大工13秋《模拟电子线路》在线作业一,二,三与答案100分

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大工13春《模拟电子线路》在线作业一、二、三及答案

大工13春《模拟电子线路》在线作业一、二、三及答案大工13春《模拟电子线路》在线作业一及答案一、单选题（共10 道试题，共50 分。

）1. 当温度升高时,三极管的电流放大系数β将( ).A. 增大B. 减小C. 不变D. 不确定满分：5 分答案：A2. 三级放大电路中,各级的放大倍数均为10,则电路将输入信号放大了( )倍.A. 10B. 30C. 100D. 1000满分：5 分答案：D3. 关于BJT的结构特点说法错误的是( ).A. 基区很薄且掺杂浓度很低B. 发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C. 基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D. 集电区面积大于发射区面积满分：5 分答案：C4. 在共射、共集和共基三种组态中,只具有电压放大作用的组态是( ).A. 共射组态B. 共集组态C. 共基组态D. 无法确定满分：5 分答案：C5. 在共集电极放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输入输出电压相位( ).A. 同相B. 反相C. 相差90°D. 不确定满分：5 分答案：A6. 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( ).A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷满分：5 分答案：C7. BJT处于截止状态的条件是( ).A. 发射结正偏,集电结反偏B. 发射结正偏,集电结正偏C. 发射结反偏,集电结正偏D. 发射结反偏,集电结反偏满分：5 分答案：D8. 小信号模型分析法不能用来求解( ).A. 静态工作点B. 电压增益C. 输入电阻D. 输出电阻满分：5 分答案：A9. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生( ).A. 饱和失真B. 截止失真C. 交越失真D. 线性失真满分：5 分答案：A10. 已知某晶体管处于放大状态,测得其三个极的电位分别为1.3V、2V和6V,则6V所对应的电极为( ).A. 发射极B. 集电极C. 基极D. 无法确定满分：5 分答案：B二、判断题（共10 道试题，共50 分。

大工13秋《工程力学(一)》在线作业3-2-1题目及答案

大工13秋《工程力学〔一〕》在线作业3 单项选择题：CDCDA DBACC判断题：BABAB AABAA大工13秋《工程力学〔一〕》在线作业1 单项选择题：CABCB DABAD判断题：BABBA ABBBA大工13秋《工程力学〔一〕》在线作业2 单项选择题：CDCAD BCBBB判断题：BBAAB BBAAA大工13秋《工程力学〔一〕》在线作业3一、单项选择题〔共 10 道试题，共 60 分。

