中国科学院微电子研究所
国内院校微电子专业简介
国内院校微电子专业简介中国科学院微电子所中国科学院微电子所成立于1986年，由原中国科学院109集成电路制造厂和半导体所微电子学部合并而成，2003年9月正式更名为中国科学院微电子研究所，是一所专业从事微电子领域研究与开发的国立研究机构，是中国科学院微电子技术总体和中国科学院EDA中心的依托单位。
下设4个研究室和两个制造部。
设有博士和硕士学位授予点和博士后流动站.主要研究方向：1. 硅器件及集成技术；⒉微细加工与新型纳米器件集成；3. 微波电路与化合物半导体器件；4.集成电路设计与系统应用（包括专用集成电路与系统、通讯与多媒体系统芯片、集成电路设计与应用开发）。
本专业一级学科为电子科学与技术。
作为一门交叉与综合性学科，跨专业学习具有极大的发展前景与潜力，因此微电子所欢迎并鼓励通讯与通信工程类、计算机类、自动化类、软件类、光电技术、物理与应用物理学、材料学等相关专业的同学报考。
博士学位授予权的专业微电子学与固体电子学（080903）□硅器件及集成技术①英语②半导体物理③半导体器件□微细加工与新型纳米器件集成①英语②半导体物理或固体物理③半导体器件或电子线路□微波电路与化合物半导体器件①英语②半导体物理③半导体器件或电子线路□集成电路设计与系统应用（专用集成电路与系统、通讯与多媒体系统芯片、集成电路设计与应用开发）①英语②模拟集成电路③数字集成电路或信号与系统或通信原理或电子线路中国科学院半导体研究所中国科学院半导体研究所成立于1960年,建有材料和器件大楼、基础理论和理化楼、电子楼、超净楼、离子楼及专业图书馆等。
本所现有研究员69人，包括9位中国科学院院士和中国工程院院士。
本所是国务院首批批准的博士和硕士学位授予权的单位和博士后流动站建站单位，现有4个博士学位授权点，5个硕士学位授权点，3个博士后流动站，博士生导师55名，硕士生导师53名。
本所是从事半导体物理、材料、器件、电路及其应用研究的综合性研究所。
中国科学院微电子研究所
微电子设备技术研究室招聘信息
/zkyzpzq/news.asp?id=1093
有意应聘者请填写《中国科学院微电子研究所岗位申请表》，或直接发送邮箱Email:hr@务必注明应聘的部门及岗位名称。
（四）、微波器件与集成电路研究室
该研究室是国内最早开展化合物半导体器件和电路研究的单位之一，目前的主要研究方向包括：GaAs基和InP基微波毫米波半导体器件和电路研制、微波大功率GaN基器件和电路研究、微波单片集成电路设计和测试技术、超高频数模混合电路研究、微波混合电路和模块、光电器件与高密度集成技术。研究室下设"4英寸化合物半导体工艺线"、"微波单片集成电路（MMIC）设计和测试"、"微波模块研究"、"光电模块研究"四个科研平台。
射频集成电路研究室招聘信息
/zkyzpzq/news.asp?id=1093
有意应聘者请填写《中国科学院微电子研究所岗位申请表》，或直接发送邮箱Email:hr@务必注明应聘的部zq/news.asp?id=1093
有意应聘者请填写《中国科学院微电子研究所岗位申请表》，或直接发送邮箱Email:hr@务必注明应聘的部门及岗位名称。
（十一）、射频集成电路研究室
（一）、硅器件与集成技术研究室
该研究室面向半导体硅基器件及集成电路研究，以超大规模集成电路设计技术和产品研制为主。目前致力于SOI集成电路、功率器件的设计、产品研制、测试及可靠性等技术研究。
中科院微电子所介绍
招生简介中国科学院微电子研究所是一所专业从事微电子领域研究与开发的国立研究机构，是中国科学院微电子技术总体和中国科学院EDA中心的依托单位。
微电子所本着“惟精惟一、求是求新”的办所精神，面向国家战略需求，积极承担重点科技攻关与产品开发任务，一方面拓展前沿技术与基础研究领域，发展交叉学科方向；同时通过全方位合作积极推进成果的应用开发和产业化，推动产业发展。
微电子所致力于打造现代化的高技术研究机构，成为我国IC技术和产业领域一个技术创新基地和高素质高层次人才培养基地，为促进国家微电子技术进步和自主创新，实现产业的可持续发展做出贡献。
微电子研究所是国务院学位委员会批准的博士、硕士学位授予单位，2004年批准建立博士后流动站。
现有职工622人，其中中国科学院院士2人，高级研究人员91人，上岗研究生导师74名（其中博士生导师34名），在读研究生近300多人。
主要研究方向：1.硅器件及集成技术；⒉微细加工与新型纳米器件集成；3.微波电路与化合物半导体器件；4.集成电路设计与系统应用（包括专用集成电路与系统、通信与多媒体片上系统芯片、集成电路设计与应用开发、电子封装）。
本专业一级学科为电子科学与技术。
作为一门交叉与综合性学科，跨专业学习具有极大的发展前景与潜力，因此微电子所欢迎并鼓励微电子专业及通讯与通信工程类、计算机类、自动化类、软件类、光电技术、物理与应用物理学、材料学等相关专业的同学报考。
除招收普研（学术型）外，我所还计划在电子与通信工程（代码：430109）和集成电路工程（代码：430110）两个领域招收全日制专业学位研究生。
我所2011年度研究生招生仍为国家计划内公费。
专业代码： 080903专业名称：微电子学与固体电子学学科专业研究方向与导师w 硅器件及集成技术该方向为一室、九室、十室研究方向，主要从事CMOS及SOI CMOS器件与集成电路、功率器件与集成电路、高可靠性器件与集成电路、微系统及集成技术研究等的研究、设计、制造及测试。
中科院微电子所硕博连读培养方式
