二极管反向恢复时间测试仪
肖特基二极管反向恢复时间
肖特基二极管反向恢复时间
肖特基二极管是一种半导体器件，具有快速开关特性，适用于高频电路。
在实际应用中，了解肖特基二极管的反向恢复时间是很重要的。
肖特基二极管的反向恢复时间是指当二极管由正向导通状态转为反向切换时，需要恢
复到正常反向封锁状态所需的时间。
该时间取决于二极管内部结构以及外部电路条件等因素。
通常，肖特基二极管的反向恢复时间可以分为两个主要部分：反向恢复过程（Trr）和反向恢复后迅速下降至50%值的过程（tF）。
反向恢复过程是指从正向导通到反向切换时，二极管电流逐渐减小并达到零的时间。
反向恢复后迅速下降至50%值的过程则是指反向切
换后电流的快速下降至时刻点（tF）的时间。
为了测量肖特基二极管的反向恢复时间，一种常用的方法是使用示波器。
通过将二极
管与电阻和电容组成的电路连接到示波器上，可以测量到反向恢复过程和反向恢复后迅速
下降至50%值的过程，并通过示波器显示出来。
另一种测量反向恢复时间的方法是使用专用的测试仪器，如直流反向恢复时间测量仪。
该仪器通过外部触发信号从正向导通到反向切换，然后测量反向恢复过程和反向恢复后迅
速下降至50%值的过程，并输出测量结果。
肖特基二极管的反向恢复时间是在切换过程中需要考虑的一个重要参数。
了解和掌握
肖特基二极管的反向恢复时间可以帮助工程师在实际电路设计和应用中更好地使用和优化
该器件的性能。
二极管反向恢复时间测量电路
二极管反向恢复时间测量电路二极管反向恢复时间是指二极管由正向导通状态转变为反向截止状态所需的时间。
测量二极管反向恢复时间的电路被称为二极管反向恢复时间测量电路。
本文将介绍二极管反向恢复时间的概念、测量电路的基本原理和实际应用。
一、二极管反向恢复时间的概念二极管是一种半导体器件，具有单向导电性。
当二极管处于导通状态时，正向电压施加在二极管上，电流可以通过；而当施加反向电压时，二极管处于截止状态，电流无法通过。
当二极管从导通状态切换到截止状态时，会存在一定的反向恢复时间。
二极管反向恢复时间是指二极管从正向导通状态转换为反向截止状态所需的时间。
在实际应用中，特别是在高频电路中，二极管的反向恢复时间会对电路的性能产生影响，因此需要进行准确测量。
二、二极管反向恢复时间测量电路的基本原理二极管反向恢复时间测量电路一般采用脉冲发生器、测量电阻和示波器等器件组成。
基本原理如下：1. 脉冲发生器：产生一个具有较高频率的矩形脉冲信号，作为输入信号施加到待测二极管上。
2. 测量电阻：连接在二极管的反向电流回路中，用于测量二极管反向电流。
3. 示波器：连接在二极管的正向电流回路中，用于观察二极管的反向恢复过程。
测量过程如下：1. 通过脉冲发生器产生一个矩形脉冲信号，并将其施加到待测二极管上。
2. 同时，将示波器连接到二极管的正向电流回路上，观察二极管的正向导通过程。
3. 当矩形脉冲信号施加到二极管后，二极管从正向导通状态切换到反向截止状态。
4. 在二极管切换过程中，示波器可以观察到二极管的反向恢复过程，包括反向电流的变化过程。
5. 通过示波器上观察到的反向恢复曲线，可以计算出二极管的反向恢复时间。
二极管反向恢复时间测量电路在电子工程领域有着广泛的应用。
主要应用于以下方面：1. 二极管性能评估：通过测量二极管的反向恢复时间，可以评估二极管的性能，判断其在实际应用中是否满足要求。
2. 电路设计和优化：在高频电路设计中，二极管的反向恢复时间对电路的性能和稳定性有着重要影响。
二极管反向恢复时间、反向电流和正向电流的关系
二极管反向恢复时间、反向电流和正向电流的关系《二极管反向恢复时间、反向电流和正向电流的关系》一、引言二极管是一种重要的电子元件，广泛应用于各种电路中。
在使用二极管时，我们经常会涉及到二极管的反向恢复时间、反向电流和正向电流的关系。
这三个指标对于二极管的性能和稳定性都具有重要意义。
本文将从简单到复杂，由浅入深地探讨这三个指标之间的关系，并共享个人对这个主题的理解。
二、二极管反向恢复时间的概念1. 反向恢复时间的定义反向恢复时间指的是二极管在从正向导通到反向截止时所需的时间。
在正向电流达到零点后，反向电流不会立即消失，而是会有一个延迟。
这个延迟时间就是反向恢复时间。
2. 反向恢复时间的影响因素反向恢复时间受到二极管本身结构和工作状态的影响，例如二极管的载流子寿命、扩散电容等。
在实际应用中，设计人员需要合理选择二极管型号，并根据具体情况进行电路设计，以尽量减小反向恢复时间的影响。
3. 为什么需要关注反向恢复时间反向恢复时间直接影响了二极管在开关变换电路和整流电路中的性能。
较长的反向恢复时间会导致能量损耗增加和谐波增大，从而影响整个系统的稳定性和效率。
三、反向电流和正向电流的关系1. 反向电流的特性当二极管处于反向电压的作用下时，会出现反向电流。
