电子束光刻系统参数要求
JEOL9300电子束光刻系统及其工艺介绍
High acceleration voltage (100kV) electron-beam lithography on ultra-thin silicon nitride substrate provide the excellent tool in determining the intrinsic resolution of the novel chemically amplified resists. Novel EUV resist shows the inherent resolution in patterning 30 nm half pitch line/sapce array with low CD variation and LER.
Patterns on nitride membrane
20 um
3.5nm gap
Film thickness: 75nm Shot pitch: 10nm Current: 2nA; Dose: 120 uC/cm2
30 nm half pitch pattern on novel EUV resist
8/16/06 4
Chemically Amplified Resist for Nanoscale Patterns
Researcher: Cheng-Tsung Lee, Cliff Henderson
Georgia Tech Chemical and Biological Engineering
1.0 0.5
M/MS
20 um
0.0 -0.5
3.5nm gap
Top lead
-1.0 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4
H (kOe)
电子束光刻仪的使用中常见问题解析
电子束光刻仪的使用中常见问题解析电子束光刻技术是当今微电子制造领域中最重要的工艺之一。
而电子束光刻仪作为这一技术实现的核心设备，在微纳加工领域扮演着无可替代的角色。
然而，由于电子束光刻仪的复杂性和敏感性，其使用过程中常常会遇到一些问题。
本文将针对这些常见问题进行解析，帮助读者更好地了解电子束光刻仪的使用。
首先，我们来解析电子束光刻仪中常见的波形问题。
在使用电子束光刻仪进行曝光时，波形的形状对曝光结果有着重要影响。
常见的波形问题包括边界不清晰、倾斜、过曝和欠曝等。
边界不清晰通常是由于电子束光刻仪对光刻底片的曝光没有达到预期的精度造成的，这可能是由于电子束光刻仪的光学系统存在问题，可以通过检查光刻底片的曝光介质和栅线间距来确定。
倾斜问题则可能由于样品旋转台或电子束束流方向的偏移引起，可以通过检查电子束光刻仪的样品旋转台或对光刻底片进行精确定位来解决。
过曝和欠曝问题可能是由于光刻底片的曝光剂量设置不当造成的，可以通过调整曝光参数来解决。
其次，我们来解析电子束光刻仪中常见的杂散辐射问题。
杂散辐射是电子束光刻仪在曝光过程中产生的额外辐射，会导致光刻底片的曝光结果失真。
常见的杂散辐射问题包括散射、透射和反射等。
散射问题通常是由于电子束与样品之间存在的碰撞引起的，可以通过调整曝光参数或采用较小的束斑来减少。
透射问题则可能是由于光刻底片的透光性不佳造成的，可以通过选用高质量的光刻底片来解决。
反射问题可能是由于电子束光刻仪的照明系统存在问题，可以通过检查照明系统的组件或设置来解决。
再次，我们来解析电子束光刻仪中常见的对位误差问题。
对位误差是指光刻底片上的芯片图案与设计图案之间的偏移，会导致曝光结果与设计要求不符。
常见的对位误差问题包括旋转、平移和缩放等。
旋转问题可能是由于样品旋转台或电子束束流方向的偏移引起，可以通过调整电子束光刻仪的样品旋转台或对光刻底片进行精确定位来解决。
平移问题则可能是由于样品台的机械结构或电子束光刻仪的坐标系存在不匹配引起，可以通过校准仪器的坐标系或更换样品台来解决。
电子束曝光系统的调试方法与参数选择
电子束曝光系统的调试方法与参数选择随着科技的快速发展，电子束曝光系统在半导体制造和微电子领域的应用越来越广泛。
电子束曝光系统作为一种高精度的曝光技术，其准确性和稳定性对于产品质量起着决定性的影响。
在电子束曝光系统的调试过程中，正确的方法和合理的参数选择至关重要。
本文将介绍一些常用的电子束曝光系统的调试方法和参数选择策略，并深入探讨其原理与应用。
一、调试方法1. 校准电子束系统在开始调试之前，首先要确保电子束系统的准确性和稳定性。
校准电子束系统需要考虑以下几个方面的因素：i. 高精度定位系统的校准：通过确定电子束与样品表面之间的距离，并调整定位系统使其与理想位置保持一致，以确保曝光结果的准确性。
ii. 电子束均匀性的校准：通过调整电子束发射器和透镜系统，使电子束的发射均匀性达到最优状态，以避免曝光过程中的不均匀现象。
iii. 背散射电子的抑制：通过调整电子束的能量和打照时间，降低电子束与样品表面发生背散射的概率，从而提高曝光的清晰度和精度。
2. 参数选择与优化在调试电子束曝光系统时，选择和优化适当的参数对于获得高质量的曝光结果至关重要。
以下是一些常用的参数选择策略：i. 曝光时间的选择：曝光时间的选择取决于样品的材料和厚度。
通常，较薄的样品需要较短的曝光时间，较厚的样品则需要较长的曝光时间。
ii. 加速电压的选择：加速电压的选择会影响电子束的能量和穿透力。
对于较厚的样品，较高的加速电压可提供更好的穿透能力，从而实现更深入的曝光效果。
iii. 扫描速度的选择：扫描速度的选择取决于样品的尺寸和复杂度。
较小和简单的样品可以选择较快的扫描速度，而较大和复杂的样品则需要较慢的扫描速度以确保曝光的均匀性。
二、参数选择与应用1. 参数选择的理论基础在电子束曝光系统中，参数选择的基础是对电子束与样品相互作用的理解。
电子束与样品表面发生相互作用时，会发生多种物理过程，包括散射、吸收、反射和透射等。
为了获得理想的曝光结果，需要掌握这些物理过程的特性，并合理选择参数以最大程度地实现所需的曝光效果。
电子束光刻系统与工艺
Nanopatterning required beam profile
Low quality beam profile
Position Beam scattering
Position
