微电子技术概论期末试题
2020—2021学年第一学期微电子材料与器件专业《电工与电子技术》期末考试题试卷(试卷C)
2020—2021学年第一学期 微电子材料与器件专业《电工与电子技术》期末考试题试卷 （试卷C ） 题 号 一 二 三 四 五 总 分 得 分 一、填空题（每小题1分，合计40分）。
1．稳压管是一种特殊物质制造的 面 接触型 硅 二极管，工作在特性曲线的反向击穿 区。
2. 理想运放同相输入端和反相输入端的“虚短”指的是 同相输入端与反相输入端两点电位相等，在没有短接的情况下出现相当于短接时的现象。
3. 放大电路应遵循的基本原则是： 发射 结正偏； 集电结反偏。
4. 将放大器 输出信号 的全部或部分通过某种方式回送到输入端，这部分信号叫做 反馈 信号。
使放大器净输入信号减小，放大倍数也减小的反馈，称为 负 反馈；使放大器净输入信号增加，放大倍数也增加的反馈，称为 正 反馈。
放大电路中常用的负反馈类型有 并联电压 负反馈、 串联电压 负反馈、 并联电流 负反馈和 串联电流 负反馈。
5. 射极输出器具有 电压放大倍数 恒小于1、接近于1， 输入信号 和 输出信号 同相，并具有输入电阻 高和 输出电阻 低的特点。
…○…………○………装…………○…………订…………○…………线…………○…………院系：专业班级：学号：姓名：座位号：6．一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏，则此三极管处于饱和状态；其发射结和集电结都处于反偏时，此三极管处于截止状态；当发射结正偏、集电结反偏时，三极管为放大状态。
7．理想运算放大器工作在线性区时有两个重要特点：一是差模输入电压相同，称为“虚短”；二是输入电流为零，称为“虚断”。
8. 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压U BE分别为0.7 V和0.3 V。
9. MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。
10. 放大器输出波形的正半周削顶了，则放大器产生的失真是截止失真，为消除这种失真，应将静态工作点上移。
11. 集成运放有两个输入端，称为同相输入端和反相输入端，相应有同相输入、反相输入和双端输入三种输入方式。
微电子学概论复习题及答案(详细版)
微电子学概论复习题及答案（详细版）第一章绪论1．画出集成电路设计与制造的主要流程框架。
2．集成电路分类情况如何？双极型PMOSMOS型单片集成电NMOS路CMOS按结构分类BiMOSBiMOS型BiCMOS厚膜混合集成电路混合集成电路薄膜混合集成电路SSIMSI集成电路LSI按规模分类VLSIULSIGSI组合逻辑电路数字电路时序逻辑电路线性电路按功能分类模拟电路非线性电路数字模拟混合电路按应用领域分类第二章集成电路设计1．层次化、结构化设计概念，集成电路设计域和设计层次分层分级设计和模块化设计．将一个复杂的集成电路系统的设计问题分解为复杂性较低的设计级别，这个级别可以再分解到复杂性更低的设计级别；这样的分解一直继续到使最终的设计级别的复杂性足够低，也就是说，能相当容易地由这一级设计出的单元逐级组织起复杂的系统。
从层次和域表示分层分级设计思想域：行为域：集成电路的功能结构域：集成电路的逻辑和电路组成物理域：集成电路掩膜版的几何特性和物理特性的具体实现层次：系统级、算法级、寄存器传输级(也称RTL级)、逻辑级与电路级2．什么是集成电路设计？根据电路功能和性能的要求，在正确选择系统配置、电路形式、器件结构、工艺方案和设计规则的情况下，尽量减小芯片面积，降低设计成本，缩短设计周期，以保证全局优化，设计出满足要求的集成电路。
3．集成电路设计流程，三个设计步骤系统功能设计逻辑和电路设计版图设计4．模拟电路和数字电路设计各自的特点和流程A.数字电路：RTL级描述逻辑综合(Synopy,Ambit)逻辑网表逻辑模拟与验证，时序分析和优化难以综合的：人工设计后进行原理图输入，再进行逻辑模拟电路实现(包括满足电路性能要求的电路结构和元件参数)：调用单元库完成；没有单元库支持：对各单元进行电路设计，通过电路模拟与分析，预测电路的直流、交流、瞬态等特性，之后再根据模拟结果反复修改器件参数，直到获得满意的结果。
由此可形成用户自己的单元库；单元库：一组单元电路的集合；经过优化设计、并通过设计规则检查和反复工艺验证，能正确反映所需的逻辑和电路功能以及性能，适合于工艺制备，可达到最大的成品率。
2020—2021学年下学期本科微电子学专业《电子技术》期末考试题试卷(卷D)
2020—2021学年下学期本科微电子学专业《电子技术》期末考试题试卷 （卷D ）一、单项选择题。
1．三类负荷对供电可靠性的要求是（ ）。
A. 任何时候都不能突然停电； B. 一般情况下不能突然停电； C. 可以随时突然停电； 2．磁电式电工仪表一般用来测量（ ）电流、电压。
A ．交流； B ．直流； 3．感应式电工仪表一般用来测量（ A ）。
A ．电能量； B ．电功率； 4．电磁式仪表的优点是（ ）测量直流，（ ）测量交流。
A ．能； B ．不能； 5．二进制数01111转换为十进制数为( A )。
A ．15；B ．21；院（系） 班级姓名学号……………………………………………装…………………………订………………………C．18；6．8421BCD码0111表示十进制数为( B )。
A．8；B．7；C．42；7．欲表示十进制数的8个数码,需要二进制数码的位数是( B )。
A．2位；B．3位；C．4位；8．逻辑函数式A+AC,化简后结果是( )。
A．C；B．A；C．AC；9．逻辑函数式F=ABC+ABC的逻辑值为( )。
A．0 ；B．1；C．ABC；10．基本RS触发器电路中，触发脉冲消失后，其输出状态( B )。
A．恢复原状态；B．保持原状态；C．出现新状态；11．三输入D、E、F或门的逻辑表达式为( A )。
A ．D+E+F ；B ． D+E ；C ．F ED ++；12．触发器的状态是Q=1,Q =0,称为（ A ）。
A ．“1”态；B ．“0”态；C ．两个都不是；13．JK 触发器,当J=0,K=1时,其输出状态是( A )。
