微电子技术概论期末试题
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《微电子技术概论》期末复习题
试卷结构:
填空题40分,40个空,每空1分,
选择题30分,15道题,每题2分,
问答题30分,5道题,每题6分
填空题
1.微电子学是以实现电路和系统的集成为目的的。
2.微电子学中实现的电路和系统又称为集成电路和集成系统,是微小化的。
3.集成电路封装的类型非常多样化。按管壳的材料可以分为金属封装、陶瓷封装和塑料封装。
4.材料按其导电性能的差异可以分为三类:导体、半导体和绝缘体。
5. 迁移率是载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度。
6.PN 结的最基本性质之一就是其具有单向导电性。
7.根据不同的击穿机理,PN 结击穿主要分为雪崩击穿和隧道击穿这两种电击穿。
8.隧道击穿主要取决于空间电荷区中的最大电场。
9. PN结电容效应是PN结的一个基本特性。
10.PN结总的电容应该包括势垒电容和扩散电容之和。
11.在正常使用条件下,晶体管的发射结加正向小电压,称为正向偏置,集电结加反向大电压,称为反向偏置。
12.晶体管的直流特性曲线是指晶体管的输入和输出电流-电压关系曲线,
13.晶体管的直流特性曲线可以分为三个区域:放大区,饱和区,截止区。
14.晶体管在满足一定条件时,它可以工作在放大、饱和、截止三个区域中。
15.双极型晶体管可以作为放大晶体管,也可以作为开关来使用,在电路中得到了大量的应用。
16. 一般情况下开关管的工作电压为 5V ,放大管的工作电压为 20V 。
17. 在N 型半导体中电子是多子,空穴是少子;
18. 在P 型半导体中空穴是多子,电子是少子。
19. 所谓模拟信号,是指幅度随时间连续变化的信号。
20. 收音机、收录机、音响设备及电视机中接收、放大的音频信号、电视信号是模拟信号。
21. 所谓数字信号,指在时间上和幅度上离散取值的信号。
22. 计算机中运行的信号是脉冲信号,但这些脉冲信号均代表着确切的数字,因而又叫做数字信号。
23. 半导体集成电路是采用半导体工艺技术,在硅基片上制作包括电阻、电容、二极
管、晶体管等元器件并具有某种电路功能的集成电路。
24. MOS 型集成电路又分为NMOS 、PMOS 、CMOS 型。
25. 集成电路的特征尺寸有时也称线宽,通常是指集成电路中半导体器件的最小尺度
26. 集成电路的特征尺寸是衡量集成电路加工工艺水平和设计水平的主要指标。
27. 功耗延迟积越小,即集成电路的速度越快或功耗越小,性能越好。
28. 集成电路制造通常包括集成电路设计、工艺加工、测试、封装等工序。
29. 双极型晶体管其有两种基本结构: PNP型和 NPN 型。
30. 在数字电路中,双极型晶体管是当成开关来使用的。
31. 双极型晶体管可以用来产生、放大和处理各种模拟电信号。
选择题:
( D )1.下列科学家当中不属于1956年因发明晶体管同时荣获诺贝尔物理学奖的是。
A.肖克莱
B.巴丁
C.布拉顿
D.基尔比
( A )2.2000年,因发明集成电路而被授予诺贝尔物理学奖的是。
A.基尔比
B.巴丁
C.摩尔
D.爱因斯坦
( A )3.在微电子学中的空间尺寸通常是以为单位的。
A.μm和nm
B.μF和nF
C.μH和nH
D.mm和km
( C )4.微电子学是一门发展极为迅速的学科,下列不是微电子学的发展方向得是。
A.高集成度
B.高性能
C.高功耗
D.高可靠性
( B )5.下列不属于信息技术发展的方向是。
A.多媒体(智能化)
B.微小化
C.网络化
D.个体化
( C )6.下列哪个不属于信息技术无止境的追求目标的是。
A.超高容量
B.超高速
C.超高功耗
D.超高频
( A )7. 是固体的三种基本类型。
A.非晶、多晶、单晶
B.导体、半导体、绝缘体
C.光敏半导体、掺杂半导体、热敏半导体
D.电阻、电容、电感
( A )8.能量最高的是价电子所填充的能带,称为。
A.价带
B.禁带
C.导带
D.高能能带
( D )9.本征半导体的导电能力很,热稳定性很。
A.弱,好
B.强,好
C.强,差
D.弱,差
( A )10.晶体性质的基本特征之一是具有方向性。
A.方向性
B.导电性
C.导热性
D.周期性
( D )11.组合逻辑电路的基本单元是。
A.二极管
B.三极管
C.集成电路
D.门电路
( B )12.时序逻辑电路的基本单元是。
A.二极管
B.触发器
C.集成电路
D.门电路
( C )13.MOSIC的缺点是。
A.结构简单
B.功耗低
C.驱动能力较弱
D.噪声容限大
( B )14.硅和锗都是Ⅳ族元素,它们具有结构。
A.周期性
B.金刚石晶格
C.立方体
D.对称
( A )15.集成电路已成为集成电路的主流。
A.CMOS
B.NMOS
C.PMOS
D. NPN
( A )16.一般认为MOS集成电路,宜用作数字集成电路;
A.功耗低、集成度高
B.功耗高、集成度高
C.功耗低、集成度低
D.功耗高、集成度低
( C )17. 反映的是载流子(电子和空穴)在单位电场作用下的平均漂移速度。
A.扩散率
B.导电率
C.迁移率
D.电阻率
( D )18.反映半导体中载流子导电能力的一个重要参数是。
A.扩散率
B.导电率
C.电阻率
D.迁移率
( D )19.不属于典型的CMOS集成电路的是。
A. CMOS反相器
B.CMOS逻辑门
C.CMOS传输门
D.双阱CMOS
( B )20.组合逻辑电路的输出状态只与当时的有关。
A.温度
B.输入状态
C.电压
D.电流