中国科学院微电子研究所硕-博连读研究生培养方案2009-10-12 | 编辑： | 【大中小】【打印】【关闭】为加强我所攻读硕士学位研究生的培养工作，进一步提高硕士生的培养质量，根据国家和中国科学院的相关文件的精神，并根据我所的具体情况，特制定攻读硕士学位研究生的培养方案如下：培养目标我所攻读硕士学位研究生的培养目标是：进一步学习、掌握马克思主义的基本原理，树立为社会主义现代化建设事业服务的理想。
在攻读学科上掌握坚实的基础理论和系统的专门知识；掌握一门外国语（英语）；具有从事科学研究工作或独立担负专门技术工作的能力。
具有健康的体格。
学习年限硕士学位研究生的学习年限一般为三年，学位课程学习时间为一年，从事学位论文相关的科学研究和撰写论文为二年至三年。
正常情况下，如不能按时毕业者，若完成学习任务，论文答辩未通过，作结业处理。
确实由客观因素未能按时完成学习任务，必须由导师提出申请，经研究生部核准，可延长半年至一年，延长学习的时间不计算学制。
在职硕士学位研究生的学习年限3年半，论文工作必须结合本职工作。
硕士学位研究生一般不得提前毕业。
培养方式政治理论学习与经常性政治、思想、纪律和理想教育相结合。
对硕士生除开设必修的政治理论课外，还应加强形势、政策、理想、法纪、道德品质和爱国主义教育。
同时，在完成学习任务的前提下，积极开展社会主义公益和社会实践活动。
贯彻学位课程和论文工作并重的原则。
硕士生既要系统地学习理论，也要接受独立从事科学研究的实践锻炼。
贯彻指导教师负责带教和指导教师小组集体培养相结合的原则。
导师应该从政治思想和业务学习两方面关心和教育硕士生。
指导教师根据本专业培养方案规定的原则和要求，结合研究方向，制定硕士生的培养计划，对学位课程和论文作出具体安排。
硕士生应在导师指导下制定本人学习计划，选修课程必须征得导师或学科点学术秘书的同意；完成学位课程学习计划后，必须在一学期内完成调研工作并转入论文正式工作。
黄令仪个人事迹简介和感人故事
黄令仪个人事迹简介和感人故事黄令仪个人事迹简介和感人故事篇1中国科学院微电子研究所4月20日发布讣告，中国科学院微电子研究所退休干部黄令仪同志因病抢救无效，于2023年4月20日5时在北京大学第三医院去世，享年86岁。
黄令仪生平如下：1936年，黄令仪出生在广西南宁，祖籍广西桂林全州县两河镇鲁水村，毕业于华中工学院(今华中科技大学)，并被推荐到了清华大学半导体专业学习。
1960年，黄令仪学成返校，在母校创办半导体专业和实验室。
1962年10月，黄令仪按应届毕业生分配到了中科院计算所二室101组(固体电路组)工作。
1989年，黄令仪被公派至美国一家公司进行合作。
1990年，黄令仪回国后潜心钻研各种集成电路的设计方法，从建立版图库、时序库开始，到寄生参数对性能的影响，时钟树的生成、全局规划，时序驱动布线等等，全定制、标准单元、宏单元的设计方法都研究过，用户包括华为的程序控制芯片，计算所的模糊控制芯片等。
2002年，66岁的黄令仪加入龙芯，一晃十五载，从1B、1C到3A、3B，再到GS464E。
在黄令仪和同行的芯片人的不懈努力下，“龙芯3号”等一大批国产高性能芯片应运而生，复兴号高铁实现了百分之百的国产化，歼20等先进军事装备配套了相控阵雷达。
黄令仪曾荣获2023年CCF夏培肃奖。
(IT之家注：本奖项旨在促进女性计算机工作者在学术、工程、教育及产业领域的成长)获奖理由是：“黄令仪研究员在长达半个多世纪的时间里，一直在研发一线，参与了从分立器件、大规模集成电路，到通用龙芯CPU芯片的研发过程，为我国计算机核心器件的发展做出了突出贡献”。
黄令仪个人事迹简介和感人故事篇2为打破美国芯片垄断，86岁的她仍奋战一线。
而现在，她终于可以好好休息了，她就是我们中国“芯片之母”黄令仪。
4月20日，中国科学院微电子研究所发布了一则讣告。
中国科学院微电子研究所退休干部中共党员黄令仪同志因病抢救无效，于2023年4月20日5:00在北京大学第三医院去世，享年86岁。
加强协作,促进创新快出成果——北京自动测试技术研究所与中国科学院微电子研究所共同成立的“北京集成
开发商的增长 ，应该把他们看作我们产业联盟的重
要 成员 ， 只有 芯 片开 发 商 、 值开 发 商 、 用 开发 商 增 应
都得 到 发展 和壮 大 ，才 可 能带来 市场 的繁 荣和应 用 的繁荣 。
为了实现 我 同经济 的持续 健康 发展 ，需 要加 快 产业 结构 调整 ， 变 经 济发 展 方式 。 当前集 成 电路 转
北 京 市 科 学 技 术 研 究 院 院 长 丁 辉 和 中 国科 学 院 北 京 分 院 党 组 副 书 记 杨 建 国 为 北 京 集 成 电路 测 试 技 术 联 合 实 验 室 揭 牌
和 中 国科 学 院微 电子 研究 所 微 电
子设 备 技术 研究 室 主任 夏洋 研究 员共 同担任 。北 京 集 成 电路联 合实 验 室 的启 动 ，将 为我 国集成 电路 测
试 技术 研 发进一 步 增加 助推 力 。
护并 发展 自主知识 产 权 ，建 立高 效 的研
务平 台 ， 为北 京地 区集成 电路 产 业提 供专
次、 一站 式 的测试 服 务 。
２０ 初 ， ０ ９年 北京 自动 测试 技 术 研究 所 与 中国科 学 院微 电子研究 所 签订 了战 略合作 协议 ，双方 决定 共 同组 建 “ 京 集 成 电 路 测 试 服 务 产 业 联 盟 ”和 北 “ 京 集成 电路 测试 技 术联 合实 验 室”， 以此 为依 北 并 托， 整合 北 京 市 、 中科 院系 统 的集 成 电路 测 试 资 源 ， 共 同承接 国家 重大 科技 项 目专 项 ， 发 功率 器件 、 研 霍 尔 电路和 数模 混合 信 号集 成 电路测 试 系统 ，研 发 汽 车 电子 、 阳能 、 能 功率 器 件 及 模 块 测试 技 术 ， 太 风 保