High beam energy System designation
Exposed resist & substrate cross section
9
History of JEOL E-Beam Lithography System Development
SPOT BEAM VARIABLE SHAPED BEAM
1966
JBX-2A/2B JBX-4A/4B JBX-5A
Mapping area
Drawing area Shot ranks Conv. JEOL52
21
Figures
Calibration
Condition selection
Calibration Procedure
22
Exposure
Arrangement of patterns Pattern Selection
电子束在抗蚀剂中发生前散射造成电子曝光轨迹向邻近区域扩展 ：抗蚀剂越厚，前散射扩展范围越大。 实践证明由前散射造成的邻近效应可波及100~200nm，而且强度 大，是影响百纳米级图形分辨率和成像质量的主要因素。
30
5keV 10keV 15keV 25keV
500nm
50 0n m
50keV
100keV
1986
Lab6
JBX-5D JBX-5DII JBX-5A6 JBX-5R
8 电子束光刻Electron beam lithography_2
Kinetic energy of ejected electron: Ekin = ECore State − EB − EC'
ECore State, EB, EC': core level (here n=1), first outer shell (n=2), second outer shell (n=2) electron energies. (ECore State − EB is the same energy as the characteristic x-ray energy)
X-ray region for EDX
(x-ray is actually produced wherever primary electron goes. It travels/ penetrates even farther than BSE)
Best spatial resolution for SEM
Back-scattered electron (BSE) region for imaging
(Again, BSE is actually produced wherever primary electron goes. It has higher energy, so travel longer than SE)
Electron energy (eV)
• AES is good for light element (e.g. Li) where Auger electron dominate x-ray emission yield. • It is for surface analysis, able to analyze only the top surface (2-5nm). • Scanning Auger Microscope (SAM) is a type of AES, but with focused electron beam to give high resolution spatial information of element distribution.
电子束光刻技术
电子束光刻技术随着现代科技的迅猛发展，电子束光刻技术作为一种高精度微细加工工艺，已经在半导体、光学器件、液晶显示等领域得到广泛应用。
本文将介绍电子束光刻技术的原理、应用以及面临的挑战。
一、电子束光刻技术原理：电子束光刻技术是一种利用电子束将所需图形迅速而精确地瞬时投射到待加工物体表面的方法。
该技术主要涉及到以下几个方面的关键要素：1. 电子枪：电子束光刻设备中最核心的部件，它负责产生高速电子束。
电子枪通过高电压电场和热释电发射材料中的热量，从而使部分原子电离产生自由电子。
2. 聚焦系统：用于将电子束聚焦到极小的直径，以确保加工的精度。
聚焦系统通常采用磁场透镜或者电场透镜，利用透镜的聚焦效应将电子束的直径控制在纳米级别。
3. 排线系统：排线系统的作用是将待加工的信息从控制系统传输到电子束光刻机。
通常使用高精度的电子束曝光器，通过电脑图形数据处理软件将设计好的布图数据转换为电子束所需的运动轨迹。
4. 笔直信息的确定：电子束光刻技术中的一个重要环节是作为电子束信息的数据载体的光刻胶层。
通过在光刻胶层上照射高能电子束，可以形成微细图形。
然后，通过后续的显影和其他加工工艺，最终得到所需的器件。
二、电子束光刻技术的应用：电子束光刻技术凭借其高分辨率、微细制造等优势，广泛应用于半导体和微电子器件领域。
主要应用包括：1. 半导体芯片制造：电子束光刻技术是制造半导体芯片的核心工艺之一。
电子束光刻机可准确地将微小的电子线路图案投射在硅片表面，为芯片的制造提供了必要的图形信息。
2. 光学器件制造：光学器件制造对于精度和分辨率的要求非常高，电子束光刻技术能够满足这些需求。
通过该技术，可以制造出高精度的光栅、衍射元件等光学器件。
3. 液晶显示制造：在液晶显示领域，电子束光刻技术通常用于制造液晶面板上的微小图形和线路。
这些微小的图形和线路是构成LCD显示效果的关键元素。
三、电子束光刻技术面临的挑战：尽管电子束光刻技术有着广泛的应用前景，但仍然面临一些挑战：1. 成本问题：目前，电子束光刻设备的成本较高，限制了其在大规模生产中的应用。
电子束刻蚀技术的使用技巧总结
电子束刻蚀技术的使用技巧总结电子束刻蚀技术是一种在半导体制造和纳米加工领域广泛应用的高精度加工技术。
它利用聚焦的电子束对材料表面进行刻蚀，可以实现极高的加工精度和分辨率。
本文将从不同角度总结电子束刻蚀技术的使用技巧和注意事项。
1. 材料选择和准备在使用电子束刻蚀技术之前，首先要对待刻蚀的材料进行评估和选择。
不同的材料具有不同的刻蚀特性，包括刻蚀速率、选择比等。
选择合适的材料可以提高刻蚀效率和加工质量。
此外，材料的制备也非常重要。
表面必须光洁、无尘，并且需要进行适当的清洗和处理，以确保刻蚀时的稳定性和可重复性。
