砷化镓供应生产厂家
2020砷化镓材料国内外市场供应生产厂家及需求现状
砷化镓材料国内外市场供应现状及主要需求1国内外砷化镓材料发展现状半绝缘砷化镓材料主要用于高频通信器件，受到近年民用无线通信市场尤其是手机市场的拉动，半绝缘砷化镓材料的市场规模也出现了快速增长的局面。
20RR～20RR年，半绝缘砷化镓市场需求增长了54%。
目前微电子用砷化镓晶片市场主要掌握在日本住友电工（SumitomoElectric）、费里伯格（FreibergerCompoundMaterials）、日立电线（HitachiCable）和美国ART等四家大公司手中。
主要以生产4、6英寸砷化镓材料为主。
费里伯格公司供应LEC法生长的3、4、6英寸半绝缘砷化镓衬底，供应VGF法生长的4、6英寸半绝缘砷化镓衬底。
住友供应VB法生长的4、6英寸半绝缘砷化镓衬底。
日立电线供应LEC法生长的2、3、4、6英寸半绝缘砷化镓衬底。
ART供应VGF法生长的2、3、4、6英寸半绝缘砷化镓衬底。
表1国际砷化镓材料主要生产厂商目前中国的砷化镓材料生产企业主要以LED用低阻砷化镓晶片为代表的低端市场为主，利润率较高的微电子用4～6英寸半绝缘晶片还没有形成产业规模。
中国大陆从事砷化镓材料研发与生产的公司主要有：北京通美晶体技术有限公司（ART）、中科晶电信息材料（北京）有限公司、天津晶明电子材料有限责任公司（中电集团46研究所）、北京中科镓英半导体有限公司、北京国瑞电子材料有限责任公司、扬州中显机械有限公司、山东远东高科技材料有限公司、大庆佳昌科技有限公司、新乡神舟晶体科技发展有限公司（原国营542厂）等九家。
北京通美是美国ART独资子公司，其资金、管理和技术实力在国内砷化镓材料行业首屈一指，产品主要以VGF法4、6英寸半绝缘砷化镓材料为主。
其在高纯镓、高纯砷、高纯锗以及氮化硼坩埚等方面均有投资，有效地控制了公司成本，20RR年销售收入8000万美元，短期内国内其它各公司还难以和北京通美形成真正的竞争。
中科晶电成立于20RR年，主要从事VGF砷化镓单晶生长和抛光片生产，该公司为民营企业，总投资为2500万美元，在高纯砷和高纯镓方面也已投资建厂。
砷化镓太阳能光伏电池主要上市公司
砷化镓太阳能光伏电池主要上市公司展开全文砷化镓太阳能光伏电池主要上市公司一、砷化镓电池基本介绍近年来，太阳能光伏发电在全球取得长足发展。
常用光伏电池一般为多晶硅和单晶硅电池，然而由于原材料多晶硅的供应能力有限，加上国际炒家的炒作，导致国际市场上多晶硅价格一路攀升，最近一年来，由于受经济危机影响，价格有所下跌，但这种震荡的现状给光伏产业的健康发展带来困难。
目前，技术上解决这一困难的途径有两条：一是采用薄膜太阳电池，二是采用聚光太阳电池，减小对原料在量上的依赖程度。
常用薄膜电池转化率较低，因此新型的高倍聚光电池系统受到研究者的重视[1]。
聚光太阳电池是用凸透镜或抛物面镜把太阳光聚焦到几倍、几十倍，或几百倍甚至上千倍，然后投射到太阳电池上。
这时太阳电池可能产生出相应倍数的电功率。
它们具有转化率高，电池占地面积小和耗材少的优点。
高倍聚光电池具有代表性的是砷化镓（GaAs）太阳电池。
GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙与太阳光谱的匹配较适合，且能耐高。
与硅太阳电池相比，GaAs太阳电池具有较好的性能[2]。
二、砷化镓电池与硅光电池的比较1、光电转化率：砷化镓的禁带较硅为宽，使得它的光谱响应性和空间太阳光谱匹配能力较硅好。
目前，硅电池的理论效率大概为23％，而单结的砷化镓电池理论效率达到27％，而多结的砷化镓电池理论效率更超过50％。
2、耐性常规上，砷化镓电池的耐性要好于硅光电池，有实验数据表明，砷化镓电池在250℃的条件下仍可以正常工作，但是硅光电池在200℃就已经无法正常运行。
3、机械强度和比重砷化镓较硅质在物理性质上要更脆，这一点使得其加工时比容易碎裂，所以，目前常把其制成薄膜，并使用衬底（常为Ge[锗]），来对抗其在这一方面的不利，但是也增加了技术的复杂度。
三、砷化镓电池的技术发展现状1、历程GaAs太阳电池的发展是从上世纪50年代开始的，至今已有已有50多年的历史。
1954年世界上首次发现GaAs材料具有光伏效应。
砷化镓供应生产厂家
砷化镓材料国内外市场供应现状及主要需求1 国内外砷化镓材料发展现状半绝缘砷化镓材料主要用于高频通信器件，受到近年民用无线通信市场尤其是手机市场的拉动，半绝缘砷化镓材料的市场规模也出现了快速增长的局面。
2003～2008年，半绝缘砷化镓市场需求增长了54%。
目前微电子用砷化镓晶片市场主要掌握在日本住友电工（Sumitomo Electric）、费里伯格（Freiberger Compound Materials ）、日立电线（Hitachi Cable）和美国AXT等四家大公司手中。
主要以生产4、6英寸砷化镓材料为主。
费里伯格公司供应LEC法生长的3、4、6英寸半绝缘砷化镓衬底，供应VGF法生长的4、6英寸半绝缘砷化镓衬底。
住友供应VB法生长的4、6英寸半绝缘砷化镓衬底。
日立电线供应LEC法生长的2、3、4、6英寸半绝缘砷化镓衬底。
AXT供应VGF法生长的2、3、4、6英寸半绝缘砷化镓衬底。
表1 国际砷化镓材料主要生产厂商目前中国的砷化镓材料生产企业主要以LED用低阻砷化镓晶片为代表的低端市场为主，利润率较高的微电子用4～6英寸半绝缘晶片还没有形成产业规模。
中国大陆从事砷化镓材料研发与生产的公司主要有：北京通美晶体技术有限公司（AXT）、中科晶电信息材料（北京）有限公司、天津晶明电子材料有限责任公司（中电集团46研究所）、北京中科镓英半导体有限公司、北京国瑞电子材料有限责任公司、扬州中显机械有限公司、山东远东高科技材料有限公司、大庆佳昌科技有限公司、新乡神舟晶体科技发展有限公司（原国营542厂）等九家。