A ．Q=0；B ．Q=1；C ．不确定；14.功率晶体管GTR 从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为( )。
A.一次击穿；B.二次击穿；C.临界饱和；D.反向截止；15.逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成( )；A.大功率三极管；B.逆阻型晶闸管；C.双向晶闸管；D.可关断晶闸管；16.在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是( )；A.干扰信号；B.触发电压信号；C.触发电流信号；D.干扰信号和触发信号；17.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( )；A.导通状态；B.关断状态；C.饱和状态；D.不定；18.单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )；A. 90°；B. 120°；C. 150°；D. 180°；19.单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为( )；A. U2；B. U2；C. 2U2；D. U2；20.单相全控桥电阻性负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为( )；A. U2；B. 2U2；C. U2；D. U2；21.单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是( )；A. 0°～90°；B. 0°～180°；C. 90°～180°；D. 180°～360°；22.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ=( )；A.π-α；B.π+α；C.π-δ-α；D.π+δ-α；23.对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关( )；A. α负载电流Id以及变压器漏抗XC；B. α以及负载电流Id；C. α和U2；D. α和U2以及变压器漏抗XC；24.三相半波可控整流电路的自然换相点是( )；A.交流相电压的过零点；B.本相相电压与相邻相电压正半周的交点处；C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30°；D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°；25.可在第一和第四象限工作的变流电路是( )；A.三相半波可控变电流电路；B.单相半控桥；C.接有续流二极管的三相半控桥；D.接有续流二极管的单相半波可控变流电路；26.快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是( )；A. 功率晶体管；B. IGBT；C. 功率MOSFET；D. 晶闸管；27.若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用的控制方法是( )；A.增大三角波幅度；B.增大三角波频率；C.增大正弦调制波频率；D.增大正弦调制波幅度；28.采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为( )；A.减小输出幅值；B.增大输出幅值；C.减小输出谐波；D.减小输出功率；29.电流型逆变器中间直流环节贮能元件是( )；A.电容；B.电感；C.蓄电池；D.电动机；30．把电力系统中实施电能远距离传输的环节叫做（）。
2020—2021学年下学期微电子学专业《电子技术》期末考试题试卷(卷一)
2020—2021学年下学期 微电子学专业《电子技术》期末考试题试卷 （卷一）一、单项选择题。
1．在P 型半导体中（ ）。
A ．只有自由电子； B ．只有空穴； C ．有空穴也有自由电子； D. 以上都不对； 2．空穴和电子数目相等且数量极少的半导体是（ ）。
A ．纯净半导体； B. 杂质半导体； C. P 型半导体； D. N 型半导体； 3.大功率整流电路应用的二极管类型为( )。
A. 点接触型硅管；B.面接触型硅管；C.点接触型锗管；院（系） 班级姓名学号……………………………………………装…………………………订………………………线……………………………………………D. 面接触型锗管；4.PN结的基本特性是( )。
A. 放大；B. 稳压；C. 单向导电性；D. 伏安特性；5.当反向电压增大到一定数值的时候,二极管反向电流突然增大这种现象称为( )。
A. 正向稳压；B. 正向死区；C. 反向截止；D. 反向击穿；6.需要工作在正向电压下的特殊二极管是( )。
A. 稳压二极管；B. 光电二极管；C. 发光二极管；D. 变容二极管；7. 稳压值为6V的稳压二极管，温度升高，稳压值：（）。
A．略有上升；B．略有降低；C．基本不变；D．根据情况而变；8.光电二极管当受到光照时电流将( )。
A. 不变；B. 增大；C. 减小；D. 都有可能；9.变压器次级交流电压有效值为10V ，单相桥式整流时，负载上的平均电压为：（ ）。
A ．9V ；B ．18V ；C ．20V ；D ．28V ；10.在单相桥式整流电容滤波电路中，若发生负载开路情况时，输出电压为（ ）；A ．0.45U2；B ．0.9U2 ；C ．22U ；D ．222U ；11.桥式整流电路的输出电压的正极应接二极管的（ ）；A. 共负极端；B. 共正极端；C. 正负共接端；D. 不确定；12.下列说法错误的是：（）；A．IE ＝ IB ＋ Ic适合各类三极管；B．Ic＝βIB 适合各类三极管；C．所有三极管放大都要满足发射结正偏、集电结反偏；D．所有三极管放大，三极电位都要满足：Uc＞U b＞Ue；13．工作在放大区的某三极管当I B1＝ 40uA时，I c1＝ l mA，当I B2＝ 60μA时，I c2＝2.2mA，则其β值为：（）；A. 50；B．52.5；C．60；D．57.5；14．测得 NPN三极管的三个电极的电压分别是U B＝1.2V，U E ＝0.5V，U C＝3V，该三极管处在（）状态。
微电子学概论复习题及答案(详细版).