中国科学院大学保研—中科院微电子研究所保研推荐免试公告
中国科学院大学保研—中科院微电子研究所保研推荐免试公告被免试推荐为硕士研究生的优秀应届本科毕业生（以下简称推荐免试生）是我所优秀生源的重要组成部分。
做好接收推荐免试生工作，是有效提高生源质量的重要措施之一，直接影响我所招生质量和招生工作的声誉，也直接关系到广大考生的切身利益，关系到我所研究生招生工作的可持续快速发展。
我所接收高等学校具有推荐免试资格的优秀应届本科毕业生免试攻读硕士学位研究生，包括学术型硕士和全日制专业学位硕士，部分推免生还可申请直接攻读博士学位（直博生）。
为保证我所接收推荐免试生的质量，规范操作程序，根据教育部和中国科学院大学有关文件精神，特发布公告如下：第一部分接收原则和组织领导1.我所招生专业目录中公布的各专业均可接收推荐免试生。
2.接收推荐免试生应遵循公平公正、全面衡量、保证质量、择优录取、宁缺毋滥的原则。
3.我所接收推荐免试生的各专业，均应保留一定的名额用于招收参加统一考试的考生。
4.接收推荐免试生工作由我所招生领导小组负责，研究生部组织实施。
中科院微电子研究所保研第二部分申请条件凡获得推荐免试资格的应届本科毕业生均可申请免试攻读硕士学位。
申请者应具备如下条件：1．有为科学事业献身的精神，有较好的科研潜力，道德品质良好，遵纪守法。
2．学生所在学校必须是教育部规定的具有当年免试生推荐资格的高校。
3．学生应获得其所在高校推荐免试资格，占用母校推荐免试生名额。
4．申请人在大学本科阶段学习成绩优异，在学期间无重修科目或补考记录，在校期间没有受过纪律处分。
5．须通过大学英语四级以上（包括四级）考试，具有较强的外语听、说、读、写应用能力。
6．具有较强的调查研究、综合分析问题、解决问题能力。
7．身体健康状况符合规定的体检标准，心理健康状况良好。
中科院微电子研究所保研第三部分申请材料推荐免试申请者应提交如下材料：（一）必须提供材料1．《中国科学院研究生院申请推荐免试生信息表》〔登陆/上<推免申请>栏，填写完《个人信息填报表》即可打印出《中国科学院研究生院申请推荐免试生信息表》〕；2．省（自治区、直辖市）高等学校招生委员会办公室盖章的《全国推荐免试攻读硕士学位研究生登记表》（录取后向所在学校领取，10月17日前交招生单位）。
中国科学院微电子研究所硕士研究生培养方案(讨论稿)
中国科学院微电子研究所硕士研究生培养方案（讨论稿）为适应创新型国家建设和社会发展对高层次人才的新要求，保证研究生培养质量，遵照《中国科学院研究生院关于修订研究生培养方案的指导意见》，结合本所实际制定本方案。
一、培养目标微电子学与固体电子学学科是电子科学与技术一级学科下属的二级学科。
微电子研究所是一所专门从事微电子领域研究与开发的国立研究机构，面向国家在微电子领域的战略需求，加强关键技术创新与集成，承担重点科技攻关与产品开发；面向产业发展需求，建设开放平台，通过全方位合作积极推进成果的应用开发和产业化；拓展前沿技术与基础研究领域，发展交叉学科方向，成为我国IC技术和产业领域一个技术创新基地和高素质高层次人才培养基地，为促进国家微电子技术进步和自主创新，实现产业的可持续发展作出贡献。
具体要求如下：1．掌握马克思主义基本理论、树立科学的世界观，坚持党的基本路线，热爱祖国；遵纪守法，品行端正；诚实守信，学风严谨，团结协作，具有良好的科研道德和敬业精神。
2．掌握坚实的“电子科学与技术”一级学科较宽厚的理论基础, 具有“微电子学与固体电子学”二级学科系统的专业知识, 能熟练运用计算机, 掌握相应的实验技术, 掌握一门外国语，具有从事科学研究工作或独立承担专门技术工作的能力。
3．硕士研究生能够熟练运用英语阅读本领域有关文献资料，并能撰写论文摘要，具有良好的英语听说能力。
4．具有健康的体质与良好的心理素质。
二、学科专业及研究方向本所在微电子学与固体电子学学科专业培养硕士研究生，该学科专业及研究方向设置如下：学科专业 研究方向1、硅器件及集成技术2、微细加工与新型纳米器件集成微电子学与固体电子学3、微波电路与化合物半导体器件4、集成电路设计与系统应用三、培养方式及学习年限硕士研究生培养采取“两段式”的培养模式，包括课程学习和科研实践两个阶段；实行导师或导师小组负责制。
导师或导师小组负责指导研究生科研工作，关心研究生政治思想品德，并在严谨治学、科研道德和团结协作等方面对研究生严格要求，配合、协助研究生教育管理部门做好研究生的各项管理工作。
中环股份与中国科学院微电子研究所签署了《高端半导体产业园区战略合作框架协议》
中环股份与中国科学院微电子研究所签署了《高端半
导体产业园区战略合作框架协议》
?中环股份6月13日晚间公告，公司与中国科学院微电子研究所（以下简
称“中科院微电子所”）、北京海淀科技园建设股份有限公司（以下简称“海科建”）、天津滨海高新技术产业开发区塘沽海洋高新技术开发区管理委员会
（以下简称“海洋高新区管委会”）就联合在塘沽海洋高新区投资建设高端半
导体产业园区合作事宜，签署了《高端半导体产业园区战略合作框架协议》。
?
?根据公司战略发展规划，为积极发展半导体产业并投资建设高端半导体产
业园区项目，公司拟与海科建、中科院微电子所子公司北京中科微投资管理
有限责任公司（以下简称“中科微投”）、天津滨海高新技术产业开发区塘沽海
洋高新技术开发总公司（以下简称“海洋高新”）共同投资组建天津中科环海
产业园有限公司（以下简称“中科环海产业园”），负责园区运营管理、动力、物业配套及园区招商、产业孵化等。
?