〕V1. 切开一根梁式杆或单刚结点，相当于去掉〔〕个多余约束。

A. 1B. 2C. 3D. 4总分值：6 分2. 跨中作用集中力F的两端简支梁，跨中截面C的剪力大小为〔〕。

A. F/2B. -F/2C. FD. 不确定总分值：6 分3. 关于变形体虚功原理以下说法不正确的选项是〔〕。

A. 外力系必须是平衡力系B. 位移必须满足虚位移条件C. 力和位移两个状态之间是有关联的D. 适用于任意力-变形关系的变形体总分值：6 分4. 用力矩分配法计算无侧移刚架时，假设等截面直杆远端为定向支承，传递系数为〔〕。

A. 0C. 1D. -1总分值：6 分5. 在径向均布荷载作用下，三铰拱的合理轴线为〔〕。

A. 圆弧线B. 抛物线C. 悬链线D. 正弦曲线总分值：6 分6. 以下选项不属于图乘法计算位移的前提条件的是〔〕。

A. 杆段为等截面直杆B. 各杆段截面物理参数是常量C. 被积函数中至少有一个是直线图形D. 两个被积函数均为直线图形总分值：6 分7. 静定结构的支座发生移动时〔〕。

A. 杆件无变形，结构无位移B. 杆件无变形，结构有位移C. 杆件有变形，结构无位移D. 杆件有变形，结构有位移总分值：6 分8. 对称结构作用反对称力时，结构的剪力图是〔〕的，弯矩图示〔〕的。

A. 对称，反对称B. 对称，对称C. 反对称，对称D. 反对称，反对称总分值：6 分9. 位移法的基本未知量是〔〕。

A. 支座反力B. 杆端弯矩C. 独立结点位移D. 多余未知力总分值：6 分10. 位移法典型方程中的系数rjk表示的是基本体系在〔〕。

国开电大模拟电子电路形考任务1-3答案

国开电大模拟电子电路形考任务1-3答案形考任务1一、单选题（每小题4分，共40分）1. 大小相等、极性相同2. uP>uN3. 加减运算4. 滞回比较器5. P区接电源正极，N区接电源负极6. 反向击穿7. 发射结加正向偏置，集电结加反向偏置8. 静态工作点9. 饱和10. 带负载能力强二、判断题（每小题3分，共30分）错对对对对错对错错对三、综合题（包含6道单选题，每小题5分，共30分）21. 0.5V22. 减法运算23.24. 加减运算25. 20μA、2mA、2.7V26. -75形考任务2题目1正确答案是：负题目2正确答案是：耗尽型MOS题目3正确答案是：变压器耦合放大电路能放大变化缓慢的信号题目4正确答案是：使u O为0在输入端的题目5正确答案是：克服温漂题目6正确答案是：带负载能力强题目7正确答案是：最大输出功率与电源提供的平均功率之比题目8正确答案是：输出端题目9正确答案是：电压负反馈题目10正确答案是：电流并联负反馈题目11正确的答案是“错”。

题目12正确的答案是“对”。

题目13正确的答案是“对”。

题目14正确的答案是“错”。

题目15正确的答案是“错”。

题目16正确的答案是“对”。

题目17正确的答案是“错”。

题目18正确的答案是“错”。

题目19正确的答案是“对”。

题目20正确的答案是“对”。

题目21正确答案是：=0题目22正确答案是：≈11W题目23正确答案是：<78.5％题目24正确答案是：交越失真题目25正确答案是：电流串联负反馈题目26正确答案是：形考任务3题目1正确答案是：器件极间电容题目2正确答案是：都将变窄题目3正确答案是：低通滤波器的f H大于高通滤波器的f L题目4正确答案是：除法运算题目5正确答案是：LC正弦波振荡电路题目6正确答案是：0.9题目7正确答案是：越小题目8正确答案是：流过调整管题目9正确答案是：电容题目10正确答案是：效率高题目11-15 错对错对错题目16-20 错对对错对题目21正确答案是：集成运放两输入端互换，电阻R1和R2位置互换题目22正确答案是：题目23正确答案是：能产生振荡题目24正确答案是：电感题目25正确答案是：题目26正确答案是：20V。

大工19秋《模拟电子技术》在线作业1满分答案

大工19秋《模拟电子技术》在线作业1-0001试卷总分:100 得分:100一、单选题 (共 10 道试题,共 50 分)【题目】在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()。

A.饱和失真B.线性失真C.截止失真D.交越失真正确的选择是:A【题目】温度升高,晶体管的管压降│Ube│()。

A.增大B.减小C.不确定D.不变正确的选择是:B【题目】反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能()。

A.越差B.越好C.无变化D.不确定正确的选择是:B【题目】在共射、共集和共基三种组态中,只具有电压放大作用的组态是()。

A.无法确定B.共集组态C.共射组态D.共基组态正确的选择是:D【题目】关于BJT的结构特点说法错误的是()。

A.集电区面积大于发射区面积B.基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C.基区很薄且掺杂浓度很低D.发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度正确的选择是:B【题目】当温度升高时,三极管的电流放大系数β将()。

A.增大B.减小C.不确定D.不变正确的选择是:A【题目】在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。

A.温度B.杂质浓度C.晶体缺陷D.掺杂工艺正确的选择是:B【题目】在共集电极放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输入输出电压相位()。

A.相差90°B.同相C.反相D.不确定正确的选择是:B【题目】引起共射极放大电路输出波形出现饱和失真的主要原因是()。

A.静态工作点偏高B.静态工作点偏低C.输出电阻太小D.输入电阻太小正确的选择是:A【题目】已知某晶体管处于放大状态,测得其三个极的电位分别为【题目】3V、2V和6V,则6V所对应的电极为()。

A.集电极B.无法确定C.基极D.发射极正确的选择是:A二、判断题 (共 10 道试题,共 50 分)1【题目】与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能高。