这个电流是由于载流子的漂移和扩散效应引起的。
反向电流的大小取决于二极管的结构和工作状态。
2. 正向电流的特性正向电流是指在二极管正向导通时通过二极管的电流。
正向电流是二极管正常工作时的关键参数之一，通常情况下，我们更关注二极管的正向导通特性。
3. 两者的关系反向电流和正向电流是二极管工作中两种不同状态下的电流。
它们之间的关系是密不可分的：反向电流是由于二极管的结构和材料等因素引起的，而正向电流则是在正常工作状态下导通的电流。
通过对两者的深入了解，可以更好地掌握二极管的工作特性。
四、个人观点和理解在我看来，二极管反向恢复时间、反向电流和正向电流的关系是电子领域中一个非常重要的主题。
FR307二极管反向恢复时间测试分析
FR307二极管反向恢复时间测试分析 二极管和一般开关的不同在于,“开”与“关”由所加电压的极性决定, 而且“开”态有微小的压降V f,“关”态有微小的电流i0。
当电压由正向变为反向时, 电流并不立刻成为(- i0) , 而是在一段时间ts 内, 反向电流始终很大, 二极管并不关断。
经过ts 后, 反向电流才逐渐变小, 再经过tf 时间, 二极管的电流才成为(- i0) , ts 称为储存时间, tf 称为下降时间。
tr= ts+ tf 称为反向恢复时间, 以上过程称为反向恢复过程。
这实际上是由电荷存储效应引起的, 反向恢复时间就是存储电荷耗尽所需要的时间。
该过程使二极管不能在快速连续脉冲下当做开关使用。
如果反向脉冲的持续时间比tr 短, 则二极管在正、反向都可导通, 起不到开关作用。
首先进行测试的是FR307GW 二极管，其外形实物图如下图所示，使用DI-100进行测试，它可以测试快恢复二极管、场效应管（Mosfet ）内建二极管、IGBT 基内建二极管。
它可以测试二极管反向电流峰值100A ，二极管正向电流30A ，测量精度10nS ，测试的过程中不必担心二极管接反的问题。
图1 二极管实物及恢复特性图2 二极管正向导通电流 图3 二极管反向恢复电流图4二极管反向恢复电流斜率图5 二极管反向恢复时间以上波形是DI-100把偏置电压设置到150V测试的结果，综上可以看出，二极管正向导通电流：3.52A，二极管反向恢复电流：6.64A，二极管反向恢复电流斜率：7.76A/uS，二极管反向恢复时间：550nS。
这个器件的参数，基本上是满足说明书要求的，应用时应该没有什么太大的问题。
接着使用DI-100测试FR307ZG二极管，二极管外形实物图如下图所示：图1 二极管实物图2 二极管正向导通电流图3 二极管反向恢复电流图4二极管反向恢复电流斜率图5 二极管反向恢复时间以上波形仍然是DI-100把偏置电压设置到150V测试的结果，综上可以看出，二极管正向导通电流：2.96A，二极管反向恢复电流：3.6A，二极管反向恢复电流斜率：10.24A/uS，二极管反向恢复时间：540nS。
二极管 反向 恢复因子
二极管反向恢复因子【最新版】目录1.二极管的基本概念2.反向恢复因子的定义及影响因素3.二极管的反向恢复过程4.反向恢复因子在实际应用中的意义5.测试二极管反向恢复因子的设备与方法正文一、二极管的基本概念二极管是一种半导体器件，具有单向导电性。
在正向电压作用下，二极管处于导通状态，允许电流通过；而在反向电压作用下，二极管处于截止状态，电流不会通过。
然而，在实际应用中，二极管的反向恢复特性对电路性能具有重要影响。
二、反向恢复因子的定义及影响因素反向恢复因子（Reverse Recovery Factor，简称 RRF）是指二极管在反向电压作用下，从反向导通状态恢复到截止状态所需的时间。
它反映了二极管在反向恢复过程中的动态特性。
反向恢复因子受多种因素影响，如半导体材料、二极管结构、制造工艺等。
其中，最重要的因素是半导体材料的载流子复合速度。
载流子复合速度越快，反向恢复因子越小，说明二极管的反向恢复能力越强。
三、二极管的反向恢复过程当二极管处于正向导通状态时，正向电压使 p 型半导体和 n 型半导体中的载流子向 pn 结附近集中，形成正向电流。
当外加电压改为反向电压时，正向电流迅速消失，但此时载流子在 pn 结附近仍存在，使得二极管处于反向导通状态。
随着反向电压的持续作用，载流子在 pn 结附近逐渐复合，使反向电流逐渐减小。
当反向电流减小到一定程度时，二极管恢复到截止状态。
这个过程称为二极管的反向恢复过程。
四、反向恢复因子在实际应用中的意义反向恢复因子是衡量二极管动态特性的重要参数。
在高频应用中，二极管的反向恢复能力直接影响到电路的工作效率和性能。
反向恢复因子越小，二极管的反向恢复能力越强，对高频信号的响应速度也越快。
因此，在高频应用中，需要选用具有较小反向恢复因子的二极管。
