12-13(1)模电B期中试卷答案

2012/2013（一）学年《模拟电子技术基础》期中考试试题姓名 学号 班级 任课教师一．判断题（正确的在括号内画√，错误的画×，共15分）1．N 型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。

（ × ）2．稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态。

（√ ）， 3. 三极管的外部电流关系是B Ci i β=，这是一个线性方程，所以三极管是线性器件。

（ × ）4．为了保证晶体管BJT 工作在线性放大区，其发射结和集电结都应加上正向偏置电压。

（ × ）5．测出某三极管的共基电流放大系数α小于1，表明该管子没有放大能力。

（ × ）6．绝缘栅场效应管的栅极静态输入电流比结型场效应管的大。

（×）7. 小功率场效应晶体管在使用中，其源极和漏极可以互换。

（ √ ）；8．双极型晶体管具有NPN 或PNP 对称结构，发射极和集电极可以互换。

（ × ）9．晶体管的输入电阻rbe 是一个动态电阻，所以它与静态工作点无关。

（ × ）10．在共射放大电路中，当负载电阻RL 减小，电压放大倍数下降。

（ √ ）11．共集放大电路电压放大倍数小于1，所以不能实现功率放大。

（ × ）12．如果输入级是共集放大组态，则输入电阻与后级有关。

（ √ ）13．放大直流信号，只能采用直接耦合方式。

（ √ ）14．放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。

（ × ）15．一个NPN 管和一个PNP 管可以复合成NPN 管也可以复合成PNP 管。

（ √ ）二、填空题：（每小题2分，共20分，）1. P 型半导体的多数载流子为 空穴 ，少数载流子为 电子 。

2. 一个由NPN 型BJT 组成的共射极组态的基本交流放大电路，如果其静态工作点偏低，则随着输入电压的增加，输出将首先出现 截止 失真；如果静态工作点偏高，则随着输入电压的增加，输出将首先出现 饱和 失真。

3. 已知某三极管的P CM ＝800mW ，I CM ＝500mA,，BR(CEO)V ＝30V 。

若该管子在电路中工作电压V CE ＝10V ，则工作电流I C 不应超过 80 mA ；若V CE ＝1V ，则I C 不应超过 500 mA 。

4. 场效应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流 小 ；绝缘栅型场效应管栅极的静态输入电流比结型场效应管的 小 。

5. 某放大电路在负载开路时的输出电压的有效值为5V ，接入2kΩ负载电阻后，输出电压有效值降为2.5V ，这说明放大电路的输出电阻R 0 = Ωk 2 。

6. 在共射、共基、共集三种基本放大电路组态中，希望从信号源索取电流小，应选用 共集组态 放大电路；既能放大电压，又能放大电流，应选用 共射组态 放大电路； 7. 在三级放大电路中，已知各级电压放大倍数分别是251=v A 、1002=v A 、403=v A ，则三级放大电路=v A 105 折合为 100 dB 。

8. 放大电路对高频信号的放大倍数下降，主要是因为 C 晶体管的极间电容和分布电容的影响；低频时放大倍数下降，主要是因为 A 耦合电容和旁路电容 的影响。

9. 已知某共发射极放大电路的对数幅频特性如图所示，当信号频率f ＝1KHz 时，电压增益Au 为40dB ，则当信号频率f ＝10 6 Hz 时，电压增益 Au 实际约为_______37 _____ dB 。

此时，对应相频特性上的相位约为__-225_____度。

f Hz10. 交流放大电路和三极管的输出特性、交、直流负载线如图所示, 负载上获得的最大不失真输出电压的峰峰值是 3 V)(V .0.1.1.2.2.3Aμ-O三、选择题：（每小题2分，共20分，）1．本征半导体在温度升高后， C 。

A 、自由电子数目增多，空穴数目基本不变；B 、空穴数目增多，自由电子数目基本不变；C 、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同；D 、自由电子和空穴数目基本不变。

2． 当PN 结外加正向电压时， 扩散电流 A 漂移电流， 耗尽层E A ．大于， B ．小于， C ．等于， D ．变宽， E ．变窄，F 不变3．用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V 、6V 、2.7V ，则三个电极分别是 C 。