正确的选择是:正确1【题目】对于电压放大器来说,输出电阻越小,电路的带负载能力越强。

大工20秋《模拟电子线路》在线作业1答卷

16.如果输入信号的幅度过大,即使静态工作点的大小设置合理,也会产生失真。
答案:正确
17.二极管加正向电压截止,加反向电压导通。
答案:错误
18.晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。
答案:正确
19.集电结处于正偏的BJT,它一定工作在饱和区。
D.线性失真
答案:A
7.当晶体管工作在截止区时,发射结电压和集电结电压应为()。
A.前者反偏、后者反偏
B.前者正偏、后者反偏
C.前者正偏、后者正偏
D.前者反偏，后者正偏
答案:A
8.关于BJT的结构特点说法错误的是()。
A.基区很薄且掺杂浓度很低
B.发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
大工20秋《模拟电子线路》在线作业1
试卷总分:100 得分:100
一、单选题 (共 10 道试题,共 50 分)
1.半导体二极管的重要特性之一是()。
A.温度稳定性
B.单向导电性
C.放大作用
流放大系数β将()。
A.增大
B.减小
答案:错误
20.温度升高,晶体管输入特性曲线右移。
答案:错误
C.基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
D.集电区面积大于发射区面积
答案:C
9.PN结加反向电压时,空间电荷区将()。
A.变窄
B.不变
C.变宽
D.不确定
答案:C
10.当温度升高时,三极管的反向饱和电流ICBO将()。
A.增大
B.减小
C.不变
D.不确定
答案:A

大工14秋《模拟电子线路》在线作业2答案

模拟电子线路大工14秋《模拟电子线路》在线作业2一,单选题1. 通用型集成运放的输入级大多采用()。

A. 共射极放大电路B. 射极输出器C. 差分放大电路D. 互补推挽电路?正确答案：C2. 长尾型差分放大电路中，电阻Re的主要作用是()。

A. 提高输入电阻B. 提高共模抑制比C. 提高共模电压增益D. 提高差模电压增益?正确答案：B3. 与甲类功率放大电路相比，乙类互补对称功率放大电路的主要优点是()。

A. 失真度小B. 效率高C. 管耗低D. 无交越失真?正确答案：B4. 集成运放中，由于温度变化引起的零输入对应非零输出的现象称为()。

A. 交越失真B. 失调C. 零点漂移D. 饱和失真?正确答案：C5. 设采用双电源互补对称电路，如果要求最大输出功率为5W，则每只功率BJT的最大允许管耗至少应大于()。

A. 1WB. 2.5WC. 5WD. 10W?正确答案：A6. 对于结型场效应管，栅源极之间的PN结()。

A. 必须正偏B. 必须零偏C. 必须反偏D. 可以任意偏置?正确答案：C7. 题目见图片A.B.C.D.?正确答案：C8. 乙类互补推挽功率放大电路在输出电压幅值约等于()时，管子的功耗最大。

A. 0B. 电源电压C. 0.64倍的电源电压D. 2倍的电源电压?正确答案：C9. 设采用双电源互补对称电路，如果要求最大输出功率为Pom，则每只功率BJT的最大允许管耗至少应大于()。

A. 0.2PomB. 0.5PomC. PomD. 2Pom?正确答案：A10. 乙类互补对称功率放大电路的效率在理想情况下可达到()。

A. 60%B. 78.5%C. 89.5%D. 99%?正确答案：B二,判断题1. 电流源电路的特点是端口电流恒定，交流等效电阻大，直流等效电阻大。

A. 错误B. 正确?正确答案：B2. 差分式放大电路对共模信号具有很强的抑制能力。

A. 错误B. 正确?正确答案：B3. 典型的差分放大电路是利用电路的对称性和发射极公共电阻的负反馈作用来克服温漂。

奥鹏大工15秋《模拟电子线路》在线作业1 满分答案

奥鹏大工15秋《模拟电子线路》在线作业1
一、单选题（共10 道试题，共50 分。

）
1. 测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-
2.2V，则该管为()。

A. NPN型锗管
B. PNP型锗管
C. PNP型硅管
D. NPN型硅管
答案：B
2. 已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为2.5V、
3.2V和9V，则3.2V 所对应的电极为()。

A. 发射极
B. 集电极
C. 基极
D. 无法确定
答案：C
3. 晶体管工作在放大状态，以下说法错误的是()。

A. Ib的微小变化会引起Ic的较大变化
B. Ic=βIb
C. Uce=Ucc-RcIc
D. 晶体管相当于开路
答案：D
4. 关于BJT的结构特点说法错误的是()。

A. 基区很薄且掺杂浓度很低
B. 发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
C. 基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
D. 集电区面积大于发射区面积
答案：C
5. 反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能()。