五、测试二极管反向恢复因子的设备与方法测试二极管反向恢复因子的设备称为二极管反向恢复时间测试仪。
这种设备可以手动调节测试电压、电流等参数，具有较高的测量精度。
二极管反向恢复时间的一种测定方法
二极 管 反 向恢 复 时 间的 一种 测 定 方 法
王秀清 ，傅 曼 ，雷淑英 ．陈 浩
（ ． 津 轻 工 业 学 院 自动 化 系 ， 津 ３ ０ ２ ） １天 天 ０ ２ ２
摘
要 ： 过 叶 二 极 管 反 向恢 复 过 程 特 性 的研 究 ． 出 丁反 向 恢 复 时 间 的 剥 定方 法 ， 用 高 性 通 培 运
Ｍ ＥＮＳ ＵＲＡＴ１ ０Ｎ ０Ｆ ０ＤＥ Ｄ１ ＲＥＶＥＲＳ Ｃ０Ｍ ＥＢＡＣＫ Ｍ Ｅ Ｅ ＴＩ
Ｗ Ａ ＮＧ ｕ ｑｉ ｇ ． ＦＵ ｉ ｇ，ＬＥＩＳ — ｉ Ｘｉ — ｎ Ｍ ｎ ｈｕ ｙ ｎｇ ，ＣＨ ＥＮ ａ Ｈ ｏ
（ ． ｐ ｒｍｅ ｔｏ ｔ ｍａ ｉｎ Ｅｎ ｉｅ ｒ ｇ． ａ ｊ ｉｅ ｓｔ ｆＬ ｇ ｔＩ ｄ ｓ １ Ｄｅ ａ ｔ ｎ ｆＡｕ ｏ ｔｏ ｇ ｎ ｅ ｉ Ｔｉｎｉ Ｕｎｖ ｒ ｉ ｏ ｉ ｈ ｎ ｕ ｎ ｎ ｙ
降时 间 一ｒ ＋“称为 反 向恢 复时间 ， 以上过 程称 为反 向恢 复过程 这实 际上 是 由 电荷 存储效 应 引起 的 ． 向 反
恢 复 时间就是 存储 电荷 耗尽 所需 要 的时间 该过 程使 二极管 不能在 快 速连续 脉 冲下 当傲开 关 使用 。如果反
收 稿 日期 ： Ｏ １ ０ — ６ ＺＯ ．６２
时 间 的方 法 。
小 ）断 （ 、 电阻 很 大） 性 ． 二极 管 对正 向及 反 向 电流 特 即 表 现 出的 开 关作 用 。二 极 管和 一般 开 关 的 不 同在 于 ， “ ” 关” 开 与 由所加 电压 的极性 决 定 ， 而且 “ 态 有 微 开”
小 的压降 Ｖ ，关 ” ｔ“ 态有 微小 的 电流 Ｊ 当电压 由正 向 。
二极管反向恢复时间测试
DI-1000型二极管反向恢复时间测试仪一：主要特点A ：测量多种二极管B ：二极管反向电流峰值100A （定制）C ：二极管正向电流30A （定制）D ：测量精度5nSE ：二极管接反、短路开路保护F ：示波器图形显示G ：EMI/RFI 屏蔽密封H ：同步触发端二：应用范围A ：快恢复二极管B ：场效应管（Mosfet ）内建二极管C ：IGBT 基内建二极管D ：其他二极管三：DI-1000外观介绍DI-1000二极管反向恢复时间测试仪面板介绍如图1所示，包括电源开关、电源指示灯、触发开关、触发指示灯、接反指示灯、正向电流调节、反向电压调节、恢复电流斜率调节、示波器信号端、示波器同步信号端。
图1 DI-1000外观介绍图四：DI-1000测试仪参数类 型 数 值 单 位 备 注 反向恢复电流 100 A 峰值反向电压 50至1000V 分档 正向电流 30 A 峰值 按下频率0.5 Hz 手动按下 0Hz 短路情况，无法测量 电源输入 220V AC功耗小于10W五：操作步骤图2为DI-1000和示波器之间的连接示意图，DI-1000的两个通道分别和示波器的第一通道和外触发通道连接，然后把二极管接入DI-1000。
图2 DI-1000测试仪器和示波器连接示意图5.1举例测试1N4007二极管的反向恢复时间步骤 第一步：将1n4007二极管接入红色和黑色夹子；第二步：DI-1000在侧面连接电源线，此时不要打开仪器电源，如果打开，请关闭电源。
第三步：调节电压旋钮选择器件反向耐压，将电压设置到300V 。
在测试时，红色夹子和黑色夹子同输入交流电市电无隔离，请勿冒险将示波器探头和夹子连接；数字示波器 DI-1000测试仪 1通道外触发第四步：使用双头BNC 连线（仪器自带）将DI-1000和数字示波器连接，并且设置好数字示波器。
（以泰克示波器为例）将DI-1000的示波器接入端和示波器1通道连接，且将1通道设置到×10档；将DI-1000的示波器同步信号端和示波器的TRIG 通道连接，且将示波器设为外触发上升沿触发，时间1格为2.5uS ，幅度1格为5V ，触发方式选择正常，上箭头居中，示波器的设置如下图所示。
二极管反向恢复损耗计算
二极管反向恢复损耗计算二极管反向恢复损耗计算是电子工程中比较重要的一个问题，它涉及到二极管的反向恢复时间以及反向损耗的计算。
本文将从以下几个方面分步骤阐述这个问题。
Step1：二极管反向恢复时间的定义及其意义二极管反向恢复时间是指当二极管从正向导通状态转变为反向截止状态时，其反向电流从峰值一直下降到零所需的时间。
反向恢复时间主要受到二极管的结构、载流电流和温度等因素的影响。
反向恢复时间的计算可以帮助工程师在设计电路时选择合适的反向恢复二极管。