2. 设计和控制参数在进行电子束刻蚀之前，需要进行详细的设备和工艺参数的设计和调优。
重要的参数包括电子束聚焦、束流密度、加速电压、扫描速度等等。
这些参数的选择和调整需要考虑到材料特性、刻蚀深度和加工精度的要求。
此外，还需要注意尽量减少电子束对样品的损伤，控制电子束的加热效应，以及优化刻蚀的速率和选择比。
3. 图案设计和掩膜制备电子束刻蚀通常用于制作微/纳米尺度的图案。
因此，图案的设计和掩膜的制备非常关键。
掩膜通常采用电子束光刻或者其他光刻技术制备，要求具有高分辨率和高对比度。
此外，掩膜的稳定性和耐刻蚀性也需要考虑。
好的图案设计和掩膜制备能够保证刻蚀图形的精度和可重复性。
4. 刻蚀过程监控和反馈控制刻蚀过程中的监控和反馈控制对于保证加工质量至关重要。
常用的监测手段包括电子显微镜、表面轮廓仪等。
通过实时监控刻蚀过程中样品表面的形貌变化，可以调整刻蚀参数和优化刻蚀效果。
此外，对于一些复杂的结构或者材料，还可以结合模拟和仿真进行辅助调试和优化。
5. 后处理和表征刻蚀结束后，还需要进行一系列的后处理和表征工作。
这包括样品的清洗和干燥，以及对刻蚀结果的表征和评估。
常用的表征手段包括扫描电子显微镜、原子力显微镜、荧光显微镜等。
这些手段可以帮助确认刻蚀结果的质量和精度，并进行进一步的分析和优化。
总结：电子束刻蚀技术作为纳米尺度加工的重要手段，应用广泛、前景广阔。
高精度电子束光刻技术在微纳加工中的应用
高精度电子束光刻技术在微纳加工中的应用一、本文概述随着纳米科技的迅速发展和微纳加工需求的日益增长，高精度电子束光刻技术已逐渐崭露头角，成为现代微纳制造领域的关键技术之一。
本文旨在深入探讨高精度电子束光刻技术在微纳加工中的应用，分析其基本原理、技术特点以及在实际应用中的优势和挑战。
我们将从高精度电子束光刻技术的理论基础出发，介绍其设备构成、操作原理以及关键技术参数，进而探讨其在微纳加工中的多种应用场景，包括微电子器件制造、纳米材料制备、生物医学器件以及光子晶体等领域的应用案例。
本文还将讨论高精度电子束光刻技术的未来发展趋势，展望其在未来微纳加工领域中的潜力和影响。
通过对高精度电子束光刻技术的全面分析，我们期望能为相关领域的科研人员和技术人员提供有价值的参考，推动高精度电子束光刻技术在微纳加工领域的进一步发展和应用。
二、高精度电子束光刻技术的基本原理高精度电子束光刻技术是一种先进的微纳加工技术，其基本原理是利用电子束在物质表面上的直接写入能力，实现对微纳尺度图形的精确刻蚀。
与传统的光学光刻技术相比，电子束光刻具有更高的分辨率和更低的制造成本，因此在微纳加工领域具有广泛的应用前景。
高精度电子束光刻技术的基本原理可以分为以下几个步骤：通过电子枪发射出高能电子束，这些电子束经过聚焦和偏转后，可以在待加工材料表面形成微米甚至纳米级的精细图形。
当高能电子束与材料表面相互作用时，会产生一系列物理和化学效应，如电子束诱导沉积、电子束刻蚀等，从而实现对材料表面的精确加工。
通过精确控制电子束的扫描路径和剂量，可以在材料表面制造出复杂的三维微纳结构。
高精度电子束光刻技术的优点在于其高分辨率和高灵活性。
由于电子束的波长比光波短得多，因此可以实现更高的分辨率和更精细的加工效果。
电子束光刻还具有高度的灵活性，可以适应各种复杂的图形和结构设计，为微纳加工提供了更多的可能性。
然而，高精度电子束光刻技术也存在一些挑战和限制。
例如，由于电子束的散射和衍射效应，其加工精度和速度受到一定的限制。
电子束光刻系统参数要求
电子束光刻系统参数要求采购预算：1300万，具体参数要求如下：一、工作条件1. 电源电压：AC 230V 10%，50 Hz三相2. 环境温度：15-25 ℃，电子枪区域 21 +/- 0.25 ℃3. 相对湿度：40 - 70%二、设备配置高斯束电子束曝光系统1.电子束曝光系统主机2.热场发射电子枪 50KeV/100KeV可切换，电子枪寿命不低于8000 - 12000小时3.210mm*210mm运动范围激光干涉样品台4.激光干涉仪精度 0.15nm5.自动动态对焦，像散矫正，写场畸变矫正系统6.自动激光高度测量7.升级125MHz图形发生器8.升级1mm大写场9.2工位真空仓自动进样系统10.预对准显微镜系统11.预装Linux的计算机系统（至强4核处理器，HP Z840同等或以上档次）含电子束曝光设备系统控制软件12.电子束曝光数据处理优化软件及临近效应修正/蒙特卡洛模拟计算软件，含数据处理用计算机系统13.标配3个以上样品架，包括6”掩模版，6”硅片，4”硅片，2”硅片及散片。
其中一个可同时安放至少4个样品包括2”硅片，散片样品。
（用户也可根据需要自行选择）14.配备至少20kVA的不间断电源。
15.其他附件、零配件三、技术服务1技术文件（印刷版和详细电子版各一套)1.1设备的基本结构和使用说明书、操作手册及维修保养说明书11.2主机和各功能部件的性能指标、基本结构和使用说明书，全套维修保养说明书1.3软件的操作手册1.4各类操作指令手册2安装调试2.1设备安装：a) 合同生效两周内投标方应提供设备安装、调试等必备的技术文件，协助用户提前作好设备安装的准备工作。
b) 设备抵达安装现场后一周内，供应商按照用户通知的日期选派经验丰富的工程师负责检验和安装调试，二个月内完成验收。
2.2验收标准：卖方须提供该设备出厂质量检测标准和试验方法，应及时更换在验收中指标未达到要求的部件，验收指标必须满足或优于标书的技术指标。
电子束光刻Electron beam lithography3.某
Resolution limit: forward scattering and beam diameter
Figure 3-11: “Critical thickness” of resist as a function of beam energy. At resist thicknesses above critical thickness, forward scattering limits resolution, whereas below the critical thickness the only resolution limiter is the beam diameter, which is at least theoretically energy-independent.