A. 越好
B. 越差
C. 无变化
D. 不确定
答案：A。

大工13秋《模拟电子线路》复习题库精华版

1、如何用万用表判断三极管的集电极和发射极？解答：判断集电极和发射极的基本原理是把三极管接成单管放大电路，利用测量管子的电流放大系数β值的大小来判定集电极和发射极。

将指针式万用表欧姆挡置"R ×100"或"R ×1k" 处，以NPN管为例，把黑表笔接在假设的集电极c上，红表笔接到假设的发射极e上，并用手捏住b和c极( 不能使b、c直接接触)，通过人体，相当b、c之间接入偏置电阻，读出表头所示的阻值，然后将两表笔反接重测。

若第一次测得的阻值比第二次小，说明原假设成立，因为 c 、e 间电阻值小说明通过万用表的电流大，偏置正常。

2、集成运算放大器为什么要在输入级采用差分放大电路？解答：集成运算放大器是一个多级放大电路，其电压增益很高，如果第一级放大电路出现了零点漂移，那么经过多级放大，在输出端就会产生很高的干扰电压，严重的可使电路无法正常工作。

差分放大电路能很好的抑制零点漂移，所以集成运算放大器要在输入级采用差分放大电路。

（单选题）1. PN结加正向电压时，空间电荷区将（A.变窄）。

2. 半导体二极管的重要特性之一是（B.单向导电性）。

3.当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（A.增大）。

4. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（C.明显增加）。

5. 硅二极管的完全导通后的管压降约为（0.7V）。

6.在掺杂半导体中，少子的浓度受（温度）的影响很大。

1.测量三极管三个电极对地电位如图所示，则该三极管工作在（放大状态）。

2.BJT处于放大状态的条件是（A.发射结正偏，集电结反偏）。

3.NPN型BJT处于放大状态时，各极电位关系为（）。

A.Vc>Vb>VeB.Vc<Vb<VeC.Vc>Vb<VeD.Vc<Vb>Ve1. 小信号模型分析法不适合用来求解（）。

A.静态工作点C.输入电阻B.电压增益D.输出电阻2.在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过低，容易产生（）。