Step2：二极管反向恢复时间的测试方法在测试反向恢复时间时，可以使用矩形脉冲发生器的方式，生成一个短时间宽度、高电平电压稳定的正脉冲。
将该脉冲通过串联的电阻和反向恢复二极管，产生反向恢复电流波形，使用示波器测试该波形下降到零所需的时间即可得到反向恢复时间。
Step3：二极管反向恢复时间与反向损耗的关系反向损耗是指二极管在反向恢复时由于电磁感应导致的Power Loss，是一种有效值。
反向损耗与反向恢复时间成反比，可通过以下公式计算：PRR = VRR * IRM / 2其中，PRR为反向恢复损耗，VRR为反向击穿电压，IRM为反向峰值电流。
Step4：二极管反向恢复时间的影响因素反向恢复时间受到以下几个因素的影响：1. 载流电流：载流电流越大，反向恢复时间越长。
2. 温度：反向恢复时间随温度变化而变化，通常是随着温度升高而降低。
3. 二极管材料：不同的材料对反向恢复时间的影响不同，如硅为50ns左右，而碳化硅为10ns左右。
4. 二极管结构：二极管内部结构的不同也会影响反向恢复时间。
总之，二极管反向恢复时间的计算和测试是电子工程中比较重要的一环。
反向恢复时间的长短不仅影响到电路的性能，还会造成反向损耗，因此，在实际设计中应该选择合适的反向恢复二极管。
二极管的反向恢复时间测试
二极管的反向恢复时间测试二极管是一种常见的电子器件，它具有正向导通和反向截止的特性。
而在二极管的反向截止状态下，当外加电压突然变为正向时，二极管需要一定的时间才能从截止状态恢复为导通状态，这个过程被称为反向恢复时间。
本文将以二极管的反向恢复时间测试为主题，介绍反向恢复时间的概念、测试方法以及对电路性能的影响。
一、反向恢复时间的概念反向恢复时间是指二极管在从反向截止状态恢复为正向导通状态所需的时间。
当二极管的反向电压突然被改变为正向时，由于电荷的积累和耗散过程，二极管无法立即恢复到正向导通状态，需要一定的时间。
这个时间间隔称为反向恢复时间。
二、反向恢复时间的测试方法为了准确测量二极管的反向恢复时间，需要借助专门的测试设备。
一种常见的测试方法是通过脉冲发生器和示波器进行测试。
具体步骤如下：1. 接线：将脉冲发生器的输出端与二极管的正向端相连，将示波器的探头分别连接到二极管的反向端和正向端。
2. 设置参数：在脉冲发生器上设置所需的测试脉冲幅值和宽度，并调节示波器的时间基准和垂直灵敏度，使波形能够清晰显示。
3. 测试过程：通过触发脉冲发生器，产生一个突变的电压脉冲，使二极管从反向截止状态迅速转变为正向导通状态。
示波器会记录并显示二极管反向电压的变化过程。
4. 测量结果：根据示波器上显示的波形，可以测量出反向恢复时间的相关参数，如反向恢复时间trr、反向恢复峰值电流IRRM等。
三、反向恢复时间对电路性能的影响反向恢复时间是二极管的一个重要参数，它对于电路的工作性能和稳定性有着重要的影响。
1. 反向恢复时间与开关速度：二极管的反向恢复时间越短，其开关速度就越快。
在高频电路中，需要快速开关的二极管能够更快地响应信号，提高电路的工作效率。
2. 反向恢复时间与能耗：当二极管反向恢复时间较长时，会导致电荷的积累，从而增加能耗。
因此，在一些对能耗要求较高的电路中，需要选择反向恢复时间较短的二极管，以减少能耗。
3. 反向恢复时间与电路稳定性：如果二极管的反向恢复时间过长，可能会导致在高频电路中产生不稳定的波形，甚至出现回波和谐振等问题，对电路的稳定性造成影响。
二极管恢复时间测试方法及波形
文章题目：深度探讨二极管恢复时间测试方法及波形一、引言在电子学领域，二极管是一种常见的电子元件，其在电路中扮演着非常重要的角色。
二极管的性能特征之一就是其恢复时间，而恢复时间的测试是评估二极管性能的重要方法之一。
本文将深入探讨二极管恢复时间测试方法及相应波形的相关知识，以便读者能够更全面、深刻地理解这一主题。
二、二极管恢复时间的概念在深入探讨二极管恢复时间测试方法及波形之前，我们首先需要了解二极管恢复时间的概念。
二极管的恢复时间是指当二极管由正向导通状态转变为反向截止状态时所需的时间，一般分为正向恢复时间和反向恢复时间两个部分。
正向恢复时间指的是二极管从正向导通到反向截止的时间，而反向恢复时间则是二极管从反向导通到正向截止的时间。
恢复时间的长短直接影响着二极管的开关特性和高频特性，因此对于二极管的性能评估至关重要。
三、二极管恢复时间测试方法1. 直接测量法直接测量法是一种常用的测试二极管恢复时间的方法。
其原理是利用示波器观测二极管在开关过程中的波形，并通过测量波形上的指定时间点来计算恢复时间。
特别是可以通过正向电流和反向电流切换过程中的波形特征来确定正向和反向恢复时间，具有较高的准确性和可靠性。
2. 间接计算法除了直接测量法外，间接计算法也是一种常用的测试二极管恢复时间的方法。
该方法一般利用二极管的电压和电流特性曲线，并结合一定的数学模型来间接计算出二极管的恢复时间。