北京通美是美国AXT独资子公司，其资金、管理和技术实力在国内砷化镓材料行业首屈一指，产品主要以VGF法4、6英寸半绝缘砷化镓材料为主。
其在高纯镓、高纯砷、高纯锗以及氮化硼坩埚等方面均有投资，有效地控制了公司成本，2009年销售收入8 000万美元，短期内国内其它各公司还难以和北京通美形成真正的竞争。
2023年砷化镓行业市场调查报告
2023年砷化镓行业市场调查报告砷化镓是一种重要的半导体材料，在光电、光通信、无线通信等领域应用广泛。
本文将对砷化镓行业进行市场调查分析。
一、行业背景砷化镓是目前应用最广泛的III-V族化合物半导体材料之一，具有优异的电学和光学性能。
其制备工艺相对较成熟，应用领域广泛。
目前，砷化镓主要用于光电子器件、光通信及无线通信等领域。
二、行业规模据统计数据显示，全球砷化镓市场规模约为100亿美元。
其中，亚洲市场占据50%以上的份额，北美和欧洲市场分别占据30%和20%的份额。
随着5G通信、人工智能及物联网等技术的广泛应用，砷化镓市场将继续扩大。
三、应用领域1. 光电子器件：砷化镓在光电子器件领域具有重要的应用价值。
例如，光电晶体管、激光器和光电二极管等都采用砷化镓材料制造。
2. 光通信：砷化镓在光通信领域有广泛的应用。
在高速传输和远距离通信方面，砷化镓材料可以实现更高的传输速率和更远的传输距离。
3. 无线通信：砷化镓材料在无线通信领域也有应用，尤其是在高频率无线通信领域具有较好的表现。
四、市场趋势1. 5G通信市场的快速发展将推动砷化镓市场的增长。
砷化镓在5G通信设备中具有重要的应用，如高频率功放和毫米波器件等。
2. 光通信市场的迅速发展也将促进砷化镓市场的增长。
随着光纤网络的普及和数据中心的建设，对高速传输设备的需求不断增加，从而推动了砷化镓材料的需求。
3. 物联网和人工智能的快速发展也将对砷化镓市场起到积极的推动作用。
随着物联网和人工智能设备的普及，对高性能半导体材料的需求将不断增加，从而推动了砷化镓市场的增长。
五、市场竞争格局目前，全球砷化镓市场呈现出龙头企业垄断的格局。
主要的砷化镓材料生产商包括Cree、华虹半导体、晶方科技等。
这些企业在技术研发和市场拓展方面具有一定的竞争优势。
六、发展前景随着5G通信、光纤网络和物联网等技术的广泛应用，砷化镓市场将保持较高的增长速度。
尤其是随着国内半导体产业的快速发展，砷化镓产业在国内市场也将迎来更大的发展空间。
砷化镓太阳能电池的实际应用
摘自北极星太阳能光伏网
该研究得到国家自然科学基金、中科院知识创新 工程重要方向项目、苏州市科技专项等相关支持 。
图1. 基于高效砷化镓电池的聚光型光伏发电模组
来源：21世纪新能源网
图2. 基于高效砷化镓电池的聚光型光伏 发电系统
来源：21世纪新能源网
神舟九号飞船强大的心脏：太阳能电池和储能系统
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在2008年，全球的砷化镓电池的生产取得突破性的发展，4月，作为砷化 镓生产的全球主要厂家之一SpectroLab，获得350兆瓦，9300万美元 （1000倍聚光）的电站订单。 2007年8月开始，由于聚光技术的采用，砷化镓电池从卫星上的使用转变 为聚光的太阳能发电站的规模应用。为此，Emcore公司花了1000万美 元，将产能增加到目前的每年150兆瓦。 在东亚地区，也有初步的生产推广，2008年5月，韩国电站就接到70兆瓦 ，2800万美元（500倍聚光）的订单。
6月16日18时49分，神舟九号飞船(下称“神九飞船”)发射12分钟后，在浩瀚太 空中成功展开位于两侧的太阳能电池帆板，犹如神九飞船长出的一对美丽翅膀。 事实上，这对太阳能电池帆板，正是神九飞船的“翅膀”，为其遨游太空解，从神一到神七，飞船“翅膀”上 安装的都是晶硅太阳能电池，但神九采 用的三结砷化镓电池，其光电转化效率 可达30%左右，较之以前的晶硅电池， 其光电转化效率提高了50%以上;与之前 同样面积的太阳能帆板相比，其使所发 出的电能也增加了50%以上。
目前市场上的砷化镓电池
产品详情
• 据悉，目前某些国内企业正在从事将三结砷化 镓太阳电池应用于地面的工作，通过减小电池 的面积，用聚光材料把数百倍的太阳光聚焦到 非常小的电池片上，以减少成本;此外还需要安 装对日跟踪装置追随阳光踪迹，在聚光条件下 其理论光电转换效率可达到40%。 • “不过，目前三结砷化镓太阳电池工艺复杂、生 产成本还非常高，还要解决很多问题，所以暂 时难以进入大规模推广阶段。”据孟宪淦透露， 目前三结砷化镓电池的成本高达数千元/瓦，远 高于目前15元/瓦的普通多晶硅电池系统成本。 然而，有业内人士预测，在未来几年，随着生 产技术的持续进步，聚光型砷化镓太阳电池地 面应用成本有望不断下降，并逐渐进入快速发 展阶段。
6英寸砷化镓的现状及发展趋势
6英寸砷化镓的现状及发展趋势摘要：砷化镓广泛应用于光电子和微电子领域，是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料。
与硅单晶一样，砷化镓衬底正逐步向大尺寸、高几何精度、高表面质量方向发展。
目前，日本住友电工、美国AXT代表着国际领先水平，中科晶电、晶明公司代表着国内的先进水平。
未来几年是国内企业研发6英寸产品，向国际水平冲击的重要时期。
关键词：6英寸砷化镓；现状；发展趋势引言：砷化镓（GaAs）是目前最重要、最成熟的化合物半导体材料之一，广泛应用于光电子和微电子领域。
GaAs材料主要分为两类：半绝缘砷化镓材料和半导体砷化镓材料。
半绝缘砷化镓材料主要制作MESFET、HEMT和HBT结构的集成电路。
主要用于雷达、微波及毫米波通信、超高速计算机及光纤通信等领域。