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?公司表示，本次合作各方共同在塘沽海洋高新技术开发区投资组建中科环
海产业园，重点围绕中环股份产业优势以及中科院微电子所的技术优势和专
利布局，充分发挥海科建园区建设及运营经验，共同布局面向高端通讯领域
的5G通讯、微波毫米波通讯等方面的新兴化合物半导体产业。
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微电子研究所
北京大学微电子学系国家大力支持的重点学科点北京大学微电子学系，又称微电子学研究所(院)，有着源远流长的学术传统。
1956年，由著名物理学家黄昆院士在北大物理系领导创建了我国第一个半导体专业机构，之后在我国著名微电子专家王阳元院士的带领下，北京大学微电子学系发展成为我国培养高水平微电子人才的一个重要基地，是国家的重点学科点。
【硬件环境】三大重点实验室国内领先北大微电子学系有着国内一流的科研硬件设施，有微米/纳米加工技术国家级重点实验室、北方微电子研究开发基地新工艺新器件新结构电路国家计委专项实验室、北京市软硬件协同设计高科技实验室三大重点实验室，还有MPW(多项目晶圆)中心平台。
【师资科研】科研小组特色明显北大微电子所下设SOI、SOC、ASIC、MPW中心、MEMS、新器件、可测性、宽禁带、纳太器件等多个研究小组。
所长王阳元院士是中国微电子产业的奠基人之一，目前出任中芯国际的董事长。
SOI研究组的研究领域有SOI技术、纳米量级新结构器件及制备工艺技术，以及射频电路技术。
黄如教授是北京市优秀教师，目前为IEEE EDS(Electron Device Society)和ADCOM (Administrative Committee)的成员，主要科研方向是SOI，但同时也指导学生进行射频方面的研究。
廖怀林教授专门从事RF电路方面的研究，功底深厚。
该研究组掌握了国内科研界最先进的加工技术(流片基本上采用0.13微米工艺)，研究生博士生已有多篇文章发表在国际高水平刊物上。
SOC研究组在敦山教授领导下，拥有北京大学-安捷伦科技SOC测试教育中心和北京大学-安捷伦科技SOC测试工程中心两大平台。
于老师虽然是研究微处理器，但在系统方面也有很深的造诣。
重视工艺是北大微电子所的传统，所里不少老师是学物理出身的，对于器件工艺十分重视，再加上最先进的微米/纳米加工条件，因此该所的微电子器件加工工艺一直保持着国内领先水平。
中国科学院电子研究所
中国科学院电子研究所中国科学院电子研究所位于中国北京市海淀区中关村科学园西区，是中国科学院下属的全国重点实验室之一。
该研究所成立于1956年，原名中国科学院西北电讯研究所，主要研究方向涉及信息与通信技术、微电子技术和电波技术等领域。
中国科学院电子研究所是国家军民融合发展的先行者之一，也是培养电子科学与技术人才的重要基地。
该研究所拥有一流的实验条件和设备，并与国内外众多高校、科研机构和企业建立了紧密的合作关系。
目前，中国科学院电子研究所已成为中国电子科学与技术的重要研究机构之一，具有较高的学术影响力和技术实力。
中国科学院电子研究所的研究主要集中在以下几个方面：1. 信息与通信技术：该研究方向主要涉及通信网络、宽带通信、信息安全、智能信息处理、无线通信等领域。
研究人员致力于开发新型的通信技术和产品，推动信息与通信技术的创新和发展。
2. 微电子技术：该研究方向主要涉及半导体器件、集成电路设计与制造、纳米电子技术等领域。
研究人员致力于研发新型的微电子器件和技术，推动微电子技术的进步和应用。
3. 电波技术：该研究方向主要涉及雷达技术、卫星通信技术、电子对抗技术等领域。
研究人员致力于研发新型的电波技术和系统，提高电波技术在国防和民用领域的应用水平。
中国科学院电子研究所在科研领域取得了许多重要的成果。
例如，研究人员成功研制出了一系列新型的电子器件和集成电路，为国内外电子产业的发展做出了重要贡献。
同时，该研究所也积极参与国家重大科技项目和重点研发计划，推动我国电子科学与技术的创新和发展。
总之，中国科学院电子研究所作为我国电子科学与技术领域的重要研究机构，致力于推动科技进步和产业发展。
通过不断创新和研发，该研究所为我国电子产业的发展做出了重要贡献，并为培养优秀的电子科学与技术人才提供了重要平台。
“新一代通信射频芯片技术北京市重点实验室” 落户微电子所
“新一代通信射频芯片技术北京市重点实验室”落户微电子所来源：中科院微电子所门户网站5月23日，北京市科学技术委员会发布了“关于公布2011年度认定北京市重点实验室和北京市工程技术研究中心名单的通知”，“新一代通信射频芯片技术北京市重点实验室”落户中国科学院微电子研究所。
自去年北京市科委启动2011年度北京市重点实验室和北京市工程技术研究中心申报工作以来，微电子所射频集成电路研究室（十一室）作为依托部门，在所领导、科技处的关心和大力支持下认真组织、悉心准备，申报了“新一代通信射频芯片技术北京市重点实验室”,依靠长期积累的射频集成电路设计经验和丰硕成果，经过北京市科委初审、专家评审、现场考察，获得专家好评，“新一代通信射频芯片技术北京市重点实验室”成功获批。
通信技术是信息社会的神经系统，为现代化的生活提供各种便利，越来越成为生活、工作所必需的一项技术。
随着通信质量要求的提高，通信射频技术的更新换代愈加频繁，对于射频技术的要求也越来越高。
射频集成电路研究室一直从事射频/微波集成电路及相关模块研究，致力于新技术、新产品的研发和产业化推进。
近年来，团队承担了多项国家重大科技专项和863及北京市重点科技项目，与国内外兄弟单位结成战略合作伙伴，共同致力于先进通信技术研发及相关产业发展。
经过多年的发展与积累，从2G（第二代通信标准）到4G （第四代通信标准），从2.4GHz到太赫兹，都有着深入细致的研究，并获得显著进展。
“新一代通信射频芯片技术北京市重点实验室”落户微电子所，将有利于微电子所在北京市电子信息领域发挥更大作用，为推进北京市科技创新体系建设做出更大贡献。
重点实验室将紧密结合北京市城市建设和科技创新方向，积极参与北京市通信基础研究和应用研究，以北京市新一代通信射频需求为牵引，依靠中科院微电子所科研资源优势，联系上下游厂家，积极推动北京市通信射频的产业化发展。