虽然相比直接测量法稍显复杂，但间接计算法仍然具有一定的实用性和可行性。
四、二极管恢复时间测试波形在进行二极管恢复时间测试时，所获取的波形对于评估二极管的性能具有非常重要的作用。
一般来说，正向恢复时间波形和反向恢复时间波形在示波器上呈现出不同的特征。
正向恢复时间波形往往具有较快的上升时间和较慢的下降时间，反向恢复时间波形则恰恰相反。
通过观察和分析这些波形，我们可以更准确地评估二极管的恢复时间性能。
五、个人观点对于测试二极管恢复时间方法及波形这一主题，我个人认为在日常实际应用中，直接测量法是较为常用且有效的方法。
寄生二极管反向恢复时间测试分析(1)
寄生二极管反向恢复时间测试分析为什么要关注寄生二极管？首先看一个电路，移相全桥零电压PWM软开关电路。
图1移相全桥零电压PWM软开关电路上图中，当谐振的时候， D2有电流通过的情况，此时S1管子导通，将会导致桥臂直通的现象，如果寄生二极管的反向恢复时间足够快，那么直通的时间短，如果寄生寄生二极管的速度很慢，后果就非常严重。
电子工程师往往不太注意寄生二极管的问题，在设计大功率电源的时候，理论上分析都对，但是就是总炸功率管，全是寄生二极管惹的祸呀！本文针对常用的场效应管IRFP460 IRFP250 IRFD9120和大功率IGBT的寄生二极管，使用DI-100二极管反向恢复时间测试仪进行测试，它可以测试快恢复二极管、场效应管（Mosfet）内建二极管、IGBT基内建二极管。
它可以测试二极管反向电流峰值100A，二极管正向电流30A ，测量精度10nS，测试的过程中不必担心二极管接反的问题。
IRFP460器件选择International Rectifier公司的产品，测试使用DI-100二极管反向恢复时间测试仪，采用100MHz泰克示波器读取波形。
测试的IRFP250器件MOS管实物图图1 测试的MOS管实物图IRFP250是200V耐压的器件，这里将DI-100二极管反向恢复时间测试仪电压档调节到150V进行测试。
图2 寄生二极管官方参数官方资料显示，反向恢复时间是140nS-630nS ，差距怎么这么大，看来器件的参数差异性非常大！图3 二极管正向导通电流 图4 二极管反向恢复电流图5 二极管反向恢复电流斜率 图6 二极管反向恢复时间 二极管反向恢复时间测试仪DI-100测试反向电压：150V ，综上可以看出，二极管正向导通电流：2.8A ，二极管反向恢复电流：6. 4A ，二极管反向恢复电流斜率：9.8A/uS ，二极管反向恢复时间：350nS 。
这个器件的参数，基本上是满足说明书要求的，应用时应该没有什么太大的问题。
二极管规格书中的反向恢复电荷和反向恢复时间
二极管规格书中的反向恢复电荷和反向恢复时间文章标题：深度解析二极管规格书中的反向恢复电荷和反向恢复时间导语：二极管作为一种重要的电子元件，在各种电路中都扮演着重要的角色。
在选用二极管时，除了关注正向导通压降、最大反向电压和最大正向电流等基本参数外，还需要留意二极管规格书中的反向恢复电荷和反向恢复时间这两个参数。
本文将从深度和广度两个方面解析二极管规格书中的反向恢复电荷和反向恢复时间，以便读者更好地理解和应用这些指标。
1. 反向恢复电荷介绍反向恢复电荷是指二极管在反向电路中，在向正向导通过渡过程中，由于载流子从互相分离的状态转变为互相复合的状态，导致反向电流逐渐减小并最终恢复到零所需要的电荷。
反向恢复电荷常用符号Qrr来表示。
反向恢复电荷的大小取决于二极管内部结构以及工作参数，具体数值通常在二极管规格书中给出。
2. 反向恢复时间概述反向恢复时间是指二极管从反向导通到正向导通的过渡时间。
这个过程包括反向恢复电流从峰值减小到某个特定值，并最终减小到指定的百分之十个反向峰值电流的时间间隔。
反向恢复时间常用符号trr表示。
反向恢复时间的长短对于二极管在高频电路中的应用具有重要的影响，因为较长的反向恢复时间会导致二极管的开关速度下降。
3. 二极管规格书中的Qrr和trr参数在二极管的规格书中，常常会给出反向恢复电荷和反向恢复时间的数值。
这些数值是通过实测得到的，有效地反映了二极管在反向导通过渡中的性能。
通常情况下，Qrr参数会以nC（纳库仑）为单位，而trr 参数则以纳秒（ns）为单位进行表示。
通过对二极管规格书中Qrr和trr参数的了解，我们可以更好地评估和选择合适的二极管来满足特定的应用需求。
4. Qrr和trr对电路设计的影响反向恢复电荷和反向恢复时间对于电路设计具有重要的影响。
较大的反向恢复电荷会导致在二极管反向导通过渡中产生的能量损失增加，并可能引起电压干扰和电流峰值的增加，影响电路的整体性能。
另较长的反向恢复时间会导致二极管的开关速度下降，从而限制了高频电路的运行速度。
DI-1nS型超高速二极管Trr反向恢复时间测试