半导体砷化镓材料主要应用于光通信有源器件（LD）、半导体发光二极管（LED）可见光激光器、近红外激光器、量子阱大功率激光器和高效太阳能电池。
1砷化镓技术发展现状1.1随着GaAsIC集成度的提高和降低成本的需要，砷化镓材料总的发展趋势是晶体大直径，长尺寸化。
2000年已研制出8英寸LEC砷化镓单晶抛光片，2002年研制出8英寸VGF砷化镓单晶抛光片及8英寸VGF砷化镓外延片，2006年制定出8英寸砷化镓抛光片SEMIM9.8标准。
半导体材料应用增多，最大应用商品为6英寸。
由于8英寸砷化镓器件生产线投入太大，造成了8英寸砷化镓衬底没有形成量产。
（见图一）图1随着微波砷化镓器件集成度的提高和降低成本的需求，半绝缘砷化镓抛光片的发展趋势是增大直径、提高电学参数的均匀性和一致性。
为了提高单片管芯数量，要求增加衬底晶片的尺寸，同时对晶片的几何参数以及表面状态的要求更高，对产品的批次一致性要求也更严格。
6英寸半绝缘砷化镓抛光片生产技术主要掌握在日本住友电工、德国费里伯格、美国AXT三个公司手中。
这些公司的产品占据着砷化镓市场的绝大部分份额。
砷化镓单晶生长技术也向成晶率高、成本低的VB/VGF单晶生长技术转移。
砷化镓材料国内外现状及发展趋势
砷化镓材料国内外现状及发展趋势中国电子科技集团公司第四十六研究所纪秀峰1 引言化合物半导体材料的研究可以追溯到上世纪初，最早报导的是1910年由Thiel等人研究的InP材料。
1952年，德国科学家Welker首次把Ⅲ-Ⅴ族化合物作为一种新的半导体族来研究，并指出它们具有Ge、Si等元素半导体材料所不具备的优越特性。
五十多年来，化合物半导体材料的研究取得了巨大进展，在微电子和光电子领域也得到了日益广泛的应用。
砷化镓（GaAs）材料是目前生产量最大、应用最广泛，因而也是最重要的化合物半导体材料，是仅次于硅的最重要的半导体材料。
由于其优越的性能和能带结构，使砷化镓材料在微波器件和发光器件等方面具有很大发展潜力。
目前砷化镓材料的先进生产技术仍掌握在日本、德国以及美国等国际大公司手中，与国外公司相比国内企业在砷化镓材料生产技术方面还有较大差距。
2 砷化镓材料的性质及用途砷化镓是典型的直接跃迁型能带结构，导带极小值与价带极大值均处于布里渊区中心，即K=0处，这使其具有较高的电光转换效率，是制备光电器件的优良材料。
在300 K时，砷化镓材料禁带宽度为1.42 eV，远大于锗的0.67 eV和硅的1.12 eV，因此，砷化镓器件可以工作在较高的温度下和承受较大的功率。
砷化镓（GaAs）材料与传统的硅半导体材料相比，它具电子迁移率高、禁带宽度大、直接带隙、消耗功率低等特性，电子迁移率约为硅材料的5.7倍。
因此，广泛应用于高频及无线通讯中制做IC器件。
所制出的这种高频、高速、防辐射的高温器件，通常应用于无线通信、光纤通信、移动通信、GPS全球导航等领域。
除在I C产品应用以外，砷化镓材料也可加入其它元素改变其能带结构使其产生光电效应，制成半导体发光器件，还可以制做砷化镓太阳能电池。
表1 砷化镓材料的主要用途3 砷化镓材料制备工艺从20世纪50年代开始，已经开发出了多种砷化镓单晶生长方法。
目前主流的工业化生长工艺包括：液封直拉法（LEC）、水平布里其曼法（HB）、垂直布里其曼法（VB）以及垂直梯度凝固法（VGF）等。
镓的市场_生产_价格与发展
・专题论述・镓的市场、生产、价格与发展赵秦生(中南大学,湖南长沙410083) 摘 要:对近年来金属镓的主要用途、市场、生产、价格与发展作了评述,并介绍了俄罗斯和哈萨克斯坦金属镓的生产情况。
关键词:镓;用途;市场;生产;价格 中图分类号:F41613 文献标识码:A 文章编号:1004-0536(2001)04-0042-031 对世界镓市场的评估与展望镓在现代科学技术特别是半导体材料和微电子中应用广泛,世界镓的年消耗量约200t[1]。
111 镓的主要用途在国外镓主要用于光电子工业和微波技术元件,约5%用于逻辑电路。
以镓化合物为基的产品用于电子技术,较硅和锗具有很大优点。
镓化合物的抛光片较硅片运作更快,工作温度和发射区间更宽。
镓主要以砷化镓和磷化镓的形式用于高新技术领域[2]。
砷化镓的主要产品类型是直径为50mm、75mm和100mm的抛光片。
抛光片又分为两种,一种为半绝缘片,用于生产集成电路;另一种为半导体片,用于光电子工业。
为制得半导体薄片,通常采用铟、硒、碲、锡、硅、锌及其他元素作掺杂剂。
为生产不同用途的激光二极管,采用以砷化镓为基的多元体系:G aAs/AlG aAs,G aAs/ InG aAs,lnG aAs/G aAlAs,InP/InG aAs等。
砷化镓的生产相当复杂和昂贵,因为该生产产生大量单晶废料。
在国外,砷化镓的生产和应用工作常得到国家的资助。
砷化镓在国外的主要应用领域为光学仪器、高速反应仪器、相似元件和电子流动性高的三极管类型的元件。
在俄罗斯,砷化镓集成电路主要用于国防工业,而在民用工业中通常用价格便宜的单晶硅来代替它。
在苏联解体后,俄罗斯砷化镓用量有所缩小。
目前其部分军工开发的产品已开始用于民用。
据统计资料,前苏联早在1985年就生产金属镓2416t,其中俄罗斯生产12136t,哈萨克斯坦生产1212t。
根据俄罗斯一位专家估计,法国Phone-P oulenc公司和德国汉堡铝厂镓生产厂生产1 kg6N镓(G a9919999%)的成本在300～240美元之间。
砷化镓市场
砷化镓（GaAs）晶圆和外延片市场光电子应用正在推动砷化镓（GaAs）晶圆和外延片市场进入一个新时代！在GaAs射频市场获得成功之后，GaAs光电子正成为一颗冉冉升起的新星据麦姆斯咨询介绍，作为最成熟的化合物半导体之一，GaAs无处不在，俨然成为每部智能手机中功率放大器的基石！2018年，预计GaAs射频业务占据GaAs 晶圆市场份额超过50%。