《模拟电路》练习册及答案

《模拟电子电路》练习册（答案）第一讲练习题填空1．半导体中的载流子有两种导电运动，一种称为（扩散）运动，另一种称为（漂移）运动。

2．半导体中有两种载流子：一种是（自由电子）、另一种是（空穴）。

3．半导体中的扩散运动是由于载流子（浓度的不均匀）而引起的。

4．半导体中的漂移运动是由于载流子（在电场的作用下）而引起的。

5．本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（少）。

6．在本征半导体中加入五价元素后,将形成（N ）型半导体。

7．在本征半导体中加入三价元素后, 将形成（P ）型半导体。

8．N型半导体中空穴是（少数）载流子。

9．P型半导体中空穴是（多数）载流子。

10．P型半导体中自由电子是（少数）载流子。

11．N型半导体中自由电子是( 多数）载流子。

12．PN结中的电流当温度升高时将会（增加）。

13．二极管的主要特性是它的（单向导电性）。

14．二极管的正向电阻比反向电阻（小）得多。

15．二极管的伏安特性是I = Is（e x p V / Vt —1 ）。

16．硅管的门限电压约为( 0.6 ) V 。

17．锗管的门限电压约为( 0.2 ) V 。

18．稳压二极管稳压时应工作于( 反向击穿区) 。

选择 ( 黑体字为答案 )21. N型半导体或P型半导体都属于(杂质半导体）。

22.半导体中的扩散运动是由于（载流子浓度的不均匀）而形成。

23.二极管的反向电阻比正向电阻( 大) 得多。

24. PN结中载流子的漂移运动是由于(电场的作用)而产生的。

25. MOS场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻( 大得多)。

26. PN结在外加反方向电压的作用下,耗尽层(变宽），流过PN结的电流(很小）。

27. P型半导体中空穴是(多数载流子）。

28. N型半导体中自由电子是(多数载流子)。

29.在本征半导体中掺入少量三价铟元素,将产生(空穴），形成(P ) 型半导体。

30.P型半导体中空穴是(多数载流子)。

31.PN结中载流电子的扩散运动和漂移运动( 相同) 。

大工13秋《数控技术》在线作业1,2,3

大工13秋《数控技术》在线作业1,2,3 大工13秋《数控技术》在线作业1试卷总分：100 测试时间：--单选题判断题、单选题（共10 道试题，共50 分。

）1.单独的主运动（）形成各种不同的加工表面。

A. 能B. 不能C. 以上选项都对D. 以上选项都不对满分：5分2.坐标联动数（）机床所具有的坐标轴数。

A. 等于B. 不等于C. 以上选项都对D. 以上选项都不对满分：5分3.冲床属于（）。

A. 点位控制B. 轮廓控制C. 圆周控制D. 以上均不对满分：5分4.闭环伺服系统内（）位置检测反馈装置。

A. 有B. 没有C. 有的有，有的没有D. 以上都不对满分：5分5.数控机床按（）可分为普通数控机床和加工中心。

A. 工艺特点B. 加工路线C. 有无检测装置D. 可联动的坐标轴数满分：5分6.数控机床（）完成普通机床不能完成的复杂表面加工。

A. 能B. 不能C. 以上选项都对D. 以上选项都不对满分：5分7.数控车床属于（）。

A. 点位控制B. 轮廓控制C. 圆周控制D. 以上均不对满分：5分8.机床出厂时已确定的坐标系是（）。

A. 机床坐标系B. 工件坐标系C. 直角坐标系D. 右手直角笛**尔坐标系满分：5分9.下列运动中属于进给运动的是（）。

A. 数控机床的坐标运动B. 车床主轴的转动C. 钻头的转动D. 铣**的转动满分：5分10.（）用来选**具。

A. F代码B. G代码C. T代码D. S代码满分：5分大工13秋《数控技术》在线作业1试卷总分：100 测试时间：--单选题判断题、判断题（共10 道试题，共50 分。

）1.数控系统的组成部分不包括排屑装置。

A. 错误B. 正确满分：5分2.G代码用来规定主轴转速。

A. 错误B. 正确满分：5分3.数控铣床属于轮廓控制机床。

A. 错误B. 正确满分：5分4.数控机床按工艺用途可分为点位控制数控机床和轮廓加工数控机床。

A. 错误B. 正确满分：5分5.数控编程时用的坐标系是工件坐标系。

大工13秋《模拟电子线路》在线作业一,二,三及答案100分

大工13秋《模拟电子线路》在线作业一一、单选题（共10 道试题，共60 分。

）V1. 在共射、共集和共基三种基本放大电路中，输出电阻最小的是()放大电路。

A. 共射极B. 共集电极C. 共基极D. 不确定满分：6 分2. 对PNP型晶体管来说，当其工作于放大状态时，()极的电位最低。

A. 发射极B. 基极C. 集电极D. 不确定满分：6 分3. 在掺杂半导体中，少子的浓度受()的影响很大。

A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷满分：6 分4. 测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、2.2V，则该管()。

A. 处于饱和状态B. 处于放大状态C. 处于截止状态D. 已损坏满分：6 分5. 温度升高，晶体管的管压降│Ube│()。

A. 增大B. 减小C. 不变D. 不确定满分：6 分6. 硅二极管完全导通后的管压降约为()。

A. 0.1VB. 0.3VC. 0.5VD. 0.7V满分：6 分7. 引起共射放大电路输出波形出现饱和失真的主要原因是()。

A. 输入电阻太小B. 静态工作点偏低C. 静态工作点偏高D. 输出电阻太小满分：6 分8. 晶体管能够放大的外部条件是()。

A. 发射结正偏，集电结反偏B. 发射结正偏，集电结正偏C. 发射结反偏，集电结正偏D. 发射结反偏，集电结反偏满分：6 分9. 测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管为()。