图 1 测量原理图 四：参数 类型 反向恢复电流 Reverse current 反向电压 Reverse Voltage 正向电流 Forward current 测试频率 Trigger frequency 电源输入 Power Requirement 数值 2.5~50.0 60 2.5~10.0 15 220 单位 mA V mA Hz VAC 峰值 自动测量 功耗小于 10W 备注 峰值
3
2
设置为 1 通道下降 边发 方式
幅度 1 格 为 2V
触发电平 设 置 -1.36V
第五步： 正向电流调节旋钮顺时针调节到最大， 反向恢复电流变化率调节旋钮顺时针调 节到头； 打开电源开关， 进行测试， 二极管具有方向，方向如果接得不对，测试指示灯不亮， 此时更换二极管方向。 第六步：示波器读数。将抓取到的测试波形进行分析，得到如下图所示的波形。正向电 流波形为 4V，对应电流为 4mA，反向恢复电流为 20V，对应反向恢复电流为 20mA。 第七步：分析反向恢复时间，Trr 和 Trf，上图对应的时间分别为：2.2nS 和 4.2nS。
DI-1nS 超高速二极管反向恢复时间测试仪
一：主要特点 A：测量多种二极管 B：二极管反向电流 2.5~10mA C：二极管正向电流 2.5~50mA D：测量精度 1nS 二：应用范围 A：超高速二极管 B：肖特基二极管 C：射频二极管 三：测量原理 E：二极管接反、短路开路保护 F：示波器图形显示 G：EMI/RFI 屏蔽密封 H：具有同步触发功能
测试触发指示
正向电流调节 反向电压调节
二极管短路指示 电源开关 香蕉插头式测 试接入端子
电流信号输出 同步信号输出 反向恢复电流 变化率调节
五：操作步骤（在优酷视频库上收索 cust666，即可找到操作视频） DI-1nS 型仪器为专业性很强的测试仪器，而且需要配合数字示波器测试才能完成，因 此，我们强烈建议使用者以 1n4148 二极管测试入手，主要目的是为了验证 DI-1nS 是否在 运输途中出现故障，验证示波器抓取波形是否正常，以及使用者对仪器的初步熟悉。 5.1 举例测试 1n4148 二极管的反向恢复时间步骤 第一步：将 1n4148 二极管接入红色和黑色夹子； 第二步：DI-1nS 在侧面连接电源线，此时不要打开仪器电源，如果打开，请关闭电源； 第三步：调节电压旋钮选择器件反向耐压，将电压设置到 60V； 第四步：使用双头 BNC 连线（仪器自带，此线特殊不能更换）将 DI-1nS 和数字示波器 连接，并且设置好数字示波器。 （以泰克示波器为例）示波器接入 1 通道，且将 1 通道设置 到×20 档，设置为 1 通道下降边沿触发，时间 1 格为 5nS，幅度 1 格为 5V，触发方式选择 正常，上面的箭头居中，示波器的设置如下图所示。此时 1mA 对应示波器显示为 1V。
二极管trr测试原理
二极管trr测试原理
二极管的trr（反向恢复时间）是指二极管在反向导通到正向导通之间的转换时间。
这个时间描述了二极管在停止正向导通后到开始反向导通之前的时间间隔。
trr测试主要用于评估二极管在开关过程中的性能，尤其是在高频应用中，因为快速恢复二极管对于高频开关电路至关重要。
以下是大致的trr测试原理：
1.测试设备：通常采用高速脉冲发生器和示波器进行trr测试。
脉冲发生器产生一个快速上升的脉冲信号，用来触发二极管正向导通。
示波器用于检测二极管的反向恢复过程。
2.测试过程：在测试中，脉冲发生器产生一个脉冲信号，使二极管进入正向导通状态。
当施加的正向电压消除时，二极管会进入停止导通状态。
此时，示波器开始记录反向电流随时间变化的波形。
trr 是从二极管停止正向导通到反向电流达到某个预定值所经历的时间。
3.分析数据：示波器记录的波形可以提供关于二极管反向恢复过程的详细信息。
通过测量时间和电流变化来确定trr，以评估二极管在快速开关过程中的性能。
trr测试是对二极管进行关键性能评估的一种方法，特别是在需要快速开关和高频操作的电路中。
较短的trr值通常意味着二极管在高频应用中更能快速地从反向导通到正向导通，减少功耗和损耗。
1/ 1。
大功率IGBT模块内建二极管反向恢复时间测试
大功率IGBT模块内建二极管反向恢复时间测试——SKM150GB123D （使用DI-100测试仪器）IGBT模块很贵，主要厂家为国外的厂家，我们不得不承认，这个模块还是被国外的厂家所垄断，中国自主的品牌没有呀！即使是国外的管子，有的管子速度快、有的耐压高、有的电流大，型号各异，特性各异，有的时候，我们在设计大功率开关电源的时候，还需要关注IGBT模块的内建二极管，尤其是内建二极管的反向恢复时间，那就是恢复速度。