Low T development increases contrast, but decreases sensitivity
Comparison of edge roughness of ZEP-520 resist lines (40nm wide) developed at (top) room temperature; (bottom) -4oC3.
ECE 730: Fabrication in the nanoscale: principles, technology and applications
Instructor: Bo Cui, ECE, University of Waterloo; http://ece.uwaterloo.ca/~bcui/
2
Resolution enhancement process: low temperature development (ZEP)
电子束曝光系统
邻近效应的校正
图形尺寸校正：通过改变尺寸来补偿电子散射造成的曝光图形畸变。
缺点：校正的动态范围小
5. 电子束曝光的极限分辨率
忍，能让则让，这样遇到本该生气的事也就会云消雾散。要学会息怒，善于控制和调理自己的情绪，把生气消灭在萌芽状态。万万不可认为生气是正直、坦率的表现，甚至是什么值得炫耀的豪放
。那样就会放纵自己，以至性格像放荡不羁的野马，整天都有生不完的气，发不完的火，害人害己，贻患无穷。如果我们拥有心宽能忍的阳光心态，常怀乐意莫生气，不啻于掌握了一剂健身良药 ，何乐不为！
41nm台阶
77nm多边形
6. 多层抗蚀剂工艺
电子束曝光
金属镀膜
中灵敏度抗蚀剂 高灵敏度抗蚀剂 低灵敏度抗蚀剂
溶脱剥离
谢谢！
【11】：对于世界而言，你是一个人；但是对于某个人，你是他的整个世界 --玛格丽特·米切尔 《飘》 【29】：汝等比丘，若勤精进，则事无难者，是故汝等当勤精进。譬如小水长流，则能穿石。若行者之心，数数懈废，譬如钻火，未热而息，虽欲得火，火难可得，是名精进。 --释迦牟尼佛 《 佛遗教经》
3）低束流：低束流可以减小空间电荷误差，有利于获得更小的束斑。 束流低会增加曝光时间，会使聚焦标记成像亮度降低，使对焦困难。
4）小扫描场：电子束曝光系统的偏转相差与扫描场大小有关，高分辨 率应尽量使用小扫描场。
5）低灵敏度抗蚀剂：20nm以下的电子束曝光全部使用低灵敏度的抗 蚀剂，例如PMMA等。
HSQ ：负胶，极高的分辨率（<10nm），邻近效应小，灵敏度很低 ZEP-520优点：分辨率高（~20nm），灵敏度较高，耐刻蚀
电子束光刻系统参数要求
电子束光刻系统参数要求采购预算：1300万，具体参数要求如下：一、工作条件1. 电源电压：AC 230V 10%，50 Hz三相2. 环境温度：15-25 ℃，电子枪区域 21 +/- 0.25 ℃3. 相对湿度：40 - 70%二、设备配置高斯束电子束曝光系统1.电子束曝光系统主机2.热场发射电子枪 50KeV/100KeV可切换，电子枪寿命不低于8000 - 12000小时3.210mm*210mm运动范围激光干涉样品台4.激光干涉仪精度 0.15nm5.自动动态对焦，像散矫正，写场畸变矫正系统6.自动激光高度测量7.升级125MHz图形发生器8.升级1mm大写场9.2工位真空仓自动进样系统10.预对准显微镜系统11.预装Linux的计算机系统（至强4核处理器，HP Z840同等或以上档次）含电子束曝光设备系统控制软件12.电子束曝光数据处理优化软件及临近效应修正/蒙特卡洛模拟计算软件，含数据处理用计算机系统13.标配3个以上样品架，包括6”掩模版，6”硅片，4”硅片，2”硅片及散片。
其中一个可同时安放至少4个样品包括2”硅片，散片样品。
（用户也可根据需要自行选择）14.配备至少20kVA的不间断电源。
15.其他附件、零配件三、技术服务1技术文件（印刷版和详细电子版各一套)1.1设备的基本结构和使用说明书、操作手册及维修保养说明书1.2主机和各功能部件的性能指标、基本结构和使用说明书，全套维修保养说明书1.3软件的操作手册1.4各类操作指令手册2安装调试2.1设备安装：a) 合同生效两周内投标方应提供设备安装、调试等必备的技术文件，协助用户提前作好设备安装的准备工作。
b) 设备抵达安装现场后一周内，供应商按照用户通知的日期选派经验丰富的工程师负责检验和安装调试，二个月内完成验收。
2.2验收标准：卖方须提供该设备出厂质量检测标准和试验方法，应及时更换在验收中指标未达到要求的部件，验收指标必须满足或优于标书的技术指标。
聚焦离子束电子束微加工与成像系统技术指标
聚焦离子束电子束微加工与成像系统技术指标一设备用途与功能：聚焦离子束电子束双束系统用于高质量定点双球差TEM样品制备；金属、半导体、电介质、多层膜结构等固体样品上制备微纳结构；化学和晶体结构三维形态分析；离子束刻蚀、离子束沉积、电子束沉积；可进行金属样品的沉积等功能。
二工作条件：1电压：230V(-6%,+10%)2环境温度：20°C(+/-4°C)3相对湿度：<80%RH4噪音：<50dBC5可持续运行6独立接地由厂家完成。