此次成功获批“新一代通信射频芯片技术北京市重点实验室”，也是对中科院微电子所及射频集成电路团队科研实力的肯定，并将对相关领域高水平科研成果的产出、人才培养、科研水平的提高发挥重要的支撑作用。
《半导体器件及集成电路》考试大纲一、
中国科学院微电子研究所博士研究生入学考试《半导体器件及集成电路》考试大纲一、考试科目基本要求及适用范围本考试大纲适用于中国科学院微电子研究所“微电子学与固体电子学”和“电子与信息”领域的博士研究生入学考试。
半导体器件与集成电路是微电子学与固体电子学、电子工程、半导体器件与物理、集成电路工程等许多学科的基础理论课程。
要求考生熟悉半导体器件的基本原理，掌握集成电路的基本工艺流程和集成方法，并实现灵活应用。
二、考试形式和试卷结构考试采取闭卷笔试形式，考试时间180分钟，总分100分。
试卷结构为：基础必答题占60%，如：概念题、简答题，计算推理题等；综合分析题占40%，设置为灵活题型，报考学生可自主选做。
三、考试内容和要求（一）半导体器件基本概念与基本构件1、p-n结1)熟悉p-n结，耗尽区，载流子漂移、扩散，异质结等基本概念；2)掌握p-n结电流电压特性；3)掌握p-n结击穿类型，了解不同击穿机制的机理差异。
2、金属半导体接触1)熟悉金属-半导体接触的概念与类型，掌握界面态、接触电势差、功函数等基本物理概念；2)理解镜像力、费米能级钉扎效应；3)理解金半接触电流输运过程（热电子发射，隧穿，复合，电子的扩散，空穴的扩散）；4)掌握欧姆接触定义及形成策略。
3、MIS结构1)熟悉MIS结构的高频/低频C-V曲线特性，理解积累、耗尽、平带、反型状态的含义；2)熟悉硅MOS电容的介质陷阱类型，掌握MOS电容界面陷阱和氧化物电荷陷阱的类型和特点。
（二）半导体器件原理与应用1、双极型器件1)掌握双极型器件的基本结构；2)理解双极型器件工作原理与应用，掌握静态I-V特性；2、MOSFET及相关器件1)掌握MOSFET定义、结构、工作原理；2)掌握迁移率、阈值电压、等比例缩小、DIBL、热载流子效应等基本概念；3)掌握MOSFET器件的电流-电压特性，掌握计算方法；4)理解MOSFET器件特性随温度、衬底偏置等因素的变化规律，掌握MOS器件的各种寄生特性；5)理解现代MOS器件的缩减原理与方式，深入理解短沟道效应，掌握短沟道器件与长沟道器件的特性差异；6)了解SRAM、DRAM、Flash等存储器件的基本结构、工作原理；7)了解现代纳米级MOS器件的特点与发展方向，包括结构变化、技术进化、器件原理等；了解新结构MOS器件的引入原理与结构特点，分析SOI与多栅器件的缩减优势，立体多栅器件的设计原则与方法，体硅FinFET、ET-SOI器件特点3、半导体功率器件1)理解双极型功率晶体管的工作原理与静态特性，了解高频小信号、大信号特性；2)了解功率BJT器件结构，输出特性与安全工作区，开关特性及功率损耗；3)了解晶闸管，IGBT器件结构和制造工艺，了解中子嬗变掺杂，表面钝化，结终端保护，超结晶体管的概念；4)了解宽禁带半导体器件的特点，了解其材料优值与制造技术，了解第三代半导体SiC、GaN电力电子器件的最新发展与应用现状4、化合物半导体器件1)熟悉化合物半导体晶格与能带结构，量子效应异质结构，迁移率与载流子散射，理解调制掺杂，异质PN结特性；2)理解HEMT和HBT器件的结构、工作原理和优势，了解器件特性、模型，高频与噪声特性；5、光学器件1)理解半导体发光二极管原理，了解外延生长及能带工程，了解半导体激光器原理及种类；2)熟悉光电探测器的种类、原理及应用；3)熟悉太阳能电池原理及未来发展；了解太阳能电池的设计与实现；（三）集成电路工艺1、熟悉各基本工艺环节，如氧化与扩散工艺、离子注入工艺、光刻工艺、刻蚀工艺、薄膜生长工艺、后道互连工艺的概念、用途，不同实现方式（技术门类），发展现状以及发展趋势；2、CMOS工艺集成技术1)熟悉MOS集成关键工艺模块，包括器件隔离、栅工程、沟道工程、自对准硅化物、欧姆接触等关键技术模块的基本方式与原理；2)掌握MOS集成工艺，包括 NMOS、CMOS集成电路工艺的基本流程，发展历程，关键技术变化等，理解热载流子、闩锁效应及工艺改进方法，了解电容、电阻、电感器件的集成方法；3)熟悉先进CMOS技术，如现代CMOS工艺中沟道应变、高K金属栅等新型关键工艺技术；3、理解微电子封装的基本功能、定义，了解封装技术的最新发展。
INSTITUTEOFMICROELECTRONICSOFCHINESEACADEMYOF
芯中国科学院微电子研究所地址：北京市朝阳区北土城西路3号传真*************邮箱：************.cn网址: 邮编：100029我所举办第三届重阳节敬老联谊会微电子所隆重召开深入学习实践科学发展观活动动员大会我所综合科研楼等4个项目顺利通过中科院基建工程项目验收研究生吴璇演唱黄梅戏《到底人间欢乐多》退休职工萧泽瀛讲故事《学外语》李培金书记与验收组领导、专家合影验收会现场李培金书记陪同验收组成员视察园区建设李培金书记陪同验收组成员视察科研、办公环境京区党委副书记杨建国及所领导在主席台就坐 参会党员认真聆听报告第二届“老年之星”颁奖老年合唱队表演节目退休职工袁湘君、周晓茵表演舞蹈《天路》王守觉院士即兴演唱《爱的奉献》目 录◢ 深入学习实践科学发展观微电子所召开学习实践科学发展观活动领导小组会议正式启动学习实践活动微电子所隆重召开深入学习实践科学发展观活动动员大会微电子所召开离退休党员学习实践科学发展观专题辅导报告会加强机关作风建设 践行科学发展观——微电子所机关组织开展学习实践科学发展观活动◢ 辉煌50年所庆感怀◢ 科研进展我国首个ZnO纳米棒场效应晶体管在微电子所研制成功我所UWB物理信道划分提案被中国无线个域网标准组完全采纳第二届海峡两岸微米纳米技术研讨会北京分会在我所召开我所聘任德国明斯特大学迟立峰教授为客座研究员JBX-6300FS电子束光刻系统运行良好 我所微纳加工实力再上新台阶香港科技大学工学院院长访问我所台湾工研院专家代表团访问我所 香港城市大学朱剑豪教授来我所作学术报告美国科学院院士Ward Plummer博士访问我所 ◢ 所务动态我所在院“2+3”升档评估中被评为良好研究所我所举办第三届重阳节敬老联谊会我所综合科研楼等4个项目顺利通过中科院基建工程项目验收我所开展新入所员工及研究生培训展微电子形象 