双极逻辑门电路类型（几种主要的）：
电阻耦合型---电阻-晶体管逻辑 (RTL)：
二极管耦合----二极管-晶体管逻辑 (DTL)
晶体管耦合----晶体管-晶体管逻辑 (TTL)
合并晶体管----集成注入逻辑 (I2L)
6.双极晶体管工作原理，基本结构，直流特性（课件）
工作原理： 基本结构：由两个相距很近的 PN 结组成 直流特性: 1. 共发射极的直流特性曲线
2 . 共基极的直流特性曲线
7.MOS 晶体管基本结构、工作原理、I-V 方程、三个工作区的特性（课件）
基本结构：属于四端器件，有四个电极。由于结构对称，在不加偏压时，无法区分器件的源 和漏。源漏之间加偏压后，电位低的一端称为源，电位高的一端称为漏。 工作原理： 施加正电荷作用使半导体表面的空穴被排走，少子（电子）被吸引过来。继续增大正电压， 负空间电荷区加宽，同时被吸引到表面的电子也增加。形成耗尽层。电压超过一定值 Vt，吸 引到表面的电子浓度迅速增大，在表面形成一个电子导电层，反型层。 I-V 方程： 电流-电压表达式： 线性区：Isd=βp (|Vgs|-|Vtp|-|Vds|/2) |Vds| 饱和区：Isd=(βp/2)(|Vgs|-|Vtp|)² 三个工作区的特性： 线性区(Linear region) ：
综上所述：
Vi<Vg-Vt 时，MOS 管无损地传输信号； Vi≥Vg-Vt 时，Vo=Vg-Vt 信号传输有损失，称为阈值损失，对于高电平’1’， NMOS 开关输出端损失一个 Vt；
为了解决 NMOS 管在传输’1’电平、PMOS 在传输’0’电平时的信号损失，通 常采用 CMOS 传输门作为开关使用。它是由一个 N 管和一个 P 管构成。工作时，NMOS 管的衬底接地，PMOS 管的衬底接电源，且 NMOS 管栅压 Vgn 与 PMOS 管的栅压 Vgp 极性相反。
大学福州大学微电子学概论
填空题1、目前集成电路的最主要材料是硅、锗硅、砷化镓、碳化硅、（磷化铟）。
2、模拟集成电路一般可以分为线性电路和非线性集成电路。
3、集成电路的集成度、集成电路的功耗延迟积、特征尺寸是描述集成电路性能的主要方面。
4、根据集成电路中有源器件的机构类型和工艺技术可以将集成电路分为三类，它们分别为双极集成电路、金属-氧化物-半导体（MOS）集成电路和双极-MOS 混合型即BiMOS 集成电路。
5、光电子器件是光子和电子共同起作用的半导体器件，主要包括三大类：1）将电能转换成光能的半导体电致发光器件；2）以电学方法检测光信号的光电探测器；3）利用半导体内光电效应将光能转换为电能的太阳能电池。
6、可测性设计是指在尽可能少地增加附加引线脚和附加电路，并使芯片性能损失最小的情况下，满足电路可控制性和可观察性的要求。
7、集成电路设计的最终输出是掩模版图，通过制版和工艺流片可以得到所需的集成电路。
8、数字集成电路设计的基本过程功能设计、逻辑和电路设计、版图设计。
9、太阳能电池的工作机理是光生伏特效应，即吸收光辐射而产生电动势。
10、目前集成电路设计中常用的几种主要设计方法包括全定制设计方法、定制设计方法、半定制设计方法、可编程逻辑电路设计方法（包括可编程逻辑器件和现场可编程门阵列方法）。
名词解释1、Wafer晶元。
是生产集成电路所用的载体，多指从拉伸长出的高纯度硅元素晶柱上切下的圆形薄片。
2、IC集成电路。
英文integrated circuit 的缩写。
同时也是半导体元件产品的统称，包括集成电路板、二极管、三极管、特殊电子元件等。
3、Moore Law摩尔定律。
由Intel 公司的创始人之一-高登·摩尔（Gordon E·Moore）在1965 年提出的集成电路产业发展规律预言：集成电路的集成度每3 年增长4 倍，特征尺寸每3 年缩小错误!未找到引用源。
倍。
自该定律发表以来，集成电路产业基本上是按照其预言的速度持续发展的。
微电子器件期末复习题含答案
（复合损失使小于 1β0*
小于 1）、
（时间延迟使相位滞后）和（渡越时间的分散使|βω*|减小）
。
53、基区渡越时间 b 是指（从发射结渡越到集电结所需要的平均时间）
。当基区宽度加
倍时，基区渡越时间增大到原来的（2）倍。
54、晶体管的共基极电流放大系数 随频率的（增加）而下降。当晶体管的 下
比例增大，使注入效率下降。
微电子器件（第三版）陈星弼
电子科技大学中山学院/——4
陈卉/题目 王嘉达/答案
答案为个人整理，如有错误请 仔细甄别 ！ 厚德 博学 求是 创新
34、发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高（注入效率）
，反
而会使其（下降）
。造成发射区重掺杂效应的原因是（发射区禁带变窄）和（俄歇
（提高）基区掺
杂浓度。[P90]
47、比较各击穿电压的大小时可知，BVCBO（大于）BVCEO ，BVCBO（远大于）BVEBO。
48、要降低基极电阻 rbb ，应当（提高）基区掺杂浓度，
（提高）基区宽度。
49、无源基区重掺杂的目的是（为了降低体电阻）
。
微电子器件（第三版）陈星弼
电子科技大学中山学院/——5
降到（
0
）时的频率，称为 的截止频率，记为（
2
f
）。
55、晶体管的共发射极电流放大系数 随频率的（增加）而下降。当晶体管的 下
降到
1
0 时的频率，称为 的（截止频率），记为（ f ）。
2
56、当 f f 时，频率每加倍，晶体管的 降到原来的（½）
微电子学考试题库及答案
微电子学考试题库及答案1、PN结电容可分为过渡区电容和扩散电容两种，它们之间的主要区别在于扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放电，而过渡区电容产生于空间电荷区，其机理为多子的注入和耗尽。
2、当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压VT产生影响，具体地，对于短沟道器件对VT 的影响为下降，对于窄沟道器件对VT的影响为上升。