三技术规格1电子束核心指标*1.1高电压分辨率≤0.6nm@15kV（二次电子）；1.2低电压分辨率≤1.0nm@1kV（二次电子）；1.3在束重合点分辨率：≤0.6nm@15kV；≤2.5nm@1kV，边加工边观察的分辨率1.4背散射电子分辨率（BSE）：≤2nm@30kV；2电子束其他性能指标*2.1肖特基热场发射电子枪（质保≥3年）2.2加速电压：0.5-30kV2.3电子着陆能量范围：20eV–30keV；2.4电子束束流：0.8pA-100nA，1pA以下可以成像观察，透镜控制束流值，连续可调2.5自动加热式物镜光阑，可确保清洁和无接触式自动更换光阑孔3离子束系统3.1Ga离子源3.2离子束电压：0.5-30kV*3.3Ga离子束分辨率≤2.5nm@30kV3.4Ga离子束流强度：0.1pA–65nA。
3.5离子源寿命≥1000小时3.6配备15孔光阑，自动加热式光阑可确保清洁和无接触式更换光阑孔3.7离子束视场≥0.9mm@8kV或≥1mm@30kV4样品室4.1大样品仓，仓门内宽≥350mm；4.2具有≥17个附件/探测器接口；*4.3样品室集成一体化等离子清洗仪可清洗样品仓以及样品表面污染4.4快速样品交换仓，用于快速样品传输，抽真空时间≤2min5常规样品台5.1五轴样品台XYZRT；X、Y方向移动范围≥100mm；Z范围65mm 5.2样品台倾斜范围：-15°至+90°，连续旋转尺寸n*360°5.3配置减速样品台，减少对样品损伤，增加表面信息5.4最大样品直径≥150mm，最大样品高度≥50mm6原位冷冻样品台6.1用于束流敏感的软材料样品制备6.2温度范围：-190℃至+5℃6.3温度稳定性优于±1℃7原位加热台7.1最高温度≥1000℃，升温时间≤500ms7.2高温下电镜分辨率：690nm HFW@1kv1000℃，样品台移动无限制7.3兼容所有探测器、纳米机械手、气体注入、EDS、EBSD7.4保证高温下1000℃以上仍然可以完成高质量EDS/EBSD分析8辅助气体注入系统：8.1不少于5个独立气体注入单元，用于增强刻蚀和沉积8.2可进行Pt的沉积8.3镜筒内探测器保护阀；8.4单支气体气瓶容量不小于1.5cm38.5气瓶加热温度范围30-80°C9真空系统9.1完全无油真空系统，减少污染；9.2由机械干泵、磁悬浮涡轮分子泵和离子泵构成；9.3样品室真空度可以达到2.6*10-6mba级（24h内）；9.4打开舱门更换样品，真空度五分钟内可达到测试样品要求10探测器10.1样品室二次电子探测器10.2镜筒内双功能探测器:同时具有二次电子SE模式和背散射电子BSE模式10.3样品室红外CCD相机，样品舱防触碰装置10.4样品导航光学显微镜探测器11纳米机械手11.1同厂家集成纳米机械手，电镜观察和机械手控制由同一电脑同一软件完成，可边操纵边观察；11.2XYZR全自动纳米机械手11.3机械手步长：最小步长≤50nm，旋转角度≤0.1°12FIB功能*12.1自动快速的制备TEM样品，包括自动提取和自动减薄功能。
电子束光刻系统(EBL)市场调研报告-主要企业、市场规模、份额及发展趋势
电子束光刻系统(EBL)市场报告主要研究：电子束光刻系统(EBL)市场规模：产能、产量、销售、产值、价格、成本、利润等电子束光刻系统(EBL)行业竞争分析：原材料、市场应用、产品种类、市场需求、市场供给，下游市场分析、供应链分析、主要企业情况、市场份额、并购、扩张等电子束曝光（electron beam lithography）指使用电子束在表面上制造图样的工艺，是光刻技术的延伸应用。
电子束光刻系统(EBL)即用于实现电子束曝光的系统。
2023年全球电子束光刻系统(EBL)市场规模大约为13亿元（人民币），预计2030年将达到22亿元，2024-2030期间年复合增长率（CAGR）为6.9%。
全球电子束光刻系统（Electron Beam Lithography System (EBL)）的主要参与者包括Raith、Vistec、JEOL、Elionix 和Crestec。
全球前三大制造商的份额超过70%。
日本是最大的市场，占有率约为48%，其次是欧洲和北美，占有率分别约为34%和12%。
就产品而言，高斯光束EBL系统是最大的细分市场，占有率超过70%。
在应用方面，应用最多的是工业领域，其次是学术领域。
（Win Market Research）辰宇信息报告分析电子束光刻系统(EBL)行业竞争格局，包括全球市场主要厂商竞争格局和中国本土市场主要厂商竞争格局，重点分析全球主要厂商电子束光刻系统(EBL)产能、销量、收入、价格和市场份额，全球电子束光刻系统(EBL)产地分布情况、中国电子束光刻系统(EBL)进出口情况以及行业并购情况等。
如果您有兴趣了解详情，薇joie ：chenyu-joie 同时了解更多前沿报告及报价。
针对电子束光刻系统(EBL)行业产品分类、应用、行业政策、产业链、生产模式、销售模式、行业发展有利因素、不利因素和进入壁垒也做了详细分析。