A. NPN型锗管B. PNP型锗管C. PNP型硅管D. NPN型硅管满分：6 分10. 反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能()。

A. 越好B. 越差C. 无变化D. 不确定二、判断题（共10 道试题，共40 分。

）V1. 温度升高，晶体管输入特性曲线右移。

A. 错误B. 正确满分：4 分2. 射极输出器无放大功率的能力。

A. 错误B. 正确满分：4 分3. 与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能高。

A. 错误B. 正确满分：4 分4. 阻容耦合多级放大电路不能抑制零点漂移。

模拟电子线路答案

模拟电子线路（B ）参考答案与评分标准一、填空（10分，每格1分）1. 正偏；反偏；2. 共集电极；3. 直流, 电压4. 积分 ,5. 放大，抑制6. 1; 2 。

二、单选题（10分. 每小题2分）1. B;2.A;3. D;4. B;5.D三. 简答题（１０分, 每小题5分）1. 答: 对电压增益有削弱作用、提高其增益稳定性、减少失真、展宽通频带、改变输入电阻和输出电阻等（每小点各1分）2. 答：零点漂移是直接耦合放大电路最大的问题。

（3分）最根本的解决方法是用差分放大器（2分）四. (12分) 解: 1. V .3212b b b B =⨯+=CC V R R R U V 3.2BE B E =-=U U UmA 15.1ReE E C ==≈U I I (1分) uA I I 23E B ==β v I R R V U 1.5)(C E C CC CE =⨯+-=(1分)2. 图 (2分)3. Ω=⨯+=135315.12651200r be (1分) 74)//(beL C -≈-=r R R A u β (1分) Ω≈=1353////be B2B1i r R R R (1分) Ω==k 4C O R R (1分) 4. 分）2(53.1031020001530)1(1)1(//Ω=+=++=-=++=k R r R R r R Rc Av e be i e be L βββ (2分)五、（10分）.1. V oH =6v; (1分) V oL =－0.7v, (1分) 门限电平 V I =4 v (1分)（3分）2.(4分)六、 (12分). 1. 电压－串联负反馈、(3分)2. 增大(2分)、宽(2分)3. 733R R R k f +=A uu =1/k f =1+R 7/R 3 =21 （5分)七.(12分) 解：1． A 1反向放大器(1分) , A 2过零比较器(1分)，A 3跟随器(1分) 2．A 1 A 3 线性区(2分) ， A 2非线性区(1分)3. u 01=－10v (2分)U 02=±１２v (2分)U 03= ± 6v 或±6.7v (2分)八.(12分)分）（分），2 mA 52.02(2 mA 04.10EE C2C1EE EEBE(on)EE ====--=I I I R V V I 分）（分）（分）（分）（2472///22.10227.1022535026)1(3001-=-=Ω==Ω==Ω=++=beL c vd c od be id c be r R R A k R R k r R I r ββ (6)分九、（12分）（4分）选R F1=100k, R F2=140kR 1=20K Ω（2分），R 3=25K Ω（2分），R 2=20K Ω（2分），R 4=140K Ω，（2分）R ’1=10K Ω，R ’2=15.6K Ω，九解：（1）最大输出功率和效率分别为%8.694πW 5.242)(CCCES CC L 2CES CC om ≈-⋅==-=V U V R U V P η（2）晶体管的最大功耗W4.622.02.0L2CC oM Tmax =⨯=≈R V P P （3）输出功率为P o m 时的输入电压有效值 V 9.92CESCC om i ≈-≈≈U V U U。

大工18秋《模拟电子线路》在线作业1(满分题)

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ (单选题) 1: PN结加正向电压时,()。

A: 扩散运动大于漂移运动B: 扩散运动小于漂移运动C: 扩散运动与漂移运动平衡D: 没有运动正确答案:(单选题) 2: 发光二极管发光时,其工作在( )。

A: 正向导通区B: 反向截止区C: 反向击穿区D: 反向饱和区正确答案:(单选题) 3: 当晶体管工作在截止区时,发射结电压和集电结电压应为()。

A: 前者反偏、后者反偏B: 前者正偏、后者反偏C: 前者正偏、后者正偏D: 前者反偏，后者正偏正确答案:(单选题) 4: BJT工作在放大区的工作条件是:()。

A: 发射结正偏，集电结反偏B: 发射结正偏，集电结正偏C: 发射结反偏，集电结正偏D: 发射结反偏，集电结反偏正确答案:(单选题) 5: 稳压管的稳压区是其工作在()。

A: 正向导通B: 反向截止C: 反向击穿D: 反向饱和正确答案:(单选题) 6: 用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型(指NPN型还是PNP型),以测出()最为方便。