为了用buck电路来做一个100A的恒流源，我选择SKM150GB123D模块，它内部有两个IGBT单元，如果使用一个IGBT开关，另外一个模块只用它的内建二极管或者寄生二极管，用来作为BUCK电路的续流二极管，岂不美哉！现在困扰我的是，这个内建二极管或者寄生二极管的速度如何，如果速度快，那就相当beauty了，但是如果速度慢，那就悲哀了，还需要外接一个大容量，高速的二极管，麻烦呀，官方给定的资料不够，看不出内建二极管的速度。
于是我就用DI-100二极管反向恢复测试仪，测试这个IGBT的内建二极管速度。
测试结果给大家分享一下，如下图。
图1 二极管外形图2 示波器存储的波形图3 二极管正向导通电流图4 二极管反向恢复电流图5二极管反向恢复电流斜率图6 二极管反向恢复时间实测数据器件标称参数测试反向电压：300V二极管正向导通电流：*10=11.8A二极管反向恢复电流：*10=4.8A二极管反向恢复电流斜率：12A/480nS=25A/uS二极管反向恢复时间：280nS官方数据手册并未给出反相恢复时间曲线和数值。
为BUCK 电路的续流二极管，高兴中。
再找找，发现手头上还有另外一个300A的IGBT模块，干脆一起测试一下，分享一下测试结果。
测量FF300R12KT4 IGBT内建二极管反向恢复时间测试。
图1 二极管外形图2 示波器存储的波形图3 二极管正向导通电流图4 二极管反向恢复电流图5二极管反向恢复电流斜率图6 二极管反向恢复时间综上实测数据公司器件标称参数测试反向电压：300V二极管正向导通电流：*10=11.6A二极管反向恢复电流：*10=10.2A二极管反向恢复电流斜率：16.6A/620nS=26.77A/uS二极管反向恢复时间：500nS 官方数据手册并未给出反相恢复时间曲线和数值。
反向恢复时间2纳秒的二极管
反向恢复时间仅需2纳秒的二极管是一种性能非常出色的电子元件，它具有极低的反向恢复时间，这意味着电流可以在极短的时间内从正向状态切换到反向状态，不会对电路产生不良影响。
这种二极管的快速响应特性使其在高速数字电路、电源转换、无线通信等高速度、高频应用领域中具有广泛的应用前景。
首先，让我们了解一下二极管的特性。
二极管是一种具有单向导电性的电子元件，它允许电流在单一方向上流动，而阻止其在相反的方向上流动。
这种特性使得二极管在许多电子设备中扮演着重要的角色，如电源转换器、滤波器、隔离器等。
反向恢复时间是一个衡量二极管性能的重要指标，它是指二极管从高阻抗状态切换到低阻抗状态所需的时间。
反向恢复时间越短，二极管的性能就越好，这对于高速数字电路和电源转换应用尤为重要。
由于这些应用通常需要快速的电流切换，因此具有快速响应特性的二极管可以有效地减少电路的延迟和噪声，从而提高整体性能。
对于您提到的这种反向恢复时间仅需2纳秒的二极管，它的出色性能将极大地提升电路的整体性能。
在高速数字电路中，它可以帮助减少信号延迟，提高数据传输速率；在电源转换应用中，它可以帮助减小电源切换时的噪声干扰，提高电源的稳定性和可靠性。
然而，需要注意的是，这种二极管的制造工艺和技术要求较高，目前市场上可能还难以购买到这种性能的二极管。
此外，由于其价格相对较高，可能会对电路的整体成本产生一定的影响。
因此，在选择使用这种二极管的电路时，需要根据实际需求进行权衡和考虑。
总的来说，反向恢复时间仅需2纳秒的二极管是一种高性能的电子元件，具有广泛的应用前景。
它的出色性能将有助于提高电路的整体性能，特别是在高速数字电路和电源转换应用中。
虽然目前市场上可能还难以购买到这种性能的二极管，但其未来的发展前景值得期待。
随着技术的不断进步和制造工艺的改进，我们相信会有更多高性能的二极管问世，为电子设备的发展提供更多的可能性。
一种快恢复二极管的反向动态漏电流测试方法及测试电路
一种快恢复二极管的反向动态漏电流测试方法及测试电路佚名
【期刊名称】《中国发明与专利》
【年(卷),期】2011(000)007
【摘要】项目简介在快恢复二极管的参数中反映二极管开关速度的参数通常是用trr来表征。
但是，在实践过程中trr存在许多不确定性。
首先，相同的trr值，而IR-t曲线往往是不完全相同的，这样整机在应用快恢复二极管过程中，如果仅仅根据整机的要求去选择trr值，往往会出现选择相同的trr值，而整机性能的表现却不相同。
【总页数】1页(P121-121)
【正文语种】中文
【中图分类】TN31
【相关文献】
1.固态断路器中快恢复二极管的反向恢复模型
2.MPS快恢复二极管反向恢复时间的研究
3.反向快恢复整流二极管的研制
4.超低漏电流超快恢复SiGeC功率二极管研究
5.二极管反向恢复时间的一种测定方法
因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
二极管反向恢复时间测试仪