全球及中国主要厂商包括：RaithJEOLElionixVistecCrestecNanoBeam按照不同产品类型，包括如下几个类别：高斯光束EBL系统赋形波束EBL系统按照不同应用，主要包括如下几个方面：学术领域工业领域其他领域报告包含的主要地区和国家：北美（美国和加拿大）欧洲（德国、英国、法国、意大利和其他欧洲国家）亚太（中国、日本、韩国、中国台湾地区、东南亚、印度等）拉美（墨西哥和巴西等）中东及非洲地区（土耳其和沙特等）报告正文共11章，各章节主要内容如下：第1章：报告统计范围、产品细分、下游应用领域，以及行业发展总体概况、有利和不利因素、进入壁垒等；第2章：全球市场供需情况、中国地区供需情况，包括主要地区电子束光刻系统(EBL)产量、销量、收入、价格及市场份额等；第3章：全球主要地区和国家，电子束光刻系统(EBL)销量和销售收入，2019-2023，及预测2024到2030；第4章：行业竞争格局分析，包括全球市场企业排名及市场份额、中国市场企业排名和份额、主要厂商电子束光刻系统(EBL)销量、收入、价格和市场份额等；第5章：全球市场不同类型电子束光刻系统(EBL)销量、收入、价格及份额等；第6章：全球市场不同应用电子束光刻系统(EBL)销量、收入、价格及份额等；第7章：行业发展环境分析，包括政策、增长驱动因素、技术趋势、营销等；第8章：行业供应链分析，包括产业链、主要原料供应情况、下游应用情况、行业采购模式、生产模式、销售模式及销售渠道等；第9章：全球市场电子束光刻系统(EBL)主要厂商基本情况介绍，包括公司简介、电子束光刻系统(EBL)产品规格型号、销量、价格、收入及公司最新动态等；第10章：中国市场电子束光刻系统(EBL)进出口情况分析；第11章：中国市场电子束光刻系统(EBL)主要生产和消费地区分布。
光刻工艺参数
光刻工艺参数一、光刻工艺参数概述光刻工艺是半导体制造中的核心环节，其参数的选择直接影响到最终的制程质量和产品性能。
这些参数共同决定了光刻的分辨率、对比度和曝光剂量等关键因素，从而在微观层面上塑造了集成电路的几何形状和结构。
在光刻工艺中，参数主要包括光源波长、曝光剂量、焦距、数值孔径等。
它们相互关联，共同决定了光刻的质量和效果。
二、光刻工艺参数详解1.光源波长：光源波长是光刻工艺中的关键参数，它决定了光的分辨率。
短波长的光源具有较高的分辨率，但同时也需要相应的设备和材料来支持。
目前，深紫外（DUV）和极紫外（EUV）光源是主流的选择。
2.曝光剂量：曝光剂量决定了曝光过程中光能量的多少，它影响着曝光时间和光强。
曝光剂量要适量，太少会导致曝光不足，太多则可能导致过度曝光。
3.焦距：焦距是指光束通过镜头时，主平面与镜头光轴之间的距离。
在光刻工艺中，焦距的准确性对成像质量有着至关重要的影响。
4.数值孔径：数值孔径（NA）描述了镜头聚光的性能，是镜头与光刻胶之间的透镜效应的量度。
数值孔径越大，光线的汇聚能力越强，成像质量越好。
三、光刻工艺参数优化随着半导体技术的不断发展，对光刻工艺的要求也越来越高。
为了提高制程质量和产品性能，必须对光刻工艺参数进行优化。
优化过程需要综合考虑多个因素，如设备条件、材料特性、环境因素等。
此外，为了实现更精细的制程和更高的产能，科研人员还在不断探索新的光源技术、镜头技术和光刻胶技术等。
四、未来展望随着科技的不断发展，未来的光刻工艺将面临更多的挑战和机遇。
一方面，随着摩尔定律的延续，集成电路的制程将会越来越小，对光刻工艺的要求也会越来越高。
另一方面，随着新材料的出现和应用，光刻工艺也将面临新的变革和突破。
例如，极紫外光刻技术（EUV）被认为是下一代光刻技术的重要方向之一，它具有更高的分辨率和更低的制造成本等优势。
此外，随着人工智能和大数据等技术的应用，光刻工艺的数据分析和智能化管理也将成为未来的重要研究方向。
光刻系统的主要指标
光刻系统的主要指标一、概述光刻系统是半导体制造过程中最为关键的设备之一，它可以实现微米级别的图形转移，是集成电路制造中不可或缺的工艺步骤。
因此，光刻系统的性能指标对于半导体工业具有重要的意义。
二、分辨率分辨率是光刻系统性能指标中最为重要的一个，它决定了图形转移时所能够达到的最小尺寸。
目前，市场上常见的光刻系统分辨率为10nm至100nm不等。
提高分辨率需要更高精度的光学部件和更短波长的激光器，这也意味着更高成本和更复杂的工艺控制。
三、曝光时间曝光时间是影响光刻系统生产效率和质量的一个关键参数。
曝光时间越短，则生产效率越高；但同时也会降低图形转移质量。
因此，在实际应用中需要根据具体情况进行权衡。
四、平面度平面度是指在一定区域内表面高度差异大小，它直接影响到图形转移质量。
在半导体制造过程中，通常要求平面度小于100nm。
提高平面度需要更高精度的机械部件和更严格的工艺控制。
五、对位精度对位精度是指在不同层次之间进行图形转移时，所能达到的最小偏差量。
对位精度越高，则光刻系统的生产效率越高，同时也可以保证产品质量。
目前市场上常见的对位精度为0.1um至1um不等。
六、光源功率光源功率是指光刻系统所使用的激光器输出功率大小。
提高光源功率可以缩短曝光时间，从而提高生产效率。
但同时也会增加设备成本和能耗。
七、稳定性稳定性是指设备在长时间运行过程中所能够维持的性能水平。
稳定性越好，则设备故障率越低，生产效率和产品质量也会更好。
因此，在选购设备时需要重视设备稳定性。
总之，以上七个方面都是影响光刻系统性能的重要参数，它们之间相互关联、相互影响，在实际应用中需要根据具体情况进行权衡和调整。
只有在这些参数都达到一定的要求，光刻系统才能够真正发挥其作用，为半导体工业的发展做出贡献。
电子束直接光刻技术