然而，由于手机市场逐渐饱和，并且芯片尺寸越来越小，所以过去几年GaAs射频市场增长放缓。
随着通信技术从4G到5G的演变，我们认为GaAs仍将是6 GHz以下频段（Sub-6 GHz）的主流技术，而非CMOS 技术。
这是因为GaAs具有载波聚合和多输入多输出（MIMO）技术所需的高功率和高线性度。
GaAs射频器件应用自2017年以来，GaAs晶圆在光电子应用方面显得尤为突出。
当苹果（Apple）公司推出集成GaAs激光器的新款iPhone X时（注：实现3D传感和人脸识别功能），意味着其为GaAs光电子市场的快速增长铺平了道路。
我们预计光电子应用的GaAs晶圆出货量在2017年至2023年期间的复合年增长率（CAGR）为37%，到2023年将实现1.5亿美元市场规模。
基于GaAs的红橙黄（ROY）LED和红外LED应用也引起大家的注意。
预计2017年至2023年期间，整个GaAs LED市场在出货量方面的复合年增长率将达到21%，到2023年将占据GaAs晶圆产量的一半以上。
GaAs衬底出货量（等效6英寸）就GaAs晶圆和外延片业务而言，产品价格需要根据每种应用需求的尺寸和品质来确定。
光电子作为新进入者，与完善的射频和LED晶圆和外延片业务相比，将孕育新的规格要求，从而产生显著的价格多样性。
本报告介绍了GaAs晶圆和外延片四大应用（射频、光电子、LED、PV）的市场规模及未来发展预测，还阐述了GaAs晶圆和外延片的生长技术及主要挑战。
GaAs晶圆和外延片的主要应用GaAs光电子：把握当下的智能手机，布局未来的智能汽车如今，GaAs晶圆和外延片市场正在进入一个新时代，光电子技术成为GaAs应用焦点。
砷化镓太阳能电池的产业背景分析
4
砷化镓电池与硅光电池比较
性能
砷化镓电池 硅光电池
光电 转化率
单结：27％ 多结：50％
以上
23％
耐高温性
250℃
低于 200℃
抗辐射性
高2倍
低
3
砷化镓电池的两种技术
1. LPE技术：液相外延技术LiquidPhaseEpitaxy;简称LPE1963年由Nelson等人提出 的;在GaAs的生产中;其以低熔点的Ga镓为溶剂;以待生长材料Ga、As砷和掺杂剂Zn 锌、Te碲、Sn锡等为溶质;使溶质在溶剂中呈饱和或过饱和状态&通过降冷却使石墨 舟中的溶质从溶剂中析出;在单晶衬底上定向生长一层晶体结构和晶格常数与单晶衬 底常为Ga足够相似的GaAs晶体材料;使晶体结构得以延续;实现晶体的外延生长
14
7
砷化镓太阳能电池未来发 展趋势
空间用砷化镓太阳能电池技术发展趋势 ： 未来空间用砷化镓太阳能电池的技术发展; 将以提高电池产品光电转换效率和提高 抗辐射能力为主要方向& 地面聚光砷化镓太阳能电池技术发展趋势 ： 未来地面聚光砷化镓太阳能电池的技术发展; 主要以提高电池芯片光电转换效率、 更 高聚光倍数电池的研制、提高聚光组件聚光效率和研发更高效的追踪技术为主要方向 &
业发展;在成本竞争不具备优势的情况下;策支持的不力使砷化镓产业化推进缓慢&以上这些原因 的综合出现;对砷化镓电池产业的发展造成了障碍&
砷化镓锗太阳能电池市场调研报告-主要企业、市场规模、份额及发展趋势
砷化镓锗太阳能电池市场报告主要研究：砷化镓锗太阳能电池市场规模：产能、产量、销售、产值、价格、成本、利润等砷化镓锗太阳能电池行业竞争分析：原材料、市场应用、产品种类、市场需求、市场供给，下游市场分析、供应链分析、主要企业情况、市场份额、并购、扩张等锗衬底砷化镓太阳能电池具有高转化效率、耐辐照和高电压等特性，被广泛的应用于空间供电电源中，在人造卫星、太空站、太空探测器和登陆探测器等应用领域具有很强的优势，可有效提高太阳能电池的寿命，进而延长人造卫星的工作寿命。
在此背景下，全球人造卫星和航天器的大量发射为空间用太阳能电池的发展提供广阔的市场空间。
2023年全球砷化镓锗太阳能电池市场规模大约为23亿元（人民币），预计2030年将达到37亿元，2024-2030期间年复合增长率（CAGR）为5.0%。
（报告统计的砷化镓锗太阳能电池（Gallium Arsenide Germanium Solar Cell）是指锗衬底砷化镓太阳能电池。
）全球有超过95%的空间供电均使用锗衬底砷化镓太阳能电池。
在相当长的一段时期内，锗衬底砷化镓空间太阳能电池都会是空间供电的主流选择。
另外，在一些特定应用场景，如边远山区雷达站、微波通讯站等，锗衬底砷化镓空间太阳能电池也有一定的应用市场。
全球砷化镓锗太阳能电池（Gallium Arsenide Germanium Solar Cell）主要生产商包括Spectrolab、Rocket Lab、AZUR SPACE、上海空间电源研究所和中电科蓝天科技等，前五大厂商的市场占有率超过了80%。
美国是世界上最大的砷化镓锗太阳能电池生产商，产能市场份额超过了50%。
砷化镓锗太阳能电池目前主要有单结、双结、三结和四结这几类，其中，占据市场主导地位的是三结太阳能电池，市场份额超过90%。
从下游市场来看，航天业是其最主要的应用领域，份额占比超过90%，其次是军事和民用，但占比较小。
锗衬底砷化镓太阳能电池由于其光电转换效率较高、可靠性较好，逐渐成为新一代高性能空间主电源，预计未来发展前景十分乐观。
业界首个硅晶圆级砷化镓及SOI异质集成射频前端模组
业界首个硅晶圆级砷化镓及SOI异质集成射频前端
模组
2019年1月30日，采用中芯集成电路（宁波）有限公司（以下简称“中芯宁波”）特有的晶圆级微系统集成技术，中芯宁波和宜确半导体（苏州）有限公司（以下简称“宜确”）联合发布业界首个硅晶圆级砷化镓及SOI异质集成射频前端模组。
宜确也首次展示了封装尺寸仅为2.5x1.5x0.25立方毫米的射频前端模组，这也是目前业界最紧凑的射频前端器件；其第一个系列的产品预计将于2019年上半年在中芯宁波N1工厂投产，主要面向4G和5G智能手机市场，满足其对射频前端模组进一步微型化的需求。