满足国家标准：GB/T 8024-2010，使用矩形波法测试反向恢复时间。
一：主要特点
A ：测量多种二极管
B ：二极管反向电流峰值100A （定制）
C ：二极管正向电流30A （定制）
D ：测量精度10nS
E ：二极管接反、短路开路保护
F ：示波器图形显示
G ：EMI/RFI 屏蔽密封
H ：同步触发端
二：应用范围
A ：快恢复二极管
B ：场效应管（Mosfet ）内建二极管
C ：IGBT 基内建二极管
D ：其他二极管
三：DI-200外观介绍
DI-200二极管反向恢复时间测试仪面板介绍如图1所示，包括电源开关、电源指示灯、触发开关、触发指示灯、接反指示灯、正向电流调节、反向电压调节、恢复电流斜率调节、示波器信号端、示波器同步信号端。
图1 DI-200外观介绍图
四：DI-200测试仪参数
类 型 数 值 单 位 备 注 反向恢复电流
100 A
峰值
反向电压 10至300 V 分档 正向电流 30 A 峰值 按下频率 0.5 Hz 手动按下 0 Hz 短路情况，无法测量 电源输入
220
V AC
功耗小于10W
五：操作步骤
图2为DI-200和示波器之间的连接示意图，DI-200的两个通道分别和示波器的第一通道和外触发通道连接，然后把二极管接入DI-200。
图2 DI-200测试仪器和示波器连接示意图
5.1举例测试1N4007二极管的反向恢复时间步骤 第一步：将1n4007二极管接入红色和黑色夹子；
第二步：DI-200在侧面连接电源线，此时不要打开仪器电源，如果打开，请关闭电源。
数字示波器
DI-200测试仪
1通道
外触发
第三步：调节电压旋钮选择器件反向耐压，将电压设置到300V 。
在测试时，红色夹子和黑色夹子同输入交流电市电无隔离，请勿冒险将示波器探头和夹子连接；
第四步：使用双头BNC 连线（仪器自带）将DI-200和数字示波器连接，并且设置好数字示波器。
（以泰克示波器为例）将DI-200的示波器接入端和示波器1通道连接，且将1通道设置到×10档；将DI-200的示波器同步信号端和示波器的TRIG 通道连接，且将示波器设为外触发上升沿触发，时间1格为2.5uS ，幅度1格为5V ，触发方式选择正常，上箭头居中，示波器的设置如下图所示。
图3 示波器设置图
第五步：正向电流调节旋钮顺时针调节到最大，反向恢复电流变化率调节旋钮顺时针调节到头；打开电源开关，按下触发开关，进行测试，这个开关只需要按下瞬间即可触发，不必长时间按下等待，按下后，触发指示灯闪烁一次，二极管具有方向，方向如果接得不对，接入错误指示灯亮，此时更换二极管方向。
第六步：示波器读数。
将抓取到的测试波形进行展开为500nS 一格，得到如下图所示的波形。
正向电流波形为8V ，对应电流为8A ，反向恢复电为13.5V ，对应反向恢复电流为13.5A 。
上箭头居
中
幅度1格为5V
时间1格为 2.5uS
触发电平设置 2.8V
触发方式为正常
触发通道为EXT 触发为边沿触发 触发为上升沿触发
反向恢复电流波形
图4二极管反向恢复时间分析
图5 矩形波法测试反向恢复时间波形读数参考波形
第七步：分析反向恢复时间，Trr和Trf，上图对应时间分别为：320nS和1.8uS。
5.2举例测试IRF840二极管的反向恢复时间步骤
首先需要将栅极G和源极S短路连接，然后测试漏极D和源极S内部的内建二极管，测试方法参见5.1。
六：测量国产某个厂家的FR607二极管
图1 二极管外形图2 示波器存储的波形
图3 二极管正向导通电流图4 二极管反向恢复电流
图5二极管反向恢复电流斜率图6 二极管反向恢复时间
综上可以看出
实 测 数
据
（Diodes Incorporated 公司）器件标称参数
测试反向电压：300V
二极管正向导通电流：5.68*2=11.36A 二极管反向恢复电流：2.24*2=4.48A 二极管反向恢复电流斜率：8A/72nS=55A/uS 二极管反向恢复时间：44nS
反向电压：400V
二极管正向导通电流：0.5A 二极管反向恢复时间：
150nS
二极管实测的性能优于器件标称参数，性能不错！ 七：测量国产某个厂家的FR307二极管
图1 二极管外形 图2 示波器存储的波形
图3 二极管正向导通电流 图4 二极管反向恢复电流
图5二极管反向恢复电流斜率图6 二极管反向恢复时间
综上可以看出
实测数据（M C C）公司器件标称参数测试反向电压：300V
二极管正向导通电流：2.4*2=4.8A
二极管反向恢复电流：6.64*2=13.28A
二极管反向恢复电流斜率：6A/116nS=51.7A/uS
二极管反向恢复时间：148nS
反向电压：400V
二极管正向导通电流：0.5A
二极管反向恢复电流：1A
二极管反向恢复时间：500nS
二极管的IR高于标称参数，在高频电路中，很可能发热严重。