四种电子束扫描系统对比分析与应用。
3.1 基于DSP的新型图形发生器
新型图形发生器以DSP芯片为主体，上位机通过增强并行接口（EPP）连接通 信协议控制器。DSP和计算机之间的数据通信形式由通信协议控制器决定，程 序控制器EPROM（可编程只读存储器）用来存放控制命令和传输数据方式命 令及DSP 数据输出方式等。数据控制RAM用来存放场畸变、场增益、场旋转 等校正数据。曝光图形数据和各类校正数据经DSP运算处理后，通过地址译码 及DSP内部数据总线送至相应的各类寄存器。 X和Y方向的主场、子场、增益 及旋转寄存器的数据传送给相应的数模转换器，数模转换器的模拟量经求和后 送至偏转放大器，由偏转放大器控制电子束在硅片上（或掩模上）扫描曝光图 形。例如，IBM公司在原有IBM VSXPG矢量扫描图形发生器的基础上增加了 DSP处理器，高精度地实现了圆形、椭圆形、抛物线和双曲线图形的曝光。
到目前国内研究电子束曝光技术方面有中科院电工所和信息产业部48所。48所自70年代 初就从事微细加工设备的研制，主要有电子束曝光、电子束退火、离子束注入、分子束 处延、薄膜技术和多种热工设备等。其中电子束曝光设备于1975年研制出第一代实用产 品(DB2型)，1982年研制出第二代实用产品(DB3型)，这两代产品都于1975年、1982年先 后交器件所使用，为该器件所的硅微波大功率器件、GaAs场效应器件、CD系列器件的掩 模版，WZ系列4GHZ-10GHZ硅微波功率振荡器，18GHZ、12GHZ的GaAs微波低噪声器件，采 用重复周期3μ m、最小线宽0.5μ m、间距0.7μ m梳状图形的10GHz、10mW-20mW的硅双极 振荡器件。这些器件已成功地应用于通讯卫星、气象卫星、卫星地面站及雷达设备等国 家重点工程项目。
光刻系统的主要指标
光刻系统的主要指标
光刻系统主要用于制造芯片，其主要功能是将掩模上的图案曝光到硅片上，以实现芯片的设计。
光刻系统的主要性能指标包括:
1. 分辨率：分辨率是指光刻系统可以呈现的最小线条宽度。
分辨率受到光源、光刻系统、光刻胶和工艺等多种因素的影响。
2. 对准精度：对准精度是指多层曝光期间层间图案的定位精度。
对准精度对光刻系统的加工能力至关重要。
3. 曝光方式：曝光方式包括接触接近、投射和直写等方式。
不同的曝光方式适用于不同的光刻胶和工艺需求。
4. 光源波长：光源波长是指光刻系统所使用的光源的波长范围。
不同的波长适用于不同的光刻胶和工艺需求。
5. 光强均匀性：光强均匀性是指光刻系统在曝光过程中，光强分布的均匀性。
均匀性越好，曝光效果越均匀。
6. 生产效率：生产效率是指光刻系统的加工能力，包括曝光时间、曝光剂量、分辨率、对准精度等多个方面。
生产效率越高，加工能力越强。
光刻系统的性能指标是多方面的，不同的指标对于不同的光刻胶和工艺需求都有不同的重要性。
因此，选择光刻系统时需要根据具体的工艺需求和光刻胶类型进行综合考虑。
光刻仪技术参数
光刻仪技术参数光刻仪技术参数一、技术参数1. 光刻机系统组件必须包括以下部分A. 主机B. 对准平台C. 正面对准系统D. 曝光系统E. 光学系统F. 配套基片夹具以及掩膜版夹具G. 日常光强维护工具套装H. 原装进口防震台2. 曝光系统必须包括以下部分A. 200W、350W、500W汞灯电源B. 200W、350W、500W汞灯C. 恒光强、恒功率控制；功率及光强可调3. 光学系统必须包含以下部分A. UV250, UV300, UV400微光学系统，紫外光波长：350nm～450nm ★B. 标准配置大间距和精细曝光组件，两种应用之间切换所需时间小于5分钟。
可根据用户要求定制特殊光学系统。
C. 光强：40mw/cm2 （全波长）★D. 光强均匀性：≤±2.5%（100mm 基片）E. 曝光头面积：≥φ115mm，以保证100mm有效范围内光强及其均匀性4. 对准系统A. 对准方式：手动对准B. 对准类型：单面★C. 显微镜配置：正面双视场光学CCD显微镜，支持目镜以及显示屏对准，配置5倍，10倍，20倍标准物镜。
★D. 对准精度：正面≤ ±0.5μmE. 手动装卸掩模版和基片，并在夹具上可作机械预对准F. 基片找平方式：手动找平G. 对准台对准平台移动范围：X, Y = ± 5mm; θ= ±5°对准平台移动精度：X, Y: 0.1um; θ= ±4e-5°H. 接近式曝光间距设定范围：10 -50um，距设定精度：1um Step★5. 配套基片夹具以及掩膜版夹具包括以下部分A. 5mmX5mm至10mmX10mm小片夹具，10mmX10mm至20mmX20mm小片夹具，2寸和4寸基片夹具各1个，都支持真空接触式曝光B. 掩模版架，2寸开孔（可放置3寸~5寸版），4寸开孔（可放置5寸版）各1个6. 日常光强维护工具A. 光强计主机B. 365nm/405nm探头C. 护目镜D. 光强测试位置仪7. 图形工艺效果要求A. 曝光类型：接触式包括软接触、硬接触、真空接触、接近式曝光B. 精度要求：真空接触曝光精度≤0.8μm; 硬接触精度≤1μm; 软接触精度≤ 2μm; 接近式曝光精度≤ 3μm (1μm光刻胶条件下) ★为保证服务质量，如采用进口产品竞标，竞标时必须提供生产厂家或国内代理商出具的授权书或售后服务承诺书原件二、配置1. 光刻机主机2.分离视场显微镜3. 图像识别系统4. 5倍物镜5. 10倍物镜6. 20倍物镜7. 汞灯适配器8. 汞灯电源9. 350W汞灯10.微光学系统11.光强传感器12. 5mmX5mm至10mmX10mm小片夹具13.10mmX10mm至20mmX20mm小片夹具14. 2寸夹具15.4寸夹具16. 2寸开孔掩膜版架（可放置3寸~5寸版）17. 4寸开孔掩膜版架（可放置3寸~5寸版）18. 220V/50HZ 真空泵19.光强计20.光强计探头21.护目镜22.防震台。