助奥运圆梦——微电子所以实际行动支持北京奥运会、残奥会◢ 党群工作微电子所职工参观抗震救灾主题展览我所积极组织向汶川地震灾区“送温暖、献爱心”捐助活动 “迎所庆”系列羽毛球比赛圆满结束01020304131516181920212205060707080911111212…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………… 2008年第5期 总第十四期目 录参观瑰宝，感受5000年中华文明 —— 记四六室党支部活动我们是一家人 —— 记杭州中科微党支部敬老院之行◢ 创新文化北方工业大学学生来我所参加科普活动一室分工会组织职工活动石林峡游记 —— 记知创公司分工会活动二室组织秋游活动◢ 队伍建设我所刘明研究员获2008年度国家杰出青年科学基金资助◢ 夕阳红我所组织退休职工秋游活动◢ 学生园地研究生会举办“花好月圆夜”庆中秋歌手大赛刘舸博士获第9届ICSICT大会最佳学术海报论文奖陈高鹏博士在2008年安捷伦公司 EESof EDA中国用户论文评选中夺魁秋韵之我——记杭州分部研究生团队拓展活动293132333334 2008年第5期 总第十四期目 录…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………… (23)2425262728根据党中央、中科院党组、京区党委关于深入开展学习实践科学发展观的要求和部署，微电子所党委迅速成立了以党委书记李培金任组长，所长叶甜春、党委委员曾鸿宾、党办主任杨旭任副组长的学习实践科学发展观活动领导小组，并于10月21日召开第一次会议，正式启动了深入学习实践科学发展观活动。
中科院电子学研究所
中科院电子学研究所中科院电子学研究所（Institute of Electronics, Chinese Academy of Sciences）是国家重点实验室之一，成立于1956年，是中国科学院内最早成立的研究所之一。
其前身为中科院物理研究所电子学室，主要从事半导体器件、集成电路及电子科学技术的研究。
中科院电子学研究所致力于电子学科的基础研究和创新应用，并尤其注重激光与光电子技术、微电子与集成电路技术、智能感知与信息处理技术等前沿领域的研究。
该所拥有一支专业强大的科研队伍，包括多位国家“千人计划”专家、国家杰出青年科学基金项目获得者以及拥有丰富实践和理论经验的优秀研究人员。
在激光与光电子技术领域，中科院电子学研究所在激光技术、光学仪器与控制、光电探测与传输等方面取得了多项重要的研究成果。
研究所研发的高功率固体激光器技术，在军事、航天、医疗等领域有着广泛的应用前景。
此外，研究所还发展了一系列高性能数字、模拟光电探测器，如探测远红外线和次毫米波，以满足复杂环境下的光电探测需求。
在微电子与集成电路技术方面，中科院电子学研究所致力于半导体器件的研发与应用，研究所建立了完善的微纳加工技术和合金化学气相沉积技术平台，成功研发了多种新型材料与器件。
该领域的研究成果已经广泛应用于数字、模拟和射频集成电路及其系统。
此外，中科院电子学研究所还在智能感知与信息处理技术领域开展了重要研究。
研究所积极探索人工智能与传感器技术的融合，致力于发展智能传感器与感知系统。
该所开展的研究涵盖了多个方面，包括指纹识别、生物医学图像处理、智能芯片等，为实现智能交通、智慧医疗、智能家居等领域的发展做出了重要贡献。
总之，中科院电子学研究所以其卓越的科研实力和创新成果，为我国电子科学技术的发展做出了重要贡献。
研究所将继续致力于电子学科的研究与应用，推动我国在电子科学技术领域的创新发展。
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所RFG-3000/13.56MHz 固态射频电源，220VAC用户手册中国科学院微电子研究所2011.5.11RFG-3000/13.56MHz用户手册一．主要技术性能电气参数输出功率1W-3000W连续可调，正反向功率真彩色LCD智能显示射频末级效率≥86％（3000W输出时），≥93%（1500W输出时）功率稳定度≤ ±0.5％(额定功率输出时)频率稳定度±10ppm承受最大反射功率600W（20-30s）最大输出功率裕度20%谐波输出二次谐波低于 -50dB，三次及更高次谐波低于 -55dB 频率信号13.56MHz标准正弦波整机效率≥70%控制信号与后面板电气连接模拟口15针D型（阴性）（选配）串口RS232/RS485/USB通讯协议（选配）外部时钟同步（CEX）BNC(阴性)射频输出口标准同轴接头输出（M/N型，阴性）交流供电口AC220V供电（50Hz）冷却方式强制风冷+水冷机械尺寸体积132mm(H)X483mm(W)X500mm(D)5.5＂(H)17.3＂(W)19.7＂(D) 重量18kg安装前面板高为标准3U，宽为19英寸前面板指示 4.3寸TFT真彩数字屏（16：9），分辩率480X272，LED背光，28键键盘，纯铝旋钮前面板颜色象牙白（可根据客户需求进行定制）使用环境环境温度0 -40℃相对湿度< 85%RFG-3000/13.56MHz用户手册二．使用方法安装方法RFG-3000型射频电源采用标准3U机箱(具体尺寸见图2)，可以安装在标准机柜上。
安装前应根据图示“机箱位置”在机柜内设置导轨，并根据前面板定位孔的位置在机柜前框上制作螺孔。
将射频电源推入导轨后，用螺丝固定前面板两侧的定位孔即可。
RFG-3000型射频电源也可以放置于桌面上使用，可根据需要定制桌面型面板。
使用220V 50~60Hz单相交流电源，功率容量不得小于5KW。
微电子所总体室成果简介
在科 学院、研 究所领导 的大力支持 下，微 电 子所 电子系统 总体 技术研究室超过 百人 的高学历
中国科学 院微 电子研 究所电子系统总体技 术 人才 团队 ，以国家 战略需求和 自主创新 为导 向， 研究室 ，在 ２ ０ ０ ８年 ５月开展 了此项 工作 的研究 ， 努力发展 成为国内外有影响力、 有特色的综合性 、
，
系统 及 芯片、卫 星导航 高端接 收机 、ＣＭ 数 字移 动多 ＭＢ 媒体 射频 芯片等 以及 功率放 大器 数字 预失真 系统 等新