4、硅-绝缘体SOI器件可用标准的MOS工艺制备，该类器件显著的优点是寄生参数小，响应速度快等。
5、PN结击穿的机制主要有雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿等几种，其中发生雪崩击穿的条件为V B>6E g/q。
6、当MOSFET进入饱和区之后，漏电流发生不饱和现象，其中主要的原因有沟道长度调制效应，漏沟静电反馈效应和空间电荷限制效应。
8、热平衡时突变PN结的能带图、电场分布，以及反向偏置后的能带图和相应的I-V特性曲线。
答案：见最后附件9、PN结电击穿的产生机构两种；（答案：雪崩击穿、隧道击穿或齐纳击穿。
）10、双极型晶体管中重掺杂发射区目的；（答案：发射区重掺杂会导致禁带变窄及俄歇复合，这将影响电流传输，目的为提高发射效率，以获取高的电流增益。
）11、晶体管特征频率定义；（答案：随着工作频率f的上升，晶体管共射极电流放大系数下降为时所对应的频率，称作特征频率。
）12、P沟道耗尽型MOSFET阈值电压符号；（答案：）13、MOS管饱和区漏极电流不饱和原因；（答案：沟道长度调制效应和漏沟静电反馈效应。
）15、MOSFET短沟道效应种类；（答案：短窄沟道效应、迁移率调制效应、漏场感应势垒下降效应。
）16、扩散电容与过渡区电容区别。
（答案：扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放电，而过渡区电容产生于空间电荷区，其机理为多子的注入和耗尽。
）。
2、截止频率fT答案：截止频率即电流增益下降到1时所对应的频率值。
3、耗尽层宽度W。
答案：P型材料和N型材料接触后形成PN结，由于存在浓度差，就会产生空间电荷区，而空间电荷区的宽度就称为耗尽层宽度W。
微电子概论复习资料
一、填空题：1、半导体的硅单晶属于 金刚石 结构。
通常IC 所用的硅片是沿硅单晶的 （100）面切割的。
2. 一种半导体材料如果没有掺杂任何杂质，这种材料称为 本征 半导体。
半导体中的载流子包括多子 和 少子 。
P 型Si 半导体中多数载流子为 空穴 ，少数载流子为 电子 。
3. P-N 结二极管的击穿现象可以按照击穿机理分为 雪崩 击穿、隧道击穿。
6. 集成电路制造工艺按照制造有源器件不同可分为双极集成电路工艺和 MOS 集成电路 工艺。
7. SOC 的中文简称为系统芯片。
8．光电子器件是 光子 和半导体中的 电子 相互转换的半导体器件。
光子、电子（1）本征载流子浓度表达式n=p=n i 且n∙p=n i 2（2）质量作用定律表达式:_________，（3）半导体基本方程表达式P35共5个 ， （4）PN 结是动态电荷的平衡区，（5）PN 结正向偏置时以扩散电流为主形成导通，反向偏置时以漂移电流为主形成截止。
跨导定义：特征尺寸：耗尽层：质量作用定律的证明：掺杂半导体中产生率与空穴浓度和电子浓度有关，那么有：***G G r n p n p r=⇒= 在热平衡状态下，平衡载流子产生率和复合率相等，所以：复合率***F F G r n p n p r ==⇒= 对于本征半导体有200*i n p n =热平衡状态下，掺杂半导体载流子都是由本征激发产生的，有00*F G n p r r == 故有，200****i i i F G n p n p n n n p n r r====⇒= 书上课后题两个：（图片均可放大）空穴是怎么形成电流导电的？如果共价键中的电子获得足够的能量，它就可以摆脱共价键的束缚，成为可以自由运动的电子。
这时在原来的共价键上就留下了一个缺位，因为邻键上的电子随时可以跳过来填补这个缺位，从而使缺位转移到邻键上去，所以，缺位也是可以移动的。
这种可以自由移动的空位被称为空穴。
半导体就是靠着电子和空穴的移动来导电的。
2020—2021学年上学期本科微电子学专业《电子技术》期末考试题试卷(卷2)
2020—2021学年上学期本科 微电子学专业《电子技术》期末考试题试卷 （卷2） 题号 一 二 三 四 五 六 七 总 分 得分 一、填空题。
1．可控硅又称＿＿＿＿，常用的有＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿两大类，广泛应用于＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿设备中。
2．利用＿＿＿＿＿＿＿＿＿元件的＿＿＿＿＿＿＿＿＿特性可实现整流，若要实现可控整流可采用＿＿＿＿＿＿＿＿＿元件。
3．单向可控硅内部有＿＿＿个PN 结，双向可控硅有＿＿＿个PN 结。
4．要使导通的可控硅关断，必须＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。
5．可控硅具有＿＿＿＿电控制＿＿＿＿＿电的作用。
6．单向可控硅触发电路常用＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿组成触发电路，双向可控硅常用＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿组成触发电路。
7．单结晶体管的负阻特性指的是当＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿电流增加时，＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿反而减少。
8．双向可控硅有三个电极＿＿＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿＿＿。
…○…………○………装…………○…………订…………○…………线…………○…………院系：专业班级：学号：姓名：座位号：9．二极管的状态有＿＿＿＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿＿＿，三极管的状态有＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿，可控硅的状态有＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿。