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电子束光刻系统参数要求
采购预算：1300万，具体参数要求如下：
一、工作条件
1. 电源电压：AC 230V 10%，50 Hz三相
2. 环境温度：15-25 ℃，电子枪区域 21 +/- 0.25 ℃
3. 相对湿度：40 - 70%
二、设备配置
高斯束电子束曝光系统
1.电子束曝光系统主机
2.热场发射电子枪 50KeV/100KeV可切换，电子枪寿命不低于8000 - 12000
小时
3.210mm*210mm运动范围激光干涉样品台
4.激光干涉仪精度 0.15nm
5.自动动态对焦，像散矫正，写场畸变矫正系统
6.自动激光高度测量
7.升级125MHz图形发生器
8.升级1mm大写场
9.2工位真空仓自动进样系统
10.预对准显微镜系统
11.预装Linux的计算机系统（至强4核处理器，HP Z840同等或以上档
次）含电子束曝光设备系统控制软件
12.电子束曝光数据处理优化软件及临近效应修正/蒙特卡洛模拟计算软
件，含数据处理用计算机系统
13.标配3个以上样品架，包括6”掩模版，6”硅片，4”硅片，2”硅片
及散片。
其中一个可同时安放至少4个样品包括2”硅片，散片样品。
（用户也可根据需要自行选择）
14.配备至少20kVA的不间断电源。
15.其他附件、零配件
三、技术服务
1技术文件（印刷版和详细电子版各一套)
1.1设备的基本结构和使用说明书、操作手册及维修保养说明书
1
1.2主机和各功能部件的性能指标、基本结构和使用说明书，全套维修保养说
明书
1.3软件的操作手册
1.4各类操作指令手册
2安装调试
2.1设备安装：
a) 合同生效两周内投标方应提供设备安装、调试等必备的技术文件，协助
用户提前作好设备安装的准备工作。
b) 设备抵达安装现场后一周内，供应商按照用户通知的日期选派经验丰富
的工程师负责检验和安装调试，二个月内完成验收。
2.2验收标准：
卖方须提供该设备出厂质量检测标准和试验方法，应及时更换在验收中指标未达到要求的部件，验收指标必须满足或优于标书的技术指标。
3技术培训
安装后进行2周的现场培训（地点在厦门大学），内容包括仪器的技术原理、操作、数据处理、基本维护等确保所有基本参数准确可以运用。
公司提供免费参加国内设备用户交流培训会。
4售后和保修服务
4.1保修服务期至少3年（自设备验收合格之日起）。
4.2保修期内：
a，保修包括所有投标商制造部分，包括人工费，差旅费及零部件费，免运输费用。
不在保修范围内的部件及事项需在合同中注明。
b，故障响应：在保修期内仪器出现问题，接到用户报修要求，响应时间为24小时内，如果无法通过网络和电话诊断排除故障，需要在72小时到达现场。
c，保修期外，出现故障，每次维修，必须问题排除后再支付费用。
维修部分质保半年。
d，维修不得超过10个工作日（运输时间和在中国海关报关时间不计入），
2
每超过1个工作日维修部分的保修在原有保修的基础上，相应顺延。
如果超过三十个工作日不能解决问题，厂家售后服务经理必须给出具体解决方案和时间的书面承诺。
e，投标商厂家要承诺十年內对以上要求做出必须实践的保证，不得以投标商厂家人员更换等因素拒不执行。
4.3保修期后，中标方（供应商）涉及维修的所有配件，在保修期外享受整机优
惠；或以一定的优惠价格出售买方，须列出价格清单。
5软、硬件的升级
保修服务期内供方应向用户提供设备软件升级服务；与之相关的硬件升级只收取成本。
保修服务期后，提供设备软件必要的更新服务，软件功能升级和硬件升级收取成本费。
6 交货日期
合同签订后需在9个月内交货。
3
本次设备采购采用综合评分法，具体办法如下：
3）电子束自动对焦高度调节范围：不小于±50 m（满足得1分）
3）最大刻写场范围：1048 m×1048 m（100 kV），写场连续可
4
★1）最小线宽：≤8 nm（100 kV，100m写场）
≤15 nm（100 kV，1mm写场）
2）拼接精度（直写模式）：
≤±20 nm（100 kV，200m写场）（满足得1分，正偏离得2分）≤±30 nm（100 kV，200m写场）（满足得1分，正偏离得2分）3）套刻精度（直写模式）：
≤±20 nm（100 kV，200m写场）（满足得1分，正偏离至10 nm得1.5分，正偏离至5 nm得2分）
≤±30 nm（100 kV，1mm写场）（满足得1分，正偏离至20 nm得1.5分，正偏离至10 nm得2分）
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8。