产 品方面 取得 重要 突破 ，并着手 开展 产业化 工 作，计
划 明年 中期实现批量化推广 。
・物 联 网 应 用 领 域
无线传感器 网络节 点芯片
微 电子所 总体 室成 果简介
在 中国科 学院微 电子研 究所， “ 百人计划 ”阎跃 鹏 研究 员带 领下 ，微 电子所 电子系 统总 体技术 研究 室 科研人 员 ，在 国家重大 专 项、科 技部 ８ ３ 目以及 中 ６项 科 院重 要方 向性项 目支 持下 ，在物 联 网与无线传 感 网
对绿色通信 也提 出了越来越 高的要求。功率放大 和稳 定 良好 的平衡 ；通过采 用混合模型技术 ，使 器作为通信设 备中体积大、耗 电多 （ 占据 了整个 该系 统能较好的与功率放大器 兼容 ，并进行 了大 基站一半上 的功耗 ）、发热高 、非线性严 重的模 量 的对 比试验 验证，新型 的同步算法进 一步提高 块，其高线性 、高 效性 和高稳定性对 整个 通信系 了系统 的性能 。 统至关重要 。传统 的的线性化技术通过提 高功率 放大器的静态工作点， 来满足 系统 的线性化要求 ， ．
克 服种 种 困难 ，突破 国外大 公 司 技术 封 锁，在 信息 系统集成研究平 台。
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招生简介中国科学院微电子研究所是一所专业从事微电子领域研究与开发的国立研究机构，是中国科学院微电子技术总体和中国科学院EDA中心的依托单位。
微电子所本着“惟精惟一、求是求新”的办所精神，面向国家战略需求，积极承担重点科技攻关与产品开发任务，一方面拓展前沿技术与基础研究领域，发展交叉学科方向；同时通过全方位合作积极推进成果的应用开发和产业化，推动产业发展。
微电子所致力于打造现代化的高技术研究机构，成为我国IC技术和产业领域一个技术创新基地和高素质高层次人才培养基地，为促进国家微电子技术进步和自主创新，实现产业的可持续发展做出贡献。
微电子研究所是国务院学位委员会批准的博士、硕士学位授予单位，2004年批准建立博士后流动站。
现有职工876人，其中中国科学院院士2人，高级研究人员99人，上岗研究生导师81名（其中博士生导师34名），在读研究生近300多人。
主要研究方向：1.硅器件及集成技术；⒉微细加工与新型纳米器件集成；3.微波电路与化合物半导体器件；4.集成电路设计与系统应用（包括专用集成电路与系统、通信与多媒体片上系统芯片、集成电路设计与应用开发）；5.微电子、光电子、微机械及新能源制造工艺及装备；6.先进电子封装。
专业学科名称为微电子学与固体电子学。
本专业一级学科为电子科学与技术，作为一门交叉与综合性学科，跨专业学习具有极大的发展前景与潜力，因此微电子所欢迎并鼓励微电子专业及通讯与通信工程类、计算机类、自动化类、软件类、光电技术、物理与应用物理学、材料学等相关专业的同学报考。
除招收普研（学术型）外，我所还计划在电子与通信工程（代码：085208）和集成电路工程（代码：085209）两个领域招收全日制专业学位研究生。
我所2012年度研究生招生仍为国家计划内公费。
专业代码： 080903专业名称：微电子学与固体电子学学科专业研究方向与导师硅器件及集成技术该方向为一室、十室研究方向，一室主要从事CMOS及SOI CMOS器件与集成电路、功率器件与集成电路、高可靠性器件与集成电路、微系统及集成技术研究等的研究、设计、制造及测试。
十室（集成电路先导工艺研发中心）主要从事先导CMOS工艺技术研究、新型MEMS传感器、CMOS MEMS集成技术研究以及传感器读出电路研究，主要研究方向有CMOS新结构器件与模型、先导CMOS工艺整合与集成技术、高K金属栅技术、超浅结低阻源漏技术、高迁移率沟道工程技术、新型互连技术、TSV 3D集成技术、新型MEMS传感器、CMOS MEMS集成技术、MEMS集成微镜技术、MEMS芯片级真空封装技术、MEMS器件建模、数模混合电路设计技术、微弱信号处理电路设计技术、多传感器数据融合技术的研究等。
这两个研究室一直致力于硅基器件与集成电路主流工艺技术的研究, 曾先后完成“VDMOS功率器件”、“0.8微米CMOS工艺”、“亚微米SOI CMOS 电路的研究”、“0.35微米CMOS集成电路关键技术”、“0.1微米级CMOS FET”等国家重点攻关项目的研究，具有很强的硅器件、电路与工艺技术研发能力，并在诸多技术方面一直保持着国内领先地位。
导师简介叶甜春男1965年出生研究员博士生导师所长韩郑生男1962年出生研究员博士生导师杜寰男1963年出生研究员硕士生导师欧毅男1975年出生副研究员硕士生导师罗家俊男1973年出生研究员硕士生导师孙宝刚男1969年出生副研究员硕士生导师李多力男1977年出生副研究员硕士生导师朱阳军男1980年出生副研究员硕士生导师陈大鹏男1968年出生研究员博士生导师王文武男1973年出生研究员博士生导师朱慧珑男1958年出生研究员博士生导师骆志炯男1972年出生研究员博士生导师尹海洲男1974年出生研究员博士生导师钟汇才男1973年出生研究员博士生导师梁擎擎男1977年出生研究员博士生导师闫江男1960年出生研究员博士生导师欧文男1969年出生研究员硕士生导师王玮冰男1977年出生副研究员硕士生导师杨清华男1976年出生副研究员硕士生导师殷华湘男1974年出生研究员硕士生导师♦微细加工与新型纳米器件集成该研究方向为三室的研究方向，主要从事纳米微细加工技术（包括光学光刻掩模及分辨率增强、电子束光刻、下一代光刻及掩模、亚90nm加工工艺等）、纳米器件及集成（包括纳米电子器件模型、硅基和化合物基半导体纳米器件、基于量子效应的纳米器件及其集成、基于新材料新原理的纳米器件如分子电子器件及其集成等）、新型MEMS器件及集成（包括新型传感器及集成、新结构MEMS加工与集成技术等）三个方向的研究。
三室是国内最早开展亚微米微细加工技术的研究室，在纳米微细加工技术方面一直保持着国内领先的地位和自主创新的特色。
导师简介马俊如男研究员博士生导师研究所顾问叶甜春男1965年出生研究员博士生导师所长刘明女1964年出生研究员博士生导师谢常青男1971年出生研究员博士生导师李冬梅女1965年出生研究员硕士生导师龙世兵男1977年出生副研究员硕士生导师张满红男1969年出生研究员硕士生导师霍宗亮男1975年出生研究员硕士生导师张岩男1972年出生教授博士生导师（外聘）♦微波电路与化合物半导体器件该方向为四室和六室、十一室的研究方向。