10．单向可控硅导通必须具备两个条件：一是：＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿，二是：＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。
11．电子线路中的电信号按其信号形式分为＿＿＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿两大类，其中＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿＿都是离散的信号叫数字信号。
12．数字信号的基本工作信号是＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿进制的数字信号，对应在电路上需要在＿＿＿＿＿＿种不同状态下工作，即＿＿＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿＿＿。
13．数字电路主要研究电路的输出信号与输入信号之间的＿＿＿＿＿＿＿关系。
微电子期末考试复习题(附答案)
1. 光敏半导体、掺杂半导体、热敏半导体是固体的三种基本类型。
( × ) 2．用来做芯片的高纯硅被称为半导体级硅，有时也被称为分子级硅。
(×)电子3. 硅和锗都是Ⅳ族元素，它们具有正方体结构。
( × ) 金刚石结构4．硅是地壳外层中含量仅次于氮的元素。
( × ) 氧5．镓是微电子工业中应用最广泛的半导体材料，占整个电子材料的95％左右。
( × ) 硅6．晶圆的英文是wafer，其常用的材料是硅和锡。
( × ) 硅和锗7．非晶、多晶、单晶是固体的三种基本类型。
( √ )8．晶体性质的基本特征之一是具有方向性。
( √ )9．热氧化生长的SiO2属于液态类。
( × ) 非结晶态10．在微电子学中的空间尺寸通常是以μm和mm为单位的。
( × )um和nm 11．微电子学中实现的电路和系统又称为数字集成电路和集成系统，是微小化的。
( × ) 集成电路12．微电子学是以实现数字电路和系统的集成为目的的。
( × ) 电路13．采用硅锭形成发射区接触可以大大改善晶体管的电流增益和缩小器件的纵向尺寸。
( √ )14．集成电路封装的类型非常多样化。
按管壳的材料可以分为金属封装、陶瓷封装和塑料封装。
( √ )15．源极氧化层是MOS器件的核心。
( × ) 栅极16. 一般认为MOS集成电路功耗高、集成度高，不宜用作数字集成电路。
( × ) 功耗低，宜做17. 反映半导体中载流子导电能力的一个重要参数是迁移率。
( √ )18. 双极型晶体管可以作为放大晶体管，也可以作为开关来使用。
( √ )19. 在P型半导体中电子是多子，空穴是少子。
( × ) 空穴是多子20. 双极型晶体管其有两种基本结构：PNP型和NPN 型。
( √ )21. 在数字电路中，双极型晶体管是当成开关来使用的。
( √ )22. 双极型晶体管可以用来产生、放大和处理各种模拟电信号。
微电子工艺原理和技术复习题
《微电子工艺原理和技术》复习题一、填空题1.半导体集成电路主要的衬底材料有单元晶体材料⎽Si⎽、⎽Ge⎽和化合物晶体材料⎽GaAs⎽、⎽InP⎽；硅COMS集成电路衬底单晶的晶向常选（100）；TTL集成电路衬底材料的晶向常选（111）；常用的硅集成电路介电薄膜是⎽SiO2⎽、⎽Si3N4；常用的IC互连线金属材料是⎽Al⎽⎽、⎽Cu⎽。
2.画出P型（100）、（111）和N型（100）、（111）单晶抛光硅片的外形判别示意图。
3.硅微电子器件常用硅片的三个晶向是：（100）⎽、（111）、（110）画出它们的晶向图。
4.⎽⎽热扩散⎽⎽和⎽离子注入⎽是半导体器件的最常用掺杂方法。
⎽P⎽、⎽⎽As⎽⎽⎽是Si常用的施主杂质；⎽⎽⎽B⎽⎽⎽⎽是Si常用的受主杂质；⎽Zn⎽⎽⎽是GaAs常用的P型掺杂剂；⎽⎽⎽Si⎽⎽⎽⎽是GaAs常用的N型掺杂剂。
5.摩尔定律的主要内容是：⎽晶体管特征尺寸每三年减小到约70%，30年内有效，也可表示为，集成电路的特征尺寸每三年缩小30%；集成度每三年翻二翻；集成电路工艺每三年升级一代；逻辑电路的速度每三年提高30%。
6. 集成电路用单晶硅的主要制备方法是⎽提拉法⎽和⎽区熔法⎽⎽⎽。
7.半导体材料的缺陷主要有点缺陷、位错、层错、孪晶。
8. 半导体晶体的晶胞具有⎽⎽立方⎽⎽⎽⎽⎽对称性， Si、Ge 、GaAs 晶体为⎽金刚石⎽⎽结构。
用⎽⎽密勒指数⎽⎽⎽h，k，l 表示晶胞晶面的方向。
9.电子和空穴是半导体的主要载流子，N型半导体中⎽电子⎽浓度高于⎽空穴⎽⎽⎽浓度，而P型半导体中⎽空穴⎽⎽浓度高于⎽电子浓度，⎽本证⎽半导体中的两种载流子浓度相等。
10. 半导体单晶材料中的电子能级由于价电子的共有化分裂成能带，价带是⎽0 K 条件下被 电子填充的能量最高的能带，导带是0 K 条件下未被电子填充的能量最低的能带 ，导 带底与价带顶之间称禁带。
施主能级靠近⎽导带底⎽⎽，受主能级靠近⎽价带顶⎽。
12期末考试题B答案
成都学院10级“微电子器件”期末考试题B卷（答案）一、填空题（20分）1、在N型半导体中，（电子）为多数载流子，（空穴）为少数载流子。
2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（负）荷，N区一侧带（正）电荷。
3、势垒电容反映的是PN结的势垒区电离杂质电荷随外加电压的变化率。
PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（大）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（小）。
4、为了提高晶体管的基区输运系数，应当使基区宽度（远小于）基区少子扩散长度。