“uWLSI®是一个先进的晶圆制造技术平台，不仅助力宜确的砷化镓pHEMT射频前端模组产品实现出众的微型化，而且显着提高其核心组件间互连的射频特性。
”宜确表示：“这一关键性的晶圆级制造和系统测试技术，也有助于进一步简化芯片设计和制造流程。
”
uWLSI®为中芯宁波的注册商标，意指“晶圆级微系统集成”；它是中芯宁波自主开发的一种特种中后段晶圆制造技术，尤其适用于实现多个异质芯片的晶圆级系统集成以及晶圆级系统测试，同时也消除了在传统的系统封装中所需的凸块和倒装焊工艺流程。
Avago 1.85亿美元入股砷化镓厂稳懋
Avago 1.85 亿美元入股砷化镓厂稳懋砷化镓晶圆代工大厂稳懋8 日召开董事会，宣布私募案将引进策略投资人博通旗下Avago，预计认购2,000 万股，私募定价277 元新台币，将募集55.4 亿元新台币(约合1.85 亿美元)。
除入股稳懋，Avago 同时与稳懋签订合作备忘录，未来Avago 退出生产HBT 生产，将设备出售给稳懋，未来该公司的HBT 生产线产品将全数委由稳懋代工，HBT 是用砷化钾生产的微波组件结构的一种，也是应用于5G 通讯的重要组件。
稳懋表示，购买设备对双方业务是正面影响，也能建立更紧密合作关系。
Avago 透过私募持股约4.7%，将成为稳懋第二大法人股东。
稳懋强调，Avago 原本就是稳懋前三大客户，这次私募以策略投资为主要目的，Avago 不会进入稳懋董事会。
稳懋董事长陈进财曾表示，透过私募找来的策略投资人是国际级策略伙伴的客户，稳懋的策略就是要打国际联盟。
他强调，台湾不打国际杯不行，私募不是为了缺钱，而是要找战略伙伴。
连稳懋的外资股东也赞成私募案，所以不打算折价。
Avago 大股东博通一直积极想跨入5G 布局，稳懋与Avago 合作已久，从WiFi、3G、4G 等无线通信都有紧密合作关系，可预期未来所有新应用都会在5G 架构上延伸，稳懋这次与Avago 结盟，不仅可以取得稳定代工订单，未来在5G 整合将有更深入而全面性的发展。
稳懋是以功率应用砷化镓为主的晶圆代工服务厂，提供HBT、pHEMT微波积体电路/离散元件与后端制程晶圆代工。
终端用于手机及无线网路WLAN 使用的射频放大器RF Power Amplifier，及射频开关器(RF Switch)。
砷化镓的LED
砷化镓的LED
兴业证券认为，三安光电是国内目前唯一一家成功能够量产砷化镓产品的公司，这点非常重要。
4G时代砷化镓PA需求强劲，全球供不应求：一方面以Si为材料的CMOSPA由于物理性能的限制不符合3G/4G高速率和宽带宽的趋势而失去竞争力，预计未来只会在2G低端手机领域分享砷化镓PA的市场份额，4G手机将是砷化镓PA的天下;另一方面由于2G 和3G技术分别采用4到5个不同的频段，而4G手机需支持将近40个网络频段，随着终端支持频段数的增加，砷化镓PA需求数量也将从3G时代的1-2颗增长为4-5颗，4G手机的普及和单手机PA数量的增加将共同造就砷化镓的强劲需求，目前全球范围来看，砷化镓持续处于供不应求状态。
LED是成功的过去，砷化镓是崭新的开始：三安LED业务已经向全球龙头迈进，除此之外，公司已经从单纯的LED芯片厂商进军了第二代GaAs和第三代GaN，是国内目前唯一一家成功能够量产砷化镓产品的公司。
目前已经有成都亚光6000多万订单，公司在集成电路（微波、功率器件等）领域技术储备成熟，目前已有不少意向客户接触，2015年就会放量，公司这一业务的发展会让市场对公司有进一步认识，新业务的发展不会亚于LED，今年会有持续的投入，这一块今年会陆续给大家惊喜。
新的大门已经打开：新业务的打开，导致压制三安市值的因素不复存在，认可三安价值的机构亦逐渐增多！当大陆大部分公司还忙于扩产和提高发光效率和良率的时候，三安已经向更高端的砷化镓迈进，三安的行业龙头地位优势无需多言，砷化镓业务将再造一个三安！。
铁娘子仲景艳：助推“飞地经济”发展
铁娘子仲景艳：助推“飞地经济”发展作者：朝阳来源：《妇女》2020年第04期朝阳市紧邻京津冀，是京津冀地区向东北辐射的桥头堡，而且京沈高铁2020年将全线贯通，京津冀产业转移和朝阳进入“高铁”时代，是朝阳面临的两大历史性机遇。
辽宁省委、省政府和朝阳市委、市政府提出发展“飞地经济”，全市上下围绕发展“飞地经济”，举全市之力推进京津冀招商。
在这里，奋战在招商一线的铁娘子仲景艳就是其中佼佼者。
先交朋友后招商仲景艳原任喀左县尤杖子乡乡长。
她在任乡长期间，怀着对工作的无限热爱，舍小家顾大家，在平凡的岗位上书写着不平凡的故事。
多年来的招商引资工作，既有成功的喜悦，也有失败的沮丧，她最大的感受就是招商引资永远在路上，遇到再大的困难也不能轻言放弃，只要努力拼搏、再接再厉、奋发进取，一定能看到胜利的曙光。
她先后获得“朝阳市优秀共产党员”、“朝阳市三八红旗手”等荣誉称号。
在她的带领下，2018年，朝阳市授予喀左县尤杖子乡“飞地经济标兵乡镇”荣誉称号。
2019年9月仲景艳任喀左县妇联主席。
招商引资，谈何容易？虽然招商引资工作有很多困难，但是也有很多方法和技巧，在仲景艳看来，真诚就是引来客商的致胜法宝，人脉关系更是抓好招商引资工作的重要一环。
用保姆式的服务，量身定制合作方案。
在每次与客商接触时，她都是“先交朋友后招商”，以保证招得来客商、留得住客商。
为了能够得到更多的招商信息，她利用亲戚、朋友、同学进行广泛联系，留意搜集一切可能的招商信息，对她来说，招商工作已经成为她生活的一部分，无论是工作之时还是节假之日，一旦发现招商信息随时动身出发，当天往返于北京是常事儿。
她深知招商工作的艰难，需要“走遍千山万水、说尽千言万语、想尽千方百计、尝遍千辛万苦”，然而这些并没有阻碍她前进的脚步，她坚信，只要付出努力，就一定能得到回报。