主要从事化合物半导体(GaN、GaAs、InP 等)新型器件研究与开发、微波单片集成电路（MMIC）设计与开发、小型微波电路模块与系统设计开发。
拥有一条配套的4英寸化合物半导体器件研发线、微波设计软件和测试系统以及先进的模块平台。
其研究领域覆盖射频、微波和毫米波器件、电路、模块及系统的设计和制造，先进封装技术。
小型、高频和大功率是其研究的主攻方向。
无线通信、卫星导航定位、无线传感器、光互连技术等系统是其主要应用领域。
导师简介吴德馨女1936年出生科学院院士博士生导师刘新宇男1973年出生研究员博士生导师金智男1970年出生研究员博士生导师贾锐男1974年出生研究员博士生导师刘洪刚男1974年出生研究员博士生导师张轩雄男1963年出生研究员硕士生导师申华军男1977年出生副研究员硕士生导师郑英奎男1973年出生高级工程师硕士生导师魏珂男1971年出生高级工程师硕士生导师阎跃鹏男1963年出生研究员博士生导师张立军男1963年出生研究员博士生导师张海英女1964年出生研究员博士生导师集成电路设计与系统应用该方向包括专用集成电路与系统（二室）、通信与多媒体片上系统芯片（五室）、射频集成电路（十一室）、集成电路设计与应用开发（杭州分部）等4个研究室的主要研究领域。
依托中国第一个电子设计网络化公共平台～中国科学院EDA中心，拥有世界一流的电子系统与集成电路设计软件环境支持，可从事0.13um以下超大规模集成电路设计。
“专用集成电路与系统研究室”主要从事数字大规模、数模混合、电源芯片等深亚微米集成电路设计实现及单片系统集成的研究和开发。
主要的研究方向包括，实时信号处理器及系统、高速/低功耗数字传输基带芯片与系统、极低功耗处理器及单芯片系统、嵌入式多核DSP与系统、高性能低功耗模数转换器、数字家庭关键芯片与系统等。
通信与多媒体片上系统芯片研究室（五室）主要从事宽带无线通信和多媒体等方面的高端芯片研究和开发工作。
包括卫星导航定位SOC、Wimax/LTE 基带SOC、多媒体与多核处理器、CMOS图像传感器、嵌入式软件与应用等方面的研究与开发。
射频集成电路研究室（十一室）专门从事RFIC 和MMIC设计及相关模块开发。
研究室根据我国移动通信、短距离无线通信、卫星通信及物联网等多方面技术需求，从事RFIC和MMIC设计及模块技术研究，开发出多款具有自主知识产权的射频集成电路和模块，部分成果已经在国家工程中获得应用。
研究室是中国科学院微电子研究所沈阳分部的技术依托部门，为公司提供射频IP技术支持。
“集成电路设计与应用开发”是杭州分部的主要研究方向。
杭州分部是微电子所集中力量建设的产业技术研发机构，是研究所科研成果应用与产品开发的平台。
主要从事卫星导航定位芯片与系统、无线接入芯片与系统、射频与模拟集成电路、系列MCU芯片等芯片产品与系统产品的设计开发与应用开发。
导师简介★专用集成电路与系统（二室、六室、EDA中心、十一室等）周玉梅女1962年出生研究员博士生导师副所长黑勇男1974年出生研究员博士生导师梁利平男1969年出生研究员博士生导师胡国荣男1966年出生研究员博士生导师于芳女1960 年出生研究员博士生导师蒋见花女1976年出生副研究员硕士生导师徐欣锋男1977年出生副研究员硕士生导师程亚奇男1958年出生副研究员硕士生导师赵野男1977年出生副研究员硕士生导师姜东男1976年出生副研究员硕士生导师张锋男1977年出生副研究员硕士生导师郝学飞男1973年出生副研究员硕士生导师阎跃鹏男1963年出生研究员博士生导师张浩男1975年出生副研究员硕士生导师杜占坤男1975年出生副研究员硕士生导师陈岚女1968年出生研究员博士生导师吴玉平男1968年出生研究员硕士生导师杨达男1974年出生研究员硕士生导师吕志强男1974年出生副研究员硕士生导师张海英女1964年出生研究员博士生导师卢小冬男1973年出生副研究员硕士生导师杨浩男1978年出生副研究员硕士生导师尹军舰男1974年出生副研究员硕士生导师罗家俊男1973年出生副研究员硕士生导师王文武男1973年出生研究员博士生导师万里兮男1955年出生研究员博士生导师曹立强男1974年出生研究员博士生导师★集成电路设计与应用开发（中科微/杭州分部）叶甜春男1965年出生研究员博士生导师所长袁国顺男1966年出生研究员博士生导师陈杰男1964年出生研究员博士生导师阎跃鹏男1963年出生研究员博士生导师马成炎男1963年出生研究员博士生导师徐建华男1963年出生高级工程师硕士生导师周长胜男1964年出生高级工程师硕士生导师李晓江男1972年出生高级工程师硕士生导师莫太山男1979年出生副研究员硕士生导师博士学位授予权的专业微电子学与固体电子学（080903）□硅器件及集成技术□微细加工与新型纳米器件集成□微波电路与化合物半导体器件□集成电路设计与系统应用（专用集成电路与系统、通信与多媒体片上系统芯片、集成电路设计与应用开发）学科、专业名称及研究方向指导教师招生人数考试科目备注01.硅器件及集成技术叶甜春韩郑生陈大鹏拟招收人①英语②半导体物理③半导体器件及集成电路专业课考试科目请与导师直接联系。
另：招生人数中包括为深圳先进技术研究院代招名额。
朱慧珑骆志炯闫江尹海洲钟汇才梁擎擎王文武万里兮曹立强02.微细加工与新型纳米器件集成叶甜春刘明谢常青①英语②半导体物理或固体物理③半导体器件及集成电路或电子线路夏洋王守国李国光03.微波电路与化合物半导体器件吴德馨刘新宇金智①英语②半导体物理③半导体器件及集成电路或电子线路贾锐刘洪刚阎跃鹏张立军张海英万里兮曹立强04.集成电路设计与系统应用叶甜春周玉梅黑勇①英语②模拟集成电路或电路与信号系统或通信原理③电子线路或数字集成电路梁利平胡国荣于芳陈杰阎跃鹏陈岚张海英袁国顺王文武马成炎万里兮曹立强招生：每年一次（春季考试秋季入学）报名时间：每年12月份至1月份录中国科学院研究生院网站/index.asp报名报名地点：中国科学院微电子研究所人教处研究生部博士生培养方式1．修完公共课（马克思主义理论及博士学位英语）和专业课（二至三门课）。