5、晶体管的共发射极直流短路电流放大系数β是指，发射结（正）偏、集电结（零）偏时的（集电极）电流与（基极）电流之比。
6、当（K Pmax）降到1时的频率称为最高振荡频率f M。
7、对于频率不是特别高的一般高频管，提高特征频率f T的主要措施是（减小基区宽度）。
8、MOSFET是利用外加电压产生（电场）来控制漏极电流大小，因此它是（电压）控制器件。
9、跨导gm反映了场效应管（栅源电压）对（漏极电流）控制能力，其单位是（西门子）10、要提高N沟道MOSFET的阈电压V T，应使衬底掺杂浓度N A（提高），使栅氧化层厚度T ox（增厚）。
二选择题（10分）1、当PN结外加正向偏压时，扩散电流（A）漂移电流，当外加反向偏压时，扩散电流（B ）漂移电流。
A 大于，B.小于，C等于，D 不定2、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（ A ），势垒区的势垒高度会（ C ）。
A 变宽， B变窄，C 变高，D 不变3、P＋N结耗尽层宽度主要取决于：BA p＋区浓度B n区的浓度C P＋区和n区的浓度4、限制双极结型晶体管最高工作电压的主要因素是：CA雪崩击穿电压 B基区穿通电压 C雪崩击穿电压和基区穿通电压的较小者5、对于实际的增强型MOSFET，简单说明阈值电压（VT）包括哪几个部分的电压分量（ABD ）（多选） A栅氧化层上的电压Vox，B平带电压VFB ，C源漏电压VDSD 使半导体表面产生强反型层（沟道）所需要的电压2φFP6. 晶体管基区运输系数主要决定于：CA基区浓度 B 基区电阻率和基区少子寿命 C 基区宽度和基区少子扩散长度三、问答题（30分）1、解释PN结内建电场，缓变基区晶体管内建电场。
微电子器件期末试题
微电⼦器件期末试题⼀、填空题1.PN 结中P 区和N 区的掺杂浓度分别为A N 和D N ,本征载流⼦浓度为i n ，则PN 结内建电势bi V 的表达式2ln iD A bi n N N q kT V =。
2.对于单边突变结N P +结，耗尽区主要分布在N 区，该区浓度越低，则耗尽区宽度值越⼤，内建电场的最⼤值越⼩；随着正向偏压的增加，耗尽区宽度值降低，耗尽区内的电场降低，扩散电流提⾼；为了提⾼N P +结⼆极管的雪崩击穿电压，应降低N 区的浓度，这将提⾼反向饱和电流S I 。
)()(I ])()ln(2[)2(||||12||)(21||1||)11(||||||||2212210max 2max 0max max 0max max max max maxAn n D p p i p n n n p pS D A s i D A D A s bi s p n x x bi s A D s A s Ds d A s p Ds n N L D N L D qn n L qD p L qD N N n N N N kTN V qN E E N q E x x Edx V E N q E N N q qN E qN E x qN E x qN E x n p +=+=+===+=-==+=+===?-反向饱和电流崩击穿电压。
使势垒区拉宽来提⾼雪的掺杂浓度，过适当降低轻掺杂⼀侧对于单边突变结，可通解析：εεεεεεεεε3.在设计和制造晶体管时，为提⾼晶体管的电流放⼤系数，应当增加发射区和基区的掺杂浓度的⽐值B E N N ，降低基区宽度。
解析：)1)(1()1]()(211[2*BE B b E E B B B E B B R R N W D N W D L W ⼝⼝--=--==ττγβα 4.对于硅PN 结，当V<0.3V 时，电流密度J 满⾜关系式kT V J 2q ln ∝，此时以势垒区复合电流为主；当V>0.45V 时，电流密度J 满⾜关系式kTV J q ln ∝，此时以正向扩散电流为主；在室温下，反向电流以势垒区产⽣电流为主，该电流与i n 存在i n ∝关系。
微电子技术概论期末试题
《微电子技术概论》期末复习题试卷结构：填空题40分，40个空，每空1分，选择题30分，15道题，每题2分，问答题30分，5道题，每题6分填空题1.微电子学是以实现电路和系统的集成为目的的。
2.微电子学中实现的电路和系统又称为集成电路和集成系统，是微小化的。
3.集成电路封装的类型非常多样化。
按管壳的材料可以分为金属封装、陶瓷封装和塑料封装。
4.材料按其导电性能的差异可以分为三类：导体、半导体和绝缘体。
5.迁移率是载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度。
6.PN结的最基本性质之一就是其具有单向导电性。
7.根据不同的击穿机理，PN结击穿主要分为雪崩击穿和隧道击穿这两种电击穿。
8.隧道击穿主要取决于空间电荷区中的最大电场。
9. PN结电容效应是PN结的一个基本特性。
10.PN结总的电容应该包括势垒电容和扩散电容之和。
11.在正常使用条件下，晶体管的发射结加正向小电压，称为正向偏置，集电结加反向大电压，称为反向偏置。
12.晶体管的直流特性曲线是指晶体管的输入和输出电流-电压关系曲线，13.晶体管的直流特性曲线可以分为三个区域：放大区，饱和区，截止区。
14.晶体管在满足一定条件时，它可以工作在放大、饱和、截止三个区域中。
15.双极型晶体管可以作为放大晶体管，也可以作为开关来使用，在电路中得到了大量的应用。
16.一般情况下开关管的工作电压为 5V，放大管的工作电压为 20V。
17.在N型半导体中电子是多子，空穴是少子；18.在P型半导体中空穴是多子，电子是少子。
19.所谓模拟信号，是指幅度随时间连续变化的信号。
20.收音机、收录机、音响设备及电视机中接收、放大的音频信号、电视信号是模拟信号。
21.所谓数字信号，指在时间上和幅度上离散取值的信号。
22.计算机中运行的信号是脉冲信号，但这些脉冲信号均代表着确切的数字，因而又叫做数字信号。
23.半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、二极管、晶体管等元器件并具有某种电路功能的集成电路。
