高频下同轴电缆的衰减

高频下同轴电缆的衰减：
α=2.61*(f*ε)^0.5*(K2*Kρ1/d+Kb*Kρ2/D)*10^(-3)/lg((D+1.5*dw)/(K1*d))+9.10*f*ε^0.5*tgδ*10^(-5)(分贝/公里)
f：频率（Hz）ε：绝缘相对介电常数（实心PE - 2.3；PVC - 5~7；Nylon - 3.5；Paper - 2.0~2.6；PP - 2.6；FEP - 2~2.2；空气 - 1.0）D：绝缘外径（mm）d：内导体直径（mm）tgδ：绝缘介质损耗角正切值（空气 - 0；PE - 0.0005；PVC - 0.05；FEP - 0.0002；Nylon - 0.009；PP - 0.0007）K1：内导体直径系数K2：内导体衰减的绞线系数Kb：外导体为编织是引起高频电阻增大的编织效应系数 = 1.5+0.083*DKρ1：内导体相对于国际标准软铜的高频电阻增大或减小的系数Kρ2：外导体相对于国际标准软铜的高频电阻增大或减小的系数dw：编织用导线直径（mm）第一项为金属损耗造成的衰减，第二项为介质损耗造成的衰减，频率超过几兆赫时不大于总衰减的1%。当频率超过几十兆赫时，导体表面发生氧化会产生一种新的损耗--视在介质损耗，氧化层很薄（约几微米），频率低时（几兆赫以下），电流透入深度（见相关帖子）有几十微米，电流在氧化层流通的部分较小，氧化产生的影响不大；但频率高于几十兆赫时，投入深度较小，大部分电流在氧化层传输，氧化层的电阻率大于导体，使衰减增大，因此要尽可能的消除金属氧化。