紧盯契机绝不放弃项目建设是经济工作的中心，项目建设处于牵一发而动全身的特殊位置，这是近年来朝阳市委市政府在全力推进经济发展中达成的共识，同时，朝陽全面落实项目“保姆”制度，对乡镇引进飞地项目，全程跟进，一包到底。
半导体是什么公司_半导体行业有哪些大公司
半导体是什么公司_半导体行业有哪些大公司什么是半导体半导体（semiconductor），指常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（insulator）之间的材料。
半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。
如二极管就是采用半导体制作的器件。
半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。
无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。
今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。
常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。
半导体行业有哪些大公司1、特尔（Intel）公司美国英特尔（Intel）公司，以生产CPU芯片闻名于世。
2、三星（Samsung）电子公司成立于1969年，初期主要生产家用电子产品，如电视机和录像机等。
七十年代始进入国际市场，逐渐发展成为全球五大电子公司之一，产品也由家电扩展到计算机、通讯等诸多方面。
九十年代由于经济方面的原因，三星公司进行了大规模的战略重组。
1978年，三星半导体从三星电子公司分立出来而成为独立的实体，1983年起随着成功发展了64K DRAM 超大规模集成电路，从此在单一家电类半导体产品基础上发展了许多新的半导体产品，逐渐成为全球领先的半导体厂商。
它的半导体产品主要有DRAM、SRAM、闪速存储器、ASIC、CPU和TFF-LCD板等等。
3、德州仪器（TI）公司总部位于美国德克萨斯州达拉斯城，是一家全球性的半导体公司，是世界领先的数字信号处理和模拟技术的设计商、供应商，是推动电子数字化进程的引擎。
主要IC产品有：数字信号处理器、模拟和混合信号器件、数字逻辑、ASIC、微控制器、语音和图形处理器、。
砷化镓太阳能光伏电池主要上市公司
砷化镓太阳能光伏电池主要上市公司标签：分类：行业研究杂谈目前全球的CPV装机不到200MW，预计今后几年内，随着技术优势和成本优势的体现，市场规模将有爆发式的增长，未来10年年均增速预计在40%以上。
我国目前仅有少量示范电站，未来随着光伏装机容量的提升，CPV的市场也将逐渐打开。
在目前，国内尚无成熟的CPV设备制造商，产品进口依赖度较高。
在A股上市公司中未来有望从CPV市场的高速扩张中获益的主要上市公司有：1、乾照光电(300102)：公司是目前国内四元系红、黄光LED芯片产销量最大的企业，国内最大的能够批量生产三结砷化镓太阳能电池外延片的企业。
公司专注于高亮度四元系红、黄光LED外延片、芯片及三结砷化镓太阳电池外延片的研发生产，掌握了四元系红、黄光LED外延片、芯片生产的核心技术。
产品不仅有高品质的超高亮度红、橙、黄LED外延片、芯片，同时还着力研发生产世界最尖端的高性能砷化镓太阳能电池，填补了该领域的国内空白，是国内仅有的几家初步具备LED外延片和芯片工业化生产能力的企业。
在三结砷化镓太阳能电池外延片的领域，公司也拥有完全自主研发的MOCVD技术。
2、向日葵(300111)：公司是一家专注于光伏能源产品研发制造的国家级高新技术企业，主要致力于研发、生产、销售大规格高效晶体硅太阳能电池。
公司熟练掌握了光伏电池片生产的全部关键技术，研发能力较强。
公司的成长性明显，2008年公司获得了“绍兴市成长型工业企业20强”等荣誉。
根据中国可再生能源学会光电专业委员会排名，2008年公司晶体硅电池产量已进入国内前10名，是国内光伏行业中成长性最明显的企业之一。
公司2005年3月成立以来始终专注于高效晶体硅太阳能电池及组件的研发和生产，近年来产销量和营业收入规模均呈现较高速增长，2009年电池及组件产量达到106MW，位居国内企业第九。
随着全球光伏市场的快速增长，公司产能增长较快，已分别于2006年5月、2008年5月、2009年6月建成投产25MW生产线、50MW生产线、100MW生产线。
砷化镓情况
2012年1-7月份，3G用户净增5533.8万户，达18376.1万户，增长量占到了移动电话增长量的七成以上。
数据显示，7月末3G总用户渗透率上升到17.3%，预计到2012年底将突破25%，到“十二五”末突破50%，这意味着未来几年3G用户至少有3亿户的增长空间，由此带来的3G手机终端增长将以亿计中国工业和信息化部2012年9月24日发布的信息显示，今年9月份，中国3G 用户数终于突破了2亿户。
2011年9月，中国3G用户数突破了1亿户。
自2009年初发放3G牌照到1亿用户，中国用了2年多时间；而从1亿户到近2亿户，只用了约1年时间。
截至2012年8月底，中国3G用户数为1.925亿户，一个月时间，3G用户数增长1008万户，9月底接近2.026亿户。
中国3G的发展进入爆发式增长，微博和微信成为人们使用最多的两种3G应用。
据中国互联网络信息中心统计，到2011年12月，中国微博用户总数达到2.498亿，成为微博用户世界第一大国。
微信用户数今年9月份也达到了2亿左右。
2012年前9个月，电信行业营业收入8953亿元人民币，同比增长12.1%。
电信业固定资产投资完成2253亿元，同比增长8.6%。
（2012年12月13日，工信部电信研究院发布了11月手机行业运行状况。