2020—2021学年第一学期微电子制造工程专业《电工与电子技术》期末考试题试卷(卷A)
2020—2021学年第一学期微电子制造工程专业《电工与电子技术》期末考试题试卷（卷A ）题 号 一 二 三 四 五 总 分得 分一、填空题（每小题2分，共计90分）。
1.将电气设备的金属外壳或构架与电网的零线相连接的保护方式叫做（ 保护接零 ）。
2.电工测量仪表按照动作原理可以分为磁电式、电磁式、电动式、整流式、热电式、感应式等类型。
3.电工仪表通常由测量机构和 测量线路 两部分组成。
4. 8421BCD 码为 1000 ，它代表的十进制数是8。
5.逻辑门电路中，最基本的逻辑门是＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿＿＿。
6. 逻辑代数有0和1两种逻辑值，它们并不表示 的大小，而是表示两种相反的逻辑状态。
7. 译码的含义是 。
8. JK 触发器具有 个稳定状态，在输入信号消失后，它能保持 不变。
9.与非门构成的基本RS 触发器，当D S =1、D R =0时，其输出状…○…………○………装…………○…………订…………○…………线…………○…………院系： 专业班级： 学号： 姓名： 座位号：态是。
10. 在时钟脉冲控制下，根据输入信号及J端、K端的不同情况，能够具有、置1、和计数功能的电路，称为JK触发器。
11. 计数器分为加法计数器和计数器、同步计数器和计数器。
12. 寄存器常分为数码寄存器和寄存器，其区别在有无的功能。
13. n位二进制代码有个状态，可以表示个信息。
14. 用来表示的逻辑电路称为逻辑图。
15、照明电路中火线对地线的电压U=220V。
电路检修时，穿上绝缘胶鞋，可操作自如不会触电。
设人体电阻R1=1KΩ，胶鞋电阻R2=210KΩ，则加在人体上的电压U1= V。
16、图所示为采用串联电阻分压器的收音机或录音机音量控制电路。
设输入电压U=1V；R1为可调电阻，其阻值为0-4.7KΩ；R2=0 .3K Ω。
则输出电压U0最大值是 V，最小值是 mv。
17、一段粗细均匀的导线，其电阻值是R，若将其从中间对折合成一根导线，则这个导线的电阻是。
2020—2021学年上学期微电子科学与工程专业《电工与电子技术》期末考试题试卷及答案(卷A)
2020—2021学年上学期微电子科学与工程专业 《电工与电子技术》期末考试题试卷及答案 （卷A ） 题 号 一 二 三 四 五 总 分 得 分 一、填空题（每小题1分，共计40分）。
1．移位寄存器可分为右移移位寄存器、 左移 移位寄存器和 双向 移位寄存器。
2．如果放大电路的静态基极电流太大，会产生 饱和 失真。
3．射极输出器中，输入电压和输出电压的相位是 同相 。
4．若整流变压器付边电压有效值为U 2，则单相桥式全波整流电路输出的平均电压U o = 0.9 U 2 ，二极管承受的最高反向工作电压U RM ＝ 2U 2 。
5．不加滤波器的由理想二极管组成的单相桥式整流电路的输出电压平均值为9V ，则输入正弦电压有效值应为 10V 。
6．稳压二极管一般要串 限流电阻 进行工作的。
7．运算放大器是一种 直接 耦合的多级放大器。
8．触发器两个输出端的逻辑状态在正常情况下总是 互非 。
9．时序逻辑电路的输出不仅取决于当时的输入，而且与电路的 原来输出 状态有关。
…○…………○………装…………○…………订…………○…………线…………○…………院系：专业班级：学号：姓名：座位号：10.晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等，若du/dt过大，就会使晶闸管出现________，若di/dt过大，会导致晶闸管________。
11. 高压少油断路器的灭弧方式主要有:（横吹）灭弧、（纵吹）灭弧、（横纵吹）灭弧等多种方式。
12. 对高压断路器触头的要求是：通过额定电流时,其（温度）不超过允许值；通过极限电流时,要具有足够的（动稳定）性。
开断短路电流或负载电流时,不产生严重的电气（烧伤）。
13. 变压器较粗的接线端一般是（低压侧）。
14. 蓄电池放电容量的大小与放电（电流）的大小和电解液（温度）有关。
15. 充足电的铅蓄电池,如果放置不用,将逐渐失去（电量）,这种现象叫做蓄电池（自放电）。
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《微电子技术概论》期末复习题
试卷结构：
填空题40分，40个空，每空1分，
选择题30分，15道题，每题2分，
问答题30分，5道题，每题6分
填空题
1.微电子学是以实现电路和系统的集成为目的的。
2.微电子学中实现的电路和系统又称为集成电路和集成系统，是微小化的。
3.集成电路封装的类型非常多样化。
按管壳的材料可以分为金属封装、陶瓷封装和塑料封装。
4.材料按其导电性能的差异可以分为三类：导体、半导体和绝缘体。
5. 迁移率是载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度。
6.PN 结的最基本性质之一就是其具有单向导电性。
7.根据不同的击穿机理，PN 结击穿主要分为雪崩击穿和隧道击穿这两种电击穿。
8.隧道击穿主要取决于空间电荷区中的最大电场。
9. PN结电容效应是PN结的一个基本特性。
10.PN结总的电容应该包括势垒电容和扩散电容之和。
11.在正常使用条件下，晶体管的发射结加正向小电压，称为正向偏置，集电结加反向大电压，称为反向偏置。
12.晶体管的直流特性曲线是指晶体管的输入和输出电流-电压关系曲线，
13.晶体管的直流特性曲线可以分为三个区域：放大区，饱和区，截止区。
14.晶体管在满足一定条件时，它可以工作在放大、饱和、截止三个区域中。
15.双极型晶体管可以作为放大晶体管，也可以作为开关来使用，在电路中得到了大量的应用。
16. 一般情况下开关管的工作电压为 5V ，放大管的工作电压为 20V 。
17. 在N 型半导体中电子是多子，空穴是少子；