A: 各极间电阻B: 各极对地电位C: 各极电流D: 各极间的电压正确答案:(单选题) 7: 在本征半导体中加入()元素可形成N型半导体。

A: 五价B: 四价C: 三价D: 二价正确答案:------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ (单选题) 8: 整流的目的是()。

A: 将交流变为直流B: 将高频变为低频C: 将正弦波变为方波D: 以上均正确正确答案:(单选题) 9: PN结加正向电压时,空间电荷区将()。

模拟电子线路智慧树知到答案章节测试2023年山东师范大学

第一章测试1.N型半导体具体的可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。

（）A:错B:对答案:A2.使用发光二极管时，要加正向电压；使用光敏和稳压二极管时要加反向电压A:对B:错答案:A3.二极管的反向电流越大说明二极管的质量越好A:错B:对答案:A4.本征半导体中没有载流子A:错B:对答案:A5.本征半导体又叫（）A:P型半导体B:掺杂半导体C:纯净半导体D:普通半导体答案:C6.当BJT用作放大器件时，无论是NPN型还是PNP型，都应将它们的发射结加正向偏置电压，集电结加反向偏置电压。

（）A:错B:对答案:B7.BJT是电压控制元件A:对B:错答案:B第二章测试1.在P型半导体中，通过掺入高浓度的五价磷使其变为N型半导体。

（）A:对B:错答案:A2.P型半导体带正电，而N型半导体是带负电的。

（）A:错B:对答案:A3.晶体三极管由两个PN结构成，发射区的载流子浓度最高A:对B:错答案:A第二章测试1.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零A:对B:错答案:B2.晶体三极管放大电路都有功率放大作用。

（）A:对B:错答案:A3.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

A:错B:对答案:A第三章测试1.将放大器信号的全部或者部分通过某种方式回送到输入端，这部分信号叫做信号答案:第四章测试1.三极管NPN型和PNP型的区别在于三个区域掺杂的粒子不同A:错B:对答案:B2.晶体三极管由两个PN结构成，二极管包含有一个PN结，所以可以具体的用两个二极管反向串接来构成三极管。

（）A:对B:错答案:B3.Ｎ沟道场管的导通截止条件答案:4.Ｎ沟道场管放大工作在饱和区。

答案:5.场效应管的作用场效应管的作用场效应管的工作条件：答案:第五章测试1.功率放大电路具有放大功率的作用；A:错B:对答案:B2.差分放大电路的共模抑制比越大，说明其抑制________的能力越强，一般的差分放大器要求共模抑制比大于60dB。

模拟电子线路试题

模拟电子线路试题（第一部分）一判断题：1.半导体的导电能力随温度、掺入杂质或受光照等因素变化而不发生变化。

（）2.以自由电子为主要导电方式的半导体称为P型半导体。

( )3.P、N型半导体都不带电。

（）4.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。

（）5.如果二极管的正反向电阻都很小或为零，则该二极管断路。

( )6.二极管正反向电流值大，说明其单向导电性能差，且受温度影响大。

（）7.单相半波整流电路中，流过二极管的平均电流只有负载电流的一半。

( )8.在常温下，锗二极管的死区电压约为0.5V，正向导通电压为0.7V。

（）9.单相全波整流电路中，二极管承受的最高反向电压U M=√2U2 。

（）10.在单相桥式整流电路中，若变压器次级电压有效值为150V，则输出电压平均值为135V。

（）11.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。

（）12.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。

（）13.用万用表欧姆档粗测2AP9时用R×100档。

（）14.单向桥式整流电路在输入交流电压时没半周内两只二极管都有可能导通。

（）15.全波整流电路中，二极管与负载串联，流过二极管的电流和负载电流不相等。

（）16. PN结反向偏置时，电阻大，正向电流小，处于截止状态。

（）17.桥式整流电路中，流过二极管的平均电流等于负载电流。

（）18.二极管加反向电压时，处于截止状态，此时没有电流流过二极管。

（）19.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。

（）20.二极管的电压和电流变化不呈线性关系，其内阻不是常数，所以二极管属于非线性器件。

（）21.半导体的导电能力随温度、掺入杂质或受光照等因素变化而发生变化。

（）22.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。

( )23.P型半导体带负电。

（）24.PN结处于反向偏置时，处于导通状态，说明正向电流大，电阻小，。