今年前11个月，全国手机市场出货量为4.17亿部，比上年同期增长10.4%。
其中，2G 手机出货量为1.86亿部，比上年同期下降25.4%；3G手机出货量达到2.31亿部，比上年同期增长80.4%。
不同于传统的硅半导体（Silicon Semiconductor），GaAs属于化合物半导体（Compound Semiconductor），又称III-V族半导体，主要用在手机射频前端，如PA。
进入4G时代，手机的射频前段变得更加复杂，4G设备的射频前端成本大约为9-11美元，是3G系统的两倍，是2G系统的6倍。
手机射频系统主要元件包括收发器Transceiver、功率放大器Power Amplifier、滤波器Filters和Antenna Switches。
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砷化镓材料国内外市场供应现状及主要需求1 国内外砷化镓材料发展现状半绝缘砷化镓材料主要用于高频通信器件，受到近年民用无线通信市场尤其是手机市场的拉动，半绝缘砷化镓材料的市场规模也出现了快速增长的局面。
2003～2008年，半绝缘砷化镓市场需求增长了54%。
目前微电子用砷化镓晶片市场主要掌握在日本住友电工（Sumitomo Electric）、费里伯格（Freiberger Compound Materials ）、日立电线（Hitachi Cable）和美国AXT等四家大公司手中。
主要以生产4、6英寸砷化镓材料为主。
费里伯格公司供应LEC法生长的3、4、6英寸半绝缘砷化镓衬底，供应VGF法生长的4、6英寸半绝缘砷化镓衬底。
住友供应VB法生长的4、6英寸半绝缘砷化镓衬底。
日立电线供应LEC法生长的2、3、4、6英寸半绝缘砷化镓衬底。
AXT供应VGF法生长的2、3、4、6英寸半绝缘砷化镓衬底。
表1 国际砷化镓材料主要生产厂商目前中国的砷化镓材料生产企业主要以LED用低阻砷化镓晶片为代表的低端市场为主，利润率较高的微电子用4～6英寸半绝缘晶片还没有形成产业规模。
中国大陆从事砷化镓材料研发与生产的公司主要有：北京通美晶体技术有限公司（AXT）、中科晶电信息材料（北京）有限公司、天津晶明电子材料有限责任公司（中电集团46研究所）、北京中科镓英半导体有限公司、北京国瑞电子材料有限责任公司、扬州中显机械有限公司、山东远东高科技材料有限公司、大庆佳昌科技有限公司、新乡神舟晶体科技发展有限公司（原国营542厂）等九家。
北京通美是美国AXT独资子公司，其资金、管理和技术实力在国内砷化镓材料行业首屈一指，产品主要以VGF法4、6英寸半绝缘砷化镓材料为主。
其在高纯镓、高纯砷、高纯锗以及氮化硼坩埚等方面均有投资，有效地控制了公司成本，2009年销售收入8 000万美元，短期内国内其它各公司还难以和北京通美形成真正的竞争。
中科晶电成立于2006年，主要从事VGF砷化镓单晶生长和抛光片生产，该公司为民营企业，总投资为2 500万美元，在高纯砷和高纯镓方面也已投资建厂。
2009年月产2英寸砷化镓晶片10万片，2010年月产达到15万片。
该公司是目前国内发展速度最快的砷化镓企业。
天津晶明公司成立于2007年，由中国电子科技集团公司第四十六研究所投资，注册资本1400万元，总投入约5 000万元。
主要产品为2英寸LED用VB法低阻砷化镓晶体及抛光片，兼顾少量3~4英寸半绝缘砷化镓单晶材料。
目前拥用LEC单晶炉4台，VB单晶炉60台，已建成一条完整的单晶生长及抛光片加工生产线，目前月产约为3万片。
中科镓英公司成立于2001年，晶体生长只有两台LEC单晶炉，目前主要在国内购买HB或VGF砷化镓单晶进行抛光片加工，销售对象主要是国内的LED外延企业，月产约2~3万片。
北京国瑞公司和扬州中显公司主要生产2～2.5英寸HB砷化镓单晶，山东远东公司主要生产2英寸LEC（或称LEVB）砷化镓单晶，这三家公司的产品主要针对LED市场，其单晶质量、成品率以及整体经营状况都很稳定。
这三家公司目前都没有晶片加工工序，只能将单晶卖给其它公司进行加工。
大庆佳昌原主要从事LEC砷化镓单晶生长，曾生长出8英寸LEC砷化镓单晶样品。
2009年争取到政府立项投资1.3亿元，转向以VGF工艺生产LED用低阻砷化镓材料，目前已完成厂房建设和小试生产，其产品定位主要在4英寸市场。
新乡神舟公司主要从事LEC和HB砷化镓单晶生长，近期开始进行VGF法砷化镓工艺研究，目前的市场定位还不是很明确，主要以承担军工科研任务为主。
表2 国内砷化镓材料主要生产企业2、砷化镓应用领域及市场需求2．1 砷化镓应用领域概述砷化镓半导体材料与传统的硅材料相比，它的电子移动率约为硅材料的5 . 7 倍,。
它具有很高的电子迁移率、宽禁带、直接带隙，消耗功率低的特性。
因此,广泛运用於高频及无线通讯(主要为超过1 G H z 以上的频率).适于制做IC 器件。
所制出的这种高频、高速、防辐射的高温器件，通常应用于激光器、无线通信、光纤通信、移动通信、GPS 全球导航等领域。
砷化镓除在I C 产品应用以外,也可加入其它元素改变能带隙及其产生光电反应，达到所对应的光波波长,制作成光电元件。
由此可以看出，砷化镓材料的应用领域主要分为微电子领域和光电子领域。
在微电子领域中，使用的化合物半导体材料属于高端产品，主要用于制作无线通讯（卫星通讯、移动通讯）、光纤通讯、汽车电子等用的微波器件。
在光电子领域中，使用的化合物半导体材料属于低端产品，主要用于制作发光二极管、激光器及其它光电子器件。
无线通讯、光纤通讯、汽车电子等领域的高速发展，使得对砷化镓器件和电路的需求量急剧增加，进而极大地增加了对半绝缘砷化镓材料的需求量。
