电子束光刻系统参数要求

电子束光刻系统参数要求

采购预算：1300万，具体参数要求如下：

一、工作条件

1. 电源电压：AC 230V 10%，50 Hz三相

2. 环境温度：15-25 ℃，电子枪区域 21 +/- 0.25 ℃

3. 相对湿度：40 - 70%

二、设备配置

高斯束电子束曝光系统

1.电子束曝光系统主机

2.热场发射电子枪 50KeV/100KeV可切换，电子枪寿命不低于8000 - 12000

小时

3.210mm*210mm运动范围激光干涉样品台

4.激光干涉仪精度 0.15nm

5.自动动态对焦，像散矫正，写场畸变矫正系统

6.自动激光高度测量

7.升级125MHz图形发生器

8.升级1mm大写场

9.2工位真空仓自动进样系统

10.预对准显微镜系统

11.预装Linux的计算机系统（至强4核处理器，HP Z840同等或以上档

次）含电子束曝光设备系统控制软件

12.电子束曝光数据处理优化软件及临近效应修正/蒙特卡洛模拟计算软

件，含数据处理用计算机系统

13.标配3个以上样品架，包括6”掩模版，6”硅片，4”硅片，2”硅片

及散片。其中一个可同时安放至少4个样品包括2”硅片，散片样品。（用户也可根据需要自行选择）

14.配备至少20kVA的不间断电源。

15.其他附件、零配件

三、技术服务

1技术文件（印刷版和详细电子版各一套)

1.1设备的基本结构和使用说明书、操作手册及维修保养说明书

1

1.2主机和各功能部件的性能指标、基本结构和使用说明书，全套维修保养说

明书

1.3软件的操作手册

1.4各类操作指令手册

2安装调试

2.1设备安装：

a) 合同生效两周内投标方应提供设备安装、调试等必备的技术文件，协助

用户提前作好设备安装的准备工作。

b) 设备抵达安装现场后一周内，供应商按照用户通知的日期选派经验丰富

的工程师负责检验和安装调试，二个月内完成验收。

2.2验收标准：

卖方须提供该设备出厂质量检测标准和试验方法，应及时更换在验收中指标未达到要求的部件，验收指标必须满足或优于标书的技术指标。

3技术培训

安装后进行2周的现场培训（地点在厦门大学），内容包括仪器的技术原理、操作、数据处理、基本维护等确保所有基本参数准确可以运用。公司提供免费参加国内设备用户交流培训会。

4售后和保修服务

4.1保修服务期至少3年（自设备验收合格之日起）。

4.2保修期内：

a，保修包括所有投标商制造部分，包括人工费，差旅费及零部件费，免运输费用。不在保修范围内的部件及事项需在合同中注明。

b，故障响应：在保修期内仪器出现问题，接到用户报修要求，响应时间为24小时内，如果无法通过网络和电话诊断排除故障，需要在72小时到达现场。

c，保修期外，出现故障，每次维修，必须问题排除后再支付费用。维修部分质保半年。

d，维修不得超过10个工作日（运输时间和在中国海关报关时间不计入），

2

每超过1个工作日维修部分的保修在原有保修的基础上，相应顺延。如果超过三十个工作日不能解决问题，厂家售后服务经理必须给出具体解决方案和时间的书面承诺。

e，投标商厂家要承诺十年內对以上要求做出必须实践的保证，不得以投标商厂家人员更换等因素拒不执行。

4.3保修期后，中标方（供应商）涉及维修的所有配件，在保修期外享受整机优

惠；或以一定的优惠价格出售买方，须列出价格清单。

5软、硬件的升级

保修服务期内供方应向用户提供设备软件升级服务；与之相关的硬件升级只收取成本。保修服务期后，提供设备软件必要的更新服务，软件功能升级和硬件升级收取成本费。

6 交货日期

合同签订后需在9个月内交货。

3

本次设备采购采用综合评分法，具体办法如下：

3）电子束自动对焦高度调节范围：不小于±50 m（满足得1分）

3）最大刻写场范围：1048 m×1048 m（100 kV），写场连续可

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★1）最小线宽：≤8 nm（100 kV，100m写场）

≤15 nm（100 kV，1mm写场）

2）拼接精度（直写模式）：

≤±20 nm（100 kV，200m写场）（满足得1分，正偏离得2分）≤±30 nm（100 kV，200m写场）（满足得1分，正偏离得2分）3）套刻精度（直写模式）：

≤±20 nm（100 kV，200m写场）（满足得1分，正偏离至10 nm得1.5分，正偏离至5 nm得2分）

≤±30 nm（100 kV，1mm写场）（满足得1分，正偏离至20 nm得1.5分，正偏离至10 nm得2分）

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