18. 在P 型半导体中空穴是多子，电子是少子。
19. 所谓模拟信号，是指幅度随时间连续变化的信号。
20. 收音机、收录机、音响设备及电视机中接收、放大的音频信号、电视信号是模拟信号。
21. 所谓数字信号，指在时间上和幅度上离散取值的信号。
22. 计算机中运行的信号是脉冲信号，但这些脉冲信号均代表着确切的数字，因而又叫做数字信号。
23. 半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、二极
管、晶体管等元器件并具有某种电路功能的集成电路。
24. MOS 型集成电路又分为NMOS 、PMOS 、CMOS 型。
25. 集成电路的特征尺寸有时也称线宽，通常是指集成电路中半导体器件的最小尺度
26. 集成电路的特征尺寸是衡量集成电路加工工艺水平和设计水平的主要指标。
27. 功耗延迟积越小，即集成电路的速度越快或功耗越小，性能越好。
28. 集成电路制造通常包括集成电路设计、工艺加工、测试、封装等工序。
29. 双极型晶体管其有两种基本结构： PNP型和 NPN 型。
30. 在数字电路中，双极型晶体管是当成开关来使用的。
31. 双极型晶体管可以用来产生、放大和处理各种模拟电信号。
选择题：
（ D ）1.下列科学家当中不属于1956年因发明晶体管同时荣获诺贝尔物理学奖的是。
A.肖克莱
B.巴丁
C.布拉顿
D.基尔比
（ A ）2.2000年，因发明集成电路而被授予诺贝尔物理学奖的是。
A.基尔比
B.巴丁
C.摩尔
D.爱因斯坦
（ A ）3.在微电子学中的空间尺寸通常是以为单位的。
A.μm和nm
B.μF和nF
C.μH和nH
D.mm和km
（ C ）4.微电子学是一门发展极为迅速的学科，下列不是微电子学的发展方向得是。
A.高集成度
B.高性能
C.高功耗
D.高可靠性
（ B ）5.下列不属于信息技术发展的方向是。
A.多媒体(智能化)
B.微小化
C.网络化
D.个体化
（ C ）6.下列哪个不属于信息技术无止境的追求目标的是。
A.超高容量
B.超高速
C.超高功耗
D.超高频
（ A ）7. 是固体的三种基本类型。
A.非晶、多晶、单晶
B.导体、半导体、绝缘体
C.光敏半导体、掺杂半导体、热敏半导体
D.电阻、电容、电感
（ A ）8.能量最高的是价电子所填充的能带，称为。
A.价带
B.禁带
C.导带
D.高能能带
（ D ）9.本征半导体的导电能力很，热稳定性很。
A.弱,好
B.强,好
C.强,差
D.弱,差
（ A ）10.晶体性质的基本特征之一是具有方向性。
A.方向性
B.导电性
C.导热性
D.周期性
（ D ）11.组合逻辑电路的基本单元是。
A.二极管
B.三极管
C.集成电路
D.门电路
（ B ）12.时序逻辑电路的基本单元是。
A.二极管
B.触发器
C.集成电路
D.门电路
（ C ）13.MOSIC的缺点是。
A.结构简单
B.功耗低
C.驱动能力较弱
D.噪声容限大
（ B ）14.硅和锗都是Ⅳ族元素，它们具有结构。
A.周期性
B.金刚石晶格
C.立方体
D.对称
（ A ）15.集成电路已成为集成电路的主流。
A.CMOS
B.NMOS
C.PMOS
D. NPN
（ A ）16.一般认为MOS集成电路，宜用作数字集成电路;
A.功耗低、集成度高
B.功耗高、集成度高
C.功耗低、集成度低
D.功耗高、集成度低
（ C ）17. 反映的是载流子(电子和空穴)在单位电场作用下的平均漂移速度。
A.扩散率
B.导电率
C.迁移率
D.电阻率
（ D ）18.反映半导体中载流子导电能力的一个重要参数是。
A.扩散率
B.导电率
C.电阻率
D.迁移率
（ D ）19.不属于典型的CMOS集成电路的是。
A. CMOS反相器
B.CMOS逻辑门
C.CMOS传输门
D.双阱CMOS
（ B ）20.组合逻辑电路的输出状态只与当时的有关。
A.温度
B.输入状态
C.电压
D.电流
问答题：
1.什么是摩尔定律?后来又扩展了什么内容？
集成电路的集成度，即芯片上的晶体管数目，每隔18个月增加一倍或每3年翻两番。
后来又扩展：集成电路的工艺每3年升级一代，集成度每3年翻两番、特征线宽约缩小30%左右，逻辑电路的工作频率约提高30%。
2.简单总结集成电路发展规律。
1).集成电路的特征尺寸向深亚微米发展；
2).晶圆尺寸的增加；
3).随着集成电路的规模、速度、复杂度、制造成本的不断提高，集成电路设计能力出现了滞后现象。
3.为什么说半导体材料在集成电路的制造中起着根本件的作用？
首先，集成电路通常是制作在半导体衬底材料上的;
其次，集成电路中的基本元器件是依据半导体的特性构成的。
4.画图说明双极型晶体管的结构。
5.什么是集成电路？
集成电路是采用一系列特定的半导体加工工艺，在一块较小的单晶片上制作上许多二极管、三极管以及电阻器、电容器等元器件，并按照多层布线或隧道布线的方法将元器件组合成一个完整的电子电路，作为一个不可分割的整体执行某一些特定功能。
或
集成电路是应用半导体制造工艺把二极管、晶体管、场效应晶体管、电阻、小容量电容等许多元器件以及它们之间的连线都做在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有特定功能的电子电路。
6.集成电路有哪些优点？
集成电路具有体积小、重量轻、可靠性高、性能好、引出线和焊接点少、寿命长等优点，同时成本低，便于大规模生产。
7.集成电路有哪些分类？
按其处理信号的种类不同可分为模拟集成电路和数字集成电路两大类。
按其制作工艺不同，可分为半导体集成电路、膜集成电路和混合集成电路三类。
按集成度高低不同，可分为小规模、中规模、大规模及超大规模集成电路四类。
按导电类型不同，可分为双极型集成电路和单极型集成电路两类。
8.什么是集成电路设计？
集成电路设计是根据电路功能和性能的要求，在选择正确的系统配置、电路形式、器件结构、工艺方案和设计规则的情况下，尽量减小芯片面积，降低设计成本，缩短设计周期，以保证全局优化，设计出满足要求的集成电路。