作为半绝缘砷化镓下游产业的砷化镓集成电路业市场平均增长近年都在40% 以上，尽管砷化镓分立器件的市场份额在逐步减少，砷化镓射频器件市场仍有30% 的年增长，加之卫星通讯系统和车载雷达用砷化镓单晶的潜在市场，半绝缘砷化镓的需求前景非常看好。
”2． 2 光通讯市场需求光纤通信具有高速、大容量、传输业务信息多的特点，是构筑“信息高速公路”的主干，成为现代信息社会的支柱产业。
而移动通信包括陆基、卫星移动通信及全球定位系统，最终实现在任意时间、任意地点与任何通信对象进行通信理想境界，其市场容量十分巨大。
光纤通信中，大于2.5G 比特/秒的光通信传输系统，其光通信收发系统均需采用 GaAs 超高速专用电路。
光通信发展极为迅速，据国外报道，光纤通信模拟GaAs市场近几年以年均34%的速度增长，到2004 年增长到约16.2 亿美元的市场规模，10 Gb/s 设备已成为最大的市场。
在10 Gb/s、40 Gb/s 系统中所用的器件和集成电路，包括激光驱动电路、MUX、DEMUX、跨阻放大器、限谱放大器等，GaAs 材料将占据重要位置。
2．3无线局域网（WLAN）市场需求WLAN 的概念虽提出较早，但由于技术的障碍一直未得到发展，直到90 年代初方获得较多的关切，并产生了IEEE802.11 标准，频段为902～928 MHZ，但由于速度仅达到2Mbps，仍未能受到市场过多赏识，1999 年底，IEEE802.11b 标准提出，频率提高到2.4～2.48GHZ，速率达到11Mbps，市场接受程度大大提高。
据ForwordConcepts 报告，WLAN芯片市场2002年达3.64亿美元。
在2.4 GHZ 以下频率时，使用SiGe 乃至SiBiCMOS 即可，而5GHZ 以上的芯片，则以GaAs IC 为佳，如：Ratheon、Envara 等公司开发的芯片均采用GaAs 材料。
为尽快满足WLAN 市场需求，Anadigics 收购了RF Solutions 的GaAs 功放生产线。
可见，无线局域网的高端传输必然对CaAs有很大需求。
根据Strategy Analytics 预测，在可预见的将来，数字有线电视（CATV）服务将需要基于砷化镓（GaAs）的高端基础设施元器件。
到2009 年，以GaAs 为基础的MMIC 和混合器件将在CATV 基础设施市场占据75%的份额，每年的需求增长为18%。
相比之下，到2009年用于CATV 的半导体市场增长率仅有3%。
北美和亚太地区将推动CATV 基础设施增长，占2009 年新数字有线电视用户的89%。
这将推动CATV 网络中system amplifier 和line extender 的需求，它们使用混合硅和砷化镓的部件。
据市场研究公司Strategy Analytics 发表的报告称，无线局域网GaAs集成电路市场2003年预计将增长139%，到2008 年的混合年平均增长率将达到21%。
交换机和电源放大器是GaAs 集成电路增长的主要机会。
到2008 年，GaAs电源放大器将占1.77亿件GaAs集成电路出货量的67%。
因此，Strategy Analytics预测，全部无线局域网交换机集成电路都将使用砷化镓技术，覆盖5GHz和2.4Ghz频率的双频段系统每个系统最多可采用2 个交换机。
全球5GHz无线局域网运营的统一以及迅速向采用802.11a/g 组合设备的双频段系统过渡，将促进GaAs集成电路市场的增长。
Strategy Analytics 的高级分析师Asif Anwar 在声明中称，电源放大器将是这个市场的亮点。
整个射频（RF）和与802.11相关的芯片，包括电源放大器和交换机，在2003年的销售收入将从2002年的4.87亿美元增长到6.37亿美元。
到2008年，802.11a/g 双频段组合设备将占整个出货量的75%。
2．4 汽车电子产品市场需求据统计，我国每年因交通事故死亡人数达九万人，损失愈百亿元，已成为工伤事故的第一杀手。
为避免交通事故的发生，在汽车中安装防撞雷达已成必然趋势。
汽车防撞雷达一般采用毫米波段，在这些波段范围内，最适合的器件是GaAs IC。
可以看出，随着技术的成熟、成本的降低，汽车防撞雷达由豪华轿车向大量生产的中、低档轿车发展，乃是必然趋势。
一旦GaAs 器件进入量产的汽车领域，市场前景不可限量。
鉴于此，GaAs 业界和汽车业界的大批厂家已涉足于此。
法国汽车零件制造商Valeo 就曾同GaAs IC生产厂商Raytheon 表示将合作生产雷达设备。
2．5 军事电子产品市场需求军事应用是GaAs 材料的传统领域。
GaAs 工业能发展到今天的程度，首先应归功于早期军事应用的需求牵引。
近年来，随着移动通讯的迅速发展，民用占整个GaAs 市场的份额已远远超过军用，但军用市场仍然是一个重要领域。
第一次海湾战争中，伊拉克的苏制雷达完全被美军雷达所屏蔽，在信息战中处于绝对被动位置，战斗力大打折扣，曾被称为“一场GaAs战胜Si”的战争。
自MIMIC 计划开始，美军在多种战术武器中开始装备采用GaAs IC 的设备，如主力战机中装载GaAs MMIC 相控阵雷达，电子战设备采用GaAs 器件，多种导弹中装载GaAs 引信等。
在最近的伊拉克战争中，美军数字化部队的出现，表明其GaAs 设备（如：GPS）装备部队的进程加快。
随着这种样板部队的普及，对GaAs IC 的需求必将大增。
而且，相对于民用来说，军用市场相对可以承受较高的价格，这也是2001 年整个GaAs 市场不景气时，主要占据军用市场的几家美国GaAs IC 公司效益仍然较好的原因。
2.6砷化镓在LED方面的需求市场发光二极管(Light Emitting Diode; LED)是半导体材料制成的组件，也是一种微细的固态光源，可将电能转换为光，不但体积小，且寿命长、驱动电压低、反应速率快、耐震性特佳，能够配合各种应用设备的轻、薄及小型化之需求，早已成为日常生活中十分普及的产品。