A 、（B 、C 、E ） B 、（C 、B 、E ） C 、（E 、C 、B ）4．测得某硅晶体三极管的电位如图所示，判断管子的工作状态 是（ C ）。

A ．放大状态 B ．截止状态 C ．饱和状态 D ．击穿状态5．在如图所示电路中，电阻E R 的主要作用是 B 。

A ．提高放大倍数 B ．稳定直流静态工作点 C ．稳定交流输出 D ．提高输入电阻u s1.3V6．场效应管是一种（ A ）A ．电压控制器件B ．电流控制器件C ．双极型器件D ．少子工作的器件7．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。

A.P 沟道增强型MOS 管B.P 沟道结型场效应管C.N 沟道增强型MOS 管D.N 沟道耗尽型MOS 管8．如下图所示为放大电路及输出电压波形，若要使输出电压0u 波形不失真，则应 B 。

A 、C R 增大B 、B R 增大C 、B R 减小D 、β增大9．试判断图中复合管的接法哪些是错误的 管②510. 下图所示电路不能正常放大，图中错误连接有 AA 、电容C 的位置B 、电源Vcc 的极性C 、 C2的极性D 、 Ce 的极性四．（6分）已知图示电路中稳压管D Z1和D Z2的稳定电压分别为6V 和9V ，求电压V O 的值。

电压V O1 = 3V 电压V O2 = 5V五．（8分）电路如下图所示，已知)(sin 5V t v i ω=，试分析说明电路中二极管的工作情况，并画出输出电压波形。

（已知二极管均为理想）(2分)v i >2V , D 1导通，D 2截止，v o =2V v i <-1V , D 2导通，D 1截止，v o = -1V -1V <v i <2V , D 1截止，D 2截止，v o = v i+ V O2 —图 a图 b六．（10分）已知如图所示电路中晶体管的β＝50，V BEQ ＝0.7V ，b b 'r ＝100Ω，各电容足够大，对交流信号可视为短路。

（1）求静态工作点I CQ（2）求电压放大倍数v A 、输入电阻i R 和输出电阻o RR L 3k Ωv解： （1）AR R V V I eb BEQ CC BQ μβ22)1(≈++-=mA 1.1BQ CQ ≈≈I I β（2）Ω≈++='k mA I mV r r EQ b b be 27.1)()(26)1(β 987.0))(1())(1(≈+++=L e be L e v R R r R R A ββR i ＝[ r be + (1+β) (R e // R L )] // R b ≈70k ΩR o ＝R e //Ω≈+251βbe rV75.3)23(65.112)(A33m A 5065.1m A 65.127.04V412102010E C CQ CC CEQCQBQ EBEQB EQ CC B2B1B2B =+⨯-=+-=====-=-=≈=⨯+=+=R R I U U I I R U U I I U R R R U CQ μβ680.1333350k 0.1100065.126)501(20026)1(200be L EQ be-≈+⨯⨯-='-=Ω=Ω≈++=++=r R A I r uββ （3）求输入电阻和输出电阻Ω≈==k 994.00.1//10//20////be B2B1r R R R i 七．（15分）如图所示电路中，已知V CC =12V ，R B1=20k Ω，R B2=10k Ω，R C =3k Ω， R E =2kΩ，R L =3k Ω，R S =300Ω，β=50，若U BE ≈0.7V 。

试求：1．静态工作点I BQ ，I CQ ，U CEQ ；2．计算电路在L R 开路的电压放大倍数=o v A i o /v v 和L R 接入后的电压放大倍数=v A i o /v v ； 3．计算电路在L R 接入后的电压放大倍数A V S =S v v /o ； 4．若渐渐减小R B1 ，输出电压v O 会出现何种现象？(1)（2）求电压放大倍数136-≈-=beCO v r R A βA V S =S v v /o = 34-≈+Si ivR R R A(4) 会出现饱和失真v s + v o －八．如图所示电路，场效应管工作于放大状态，r ds 忽略不计，电容对交流视做短路。

写出该电路的电压放大倍数A V ，输入电阻R i 和输出电阻R o 的表达式.设跨导为g m＋Vo－A V = -g m(R D //R L )12//i G G R R R =o D R R =。