第一章题解－4（2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：（1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.8 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Z mi n ＝5m A ，最大功耗P ZM ＝150m W 。
试求图P1.8所示电路中电阻R 的取值范围。
解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25m A电阻R 的电流为I Z M ～I Z mi n ，所以其取值范围为 Ω=-=k 8.136.0ZZI ～I U U R 图P1.81.9 已知图P 1.9所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Z mi n ＝5m A ，最大稳定电流I Z ma x ＝25m A 。
（1）分别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2）若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z＝6V ，则稳压管的电流为4m A ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V 33.3I LL O ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，稳压管中的电流大于最 图P1.9 小稳定电流I Z mi n ，所以U O ＝U Z ＝6V 同理，当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝6V 。
第一章题解－5（2）=-=R U U I )(Z I D Z29m A ＞I Z M ＝25m A ，稳压管将因功耗过大而损坏。
1.10 在图P1.10所示电路中，发光二极管导通电压U D ＝1.5V ，正向电流在5～15m A 时才能正常工作。
试问： （1）开关S 在什么位置时发光二极管才能发光？ （2）R 的取值范围是多少？ 解：（1）S 闭合。
（2）R 的范围为。
Ω=-=Ω≈-=700)(233)(Dmin Dmax Dmax D min I UV R I U V R图P1.101.11 电路如图P1.11（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波形如图（c ）所示。
试分别画出u O 1和u O 2的波形。
图P1.11解：波形如解图P 1.11所示第一章题解－6解图P1.111.12 在温度20℃时某晶体管的I CBO ＝2μA ，试问温度是60℃时I C BO ≈？ 解：60℃时I CBO ≈5C 20CBO ）＝（ T I ＝32μA 。
1.13 有两只晶体管，一只的β＝200，I CE O ＝200μA ；另一只的β＝100，I CE O ＝10μA ，其它参数大致相同。
你认为应选用哪只管子？为什么？解：选用β＝100、I C BO ＝10μA 的管子，因其β适中、I CE O 较小，因而温度稳定性较另一只管子好。
1.14已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图P1.14所示。
分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。
第一章题解－7图P1.14解：答案如解图P1.14所示。
解图P1.141.15测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.15所示。
在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
图P1.15第一章题解－8解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表P 1.15所示。
解表P1.151.16 电路如图P 1.16所示，晶体管导通时U BE ＝0.7V ，β=50。
试分析V B B 为0V 、1V 、1.5V 三种情况下T 的工作状态及输出电压u O 的值。
解：（1）当V BB ＝0时，T 截止，u O ＝12V 。
（2）当V BB ＝1V 时，因为 60bBEQBB BQ =-=R U V I μAV9mA 3 C CQ CC O BQ CQ =-===R I V u I I β所以T 处于放大状态。
（3）当V BB ＝3V 时，因为 160bBEQBB BQ =-=R U V I μA 图P1.16BEC CQ O BQ CQ mA 8 U R I V u I I CC ＜-===β所以T 处于饱和状态。
1.17 电路如图P 1.17所示，试问β大于多少时晶体管饱和？解：取U CE S ＝U BE ，若管子饱和，则Cb CBECC bBECC R R R U V R U V ββ=-=-⋅所以，100Cb =≥R R β时，管子饱和。
图P 1.17第一章题解－91.18 电路如图P1.18所示，晶体管的β＝50，|U BE |＝0.2V ，饱和管压降|U CE S |＝0.1V ；稳压管的稳定电压U Z ＝5V ，正向导通电压U D ＝0.5V 。
试问：当u I ＝0V 时u O ＝？当u I ＝－5V 时u O ＝？解：当u I ＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，u O ＝－U Z ＝－5V 。
当u I ＝－5V 时，晶体管饱和，u O ＝0.1V 。
因为mA24μA480B C bBEI B ===-=I I R U u I βCC C C CC EC V R I V U ＜-=图P 1.181.19 分别判断图P 1.19所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。
第一章题解－10图P1.19解：（a ）可能 （b ）可能 （c ）不能（d ）不能，T 的发射结会因电流过大而损坏。
（e ）可能1.20 已知某结型场效应管的I D SS ＝2m A ，U G S （o ff ）＝－4V ，试画出它的转移特性曲线和输出特性曲线，并近似画出予夹断轨迹。
解：根据方程2GS(th)GS DSS D )1(U u I i -=逐点求出确定的u G S 下的i D ，可近似画出转移特性和输出特性；在输出特性中，将各条曲线上u G D ＝U G S （o ff ）的点连接起来，便为予夹断线；如解图P1.20所示。
解图P1.201.21 已知放大电路中一只N 沟道场效应管三个极①、②、③的电位分别为4V 、8V 、12V ，管子工作在恒流区。
试判断它可能是哪种管子（结型管、MOS 管、增强型、耗尽型），并说明 ①、②、③与G 、S 、D 的对应关系。
解：管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管，三个极①、②、③与G 、S 、D 的对应关系如解图P 1.21所示。
第一章题解－11 解图P1.211.22 已知场效应管的输出特性曲线如图P1.22所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。
图P1.22解：在场效应管的恒流区作横坐标的垂线〔如解图P 1.22（a ）所示〕，读出其与各条曲线交点的纵坐标值及U G S 值，建立i D ＝f （u G S ）坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如解图P1.22（b ）所示。
第一章题解－12 解图P1.221.23 电路如图1.23所示，T 的输出特性如图P1.22所示，分析当u I ＝4V 、8V 、12V 三种情况下场效应管分别工作在什么区域。
解：根据图P1.22所示T 的输出特性可知，其开启电压为5V ，根据图P1.23所示电路可知所以u G S ＝u I 。
当u I ＝4V 时，u G S 小于开启电压，故T 截止。
当u I ＝8V 时，设T 工作在恒流区，根据输出特性可知i D ≈0.6m A ，管压降u D S ≈V D D －i D R d ≈10V因此，u G D ＝u G S －u D S ≈－2V ，小于开启电压， 图P1.23说明假设成立，即T 工作在恒流区。
当u I ＝12V 时，由于V D D ＝12V ，必然使T 工作在可变电阻区。
第一章题解－13 1.24 分别判断图P1.24所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。
图P1.24 解：（a ）可能 （b ）不能 （c ）不能 （d ）可能。